JP6111601B2 - マイクロレンズアレイ基板、マイクロレンズアレイ基板の製造方法、電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、マイクロレンズアレイ基板、マイクロレンズアレイ基板の製造方法、電気光学装置、および電子機器に関する。

素子基板と対向基板との間に電気光学物質（例えば、液晶など）を備えた電気光学装置が知られている。電気光学装置として、例えば、プロジェクターの液晶ライトバルブとして用いられる液晶装置などを挙げることができる。このような液晶装置においては、高い光利用効率を実現することが求められている。

そこで、例えば、液晶装置の素子基板および対向基板の少なくとも一方にマイクロレンズアレイ基板を備えることにより、液晶装置に入射した光を収束し、液晶装置の実質的な開口率の向上を図る構成が知られている。マイクロレンズアレイ基板は、表面に複数の凹部が形成された石英などからなる基材（基板）と、基材を覆い凹部を埋め込むように形成され基材と異なる屈折率を有するレンズ層とを備えている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１１−１１８３２４号公報

ところで、マイクロレンズアレイ基板を備える素子基板では、マイクロレンズアレイ基板を形成した後にＴＦＴ素子を形成する場合、ＴＦＴ素子を形成する工程における高温加熱処理時にマイクロレンズアレイ基板が高温加熱や冷却などの温度変化に晒される。そうすると、基材とレンズ層との熱膨張係数の違いやレンズ層の組成変化などに起因して、レンズ層に応力がかかり、レンズ層にクラックが入ってしまうという課題があった。

これに対して、特許文献１に記載の液晶表示素子（電気光学装置）のように、マイクロレンズアレイ基板のレンズ層をレンズ同士の間で分断することにより、レンズ層にかかる応力を分散して緩和する構成が提案されている。しかしながら、特許文献１に記載の液晶表示素子の構成によれば、隣り合うレンズ同士が間隔を空けて配置されているため、レンズ同士の間に入射する光はレンズで集光されず、光利用効率が低下するおそれがあるという課題がある。したがって、レンズ層のクラックを防止でき、かつ、光利用効率を向上できるマイクロレンズアレイ基板が求められている。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係るマイクロレンズアレイ基板は、第１方向、前記第１方向と交差する第２方向、前記第１方向および前記第２方向と交差する第３方向に配列された凹部が一面に形成され、光透過性を有する基板と、前記基板の前記一面に前記凹部を埋め込むとともに前記凹部が形成された領域を覆うように形成され、光透過性を有し、前記基板とは異なる屈折率を有するレンズ層と、を備え、前記レンズ層には、平面視で、前記第１方向、前記第２方向、および前記第３方向のうちの前記第３方向において隣り合う前記凹部同士の間に不連続部分が設けられ、少なくとも前記第１方向および前記第２方向の一方において隣り合う前記凹部同士の間では前記レンズ層が連続していることを特徴とする。

本適用例の構成によれば、基板の凹部を埋め込むとともに凹部が形成された領域を覆うように形成されたレンズ層における、第１方向、第２方向、および第３方向のうちの第３方向において隣り合う凹部同士の間に不連続部分が設けられているので、レンズ層にかかる応力が分散される。また、不連続部分が設けられた分だけレンズ層全体の体積が小さくなるので、レンズ層にかかる応力が緩和される。一方、少なくとも第１方向および第２方向の一方において隣り合う凹部同士の間ではレンズ層が連続しており、マイクロレンズ同士の間に入射する光はマイクロレンズで集光されて利用されるので、マイクロレンズ同士の間が間隔を空けて配置されている場合に比べて、光利用効率が向上する。これにより、レンズ層のクラックが抑えられ、かつ、光利用効率が向上するマイクロレンズアレイ基板を提供することができる。

［適用例２］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板であって、前記凹部は、前記第１方向および前記第２方向に沿って格子状に区画されており、前記第３方向は前記格子の交点同士を対角に結ぶ方向であり、前記不連続部分は、前記格子の前記交点に対応する位置に設けられていることが好ましい。

本適用例の構成によれば、凹部が第１方向および第２方向に沿って格子状に区画され、レンズ層の不連続部分が格子の交点に対応する位置に設けられているので、格子の交点同士を対角に結ぶ方向である第３方向において隣り合うマイクロレンズ同士で、レンズ層にかかる応力を分散できる。また、格子の交点に対応する位置以外ではレンズ層が連続しているので、光利用効率を向上させることができる。

［適用例３］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板であって、前記レンズ層の前記基板と反対側に前記画素毎に設けられ、チャネル領域を有するトランジスターと、前記レンズ層と前記トランジスターとの間に、平面視で前記トランジスターの少なくとも前記チャネル領域と重なるように設けられた遮光層と、を備え、前記不連続部分は、平面視で前記遮光層と重なる領域に設けられていることが好ましい。

本適用例の構成によれば、マイクロレンズアレイ基板が画素毎に設けられたトランジスターを備えているので、この基板は、マイクロレンズアレイ基板を備えた素子基板であると言い換えることができる。このような素子基板において、遮光が必要なトランジスターのチャネル領域と重なる領域に遮光層が設けられ、レンズ層の遮光層と重なる領域に不連続部分が設けられているので、利用されない光をより一層少なくすることができる。

［適用例４］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板であって、前記レンズ層は、前記不連続部分として、前記基板に到達する貫通孔を有していることが好ましい。

本適用例の構成によれば、基板に到達する貫通孔によりレンズ層にかかる応力を分散できる。また、貫通孔が設けられた分だけレンズ層全体の体積が小さくなるので、レンズ層にかかる応力を緩和できる。

［適用例５］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板であって、前記レンズ層は、平面視で前記第１方向および前記第２方向の少なくとも一方向に沿って前記凹部同士の間に形成され、前記第３方向において隣り合う前記凹部同士の間で前記基板に到達する深さを有する溝部を備え、前記不連続部分は、前記溝部における前記基板に到達する部分であることが好ましい。

本適用例の構成によれば、溝部における基板に到達する深さを有する部分でレンズ層にかかる応力を分散できる。また、溝部が設けられた分だけレンズ層全体の体積が小さくなるので、レンズ層にかかる応力を緩和できる。レンズ層は、基板に到達する部分以外では溝部が形成された部分でも連続しているので、溝部に入射する光も有効利用することができる。

［適用例６］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板であって、前記レンズ層の前記不連続部分を埋め込むように形成され、光透過性を有し、前記レンズ層と略同一の屈折率を有し、前記レンズ層よりも高い耐熱性を有する透明層を備えていることが好ましい。

本適用例の構成によれば、レンズ層の不連続部分を埋め込むように透明層が形成されているため、不連続部分によるレンズ層の表面の段差が緩和される。これにより、レンズ層の上層に遮光層や配線を形成する場合に、遮光層や配線を安定した状態で形成することができる。また、透明層は、光透過性を有しており、レンズ層と略同一の屈折率を有しているため、不連続部分の界面での光の不要な反射や散乱が抑えられるので、入射する光の透過率の低下を抑えることができる。さらに、透明層は、レンズ層よりも高い耐熱性を有しているので、マイクロレンズアレイ基板が高温加熱や冷却などの温度変化に晒された場合でも、レンズ層のクラックをより抑えることができる。

［適用例７］本適用例に係る電気光学装置は、上記適用例のマイクロレンズアレイ基板を備えていることを特徴とする。

本適用例の構成によれば、レンズ層のクラックが抑えられ、かつ、光利用効率が向上するマイクロレンズアレイ基板を備えているので、品質が高く明るい電気光学装置を提供することができる。

［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の電気光学装置を備えていることを特徴とする。

本適用例の構成によれば、品質が高く明るい電気光学装置を備えた電子機器を提供することができる。

［適用例９］本適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法は、光透過性を有する基板の一面に、第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向と、に沿って格子状に区画された凹部を形成する工程と、前記基板の前記一面に、前記凹部を埋め込むとともに前記凹部が形成された領域を覆うように、光透過性を有し、前記基板とは異なる屈折率を有するレンズ層を形成するレンズ層形成工程と、前記レンズ層の一部を除去して、平面視で前記格子状に区画された領域の４隅と重なる位置に、前記基板が露出する部分を形成する除去工程と、を備えていることを特徴とする。

本適用例の製造方法によれば、基板の一面に格子状に区画された凹部を形成し、基板の一面に凹部を埋め込むとともに凹部が形成された領域を覆うようにレンズ層を形成した後、レンズ層の一部を除去して格子状に区画された領域の４隅と重なる位置に基板が露出する部分を形成する。そのため、レンズ層のうち、基板が露出する部分は不連続部分となるので、レンズ層にかかる応力が分散される。また、除去した分だけレンズ層全体の体積が小さくなるので、レンズ層にかかる応力が緩和される。一方、格子状に区画された領域の４隅に対応する位置以外ではレンズ層が連続しており、マイクロレンズ同士の間に入射する光はマイクロレンズで集光されて利用されるので、光利用効率を向上させることができる。これにより、レンズ層のクラックが抑えられ、かつ、光利用効率が向上するマイクロレンズアレイ基板を製造することができる。

［適用例１０］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、前記レンズ層形成工程と前記除去工程との間に、前記レンズ層上に遮光層を形成する遮光層形成工程を備え、前記遮光層形成工程では、平面視で前記凹部同士の境界と重なる位置に、格子状の遮光層を形成し、前記除去工程では、前記レンズ層のうち前記遮光層に覆われていない部分を、前記遮光層側から厚さ方向に、前記レンズ層における前記遮光層に覆われた部分との境界で前記基板が露出するまで除去することが好ましい。

本適用例の製造方法によれば、レンズ層を形成し、レンズ層上に格子状の遮光層を形成した後、遮光層に覆われていない部分を遮光層側から厚さ方向に除去するので、遮光層をエッチング用マスクとして利用し、レンズ層をエッチングすることができる。そのため、レンズ層のエッチング用マスクを不要にできるので、そのエッチング用マスクを形成するためのフォトリソ工程を削減できる。また、遮光層をエッチング用マスクとしてレンズ層をエッチングすることで、基板が露出するレンズ層の不連続部分およびマイクロレンズの遮光層に対する位置ズレが抑えられる。そのため、マイクロレンズと遮光層との相互の位置ズレに起因する光利用率の低下を抑えることができる。

［適用例１１］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、前記除去工程の後に、前記レンズ層の前記除去した部分を埋め込むように透明層を形成する工程を備え、前記透明層は、光透過性を有し、前記レンズ層と略同一の屈折率を有し、前記レンズ層よりも高い耐熱性を有することが好ましい。

本適用例の製造方法によれば、レンズ層の不連続部分を埋め込むように透明層を形成するため、不連続部分によるレンズ層の表面の段差が緩和されるので、レンズ層の上層に遮光層や配線を形成する場合に、遮光層や配線を安定した状態で形成することができる。また、透明層は、光透過性を有しており、レンズ層と略同一の屈折率を有しているため、不連続部分の界面における光の不要な反射や散乱が抑えられるので、入射する光の透過率の低下を抑えることができる。さらに、透明層は、レンズ層よりも高い耐熱性を有しているので、マイクロレンズアレイ基板が高温加熱や冷却などの温度変化に晒された場合でも、レンズ層のクラックをより抑えることができる。

第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。 第１の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。 第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略平面図。 第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略断面図。 第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図。 第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図。 第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図。 第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図。 第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略平面図。 第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略断面図。 第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略平面図。 第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略断面図。 第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図。 第４の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略平面図。 第５の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大、縮小、あるいは誇張して表示している。また、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

（第１の実施形態）
＜電気光学装置＞
ここでは、電気光学装置として、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置（プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

まず、第１の実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置について、図１、図２、および図３を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、第１の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図３は、第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図である。詳しくは、図３は、図１のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。

図１および図３に示すように、第１の実施形態に係る液晶装置１は、対向配置された素子基板２０および対向基板３０と、素子基板２０と対向基板３０との間に配置された液晶層４０とを有する。図１に示すように、素子基板２０は対向基板３０よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材４２を介して接合されている。

液晶層４０は、素子基板２０と対向基板３０とシール材４２とによって囲まれた空間に封入された、正または負の誘電異方性を有する液晶で構成されている。シール材４２は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤からなる。シール材４２には、素子基板２０と対向基板３０との間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

額縁状に配置されたシール材４２の内側には、額縁状の周縁部を有する遮光層２２（２６、３２）が設けられている。遮光層２２（２６、３２）は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。遮光層２２（２６、３２）の内側は、複数の画素Ｐが配列された表示領域Ｅとなっている。画素Ｐは、例えば、略矩形状を有し、マトリックス状に配列されている。遮光層２２（２６、３２）は、表示領域Ｅにおいて、複数の画素Ｐを平面的に区画するように、例えば格子状に設けられている（図４参照）。

素子基板２０の１辺部のシール材４２の外側には、１辺部に沿ってデータ線駆動回路５１および複数の外部接続端子５４が設けられている。また、その１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４２の内側には、検査回路５３が設けられている。さらに、これらの２辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４２の内側には、走査線駆動回路５２が設けられている。

検査回路５３が設けられた１辺部のシール材４２の内側には、２つの走査線駆動回路５２を繋ぐ複数の配線５５が設けられている。これらデータ線駆動回路５１、走査線駆動回路５２に繋がる配線は、複数の外部接続端子５４に接続されている。また、対向基板３０の角部には、素子基板２０と対向基板３０との間で電気的導通をとるための上下導通部５６が設けられている。なお、検査回路５３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路５１と表示領域Ｅとの間のシール材４２の内側に沿った位置に設けてもよい。

以下の説明では、データ線駆動回路５１が設けられた１辺部に沿った方向を第１方向としてのＸ方向とし、この１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向を第２方向としてのＹ方向とする。Ｘ方向は、図１のＡ−Ａ’線に沿った方向である。また、Ｘ方向およびＹ方向と直交し図１における上方に向かう方向をＺ方向とする。なお、本明細書では、液晶装置１の対向基板３０側表面の法線方向（Ｚ方向）から見ることを「平面視」という。

図２に示すように、表示領域Ｅには、走査線２とデータ線３とが互いに交差するように形成され、走査線２とデータ線３との交差に対応して画素Ｐが設けられている。画素Ｐのそれぞれには、画素電極２８と、スイッチング素子としてのＴＦＴ２４（Thin Film Transistor：薄膜トランジスター）とが設けられている。

ＴＦＴ２４のソース電極（図示しない）は、データ線駆動回路５１から延在するデータ線３に電気的に接続されている。データ線３には、データ線駆動回路５１（図１参照）から画像信号（データ信号）Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが線順次で供給される。ＴＦＴ２４のゲート電極（図示しない）は、走査線駆動回路５２から延在する走査線２の一部である。走査線２には、走査線駆動回路５２から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが線順次で供給される。ＴＦＴ２４のドレイン電極（図示しない）は、画素電極２８に電気的に接続されている。

画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、ＴＦＴ２４を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線３を介して画素電極２８に所定のタイミングで書き込まれる。このようにして画素電極２８を介して液晶層４０に書き込まれた所定レベルの画像信号は、対向基板３０に設けられた共通電極３４（図３参照）との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。

なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、走査線２に沿って形成された容量線４と画素電極２８との間に蓄積容量５が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、各画素Ｐの液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶の配向状態が変化する。これにより、液晶層４０（図３参照）に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。

液晶層４０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少する。ノーマリーブラックモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加し、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が射出される。

図３に示すように、素子基板２０は、マイクロレンズアレイ基板１０と、パス層２１と、遮光層２２と、絶縁層２３と、ＴＦＴ２４と、絶縁層２５と、遮光層２６と、絶縁層２７と、画素電極２８と、配向膜２９とを備えている。

マイクロレンズアレイ基板１０は、基板１１とレンズ層１２とを備えている。基板１１は、液晶層４０側の一面１１ａに形成された複数の凹部１１ｂを有している。各凹部１１ｂは、各画素Ｐに対応して設けられている。凹部１１ｂは、その底部に向かって先細りとなる曲面状に形成されている。基板１１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料からなる。

レンズ層１２は、基板１１の一面１１ａを覆うとともに凹部１１ｂを埋め込むように形成されている。レンズ層１２は、光透過性を有し、基板１１とは異なる屈折率を有する材料からなる。より具体的には、レンズ層１２は、基板よりも光屈折率の高い無機材料からなる。このような無機材料としては、例えばＳｉＯＮ、ＡｌＯなどが挙げられる。

レンズ層１２で凹部１１ｂを埋め込むことにより、凸状のマイクロレンズＭＬが構成される。したがって、各マイクロレンズＭＬは、各画素Ｐに対応して設けられている。また、複数のマイクロレンズＭＬによりマイクロレンズアレイＭＬＡが構成される。レンズ層１２は、マイクロレンズアレイＭＬＡが構成される領域よりも外側には設けられていないことが好ましい。すなわち、レンズ層１２は、基板１１の一面１１ａのうち、凹部１１ｂが形成された領域のみに設けられていることが好ましい。

なお、レンズ層１２には、所定の方向（Ｗ方向）に沿ったマイクロレンズＭＬ同士の間に不連続部分としての貫通孔１３が設けられている（図４参照）。貫通孔１３の配置や形状などのマイクロレンズアレイ基板１０の詳細については後述する。

パス層２１は、マイクロレンズアレイ基板１０を覆うように設けられている。パス層２１は、例えば、基板１１とほぼ同じ屈折率を有する無機材料からなる。パス層２１は、マイクロレンズアレイ基板１０の表面を平坦化するとともに、マイクロレンズＭＬから遮光層２２までの距離を所望の値に合わせる機能を有する。したがって、パス層２１の層厚は、光の波長に応じたマイクロレンズＭＬの焦点距離などの光学条件に基づいて適宜設定される。

遮光層２２は、パス層２１上に設けられている。遮光層２２は、上層の遮光層２６に平面視で重なるように格子状に形成されている（図４参照）。遮光層２２および遮光層２６は、素子基板２０の厚さ方向（Ｚ方向）において、ＴＦＴ２４を間に挟むように配置されている。遮光層２２は、ＴＦＴ２４の少なくともチャネル領域と平面視で重なっている。遮光層２２および遮光層２６が設けられていることにより、ＴＦＴ２４への光の入射が抑制される。遮光層２２に囲まれた領域（開口部２２ａ内）、および、遮光層２６に囲まれた領域（開口部２６ａ内）は、光が透過する領域となる。

絶縁層２３は、パス層２１と遮光層２２とを覆うように設けられている。絶縁層２３は、例えば、ＳｉＯ₂などの無機材料からなる。

ＴＦＴ２４は、絶縁層２３上に設けられている。ＴＦＴ２４は、画素電極２８を駆動するスイッチング素子である。ＴＦＴ２４は、図示しない半導体層、ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極で構成されている。半導体層には、ソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域が形成されている。チャネル領域とソース領域、又は、チャネル領域とドレイン領域との界面にはＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成されていてもよい。

ゲート電極は、素子基板２０において平面視で半導体層のチャネル領域と重なる領域に絶縁層２５の一部（ゲート絶縁膜）を介して形成されている。図示を省略するが、ゲート電極は、下層側に配置された走査線２（図２参照）にコンタクトホールを介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってＴＦＴ２４をオン／オフ制御している。

絶縁層２５は、絶縁層２３とＴＦＴ２４とを覆うように設けられている。絶縁層２５は、例えば、ＳｉＯ₂などの無機材料からなる。絶縁層２５は、ＴＦＴ２４の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。絶縁層２５により、ＴＦＴ２４によって生ずる表面の凹凸が緩和される。絶縁層２５上には、遮光層２６が設けられている。そして、絶縁層２５と遮光層２６とを覆うように、無機材料からなる絶縁層２７が設けられている。

画素電極２８は、絶縁層２７上に、画素Ｐに対応して設けられている。画素電極２８は、遮光層２２の開口部２２ａおよび遮光層２６の開口部２６ａに平面視で重なる領域に配置されている。画素電極２８は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなる。配向膜２９は、画素電極２８を覆うように設けられている。

なお、ＴＦＴ２４と、ＴＦＴ２４に電気信号を供給する電極や配線など（図示しない）とは、平面視で遮光層２２および遮光層２６に重なる領域に設けられている。これらの電極や配線などが遮光層２２および遮光層２６を兼ねる構成であってもよい。

対向基板３０は、基板３１と、遮光層３２と、保護層３３と、共通電極３４と、配向膜３５とを備えている。基板３１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料からなる。遮光層３２は、素子基板の遮光層２２および遮光層２６に平面視で重なるように格子状に形成されている。遮光層３２に囲まれた領域（開口部３２ａ内）は、光が透過する領域となる。

保護層３３は、基板３１と遮光層３２とを覆うように設けられている。共通電極３４は、保護層３３を覆うように設けられている。共通電極３４は、複数の画素Ｐに跨って形成されている。共通電極３４は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなる。配向膜３５は、共通電極３４を覆うように設けられている。

なお、保護層３３は共通電極３４の液晶層４０に面する表面が平坦となるように、遮光層３２を覆うものであって、必須な構成要素ではなく、例えば、導電性の遮光層３２を直接覆うように共通電極３４を形成してもよい。液晶層４０は、素子基板２０側の配向膜２９と対向基板３０側の配向膜３５との間に封入されている。

第１の実施形態に係る液晶装置１では、光は、マイクロレンズＭＬを備える素子基板２０（基板１１）側から入射し、マイクロレンズＭＬによって集光される。例えば、基板１１側から凸状のマイクロレンズＭＬに入射する光のうち、画素Ｐの平面的な中心を通過する光軸に沿って入射した入射光Ｌ１は、マイクロレンズＭＬをそのまま直進し、液晶層４０を通過して対向基板３０側に射出される。

入射光Ｌ１よりも外側の平面視で遮光層２２と重なる領域からマイクロレンズＭＬの周縁部に入射した入射光Ｌ２は、仮にそのまま直進した場合、破線で示すように遮光層２２で遮光されてしまうが、基板１１とレンズ層１２との間の光屈折率の差により、画素Ｐの平面的な中心側へ屈折する。液晶装置１では、このように直進した場合に遮光層２２で遮光されてしまう入射光Ｌ２も、マイクロレンズＭＬの集光作用により遮光層２２の開口部２２ａ内に入射させて液晶層４０を通過させることができる。この結果、対向基板３０側から射出される光の量を多くできるので、光の利用効率を高めることができる。

＜マイクロレンズアレイ基板＞
続いて、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０について、さらに、図４および図５を参照して説明する。図４は、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略平面図である。図５は、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略断面図である。詳しくは、図５（ａ）は図４のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図であり、図５（ｂ）は図４のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図である。なお、図４のＡ−Ａ’線に沿った断面は、図１のＡ−Ａ’線（Ｘ方向）に沿った断面に相当する。

図４では、平面視におけるマイクロレンズＭＬと遮光層２２との位置関係がわかるように、マイクロレンズアレイ基板１０上に、輪郭を破線で示し領域にハッチングを施した遮光層２２を重ねて表示している。図４に示すように、遮光層２２は、Ｘ方向（第１方向）とＹ方向（第２方向）とに沿った格子状に設けられており、略矩形状の開口部２２ａを有している。画素Ｐは、遮光層２２によって格子状に区画され、Ｘ方向とＹ方向とに沿ったマトリックス状に配列されている。

図４において、Ａ−Ａ’線は、Ｘ方向に沿って、画素Ｐの領域の平面的な中心位置を結んだ線である。Ｂ−Ｂ’線は、遮光層２２の格子の交点同士を対角に結ぶ線である。Ｂ−Ｂ’線は、対角に位置する画素Ｐの領域の平面的な中心位置を結んだ線でもある。Ｂ−Ｂ’線に沿った方向を、第３方向としてのＷ方向とする。Ｗ方向は、Ｘ方向およびＹ方向と交差する方向である。

基板１１の凹部１１ｂは、画素Ｐに対応して格子状に区画されている。凹部１１ｂは、その底部に向かって同心円状に先細りとなる曲面状に形成されている。したがって、凹部１１ｂの底部の位置は、画素Ｐの領域の平面的な中心位置とほぼ一致する。マイクロレンズＭＬは、画素Ｐの配列に対応してマトリックス状に配列されている。遮光層２２は、マトリックス状に配列されたマイクロレンズＭＬ同士の境界と平面視で重なっている。

レンズ層１２には、平面視で遮光層２２の格子の交点と重なる位置に、基板１１に到達する貫通孔１３が設けられている。したがって、貫通孔１３は、各マイクロレンズＭＬの４隅に対応する位置に配置されている。また、貫通孔１３は、Ｗ方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の間（凹部１１ｂ同士の間）に設けられている。貫通孔１３ではレンズ層１２に入射する光が集光されず利用されないので、貫通孔１３が遮光層２２と重なって設けられていることで、遮光層２２と重ならない場合に比べて、マイクロレンズアレイ基板１０全体において利用されない光を少なくすることができる。

平面視における貫通孔１３の形状は、例えば円形である。平面視における貫通孔１３の形状は、矩形や多角形など他の形状であってもよい。平面視における貫通孔１３の大きさは、遮光層２２と平面視で重なる領域以下であることが好ましい。このようにすることで、利用されない光をより少なくすることができるとともに、貫通孔１３に起因する段差が画素Ｐの領域に反映されないようにすることができる。

図５（ａ）に示すように、Ａ−Ａ’線方向においては、隣り合う凹部１１ｂ同士が結合しており、レンズ層１２に貫通孔１３が設けられていないので、マイクロレンズＭＬは連続して形成されている。Ａ−Ａ’線方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の境界におけるレンズ層１２の厚さをＤ３とする。なお、図示しないが、Ｙ方向に沿って画素Ｐの領域の平面的な中心位置を結ぶ方向においても同様に、マイクロレンズＭＬは連続して形成されており、隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の境界におけるレンズ層１２の厚さはＤ３となる。

図５（ｂ）に示すように、Ｂ−Ｂ’線方向においては、レンズ層１２の隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の間に、基板１１に到達する貫通孔１３が設けられており、隣り合うマイクロレンズＭＬ同士が分断されている。Ｂ−Ｂ’線方向は対角線に沿った方向であるため、隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の平面的な中心間の距離がＡ−Ａ’線方向と比べて長く、マイクロレンズＭＬ同士の境界におけるレンズ層１２の厚さは薄くなっている。したがって、レンズ層１２に貫通孔１３を形成する前の状態でのマイクロレンズＭＬ同士の境界におけるレンズ層１２の厚さをＤ２とすると、厚さＤ２は厚さＤ３よりも薄く（小さく）、例えば、厚さＤ２は厚さＤ３の１／２よりも薄い（小さい）。また、レンズ層１２の表面からの貫通孔１３の深さをＤ１とすると、貫通孔１３の深さＤ１は、厚さＤ２よりも深い（大きい）。

第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０では、Ｂ−Ｂ’線方向（Ｗ方向）において、隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の間に貫通孔１３が設けられ、レンズ層１２が分断されている。そのため、例えば、上層にＴＦＴ２４を形成する工程などにおいて高温加熱や冷却などの温度変化に晒されても、貫通孔１３によりレンズ層１２にかかる応力が分散されるので、マイクロレンズアレイ基板１０の反りを低減できる。

ここで、特許文献１に記載の液晶表示素子（液晶装置）は、マイクロレンズアレイ基板のレンズ層をレンズ同士の間で分断することにより、レンズ層にかかる応力を分散して緩和する構成を有している。しかしながら、特許文献１に記載の液晶表示素子の構成によれば、Ｘ方向、Ｙ方向、およびＷ方向において隣り合うレンズ同士が間隔を空けて配置されているため、レンズ同士の間に入射する光はレンズで集光されず、光利用効率が低下するおそれがあるという課題がある。

これに対して、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０では、Ａ−Ａ’線方向（Ｘ方向およびＹ方向）において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の間でレンズ層１２が分断されず連続している。そのため、Ａ−Ａ’線方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の間に入射する光はマイクロレンズＭＬで集光されて利用されるので、マイクロレンズＭＬ同士の間が間隔を空けて配置されている場合に比べて、光利用効率が向上する。これにより、レンズ層１２のクラックが抑えられ、かつ、光利用効率が向上するマイクロレンズアレイ基板１０を提供することができる。

なお、レンズ層１２は、基板１１の一面１１ａ（図３参照）のうち、マイクロレンズアレイＭＬＡが配置された領域、すなわち、凹部１１ｂが形成された領域のみに設けられていることが好ましい。マイクロレンズアレイＭＬＡが配置された領域の外側にレンズ層１２が設けられていないと、レンズ層１２全体の体積をより小さくできるので、レンズ層１２にかかる応力をより緩和することができる。また、マイクロレンズアレイＭＬＡが配置された領域の外側にレンズ層１２があると、この部分でレンズ層１２に生じたクラックがマイクロレンズアレイＭＬＡが配置された領域まで及んでしまう場合があるが、レンズ層１２をマイクロレンズアレイＭＬＡが配置された領域のみに設けることで、このようなクラックの発生を回避することができる。

＜マイクロレンズアレイ基板の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０の製造方法について、図６、図７、図８、および図９を参照して説明する。図６、図７、図８、および図９は、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図である。詳しくは、図６、図７、図８、および図９の各図は、図４のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図である。ただし、図８（ｃ）のみ、図４のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。

なお、図示しないが、マイクロレンズアレイ基板１０の製造工程では、マイクロレンズアレイ基板１０を複数枚取りできる大型の基板（マザー基板）で加工が行われ、最終的にそのマザー基板を切断して個片化することにより、複数のマイクロレンズアレイ基板１０が得られる。したがって、以下に説明する各工程では個片化する前のマザー基板の状態で加工が行われるが、ここでは、マザー基板の中の個別のマイクロレンズアレイ基板１０に対する加工について説明する。

まず、図６（ａ）に示すように、石英などからなる光透過性を有する基板１１の一面１１ａに、高温ポリシリコン膜７１を形成する。次に、図６（ｂ）に示すように、高温ポリシリコン膜７１上にレジスト層７２を塗布する。次に、図６（ｃ）に示すように、レジスト層７２を、例えばフォトリソ法によりパターニングし、開口部７２ａを形成する。なお、図示を省略するが、開口部７２ａは、後の工程で形成する凹部１１ｂに対応して、平面視でマトリックス状に配列される。

次に、図６（ｄ）に示すように、レジスト層７２をエッチング用マスクとして高温ポリシリコン膜７１をドライエッチング処理し、高温ポリシリコン膜７１に開口部７１ａを形成する。開口部７１ａは、平面視でレジスト層７２の開口部７２ａと同じ形状に形成される。その後、図７（ａ）に示すように、レジスト層７２を剥離する。

次に、図７（ｂ）に示すように、高温ポリシリコン膜７１上から基板１１に対して、エッチング液を用いたウエットエッチングなどの等方性エッチング処理を行う。この工程では、基板１１の一面１１ａ側から開口部７１ａを中心として断面視で略半球状の領域が除去されて、凹部１１ｂが形成される。凹部１１ｂは、平面視で、開口部７１ａを中心とする同心円状に形成される。

図７（ｃ）に示すように、隣り合う凹部１１ｂ同士の境界が基板１１の一面１１ａより低くなるまでウエットエッチング処理を行い、高温ポリシリコン膜７１を除去する。なお、この工程においては、図７（ｂ）に示すような隣り合う凹部１１ｂ同士の間に間隔が空いている状態で一旦エッチングを止め、高温ポリシリコン膜７１を除去した後に再度ウエットエッチング処理を行うこととしてもよい。

これにより、断面視では曲面状であり、平面視では同心円状の凹部１１ｂが大きくなる。この結果、実線で示すＢ−Ｂ’線方向における凹部１１ｂの底部に対する凹部１１ｂ同士の境界の高さは、破線で示すＡ−Ａ’線方向における凹部１１ｂの底部に対する凹部１１ｂ同士の境界の高さよりも高くなる。

次に、図８（ａ）に示すように、基板１１に形成された凹部１１ｂを埋め込むように、光透過性を有し、基板１１よりも高い屈折率を有する無機材料からなるレンズ層１２ａを形成する（レンズ層形成工程）。レンズ層１２ａは、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成することができる。レンズ層１２ａの表面には、凹部１１ｂの底部と境界部との段差が反映される。

次に、図８（ｂ）に示すように、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理などを用いて、レンズ層１２ａの表面の平坦化処理を行う。レンズ層１２ａの平坦化処理後の残厚、すなわちレンズ層１２の層厚は、形成されるマイクロレンズＭＬの焦点距離などの光学条件に基づいて適宜設定される。

ここでは、Ｂ−Ｂ’線に沿ったマイクロレンズＭＬ同士の境界におけるレンズ層１２の厚さがＤ２となる。また、図８（ｃ）に示すように、Ａ−Ａ’線に沿ったマイクロレンズＭＬ同士の境界におけるレンズ層１２の厚さがＤ３となる。Ｂ−Ｂ’線方向における凹部１１ｂ同士の境界の高さは、Ａ−Ａ’線方向における凹部１１ｂ同士の境界の高さよりも高いので、Ｄ２＜Ｄ３となる。

次に、図９（ａ）に示すように、レンズ層１２の表面に、レジスト層７３を形成する。そして、レジスト層７３を、例えばフォトリソ法によりパターニングし、開口部７３ａを形成する。なお、図示を省略するが、開口部７３ａは、後の工程で形成する貫通孔１３に対応して、例えば、凹部１１ｂの４隅の位置に平面視で円形状に形成される。

次に、図９（ｂ）に示すように、レジスト層７３上からレンズ層１２に対して、異方性エッチング処理を行う（除去工程）。除去工程では、例えばドライエッチングにより、レンズ層１２の表面からの深さが基板１１に到達するＤ１となるまでエッチング処理を行う。レンズ層１２をエッチングする深さＤ１は、上述の通り、Ｄ２＜Ｄ１である。これにより、貫通孔１３が形成されて、マイクロレンズアレイ基板１０が完成する。

この後マイクロレンズアレイ基板１０を備えた素子基板２０を製造する場合は、マイクロレンズアレイ基板１０上に、パス層２１、遮光層２２、絶縁層２３、ＴＦＴ２４を順に形成する。

なお、除去工程では、レンズ層１２のうち、マイクロレンズアレイＭＬＡが配置された領域より外側の部分も一緒に除去することが好ましい。マザー基板の状態において複数のマイクロレンズアレイ基板１０同士の間でレンズ層１２が連続していると、マザー基板上の一部に応力が集中してクラックが発生する恐れがある。また、マザー基板上の一部に発生したクラックが、複数のマイクロレンズアレイ基板１０に及んでしまう場合があり得る。

除去工程でマイクロレンズアレイＭＬＡが配置された領域より外側のレンズ層１２を除去することにより、マザー基板の中でマイクロレンズアレイ基板１０毎にレンズ層１２が分断されるので、応力の集中が緩和される。また、マイクロレンズアレイ基板１０同士の間でレンズ層１２が分断されるので、マザー基板上の一部にクラックが発生した場合でも、複数のマイクロレンズアレイ基板１０に及んでしまうことを防止できる。

以上説明したように、第１の実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）マイクロレンズアレイ基板１０では、基板１１の凹部１１ｂを埋め込むとともに凹部１１ｂが形成された領域を覆うように形成されたレンズ層１２における、Ｘ方向およびＹ方向（Ａ−Ａ’線）、およびＷ方向（Ｂ−Ｂ’線方向）のうちのＷ方向において隣り合う凹部１１ｂ同士の間に、基板１１に到達する貫通孔１３が設けられている。そのため、Ｗ方向（Ｂ−Ｂ’線方向）においては、隣り合う凹部１１ｂ同士（マイクロレンズＭＬ同士）の間でレンズ層１２が貫通孔１３により分断されているので、レンズ層１２にかかる応力が分散される。また、貫通孔１３が設けられた分だけレンズ層１２全体の体積が小さくなるので、レンズ層１２にかかる応力が緩和される。一方、Ｘ方向およびＹ方向（Ａ−Ａ’線）において隣り合う凹部１１ｂ同士の間ではレンズ層１２が連続しており、マイクロレンズＭＬ同士の間に入射する光はマイクロレンズＭＬで集光されて利用されるので、マイクロレンズＭＬ同士の間が間隔を空けて配置されている場合に比べて、光利用効率が向上する。これにより、レンズ層１２のクラックが抑えられ、かつ、光利用効率が向上するマイクロレンズアレイ基板１０を提供することができる。

（２）基板１１の凹部１１ｂがＸ方向およびＹ方向に沿って格子状に区画され、レンズ層１２の貫通孔１３が格子の交点に対応する位置に設けられているので、格子の交点同士を対角に結ぶ方向であるＷ方向（Ｂ−Ｂ’線方向）において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士で、レンズ層１２にかかる応力を分散できる。また、格子の交点に対応する位置以外ではレンズ層１２が連続しているので、光利用効率を向上させることができる。

（３）画素Ｐ毎に設けられたＴＦＴ２４とマイクロレンズアレイ基板１０とを備えている素子基板２０において、遮光が必要なＴＦＴ２４のチャネル領域と重なる領域に遮光層２２が設けられ、レンズ層１２の遮光層２２なる領域に貫通孔１３が設けられているので、利用されない光をより一層少なくすることができる。

（４）液晶装置１は、レンズ層１２のクラックが抑えられ、かつ、光利用効率が向上するマイクロレンズアレイ基板１０を備えているので、品質が高く明るい液晶装置１を提供することができる。

（第２の実施形態）
第２の実施形態以降の液晶装置では、マイクロレンズアレイ基板の構成が異なるが、他の構成はほぼ同じであるので、マイクロレンズアレイ基板の構成および製造方法を説明し、液晶装置の他の部分の説明を省略する。

＜マイクロレンズアレイ基板＞
第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を説明する。図１０は、第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略平面図である。図１１は、第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略断面図である。詳しくは、図１１（ａ）は図１０のＡ−Ａ’線（Ｘ方向）に沿った概略断面図であり、図１１（ｂ）は図１０のＢ−Ｂ’線（Ｗ方向）に沿った概略断面図である。

第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ａは、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０に対して、不連続部分を含む溝部１４が設けられている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図１０に示すように、第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ａでは、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０と同様に、マイクロレンズＭＬが画素Ｐの配列に対応してマトリックス状に配列されている。マイクロレンズアレイ基板１０Ａのレンズ層１２には、溝部１４が設けられている。

溝部１４は、平面視で遮光層２２と重なるように、Ｘ方向およびＹ方向に沿った格子状に設けられている。すなわち、溝部１４は、Ｘ方向およびＹ方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の間（凹部１１ｂ同士の間）に配置されている。

溝部１４のＸ方向とＹ方向との交点１５は、遮光層２２の格子の交点と重なっており、マイクロレンズＭＬの４隅に位置している。したがって、溝部１４の交点１５は、Ｂ−Ｂ’線方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の間（凹部１１ｂ同士の間）に配置されている。

なお、溝部１４のＸ方向およびＹ方向における幅は、遮光層２２の幅以下であることが好ましい。そうすることで、溝部１４において入射する光が利用されない交点１５を、遮光層２２の領域内に配置することができる。また、溝部１４に起因する段差が画素Ｐの領域に反映されないようにすることができる。

図１１（ａ）に示すように、溝部１４は、Ａ−Ａ’線方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の間（凹部１１ｂ同士の間）に設けられている。溝部１４のレンズ層１２の表面からの深さをＤ４とすると、深さＤ４は、Ａ−Ａ’線方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の境界におけるレンズ層１２の厚さＤ３よりも浅い（小さい）。

したがって、Ａ−Ａ’線方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の間では、溝部１４は基板１１に到達しておらず、レンズ層１２は分断されていない。そのため、Ａ−Ａ’線方向においては、レンズ層１２に溝部１４があっても、入射する光を集光して利用することができる。

図１１（ｂ）に示すように、Ｂ−Ｂ’線方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の間（凹部１１ｂ同士の間）には、上述の通り溝部１４のＸ方向とＹ方向との交点１５が位置している。溝部１４の深さＤ４は、交点１５においても同じである。溝部１４の深さＤ４は、Ｂ−Ｂ’線方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の境界におけるレンズ層１２の厚さＤ２よりも深い（大きい）。すなわち、溝部１４の深さＤ４は、Ｄ２＜Ｄ４＜Ｄ３である。

したがって、Ｂ−Ｂ’線方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の間では、交点１５で溝部１４が基板１１に到達しており、レンズ層１２が分断されている。すなわち、Ａ−Ａ’線方向（Ｘ方向）においては隣り合うマイクロレンズＭＬ同士が結合しており、Ｂ−Ｂ’線方向（Ｗ方向）においては隣り合うマイクロレンズＭＬ同士が分断されている。これにより、第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ａにおいても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

＜マイクロレンズアレイ基板の製造方法＞
図示を省略するが、溝部１４は、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法に対して、除去工程において、平面視で格子状にレンズ層１２を異方性エッチングすることで形成できる。第１の実施形態で説明したように、Ａ−Ａ’線方向とＢ−Ｂ’線方向とで、隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の境界におけるレンズ層１２の厚さが異なるので、レンズ層１２をエッチングする深さＤ４を、例えば、図１１（ａ）に示す深さＤ３よりも浅く（小さく）、かつ、図１１（ｂ）に示す深さＤ２よりも深く（大きく）することで、交点１５において基板１１に到達する溝部１４を形成できる。なお、第２の実施形態では、レジスト層７４に形成する開口部７４ａ（図９（ａ））は、溝部１４に対応した形状となる。

以上説明したように、第２の実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）マイクロレンズアレイ基板１０Ａでは、レンズ層１２においてＸ方向およびＹ方向に沿って格子状に設けられた溝部１４が、交点１５で基板１１に到達している。そのため、レンズ層１２がＷ方向において交点１５で分断されているので、Ｗ方向（Ｂ−Ｂ’線方向）においてレンズ層１２にかかる応力が分散される。また、溝部１４が設けられた分だけレンズ層１２全体の体積が小さくなるので、レンズ層１２にかかる応力が緩和される。一方、Ｘ方向およびＹ方向（Ａ−Ａ’線方向）において隣り合う凹部１１ｂ同士（マイクロレンズＭＬ同士）の間ではレンズ層１２が連続しており、マイクロレンズＭＬ同士の間に入射する光はマイクロレンズＭＬで集光されて利用されるので、マイクロレンズＭＬ同士の間が間隔を空けて配置されている場合に比べて、光利用効率が向上する。これにより、第１の実施形態と同様に、レンズ層１２のクラックが抑えられ、かつ、光利用効率が向上するマイクロレンズアレイ基板１０Ａを提供することができる。

（２）溝部１４が平面視で遮光層２２と重なるように格子状に設けられているので、基板１１に到達しており入射する光が利用されない交点１５の部分も、入射する光を遮光する遮光層２２と重なる領域に配置される。これにより、溝部１４が遮光層２２と重ならない領域に設けられている場合に比べて、マイクロレンズアレイ基板１０Ａ全体において利用されない光をより少なくできるので、光利用効率をより向上させることができる。

なお、溝部１４の形状は、上述の格子状の形状に限定されず、例えば、Ｘ方向またはＹ方向のいずれか一方向のみに沿って形成されていてもよい。また、溝部１４の形状は、格子状のＸ方向およびＹ方向における交点同士の間で分断された形状、すなわち、平面視で＋形状で各マイクロレンズＭＬの４隅（Ｂ−Ｂ’線方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の間）に形成されていてもよい。

（第３の実施形態）
＜マイクロレンズアレイ基板＞
次に、第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を説明する。図１２は、第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略平面図である。図１３は、第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略断面図である。詳しくは、図１３（ａ）は図１２のＡ−Ａ’線（Ｘ方向）に沿った概略断面図であり、図１３（ｂ）は図１２のＢ−Ｂ’線（Ｗ方向）に沿った概略断面図である。

第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ｂは、上記実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａに対して、レンズ層１２において厚さ方向に不連続部分が設けられている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。なお、上記実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図１２に示すように、第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ｂでは、上記実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａと同様に、マイクロレンズＭＬが画素Ｐの配列に対応してマトリックス状に配列されている。マイクロレンズアレイ基板１０Ｂでは、レンズ層１２において、平面視で遮光層２２と重なる格子状の部分を隔壁として、遮光層２２の開口部２２ａと重なる領域に凹部１６が設けられている。そして、凹部１６の４隅の角部１６ａにおいて、レンズ層１２が不連続となる分断部１７となっている。

図１３（ａ）に示すように、凹部１６は、遮光層２２の開口部２２ａ内のレンズ層１２に、基板１１の凹部１１ｂに対応して設けられている。換言すれば、レンズ層１２のうち遮光層２２と重なる部分が、凹部１６を区画する隔壁となっている。凹部１６のレンズ層１２の表面からの深さをＤ５とすると、深さＤ５は、Ａ−Ａ’線方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の境界におけるレンズ層１２の厚さＤ７よりも浅い（小さい）。したがって、凹部１６の底部は、Ａ−Ａ’線方向（において、基板１１には到達していない。

図１３（ｂ）に示すように、凹部１６のレンズ層１２の表面からの深さＤ５は、Ｂ−Ｂ’線方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の境界におけるレンズ層１２の厚さＤ６よりも深い（大きい）。すなわち、凹部１６の深さＤ５は、Ｄ６＜Ｄ５＜Ｄ７である。そして、凹部１６の底部は、４隅の角部１６ａにおいて基板１１に到達し、基板１１に食い込むように形成されている。したがって、レンズ層１２の隔壁のうち、Ｂ−Ｂ’線方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の境界に位置する部分は、角部１６ａにおいてレンズ層１２と分断され分断部１７となっている。

このように、レンズ層１２は、Ａ−Ａ’線方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ同士で連続しているが、Ｂ−Ｂ’線方向においては４隅の角部１６ａにおいて分断されている。すなわち、Ａ−Ａ’線方向（Ｘ方向）においては隣り合うマイクロレンズＭＬ同士が結合しており、Ｂ−Ｂ’線方向（Ｗ方向）においては隣り合うマイクロレンズＭＬ同士が分断されている。したがって、第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ｂにおいても、上記実施形態と同様の効果が得られる。

＜マイクロレンズアレイ基板の製造方法＞
次に、第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ｂの製造方法について、図１４を参照して説明する。図１４は、第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図である。詳しくは、図１４の各図は、図１２のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図である。

第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ｂの製造方法は、第１の実施形態に対して、図８（ｂ）に示すレンズ層１２の表面の平坦化処理後の工程が異なる。第３の実施形態では、図１４（ａ）に示すように、平坦化処理後のレンズ層１２の表面に、ＴＦＴ２４に電気信号を供給する電極や配線など（図示しない）と、遮光層２２とを形成する（遮光層形成工程）。以下の説明では、電極や配線などと遮光層２２とを含めて、遮光層２２という。

なお、マイクロレンズアレイ基板１０Ｂでは、レンズ層１２上に遮光層２２が設けられるため、レンズ層１２がパス層２１（図３参照）の機能を兼ねることとなる。したがって、レンズ層１２の表面の平坦化処理後のレンズ層１２の層厚によって、マイクロレンズＭＬと遮光層２２との厚さ方向（Ｚ方向）の位置関係が決まる。

遮光層形成工程に続いて、図１４（ａ）に示すように、遮光層２２上に形成したレジスト層７５により、遮光層２２をパターニングする。レジスト層７５は、平面視で格子状であり、矩形状の開口部７５ａが形成されている。レジスト層７５の開口部７５ａと重なる部分が、遮光層２２の開口部２２ａとなる。次に、図１４（ｂ）に示すように、レジスト層７５を除去する。

次に、図１４（ｃ）に示すように、遮光層２２をマスクとして、レンズ層１２を異方性エッチングする（除去工程）。除去工程では、遮光層２２をマスクとして利用するため、レンズ層１２をエッチングするためのエッチング用マスクを不要にできるので、そのエッチング用マスクを形成するためのフォトリソ工程を削減できる。また、遮光層２２をマスクとしてレンズ層１２をエッチングすることで、マイクロレンズアレイと遮光層２２との平面的な位置ズレが抑えられるので、相互の位置ズレに起因する光利用率の低下が抑えられる。

図１４（ｃ）に示す除去工程において、レンズ層１２のうち遮光層２２に覆われていない部分、すなわち開口部２２ａ内の部分を、遮光層２２側から厚さ方向に除去して凹部１６を形成する。このとき、レンズ層１２における遮光層２２に覆われた部分（分断部）１７と開口部２２ａ内の部分との境界、すなわち凹部１６の角部１６ａで基板１１が露出する深さＤ５までエッチングを行う。これにより、凹部１６が形成されて、マイクロレンズアレイ基板１０Ｂが完成する。

この後マイクロレンズアレイ基板１０Ｂを備えた素子基板２０を製造する場合は、マイクロレンズアレイ基板１０Ｂおよび遮光層上に絶縁層２３を形成して表面の段差を緩和し、絶縁層２３上にＴＦＴ２４を形成する。なお、除去工程の後で、例えば、凹部１６を埋め込む埋め込み層を設けることにより、凹部１６や遮光層２２によるマイクロレンズアレイ基板１０Ｂ（レンズ層１２）表面の段差を緩和してもよい。

第３の実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）マイクロレンズアレイ基板１０Ｂでは、レンズ層１２に設けられた凹部１６の４隅の角部１６ａでＷ方向（Ｂ−Ｂ’線方向）においてレンズ層１２が分断されているので、Ｗ方向においてレンズ層１２にかかる応力が分散される。また、凹部１６が設けられた分だけレンズ層１２全体の体積が小さくなるので、レンズ層１２にかかる応力が緩和される。一方、Ｘ方向およびＹ方向（Ａ−Ａ’線方向）において隣り合う凹部１１ｂ同士（マイクロレンズＭＬ同士）の間ではレンズ層１２が連続しており、マイクロレンズＭＬ同士の間に入射する光はマイクロレンズＭＬで集光されて利用されるので、マイクロレンズＭＬ同士の間が間隔を空けて配置されている場合に比べて、光利用効率が向上する。これにより、上記実施形態と同様に、レンズ層１２のクラックが抑えられ、かつ、光利用効率が向上するマイクロレンズアレイ基板１０Ｂを提供することができる。

（２）レンズ層１２を形成し、レンズ層１２上に遮光層２２を形成した後、遮光層２２に覆われていない部分を遮光層２２側から厚さ方向に除去するので、遮光層２２をエッチング用マスクとして利用し、レンズ層１２をエッチングすることができる。そのため、レンズ層１２のエッチング用マスクを不要にできるので、そのエッチング用マスクを形成するためのフォトリソ工程を削減できる。また、遮光層２２をエッチング用マスクとしてレンズ層１２をエッチングすることで、基板１１が露出する凹部１６の角部１６ａ、およびマイクロレンズＭＬの遮光層２２に対する位置ズレが抑えられる。そのため、マイクロレンズＭＬと遮光層２２との相互の位置ズレに起因する光利用率の低下を抑えることができる。

（３）平坦化処理後のレンズ層１２の層厚によってマイクロレンズＭＬと遮光層２２との厚さ方向（Ｚ方向）の位置関係が決まるので、平坦化処理の際にレンズ層１２の層厚を制御することにより、マイクロレンズＭＬの焦点距離などの光学条件を合わせ込むことが可能となる。

（第４の実施形態）
＜マイクロレンズアレイ基板＞
次に、第４の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を説明する。図１５は、第４の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略平面図である。詳しくは、図１５（ａ）は図５のＡ−Ａ’線（Ｘ方向）に沿った概略断面図であり、図１５（ｂ）は図５のＢ−Ｂ’線（Ｗ方向）に沿った概略断面図である。

第４の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ｃは、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０に対して、レンズ層１２上に透明層１８が設けられている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図１５（ａ）および（ｂ）に示すように、第４の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ｃでは、レンズ層１２上に、少なくとも貫通孔１３を埋め込むように形成された透明層１８が設けられている。透明層１８は、例えば、レンズ層１２のマイクロレンズＭＬが配列された領域を覆うように設けられている。透明層１８が設けられたことにより、レンズ層１２に設けられた貫通孔１３による段差が緩和される。

透明層１８は、光透過性を有し、レンズ層１２と略同一の屈折率を有する。そして、透明層１８は、レンズ層１２よりも高い耐熱性を有する。透明層１８の材料としては、例えば、ＳｉＯＮやＳｉＮなどの無機材料を用いることができる。

＜マイクロレンズアレイ基板の製造方法＞
第４の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ｃの製造方法は、第１の実施形態における除去工程の後に、透明層１８を形成する工程を備えている。図示を省略するが、透明層１８を形成する工程では、例えばＣＶＤ法を用いて、レンズ層１２に設けられた貫通孔１３を埋め込むように透明層１８を形成する。また、透明層１８を形成する工程では、レンズ層１２を形成する工程よりも高い温度でレンズ層１２上に透明層１８を形成する。

第４の実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）レンズ層１２の貫通孔１３を埋め込むように透明層１８が形成されているため、貫通孔１３によるレンズ層１２の表面の段差が緩和される。これにより、マイクロレンズアレイ基板１０Ｃの上層に遮光層２２や配線を形成する場合に、遮光層２２や配線を安定した状態で形成することができる。

（２）透明層１８は、光透過性を有しており、レンズ層１２と略同一の屈折率を有しているため、貫通孔１３の界面における光の不要な反射や散乱が抑えられるので、マイクロレンズアレイ基板１０Ｃに入射する光の透過率の低下を抑えることができる。

（３）透明層１８は、レンズ層１２よりも高い耐熱性を有しているので、マイクロレンズアレイ基板１０Ｃが高温加熱や冷却などの温度変化に晒された場合でも、レンズ層１２のクラックをより抑えることができる。

（第５の実施形態）
＜電子機器＞
次に、第５の実施形態に係る電子機器について図１６を参照して説明する。図１６は、第５の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。

図１６に示すように、第５の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクター（投射型表示装置）１００は、偏光照明装置１１０と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１０４，１０５と、３つの反射ミラー１０６，１０７，１０８と、５つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３，１１４，１１５と、３つの液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１１６と、投射レンズ１１７とを備えている。

偏光照明装置１１０は、例えば超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とを備えている。ランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とは、システム光軸Ｌに沿って配置されている。

ダイクロイックミラー１０４は、偏光照明装置１１０から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１０５は、ダイクロイックミラー１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１０６で反射した後にリレーレンズ１１５を経由して液晶ライトバルブ１２１に入射する。ダイクロイックミラー１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１１４を経由して液晶ライトバルブ１２２に入射する。ダイクロイックミラー１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３と２つの反射ミラー１０７，１０８とで構成される導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３に入射する。

光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３は、クロスダイクロイックプリズム１１６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調され、クロスダイクロイックプリズム１１６に向けて射出される。

クロスダイクロイックプリズム１１６は、４つの直角プリズムが貼り合わされて構成されており、その内面には赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１１７によってスクリーン１３０上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１は、上述した各実施形態のマイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを有する液晶装置１が適用されたものである。液晶ライトバルブ１２１は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２，１２３も同様である。

第５の実施形態に係るプロジェクター１００の構成によれば、複数の画素Ｐが高精細に配置されていても、入射した色光を効率よく利用可能なマイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを有する液晶装置１を備えているので、品質が高く明るいプロジェクター１００を提供することができる。

上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形及び応用が可能である。変形例としては、例えば、以下のようなものが考えられる。

（変形例１）
第４の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ｃは、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０のレンズ層１２の貫通孔１３を埋め込むように透明層１８が設けられた構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。第２の実施形態、第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ａ，１０Ｂのレンズ層１２の溝部１４や凹部１６を埋め込むように透明層１８が設けられた構成としてもよい。このような構成においても、第４の実施形態と同様の効果が得られる。

（変形例２）
上述した各実施形態では、液晶装置１において、マイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを素子基板２０に備えていたが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、マイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを対向基板３０に備えた構成としてもよい。また、マイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを素子基板２０および対向基板３０の双方に備えた構成としてもよい。なお、マイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを対向基板３０に備える場合は、貫通孔１３などの基板１１に到達する不連続部分は、遮光層３２（図３参照）と平面的に重なる位置に配置される。

（変形例３）
上述した実施形態では、マイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃのレンズ層１２に設けられた、貫通孔１３などの基板１１に到達する不連続部分が、Ｗ方向（Ｂ−Ｂ’線方向）に隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の間毎に設けられた構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。貫通孔１３などの不連続部分は、例えば、Ｗ方向（Ｂ−Ｂ’線方向）に隣り合うマイクロレンズＭＬ同士の間の一つ置きや２つ置きに設けられていてもよい。

（変形例４）
上述した実施形態では、マイクロレンズＭＬ（基板１１の凹部１１ｂ）が断面視で略半球状などの曲面形状を有していたが、本発明はこのような形態に限定されない。マイクロレンズＭＬ（基板１１の凹部１１ｂ）が断面視で、例えばＶ字状など他の形状を有していてもよい。

（変形例５）
上述した実施形態では、マイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃにおいて、一つのマイクロレンズＭＬが一つの画素Ｐに対応して設けられた構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３つの画素Ｐが画像を形成する際の一つの単位となる場合などに、一つのマイクロレンズＭＬが赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３つの画素Ｐに対応して設けられた構成としてもよい。

（変形例６）
上述した実施形態では、マイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃにおいて、マイクロレンズアレイＭＬ（基板１１の凹部１１ｂ）がマトリックス状に配列された構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。マイクロレンズアレイＭＬの配列は、画素Ｐの配列に対応して、例えば、ハニカム状の配列など異なる配列であってもよい。

（変形例７）
上述した実施形態の液晶装置１を適用可能な電子機器は、プロジェクター１００に限定されない。液晶装置１は、例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。

１…液晶装置（電気光学装置）、１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…マイクロレンズアレイ基板、１１…基板、１１ａ…一面、１１ｂ…凹部、１２…レンズ層、１３…貫通孔、１４…溝部、１６…凹部、１８…透明層、２２…遮光層、２４…ＴＦＴ（トランジスター）、１００…プロジェクター（電子機器）、ＭＬ…マイクロレンズ、Ｐ…画素。

Claims (11)

1. 第１方向、前記第１方向と交差する第２方向、前記第１方向および前記第２方向と交差する第３方向に配列された凹部が一面に形成され、光透過性を有する基板と、
   前記基板の前記一面に前記凹部を埋め込むとともに前記凹部が形成された領域を覆うように形成され、光透過性を有し、前記基板とは異なる屈折率を有するレンズ層と、を備え、
   前記レンズ層には、平面視で、前記第１方向、前記第２方向、および前記第３方向のうちの前記第３方向において隣り合う前記凹部同士の間に不連続部分が設けられ、少なくとも前記第１方向および前記第２方向の一方において隣り合う前記凹部同士の間では前記レンズ層が連続していることを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
2. 請求項１に記載のマイクロレンズアレイ基板であって、
   前記凹部は、前記第１方向および前記第２方向に沿って格子状に区画されており、
   前記第３方向は格子状の交点同士を対角に結ぶ方向であり、
   前記不連続部分は、格子状の前記交点に対応する位置に設けられていることを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
3. 請求項１または２に記載のマイクロレンズアレイ基板であって、
   前記レンズ層の前記基板と反対側に画素毎に設けられ、チャネル領域を有するトランジスターと、
   前記レンズ層と前記トランジスターとの間に、平面視で前記トランジスターの少なくとも前記チャネル領域と重なるように設けられた遮光層と、を備え、
   前記不連続部分は、平面視で前記遮光層と重なる領域に設けられていることを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板であって、
   前記レンズ層は、前記不連続部分として、前記基板に到達する貫通孔を有していることを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
5. 請求項１から３のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板であって、
   前記レンズ層は、平面視で前記第１方向および前記第２方向の少なくとも一方向に沿って前記凹部同士の間に形成され、前記第３方向において隣り合う前記凹部同士の間で前記基板に到達する深さを有する溝部を備え、
   前記不連続部分は、前記溝部における前記基板に到達する部分であることを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板であって、
   前記レンズ層の前記不連続部分を埋め込むように形成され、光透過性を有し、前記レンズ層と略同一の屈折率を有する透明層を備えていることを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
7. 請求項１から６のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板を備えていることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項７に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
9. 光透過性を有する基板の一面に、第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向と、に沿って格子状に区画された凹部を形成する工程と、
   前記基板の前記一面に、前記凹部を埋め込むとともに前記凹部が形成された領域を覆うように、光透過性を有し、前記基板とは異なる屈折率を有するレンズ層を形成するレンズ層形成工程と、
   前記レンズ層の一部を除去して、平面視で格子状に区画された領域の４隅と重なる位置に、前記基板が露出する部分を形成する除去工程と、を備えていることを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
10. 請求項９に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
    前記レンズ層形成工程と前記除去工程との間に、前記レンズ層上に遮光層を形成する遮光層形成工程を備え、
    前記遮光層形成工程では、平面視で前記凹部同士の境界と重なる位置に、格子状の遮光層を形成し、
    前記除去工程では、前記レンズ層のうち前記遮光層に覆われていない部分を、前記遮光層側から厚さ方向に、前記レンズ層における前記遮光層に覆われた部分との境界で前記基板が露出するまで除去することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
11. 請求項９または１０に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
    前記除去工程の後に、前記レンズ層の前記除去した部分を埋め込むように透明層を形成する工程を備え、
    前記透明層は、光透過性を有し、前記レンズ層と略同一の屈折率を有することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。

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