JP6414195B2 - 接着フィルム、硬化体の製造方法、硬化体、配線板、及び半導体装置 - Google Patents
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Description
[1] 対向する第1面及び第2面を有する支持体と、該支持体の第1面と接合している樹脂組成物層とを含む接着フィルムであって、
支持体の第1面のSdr(界面の展開面積率)が1.8%以下であり、それによって、樹脂組成物層を熱硬化して硬化体を形成した後、該硬化体の支持体の第1面と接合していた面を粗化処理して粗化面を得るとき、該粗化面のSdr(界面の展開面積率)が0.2%〜100%の範囲となる、接着フィルム。
[2] 粗化処理が、酸化剤による粗化工程と中和還元剤による中和還元工程を含む、[1]に記載の接着フィルム。
[3] 酸化剤がアルカリ性過マンガン酸溶液である、[2]に記載の接着フィルム。
[4] 中和還元剤が酸性ヒドロキシルアミン溶液である、[2]又は[3]に記載の接着フィルム。
[5] 粗化処理が、粗化工程と中和還元工程の間に水洗工程を含む、[2]〜[4]の何れかに記載の接着フィルム。
[6] 樹脂組成物層が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む、[1]〜[5]の何れかに記載の接着フィルム。
[7] 硬化剤が、活性エステル系硬化剤を含む、[6]に記載の接着フィルム。
[8] 下記工程(1)乃至(3)を含む、Sdr(界面の展開面積率)が0.2%〜100%の範囲にある粗化面を有する硬化体の製造方法。
(1)対向する第1面及び第2面を有し、該第1面のSdr(界面の展開面積率)が1.8%以下である支持体と、該支持体の第1面と接合している樹脂組成物層とを含む接着フィルムを用意する工程、
(2)接着フィルムの樹脂組成物層を熱硬化して硬化体を形成する工程、及び
(3)硬化体の支持体の第1面と接合していた面を粗化処理する工程
[9] 工程(2)と工程(3)の間に、硬化体から支持体を剥離する、[8]に記載の硬化体の製造方法。
[10] 工程(3)において、粗化処理が、酸化剤による粗化工程と中和還元剤による中和還元工程を含む、[8]又は[9]に記載の硬化体の製造方法。
[11] 酸化剤がアルカリ性過マンガン酸溶液である、[10]に記載の硬化体の製造方法。
[12] 中和還元剤が酸性ヒドロキシルアミン溶液である、[10]又は[11]に記載の硬化体の製造方法。
[13] 粗化工程と中和還元工程の間に水洗処理を行う、[10]〜[12]の何れかに記載の硬化体の製造方法。
[14] 樹脂組成物層が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む、[8]〜[13]の何れかに記載の硬化体の製造方法。
[15] 硬化剤が、活性エステル系硬化剤を含む、[14]に記載の硬化体の製造方法。
[16] [8]〜[15]の何れかに記載の方法により製造されたSdr(界面の展開面積率)が0.2%〜100%の範囲にある粗化面を有する硬化体。
[17] [1]〜[7]の何れかに記載の接着フィルムを用いて得られる配線板。
[18] [17]に記載の配線板を含む半導体装置。
本発明の接着フィルムは、対向する第1面及び第2面を有する支持体と、該支持体の第1面と接合している樹脂組成物層とを含み、支持体の第1面のSdr(界面の展開面積率)が1.8%以下であることを特徴とする。それによって、樹脂組成物層を熱硬化して硬化体を形成した後、該硬化体の支持体の第1面と接合していた面を粗化処理して粗化面を得るとき、該粗化面のSdr(界面の展開面積率)を0.2%〜100%の範囲とすることができる。
支持体としては、プラスチック材料からなるフィルムが好適に用いられる。プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(以下、「PET」と略称することがある。)、ポリエチレンナフタレート(以下、「PEN」と略称することがある。)等のポリエステル、ポリカーボネート(以下、「PC」と略称することがある。)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース(TAC)、ポリエーテルサルファイド(PES)、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。好適な一実施形態において、支持体は、ポリエチレンテレフタレートフィルムである。
離型層付き支持体における離型層の厚みは、通常、0.01μm〜1μmであり、好ましくは0.01μm〜0.2μmである。
本発明の接着フィルムは、上述した支持体の第1面と接合している樹脂組成物層を含む。Sdrが0.2%〜100%の範囲にある粗化面を有する硬化体を得るに際して、Sdrが1.8%以下である第1面を有する支持体を使用する限り、樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は特に限定されず、その硬化物が十分な硬度と絶縁性を有するものであればよい。例えば、(a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤及び(c)無機充填材を含む樹脂組成物を用いることができる。樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、必要に応じて、さらに熱可塑性樹脂、硬化促進剤、難燃剤及びゴム粒子等の添加剤を含んでいてもよい。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びトリメチロール型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されないが、例えば、フェノール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤が挙げられる。硬化剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
