JP6061331B2 - 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 - Google Patents
蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6061331B2 JP6061331B2 JP2012248702A JP2012248702A JP6061331B2 JP 6061331 B2 JP6061331 B2 JP 6061331B2 JP 2012248702 A JP2012248702 A JP 2012248702A JP 2012248702 A JP2012248702 A JP 2012248702A JP 6061331 B2 JP6061331 B2 JP 6061331B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- crystal
- light
- phosphor according
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
前記Ba5Si11Al7N25で示される結晶と同一の結晶構造を有する無機結晶は、A5(D,E)18X25で示される結晶、または、A5Si11Al7N25で示される結晶であってもよい。
前記少なくともA元素にSrとBaのいずれかまたは両方を含み、D元素にSiを含み、E元素にAlを含み、X元素にNを含み、必要に応じてX元素にOを含んでもよい。
前記Ba5Si11Al7N25で示される結晶と同一の結晶構造を有する無機結晶が、(Sr,Ba)5Si11Al7N25であってもよい。
前記Ba5Si11Al7N25で示される結晶と同一の結晶構造を有する無機結晶が、
(Sr、Ba)5Si11−xAl7+xOxN25−x(ただし、0 ≦ x ≦ 6)の組成式で示されてもよい。
M元素はEu、D元素はSi、E元素はAl、X元素はOおよびNであり、前記無機化合物は、
A5Si11−xAl7+xOxN25−x(ただし、0 ≦ x ≦ 6)
で示される結晶にEuが固溶していてもよい。
前記xは0であってもよい。
前記A元素は、SrおよびBaの組み合わせであってもよい。
前記M元素がEuであってもよい。
360nmから500nmの光を照射すると550nm以上650nm以下の黄色または橙色の蛍光を発してもよい。
前記無機結晶は、斜方晶系の結晶であってもよい。
前記無機結晶は、斜方晶系の結晶であり、空間群Pnnmの対称性を持ち、
格子定数a、b、cは、
a = 0.95928±0.05 nm
b = 2.13991±0.05 nm
c = 0.58889±0.05 nm
の範囲の値であってもよい。
前記無機化合物は、組成式MdAeDfEgXh(ただし、式中d+e+f+g+h=1であり、Mは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、B、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素、Xは、O、N、Fから選ばれる1種または2種以上の元素)で示され、パラメータd、e、f、g、hが、
0.00001 ≦ d ≦ 0.10
0.08 ≦ e ≦ 0.15
0.14 ≦ f ≦ 0.4
0.1 ≦ g ≦ 0.3
0.45 ≦ h ≦ 0.6
の条件を全て満たす範囲の組成で表されてもよい。
前記パラメータd、e、fおよびgは、
4/18 ≦ (d+e)/(f+g) ≦ 6/18
を満たしてもよい。
前記パラメータd、e、f、g、hが、
0.07 ≦ d+e ≦ 5/48+0.05
(18/48)−0.05 ≦ f+g ≦ (18/48)+0.05
(25/48)−0.05 ≦ h ≦ (25/48)+0.05
の条件を全て満たす範囲の値であってもよい。
前記パラメータf、gが、
1/18 ≦ f/(f+g) ≦ 11/18
の条件を満たしてもよい。
前記X元素がNとOとを含み、組成式MdAeDfEgOh1Nh2(ただし、式中d+e+f+g+h1+h2=1、および、h1+h2=hである)で示され、
0/25 < h1/(h1+h2) ≦ 10/25
を満たしてもよい。
前記M元素として少なくともEuを含んでもよい。
前記A元素として少なくともSrおよび/またはBaを含み、前記D元素として少なくともSiを含み、前記E元素として少なくともAlを含み、前記X元素として少なくともNを含んでもよい。
前記E元素としてホウ素を0.001質量%以上1質量%以下含んでもよい。
前記無機化合物が、平均粒径0.1μm以上20μm以下の単結晶粒子あるいは単結晶の集合体であってもよい。
前記無機化合物に含まれる、Fe、Co、Ni不純物元素の合計が500ppm以下であってもよい。
上記無機化合物からなる蛍光体と他の結晶相あるいはアモルファス相との混合物から構成され、蛍光体の含有量が20質量%以上であってもよい。
前記他の結晶相あるいはアモルファス相が導電性を持つ無機物質であってもよい。
前記導電性を持つ無機物質がZn、Al、Ga、In、Snから選ばれる1種または2種以上の元素を含む酸化物、酸窒化物、または窒化物、あるいはこれらの混合物であってもよい。
前記他の結晶相あるいはアモルファス相が前記蛍光体とは異なる無機蛍光体であってもよい。
励起源を照射することにより550nmから730nmの範囲の波長にピークを持つ蛍光を発してもよい。
前記励起源が100nm以上520nm以下の波長を持つ真空紫外線、紫外線または可視光、電子線またはX線であってもよい。
