JP6259182B2 - ニッケルリンめっきが施された磁気ディスク基板の一次研磨用研磨液 - Google Patents

Description

本発明は、磁気ディスク基板用研磨組成物に関する。

磁気ディスク基板の製造においては、一般に、最終製品の表面精度に仕上げるために行う最終研磨工程の前に、より研磨効率（例えば研磨レート）を重視した研磨（一次研磨）が行われている。例えば、ニッケルリンめっきが施されたディスク基板（Ｎｉ−Ｐ基板）に対して、少なくとも一次研磨と最終研磨とを行うことにより、高精度の表面が効率よく実現され得る。このような研磨プロセスでは、例えば上記の一次研磨のように、最終研磨工程より前に行われる研磨においても、最終研磨工程における表面精度向上に寄与するため、良好な表面状態を実現することが重要である。

このような状況の下、上記一次研磨において、例えば、研磨効率の高いアルミナ砥粒と、該アルミナ砥粒とは異種の材質からなる砥粒（例えばシリカ砥粒）とを含むハイブリッドタイプの研磨組成物を用いる技術が提案されている。この種の技術に関する技術文献として特許文献１〜３が挙げられる。

特開２００５−１８７６６４号公報 特許第４９８１７５０号公報 米国特許第６，８９６，５９１号明細書

ところで、例えばＮｉ−Ｐ基板の一次研磨用の研磨組成物において、上記のようにアルミナ砥粒に加えて異種の砥粒を含有させる目的として、アルミナ砥粒の寄与による高い研磨効率を享受しつつ該アルミナ砥粒に起因するスクラッチや窪み（ピット）等の表面欠陥を抑制すること、アルミナ砥粒の一部が基板に突き刺さって最終研磨工程の後まで残留する事象を抑制すること、等が挙げられる。

近年、磁気ディスク基板には、さらなる高容量化のため、より高品質の表面が要求されるようになってきている。そのため、アルミナ砥粒を必須成分とする従来のハイブリッドタイプの研磨組成物では、かかる要求に充分に応え得る表面状態を実現できない虞がある。そこで、実用的な研磨効率を実現可能であって、かつアルミナ砥粒に起因する欠陥やアルミナの残留等をさらに高度に抑制し得る研磨組成物が提供されれば有用である。
本発明は、アルミナ砥粒を必須成分とせず、かつ磁気ディスク基板の一次研磨にも好ましく適用され得る研磨組成物を提供することを目的とする。

この明細書により提供される一つの磁気ディスク基板用研磨組成物は、少なくとも１種類のシリカ砥粒を含む。そのシリカ砥粒の平均アスペクト比は、１．１５以上（典型的には１．１５以上３．００以下）である。このような平均アスペクト比を有するシリカ砥粒は、基板表面に効果的に応力を加え得る。したがって、かかるシリカ砥粒を含む研磨組成物によると、より高い研磨レートが実現され得る。

この明細書により提供される他の一つの磁気ディスク基板用研磨組成物は、平均アスペクト比が互いに異なる２種類のシリカ砥粒を含む。すなわち、第１シリカ砥粒と、この第１シリカ砥粒より平均アスペクト比が小さい第２シリカ砥粒とを含む。このような研磨組成物では、相対的に平均アスペクト比の大きい第１シリカ砥粒が研磨レートの向上に効果的に寄与し得る。また、相対的に平均アスペクト比の小さい第２シリカ砥粒をさらに含むことにより、より安定して（より円滑に）研磨を行うことができる。このことによって、研磨レートと表面平滑性とが高レベルで両立され得る。
このように第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを含む研磨組成物は、例えば、第１シリカ砥粒の平均アスペクト比が１．１５以上である態様で好ましく実施され得る。

好ましい一態様に係る研磨組成物は、上記第１シリカ砥粒の平均短径が、上記第２シリカ砥粒の平均短径より小さい。このような研磨組成物では、相対的に平均アスペクト比の大きい第１シリカ砥粒が研磨レートの向上に効果的に寄与し得る。そして、相対的に平均短径の大きい第２シリカ砥粒によって、上記研磨の安定性を向上させる効果がよりよく発揮され得る。したがって、上記態様によると、研磨レートと表面平滑性とがより高いレベルで両立され得る。

好ましい他の一態様に係る研磨組成物は、上記第１シリカ砥粒および上記第２シリカ砥粒の含有量の比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が質量基準で９５：５〜５：９５の範囲である。このような研磨組成物によると、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを併用することの利点が効果的に発揮され得る。したがって、研磨レートと表面平滑性とをより高いレベルでバランスよく両立させることができる。

好ましい他の一態様に係る研磨組成物は、上記第１シリカ砥粒の平均短径が１５ｎｍ以上５００ｎｍ未満である。かかる第１シリカ砥粒によると、より高い研磨レートが実現され得る。したがって、このような研磨組成物は、磁気ディスク基板の一次研磨の用途に好適である。

ここに開示されるいずれかの研磨組成物は、アルミナ砥粒を実質的に含有しない態様で好ましく実施され得る。このような研磨組成物を用いることにより、アルミナ砥粒の使用に起因する品質低下（例えば、スクラッチや窪みの発生、アルミナの残留等）が特に高度に抑制された表面を備える磁気ディスク基板が提供され得る。

上記研磨組成物には研磨促進剤を含有させることができる。上記研磨促進剤は、研磨レートの向上に寄与し得る。したがって、かかる研磨促進剤を含む研磨組成物は、研磨レートと表面平滑性とを高レベルで両立させやすいので好ましい。

ここに開示されるいずれかの研磨組成物の好ましい適用対象として、ニッケルリンめっきが施されたディスク基板（Ｎｉ−Ｐ基板）が挙げられる。なかでも、Ｎｉ−Ｐ基板の一次研磨用の研磨組成物として好適である。

以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。

＜砥粒＞
ここに開示される技術の好ましい一態様に係る研磨組成物は、磁気ディスク基板用（好ましくは一次研磨用）の研磨組成物であって、平均アスペクト比が１．１５以上である少なくとも１種類のシリカ砥粒を含有する。このことによって、例えば、当該シリカ砥粒の代わりにより平均アスペクト比が小さいシリカ砥粒（球形のシリカ砥粒等）を用いた研磨組成物に比べて、より高い研磨レートが実現され得る。

このような効果が得られる理由は、例えば以下のように考えられる。すなわち、球形の粒子を用いた研磨では、該粒子と基板表面との摩擦（滑り移動）により生じ得る応力の一部が、上記粒子の転がり移動により、上記基板表面に作用せずに逃がされやすい。これに対して、平均アスペクト比が１．１５以上であるシリカ砥粒は、該砥粒を構成する粒子の平均的な形状が球形から歪んでいる。歪んだ形状の粒子は球形の粒子に比べて転がり移動しにくいため、基板の表面に対して、より効果的に応力を加え得る。このことが研磨レートの向上に寄与するものと考えられる。

また、歪んだ形状の粒子は、上述のように球形の粒子に比べて転がり移動しにくいので、基板表面を平坦にするために重点的に応力を加えて削りたい箇所（典型的には、周囲よりも盛り上がった箇所）から該粒子が逃げにくい。したがって、上記平均アスペクト比を有するシリカ砥粒を含む研磨組成物によると、より高い平坦化効果が発揮され得る。

なお、この明細書中において、１種類の砥粒についての「平均アスペクト比」とは、当該１種類の砥粒に含まれる複数個の粒子の長径／短径比の平均値をいう。すなわち、この平均アスペクト比は、上記１種類の砥粒の平均的な粒子形状を示す値である。平均アスペクト比は、例えば、電子顕微鏡観察により求めることができる。具体的な手順としては、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、測定対象の砥粒に含まれる所定個数（例えば２００個）の粒子を観察し、各々の粒子画像に外接する最小の長方形を描く。そして、各粒子画像に対して描かれた長方形について、その長辺の長さ（長径の値）を短辺の長さ（短径の値）で除した値を各粒子の長径／短径比（アスペクト比）として算出する。ここで、上記アスペクト比は、一次粒子であるか二次粒子であるかを問わず、研磨組成物中において独立して分散している粒子を１個の粒子と数えて算出するものとする。そして、上記所定個数の粒子のアスペクト比を算術平均することにより、平均アスペクト比を求めることができる。なお、各粒子のアスペクト比および平均アスペクト比は、一般的な画像解析ソフトウエアを用いて求めることができる。

ここに開示される技術は、平均アスペクト比が１．１５以上のシリカ砥粒を少なくとも１種類含む態様で好ましく実施され得る。上記シリカ砥粒の平均アスペクト比は、１．１５より大きいことが好ましく、より好ましくは１．１７以上、さらに好ましくは１．１８以上、特に好ましくは１．２０以上である。また、上記シリカ砥粒の平均アスペクト比は、該シリカ砥粒の耐久性（例えば、応力により崩れにくいこと）や研磨の安定性等の観点から、通常は、３．００以下であることが適当であり、２．５０以下が好ましく、２．００以下がより好ましい。例えば、平均アスペクト比が１．１５より大きく２．００未満（より好ましくは１．１７以上１．５０以下、さらに好ましくは１．２０以上１．５０未満）である少なくとも１種類のシリカ砥粒を含む研磨組成物が好ましい。

上記シリカ砥粒としては、その平均短径が例えば１５ｎｍ以上（典型的には２０ｎｍ以上）のものを好適に使用し得る。研磨レート等の観点から、上記シリカ砥粒の平均短径は、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上、さらに好ましくは５０ｎｍ以上である。また、上記シリカ砥粒の平均短径は、表面平滑性の観点から、好ましくは５００ｎｍ未満、より好ましくは３００ｎｍ未満、さらに好ましくは２００ｎｍ未満、例えば１５０ｎｍ未満である。ここに開示される技術は、例えば、上記シリカ砥粒の平均短径が３０ｎｍ以上１００ｎｍ未満（より好ましくは４０ｎｍ以上９０ｎｍ未満、例えば５０ｎｍ以上８０ｎｍ未満）である態様で好ましく実施され得る。

なお、この明細書中において、１種類の砥粒についての「平均短径」とは、当該１種類の砥粒に含まれる複数個（例えば２００個）の粒子の短径の平均値をいう。各粒子の短径は、上述したアスペクト比と同様、ＳＥＭにより得られた各々の粒子画像に外接する最小の長方形の短辺の長さの算術平均値として求めることができる。平均アスペクト比が１．００である場合、平均短径の値と平均長径の値とは一致する。

上記シリカ砥粒の平均一次粒子径は、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは１５ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以上である。平均一次粒子径の増大によって、より高い研磨速度が実現され得る。また、より平滑性の高い表面を得るという観点から、上記平均一次粒子径は、好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは８０ｎｍ以下である。
上述したシリカ砥粒の好ましい平均一次粒子径は、後述する第１シリカ砥粒の平均一次粒子径にも好ましく適用され得る。また、後述する第２シリカ砥粒の平均一次粒子径にも好ましく適用され得る。

なお、ここに開示される技術において、砥粒の平均一次粒子径は、例えば、ＢＥＴ法により測定される比表面積（ｍ^２／ｇ）から、Ｄ＝２７２０／Ｓ（ｎｍ）の式により算出することができる。比表面積の測定は、例えば、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ Ｓｏｒｂ ＩＩ ２３００」を用いて行うことができる。

上記シリカ砥粒の平均二次粒子径は、典型的には１５ｎｍ以上であり、研磨レート等の観点から、好ましくは３０ｎｍ超、より好ましくは５０ｎｍ超、さらに好ましくは７０ｎｍ超である。平均二次粒子径が８０ｎｍ超（さらには９０ｎｍ超）のシリカ砥粒によると、より高い研磨レートが実現され得る。また、上記シリカ砥粒の平均二次粒子径は、例えば１μｍ以下であり得る。より平滑性の高い表面を得るという観点から、上記平均二次粒子径は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下、さらに好ましくは２００ｎｍ以下である。例えば、平均二次粒子径が８０ｎｍより大きく１５０ｎｍ以下のシリカ砥粒を好ましく採用し得る。
上述したシリカ砥粒の好ましい平均二次粒子径は、後述する第１シリカ砥粒の平均二次粒子径にも好ましく適用され得る。

なお、ここに開示される技術において、砥粒の平均二次粒子径とは、特記しない限り、動的光散乱法に基づく体積基準の平均粒子径（５０％体積平均粒子径）をいう。動的光散乱法に基づく粒子径の測定は、例えば、日機装株式会社製「Ｎａｎｏｔｒａｃ Ｗａｖｅ−ＵＴ１５１」を用いて行うことができる。ここでいう砥粒の平均二次粒子径とは、一次粒子であるか二次粒子であるかを問わず、研磨組成物中において粒子として分散している砥粒の平均粒子径を指す。なお、以下において、平均二次粒子径を単に「平均粒子径」と表記することがある。

ここに開示される技術の他の好ましい一態様に係る研磨組成物は、磁気ディスク基板用（好ましくは一次研磨用）の研磨組成物であって、平均アスペクト比が互いに異なる２種類のシリカ砥粒を含有する。すなわち、第１シリカ砥粒と、この第１シリカ砥粒より平均アスペクト比が小さい第２シリカ砥粒とを含む。このような研磨組成物によると、研磨レートと表面平滑性とがより高レベルで両立され得る。

第１シリカ砥粒および第２シリカ砥粒を含有する研磨組成物によって上記の効果が発揮される理由は、例えば以下のように考えられる。すなわち、研磨により達成される表面平滑性のレベルは、該研磨の安定性にも影響され得る。研磨を不安定にする事象の例としては、研磨装置の微振動や研磨パッドのブレ等が挙げられる。このような事象は、基板に加わる応力が高くなると、より発生しやすくなる傾向にある。その一因として、基板に加わる応力が比較的高いと、局部的または一時的に上記のような不安定な事象が偶発的に生じた場合に、かかる事象が収束しにくくなることが考えられる。
上記第２シリカ砥粒は、第１シリカ砥粒に比べて平均アスペクト比が小さいことから、例えば研磨パッドを用いた研磨において、より転がり移動しやすい。第２シリカ砥粒が適度に転がり移動することにより、基板に加わる応力が適度に分散され得る。このことが研磨操作の安定性の向上に寄与し得る結果、研磨レートと表面平滑性とが高レベルで両立され得るものと考えられる。なお、表面平滑性のレベルは、例えば、後述する表面粗度や長波長うねり等の特性により評価され得る。

第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを含む態様の研磨組成物において、第１シリカ砥粒としては、例えば、平均アスペクト比が１．１２以上のものを用いることができる。研磨レートや平坦化効果の観点から、上記態様の研磨組成物における第１シリカ砥粒として、上述した平均アスペクト比を有するシリカ砥粒（すなわち、平均アスペクト比が１．１５以上のシリカ砥粒）を好ましく採用することができる。例えば、平均アスペクト比が１．１５以上２．００未満の第１シリカ砥粒が好ましく、１．２０以上１．５０未満のものがより好ましい。

一方、第２シリカ砥粒としては、平均アスペクト比が第１シリカ砥粒より小さいものが用いられる。通常は、第２シリカ砥粒の平均アスペクト比が１．１５未満であることが好ましい。研磨の安定性を向上させる効果をよりよく発揮させる観点から、第２シリカ砥粒の平均アスペクト比は、好ましくは１．１２未満、より好ましくは１．１１未満である。例えば、平均アスペクト比が１．１０未満の第２シリカ砥粒を好ましく採用し得る。

このような第２シリカ砥粒としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ等を好ましく用いることができる。より平滑性に優れた表面を実現し得るという観点から、コロイダルシリカの使用がより好ましい。

第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを併用することによる効果をよりよく発揮させる観点から、第１シリカ砥粒の平均アスペクト比は、第２シリカ砥粒の平均アスペクト比の１．０５倍以上であることが好ましく、１．１０倍以上であることがより好ましい。ここに開示される研磨組成物は、例えば、第１シリカ砥粒の平均アスペクト比が第２シリカ砥粒の平均アスペクト比の１．１３倍以上（より好ましくは１．１５倍以上）である態様で好ましく実施され得る。第１シリカ砥粒の耐久性や研磨の安定性等の観点から、第１シリカ砥粒の平均アスペクト比は、第２シリカ砥粒の平均アスペクト比の３．００倍以下であることが適当であり、２．５０倍以下であることが好ましく、２．００倍未満であることがより好ましく、１．５０倍未満であることがさらに好ましい。

また、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との併用による効果をよりよく発揮させる観点から、第２シリカ砥粒の平均アスペクト比は、第１シリカ砥粒の平均アスペクト比よりも０．０５以上小さいことが好ましく、０．１０以上小さいことがさらに好ましい。ここに開示される研磨組成物は、例えば、第２シリカ砥粒の平均アスペクト比が第１シリカ砥粒の平均アスペクト比よりも０．１５以上小さい態様で好ましく実施され得る。

第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを含む態様の研磨組成物において、第１シリカ砥粒の好ましい平均短径は、上述したシリカ砥粒の平均短径と同様であり得る。例えば、平均短径が３０ｎｍ以上１００ｎｍ未満（より好ましくは４０ｎｍ以上９０ｎｍ未満、例えば５０ｎｍ以上８０ｎｍ未満）である第１シリカ砥粒が好ましい。

