JP5985302B2 - 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 - Google Patents
真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5985302B2 JP5985302B2 JP2012179464A JP2012179464A JP5985302B2 JP 5985302 B2 JP5985302 B2 JP 5985302B2 JP 2012179464 A JP2012179464 A JP 2012179464A JP 2012179464 A JP2012179464 A JP 2012179464A JP 5985302 B2 JP5985302 B2 JP 5985302B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- evaporation
- film forming
- discharge
- forming material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
また本発明は、有機EL装置の製造方法に関するものである。
また有機EL素子は、一方又は双方が透光性を有する2つの電極を対向させ、この電極の間に有機化合物からなる発光層を積層したものである。
有機EL装置は、自発光デバイスであるため、ディスプレイ材料として使用すると高コントラストの画像を得ることができる。また、発光層の材料を適宜選択することにより、種々の波長の光を発光することができる。さらに白熱灯や蛍光灯に比べて厚さが極めて薄く、且つ面状に発光するので、設置場所の制約が少ない。
また、機能層205は、複数の有機化合物又は導電性酸化物の薄膜が積層されたものである。代表的な機能層205の層構成は、透明電極層203側から順に正孔注入層208、正孔輸送層210、発光層211、電子輸送層212、及び電子注入層215を有するものである。
ここで上記した各層の内、機能層205は、前記した様に複数の有機化合物の薄膜が積層されたものであり、各薄膜はいずれも真空蒸着法によって成膜される。
即ち、前記した様に機能層205は複数の有機化合物の薄膜が積層されたものであるから、機能層205を形成するには、複数回に渡って真空蒸着を行う必要がある。
また裏面電極層206は、アルミニウムや銀等の金属薄膜であり、真空蒸着法によって成膜される。
ここで旧来の真空蒸着装置は、一種類の薄膜だけしか蒸着することができないものであった。例えば、有機EL装置の機能層205は、正孔注入層208、正孔輸送層216、発光層211、電子輸送層212及び電子注入層215によって構成されているが、旧来の方法では、これらが別々の真空蒸着装置によって成膜されていた。
従って、旧来は、真空蒸着装置に対して基板を出し入れする作業を頻繁に行う必要があった。そのため旧来の方法は、作業効率が低く、改善が望まれていた。
この問題を解決する方策として、一つの成膜室で複数の薄膜層を成膜することができる真空蒸着装置が特許文献1,2に提案されている。
また各分散装置には、それぞれ複数の蒸発部が接続されており、各蒸発部から分散容器に成膜材料の蒸気が供給される。そして各分散容器から成膜室内に成膜材料の蒸気が放出されて基板に成膜される。
また特許文献1,2に開示された真空蒸着装置では、蒸発部を切り換えることによって分散容器に供給する成膜材料を変更することができ、一つの成膜室内で複数の薄膜層を成膜することができる。
即ち真空蒸着を行うためには、成膜室内を高真空にする必要がある。しかしながら、特許文献1,2に開示された真空蒸着装置では、分散容器が成膜室内に設置されているので、成膜室の容積が大きい。そのため成膜室内の空気を排出して高真空に達するのに時間が掛かってしまう。
そこで本発明は、従来技術の上記した問題点に注目し、成膜室の小型化を実現することができ、真空引きに要する時間を短縮することが可能な真空蒸着装置を開発することを課題とするものである。
また蒸発部を切り換えることによってマニホールド部に供給する成膜材料を変更することができ、一つの成膜室内で複数の薄膜層を成膜することができる。
本発明の真空蒸着装置は、シャッター部材の構造が単純であり、真空蒸着装置の製造が容易である。
本発明によると、主成膜材料と従成膜材料とを好ましい条件で放出することができる。
また本発明の有機EL装置の製造方法によると、主成膜材料と従成膜材料とを好ましい条件で放出することができる。
なお、ここでいう「真空状態」とは、10-3(10のマイナス3乗)Pa以下の真空度を有する状態を指す。真空度は低ければ低いほど好ましい。本実施形態の具体的な真空度は1×10-3(10のマイナス3乗)〜1×10-9(10のマイナス9乗)Paの範囲であり、1×10-5(10のマイナス5乗)〜1×10-9(10のマイナス9乗)Paの範囲が望ましい。