励起源が照射されたときに発光する色がCIE1931色度座標上の(x,y)の値で、
0.3 ≦ x ≦ 0.7
0.3 ≦ y ≦ 0.7
の条件を満たしてもよい。
本発明による蛍光体の製造方法は、金属化合物の混合物であって焼成することにより、上記蛍光体を構成しうる原料混合物を、窒素を含有する不活性雰囲気中において1200℃以上2200℃以下の温度範囲で焼成し、これにより上記課題を解決する。
前記金属化合物の混合物が、Mを含有する化合物と、Aを含有する化合物と、Dを含有する化合物と、Eを含有する化合物と、Xを含有する化合物(ただし、Mは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、B、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素、Xは、O、N、Fから選ばれる1種または2種以上の元素)とからなってもよい。
前記Mを含有する化合物が、Mを含有する金属、ケイ化物、酸化物、炭酸塩、窒化物、酸窒化物、塩化物、フッ化物、または酸フッ化物から選ばれる単体または2種以上の混合物であり、前記Aを含有する化合物が、Aを含有する金属、ケイ化物、酸化物、炭酸塩、窒化物、酸窒化物、塩化物、フッ化物、または酸フッ化物から選ばれる単体または2種以上の混合物であり、前記Dを含有する化合物が、金属、ケイ化物、酸化物、炭酸塩、窒化物、酸窒化物、塩化物、フッ化物、または酸フッ化物から選ばれる単体または2種以上の混合物であってもよい。
前記金属化合物の混合物が、少なくとも、ユーロピウムの窒化物または酸化物と、バリウムの窒化物または酸化物または炭酸塩と、酸化ケイ素または窒化ケイ素と、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムとを含有してもよい。
前記窒素を含有する不活性雰囲気が0.1MPa以上100MPa以下の圧力範囲の窒素ガス雰囲気であってもよい。
焼成炉の発熱体、断熱体、または試料容器に黒鉛を使用してもよい。
粉体または凝集体形状の金属化合物を、嵩密度40%以下の充填率に保持した状態で容器に充填した後に焼成してもよい。
焼成に使う容器が窒化ホウ素製であってもよい。
金属化合物の粉体粒子または凝集体の平均粒径が500μm以下であってもよい。
スプレイドライヤ、ふるい分け、または風力分級により、金属化合物の凝集体の平均粒径を500μm以下に制御してもよい。
焼結手段がホットプレスによることなく、専ら常圧焼結法もしくはガス圧焼結法による手段であってもよい。
粉砕、分級、酸処理から選ばれる1種ないし複数の手法により、焼成により合成した蛍光体粉末の平均粒径を50nm以上20μm以下に粒度調整してもよい。
焼成後の蛍光体粉末、あるいは粉砕処理後の蛍光体粉末、もしくは粒度調整後の蛍光体粉末を、1000℃以上で焼成温度以下の温度で熱処理してもよい。
前記金属化合物の混合物に、焼成温度以下の温度で液相を生成する無機化合物を添加して焼成してもよい。
前記焼成温度以下の温度で液相を生成する無機化合物が、Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素のフッ化物、塩化物、ヨウ化物、臭化物、あるいはリン酸塩の1種または2種以上の混合物であってもよい。
焼成後に溶剤で洗浄することにより、焼成温度以下の温度で液相を生成する無機化合物の含有量を低減させてもよい。
本発明による発光装置は、少なくとも発光体と蛍光体とから構成され、少なくとも上記蛍光体を用い、これにより上記課題を解決する。
前記発光体が330〜500nmの波長の光を発する発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)、半導体レーザ、または有機EL発光体(OLED)であってもよい。
前記発光装置が、白色発光ダイオード、または白色発光ダイオードを複数含む照明器具、液晶パネル用バックライトであってもよい。
前記発光体がピーク波長300〜500nmの紫外または可視光を発し、上記蛍光体が発する黄色または橙色光と他の蛍光体が発する450nm以上の波長の光を混合することにより白色光または白色光以外の光を発してもよい。
前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長420nm〜500nm以下の光を発する青色蛍光体をさらに含んでもよい。
前記青色蛍光体が、AlN:(Eu,Si)、BaMgAl10O17:Eu、SrSi9Al19ON31:Eu、LaSi9Al19N32:Eu、α−サイアロン:Ce、JEM:Ceから選ばれてもよい。
前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長500nm以上550nm以下の光を発する緑色蛍光体をさらに含んでもよい。
前記緑色蛍光体が、β−サイアロン:Eu、(Ba,Sr,Ca,Mg)2SiO4:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si2O2N2:Euから選ばれてもよい。
前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長550nm以上600nm以下の光を発する黄色蛍光体をさらに含んでもよい。
前記黄色蛍光体が、YAG:Ce、α−sialon:Eu、CaAlSiN3:Ce、La3Si6N11:Ceから選ばれてもよい。
前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長600nm以上700nm以下の光を発する赤色蛍光体をさらに含んでもよい。
前記赤色蛍光体が、CaAlSiN3:Eu、(Ca,Sr)AlSiN3:Eu、Ca2Si5N8:Eu、Sr2Si5N8:Euから選ばれてもよい。
前記発光体が320〜500nmの波長の光を発するLEDであってもよい。
本発明による画像表示装置は、励起源と蛍光体から構成され、少なくとも上記蛍光体を用い、これにより上記課題を解決する。
前記画像表示装置が、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、陰極線管(CRT)、液晶ディスプレイ(LCD)のいずれかであってもよい。
本発明による顔料は、上記無機化合物からなる。
本発明による紫外線吸収剤は、上記無機化合物からなる。
本発明の蛍光体は、少なくともA元素と、D元素と、E元素と、X元素(ただし、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、B、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素、Xは、O、N、Fから選ばれる1種または2種以上の元素)の元素を含み、Ba5Si11Al7N25で示される結晶からなる無機結晶、あるいは、Ba5Si11Al7N25で示される結晶と同一の結晶構造を有する無機結晶、あるいは、これらの結晶の固溶体結晶に、M元素(ただしMは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素)が固溶した無機化合物からなる蛍光体は特に高い輝度を示す。
(Sr,Ba)5Si11−xAl7+xOxN25−x
ただし、0 ≦ x ≦ 6、
の組成式で示される結晶をホストとする蛍光体は、発光強度が高く組成を変えることにより色調の変化が制御できる蛍光体である。中でもxが0である、
(Sr,Ba)5Si11Al7N25
の組成式で示される結晶を含む蛍光体は、安定であり、発光強度が高い。
A5Si11−xAl7+xOxN25−x
ただし、0 ≦ x ≦ 6
で示される結晶にEuが固溶していてもよい。これにより高輝度発光する蛍光体を提供できる。より好ましくは、A元素はSrおよびBaの組み合わせであり、上述の結晶構造を有する結晶が安定し、発光特性を向上させることができる。さらに好ましくは、xが0であり、結晶構造を安定させるとともに、550nm以上650nm以下の黄色〜橙色の蛍光を発する。
EuyBa5ーySi11−xAl7+xOzN25−z
ただし、
0 ≦ x ≦ 6
0.0001 ≦ y ≦ 2
で示されてもよい。このような範囲では、安定な結晶構造を保ったままxとyのパラメータを変えることによる組成範囲でEu/Ba比、Si/Al比、N/O比を変化させることができる。これにより、励起波長や発光波長を連続的に変化させることができるため、材料設計がやりやすい蛍光体である。
a = 0.95928±0.05 nm
b = 2.13991±0.05 nm
c = 0.58889±0.05 nmの範囲のものは結晶が特に安定であり、これらをホスト結晶とする蛍光体は発光強度が高い。この範囲を外れると結晶が不安定となり発光強度が低下することがある。
0.00001 ≦ d ≦ 0.10
0.08 ≦ e ≦ 0.15
0.14 ≦ f ≦ 0.4
0.1 ≦ g ≦ 0.3
0.45 ≦ h ≦ 0.6
の条件を全て満たす蛍光体は特に発光強度が高い。
4/18 ≦ (d+e)/(f+g) ≦ 6/18
を満たす。この範囲を満たす無機化合物を含む蛍光体は、蛍光特性に優れる。
0.07 ≦ d+e ≦ 5/48+0.05
(18/48)−0.05 ≦ f+g ≦ (18/48)+0.05
(25/48)−0.05 ≦ h ≦ (25/48)+0.05
を満たす。この範囲を満たす無機化合物を含む蛍光体は、結晶構造が安定であり特に発光強度が高い。なかでも、
d+e=5/48
f+g=18/48
h=25/48
を満たす無機化合物を含む蛍光体は、上述の結晶構造(例えば、(M,A)5(D,E)18X25の組成を持つ結晶)が特に安定であるため、発光強度に優れる。
1/18 ≦ f/(f+g) ≦ 11/18
満たす。これにより、発光強度が高くなる。
7/18 ≦ f/(f+g) ≦ 11/18
満たす。これにより、結晶構造が安定となり発光強度が高くなる。
0/25 < h1/(h1+h2) ≦ 10/25
を満たす無機化合物を含む蛍光体は、蛍光特性に優れる。無機化合物中に含まれるNとOとの原子数の比がこのようになると、結晶構造が安定であり、発光強度が高い。
0/25 < h1/(h1+h2) ≦ 4/25
を満たす。これにより、さらに発光強度が高くなる。
0.3 ≦ x ≦ 0.7
0.3 ≦ y ≦ 0.7
範囲の蛍光体がある。例えば、
EuyBa5ーySi11−xAl7+xOxN25−x
ただし、
0 ≦ x ≦ 6
0.0001 ≦ y ≦ 2
で示される組成に調整することにより、この範囲の色度座標の色を発色する蛍光体が得られる。白色LED等の黄色または橙色発光の用途に用いると良い。
合成に使用した原料粉末は、比表面積11.2m2/gの粒度の、酸素含有量1.29重量%、α型含有量95%の窒化ケイ素粉末(宇部興産(株)製のSN−E10グレード)と、二酸化ケイ素粉末(SiO2;高純度化学研究所製)と、比表面積3.3m2/gの粒度の、酸素含有量0.82重量%の窒化アルミニウム粉末((株)トクヤマ製のEグレード)と、比表面積13.2m2/gの粒度の酸化アルミニウム粉末(大明化学工業製タイミクロン)と、窒化カルシウム(Ca3N2;高純度化学研究所製)と、純度99.5%の窒化ストロンチウム(Sr3N2;セラック製)と、純度99.7%の窒化バリウム(Ba3N2;セラック製)と、酸化ユーロピウム(Eu2O3;純度99.9%信越化学工業(株)製)と、窒化ユーロピウム(EuN;金属ユーロピウムをアンモニア気流中で800℃で10時間加熱することにより、金属を窒化して得たもの)と、希土類酸化物(純度99.9%信越化学工業製)であった。
窒化ケイ素(Si3N4)、窒化バリウム(Ba3N2)、窒化アルミニウム(AlN)をモル比で11:5:21の割合で混合組成を設計した。これらの原料粉末を、上記混合組成となるように秤量し、窒化ケイ素焼結体製乳棒と乳鉢を用いて5分間混合を行なった。次いで、得られた混合粉末を、窒化ホウ素焼結体製のるつぼに投入した。混合粉末(粉体)の嵩密度は約30%であった。
a = 0.95928nm、b = 2.13991nm、c = 0.58889nm、角度α=90°、β=90°、γ=90°であった。また原子位置は表1に示す通りであった。なお、表中、SiとAlは同じ原子位置に組成によって決まるある割合で存在する。また、一般的にサイアロン系の結晶においてXが入る席には酸素と窒素が入ることができるが、Baは+2価、Alは+3価、Siは+4価であるので、原子位置とBaとAlとSiの比がわかれば、(O,N)位置を占めるOとNの比は結晶の電気的中性の条件から求められる。EDSの測定値のBa:Si:Al比と結晶構造データから求めたこの結晶の組成は、Ba5Si11Al7N2であった。なお、出発原料組成と結晶組成が異なるのは、少量の第二相としてBa5Si11Al7N2以外の組成物が生成したことによるが、本測定は単結晶を用いているので解析結果は純粋なBa5Si11Al7N2構造を示している。
Ba5Si11−xAl7+xN25−xOx(ただし、0 ≦ x ≦ 10)で示される組成としても記述できる。
表2に示す設計組成に従って、原料を表3の混合組成(モル比)となるように秤量した。ここで、設計組成の基準となるパラメータを用いた変換パラメータについても、表4にまとめる。使用する原料の種類によっては表2の設計組成と表3の混合組成で組成が異なる場合が生じるが、この場合は金属イオンの量が合致するように混合組成を決定した。秤量した原料粉末を窒化ケイ素焼結体製乳棒と乳鉢を用いて5分間混合を行なった。その後、混合粉末を窒化ホウ素焼結体製のるつぼに投入した。粉体の嵩密度は約20%から30%であった。
図5は、実施例1で合成した蛍光体の励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す図である。
次ぎに、本発明の蛍光体を用いた発光装置について説明する。
図6は、本発明による照明器具(砲弾型LED照明器具)を示す概略図である。
図7は、本発明による照明器具(基板実装型LED照明器具)を示す概略図である。
図8は、本発明による画像表示装置(プラズマディスプレイパネル)を示す概略図である。
図9は、本発明による画像表示装置(フィールドエミッションディスプレイパネル)を示す概略図である。
2、3.リードワイヤ。
4.発光ダイオード素子。
5.ボンディングワイヤ。
6、8.樹脂。
7.蛍光体。
11.基板実装用チップ型白色発光ダイオードランプ。
12、13.リードワイヤ。
14.発光ダイオード素子。
15.ボンディングワイヤ。
16、18.樹脂。
17.蛍光体。
19.アルミナセラミックス基板。
20.側面部材。
31.赤色蛍光体。
32.緑色蛍光体。
33.青色蛍光体。
34、35、36.紫外線発光セル。
37、38、39、40.電極。
41、42.誘電体層。
43.保護層。
44、45.ガラス基板。
51.ガラス。
52.陰極。
53.陽極。
54.ゲート。
55.エミッタ。
56.蛍光体。
57.電子。
Claims (60)
- 少なくともA元素とD元素とE元素とX元素(ただし、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素であり、かつ、Ca、SrおよびBaからなる群から少なくとも1つ選択される元素を含み、DはSiであり、EはAlであり、Xは、N、または、NおよびOの組み合わせである)の元素を含み、Ba5Si11Al7N25で示される結晶からなる無機結晶、Ba5Si11Al7N25で示される結晶と同一の結晶構造を有する無機結晶、または、これらの固溶体結晶に、M元素(ただしMは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素)が固溶した無機化合物からなる蛍光体。
- 前記Ba5Si11Al7N25で示される結晶と同一の結晶構造を有する無機結晶は、A5(D,E)18X25で示される結晶、または、A5Si11Al7N25で示される結晶である、請求項1に記載の蛍光体。
- 前記Ba5Si11Al7N25で示される結晶と同一の結晶構造を有する無機結晶が、(Sr,Ba)5Si11Al7N25である、請求項1に記載の蛍光体。
- 前記Ba5Si11Al7N25で示される結晶と同一の結晶構造を有する無機結晶が、
(Sr、Ba)5Si11−xAl7+xOxN25−x(ただし、0 ≦ x ≦ 6)の組成式で示される、請求項1に記載の蛍光体。 - M元素はEuであり、X元素はOおよびNの組み合わせであり、前記無機化合物は、
A5Si11−xAl7+xOxN25−x(ただし、0 ≦ x ≦ 6)
で示される結晶にEuが固溶している、請求項1に記載の蛍光体。 - 前記xは0である、請求項5に記載の蛍光体。
- 前記A元素は、SrおよびBaの組み合わせである、請求項5に記載の蛍光体。
- 前記M元素がEuである、請求項1に記載の蛍光体。
- 360nmから500nmの光を照射すると550nm以上650nm以下の黄色または橙色の蛍光を発する、請求項8に記載の蛍光体。
- 前記無機結晶は、斜方晶系の結晶である、請求項1に記載の蛍光体。
- 前記無機結晶は、斜方晶系の結晶であり、空間群Pnnmの対称性を持ち、
格子定数a、b、cは、
a = 0.95928±0.05 nm
b = 2.13991±0.05 nm
c = 0.58889±0.05 nm
の範囲の値である、請求項1に記載の蛍光体。 - 前記無機化合物は、組成式MdAeDfEgXh(ただし、式中d+e+f+g+h=1であり、Mは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素であり、かつ、Ca、SrおよびBaからなる群から少なくとも1つ選択される元素を含み、DはSiであり、EはAlであり、Xは、N、または、NおよびOの組み合わせである)で示され、パラメータd、e、f、g、hが、
0.00001 ≦ d ≦ 0.10
0.08 ≦ e ≦ 0.15
0.14 ≦ f ≦ 0.4
0.1 ≦ g ≦ 0.3
0.45 ≦ h ≦ 0.6
の条件を全て満たす範囲の組成で表される、請求項1に記載の蛍光体。 - 前記パラメータd、e、fおよびgは、
4/18 ≦ (d+e)/(f+g) ≦ 6/18
を満たす、請求項12に記載の蛍光体。 - 前記パラメータd、e、f、g、hが、
0.07 ≦ d+e ≦ 5/48+0.05
(18/48)−0.05 ≦ f+g ≦ (18/48)+0.05
(25/48)−0.05 ≦ h ≦ (25/48)+0.05
の条件を全て満たす範囲の値である、請求項12に記載の蛍光体。 - 前記パラメータf、gが、
1/18 ≦ f/(f+g) ≦ 11/18
の条件を満たす、請求項12に記載の蛍光体。 - 前記X元素がNとOとの組み合わせであり、組成式MdAeDfEgOh1Nh2(ただし、式中d+e+f+g+h1+h2=1、および、h1+h2=hである)で示され、
0/25 < h1/(h1+h2) ≦ 10/25
を満たす、請求項12に記載の蛍光体。 - 前記M元素として少なくともEuを含む、請求項12に記載の蛍光体。
- 前記E元素としてホウ素を0.001質量%以上1質量%以下含む、請求項12に記載の蛍光体。
- 前記無機化合物が、平均粒径0.1μm以上20μm以下の単結晶粒子あるいは単結晶の集合体である、請求項1に記載の蛍光体。
- 前記無機化合物に含まれる、Fe、Co、Ni不純物元素の合計が500ppm以下である、請求項1に記載の蛍光体。
- 請求項1に記載の無機化合物からなる蛍光体と他の結晶相あるいはアモルファス相との混合物から構成され、前記請求項1に記載の無機化合物からなる蛍光体の含有量が20質量%以上である、請求項1に記載の蛍光体。
- 前記他の結晶相あるいはアモルファス相が導電性を持つ無機物質である、請求項21に記載の蛍光体。
- 前記導電性を持つ無機物質がZn、Al、Ga、In、Snから選ばれる1種または2種以上の元素を含む酸化物、酸窒化物、または窒化物、あるいはこれらの混合物である、請求項22に記載の蛍光体。
- 前記他の結晶相あるいはアモルファス相が前記蛍光体とは異なる無機蛍光体である、請求項21に記載の蛍光体。
- 励起源を照射することにより550nmから730nmの範囲の波長にピークを持つ蛍光を発する、請求項1に記載の蛍光体。
- 前記励起源が100nm以上520nm以下の波長を持つ真空紫外線、紫外線または可視光、電子線またはX線である、請求項25に記載の蛍光体。
- 励起源が照射されたときに発光する色がCIE1931色度座標上の(x,y)の値で、
0.3 ≦ x ≦ 0.7
0.3 ≦ y ≦ 0.7
の条件を満たす、請求項1に記載の蛍光体。 - 金属化合物の混合物であって焼成することにより、請求項1に記載の蛍光体を構成しうる原料混合物を、窒素を含有する不活性雰囲気中において1200℃以上2200℃以下の温度範囲で焼成する、請求項1に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記金属化合物の混合物が、Mを含有する化合物と、Aを含有する化合物と、Dを含有する化合物と、Eを含有する化合物と、Xを含有する化合物(ただし、Mは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素であり、かつ、Ca、SrおよびBaからなる群から少なくとも1つ選択される元素を含み、DはSiであり、EはAlであり、Xは、N、または、NおよびOの組み合わせである)とからなる、請求項28に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記Mを含有する化合物が、Mを含有する金属、ケイ化物、酸化物、炭酸塩、窒化物、酸窒化物、塩化物、フッ化物、または酸フッ化物から選ばれる単体または2種以上の混合物であり、前記Aを含有する化合物が、Aを含有する金属、ケイ化物、酸化物、炭酸塩、窒化物、酸窒化物、塩化物、フッ化物、または酸フッ化物から選ばれる単体または2種以上の混合物であり、前記Dを含有する化合物が、金属、ケイ化物、酸化物、炭酸塩、窒化物、酸窒化物、塩化物、フッ化物、または酸フッ化物から選ばれる単体または2種以上の混合物である、請求項29に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記金属化合物の混合物が、少なくとも、ユーロピウムの窒化物または酸化物と、バリウムの窒化物または酸化物または炭酸塩と、酸化ケイ素または窒化ケイ素と、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムとを含有する、請求項28に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記窒素を含有する不活性雰囲気が0.1MPa以上100MPa以下の圧力範囲の窒素ガス雰囲気である、請求項28に記載の蛍光体の製造方法。
- 焼成炉の発熱体、断熱体、または試料容器に黒鉛を使用する、請求項28に記載の蛍光体の製造方法。
- 粉体または凝集体形状の金属化合物を、嵩密度40%以下の充填率に保持した状態で容器に充填した後に焼成する、請求項28に記載の蛍光体の製造方法。
- 焼成に使う容器が窒化ホウ素製である、請求項28に記載の蛍光体の製造方法。
- 金属化合物の粉体粒子または凝集体の平均粒径が500μm以下である、請求項28に記載の蛍光体の製造方法。
- スプレイドライヤ、ふるい分け、または風力分級により、金属化合物の凝集体の平均粒径を500μm以下に制御する、請求項28に記載の蛍光体の製造方法。
- 焼結手段がホットプレスによることなく、専ら常圧焼結法もしくはガス圧焼結法による手段である、請求項28に記載の蛍光体の製造方法。
- 粉砕、分級、酸処理から選ばれる1種ないし複数の手法により、焼成により合成した蛍光体粉末の平均粒径を50nm以上20μm以下に粒度調整する、請求項28に記載の蛍光体の製造方法。
- 焼成後の蛍光体粉末、あるいは粉砕処理後の蛍光体粉末、もしくは粒度調整後の蛍光体粉末を、1000℃以上で焼成温度以下の温度で熱処理する、請求項28に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記金属化合物の混合物に、焼成温度以下の温度で液相を生成する無機化合物を添加して焼成する、請求項28に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記焼成温度以下の温度で液相を生成する無機化合物が、Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素のフッ化物、塩化物、ヨウ化物、臭化物、あるいはリン酸塩の1種または2種以上の混合物である、請求項41に記載の蛍光体の製造方法。
- 焼成後に溶剤で洗浄することにより、焼成温度以下の温度で液相を生成する無機化合物の含有量を低減させる、請求項41に記載の蛍光体の製造方法。
- 少なくとも発光体と蛍光体とから構成される発光装置において、少なくとも請求項1に記載の蛍光体を用いる、発光装置。
- 前記発光体が330〜500nmの波長の光を発する発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)、半導体レーザ、または有機EL発光体(OLED)である、請求項44に記載の発光装置。
- 前記発光装置が、白色発光ダイオード、または白色発光ダイオードを複数含む照明器具、液晶パネル用バックライトである、請求項44に記載の発光装置。
- 前記発光体がピーク波長300〜500nmの紫外または可視光を発し、請求項1に記載の蛍光体が発する黄色または橙色光と他の蛍光体が発する450nm以上の波長の光を混合することにより白色光または白色光以外の光を発する、請求項44に記載の発光装置。
- 前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長420nm〜500nm以下の光を発する青色蛍光体をさらに含む、請求項44に記載の発光装置。
- 前記青色蛍光体が、AlN:(Eu,Si)、BaMgAl10O17:Eu、SrSi9Al19ON31:Eu、LaSi9Al19N32:Eu、α−サイアロン:Ce、JEM:Ceから選ばれる、請求項48に記載の発光装置。
- 前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長500nm以上550nm以下の光を発する緑色蛍光体をさらに含む、請求項44に記載の発光装置。
- 前記緑色蛍光体が、β−サイアロン:Eu、(Ba,Sr,Ca,Mg)2SiO4:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si2O2N2:Euから選ばれる、請求項50に記載の発光装置。
- 前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長550nm以上600nm以下の光を発する黄色蛍光体をさらに含む、請求項44に記載の発光装置。
- 前記黄色蛍光体が、YAG:Ce、α−sialon:Eu、CaAlSiN3:Ce、La3Si6N11:Ceから選ばれる、請求項52に記載の発光装置。
- 前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長600nm以上700nm以下の光を発する赤色蛍光体をさらに含む、請求項44に記載の発光装置。
- 前記赤色蛍光体が、CaAlSiN3:Eu、(Ca,Sr)AlSiN3:Eu、Ca2Si5N8:Eu、Sr2Si5N8:Euから選ばれる、請求項54に記載の発光装置。
- 前記発光体が320〜500nmの波長の光を発するLEDである、請求項44に記載の発光装置。
- 励起源と蛍光体から構成される画像表示装置において、少なくとも請求項1に記載の蛍光体を用いる、画像表示装置。
- 前記画像表示装置が、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、陰極線管(CRT)、液晶ディスプレイ(LCD)のいずれかである、請求項57に記載の画像表示装置。
- 請求項1に記載の無機化合物からなる顔料。
- 請求項1に記載の無機化合物からなる紫外線吸収剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012248702A JP6061331B2 (ja) | 2011-11-15 | 2012-11-12 | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011249221 | 2011-11-15 | ||
JP2011249221 | 2011-11-15 | ||
JP2012248702A JP6061331B2 (ja) | 2011-11-15 | 2012-11-12 | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013127054A JP2013127054A (ja) | 2013-06-27 |
JP6061331B2 true JP6061331B2 (ja) | 2017-01-18 |
Family
ID=48777758
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012248798A Active JP6061332B2 (ja) | 2011-11-15 | 2012-11-12 | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 |
JP2012248702A Active JP6061331B2 (ja) | 2011-11-15 | 2012-11-12 | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012248798A Active JP6061332B2 (ja) | 2011-11-15 | 2012-11-12 | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6061332B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6176664B2 (ja) * | 2013-10-17 | 2017-08-09 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料、および、紫外線吸収剤 |
CN106536677B (zh) * | 2014-06-17 | 2019-04-05 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 磷光体、包含磷光体的发光装置和制造磷光体的方法 |
KR102357584B1 (ko) | 2014-12-17 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 질화물 형광체, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치 |
CN105969356B (zh) * | 2016-05-30 | 2017-04-12 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种具有防静电功能的氮氧化物荧光体及其制备方法和发光器件 |
JP6959601B2 (ja) * | 2016-10-27 | 2021-11-02 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体の製造方法 |
JP6684412B1 (ja) * | 2019-06-27 | 2020-04-22 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法および発光装置 |
CN110791282B (zh) * | 2019-10-31 | 2022-07-12 | 云南民族大学 | 一种掺Mn4+碱金属氟铁酸盐红色发光材料及制备方法 |
WO2022044792A1 (ja) * | 2020-08-25 | 2022-03-03 | デンカ株式会社 | 蛍光体粉末の製造方法、蛍光体粉末、及び発光装置 |
CN113249126B (zh) * | 2021-05-20 | 2023-08-15 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种提高低温陷阱数量的青色力致发光材料及其制备方法和应用 |
CN116396753B (zh) * | 2023-05-02 | 2024-04-30 | 陕西师范大学 | 一种单掺杂氮氧化物冷白光荧光粉 |
CN118620617B (zh) * | 2024-08-09 | 2025-03-04 | 电子科技大学长三角研究院(湖州) | 一种晶态GaTiS-AEP有机开放骨架绿色光致发光源及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005048105A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体組成物およびそれを用いた発光装置 |
JP4674348B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2011-04-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
CN101128564B (zh) * | 2005-02-28 | 2012-07-25 | 电气化学工业株式会社 | 荧光体及其制造方法及使用了该荧光体的发光元件 |
CN102827603A (zh) * | 2005-03-04 | 2012-12-19 | 三菱化学株式会社 | 荧光体及其制备方法、和使用该荧光体的发光装置 |
EP2308946B1 (en) * | 2006-03-10 | 2013-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Luminescent material and light-emitting device |
ATE510901T1 (de) * | 2007-12-03 | 2011-06-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Lichtemittierende vorrichtung mit einem grünes licht emittierenden material auf sialonbasis |
WO2010114061A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体、蛍光体の製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び画像表示装置 |
WO2011105571A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 三菱化学株式会社 | ハロリン酸塩蛍光体、及び白色発光装置 |
CN102443391B (zh) * | 2010-09-30 | 2014-07-16 | 奇美实业股份有限公司 | 控制烧成的荧光体结构成分比例的方法、荧光体及发光装置 |
-
2012
- 2012-11-12 JP JP2012248798A patent/JP6061332B2/ja active Active
- 2012-11-12 JP JP2012248702A patent/JP6061331B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013127054A (ja) | 2013-06-27 |
JP6061332B2 (ja) | 2017-01-18 |
JP2013127055A (ja) | 2013-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5717075B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 | |
JP5713305B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 | |
JP5881092B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 | |
JP6083881B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 | |
JP5885174B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 | |
JP6061331B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 | |
JP6040500B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 | |
JP6057213B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 | |
JP6684412B1 (ja) | 蛍光体、その製造方法および発光装置 | |
JP2017210529A (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料、および、紫外線吸収剤 | |
JP6176664B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料、および、紫外線吸収剤 | |
JP5920773B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 | |
JP6735487B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 | |
JP6074807B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料、および、紫外線吸収剤 | |
JP6700630B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 | |
JP6700632B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 | |
JP6700633B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 | |
JP6700631B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151014 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160622 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6061331 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |