JP7047257B2 - 樹脂組成物 - Google Patents
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Description
[1] (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール性水酸基を有する化合物、(C)チタンブラック及び(D)有機溶剤を含有する樹脂組成物であって、(C)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、0.5~10質量%である、樹脂組成物。
[2] (B)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、0.1~40質量%である、[1]に記載の樹脂組成物。
[3] (D)成分の含有量が、5質量%以上である、[1]又は[2]に記載の樹脂組成物。
[4] (C)成分中の窒化チタンの含有量が、(C)成分の全体質量を100質量%としたとき、20質量%以上である、[1]~[3]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[5] プリント配線板の絶縁層用又は半導体封止用である、[1]~[4]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[6] [1]~[5]のいずれかに記載の樹脂組成物から形成された樹脂組成物層を含む、シート状積層材料。
[7] 樹脂組成物層の厚さが100μm以下である、[6]に記載のシート状積層材料。
[8] 樹脂組成物層の厚さが20μm以下である、[6]又は[7]に記載のシート状積層材料。
[9] [6]~[8]のいずれかに記載のシート状積層材料の樹脂組成物層を熱硬化して得られた絶縁層を含む、プリント配線板。
[10] 回路基板と、該回路基板に実装された半導体と、該半導体を封止する封止材とを含み、封止材が、[6]~[8]のいずれかに記載のシート状積層材料の樹脂組成物層の硬化物から形成されている、半導体パッケージ。
本発明の樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール性水酸基を有する化合物、(C)チタンブラック及び(D)有機溶剤を含有し、(C)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、0.5~10質量%であることを特徴とする。
本発明の樹脂組成物は(A)エポキシ樹脂(「(A)成分」ともいう。)を含む。エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明の樹脂組成物は、(B)フェノール性水酸基を有する化合物(「(B)成分」ともいう。)を含む。フェノール性水酸基とは、芳香環構造の水素原子が水酸基(ヒドロキシ基)で置換された形で存在する水酸基をいう。
本発明の樹脂組成物は、(C)チタンブラック(「(C)成分」ともいう。)を含む。チタンブラックは、樹脂との混合系において非導電性をもたらす黒色着色剤であり、該チタンブラックを含む絶縁部材は高い薄膜絶縁信頼性を呈する。本発明の樹脂組成物において、チタンブラックは1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明の樹脂組成物は、(D)有機溶剤(「(D)成分」ともいう。)を含む。(D)成分を含むことにより、本発明の樹脂組成物は、樹脂ワニス(樹脂インク)の状態で準備することができ、シート状積層材料の作製に好適に使用することができる。
本発明の樹脂組成物は、必要に応じて、熱可塑性樹脂、無機充填材、硬化剤、硬化促進剤、難燃剤及び有機充填材からなる群から選択される1種以上の添加剤をさらに含有していてもよい。
本発明の樹脂組成物は、(E)熱可塑性樹脂(「(E)成分」ともいう。)をさらに含んでもよい。本発明の樹脂組成物が(E)成分を含む場合、薄膜絶縁信頼性に優れ、高温熱履歴に伴う褪色を抑制することが可能な、黒色を呈する低誘電率の絶縁部材をもたらすという所期の効果を奏しつつ、更に良好な柔軟性(ひいては優れたクラック耐性)を呈する絶縁部材を実現することが可能である。
本発明の樹脂組成物は、(F)無機充填材(「(F)成分」ともいう。)をさらに含んでもよい。本発明の樹脂組成物が(F)成分を含む場合、線熱膨張係数が一層低い絶縁部材を実現することが可能である。
本発明の樹脂組成物は、(G)硬化剤(「(G)成分」ともいう。)をさらに含んでもよい。ここで、(G)成分は、(B)成分とは異なる成分、すなわち、フェノール性水酸基を有する硬化剤以外の硬化剤である。
本発明の樹脂組成物は、(H)硬化促進剤(「(H)成分」ともいう。)をさらに含んでもよい。(H)成分としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤がより好ましい。(H)成分は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。(H)成分を使用する場合、樹脂組成物中の(H)成分の含有量は特に限定されないが、0.05質量%~3質量%の範囲で使用することが好ましい。
本発明の樹脂組成物は、(I)有機充填材(「(I)成分」ともいう。)をさらに含んでもよい。(I)成分としては、電子回路部品の絶縁部材を形成するに際し使用し得る任意の有機充填材を使用してよく、例えば、ゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子等が挙げられ、ゴム粒子が好ましい。ゴム粒子としては、市販品を用いてもよく、例えば、アイカ工業(株)製の「AC3816N」等が挙げられる。(I)成分を使用する場合、樹脂組成物中の(I)成分の含有量は特に限定されないが、1質量%~20質量%の範囲で使用することが好ましい。
本発明の樹脂組成物は、ワニス状態で塗布して使用することもできるが、該樹脂組成物から樹脂組成物層を含むシート状積層材料の形態で用いることが好適である。
本発明のプリント配線板は、本発明のシート状積層材料の樹脂組成物層を熱硬化して得られた絶縁層を含む。
(I)内層基板上に、接着フィルムを、該接着フィルムの樹脂組成物層が内層基板と接合するように積層する工程
(II)樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程
本発明の半導体パッケージは、回路基板と、該回路基板に実装された半導体と、該半導体を封止する封止材とを含み、封止材が、本発明のシート状積層材料の樹脂組成物層の硬化物から形成されていることが特徴である。ここで、本発明の半導体パッケージを構成する回路基板、半導体の構造・種類は特に限定されず、半導体パッケージを形成するに際して通常使用される任意の回路基板、半導体を使用してよい。
本発明のプリント配線板又は半導体パッケージを用いて半導体装置を製造することができる。
(1)サンプル作成
実施例及び比較例において得られた樹脂組成物(樹脂ワニス)を、離型層付きPETフィルム(リンテック(株)製「PET501010」)の離型層上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが40μmとなるようにダイコーターにて均一に塗布した。その後、80~110℃(平均95℃)で6分間乾燥させて、PETフィルム上に樹脂組成物層を形成した(n=5)。この樹脂組成物層を5枚貼りあわせて厚さ200μmのフィルムを作成し、190℃のオーブンで2時間加熱し、硬化物サンプルを得た。また、得られた硬化物サンプルの一部を切り出しリフロー装置(アントム(株)製「HAS6116」、最高到達温度260℃)にて3回加熱処理を行った。リフロー装置にて3回加熱処理を行った硬化物サンプルを「リフロー3回後のサンプル」、リフロー装置による加熱処理に付さなかった硬化物サンプルを「樹脂硬化後のサンプル」と称す。
樹脂硬化後のサンプルとリフロー3回後のサンプルについて、色差計(ミノルタ(株)製「CR-10」)を用いて、白色校正板(ミノルタ(株)製、C0-03用)を基準とし明度指数dLを測定した。明度指数dLの値が、-64未満を「○」、-64以上-62未満を「△」、-62以上を「×」とした。
実施例及び比較例において得られた樹脂ワニスを、離型処理されたPETフィルム(リンテック(株)製「PET501010」)上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが40μmとなるようにダイコーターにて均一に塗布し、80~110℃(平均95℃)で6分間乾燥した。その後、窒素雰囲気下にて200℃で90分間熱処理し、PETフィルムから剥離することで硬化物フィルムを得た。
(1)接着フィルムの作製
支持体として、離型層付きPETフィルム(リンテック(株)製「AL5」)を用意した。この支持体の離型層上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが12μmとなるように、実施例及び比較例において得られた樹脂ワニスをダイコーターにて均一に塗布した。その後、80~110℃(平均95℃)で6分間乾燥させて接着フィルムを得た。
ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板の厚さ0.8mm、松下電工(株)製「R5715ES」)の両面にエッチングにより回路パターンを形成した後、マイクロエッチング剤(メック(株)製「CZ8100」)で粗化処理を行い、内層回路基板を作製した。
上記(1)で作製した接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター((株)名機製作所製「MVLP-500」)を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板と接合するように、内層回路基板の両面に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着することにより実施した。
接着フィルムの積層後、支持体を剥離し、樹脂組成物層を露出させた。次いで、100℃にて30分間、180℃にて30分間の条件で樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成した。
上記(4)で得られた積層板を、膨潤液(アトテックジャパン(株)製「スウェリング・ディップ・セキュリガントP」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル含有の水酸化ナトリウム水溶液)に60℃で10分間、次いで粗化液(アトテックジャパン(株)製「コンセントレート・コンパクトP」、KMnO4:60g/L、NaOH:40g/Lの水溶液)に80℃で20分間、最後に中和液(アトテックジャパン(株)製「リダクションソリューション・セキュリガントP」、硫酸水溶液)に40℃で5分間浸漬した。その後、80℃で30分間乾燥させた。得られた基板を「評価基板A」と称する。
セミアディティブ法により、評価基板Aに導体層を形成した。具体的には、評価基板Aを、PdCl2を含む無電解めっき用溶液に40℃で5分間浸漬し、次に無電解銅めっき液に25℃で20分間浸漬した。150℃にて30分間加熱してアニール処理を行った後に、エッチングレジストを形成し、エッチングによるパターン形成の後に、硫酸銅電解めっきを行い、30μmの厚さで導体層を形成した。次いで、アニール処理を190℃にて60分間行った。得られた基板を「評価基板B」と称する。
評価基板Bを10cm×10cmの寸法に切断し、片面に直径1cmのテープを10枚貼った。テープを貼っていない部分のめっきを、塩化鉄(III)を主成分とする40℃のエッチング液によりエッチングした。市水で洗浄した後、テープをはがし、ミリポアろ過を行った純水で洗浄した。その後、100℃のオーブンで15分間乾燥後、190℃のオーブンで60分間硬化した。基板の端の樹脂を削って下地の銅箔を露出させ、10箇所のめっき銅箔の中央と下地の銅箔とに電極として銅線をはんだ付けした。次いで、ジクロロメタン、メタノールで順に洗浄し、130℃のオーブンで30分乾燥させて、テストピースを得た。
上記(7)で得られたテストピースの絶縁抵抗値を、抵抗測定機(J-RAS社製「ECM-100」)にて測定した。その後、テストピースを、HAST試験機(楠本化成(株)製「PM422」)を用いて温度130℃、相対湿度85%の環境に付し、さらに電極の両端に3.3Vの電圧を印加した。200時間後、テストピースを取り出し、絶縁抵抗値を測定した。200時間後のテストピースの絶縁抵抗値が1×107Ω未満の配線が3箇所未満のときに「○」、3箇所以上発生したとき「×」とした。
上記(8)の試験後、テストピースの断面を光学顕微鏡で確認し、層間絶縁膜厚が9~11μmであることを確認した。
(1)接着フィルムの作製
支持体として、離型層付きPETフィルム(リンテック(株)製「AL5」)を用意した。この支持体の離型層上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが20μmとなるように、実施例及び比較例において得られた樹脂ワニスをダイコーターにて均一に塗布した。その後、80~110℃(平均95℃)で6分間乾燥させて接着フィルムを得た。
ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板の厚さ0.8mm、松下電工(株)製「R5715ES」)の両面に、マイクロエッチング剤(メック(株)製「CZ8100」)で粗化処理を行った。
上記(1)で作製した接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター((株)名機製作所製「MVLP-500」)を用いて、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板の両面に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着することにより実施した。
接着フィルムの積層後、支持体を剥離し、樹脂組成物層を露出させた。次いで、100℃にて30分間、180℃にて30分間の条件で樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成した。
上記(4)で得られた積層板を、膨潤液(アトテックジャパン(株)製「スウェリング・ディップ・セキュリガントP」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル含有の水酸化ナトリウム水溶液)に60℃で10分間、次いで粗化液(アトテックジャパン(株)製「コンセントレート・コンパクトP」、KMnO4:60g/L、NaOH:40g/Lの水溶液)に80℃で20分間、最後に中和液(アトテックジャパン(株)製「リダクションソリューション・セキュリガントP」、硫酸水溶液)に40℃で5分間浸漬した。その後、80℃で30分間乾燥させた。得られた基板を「評価基板A」と称する。
セミアディティブ法により、評価基板Aに導体層を形成した。具体的には、評価基板Aを、PdCl2を含む無電解めっき用溶液に40℃で5分間浸漬し、次に無電解銅めっき液に25℃で20分間浸漬した。150℃にて30分間加熱してアニール処理を行った。
ドライフィルム(日立化成(株)製「RY-5107」)をバッチ式真空加圧ラミネーター((株)名機製作所製「MVLP-500」)を用いて、(6)で作製した基板の片面に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着することにより実施した。
露光機((株)ウシオ電機製 投影露光機UX-2240SM)を用いて、櫛刃パターンの配線(ライン/スペース(L/S)比=5μm/5μm)となるようにドライフィルムの露光を行い(200mJ)、その後、1質量%の炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像を行った。
(8)で作成した基板に硫酸銅電解めっきを行い、5μmの厚さで導体層を形成した。次いで、アニール処理を190℃にて60分間行った。
(9)で得られた基板の表面を洗浄し、ドライフィルムを除去した。その後エッチングを行い、櫛刃パターンの配線を形成した。得られた基板を「評価基板B」と称する。
上記(1)で作製した接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター((株)名機製作所「MVLP-500」)を用いて、樹脂組成物層が評価基板Bの櫛刃パターンの配線と接合するように積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着することにより実施した。
接着フィルムの積層後、支持体を剥離し、樹脂組成物層を露出させた。190℃にて90分間の条件で樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成した。得られた基板を「評価基板C」と称する。
評価基板Cの櫛刃パターンの両端の樹脂を削って銅を露出させ、10箇所を電極として銅線をはんだ付けした。次いで、ジクロロメタン、メタノールで順に洗浄し、130℃のオーブンで30分間乾燥させて、テストピースを得た。
上記(13)で得られたテストピースの絶縁抵抗値を、抵抗測定機(J-RAS社製「ECM-100」)にて測定した。その後、テストピースを、HAST試験機(楠本化成(株)製「PM422」)を用いて温度130℃、相対湿度85%の環境に付し、さらに電極の両端に3.3Vの電圧を印加した。200時間後、テストピースを取り出し、絶縁抵抗値を測定した。200時間後のテストピースの絶縁抵抗値が1×107Ω未満の配線が3箇所未満のときに「○」、3箇所以上発生したとき「×」とした。
上記(14)の試験後、テストピースの断面を光学顕微鏡で確認し、線間絶縁膜厚が4~6μmであることを確認した。
(1)接着フィルムの作製
支持体として、離型層付きPETフィルム(リンテック(株)製「AL5」)を用意した。乾燥後の樹脂組成物層の厚さが100μmとなるように、実施例及び比較例において得られた樹脂ワニスを支持体の離型層上にダイコーターにて均一に塗布した。その後、70~120℃(平均95℃)で7分間乾燥させて、接着フィルムを作製した。
ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板の厚さ0.2mm、日立製作所(株)製「E679FGR」)の両面にエッチングにより回路パターンを形成し、さらにマイクロエッチング剤(メック(株)製「CZ8100」)で粗化処理を行い、内層回路基板を作製した。内層回路基板に機械式ドリルで12mm×12mmの貫通穴を形成した。
ポリイミド系仮接着フィルム(有沢製作所(株)製「PFDKE 1525PT」)を用意し、保護フィルムを剥離した。その後、仮接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター((株)名機製作所製「MVLP-500」)を用いて、接着層が内層回路基板と接合するように、内層回路基板の片面に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着することにより行った。
10mm×10mmのダミーウエハを、上記(3)で作製した仮接着フィルム付内層回路基板の穴に挿入した。次いで、上記(1)で作製した接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター((株)名機製作所製「MVLP-500」)を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板と接合するように、内層回路基板の片面に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間、圧着することにより行った。
接着フィルムの積層後、100℃にて30分間、170℃にて30分間の条件で樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成した。その後、接着フィルムの支持体であるPETフィルムを剥離した。
ポリイミド系仮接着フィルムを剥離した後、200℃にて60分間の条件で絶縁層を完全硬化させた。
上記(6)で得られた硬化物サンプルの一部を切り出し、リフロー装置(アントム(株)製「HAS6116」、最高到達温度260℃)にて20回加熱処理を行った。その後、ダミーウエハ内蔵回路基板を光学顕微鏡にて観察し、クラックが0箇所の時は「○」、1箇所以上3箇所未満の場合は「△」、3箇所以上の場合は「×」とした。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「エピコート828EL」)20部、ビフェニルジメチレン型樹脂(エポキシ当量269、日本化薬(株)製「NC3000」)20部、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂(エポキシ当量171、DIC(株)製「HP4710」)3部、フェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製「YL6954BH30」、固形分30質量%のMEK溶液)15部を、MEK(以下「MEK1」ともいう。)20部に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、トリアジン含有フェノールノボラック樹脂(水酸基当量125、DIC(株)製「LA7054」、窒素含有量約12質量%)の固形分60質量%のMEK溶液15部、ナフトール系硬化剤(水酸基当量215、東都化成(株)製「SN-485」)の固形分60質量%のMEK溶液15部、反応型難燃剤(水酸基当量162、(株)三光製「HCA-HQ」、リン含有量9.5%)2部、球形シリカ(平均粒径0.5μm、(株)アドマテックス製「SOC2」、アミノシラン処理付き)40部、チタンブラック黒色顔料(三菱マテリアルズ(株)製「13MC」、分散剤被覆品)の固形分33質量%のプロピレングリコール-1-モノメチルエーテル-2-アセタート分散液7部、硬化促進剤(TCI(株)製ジメチルアミノピリジン(DMAP)、5質量%MEK溶液)5部を、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを調製した。
ナフトール系硬化剤(水酸基当量215、東都化成(株)製「SN-485」)の固形分60質量%のMEK溶液15部に代えて、活性エステル硬化剤(活性基当量約223、DIC(株)製「HPC8000-65T」、不揮発分65質量%のトルエン溶液)15部を使用した以外、実施例1と同様にして、樹脂ワニスを調製した。
チタンブラック黒色顔料分散液の配合量を7部から2.5部に変更した以外、実施例1と同様にして、樹脂ワニスを調製した。
(1)チタンブラック黒色顔料分散液の配合量を7部から30部に変更した点、(2)MEK1の配合量を20部から5部に変更した点以外、実施例1と同様にして、樹脂ワニスを調製した。
(1)トリアジン含有フェノールノボラック樹脂(「LA7054」)の固形分60質量%のMEK溶液と、ナフトール系硬化剤(「SN-485」)の固形分60質量%のMEK溶液の両方の配合量を15部から0.15部に変更した点、(2)反応型難燃剤(「HCA-HQ」)の配合量を2部から0.02部に変更した点以外、実施例1と同様にして、樹脂ワニスを調製した。
(1)トリアジン含有フェノールノボラック樹脂(「LA7054」)の固形分60質量%のMEK溶液と、ナフトール系硬化剤(「SN-485」)の固形分60質量%のMEK溶液の両方の配合量を15部から37.5部に変更した点、(2)反応型難燃剤(「HCA-HQ」)の配合量を2部から5部に変更した点以外、実施例1と同様にして、樹脂ワニスを調製した。
ナフタレン型4官能エポキシ樹脂(エポキシ当量171、DIC(株)製「HP4710」)3部に代えて、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂(エポキシ当量196、三菱化学(株)製「1031S」)3部を使用した以外、実施例1と同様にして、樹脂ワニスを調製した。
チタンブラック黒色顔料分散液7部に代えて、カーボンブラック黒色顔料(御国色素(株)製「MHIブラック#RK-173M」、カーボンブラック含有量26質量%の分散処理品、MEK分散液)10部を使用した以外、実施例1と同様にして、樹脂ワニスを調製した。
チタンブラック黒色顔料分散液の配合量を7部から1部に変更した以外、実施例1と同様にして、樹脂ワニスを調製した。
(1)チタンブラック黒色顔料分散液の配合量を7部から45部に変更した点、(2)MEK1を使用しなかった点以外、実施例1と同様にして、樹脂ワニスを調製した。
トリアジン含有フェノールノボラック樹脂、ナフトール系硬化剤及び反応型難燃剤に代えて、活性エステル硬化剤(活性基当量約223、DIC(株)製「HPC8000-65T」、不揮発分65質量%のトルエン溶液)30部を使用した以外、実施例1と同様にして、樹脂ワニスを調製した。
Claims (20)
- (A)エポキシ樹脂、(B)1分子当たりフェノール性水酸基を2個以上有する化合物、(C)チタンブラック及び(D)有機溶剤を含有する樹脂組成物であって、
(C)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、0.5~9.5質量%であり、
(D)成分の含有量が、10~60質量%である、樹脂組成物。 - (A)エポキシ樹脂、(B)1分子当たりフェノール性水酸基を2個以上有する化合物、(C)チタンブラック及び(D)有機溶剤を含有する樹脂組成物であって、
(C)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、0.5~10質量%であり、
樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、(F)無機充填材の含有量が50質量%以下である、プリント配線板の絶縁層用樹脂組成物(但し、液晶シール剤を除く。)。 - (A)エポキシ樹脂、(B)1分子当たりフェノール性水酸基を2個以上有する化合物、(C)チタンブラック及び(D)有機溶剤を含有する樹脂組成物であって、
(C)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、0.5~10質量%である、プリント配線板の絶縁層用樹脂組成物(但し、シリカ膜により被覆されたチタンブラックを含む樹脂組成物、及び、液晶シール剤を除く)。 - (B)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、0.1~40質量%である、請求項1~3のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- (A)成分は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂(但し、ビス[4-(2,3-エポキシプロピルチオ)フェニル]スルフィドを除く。)を含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- (C)成分中の窒化チタンの含有量が、(C)成分の全体質量を100質量%としたとき、20質量%以上である、請求項1~5のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- プリント配線板の絶縁層用である、請求項1、4~6のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 半導体封止用である、請求項1、4~6のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- (A)エポキシ樹脂、(B)1分子当たりフェノール性水酸基を2個以上有する化合物、(C)チタンブラックを含有する樹脂組成物であって、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、(F)無機充填材の含有量が50質量%以下である樹脂組成物の層を含む、シート状積層材料(但し、繊維基材を含むシート状積層材料及び液晶セルを除く。)
- (A)エポキシ樹脂、(B)1分子当たりフェノール性水酸基を2個以上有する化合物、(C)チタンブラックを含有する樹脂組成物(但し、シリカ膜により被覆されたチタンブラックを含む樹脂組成物を除く)の層を含む、シート状積層材料(但し、繊維基材を含むシート状積層材料及び液晶セルを除く。)
- (B)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、0.1~40質量%である、請求項9又は10に記載のシート状積層材料。
- (A)成分は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂(但し、ビス[4-(2,3-エポキシプロピルチオ)フェニル]スルフィドを除く。)を含む、請求項9~11のいずれか1項に記載のシート状積層材料。
- (C)成分中の窒化チタンの含有量が、(C)成分の全体質量を100質量%としたとき、20質量%以上である、請求項9~12のいずれか1項に記載のシート状積層材料。
- 樹脂組成物の層の厚さが100μm以下である、請求項9~13のいずれか1項に記載のシート状積層材料。
- 樹脂組成物の層の厚さが20μm以下である、請求項9~14のいずれか1項に記載のシート状積層材料。
- (F)成分の平均粒子径が3μm以下である、請求項9~15のいずれか1項に記載のシート状積層材料。
- プリント配線板の絶縁層用である、請求項9~16のいずれか1項に記載のシート状積層材料。
- 半導体封止用である、請求項9~16のいずれか1項に記載のシート状積層材料。
- 請求項9~17のいずれか1項に記載のシート状積層材料の樹脂組成物の層を熱硬化して得られた絶縁層(但し、液晶シール剤を除く。)を含む、プリント配線板。
- 回路基板と、該回路基板に実装された半導体と、該半導体を封止する封止材(但し、液晶シール剤を除く。)とを含み、封止材が、請求項16に記載のシート状積層材料の樹脂組成物の層の硬化物から形成されている、半導体パッケージ。
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