基板搬送装置12は、基板11(基材)を搬送する装置であり、成膜室2に対して基板11の出し入れや、所望の成膜位置に基板11を固定する機能を有する。即ち、基板搬送装置12は、基板11を所定の成膜位置まで搬送したり、成膜室2の外部から搬入口を介して成膜室2の内部に基板11を搬入したり、成膜室2の内部から搬出口を介して成膜室2の外部へ基板11を搬入したりすることが可能である。
本実施形態では、成膜室2内に膜厚センサー27,28,29がある。
蒸発室21は、固体状又は液体状の成膜材料16a(成膜材料16b〜16j)を気体状の成膜蒸気18a(18b〜18j)に変換する蒸発空間25を内蔵している。
なお、以下の説明においては、成膜材料16a〜16jの性状を区別するため、蒸気となった成膜材料16(16a〜16j)を成膜蒸気18(18a〜18j)と称する。
加熱手段23は、坩堝22を加熱する部材であり、加熱手段24は、蒸発室21全体を加熱する部材である。加熱手段23,24はともに公知のヒーターを使用している。
即ち坩堝22の周りには、加熱手段23が設けられており、加熱手段23によって成膜材料16a(16b〜16j)を加熱し、気化又は昇華することが可能となっている。蒸発室21の周りにも加熱手段24が設けられており、成膜時において成膜材料16a(16b〜16j)の気化温度よりもやや高い温度に維持することができる。
成膜材料16の性状は、粉体やペレット状の固体や、半練り状の流動体、あるいは液体などが採用可能である。即ち、成膜材料16は、液状や粉末状、粒状の物質である。なお、本実施形態では、粉末状の成膜材料16を使用している。
マニホールド群6を構成するマニホールド部66,67,68は、図5の様にいずれも外形形状が略正方形であって板状の本体部37,38,39を持つ。図6に示す様に本体部37,38,39の内部は空洞である。即ちマニホールド部66,67,68は、図6に示すように、上板70と下板71及びこれらを繋ぐ周壁72を有し、内部に空洞部73がある。そして各マニホールド部66,67,68の上面(上板70)には、多数の延長管75,76,77が設けられている。なお作図の関係上、延長管の数は、実際よりも相当に少なく図示されている。
即ち最上部のマニホールド部(以下、上部マニホールド部)66に設けられた延長管75はいずれも短く、その下のマニホールド(以下、中間マニホールド部)67に設けられた延長管76は中程度の長さを持つ。そして最も下のマニホールド(以下、下部マニホールド部)68に設けられた延長管77は最も長い。
即ち上部マニホールド部66に付属する放出開口80は、全て第1開口グループに属し、中間マニホールド部67に付属する放出開口81は、全て第2開口グループに属し、下部マニホールド部68に付属する放出開口82は、全て第3開口グループに属する。
なお本実施形態では、個々の開口グループに属する放出開口80,81,82に設けられた絞り85,86,87の開口径及び開口面積は同一である。
最も大きな放出開口80と最も小さな放出開口80とは、小さな放出開口80とを基準として16倍の開きがある。両者の倍率は、2倍以上30倍以下であることが望ましい。また3段階に開きを設ける場合には、各差が2倍から6倍程度であることが適当である。
また本実施形態では、各マニホールド部66,67,68の全面に加熱手段35,36が設けられている。即ち各マニホールド部66,67,68の本体部37,38,39であって、ハッチ30を除く部分と、各延長管75,76,77に加熱手段35が設けられている。またハッチ30には、別の加熱手段36が設けられている。
加熱手段35,36は共に公知のヒーターを使用している。
また本実施形態では、ハッチ30に設けられた加熱手段36が、他の部位に設けられた加熱手段35から独立している。そして図8に示すように、ハッチ30に設けられた加熱手段36は、リレー50によってオンオフされ、他の部位に設けられた加熱手段35は、リレー51によってオンオフされる。そのため、ハッチ30に設けられた加熱手段36だけを独立して停止することができる。
下部マニホールド部68には、トンネル管は無い。
また中間マニホールド部67に設けられた延長管76は、上部マニホールド部66のトンネル管88を通過して上部マニホールド部66の上に突出している。
さらに下部マニホールド部68に設けられた延長管77は、中間マニホールド部67に設けられたトンネル管89と上部マニホールド部66のトンネル管88を通過して上部マニホールド部66の上に突出している。従って、全てのマニホールド部66,67,68に属する放出開口80,81,82は、マニホールド群6の上側にある。また放出開口80,81,82の高さは、すべて同じである。
即ち番号1が付された開口は、第1グループに属する放出開口80であり、番号2が付された開口は、第2グループに属する放出開口81であり、番号3が付された開口は、第3グループに属する放出開口82である。
なお作図の関係上、図9に図示した放出開口80,81,82は、総数が18個であるが、実際には図10の様に相当に数が多く、これらが平面的な広がりをもって分布している。