活性エステル系硬化剤としては、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。
斯かる割合にて活性エステル系硬化剤を含む硬化剤を使用する場合、粗化処理の前後における硬化体表面のSdrの上昇比を低く抑えることができる。詳細には、粗化処理前の硬化体の表面(すなわち支持体の第1面と接合していた面)のSdrをSdr1とし、粗化処理後の硬化体の表面(すなわち粗化面)のSdrをSdr2とするとき、Sdr2/Sdr1の比を、好ましくは20以下、より好ましくは15以下、さらに好ましくは10以下、特に好ましくは5以下とし得る。Sdr2/Sdr1の比の下限は特に限定されず、1とすることも可能であるが、好ましくは1.1以上、より好ましくは1.2以上とし得る。ここでSdr1は、樹脂組成物層を熱硬化して硬化体を形成した後に硬化体から支持体を剥離する態様においては、支持体の第1面のSdrに対応する。
無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、及びジルコン酸カルシウム等が挙げられる。これらの中でも無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等のシリカが特に好適である。またシリカとしては球状シリカが好ましい。無機充填材は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。市販されている球状溶融シリカとして、(株)アドマテックス製「SOC2」、「SOC1」が挙げられる。
より低いSdrを有する粗化面を得る観点から、樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。
より低いSdrを有する粗化面を得る観点から、酸化剤による粗化工程と中和還元剤による中和還元工程との間に、硬化体の処理対象面を水洗する工程を含むことが好ましい。
より低いSdrを有する粗化面を得る観点から、支持体は、樹脂組成物層を熱硬化して硬化体を形成した後に硬化体から剥離することが好ましい。
本発明の接着フィルムを用いて、Sdrが0.2%〜100%の範囲にある粗化面を有する硬化体を製造することができる。
(1)対向する第1面及び第2面を有し、該第1面のSdr(界面の展開面積率)が1.8%以下である支持体と、該支持体の第1面と接合している樹脂組成物層とを含む接着フィルムを用意する工程、
(2)接着フィルムの樹脂組成物層を熱硬化して硬化体を形成する工程、及び
(3)硬化体の支持体の第1面と接合していた面を粗化処理する工程
より低いSdrを有する粗化面を得る観点から、支持体は、樹脂組成物層を熱硬化して硬化体を形成した後に硬化体から剥離することが好ましい。すなわち、好適な一実施形態においては、工程(2)と工程(3)との間に、硬化体から支持体を剥離する。
市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン(株)製の「コンセントレート・コンパクトP」、「ドージングソリューション セキュリガンスP」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。
市販されている中和還元剤としては、例えば、アトテックジャパン(株)製の「リダクションショリューシン・セキュリガントP」等の硫酸ヒドロキシルアミン水溶液が挙げられる。
市販されている膨潤剤としては、例えば、アトテックジャパン(株)製の「スウェリング・ディップ・セキュリガンスP」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスSBU」等が挙げられる。
本発明の接着フィルムを用いて、配線板を製造することができる。
(I)対向する第1面及び第2面を有し、該第1面のSdr(界面の展開面積率)が1.8%以下である支持体と、該支持体の第1面と接合している樹脂組成物層とを含む接着フィルムを用意する工程、
(II)基板上に、接着フィルムを、該接着フィルムの樹脂組成物層が基板と接合するように積層する工程、
(III)接着フィルムの樹脂組成物層を熱硬化して硬化体を形成する工程、
(IV)硬化体の支持体の第1面と接合していた面を粗化処理する工程、
(V)硬化体の粗化面に導体層を形成する工程
ラミネート処理は、市販されている真空ラミネーターを用いて実施することができる。市販されている真空ラミネーターとしては、例えば、(株)名機製作所製の真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン(株)製 バキュームアップリケーター等が挙げられる。
上記のとおり、工程(IV)の後に、工程(IV)で得られた硬化体の粗化面のSdrを測定する工程(好ましくは、工程(IV)で得られた硬化体の粗化面のSdrを測定し、Sdrが0.2%〜100%の範囲にあることを確認する工程)を実施してもよい。
上記の配線板を用いて、半導体装置を製造することができる。
実施例及び比較例で使用した支持体の表面、並びに実施例及び比較例で製造した硬化体の粗化面について、非接触型表面粗さ計(ビーコインスツルメンツ社製「WYKO NT3300」)を用いて、VSIコンタクトモード、50倍レンズにより測定領域面積を121μm×92μmとしてSdr値を求めた。表1に示す各Sdr値は、5点の測定領域に関する平均値である。
実施例及び比較例において内層回路基板上に設けられた硬化体の粗化面を、塩化パラジウム(PdCl2)を含む無電解めっき液に40℃で5分間、次いで無電解銅メッキ液に25℃で20分間浸漬し、硬化体の粗化面にめっきシード層を形成した。その後、150℃にて30分間加熱してアニール処理を行った。アニール処理後、めっきシード層の表面を5%硫酸水溶液で30秒処理し、パターン形成用ドライフィルム(ニチゴー・モートン(株)製「ALPHO 20A263」、厚み20μm)をめっきシード層に積層した。ドライフィルムの積層は、バッチ式真空加圧ラミネーター((株)名機製作所製「MVLP−500」)を用いて、30秒間減圧して気圧を13hPa以下にした後、圧力0.1MPa、温度70℃にて、20秒間加圧して行った。その後、L(ドライフィルムライン)/S(スペース)=5/7μmの12μmピッチの櫛歯パターン(配線長15mm、16ライン)を20個形成したガラスマスクをドライフィルムの保護層であるポリエチレンテレフタレートフィルム上に置き、UVランプにより照射強度150mJ/cm2にてUV照射を行った。UV照射後、30℃の1%炭酸ナトリウム水溶液を用いて噴射圧0.15MPaにて30秒間スプレー処理した。その後、水洗を行い、ドライフィルムの現像(パターン形成)を行った。現像後、パターン形成されたドライフィルムが設けられためっきシード層に電解銅めっきを行い、導体層を形成した。次いで、50℃の3%水酸化ナトリウム溶液を用いて噴射圧0.2MPaにてスプレー処理し、ドライフィルムを剥離させた。その後、(株)荏原電産製のSACプロセスにて余分なめっきシード層を除去して配線板を形成した。
得られた配線板について、導体層の剥離の有無を光学顕微鏡にて確認すると共に、不要なめっきシード層の残留の有無を櫛歯パターンの絶縁抵抗を測定することで確認した。そして、櫛歯パターン20個中の良品形成率(歩留まり)を以下の基準に従って評価した。
++:90%以上
+:75%以上
−:75%未満
下記の方法に従って接着フィルム1を製造した。
(1)樹脂ワニス1の調製
ビスフェノール型エポキシ樹脂(エポキシ当量約165、新日鐵化学(株)製「ZX1059」、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品)5部、ビキシレノール型エポキシ樹脂(エポキシ当量約185、三菱化学(株)製「YX4000HK」)10部、ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量約290、日本化薬(株)製「NC3000H」)10部、及びフェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7553BH30」、固形分30質量%のメチルエチルケトン(MEK)溶液)10部を、ソルベントナフサ30部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、活性エステル系硬化剤(活性基当量約223、DIC(株)製「HPC−8000−65T」、不揮発成分65質量%のトルエン溶液)20部、トリアジン骨格含有クレゾールノボラック型硬化剤(水酸基当量151、DIC(株)製「LA−3018−50P」、固形分50%のメトキシプロパノール溶液)10部、硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン、固形分2質量%のMEK溶液)4部、難燃剤(三光(株)製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)2部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、(株)アドマテックス製「SOC2」、単位面積当たりのカーボン量0.39mg/m2)140部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス1を調製した。
(2)接着フィルム1の製造
支持体として、ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製「R80」、厚み38μm)の平滑面をアルキド樹脂系離型剤(藤森工業(株)製「NS−80A」)で離型処理した離型層付き支持体を用意した。該支持体の離型層表面のSdrは0.23%であった。この離型層表面に、ダイコーターにて樹脂ワニス1を塗布し、80〜120℃(平均100℃)で5分間乾燥させ、樹脂組成物層を形成した。樹脂組成物層の厚みは30μmであった。次いで、樹脂組成物層の支持体と接合していない面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム(王子特殊紙(株)製「アルファインMA−411」、厚み15μm)の平滑面側を貼り合わせて接着フィルム1を得た。
(1)内層回路基板の下地処理
内層回路の形成されたガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔厚み18μm、基板厚み0.3mm、松下電工(株)製「R5715ES」)の両面を、メック(株)製「CZ8100」に浸漬し1μmエッチングして銅表面の粗化処理をおこなった。
(2)接着フィルムのラミネート処理
接着フィルム1から保護フィルムを剥離して、樹脂組成物層を露出させた後、バッチ式真空加圧ラミネーター(名機(株)製「MVLP-500」)を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板と接合するように、内層回路基板の両面にラミネート処理した。ラミネート処理は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaで30秒間プレスすることにより行った。
(3)樹脂組成物層の硬化
ラミネート処理された接着フィルム1を、80℃にて30分間予備加熱した後、170℃にて30分間樹脂組成物層を熱硬化して、内層回路基板の両面上に硬化体を形成した。その後、支持体であるポリエチレンテレフタレートフィルムを硬化体から剥離した。
(4)粗化処理
両面上に硬化体が形成された内層回路基板を、膨潤液(アトテックジャパン(株)「スエリングディップ・セキュリガントP」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル含有の水酸化ナトリウム水溶液)に60℃で5分間浸漬し、次いで粗化液(アトテックジャパン(株)「コンセントレート・コンパクトP」、過マンガン酸カリウム濃度約6質量%、水酸化ナトリウム濃度約4質量%の水溶液)に80℃で20分間浸漬した。その後、1分間水洗した後、中和液(アトテックジャパン(株)「リダクションショリューシン・セキュリガントP」、硫酸ヒドロキシルアミン水溶液)に40℃で5分間浸漬した。80℃で30分間乾燥させた後、得られた硬化体の粗化面について、Sdrを測定したところ、Sdrは0.4%であった。
樹脂ワニス1に代えて、下記のように調製した樹脂ワニス2を使用した以外は、実施例1と同様にして、接着フィルム(以下、「接着フィルム2」という。)を製造した。
ビスフェノール型エポキシ樹脂(エポキシ当量約165、新日鐵化学(株)製「ZX1059」、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品)5部、ビキシレノール型エポキシ樹脂(エポキシ当量約185、三菱化学(株)製「YX4000HK」)10部、ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量約290、日本化薬(株)製「NC3000H」)20部、及びフェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7553BH30」、固形分30質量%のMEK溶液)10部を、ソルベントナフサ20部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有フェノールノボラック型硬化剤(水酸基当量125、DIC(株)製「LA7054」、窒素含有量約12質量%、固形分60質量%のMEK溶液)10部、ビフェニルアラルキル構造を有するフェノール系硬化剤(水酸基当量238、明和化成(株)製「MEH7851−4H」、固形分60質量%のMEK溶液)15部、硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン、固形分2質量%のMEK溶液)2部、難燃剤(三光(株)製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)2部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、(株)アドマテックス製「SOC2」、単位面積当たりのカーボン量0.39mg/m2)100部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス2を調製した。
樹脂ワニス1に代えて、下記のように調製した樹脂ワニス3を使用した以外は、実施例1と同様にして、接着フィルム(以下、「接着フィルム3」という。)を製造した。
ビスフェノール型エポキシ樹脂(エポキシ当量約165、新日鐵化学(株)製「ZX1059」、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品)5部、ビキシレノール型エポキシ樹脂(エポキシ当量約185、三菱化学(株)製「YX4000HK」)10部、ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量約290、日本化薬(株)製「NC3000H」)10部、及びフェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7553BH30」、固形分30質量%のMEK溶液)10部を、ソルベントナフサ30部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、活性エステル硬化剤(活性基当量約223、DIC(株)製「HPC−8000−65T」、不揮発成分65質量%のトルエン溶液)20部、トリアジン骨格含有クレゾールノボラック硬化剤(水酸基当量151、DIC(株)製「LA−3018−50P」、固形分50%のメトキシプロパノール溶液)10部、硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン、固形分2質量%のMEK溶液)4部、難燃剤(三光(株)製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)2部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.24μm、(株)アドマテックス製「SOC1」、単位面積当たりのカーボン量0.36mg/m2)100部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス3を調製した。
下記の方法に従って接着フィルム4を製造した。
(1)樹脂ワニス4の調製
ビスフェノール型エポキシ樹脂(エポキシ当量約165、新日鐵化学(株)製「ZX1059」、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品)5部、ビキシレノール型エポキシ樹脂(エポキシ当量約185、三菱化学(株)製「YX4000HK」)10部、ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量約290、日本化薬(株)製「NC3000H」)20部、及びフェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7553BH30」、固形分30質量%のMEK溶液)10部を、ソルベントナフサ20部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有フェノールノボラック型硬化剤(水酸基当量125、DIC(株)製「LA7054」、窒素含有量約12質量%、固形分60質量%のMEK溶液)15部、ビフェニルアラルキル構造を有するフェノール系硬化剤(水酸基当量238、明和化成(株)製「MEH7851−4H」、固形分60質量%のMEK溶液)5部、硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン、固形分2質量%のMEK溶液)1部、難燃剤(三光(株)製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)2部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、(株)アドマテックス製「SOC2」、単位面積当たりのカーボン量0.39mg/m2)100部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
(2)接着フィルム4の製造
支持体として、ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製「R80」、厚み38μm)の粗面をアルキド樹脂系離型剤(藤森工業(株)製「NS−80A」)で離型処理した離型層付き支持体を用意した。該支持体の離型層表面のSdrは1.9%であった。この離型層表面に、ダイコーターにて樹脂ワニス4を塗布し、80〜120℃(平均100℃)で5分間乾燥させ、樹脂組成物層を形成した。樹脂組成物層の厚みは30μmであった。次いで、樹脂組成物層の支持体と接合していない面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム(王子特殊紙(株)製「アルファインMA−411」、厚み15μm)の平滑面側を貼り合わせて接着フィルム4を得た。
一方、樹脂組成物層と接合する支持体の第1面のSdrが1.8%を超えた比較例1の接着フィルムは、樹脂組成物層を熱硬化して硬化体を形成した後、該硬化体の支持体の第1面と接合していた面を粗化処理して粗化面を得るとき、該粗化面のSdr(界面の展開面積率)が119%と高い値となることが確認された。また、Sdr(界面の展開面積率)が119%である粗化面を有する硬化体は、該粗化面に微細配線を形成するに際して、十分な歩留まりが得られなかった。
Claims (21)
- 対向する第1面及び第2面を有する支持体と、該支持体の第1面と接合している樹脂組成物層とを含む接着フィルムであって、
樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、無機充填材を含み、
支持体の第1面のSdr(界面の展開面積率)が1.8%以下であり、
樹脂組成物層を、120℃〜240℃にて5分間〜90分間熱硬化して硬化体を形成した後、該硬化体の支持体の第1面と接合していた面を粗化処理して粗化面を得るとき、該粗化面のSdr(界面の展開面積率)が0.2%〜100%の範囲となる、接着フィルム。;但し、Sdrの値は、非接触型表面粗さ計を用いて、VSIコンタクトモード、50倍レンズにより測定領域寸法121μm×92μmについて得られた値であり、粗化処理は、膨潤液に30℃〜90℃で1分間〜20分間浸漬し、次いで粗化液に60℃〜80℃で10分間〜30分間浸漬し、その後10℃〜50℃で10秒間〜5分間水洗した後、中和液に30℃〜80℃で5分間〜30分間浸漬させる条件である。 - 対向する第1面及び第2面を有する支持体と、該支持体の第1面と接合している樹脂組成物層とを含む接着フィルムであって、
樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、硬化剤を含み、
硬化剤は、活性エステル系硬化剤を含み、
支持体の第1面のSdr(界面の展開面積率)が1.8%以下であり、
樹脂組成物層を、120℃〜240℃にて5分間〜90分間熱硬化して硬化体を形成した後、該硬化体の支持体の第1面と接合していた面を粗化処理して粗化面を得るとき、該粗化面のSdr(界面の展開面積率)が0.2%〜100%の範囲となる、接着フィルム。;但し、Sdrの値は、非接触型表面粗さ計を用いて、VSIコンタクトモード、50倍レンズにより測定領域寸法121μm×92μmについて得られた値であり、粗化処理は、膨潤液に30℃〜90℃で1分間〜20分間浸漬し、次いで粗化液に60℃〜80℃で10分間〜30分間浸漬し、その後10℃〜50℃で10秒間〜5分間水洗した後、中和液に30℃〜80℃で5分間〜30分間浸漬させる条件である。 - 硬化剤全体に占める活性エステル系硬化剤の割合が、硬化剤の反応基の数を基準として、10%以上100%以下である、請求項2に記載の接着フィルム。
- 粗化液がアルカリ性過マンガン酸溶液である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の接着フィルム。
- 中和液が酸性ヒドロキシルアミン溶液である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の接着フィルム。
- 樹脂組成物層が、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含む、請求項1、4又は5の何れか一項に記載の接着フィルム。
- 硬化剤が、活性エステル系硬化剤を含む、請求項6に記載の接着フィルム。
- 樹脂組成物層が、エポキシ樹脂、及び無機充填材を含む、請求項2〜5の何れか一項に記載の接着フィルム。
- 下記工程(1)乃至(3)を含む、Sdr(界面の展開面積率)が0.2%〜100%の範囲にある粗化面を有する硬化体の製造方法。;但し、Sdrの値は、非接触型表面粗さ計を用いて、VSIコンタクトモード、50倍レンズにより測定領域寸法121μm×92μmについて得られた値である。
(1)対向する第1面及び第2面を有し、該第1面のSdr(界面の展開面積率)が1.8%以下である支持体と、該支持体の第1面と接合している樹脂組成物層とを含み、樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、無機充填材を含む接着フィルムを用意する工程、
(2)接着フィルムの樹脂組成物層を熱硬化して硬化体を形成する工程、及び
(3)硬化体の支持体の第1面と接合していた面を粗化処理する工程 - 下記工程(1)乃至(3)を含む、Sdr(界面の展開面積率)が0.2%〜100%の範囲にある粗化面を有する硬化体の製造方法。;但し、Sdrの値は、非接触型表面粗さ計を用いて、VSIコンタクトモード、50倍レンズにより測定領域寸法121μm×92μmについて得られた値である。
(1)対向する第1面及び第2面を有し、該第1面のSdr(界面の展開面積率)が1.8%以下である支持体と、該支持体の第1面と接合している樹脂組成物層とを含み、樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、硬化剤を含み、該硬化剤は、活性エステル系硬化剤を含む接着フィルムを用意する工程、
(2)接着フィルムの樹脂組成物層を熱硬化して硬化体を形成する工程、及び
(3)硬化体の支持体の第1面と接合していた面を粗化処理する工程 - 硬化剤全体に占める活性エステル系硬化剤の割合が、硬化剤の反応基の数を基準として、10%以上100%以下である、請求項10に記載の硬化体の製造方法。
- 工程(2)と工程(3)の間に、硬化体から支持体を剥離する、請求項9〜11の何れか一項に記載の硬化体の製造方法。
- 工程(3)において、粗化処理が、粗化液による粗化工程と中和液による中和還元工程を含む、請求項9〜12の何れか一項に記載の硬化体の製造方法。
- 粗化液がアルカリ性過マンガン酸溶液である、請求項13に記載の硬化体の製造方法。
- 中和液が酸性ヒドロキシルアミン溶液である、請求項13又は14に記載の硬化体の製造方法。
- 粗化工程と中和還元工程の間に水洗処理を行う、請求項13〜15の何れか一項に記載の硬化体の製造方法。
- 樹脂組成物層が、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含む、請求項9、12〜16の何れか一項に記載の硬化体の製造方法。
- 硬化剤が、活性エステル系硬化剤を含む、請求項17に記載の硬化体の製造方法。
- 樹脂組成物層が、エポキシ樹脂、及び無機充填材を含む、請求項10〜16の何れか一項に記載の硬化体の製造方法。
- 請求項1〜8の何れか一項に記載の接着フィルムを用いるプリント配線板の製造方法。
- 請求項20に記載の配線板の製造方法により得られるプリント配線板を用いる半導体装置の製造方法。
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