第２シリカ砥粒の平均短径は、研磨レート等の観点から、好ましくは４０ｎｍ超、より好ましくは５０ｎｍ超、さらに好ましくは６０ｎｍ超である。また、第２シリカ砥粒の平均短径は、表面平滑性の観点から、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下、さらに好ましくは２００ｎｍ以下、例えば１５０ｎｍ以下である。ここに開示される技術は、例えば、第２シリカ砥粒の平均短径が５０ｎｍより大きく１８０ｎｍ以下（より好ましくは６０ｎｍより大きく１５０ｎｍ以下、例えば８０ｎｍより大きく１２０ｎｍ以下）である態様で好ましく実施され得る。

第１シリカ砥粒の平均短径は、例えば、第２シリカ砥粒の平均短径の２倍以下（典型的には１．５倍以下）であり得る。第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを併用することによる効果（すなわち、応力を分散させて研磨の安定性を高める効果）をよりよく発揮させる観点から、第１シリカ砥粒の平均短径が第２シリカ砥粒の平均短径以下（すなわち１倍以下）であることがより好ましく、第２シリカ砥粒の平均短径より小さい（すなわち１倍未満である）ことがさらに好ましい。また、研磨レートの観点からは、第１シリカ砥粒の平均短径が第２シリカ砥粒の平均短径の０．２倍以上であることが好ましい。ここに開示される技術は、例えば、第１シリカ砥粒の平均短径が第２シリカ砥粒の平均短径の０．２倍以上１倍未満（より好ましくは０．３〜０．９５倍、さらに好ましくは０．３〜０．９倍、特に好ましくは０．４〜０．８倍）である態様で好ましく実施され得る。
同様の理由により、第１シリカ砥粒の平均短径は、第２シリカ砥粒の平均短径より１ｎｍ以上小さいことが好ましく、５ｎｍ以上小さいことがより好ましく、１０ｎｍ以上（例えば２５ｎｍ以上）小さいことがさらに好ましい。また、第２シリカ砥粒の平均短径から第１シリカ砥粒の平均短径を減じた値は、好ましくは１００ｎｍ以下であり、より好ましくは８０ｎｍ以下、さらに好ましくは７０ｎｍ以下、特に好ましくは６０ｎｍ以下（例えば５０ｎｍ以下）である。

第２シリカ砥粒の平均二次粒子径は、研磨レート等の観点から、好ましくは５０ｎｍ超、より好ましくは６０ｎｍ超、さらに好ましくは７０ｎｍ超である。また、より平滑性の高い表面を得るという観点から、第２シリカ砥粒の平均二次粒子径は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下、さらに好ましくは２００ｎｍ以下である。
第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とは、その平均二次粒子径が概ね同程度であってもよい。ここに開示される技術は、例えば、第２シリカ砥粒の平均二次粒子径が第１シリカ砥粒の平均二次粒子径の０．８〜１．２倍（より好ましくは０．８５〜１．１５倍、さらに好ましくは０．９〜１．１倍）である態様で好ましく実施され得る。

第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを含む態様の研磨組成物において、第１シリカ砥粒の含有量と第２シリカ砥粒の含有量との比（質量基準）は特に限定されない。第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを併用することによる効果をよりよく発揮させる観点から、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との質量比が９５：５〜５：９５であることが適当であり、９５：５〜２０：８０であることが好ましく、９５：５〜４０：６０であることがより好ましい。第２シリカ砥粒の含有量を多くすると、より高い表面平滑性が実現され得る。また、研磨レートの観点からは、第１シリカ砥粒の含有量が第２シリカ砥粒の含有量以上（すなわち、上記質量比が５０：５０以上）であることが好ましく、第１シリカ砥粒の含有量が第２シリカ砥粒の含有量より多いことがより好ましい。ここに開示される技術の好ましい一態様として、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との質量比が５２：４８以上（より好ましくは５５：４５以上）である態様が例示される。

第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを含む態様の研磨組成物において、該研磨組成物に含まれる砥粒の全質量のうち第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との合計量は、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは８０質量％以上、さらに好ましくは９０質量％以上、典型的には９５質量％以上である。ここに開示される研磨組成物の好ましい一態様では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との合計質量が、当該研磨組成物に含まれる砥粒の全質量に等しい。

ここに開示される研磨組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、第１シリカ砥粒および第２シリカ砥粒以外のシリカ砥粒（すなわち、第３以降のシリカ砥粒）や、シリカ以外の材質からなる砥粒（以下、非シリカ砥粒ともいう。）を含有してもよい。非シリカ砥粒としては、アルミナ砥粒よりも低硬度の砥粒が好適である。そのような非シリカ砥粒の例として、チタニア砥粒、ポリアクリル酸等の樹脂砥粒が挙げられる。シリカ砥粒よりも低硬度の非シリカ砥粒であってもよい。
上記非シリカ砥粒の含有量は、研磨組成物に含まれる砥粒の全質量のうち、例えば３０質量％以下とすることが適当であり、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下である。
ここに開示される技術は、研磨組成物に含まれる砥粒の全質量のうちシリカ砥粒の割合（２種類以上のシリカ砥粒を含む研磨組成物では、それらの合計割合）が９０質量％よりも大きい態様で好ましく実施され得る。上記シリカ砥粒の割合は、より好ましくは９５質量％以上、さらに好ましくは９８質量％以上、特に好ましくは９９質量％以上である。なかでも、研磨組成物に含まれる砥粒の１００質量％がシリカ砥粒である研磨組成物が好ましい。

ここに開示される研磨組成物は、アルミナ砥粒を実質的に含まない態様で好ましく実施され得る。このことによって、アルミナ砥粒の使用に起因する品質低下（例えば、スクラッチや窪みの発生、アルミナの残留等）を除くことができる。ここで、アルミナ砥粒を実質的に含まないとは、研磨組成物に含まれる砥粒の全質量のうちアルミナ砥粒の割合が０〜１質量％（より好ましくは０〜０．５質量％、典型的には０〜０．１質量％）であることをいう。アルミナ砥粒の割合が０質量％である研磨組成物、すなわちアルミナ砥粒を含まない研磨組成物が特に好ましい。

ここに開示される研磨組成物が複数種類の砥粒を含む場合、その組成物に含まれる砥粒の種類数は、通常、それら複数種類の砥粒の外形の相違をもとに概ね把握することができる。砥粒の外形の相違は、例えば、平均アスペクト比の相違、平均短径の相違、平均一次粒子径の相違、平均二次粒子径の相違、粒子の表面形状の相違（例えば、突起の有無やその程度）等のうちの少なくとも一つであり得る。砥粒の外形は、例えば、ＳＥＭ観察により把握することができる。また、研磨組成物に含まれる複数種類の砥粒の各含有量および含有量比は、例えば、ＳＥＭ観察による画像解析に基づいて求めることができる。上記複数種類の砥粒を含む研磨組成物は、例えば、それらの砥粒と水系溶媒と必要に応じて用いられる任意成分（研磨促進剤等）とを所望の量比で混合することにより調製され得る。

ここに開示される研磨組成物は、平均二次粒子径が概ね同程度（例えば、平均二次粒子径の相違が１０％以内）でありながら、粒子の形状を表す他の特性値のうち少なくとも一つが１０％を超えて異なる、少なくとも２種類のシリカ砥粒を含む態様で好ましく実施され得る。そのような態様として、上記２種類のシリカ砥粒の平均アスペクト比が１０％を超えて異なる態様、平均短径が２０％（さらには５０％）を超えて異なる態様、平均一次粒子径が１０％（さらには２０％）を超えて異なる態様等が例示される。あるいは、上記少なくとも２種類のシリカ砥粒が、平均二次粒子径が概ね同程度でありながら、粒子の表面形状が相違するものであってもよい。
また、ここに開示される研磨組成物の他の好ましい態様として、平均短径が概ね同程度（例えば、平均短径の相違が１０％以内、より好ましくは５％以内）でありながら、粒子の形状を表す他の特性値のうち少なくとも一つが１０％を超えて異なる、少なくとも２種類のシリカ砥粒を含む態様が挙げられる。そのような態様として、上記２種類のシリカ砥粒の平均アスペクト比が１０％を超えて異なる態様、平均一次粒子径が１０％（さらには２０％）を超えて異なる態様、平均二次粒子径が２０％（さらには５０％）を超えて異なる態様等が例示される。あるいは、上記少なくとも２種類のシリカ砥粒が、平均短径が概ね同程度でありながら、粒子の表面形状が相違するものであってもよい。

ここに開示される研磨組成物に含まれるシリカ砥粒としては、ケイ酸ソーダ法、ゾルゲル法等を基礎とする公知の方法によって製造されたシリカ質の粒子（典型的には、実質的にシリカからなる粒子）を利用することができる。以下に例示するシリカ粒子またはその製造方法は、そのシリカ粒子の形状等に応じて、ここに開示される研磨組成物に含まれる任意のシリカ砥粒（第１シリカ砥粒および第２シリカ砥粒を包含する意味である。）およびその製造に適用され得る。

ゾルゲル法に基づくシリカ粒子製造方法の一例として、ケイ酸メチルまたはケイ酸メチルとメタノールとの混合物を、水、メタノールおよびアンモニアまたはアンモニアとアンモニウム塩からなる混合溶媒中に滴下してケイ酸メチルと水とを反応させる方法が挙げられる。かかる方法によると、繭型のコロイダルシリカ粒子が製造され得る。このようなシリカ粒子は、例えば、必要に応じて特開平１１−６０２３２号公報を参照して製造することができる。シリカ粒子の形状は、例えば、ケイ酸メチルの滴下時間によって調節することができる。

他の一例として、ＳｉＯ_２濃度１〜８モル／Ｌ（リットル）、酸濃度０．００１８〜０．１８モル／Ｌ、水濃度２〜３０モル／Ｌの条件下で、溶剤を使用しないでアルキルシリケートを酸触媒で加水分解してケイ酸を生成させた後、水で希釈してＳｉＯ_２濃度を０．２〜１．５モル／Ｌとし、アルカリ触媒を加えてｐＨ７以上とし、加熱してケイ酸の重合を進行させる方法が挙げられる。かかる方法によると、電子顕微鏡観察による太さ方向の平均直径が５〜１００ｎｍであり、長さがその１．５〜５０倍である細長い形状の非晶質シリカ粒子が製造され得る。このようなシリカ粒子は、例えば、必要に応じて特開２００１−４８５２０号公報を参照して製造することができる。シリカ粒子の形状は、例えば、ケイ酸の重合条件によって調節することができる。

他の一例として、加水分解速度の速い易加水分解性オルガノシリケート（トリメチルシリケート、テトラメチルシリケート等）を、加水分解触媒（第４級アンモニウム類、アミノアルコール類、モルホリン類およびピペラジン類等）の存在下において、上記加水分解触媒を少なくとも反応終了時の反応混合物中におけるシリカＢに対する加水分解触媒Ａのモル比（Ａ／Ｂ）が０．０１２以下となるように添加して反応させる方法が挙げられる。かかる方法によると、多数の小突起を有するコロイダルシリカ粒子が製造され得る。このようなシリカ粒子は、例えば、必要に応じて特開２００７−１５３７３２号公報を参照して製造することができる。シリカ粒子の形状は、例えば、加水分解触媒の量、反応系のｐＨ、温度、攪拌速度、反応時間等の、加水分解反応の反応条件によって調節することができる。

ケイ酸ソーダを原料とするコロイダルシリカの製造は、一般に、ケイ酸ソーダをイオン交換することによって行われる。ケイ酸ソーダ法に基づくシリカ粒子製造方法の一例として、ＳｉＯ_２換算の濃度が０．０５〜５．０質量％のアルカリ金属ケイ酸塩水溶液に、ケイ酸液を添加して混合液のモル比ＳｉＯ_２／Ｍ_２Ｏ（Ｍはアルカリ金属または第４級アンモニウム）を３０〜６０とし、上記ケイ酸液添加の前、後または添加中に、金属（Ｃａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｓｂ，Ｆｅ，Ｃｕおよび希土類金属の１種または２種以上）の化合物を添加し、この混合液を６０℃以上の任意の温度で一定時間維持し、さらにケイ酸液を添加して反応液中のＳｉＯ_２／Ｍ_２Ｏのモル比を６０〜１００とする方法が挙げられる。かかる方法によると、鎖形状のシリカ微粒子が製造され得る。このようなシリカ粒子は、例えば、必要に応じて特開平４−１８７５１２号公報を参照して製造することができる。シリカ粒子の形状は、例えば、混合液のＳｉＯ_２／Ｍ_２Ｏを３０〜６０とする工程におけるＳｉＯ_２／Ｍ_２Ｏの値（モル比）によって調節され得る。

他の一例として、活性ケイ酸のコロイド水溶液に、水溶性のカルシウム塩および／またはマグネシウム塩の水溶液を添加し、これにアルカリ性物質（アルカリ金属水酸化物等）を加え、得られた混合物の一部を６０℃以上に加熱してヒール液とし、残部をフィード液として、上記ヒール液に上記フィード液を添加し、その間に水を蒸発させる事によりＳｉＯ_２濃度６〜３０質量％まで濃縮する方法が挙げられる。かかる方法によると、細長い形状の非晶質コロイダルシリカ粒子が製造され得る。このようなシリカ粒子は、例えば、必要に応じて特開平７−１１８００８号公報を参照して製造することができる。シリカ粒子の形状は、例えば、上記活性ケイ酸のＳｉＯ_２に対する上記カルシウム塩および／またはマグネシウム塩の添加量によって調節され得る。

他の一例として、（ａ）ＳｉＯ_２換算の濃度が０．５〜１０質量％でありｐＨが２〜６である活性ケイ酸のコロイド溶液に、２価または３価の金属塩（例えば硝酸カルシウム）を含有する水溶液を添加し混合する工程、ここで上記水溶液の添加量は、上記コロイド溶液に含まれるＳｉＯ_２に対して、上記２価または３価の金属の量が酸化物換算で１〜１０質量％となる量とする；（ｂ）上記工程（ａ）により得られた混合液ｍ１に、平均粒子径１０〜１２０ｎｍ、ｐＨ２〜６の酸性球状シリカゾルを、該酸性球状シリカゾルに由来するシリカ含量Ａと混合液ｍ１に由来するシリカ含量Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）が５〜１００となり、かつ、上記酸性球状シリカゾルと上記混合液ｍ１との混合液ｍ２の全シリカ含量（Ａ＋Ｂ）が該混合液ｍ２の５〜４０質量％となるように加えて混合する工程；（ｃ）上記工程（ｂ）により得られた混合液ｍ２に、ｐＨが７〜１１となるようにアルカリ金属水酸化物等を加えて混合する工程；および、（ｄ）上記工程（ｃ）により得られた混合液ｍ３を１００〜２００℃で０．５〜５０時間加熱する工程；を含む方法が挙げられる。かかる方法によると、数珠状のコロイダルシリカ粒子が製造され得る。このようなシリカ粒子は、例えば、必要に応じて特開２００１−１１４３３号公報を参照して製造することができる。

他の一例として、水ガラス等のアルカリ金属ケイ酸塩の水溶液を脱陽イオン処理することにより得られるＳｉＯ_２濃度２〜６質量％程度の活性ケイ酸の酸性水溶液に、アルカリ土類金属（Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ等）の塩をその酸化物換算で上記活性ケイ酸のＳｉＯ_２に対して１００〜１５００ｐｐｍの質量比で添加し、さらにこの液中のＳｉＯ_２／Ｍ_２Ｏ（Ｍは、アルカリ金属原子、ＮＨ_４または第４級アンモニウム基）のモル比が２０〜１５０となる量のアルカリ物質を添加することにより得られる液を当初ヒール液とし、同様にして得られるＳｉＯ_２濃度２〜６質量％、ＳｉＯ_２／Ｍ_２Ｏ（Ｍは上記に同じ。）のモル比２０〜１５０の活性ケイ酸水溶液をチャージ液として、上記当初ヒール液に上記チャージ液を、６０〜１５０℃で、チャージ液に由来するＳｉＯ_２量Ａと当初ヒール液に由来するＳｉＯ_２量Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）が１時間当たり０．０５〜１．０となる速度で、必要に応じて液から水を蒸発除去しながら添加する方法が挙げられる。かかる方法によると、歪な形状を有するコロイダルシリカ粒子が製造され得る。このようなコロイダルシリカ粒子の製造は、例えば、必要に応じて特開２００１−１５０３３４号公報を参照して製造することができる。

他の一例として、ケイ酸塩を酸で中和して得られるシリカヒドロゲルを洗浄して塩類を除去し、アルカリを添加した後、６０〜２００℃の範囲に加熱することによりシリカヒドロゲルを解膠してシリカゾルを調製し、これをシードゾルとし、必要に応じてアルカリを加え、ｐＨ９〜１２．５に調整し、温度６０〜２００℃の条件下、ケイ酸液を添加する方法が挙げられる。かかる方法によると、異方形状のシリカ微粒子が製造され得る。このようなシリカ微粒子は、例えば、必要に応じて特開２００７−１３７９７２号公報を参照して製造することができる。シリカ微粒子の形状は、例えば、ケイ酸液の添加速度やｐＨによって調節することができる。また、シリカ微粒子のサイズは、例えば、ケイ酸液の添加量によって調節することができる。

他の一例として、ｐＨ１．０〜７．０かつＳｉＯ_２濃度０．０５〜３．０質量％のケイ酸液を熟成して重合ケイ酸液を調製し、該重合ケイ酸液にアルカリ（アルカリ金属水酸化物、アンモニア水等）を加えて加熱することによりシード液を調製し、得られたシード液にケイ酸液を加えてビルドアップさせることにより異形シリカ微粒子を製造する方法が挙げられる。このような異形シリカ微粒子は、例えば、必要に応じて国際公開第２００７／０１８０６９号を参照して製造することができる。異形シリカ微粒子の形状は、例えば、シード液へのケイ酸液の添加速度やシード液のｐＨによって調節することができる。また、異形シリカ微粒子のサイズは、例えば、ケイ酸液の添加量によって調節することができる。

他の一例として、Ａ液（核粒子分散液またはケイ酸アルカリ水溶液）に、強酸の塩からなる電解質の存在下、Ｂ液（ケイ酸アルカリ水溶液）を添加して核粒子を成長させる際に、Ａ液のシリカ（ＳｉＯ_２）１００質量部に対して、Ｂ液のシリカ５０〜２５００質量部を、上記Ｂ液中のアルカリの当量数（Ｅ_Ａ）と上記電解質の当量数（Ｅ_Ｅ）の比（Ｅ_Ａ／Ｅ_Ｅ）が０．４〜８の範囲となるように添加する方法が挙げられる。かかる方法によると、金平糖状のシリカ微粒子が製造され得る。このような金平糖状のシリカ微粒子は、典型的には上記核粒子の表面に微小粒子が生成、成長することにより形成され得る。上記金平糖状のシリカ微粒子は、例えば、必要に応じて特開２００８−１６９１０２号公報を参照して製造することができる。金平糖状シリカ微粒子の形状は、例えば、核粒子の粒子径、Ｂ液の供給速度や添加量、核粒子分散液の濃度等によって調節することができる。

他の一例として、濃度０．５〜７質量％のアルカリケイ酸塩水溶液を強酸型陽イオン交換樹脂と接触させて脱アルカリすることによりケイ酸液を調製し、このケイ酸液に酸を加えてｐＨ２．５以下かつ温度０〜９８℃の条件で酸処理し、得られた酸性ケイ酸コロイド液中の不純物を分画分子量５００〜１００００の限外濾過膜にて除去してオリゴケイ酸溶液を調製し、このオリゴケイ酸溶液の一部にアンモニアまたはアミンを加えてｐＨ７〜１０で６０〜９８℃の温度に加熱してヒールゾルを調製し、このヒールゾルにオリゴケイ酸溶液の残部を徐々に滴下してコロイド粒子を成長させる方法が挙げられる。この方法によるシリカ粒子の製造は、例えば、必要に応じて特開昭６１−１５８８１０号公報を参照して実施することができる。

他の一例として、アルカリ金属ケイ酸塩や活性ケイ酸の水溶液に強酸または強酸の塩を添加した溶液をイオン交換樹脂で処理し、そのイオン交換によって得られた溶液に同様の工程から得られた溶液を添加してシリカゾルを調製し、これをイオン交換樹脂で処理して得られたシリカゾルにアンモニアを添加する方法が挙げられる。この方法によるシリカ粒子の製造は、例えば、必要に応じて特開平６−１６４１４号公報を参照して実施することができる。

他の一例として、アルカリ存在下でアルキルシリケートを加水分解しながら、生成したケイ酸を重合させて水性シリカゾルを得る方法が挙げられる。例えば、０．００２〜０．１モル／Ｌのアルカリ濃度および３０モル／Ｌ以上の水濃度に保たれた反応媒体に、上記アルカリ１モルに対してＳｉ原子換算で７〜８０モルのアルキルシリケートを加え、このアルキルシリケートを４５℃以上かつ上記反応媒体の沸点以下の温度で加水分解させるとともに、この加水分解によって生じたケイ酸の重合を進行させる。かかる方法によると、３〜１００ｎｍの粒子径を有するコロイダルシリカが製造され得る。この方法は、例えば、必要に応じて特開平６−３１６４０７号公報を参照して実施することができる。

他の一例として、単分散のコロイダルシリカにシリカ粒子の凝集剤を添加して球状に二次凝集させ、次いで活性ケイ酸を添加して上記二次凝集したシリカ粒子を一体化する方法が挙げられる。この方法は、例えば、必要に応じて特開２００２−３３８２３２号公報を参照して実施することができる。

ここに開示される研磨組成物に含まれるシリカ粒子は、異形（すなわち非球状）のコロイダルシリカ粒子の表面、または複数の球状のコロイダルシリカ粒子からなる異形の会合体の表面に複数の突起を形成させることにより製造されてもよい。あるいは、突起を有する複数のコロイダルシリカ粒子を会合させることにより製造されてもよい。球状または異形のコロイダルシリカ粒子を得ることや、コロイダルシリカ粒子を会合させること、またコロイダルシリカ粒子の表面またはコロイダルシリカ粒子の会合体の表面に複数の突起を形成することは、上述のような公知文献の記載に従って行うことができる。

例えば、複数の突起を表面に有するコロイダルシリカ粒子は、以下の方法で製造することができる。まず、アンモニア水が触媒として加えられたメタノールと水の混合溶液に、アルコキシシランを連続的に添加して加水分解することにより、異形のコロイダルシリカ粒子を含んだスラリーを得る。得られたスラリーを加熱してメタノールおよびアンモニアを留去する。その後、スラリーに有機アミンを触媒として加えてから、７０℃以上の温度で再びアルコキシシランを連続的に添加して加水分解する。これにより、異形のコロイダルシリカ粒子の表面に複数の突起が形成され得る。このようにして得られたシリカ粒子を、ここに開示される研磨組成物における任意のシリカ砥粒（例えば第１シリカ砥粒）として利用することができる。

＜水系溶媒＞
ここに開示される研磨組成物は、典型的には、砥粒の他に水系溶媒を含有する。ここで水系溶媒とは、水と、水を主成分とする混合溶媒とを包含する概念である。水を主成分とする混合溶媒とは、典型的には、水の含有量が５０体積％を超える混合溶媒を指す。水としては、イオン交換水（脱イオン水）、蒸留水、純水等を用いることができる。上記混合溶媒を構成する水以外の溶媒としては、水と均一に混合し得る有機溶剤（低級アルコール等）を用いることができる。通常は、水系溶媒の８０体積％以上（より好ましくは９０体積％以上、さらに好ましくは９５体積％以上）が水である水系溶媒の使用が好ましい。特に好ましい例として、実質的に水からなる水系溶媒（例えば、９９．５〜１００体積％が水である水系溶媒）が挙げられる。
ここに開示される研磨組成物（典型的にはスラリー状の組成物）は、例えば、その固形分含量（ｎｏｎ−ｖｏｌａｔｉｌｅ ｃｏｎｔｅｎｔ；ＮＶ）が５ｇ／Ｌ〜５００ｇ／Ｌである形態で好ましく実施され得る。上記ＮＶが１０ｇ／Ｌ〜３５０ｇ／Ｌである形態がより好ましい。

＜その他の成分＞
ここに開示される研磨組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、研磨促進剤、キレート剤、ｐＨ調整剤、防腐剤等の、磁気ディスク基板用の研磨組成物（典型的には、Ｎｉ−Ｐ基板の一次研磨に用いられる研磨組成物）に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。

研磨促進剤の例としては、酸化剤、酸およびその塩が挙げられる。酸化剤の例としては、過酸化物、硝酸またはその塩、ペルオキソ酸またはその塩、過マンガン酸またはその塩、クロム酸またはその塩等が挙げられるが、これらに限定されない。このような酸化剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を適宜組み合わせて用いてもよい。酸化剤の具体例としては、過酸化水素、硝酸、硝酸鉄、硝酸アルミニウム、ペルオキソ二硫酸、過ヨウ素酸、過塩素酸、次亜塩素酸、等が挙げられる。好ましい酸化剤として、過酸化水素、硝酸鉄、ペルオキソ二硫酸および硝酸が例示される。

ここに開示される研磨組成物は、酸化剤として少なくとも硝酸鉄（水和物であり得る。）を含む態様で特に好ましく実施され得る。上記硝酸鉄としては、例えば、硝酸鉄（III）９水和物のような３価の硝酸鉄を好ましく用いることができる。また、２価の硝酸鉄（すなわち硝酸鉄（II））も使用可能である。硝酸鉄（II）は、典型的には他の酸化剤（例えば、ペルオキソ二硫酸塩、過酸化水素等）と組み合わせて用いられることにより、研磨対象物に対して硝酸鉄（III）と同様の作用を発揮し得る。

酸の例としては、鉱酸（硝酸、硫酸、塩酸、リン酸等）や有機酸（炭素原子数が１〜１０程度の有機カルボン酸、有機ホスホン酸、有機スルホン酸等）が挙げられるが、これらに限定されない。有機酸の具体例としては、クエン酸、マレイン酸、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、クロトン酸、ニコチン酸、酢酸、アジピン酸、ギ酸、シュウ酸、メチルアシッドホスフェート、エチルアシッドホスフェート、エチルグリコールアシッドホスフェート、イソプロピルアシッドホスフェート、フィチン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、メタンスルホン酸、等が挙げられる。このような酸は、典型的には前述の酸化剤と合わせて用いられることにより、研磨促進剤として効果的に作用し得る。研磨効率の観点から好ましい酸として、メタンスルホン酸、硫酸、硝酸、フィチン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸等が例示される。なかでも硝酸、メタンスルホン酸が好ましい。

キレート剤の例としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の例には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸およびトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤の例には、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸およびα−メチルホスホノコハク酸が含まれる。これらのうち有機ホスホン酸系キレート剤がより好ましく、なかでも好ましいものとしてエチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）が挙げられる。特に好ましいキレート剤として、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）が挙げられる。

ここに開示される研磨組成物は、水溶性高分子をさらに含有してもよい。水溶性高分子をさらに含有させることにより、研磨組成物による研磨後の磁気ディスク基板の表面粗さがより一層低減され得る。水溶性高分子としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物；その他、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリイソアミレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。

＜用途＞
ここに開示される研磨組成物は、例えば、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有するディスク基板（Ｎｉ−Ｐ基板）の研磨に好ましく適用され得る。特に、かかるディスク基板の一次研磨用の研磨組成物として好適である。上記基材ディスクは、例えば、アルミニウム合金製、ガラス製、ガラス状カーボン製等であり得る。このような基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層以外の金属層または金属化合物層を備えたディスク基板であってもよい。なかでも、アルミニウム合金製の基材ディスク上にニッケルリンめっき層を有するＮｉ−Ｐ基板の一次研磨用の研磨組成物として好適である。かかる用途では、ここに開示される技術を適用することが特に有意義である。

また、ここに開示される研磨組成物は、例えば、Ｓｃｈｍｉｔｔ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎｃ．社製レーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ−３０００ＷＲＣ」により測定される表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））が１００Å〜３００Å程度の磁気ディスク基板を研磨（典型的には一次研磨）して１０Å以下の表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））に調整する用途に好適である。かかる用途では、ここに開示される技術を適用することが特に有意義である。

＜研磨液＞
ここに開示される研磨組成物は、典型的には該研磨組成物を含む研磨液の形態で被研磨物（磁気ディスク基板）に供給されて、該被研磨物の研磨に用いられる。上記研磨液は、例えば、研磨組成物を希釈して調製されたものであり得る。あるいは、研磨組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。すなわち、ここに開示される技術における研磨組成物の概念には、研磨液と、希釈して研磨液として用いられる濃縮液との双方が包含される。

研磨液における砥粒の含有量（複数種類の砥粒を含む場合には、それらの合計含有量）は、典型的には５ｇ／Ｌ以上であり、１０ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、３０ｇ／Ｌ以上であることがより好ましい。砥粒の含有量の増大によって、より高い研磨レートが実現され得る。また、研磨後の基板の表面平滑性や研磨の安定性の観点から、通常、上記含有量としては、２５０ｇ／Ｌ以下が適当であり、好ましくは２００ｇ／Ｌ以下、より好ましくは１５０ｇ／Ｌ以下、さらに好ましくは１００ｇ／Ｌ以下である。

研磨促進剤としての酸化剤を含む態様では、研磨液中における該酸化剤の含有量（複数の酸化剤を含む場合には、それらの合計含有量）を、例えば０．１ｇ／Ｌ以上とすることができる。上記含有量は、研磨レート等の観点から、好ましくは０．５ｇ／Ｌ以上、より好ましくは１ｇ／Ｌ以上である。また、研磨組成物の経済性の観点から、酸化剤の含有量は、１００ｇ／Ｌ以下が適当であり、好ましくは７５ｇ／Ｌ以下、より好ましくは６０ｇ／Ｌ以下である。好ましい含有量の範囲は、使用する酸化剤の種類によっても異なり得る。例えば、酸化剤として硝酸鉄（III）９水和物を用いる場合、その含有量は、通常、２０〜１００ｇ／Ｌ程度が適当であり、３０〜７５ｇ／Ｌが好ましい。また、酸化剤として過酸化水素を用いる場合、その含有量は、通常、Ｈ_２Ｏ_２濃度として０．１〜５０ｇ／Ｌ程度が適当であり、１〜３０ｇ／Ｌが好ましい。

酸、特に有機酸を含む態様では、研磨液中における該有機酸の含有量（複数の有機酸を含む態様では、それらの合計含有量）を、例えば０．１ｇ／Ｌ以上とすることができる。上記含有量は、研磨レート等の観点から、好ましくは０．５ｇ／Ｌ以上、より好ましくは１ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは５ｇ／Ｌ以上である。また、研磨組成物の貯蔵安定性等の観点から、上記含有量は、７０ｇ／Ｌ以下が適当であり、好ましくは５０ｇ／Ｌ以下、例えば３０ｇ／Ｌ以下である。

上記研磨液のｐＨとしては、研磨レートや表面平滑性等の観点から、４以下が好ましく、３以下がより好ましい。研磨液において上記ｐＨが実現されるように、必要に応じて有機酸、無機酸等のｐＨ調整剤を含有させることができる。上記ｐＨは、例えば、ニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の研磨に用いられる研磨液（特に、一次研磨用の研磨液）に好ましく適用され得る。

水溶性高分子を含む態様では、研磨液中における該水溶性高分子の含有量（複数の水溶性高分子を含む態様では、それらの合計含有量）を、例えば０．０１ｇ／Ｌ以上とすることが適当である。上記含有量は、研磨後の磁気ディスク基板の表面平滑性等の観点から、好ましくは０．０５ｇ／Ｌ以上、より好ましくは０．０８ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは０．１ｇ／Ｌ以上である。また、研磨レート等の観点から、上記含有量は、１０ｇ／Ｌ以下とすることが適当であり、好ましくは５ｇ／Ｌ以下、例えば１ｇ／Ｌ以下である。

＜研磨＞
ここに開示される研磨組成物は、例えば以下の操作を含む態様で、被研磨物（ここでは磁気ディスク基板）の研磨に好適に使用することができる。以下、ここに開示される研磨組成物を用いて被研磨物を研磨する方法の好適な一態様につき説明する。
すなわち、ここに開示されるいずれかの研磨組成物を含む研磨液（典型的にはスラリー状の研磨液であり、研磨スラリーと称されることもある。）を用意する。上記研磨液を用意することには、研磨組成物に濃度調整（例えば希釈）やｐＨ調整等の操作を加えて研磨液を調製することが含まれ得る。あるいは、研磨組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。

次いで、その研磨液を被研磨物に供給し、常法により研磨する。例えば、一般的な研磨装置に被研磨物をセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて上記被研磨物の表面（被研磨面）に研磨液を供給する。典型的には、上記研磨液を連続的に供給しつつ、被研磨物の表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。かかる研磨工程を経て被研磨物の研磨が完了する。

上述のような研磨工程は、磁気ディスク基板（例えば、Ｎｉ−Ｐ基板）の製造プロセスの一部であり得る。したがって、この明細書によると、上記研磨工程を含む磁気ディスク基板の製造方法が提供される。

ここに開示される研磨組成物は、被研磨物の一次研磨に好ましく使用され得る。したがって、この明細書によると、上記研磨組成物を用いた一次研磨工程を含む磁気ディスク基板の製造方法が提供される。この磁気ディスク基板製造方法は、上記一次研磨工程の後に最終研磨工程を含み得る。この最終研磨工程は、従来公知の方法と同様にして実施することができるため、詳しい説明は省略する。

＜濃縮液＞
ここに開示される研磨組成物は、被研磨物に供給される前には濃縮された形態（すなわち、研磨液の濃縮液の形態）であってもよい。このように濃縮された形態の研磨組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は、例えば１．５倍〜５０倍程度とすることができる。濃縮液の貯蔵安定性等の観点から、通常は、２倍〜２０倍（典型的には２倍〜１０倍）程度の濃縮倍率が適当である。

このように濃縮液の形態にある研磨組成物は、所望のタイミングで希釈して研磨液を調製し、その研磨液を被研磨物に供給する態様で好適に使用することができる。上記希釈は、典型的には、上記濃縮液に前述の水系溶媒を加えて混合することにより行うことができる。また、上記水系溶媒が混合溶媒である場合、該水系溶媒の構成成分のうち一部の成分のみを加えてもよく、それらの構成成分を上記水系溶媒とは異なる量比で含む混合溶媒を加えて希釈してもよい。

上記濃縮液のＮＶは、例えば５００ｇ／Ｌ以下とすることができる。研磨組成物の貯蔵安定性（例えば、砥粒の分散安定性）等の観点から、濃縮液のＮＶは、４５０ｇ／Ｌ以下とすることが適当であり、好ましくは３５０ｇ／Ｌ以下である。また、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から、濃縮液のＮＶは、１０ｇ／Ｌより高いことが適当であり、好ましくは３０ｇ／Ｌ超、より好ましくは５０ｇ／Ｌ超、例えば１００ｇ／Ｌ超である。

上記濃縮液における砥粒の含有量は、例えば５００ｇ／Ｌ未満とすることができる。研磨組成物の貯蔵安定性等の観点から、上記含有量は、４５０ｇ／Ｌ未満が適当であり、好ましくは３５０ｇ／Ｌ未満である。また、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から、砥粒の含有量は、例えば１０ｇ／Ｌ以上とすることができ、好ましくは２０ｇ／Ｌ以上、より好ましくは３０ｇ／Ｌ以上（例えば５０ｇ／Ｌ以上）である。

ここに開示される研磨組成物は、一剤型であってもよいし、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。例えば、該研磨組成物の構成成分（典型的には、水系溶媒以外の成分）のうち一部の成分を含むＡ液と、残りの成分を含むＢ液とが混合されて被研磨物の研磨に用いられるように構成されていてもよい。

ここに開示される研磨組成物または該組成物を用いた研磨によると、アルミナ砥粒を必須成分としなくても、被研磨物の表面を効率よく平坦化することができる。このため、例えば、アルミナ砥粒を含む従来の一般的な研磨組成物に比べて、該研磨組成物に含まれる砥粒に占めるアルミナ砥粒の割合が少ない組成とし、あるいはアルミナ砥粒を実質的に含まない組成としても、Ｎｉ−Ｐ基板等の磁気ディスク基板の一次研磨に好ましく適用可能な研磨効率が実現され得る。かかる研磨組成物を用いた一次研磨によると、アルミナ砥粒に起因する欠陥やアルミナの残留等の発生を抑制し、あるいは未然に防ぐことができる。このことによって、一次研磨後の表面状態が改善され、最終研磨後においてより高精度の表面が実現され得る。

以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。

以下で使用した各シリカ砥粒の詳細は次のとおりである。なお、各砥粒の平均アスペクト比および平均短径は、ＳＥＭ観察に基づく上述の方法に準じて、２００個の粒子の平均値として求めたものである。また、各砥粒の平均一次粒子径は、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置「Ｆｌｏｗ Ｓｏｒｂ ＩＩ ２３００」を用いて測定された値である。各砥粒の平均二次粒子径は、日機装株式会社製「Ｎａｎｏｔｒａｃ Ｗａｖｅ−ＵＴ１５１」を用いて測定された値である。

＜研磨組成物の調製＞
（例１）
砥粒Ａと、硝酸鉄（III）９水和物と、脱イオン水とを混合して、表２に示す組成の研磨液（すなわち、砥粒Ａおよび硝酸鉄（III）９水和物の濃度がそれぞれ６２．０ｇ／Ｌおよび４３ｇ／Ｌである研磨液）を調製した。

（例２）
第１シリカ砥粒としての砥粒Ａと、第２シリカ砥粒としての砥粒Ｂ１と、硝酸鉄（III）９水和物と、脱イオン水とを混合して、表２に示す組成の研磨液を調製した。使用した第１シリカ砥粒（砥粒Ａ）の平均短径は、第２シリカ砥粒（砥粒Ｂ１）の平均短径の０．５７倍である。また、この研磨液における第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）は８０：２０（質量基準。以下同じ。）である。

（例３）
砥粒Ａおよび砥粒Ｂ１の濃度を表２に示すように変更した点以外は例２と同様にして、表２に示す組成の研磨液を調製した。この研磨液における第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の比は６０：４０である。

（例４）
砥粒Ａおよび砥粒Ｂ１の濃度を表２に示すように変更した点以外は例２と同様にして、表２に示す組成の研磨液を調製した。この研磨液における第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の比は４０：６０である。

（例５）
砥粒Ａおよび砥粒Ｂ１の濃度を表２に示すように変更した点以外は例２と同様にして、表２に示す組成の研磨液を調製した。この研磨液における第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の比は２０：８０である。

（例６）
砥粒Ａに代えて砥粒Ｂ１を使用した他は例１と同様にして、表２に示す組成の研磨液を調製した。

（例７）
第１シリカ砥粒としての砥粒Ａと、第２シリカ砥粒としての砥粒Ｂ２と、硝酸鉄（III）９水和物と、脱イオン水とを混合して、表２に示す組成の研磨液を調製した。使用した第１シリカ砥粒（砥粒Ａ）の平均短径は、第２シリカ砥粒（砥粒Ｂ２）の平均短径の０．９７倍である。また、この研磨液における第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の比は９０：１０である。

（例８）
砥粒Ａおよび砥粒Ｂ２の濃度を表２に示すように変更した点以外は例７と同様にして、表２に示す組成の研磨液を調製した。この研磨液における第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の比は８０：２０である。

（例９）
砥粒Ａおよび砥粒Ｂ２の濃度を表２に示すように変更した点以外は例７と同様にして、表２に示す組成の研磨液を調製した。この研磨液における第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の比は６０：４０である。

（例１０）
砥粒Ａに代えて砥粒Ｂ２を使用した他は例１と同様にして、表２に示す組成の研磨液を調製した。

（例１１）
砥粒Ａ、硝酸、３１質量％過酸化水素水および脱イオン水を混合して、表３に示す組成の研磨液（すなわち、砥粒Ａ、硝酸および３１質量％過酸化水素水の濃度がそれぞれ６２．０ｇ／Ｌ、１０ｇ／Ｌおよび２０ｇ／Ｌである研磨液）を調製した。

（例１２）
硝酸の濃度を２０ｇ／Ｌに変更した他は例１１と同様にして、表３に示す組成の研磨液を調製した。

（例１３）
硝酸をメタンスルホン酸に変更した他は例１１と同様にして、表３に示す組成の研磨液を調製した。

（例１４）
第１シリカ砥粒としての砥粒Ａ、第２シリカ砥粒としての砥粒Ｂ１、硝酸、３１質量％過酸化水素水および脱イオン水を混合して、表３に示す組成の研磨液を調製した。使用した第１シリカ砥粒（砥粒Ａ）の平均短径は、第２シリカ砥粒（砥粒Ｂ１）の平均短径の０．５７倍である。この研磨液における第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の比は８０：２０である。

（例１５）
硝酸の濃度を２０ｇ／Ｌに変更した他は例１４と同様にして、表３に示す組成の研磨液を調製した。

（例１６）
硝酸をメタンスルホン酸に変更した他は例１４と同様にして、表３に示す組成の研磨液を調製した。

（例１７）
砥粒Ａおよび砥粒Ｂ１の濃度を表３に示すように変更した点以外は例１４と同様にして、表３に示す組成の研磨液を調製した。この研磨液における第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の比は６０：４０である。

（例１８）
硝酸の濃度を２０ｇ／Ｌに変更した他は例１７と同様にして、表３に示す組成の研磨液を調製した。

（例１９）
硝酸をメタンスルホン酸に変更した他は例１７と同様にして、表３に示す組成の研磨液を調製した。

（例２０）
アルミナ砥粒（平均粒子径約０．３μｍのαアルミナとフュームドアルミナの混合物）とシリカ砥粒（平均一次粒子径７７ｎｍ）とを約６０：４０の質量比で含むハイブリッドタイプの研磨組成物を用いて、アルミナ砥粒とシリカ砥粒との合計濃度が２９．０ｇ／Ｌであり、クエン酸および３１質量％過酸化水素水をそれぞれ１８ｇ／Ｌおよび３８ｇ／Ｌの濃度で含む研磨液を調製した。

＜ディスクの研磨＞
各例に係る研磨液を用いて、下記の条件で、被研磨基板の研磨を行った。被研磨基板としては、表面に無電解ニッケルリンめっき層を備えたハードディスク用アルミニウム基板を使用した。上記被研磨基板（以下「Ｎｉ−Ｐ基板」ともいう。）の直径は３．５インチ（約９５ｍｍ）、厚さは１．７５ｍｍであり、表面粗さＲａ（Ｓｃｈｍｉｔｔ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎｃ．社製レーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ−３０００ＷＲＣ」により測定したニッケルリンめっき層の算術平均粗さ）は１３０Åであった。

［研磨条件］
研磨装置：スピードファム社製の両面研磨機、型式「ＤＳＭ ９Ｂ−５Ｐ−ＩＶ」
研磨パッド：ＦＩＬＷＥＬ社製のポリウレタンパッド、商品名「ＣＲ２００」
研磨荷重：１２０ｇ／ｃｍ^２
上定盤回転数：１２ｒｐｍ
下定盤回転数：３２ｒｐｍ
研磨液の供給レート：１００ｍＬ／分
研磨量：各基板の両面の合計で約２μｍの厚さ

＜研磨レート＞
表２、表３の「研磨レート」の欄には、各研磨液を用いて上記Ｎｉ−Ｐ基板を研磨したときの研磨レートを示した。研磨レートは、次の計算式に基づいて求めた。
研磨レート［μｍ／ｍｉｎ］＝研磨による基板の質量減少量［ｇ］／（基板の面積［ｃｍ^２］×ニッケルリンめっきの密度［ｇ／ｃｍ^３］×研磨時間［ｍｉｎ］）×１０^４

＜表面粗度＞
表２、表３の「表面粗度」の欄には、Ｓｃｈｍｉｔｔ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎｃ．社製のレーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ−３０００ＷＲＣ」で測定した算術平均粗さ（Ｒａ）の値［Å］を記載した。

＜端部形状＞
表２、表３の「端部形状」の欄には、研磨後のＮｉ−Ｐ基板の外周部におけるロールオフ（Ｒｏｌｌ−Ｏｆｆ）の値を記載した。ロールオフの測定には、ＰｈａｓｅＳｈｉｆｔ社（米国）製の「ＭｉｃｒｏＸＡＭ」を用いた。ここでいうロールオフとは、次のように定義されるものである。すなわち、Ｎｉ−Ｐ基板の外周縁から中心に向かって０．３０ｍｍの距離にある基板表面上の点をＡ、基板の外周縁から中心に向かって３．８０ｍｍの距離にある基板表面上の点をＢとしたときの、点Ａ，Ｂ間の基板表面の断面曲線と直線ＡＢとの間の最大距離がロールオフである。

＜長波長うねり＞
表２、表３の「長波長うねり」の欄には、ＰｈａｓｅＳｈｉｆｔ社（米国）製の「Ｏｐｔｉｆｌａｔ II」を使用して、研磨後のＮｉ−Ｐ基板の中心から半径２０ｍｍ〜４４ｍｍの範囲についてカットオフ値２．５ｍｍの条件で測定した算術平均うねり（Ｗａ）の値［Å］を記載した。

＜研磨機電流値＞
表２、表３の「研磨機電流値」の欄には、各研磨液を用いて上記Ｎｉ−Ｐ基板を研磨したときに、研磨装置内のインバーターからモーターの駆動電流値データ［Ａ］を抽出し、研磨荷重が１２０ｇ／ｃｍ^２のときのデータを平均した値を記載した。

＜アルミナ残留＞
表２、表３の「アルミナ残留」の欄には、研磨後のＮｉ−Ｐ基板をＳＥＭ（５万倍）で観察してアルミナの存在を示す白点の個数をカウントし、１視野内（約４．５μｍ^２）に存在する白点の個数に応じて以下の３段階でアルミナ残留の程度を評価した結果を記載した。
○：１視野内の白点数が５個未満（アルミナの残留がない、または極少量である）
△：１視野内の白点数が５個以上５００未満（アルミナの残留が若干認められる）
×：１視野内の白点数が５００個以上（アルミナの残留が明らかに認められる）

これらの表に示されるように、アルミナ砥粒を含有せず、かつ平均アスペクト比が１．１５以上（具体的には１．２３）のシリカ砥粒を含有する例１〜５、例７〜９および例１１〜１９の研磨液によると、いずれも、上記研磨条件において０．２０μｍ／ｍｉｎ以上の高い研磨レートが実現された。また、アルミナ砥粒を含まない研磨液を用いたことから、当然ながら、研磨後の表面においてアルミナ砥粒の残留は全く観察されなかった。

これに対して、平均アスペクト比が１．１５以上のシリカ砥粒を含まない例６，１０の研磨液は、研磨レートが低いため一次研磨用途としての実用性が低く、研磨後のＮｉ−Ｐ基板の端部形状にも難があるものであった。また、アルミナ砥粒とシリカ砥粒とを含む研磨液を用いた例２０では、研磨後のＮｉ−Ｐ基板表面においてアルミナの残留が認められた。

また、平均アスペクト比が１．１５以上のシリカ砥粒を単独で用いた例１に比べて、上記シリカ砥粒（第１シリカ砥粒）と、より平均アスペクト比が小さい第２シリカ砥粒との２種類の砥粒を併用した例２〜５および例７〜９では、より低い表面粗度が実現された。この表面粗度の低下（すなわち、表面平滑性の向上）には、第２シリカ砥粒の使用により研磨の安定性が向上したことが寄与しているものと推察される。例１に比べて例２〜５および例７〜９の研磨機電流値が低いことは、上記の推察を支持するものである。

第１シリカ砥粒の平均短径と第２シリカ砥粒の平均短径との関係をみると、第１シリカ砥粒の平均短径と第２シリカ砥粒の平均短径とが概ね同程度である例８，９に比べて、第１シリカ砥粒の平均短径が第２シリカ砥粒の平均短径の０．９倍以下（より詳しくは、０．４〜０．８倍）である例２，３では、それぞれ、表面粗度および研磨機電流値がより低かった。これは、例８，９に比べて例２，３では、研磨の安定性を向上させる効果がよりよく発揮されたためと考えられる。
なお、例２，３，８，９の研磨レートは同程度であった。すなわち、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との平均短径の関係を適切に設定することにより、研磨レートの低下を抑えつつ、研磨の安定性を向上させる効果（ひいては、より低い表面粗度）が得られた。

第１シリカ砥粒の含有量と第２シリカ砥粒の含有量との関係をみると、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との質量比が９５：５〜４０：６０の範囲にある例２〜４では、上記質量比が２０：８０である例５に比べて、研磨レートや端部形状の点でより良好な結果が得られた。第１シリカ砥粒の含有量が第２シリカ砥粒の含有量より多い例２，３では、さらに良好な結果が得られた。具体的には、上記研磨条件において、例２〜４および例８，９では０．２５μｍ／ｍｉｎ以上、例２，３，８，９では０．３０μｍ／ｍｉｎ以上の高い研磨レートが実現された。また、例２〜５からわかるように、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との質量比が８０：２０〜２０：８０の範囲で小さくなるにしたがって、より低い平面粗度が実現された。例７〜９においても同様に、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との質量比が９０：１０〜６０：４０の範囲で小さくなるにしたがって、より平面粗度が得られた。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。

Claims (7)

1. 少なくとも１種類のシリカ砥粒と水系溶媒とを含む研磨液であって、前記シリカ砥粒の平均アスペクト比が１．１５以上３．００以下であり、前記研磨液のｐＨが４以下である、ニッケルリンめっきが施された磁気ディスク基板の一次研磨用研磨液。
2. 第１シリカ砥粒としての前記シリカ砥粒と、
   前記第１シリカ砥粒より平均アスペクト比が小さい第２シリカ砥粒と、
   を含有する、請求項１に記載の研磨液。
3. 前記第１シリカ砥粒の平均短径が前記第２シリカ砥粒の平均短径より小さい、請求項２に記載の研磨液。
4. 前記第１シリカ砥粒および前記第２シリカ砥粒の含有量の比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が質量基準で９５：５〜５：９５の範囲である、請求項２または３に記載の研磨液。
5. 前記第１シリカ砥粒の平均短径が１５ｎｍ以上５００ｎｍ未満である、請求項２から４のいずれか一項に記載の研磨液。
6. 前記研磨液がアルミナ砥粒を実質的に含有しない、請求項１から５のいずれか一項に記載の研磨液。
7. 前記研磨液が研磨促進剤を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の研磨液。