延長管75,76,77の数についても同様である。
例えば、第1開口グループに属する放出開口80に隣接する放出開口は、いずれも第2開口グループに属する放出開口81又は第3開口グループに属する放出開口82である。また第2開口グループに属する放出開口81に隣接する放出開口は、いずれも第1開口グループに属する放出開口80又は第3開口グループに属する放出開口82である。第3開口グループに属する放出開口82に隣接する放出開口は、いずれも第1開口グループに属する放出開口80又は第2開口グループに属する放出開口81である。
シャッター部材8は、図12の様に成膜材料放出部13の略全面を覆い得るだけの面積を持っている。またシャッター部材8には、図示しない加熱手段が設けられており、成膜時においては、成膜材料16a(16b〜16j)の気化温度よりもやや高い温度に維持される。
接続流路5は、図1のように上部マニホールド部66に成膜蒸気18a〜18dを供給する第1供給流路32と、中間マニホールド部67に成膜蒸気18e〜18gを供給する第2供給流路33と、下部マニホールド部に成膜蒸気18h〜18jを供給する第3供給流路34と、各蒸発部10a〜10jと接続される分岐流路41a〜41jとを有している。
主開閉弁40a〜40jは、公知の開閉弁であり、制御装置26の命令を受けて開閉可能となっている。
即ち真空蒸着装置1には、第1蒸発部グループに属する蒸発部10a〜10dと上部マニホールド部66とが第1供給流路32を介して接続され、上部マニホールド部66と、上部マニホールド部66に付随する第1開口グループの放出開口80とが接続されて成る第1放出系統57がある。
また真空蒸着装置1には、第2蒸発部グループの蒸発部10e〜10gと中間マニホールド部67とが第2供給流路33を介して接続され、中間マニホールド部67と、中間マニホールド部67に付随する第2開口グループの放出開口81とが接続されて成る第2放出系統58がある。
さらに真空蒸着装置1には、第3蒸発部グループの蒸発部10h〜10jと下部マニホールド部68とが第3供給流路34を介して接続され、下部マニホールド部68と、中間マニホールド部68に付随する第3開口グループの放出開口82とが接続されて成る第3放出系統59がある。
そして、真空蒸着装置1は、膜厚センサー27,28,29で読み取った情報を制御装置26に送信される構造となっている。
膜厚センサー27,28,29は、公知の膜厚センサーであり、成膜される膜厚に寄与する情報を制御装置26に送信可能となっている。
制御装置26は、主開閉弁40a〜40jの開閉制御が可能な装置であり、膜厚センサー27,28,29の情報などに合わせて主開閉弁40a〜40jに開閉命令を送信可能となっている。
本実施形態の真空蒸着装置1では、放出回路3の大部分が成膜室2の外にある。
即ち本実施形態の真空蒸着装置1では、図1の様に、3個のマニホールド部66,67,68の本体部37,38,39が全て成膜室2の外に設けられている。
そして各マニホールド部66,67,68に付属する延長管75,76,77の先端側と、成膜材料放出部13だけが成膜室2の中に設けられている。
成膜材料放出部13の板体92は水平姿勢に配置されており、放出開口80,81,82はいずれも基板11の方向に向いている。
また膜厚センサー27,28,29は、成膜室2の中にあり、基板11と同一の真空環境に置かれる。
前記した様にシャッター部材8は、エアシリンダー95によって水平方向に移動させることができる。また前記した様にシャッター部材8は、成膜材料放出部13の略全面を覆い得るだけの面積を持ち、且つ放出開口80,81,82に相当する位置に開口93が設けられているから、図12(a)の様にシャッター部材8の開口93を成膜材料放出部13の放出開口80,81,82に一致させると、成膜材料放出部13の全ての放出開口80,81,82が開放状態となる。またエアシリンダー95を動作させてシャッター部材8をずらすと、図12(b)の様にシャッター部材8の開口93が、成膜材料放出部13の放出開口80,81,82を外れ、成膜材料放出部13の全ての放出開口80,81,82が閉塞状態となる。
まず成膜室2について説明すると、成膜室2は、減圧手段7によって常に減圧されており、超高真空状態になっている。ここでいう「超高真空状態」とは、真空度が10-5Pa以下の状態を表す。
本実施形態の真空蒸着装置1では、成膜室2の外にマニホールド部66,67,68の大部分があるから、成膜室2の容積が小さく、「超高真空状態」に至らせるまでに要する時間は比較的短い。
主開閉弁40a〜40jは、いずれも閉状態になっている。また、それぞれの蒸発部10a〜10jの坩堝22内には所望の成膜材料16a〜16jが充填されている。
図1に示す実施形態では、蒸発部10a〜10jを10個有しており、最大で10種類の組成が違う成膜蒸気18a〜18jを放出することができる。
そのためには、10種類の成膜材料16a〜16jを蒸発部10a〜10jの坩堝22に入れることとなるが、その際に、基板11に要求される膜厚を検討する。そして必要な膜厚が厚い成膜材料グループ(以下、厚膜グループ)と、必要な膜厚が中間的な成膜材料グループ(以下、中間厚膜グループ)と、必要な膜厚が薄い成膜材料グループ(以下、薄膜グループ)にグループ分けする。
そして坩堝22の周りに設けられた加熱手段23によって成膜材料16a(16b〜16j)を加熱し、成膜材料16a(16b〜16j)を気化又は昇華させる。また蒸発室21の周りに設けられた加熱手段24によって、蒸発室21内を成膜材料16a(16b〜16j)の気化温度よりもやや高い温度に維持する。
即ち加熱手段36によってハッチ30を成膜材料16a(16b〜16j)の気化温度よりもやや高い温度に保温する。また加熱手段36によって本体部37,38,39の他の部分及び各延長管75,76,77が加熱され、各マニホールド部66,67,68全体が、成膜材料16a(16b〜16j)の気化温度よりもやや高い温度に維持される。
真空蒸着装置1を用いて有機EL装置100を製造する場合には、図示しない予備室から成膜室2に基板11を搬送する。
ここで図示しない予備室は、予め真空状態となっており、この状態で成膜室2の搬入口(図示せず)を開いて成膜室2に基板11を搬入する。
ここで予備室は、真空状態であるとは言うものの、「超高真空状態」と言える程には減圧されていない。そのため成膜室2の搬入口(図示せず)を開くことによって、成膜室2の真空度が若干低下する。
なお搬送される基板11は、あらかじめ別工程によって透明導電膜などが成膜されており、この状態の基板11が真空蒸着装置1に搬入される。基板上に透明導電膜を成膜する方策としては、スパッタ等の公知手段がある。
そして放出開口80から放出される成膜蒸気18aが所定時間Aの経過と共に安定状態となれば、エアシリンダー95によってシャッター部材8を水平方向に移動させ、図12(a)の様に放出開口80,81,82にシャッター部材8の開口を合わせて成膜材料放出部13の全ての放出開口80,81,82を開放する。しかしながら、前記した様に、本実施形態では、蒸発部10a〜10jごとに主開閉弁40a〜40jがあり、主開閉弁40a〜40jは、選択的に開かれるから、複数設けられた放出開口80,81,82の特定の開口(放出開口80)から特定の成膜蒸気18aが噴射されることとなる。
また放出開口80から放出される成膜蒸気18は、蒸発部10aによって生成された成膜蒸気18aに限られ、他の蒸発部10b〜10j内の成膜蒸気18b〜18jは放出されない。そのため放出開口80,81,82を全て開放するものの、基板11に蒸着されるのは、蒸発部10aによって生成された成膜蒸気18aに限られる。
シャッター部材8を開放状態とすることによって、基板11に成膜蒸気18aが到達し、基板11に成膜される。
従って成膜後の膜厚が厚いものとなり、要求に適合する。
膜厚センサー27は、成膜室2内にあり、基板11と同一の真空条件にさらされている。また膜厚センサー27に至る成膜蒸気18は、基板11に成膜されるものと同一であり、かつ同一のマニホールド部66から供給される。そのため膜厚センサー27に付着する膜は、基板11に成膜される膜と強い相関関係があり、基板11の膜厚を正確に反映する。そのため制御装置26は、成膜状況を正確に把握することができる。
ハッチ30を加熱する加熱手段36は、一定時間が経過した後に再起動される。
所定時間Aが経過するとエアシリンダー95によってシャッター部材8を水平方向に移動させ、放出開口80,81,82にシャッター部材8の開口を合わせて成膜材料放出部13の全ての放出開口80,81,82を開放する。
この場合も、主開閉弁40f以外は閉じられているから、複数設けられた放出開口80,81,82の特定の開口(放出開口81)から、特定の成膜蒸気18fが噴射されることとなる。
また放出開口81から放出される蒸気は、蒸発部10fによって生成された成膜蒸気18fに限られ、他の蒸発部10a〜10e、蒸発部10g〜10j内の成膜蒸気18は放出されない。そのため放出開口80,81,82を全て開放するものの、基板が蒸着されるのは、蒸発部10fによって生成された成膜蒸気18fに限られる。
従って成膜後の膜厚が中程度となり、要求に適合する。
ハッチ30を加熱する加熱手段36は、一定時間が経過した後に再起動される。
従って成膜後の膜厚が薄いものとなり、要求に適合する。
ここで本実施形態の真空蒸着装置1は、マニホールド部66,67,68の一部(ハッチ部30)だけを温度低下させることによってマニホールド部66,67,68内に残留する成膜蒸気18を除去することができる。そのため、一つの有機EL装置100を製造するための工程中、同一の放出系統を複数回使用したり、同一の放出系統を連続して使用しても、マニホールド部66,67,68内で成膜蒸気18が混じることはない。即ち本実施形態は、マニホールド部66,67,68内に異なる成膜蒸気18を導入するが、コンタミを起こす懸念はない。
しかしながら、次の基板11が搬入されるまでの間は、減圧手段7を運転し続けるので、成膜室2の真空度は「超高真空状態」に回復する。特に本実施形態の真空蒸着装置1では、本実施形態の真空蒸着装置1では、成膜室2の外にマニホールド部66,67,68の大部分があり、成膜室2の容積が比較的小さいから、低下した真空度を「超高真空状態」に回復するのに多くの時間を要しない。
しかしながら本実施形態の真空蒸着装置1の用途は単蒸着に限定されるものではなく、真空蒸着装置1を使用して共蒸着を行うこともできる。即ち、複数の主開閉弁40a〜40jを選択し、これを同時に開くことによって基板11に共蒸着を行うことができる。
例えば、主開閉弁40bと、主開閉弁40gを開き、蒸発部10bによって生成された成膜蒸気18bと蒸発部10gによって生成された成膜蒸気18gを同時に放出して基板11に蒸着を行うことにより、共蒸着を行うことができる。
この場合には、第1グループに属する放出開口80から成膜蒸気18bが放出され、第2グループに属する放出開口81から成膜蒸気18gが放出される。
有機EL装置100は、図17のように、透光性を有した基板102上に、第1電極層103と機能層105と第2電極層106が積層し、封止層130によって封止したものである。
このようなホスト材料等を本発明に係る主成膜材料とし、このようなドーパントや発光材料を本発明に係る従成膜材料として、大きな本発明に係る絞りを有する開口グループに接続される蒸発部グループに属する蒸発部に主成膜材料を、好ましくは、単独で割り当て、小さな本発明に係る絞りを有する開口グループに接続される蒸発部グループに属する蒸発部に従成膜材料を、好ましくは、単独で割り当てることが好ましく、共蒸着組成を精度良く、安定的に制御可能となる。
基板102は、面状に広がりをもっている。具体的には、多角形又は円形をしており、四角形であることが好ましい。本実施形態では、四角形状の基板を採用している。
基板102の最短辺(最短軸)は、300mm以上となっており、350mm以上となっていることが好ましく、500mm以上となっていることが特に好ましい。
基板102の面積は、900cm2 (平方センチメートル)以上、40000cm2 (平方センチメートル)以下となっており、1200cm2 (平方センチメートル)以上、15000cm2 (平方センチメートル)以下となっていることが好ましく、2500cm2 (平方センチメートル)以上、11000cm2 (平方センチメートル)以下となっていることが特に好ましい。
特に、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミニウム(BAlq)などキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を好ましく用いることができる。また、この他ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾオキサゾラト]亜鉛(Zn(BOX)2)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾチアゾラト]亜鉛(Zn(BTZ)2)などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD)や、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(OXD−7)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(TAZ)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(p−EtTAZ)、バソフェナントロリン(BPhen)、バソキュプロイン(BCP)なども用いることができる。
例えば、図13、図14に示す真空蒸着装置62では、他の構成の残留蒸気除去手段78が採用されている。残留蒸気除去手段78は、本体部37,38,39とは別にトラップ空間63を設けたものである。トラップ空間63は常時、マニホールド部66,67,68に比べて低温に保持する。そしてトラップ空間63と本体部37,38,39との間を配管接続する。トラップ空間63と本体部37,38,39には開閉弁64a,b,cを設けることが望ましい。
図13、図14に示す真空蒸着装置62では、一回の成膜を終えるごとに開閉弁64a,b,cを開き、マニホールド部66,67,68とトラップ空間63とを連通させる。その結果、マニホールド部66,67,68からトラップ空間63側に流れ込んだ成膜蒸気18a〜18jが、トラップ空間63内で温度低下して固化し、捕捉される。そのため同一の放出系統を複数回使用したり、同一の放出系統を連続して使用しても、マニホールド部66,67,68内で成膜蒸気18が混じることはない。
また図16に示す真空蒸着装置97の様に成膜室45内に上部マニホールド部66の本体部37と、中間マニホールド部67の本体部38の上部を配し、中間マニホールド部67の本体部38の下部以下を成膜室45外に配置してもよい。
例えば図18の様に、各マニホールド部66,67,68に熱媒体配管198を設けたり、図19の様に熱媒体ジャケット199を設ける等の方策により、各マニホールド部66,67,68の温度調節を行う構成も推奨される。本実施形態では、熱媒体配管198や熱媒体ジャケット199が熱媒体流路となり、これに高温又は低温の熱媒体を通過させ、各マニホールド部66,67,68の温度調節を行うことができる。
そのためマニホールド部66,67,68の温度を成膜材料に適した温度に調節することができる。そのため気化温度が高い成膜材料を放出し、これに続いて同一の放出系統を利用して気化温度が低い成膜材料を放出する様な場合に、放出系統を冷却することもでき、低温で気化する成膜材料の蒸着の開始を早期に行うことができ、放出させる成膜材料の切り替え時間を短縮することができる。
特に清掃用のハッチ30が成膜室2,43,45の外にあるから、ハッチ30に付着した成膜材料を除去する作業が容易である。
2,43,45 成膜室
3 放出回路
6 マニホールド群
8 シャッター部材
10a〜10j 蒸発部
11 基板(基材)
13 成膜材料放出部
15,78 残留蒸気除去手段
16a〜16j 成膜材料
18a〜18j 成膜蒸気
21 蒸発室
22 坩堝
27,28,29 膜厚センサー
37,38,39 本体部
40a〜40j 主開閉弁
46,47,48 膜厚確認用の放出開口
66,67,68 マニホールド部
73 空洞部
75,76,77 延長管
80,81,82 放出開口
85,86,87 絞り
93 開口
100 有機EL装置
Claims (13)
- 減圧可能であって基材を設置可能な成膜室と、基材に対して成膜材料の蒸気を放出する放出開口が複数設けられた成膜材料放出部を有し、成膜材料放出部から成膜材料の蒸気を放出して基材に成膜する真空蒸着装置において、
成膜材料を蒸発させる蒸発部を複数有し、1または複数の蒸発部によって構成される一組の蒸発部グループと、マニホールド部と、マニホールド部に直接又は延長管を介して設けられた複数の放出開口によって構成される一組の開口グループとを有し、前記蒸発部グループと、前記マニホールド部と、前記開口グループが接続されて一個の放出系統を形成し、前記放出系統が複数存在する流路構成を備えており、
少なくとも一個の放出系統は、複数の蒸発部を有し、
複数のマニホールド部は、成膜室の外に配されており、
成膜室内の空間を真空状態に維持するための減圧手段とは別に、成膜室の外に配されたマニホールド部に繋がる減圧手段を有することを特徴とする真空蒸着装置。 - 複数のマニホールド部のそれぞれと減圧手段が配管接続され、各配管に個別に開閉弁が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の真空蒸着装置。
- 成膜室内に膜厚センサーと、膜厚確認用の放出開口があり、成膜室の外に配されたマニホールド部と膜厚確認用の放出開口とが連通していることを特徴とする請求項1又は2に記載の真空蒸着装置。
- 前記蒸発部ごとに主開閉弁があり、当該主開閉弁を開いて蒸発部で発生させた蒸気をマニホールド部に導入するものであり、前記蒸発部グループは、個々の成膜材料についての蒸気の単位時間あたりの目標放出量及び/又は目標とする膜厚及び/又は成膜室内の蒸気の目標分圧及び/又は放出開口の開口端近傍における蒸気の目標圧力が近似するものが一つのグループとなる様に選択されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の真空蒸着装置。
- 放出開口の開口端近傍に絞りが設けられており、一つの放出系統内に配された絞りは開口面積が一定の基準に基づいて設定されており、他の少なくとも一つの放出系統に設けられた絞りは異なる基準によって設定されたものであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の真空蒸着装置。
- 成膜材料放出部の略全面を覆うシャッター部材を有し、
成膜時においては主開閉弁を個別に開閉すると共にシャッター部材を開いて全ての放出開口を開口して特定の放出開口から成膜材料の蒸気を放出し、
非成膜時においてはシャッター部材を閉じて全ての放出開口を閉塞することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の真空蒸着装置。 - 放出開口が閉塞された際に蒸発部の出口から放出開口に至る間に残留する成膜材料の蒸気を除去する残留蒸気除去手段を備えたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の真空蒸着装置。
- 残留蒸気除去手段は、成膜材料の蒸気を冷却して固化又は液化するトラップ空間であり、当該トラップ空間に前記マニホールド部に繋がる減圧手段が接続されていることを特徴とする請求項7に記載の真空蒸着装置。
- 請求項1乃至8のいずれかに記載の真空蒸着装置を使用して主成膜材料と従成膜材料を同時に放出して共蒸着有機層を形成する共蒸着工程を複数回実施し、複数の共蒸着有機層を含んだ有機EL装置を製造する有機EL装置の製造方法であって、複数種類の主成膜材料を同一の蒸発部グループに属する蒸発部に選択的に投入し、複数種類の従成膜材料を他の蒸発部グループに属する蒸発部に選択的に投入し、前記蒸発部でそれぞれ成膜材料を蒸発させて基材に共蒸着有機層を成膜することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
- マニホールド部に繋がる減圧手段によってマニホールド部から成膜材料の蒸気を排出する工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の有機EL装置の製造方法。
- 共蒸着工程においては、単一の放出系統に属する単一の蒸発部で主成膜材料を蒸発させて前記放出系統に属する放出開口から主成膜材料の蒸気を放出し、前記放出系統とは異なる単一の放出系統に属する単一の蒸発部で従成膜材料を蒸発させて前記放出系統に属する放出開口から従成膜材料の蒸気を放出することを特徴とする請求項9又は10に記載の有機EL装置の製造方法。
- 真空蒸着装置は、属する開口グループの放出開口の総面積が大きい大容量用放出系統と、属する開口グループの放出開口の総面積が大容量用放出系統よりも小さい小容量用放出系統と備え、
前記主成膜材料は、成膜された層中に多く含有される成分であり、従成膜材料は、成膜された層中に主成膜材料よりも含有量が少ない成分であり、
主成膜材料を大容量用放出系統に属する蒸発部に選択的に投入し、従成膜材料を小容量用放出系統に属する蒸発部に選択的に投入することを特徴とする請求項9乃至11のいずれかに記載の有機EL装置の製造方法。 - 真空蒸着装置は、成膜室内に膜厚センサーと、膜厚確認用の放出開口があり、マニホールド部と膜厚確認用の放出開口とが連通した構成を有するものであり、一以上の放出系統に属する放出開口から主成膜材料を放出し、同時に他の一以上の放出系統に属する放出開口から従成膜材料を放出して共蒸着有機層を形成する共蒸着工程を実施し、共蒸着工程を実施する際に主成膜材料だけによる成膜状態及び/又は従成膜材料だけによる成膜状態を検知可能であることを特徴とする請求項9乃至12のいずれかに記載の有機EL装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012179464A JP5985302B2 (ja) | 2012-08-13 | 2012-08-13 | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012179464A JP5985302B2 (ja) | 2012-08-13 | 2012-08-13 | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014037564A JP2014037564A (ja) | 2014-02-27 |
JP5985302B2 true JP5985302B2 (ja) | 2016-09-06 |
Family
ID=50285925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012179464A Active JP5985302B2 (ja) | 2012-08-13 | 2012-08-13 | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5985302B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6302786B2 (ja) * | 2014-08-01 | 2018-03-28 | シャープ株式会社 | 蒸着装置、蒸着方法、及び有機el素子の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006057173A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Tohoku Pioneer Corp | 成膜源、真空成膜装置、有機elパネルの製造方法 |
JP2007227086A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置および発光素子の製造方法 |
JP5036264B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2012-09-26 | 日立造船株式会社 | 真空蒸着装置 |
JP4889607B2 (ja) * | 2007-09-10 | 2012-03-07 | 株式会社アルバック | 供給装置、蒸着装置 |
JP5506147B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2014-05-28 | キヤノン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2012052187A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Kaneka Corp | 蒸着装置、成膜方法及び有機el装置の製造方法 |
-
2012
- 2012-08-13 JP JP2012179464A patent/JP5985302B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014037564A (ja) | 2014-02-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8308866B2 (en) | Vapor deposition apparatus for an organic vapor deposition material and a method for producing an organic film | |
CN101335333B (zh) | 发光元件、发光装置、电子设备及发光元件的制造方法 | |
TWI262034B (en) | Manufacturing system, manufacturing method, method of operating a manufacturing apparatus, and light emitting device | |
KR102169566B1 (ko) | 유기 증기 제트 프린팅용 노즐 구성 | |
TWI463913B (zh) | 用於有機電激發光裝置之電荷傳送層 | |
WO2014027578A1 (ja) | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 | |
KR101191569B1 (ko) | 성막 장치 | |
CN104425772B (zh) | 制造显示设备的方法 | |
CN100558929C (zh) | 蒸发装置、蒸镀装置以及蒸镀装置中的蒸发装置的切换方法 | |
CN103380227B (zh) | 蒸镀颗粒射出装置和蒸镀装置 | |
TWI610478B (zh) | 有機光電裝置及其製造方法 | |
JP5985302B2 (ja) | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 | |
JPH09256142A (ja) | 成膜装置 | |
WO2006060251A1 (en) | Organic light emitting devices with an emissive region having emissive and non-emissive layers and method of making | |
JP5798452B2 (ja) | 蒸発源 | |
JP6013077B2 (ja) | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 | |
JP2010525163A (ja) | 気化した有機材料の微調整 | |
TWI425692B (zh) | 均勻汽化金屬與有機材料 | |
JP2014038740A (ja) | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 | |
JP2014038741A (ja) | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 | |
US20140295603A1 (en) | Method for producing organic electroluminescence element | |
JP2014038739A (ja) | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 | |
JP4391773B2 (ja) | 感湿性有機材料の圧縮方法 | |
JP6549835B2 (ja) | 蒸着装置、及び有機el装置の製造方法 | |
JP5395478B2 (ja) | 製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150623 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160707 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160803 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5985302 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |