JP5965743B2 - ICP device, spectroscopic analyzer, and mass spectrometer - Google Patents
ICP device, spectroscopic analyzer, and mass spectrometer Download PDFInfo
- Publication number
- JP5965743B2 JP5965743B2 JP2012144604A JP2012144604A JP5965743B2 JP 5965743 B2 JP5965743 B2 JP 5965743B2 JP 2012144604 A JP2012144604 A JP 2012144604A JP 2012144604 A JP2012144604 A JP 2012144604A JP 5965743 B2 JP5965743 B2 JP 5965743B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- bonnet
- correction
- icp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/71—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited
- G01N21/73—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited using plasma burners or torches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/06—Electron- or ion-optical arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/26—Mass spectrometers or separator tubes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
本発明は、主に励起源あるいはイオン源として用いられる誘導結合プラズマ(以下、ICPと称する)装置に関し、特にプラズマガスの使用量を大幅に低減したICP装置に係る。 The present invention relates to an inductively coupled plasma (hereinafter referred to as ICP) apparatus mainly used as an excitation source or an ion source, and more particularly to an ICP apparatus that greatly reduces the amount of plasma gas used.
ICP装置は、発光分光分析の励起源あるいはプラズマ中に発生したイオンを対象とした質量分析装置のイオン源として用いられる。このICP装置は、従来、石英ガラスあるいはセラミックス製の多重管構造よりなるプラズマトーチを備えている。 The ICP device is used as an excitation source for emission spectroscopic analysis or as an ion source for a mass spectrometer that targets ions generated in plasma. This ICP device has conventionally been provided with a plasma torch having a multiple tube structure made of quartz glass or ceramics.
図7は、ICP発光分光分析(ICP−OES)装置を示し、従来のICP装置の用途の一例を示す。プラズマトーチ32は、同心の三重管構造であり、中央が試料導入管321(試料をキャリヤーガスと共にプラズマ内に導入する)と、その試料導入管の外周に備わる補助ガス管322(プラズマを補助ガス管端部より浮かせる)と、その補助ガス管の外周に備わるプラズマガス管323とから構成される。また、試料導入管321の上部でプラズマガス管323で囲まれた領域は、プラズマを生成させるプラズマ室と呼ばれる部分となる。また誘導コイル312とプラズマ用ガス管323の間にボンネット30が介在される。このボンネット30は、誘導コイル312とプラズマガスの間で起こる放電を防止するために用いるものである。従って、通常ボンネットは、誘導コイル312がプラズマトーチを巻回する領域に介在するように備えるものである。 FIG. 7 shows an ICP emission spectroscopic analysis (ICP-OES) apparatus and shows an example of the use of a conventional ICP apparatus. The plasma torch 32 has a concentric triple tube structure, the center of which is a sample introduction tube 321 (introducing the sample into the plasma together with the carrier gas) and an auxiliary gas tube 322 (plasma as the auxiliary gas) provided on the outer periphery of the sample introduction tube. And a plasma gas pipe 323 provided on the outer periphery of the auxiliary gas pipe. The region surrounded by the plasma gas tube 323 at the top of the sample introduction tube 321 is a portion called a plasma chamber for generating plasma. A bonnet 30 is interposed between the induction coil 312 and the plasma gas pipe 323. The bonnet 30 is used to prevent discharge that occurs between the induction coil 312 and the plasma gas. Therefore, the normal bonnet is provided so that the induction coil 312 is interposed in a region where the plasma torch is wound.
一方、ICP装置は、プラズマガスとして一般的には高価なアルゴンやヘリウムを用いる。従来、プラズマガスの消費量は、プラズマ炎を安定的に得るために、毎分15〜20リットル程度必要とする。このため、ICP装置のランニングコストの要因であるプラズマガスの多量な消費を抑えるための検討がなされている。 On the other hand, ICP devices generally use expensive argon or helium as the plasma gas. Conventionally, the consumption of plasma gas requires about 15 to 20 liters per minute in order to stably obtain a plasma flame. For this reason, studies have been made to suppress a large amount of plasma gas consumption, which is a factor of the running cost of the ICP device.
例えば、プラズマトーチにおいて、プラズマガスの噴き出し領域を狭くし、プラズマガス管の外側間壁をキャリヤーガス用ガス管よりも長くして大気からのシールドを形成したものや、更に、その三重管のプラズマガス管の外側に冷却ガス用の筒体を同心状に囲わせて、冷却ガスを回転するように流入させることでプラズマガス筒体が溶融しないように冷却しつつ、プラズマ炎を長く形成させるようにして感度を高めることがなされている(特許文献1)。また、質量分析に使用するICP装置においても、前記のシールドを形成し、プラズマガスの噴き出しの領域を狭めてプラズマガスの流量を減ずることで、プラズマガスの消費量を抑えるようにしている。この場合は、同心の三重管のうちプラズマガス管と補助ガス管とで形成される噴出し幅を半減することで流量を約半量としている(非特許文献1)。 For example, in a plasma torch, the plasma gas ejection region is narrowed and the outer wall of the plasma gas tube is made longer than the carrier gas gas tube to form a shield from the atmosphere. A cooling gas cylinder is concentrically surrounded on the outside of the gas pipe, and the cooling gas is allowed to flow in a rotating manner so that the plasma gas cylinder is cooled so as not to melt, and a plasma flame is formed to be long. Thus, the sensitivity is increased (Patent Document 1). Also, in the ICP apparatus used for mass spectrometry, the plasma gas consumption is suppressed by forming the shield and narrowing the plasma gas ejection region to reduce the plasma gas flow rate. In this case, the flow rate is reduced to about half by halving the ejection width formed by the plasma gas tube and the auxiliary gas tube among the concentric triple tubes (Non-patent Document 1).
しかしながら、第一に、プラズマ用ガス管を長くしてシールド効果を持たせてプラズマ炎の大気の巻き込みを無くした場合、プラズマ炎と相対する内面への析出物の付着により測光ができなくなった際、又、熱の影響で当該プラズマ用ガス管の一部に割れが生じた際は、プラズマトーチごとの交換を要し、作業の煩雑さと共にプラズマトーチの高価さによる不経済性が問題となった。 However, first, if the plasma gas tube is lengthened to provide a shielding effect and the plasma flame is not engulfed in the atmosphere, it becomes impossible to perform photometry due to deposition of deposits on the inner surface facing the plasma flame. In addition, when a part of the plasma gas pipe is cracked due to heat, it is necessary to replace each plasma torch, which is complicated and uneconomical due to the cost of the plasma torch. It was.
第二に、上記の問題を解決するために、プラズマ炎をとり囲う程度の長さを有するプラズマトーチと独立した円筒型のボンネットを採用するも、プラズマの点灯時に異常放電を起す新たな問題が生じた。 Secondly, in order to solve the above problem, a cylindrical bonnet independent of the plasma torch having a length that surrounds the plasma flame is adopted, but there is a new problem that causes abnormal discharge when the plasma is turned on. occured.
上記の第一及び第二の問題を同時に解決するために、本発明のICP装置は、試料を導入する試料導入部と、キャリヤーガス用のインナーチューブ、補助ガス用のミドルチューブ及びプラズマガス用のアウターチューブからなる同心の三重管構造であり、一端部にこれらのガス導入部を備えた端部が開口状態になっているプラズマトーチと、このプラズマトーチとは分離しており、生成したプラズマ炎の先端部まで十分に取り囲む高さを有し、前記プラズマトーチに外嵌して配置した円筒形状のボンネットと、プラズマ炎が生成するプラズマトーチ開口端隣部のプラズマ生成領域を取り囲むようにボンネットに外嵌して配置した誘導コイルと、キャリヤーガス、補助ガス及びプラズマガスを制御するガス制御部と、ボンネットの内面とアウターチューブの外面とで形成する間隙部にプラズマガスの流路修正用の修正ガスを導入する修正ガス導入機構と、を備えることを特徴とした。 In order to solve the above first and second problems at the same time, an ICP apparatus of the present invention includes a sample introduction part for introducing a sample, an inner tube for carrier gas, a middle tube for auxiliary gas, and a plasma gas A plasma torch that has a concentric triple tube structure consisting of an outer tube and has an open end with these gas inlets at one end is separated from the plasma torch, and the generated plasma flame The cylindrical bonnet has a height that sufficiently surrounds the tip of the plasma torch, and the bonnet surrounds the plasma generation region adjacent to the plasma torch opening end where the plasma flame is generated. Inductively placed induction coil, gas control unit for controlling carrier gas, auxiliary gas and plasma gas, inner surface of bonnet and outer A modified gas introduction mechanism for introducing a modified gas for flow path modification of the plasma gas in the gap portion formed by the outer surface of the tube, characterized in that it comprises.
また、本発明のICP装置は、前記修正ガス導入機構が修正ガスを噴き出すキャピラリを備え、このキャピラリの噴き出し側端部をボンネットの固定側端部の間隙部に向くように配置するようにした。あるいは、前記修正ガス導入機構が修正ガス用の流路を備え、この流路がプラズマトーチのガス導入部側の間隙部の一部又は全部に沿って配置され、当該隙間部に沿った部分の一部又は全部が開口しているようにした。 In the ICP device of the present invention, the correction gas introduction mechanism includes a capillary that ejects the correction gas, and the ejection side end of the capillary is arranged to face the gap portion of the fixed side end of the bonnet. Alternatively, the correction gas introduction mechanism has a flow path for correction gas, and this flow path is disposed along part or all of the gap portion on the gas introduction portion side of the plasma torch, and the portion along the gap portion Some or all of them were open.
また、本発明のICP装置は、前記キャピラリ又は前記流路が、プラズマガスの増減に連動して修正ガスが増減するように、修正ガスを導入する側の端部を、ガス制御部のアウターチューブに接続するガス流路の途中から分岐するガス流路に接続するようにした。
また、ボンネットが、測光用のスリット又は穴を、一つ又は複数備えるものであることを特徴とした。
また、本発明のICP装置は、分光分析装置あるいは質量分析装置に利用した。
Further, the ICP device of the present invention has an end portion on the side where the correction gas is introduced so that the correction gas increases or decreases in association with the increase or decrease of the plasma gas in the capillary or the flow path. It was made to connect with the gas flow path branched from the middle of the gas flow path connected to.
Further, the bonnet is provided with one or a plurality of photometric slits or holes.
The ICP device of the present invention was used for a spectroscopic analyzer or a mass spectrometer.
本発明によれば、個別のシールド(ボンネット)を用いてプラズマ発光装置に係わるプラズマ炎への大気の巻き込みを解消すると共に、独自のプラズマガスの修正機構を採用することでプラズマの点灯性をも改善し、感度及び精度を損なうことなくプラズマガスの消費量を半減することができる。従って、高い経済性を備えたプラズマ発光装置を提供することができる。 According to the present invention, the use of individual shields (bonnets) eliminates air entrainment in the plasma flame associated with the plasma light emitting device, and the use of a unique plasma gas correction mechanism also improves plasma lighting. The plasma gas consumption can be halved without loss of sensitivity and accuracy. Therefore, it is possible to provide a plasma light emitting device having high economic efficiency.
以下、本発明に係るプラズマ発光装置について図を参照しながら説明する。
図1及び図3は、本発明に係る第1実施例のICP装置の全体概略図である。
本実施形態のICP装置は、大別するとプラズマ生成部11、試料導入部13、プラズマトーチ12、ボンネット10A、プラズマトーチ支持部材14及び修正ガス導入部15Aから構成されており、JIS K 0116(発光分光分析通則)に規定されるICP装置を基本としている。
The plasma light emitting device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 and 3 are overall schematic views of an ICP device according to a first embodiment of the present invention.
The ICP apparatus of this embodiment is roughly composed of a plasma generation unit 11, a sample introduction unit 13, a plasma torch 12, a bonnet 10A, a plasma torch support member 14, and a correction gas introduction unit 15A. JIS K 0116 (light emission) It is based on the ICP device specified in the spectroscopic analysis general rules).
プラズマ生成部11は、アルゴンなどのプラズマガスPと霧滴化してキャリヤーガスCAに乗せた試料134をプラズマトーチ12に流し、ボンネット10Aの外側に備えた誘導コイル112に高周波電圧をかけることでプラズマを生成させる。
試料導入部13は、試料を吸引するネブライザ132と吸引用のチューブ133、並びに、スプレーチャンバ131を備えており、アルゴンなどのキャリヤーガスCAと共に試料用ガス管121を通して試料134を生成したプラズマ内部に導入する。
The plasma generation unit 11 causes the sample 134, which is atomized with the plasma gas P such as argon, to be carried on the carrier gas CA, flows to the plasma torch 12, and applies a high frequency voltage to the induction coil 112 provided outside the bonnet 10A. Is generated.
The sample introduction unit 13 includes a nebulizer 132 for sucking a sample, a suction tube 133, and a spray chamber 131. The sample introduction unit 13 includes a carrier gas CA such as argon, and a plasma 134 that generates a sample 134 through the sample gas tube 121. Introduce.
プラズマトーチ12は、同心の三重管構造であり、その中心にアルゴン(Ar)ガスなどのキャリヤーガスCAと共に導入される試料134のための試料導入管(インナーチューブ)121が位置し、その外側にプラズマの上下位置を制御するための補助ガス管(ミドルチューブ)122が、さらにその外側にプラズマ用のガスを流すためのプラズマガス管(アウターチューブ)123が取り囲む構造である。 The plasma torch 12 has a concentric triple tube structure, and a sample introduction tube (inner tube) 121 for a sample 134 introduced together with a carrier gas CA such as argon (Ar) gas is located at the center thereof, and on the outside thereof. An auxiliary gas pipe (middle tube) 122 for controlling the vertical position of the plasma is surrounded by a plasma gas pipe (outer tube) 123 for flowing a plasma gas to the outside thereof.
更に、ボンネット10Aは、プラズマ用ガス管122の外側にそれを外嵌して備える。試料用ガス管121上部にプラズマを点灯させるに当り、外側からの大気を巻き込むことによるプラズマ炎の不安定化や、大気由来の発光による測定感度の低下を防止する目的を有する。これには、円筒状の石英ガラス管が使用でき、プラズマ用ガス管123に対して所定の間隙dを形成するように構成する。
プラズマトーチ支持部材14は、ベース部141と留め部142とで構成される。留め部142は、ベース部141と分離あるいは一部を連結した形でプラズマトーチを開放・固定する。
Furthermore, the bonnet 10 </ b> A is provided by fitting it outside the plasma gas pipe 122. When the plasma is ignited on the upper part of the sample gas pipe 121, it has the purpose of preventing instability of the plasma flame due to entrainment of the atmosphere from the outside and reduction in measurement sensitivity due to light emission derived from the atmosphere. For this, a cylindrical quartz glass tube can be used, and a predetermined gap d is formed with respect to the plasma gas tube 123.
The plasma torch support member 14 includes a base portion 141 and a fastening portion 142. The fastening part 142 opens and fixes the plasma torch in a form separated from or connected to the base part 141.
修正ガス導入部15Aは、特にプラズマガスPの流量が少ない時にプラズマ点灯時の異常放電の原因となるボンネット10Aとプラズマガス管123の開口端部の間隙dでのプラズマガスの滞留を防ぐために、プラズマガスPの流方向と同じ方向への噴出し気流を発生させるために設けるものである。これにより、少ないプラズマガスPによるプラズマの点灯が可能となる。 The correction gas introduction portion 15A is used to prevent the plasma gas from staying in the gap d between the bonnet 10A and the opening end of the plasma gas tube 123, which causes abnormal discharge during plasma lighting, particularly when the flow rate of the plasma gas P is small. It is provided in order to generate a jet air flow in the same direction as the flow direction of the plasma gas P. Thereby, the plasma can be turned on with a small plasma gas P.
(実施例1)
以下、図1のICP装置に関して詳細に説明する。
プラズマトーチ12は、石英ガラス製であり、試料導入管(インナーチューブ)121、補助ガス管(ミドルチューブ)122及びプラズマガス管(アウターチューブ)123が、それぞれの開口端部の外径が7mm、17mm及び20mmの同心の三重管構造である。また、その壁厚は、各部位いずれも約1.0mmであって、試料導入管の開口径は2mmφ以下に絞っている。また、各ガス管の開口端部の位置は、立てた場合に外側の方が高くなるように階段上にずれている。
Example 1
Hereinafter, the ICP device of FIG. 1 will be described in detail.
The plasma torch 12 is made of quartz glass, and a sample introduction tube (inner tube) 121, an auxiliary gas tube (middle tube) 122, and a plasma gas tube (outer tube) 123 each have an outer diameter of 7 mm, It is a 17 mm and 20 mm concentric triple tube structure. The wall thickness of each part is about 1.0 mm, and the opening diameter of the sample introduction tube is limited to 2 mmφ or less. Moreover, the position of the open end of each gas pipe is shifted on the stairs so that the outside becomes higher when standing.
このプラズマトーチ12の固定は、プラズマトーチ支持部材14のベース部141と着脱用の留め具142により挟持しておこなう。この場合、留め具142は、プラズマトーチ12の外側の円形状に沿ってベース部14に押圧して固定するとよく、その左右のいずれかを蝶番状として片開きにて開閉するようにしてもよい。そしてプラズマガスPは、プラズマ用ガス管123の内側をその下部より螺旋流を形成して開口端部より流出するように導入される。 The plasma torch 12 is fixed by being sandwiched between the base portion 141 of the plasma torch support member 14 and the attaching / detaching fastener 142. In this case, the fastener 142 may be pressed and fixed to the base portion 14 along the outer circular shape of the plasma torch 12, and one of the left and right sides thereof may be hinged to open and close with a single opening. . Then, the plasma gas P is introduced inside the plasma gas pipe 123 so as to form a spiral flow from its lower part and flow out from the opening end.
更に、プラズマガスPは、消費を抑えるために流量を低減することにより、開口端部からの噴出し速度も低減する。そのため、プラズマ用ガス管123の内面との補助ガス管122の外面とで形成されるプラズマガスPの通路の出口に当る間隙端部については、その幅を狭くするように調整してもよい。このようにすることで、プラズマガスの流量を抑えた場合であっても流速が低減しないように調整可能であり、所定の高さのプラズマ炎を安定して得ることができる。なお、プラズマガスPは、本実施例ではアルゴンガスを用いた。 Furthermore, the plasma gas P reduces the flow rate in order to suppress consumption, thereby reducing the ejection speed from the opening end. Therefore, the width of the gap end portion corresponding to the outlet of the passage of the plasma gas P formed by the inner surface of the plasma gas tube 123 and the outer surface of the auxiliary gas tube 122 may be adjusted to be narrow. By doing in this way, even if it is a case where the flow volume of plasma gas is suppressed, it can adjust so that a flow rate may not reduce, and the plasma flame of predetermined | prescribed height can be obtained stably. Note that argon gas was used as the plasma gas P in this example.
次に、本発明のICP装置に用いるボンネットについて説明する。当該ボンネット10Aは、プラズマトーチ12に外嵌した円筒状の石英ガラス(内径21mm、壁厚1.3mm)である。従って、間隙dはプラズマトーチ12の寸法との関係にて決定され、約0.5mmとなる。 Next, the bonnet used for the ICP device of the present invention will be described. The bonnet 10 </ b> A is cylindrical quartz glass (inner diameter 21 mm, wall thickness 1.3 mm) that is externally fitted to the plasma torch 12. Accordingly, the gap d is determined in relation to the size of the plasma torch 12 and is about 0.5 mm.
このボンネット10Aは、図7に示す従来のボンネット30と比べて、単純円筒形状のプラズマトーチとは独立したものとした点及び誘導コイル112にかかる領域の上部に突出させた点に特徴を有する。通常は、プラズマ用ガス管であるアウターチューブの開口端部と、プラズマ生成部11の領域にかかるように誘導コイルの端部とを揃えて配置することから、それら端部の上方十数mm程度をボンネットで囲うようにした。この囲いの長さは、プラズマ炎が大気を巻き込まずに安定する範囲とし、本実施例では20mm程度とした。また、プラズマトーチと独立にすることは、後述するように、ボンネットのみの交換を容易な着脱性にて可能とする効果を奏する。 The bonnet 10A is characterized in that it is independent from a simple cylindrical plasma torch and protrudes to the upper part of the region related to the induction coil 112, as compared with the conventional bonnet 30 shown in FIG. Usually, the opening end of the outer tube, which is a plasma gas pipe, and the end of the induction coil are arranged so as to cover the region of the plasma generation unit 11, and therefore, about a dozen mm above these ends. Was surrounded by a bonnet. The length of the enclosure is set to a range in which the plasma flame is stabilized without involving the atmosphere, and is about 20 mm in this embodiment. Further, making it independent from the plasma torch has the effect of allowing only the bonnet to be replaced with easy detachability, as will be described later.
なお、このボンネット10Aの固定は、ベース部14の上部に備えた、後述する修正ガス導入機構15Aを構成するキャピラリ支持部材151aの一端部に、プラズマトーチの外側の円形に沿うように形成した延伸部を設け、その上のガイドに嵌合させて固定した。この場合、ボンネット10Aの固定端側円周上に、スリット101を設けて、キャピラリ支持部材151a上に設けた凸部154aと合わせるようにしてもよい。このようにすることで、ボンネット10Aの円周位置の位置合わせを容易にすることができる。 The bonnet 10A is fixed to an extension formed at one end portion of a capillary support member 151a included in the correction gas introduction mechanism 15A, which will be described later, provided along the circular shape outside the plasma torch. A portion was provided, and fitted and fixed to a guide on the portion. In this case, a slit 101 may be provided on the fixed end side circumference of the bonnet 10A so as to be aligned with the convex portion 154a provided on the capillary support member 151a. By doing in this way, alignment of the circumferential position of bonnet 10A can be made easy.
このボンネット10Aの主たる効果は、プラズマガスPの流量を低減(例えば毎分10L以下)した際に生じるプラズマトーチ12の開口端部において、プラズマガスPの噴き出し流速の低下に起因した開口周囲の大気の巻き込みを防止することである。従って、プラズマ炎の高さに相当する領域をボンネット10Aにて囲うことでより効果的となり、プラズマガスPの消費量を低減でき経済的な測定を実現する。更に、前述のように、ボンネット10Aとプラズマトーチ12は、相互に独立しており、従ってそれぞれ個別に交換可能である。特に、ボンネットのプラズマ炎と相対する内面では、析出物による白濁化や熱等による割れが生じる場合があるところ、その場合でも安価なボンネットの交換のみで対応可能という効果を有する。
なお、誘導コイル112は、前述のようにプラズマ生成部11の領域にかかるように、アウターチューブの開口端部に位置を合わせてボンネット10Aに外嵌して配置した。
The main effect of the bonnet 10A is that the atmosphere around the opening caused by the decrease in the flow velocity of the plasma gas P at the opening end of the plasma torch 12 generated when the flow rate of the plasma gas P is reduced (for example, 10 L or less per minute). It is to prevent the entrainment. Therefore, it becomes more effective by surrounding the area corresponding to the height of the plasma flame with the bonnet 10A, the consumption of the plasma gas P can be reduced, and economical measurement is realized. Further, as described above, the bonnet 10A and the plasma torch 12 are independent from each other, and thus can be individually replaced. In particular, on the inner surface of the bonnet facing the plasma flame, white turbidity due to precipitates or cracking due to heat or the like may occur. However, even in such a case, it is possible to deal with it only by replacing an inexpensive bonnet.
In addition, the induction coil 112 was placed on the bonnet 10A so as to be aligned with the opening end of the outer tube so as to cover the region of the plasma generation unit 11 as described above.
次に、本発明に係るICP装置に備わる修正ガス導入機構15Aについて説明する。
修正ガスCは、プラズマを点灯させる際に、ボンネット10Aとプラズマトーチ12の開口端部の間隙dにおいてプラズマガスPの一部が巻き込んで滞留するのを防止すると共に、滞留したガスをプラズマガスの本来の流路に戻し修正する役割を果たすものである。このプラズマガスの滞留は、プラズマの点灯時に異常放電を引き起こし、安定したプラズマ炎を得るための妨げとなる。また、その状況は、プラズマガスPの流量調整のみでは解消されなかった。発明者らは、ボンネット10Aを利用した構成において安定したプラズマ炎を得るため鋭意研究を重ねて、当該修正ガス導入機構15Aを採用するに至ったものである。修正ガスCは、前述のボンネット10Aの内面とプラズマトーチ12の外面との間に形成される間隙dを、固定端(下)側から他端(上)側に向けて導入される。
Next, the correction gas introduction mechanism 15A provided in the ICP device according to the present invention will be described.
The correction gas C prevents a part of the plasma gas P from being caught and staying in the gap d between the opening ends of the bonnet 10 </ b> A and the plasma torch 12 when the plasma is turned on, and the staying gas is removed from the plasma gas. It plays a role of returning and correcting the original flow path. This stagnation of the plasma gas causes an abnormal discharge when the plasma is turned on, and hinders obtaining a stable plasma flame. Moreover, the situation was not solved only by adjusting the flow rate of the plasma gas P. The inventors have intensively studied in order to obtain a stable plasma flame in the configuration using the bonnet 10A, and have come to adopt the modified gas introduction mechanism 15A. The correction gas C is introduced with a gap d formed between the inner surface of the bonnet 10A and the outer surface of the plasma torch 12 from the fixed end (lower) side to the other end (upper) side.
この機構は、図1に示すように、ベース部14の上部に固定したキャピラリ支持部材151a、修正ガスCを導入するためのキャピラリ152a及びキャピラリを押える留め具153aより構成される。図2には、ボンネット10Aと修正ガス導入機構15Aの配置に関する斜視図を示す。キャピラリは、内径が0.75mmのものを用いた。また、キャピラリは、前述したボンネット101Aの固定端側の円周上に設けたスリット101を利用して、その先端が当該スリット101に向くように固定した。この方向は、スリット101より間隙d内に修正ガスが入り込む方向であればよく、流量を調整することで方向の不具合はある程度許容可能である。効率よく修正ガスを導入するためには、プラズマガスの流方向に沿うようにする方がよりよい。また、螺旋流を形成するように、間隙dに沿ってキャピラリ先端の向きを調整してもよい。また、キャピラリは、取り扱い上フレキシブルなものが都合よく、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)などが利用できる。図1では、キャピラリがベース部14の平面方向に対して45度で上向くように配置している。 As shown in FIG. 1, this mechanism includes a capillary support member 151a fixed to the upper portion of the base portion 14, a capillary 152a for introducing the correction gas C, and a fastener 153a for pressing the capillary. In FIG. 2, the perspective view regarding arrangement | positioning of the bonnet 10A and the correction gas introduction mechanism 15A is shown. A capillary with an inner diameter of 0.75 mm was used. Further, the capillary was fixed so that the tip thereof was directed to the slit 101 by using the slit 101 provided on the circumference on the fixed end side of the bonnet 101A. This direction only needs to be a direction in which the correction gas enters the gap d from the slit 101. By adjusting the flow rate, a problem in the direction can be tolerated to some extent. In order to introduce the correction gas efficiently, it is better to follow the flow direction of the plasma gas. Further, the direction of the capillary tip may be adjusted along the gap d so as to form a spiral flow. Also, capillary handling flexible ones rather by capital case, such as PTFE (polytetrafluoroethylene) can be utilized. In FIG. 1, the capillaries are arranged so as to face upward at 45 degrees with respect to the plane direction of the base portion 14.
本発明のICP装置に用いるガスは、プラズマトー12チに係る、キャリヤーガスCA、補助ガスA、プラズマガスP及び修正ガスCである。それらのガスには、アルゴンガスを用いた。また、修正ガスCは、間隙dの開口端部でのガスの滞留を修正すればよく、プラズマガスPの増減に伴い同様に増減するようにしてもよい。従って、図6(a)に示すように、ガスの導入経路は、従来通りキャリヤーガスCA、補助ガスA及びプラズマガスPを一つのガス制御系で導入すると共に、修正ガスCをプラズマガスPの枝管として導入する構造を採用した。このようにすることで、修正ガスCをプラズマガスPの増減に連動させることができる。なお、修正ガスCの流量は、枝管の内径あるいは簡易な手動のフローメーター等で予め調整することができる。 The gases used in the ICP device of the present invention are carrier gas CA, auxiliary gas A, plasma gas P and correction gas C related to plasma torch 12. Argon gas was used for those gases. Further, the correction gas C only needs to correct the gas retention at the opening end of the gap d, and may be increased or decreased in the same manner as the plasma gas P increases or decreases. Therefore, as shown in FIG. 6 (a), the gas introduction path is such that the carrier gas CA, the auxiliary gas A, and the plasma gas P are introduced by a single gas control system as before, and the correction gas C is introduced into the plasma gas P. The structure introduced as a branch pipe was adopted. In this way, the correction gas C can be linked to the increase or decrease of the plasma gas P. The flow rate of the correction gas C can be adjusted in advance with the inner diameter of the branch pipe or a simple manual flow meter.
また、修正ガスCの流量を個別に制御することを要せず、装置上も制御部やバルブなどの付帯設備を要しない。よって、簡素かつ安価に効率的な装置構成を提供することができる。
なお、図6(b)に示すように修正ガスCを別系統で制御してもよい。この場合は、先に述べた効果は有さないが、修正ガスCとして高価なアルゴン以外の安価なガスを利用可能となる点において有意である。例えば、エアポンプにより空気を送風してもよい。
また、図示しないが、プラズマの点灯時には、上記したガス経路以外に一旦使用するガスで系内を置換するためのチャンバーガス経路を導入してもよい。
Further, it is not necessary to individually control the flow rate of the correction gas C, and no additional equipment such as a controller or a valve is required on the apparatus. Therefore, an efficient apparatus configuration can be provided simply and inexpensively.
In addition, you may control the correction gas C by another system as shown in FIG.6 (b). In this case, although the effects described above are not provided, it is significant in that an inexpensive gas other than expensive argon can be used as the correction gas C. For example, air may be blown by an air pump.
Further, although not shown, when the plasma is turned on, a chamber gas path for replacing the inside of the system with a gas once used may be introduced in addition to the above gas path.
図6(a)のガス経路を採用した本発明に係わるICP装置において、誘導コイル112に周波数27.12MHz、出力1.2kWの条件で高周波エネルギーを発生させ、アルゴンガスを先のプラズマ点灯開始時の条件で数十秒間流した後、イグナイターにより種火を形成させ、それからキャリヤーガスCAを導入してプラズマがドーナツ状になったのを確認し、その後数秒間プラズマが安定するのを待って、定常運転時のプラズマガス流量に切り替えた。この場合、プラズマ点灯開始時のアルゴンガス流量は、プラズマガスPが毎分20Lの設定に対して、この枝管である修正ガスCはキャピラリ152aより毎分0.3L以下であった。また、定常運転時のプラズマガスP及び修正ガスCの流量は、それぞれ、毎分8L及び0.1L以下であった。その結果、試料導入管121の上部に測光高さ十数mmのプラズマが形成され、点灯時から測定の間も一貫して安定なプラズマ炎を得ることができた。この際のプラズマガス流量は、上記の条件であり、従来のICP装置におけるプラズマガス流量である毎分15〜20Lに比して、同等以上の感度を保持したまま略半減することができた。従って、高い経済性を備えることを確認した。 In the ICP apparatus according to the present invention employing the gas path of FIG. 6A, high frequency energy is generated in the induction coil 112 under the conditions of a frequency of 27.12 MHz and an output of 1.2 kW, and argon gas is used at the start of the previous plasma lighting. After igniting for several tens of seconds under the conditions of the The plasma gas flow rate during steady operation was switched. In this case, the argon gas flow rate at the start of plasma lighting was 0.3 L or less per minute from the capillary 152a for the correction gas C which is this branch pipe, while the plasma gas P was set to 20 L per minute. Further, the flow rates of the plasma gas P and the correction gas C during steady operation were 8 L and 0.1 L or less per minute, respectively. As a result, plasma having a photometric height of several tens of millimeters was formed on the upper part of the sample introduction tube 121, and a stable plasma flame could be obtained consistently from the time of lighting to the time of measurement. The plasma gas flow rate at this time is the above-mentioned condition, and was able to be substantially halved while maintaining the sensitivity equal to or higher than the plasma gas flow rate of 15 to 20 L / min in the conventional ICP apparatus. Therefore, it was confirmed that it has high economic efficiency.
(実施例2)
次に、実施例1とは異なる修正ガス導入機構15Bについて説明する。なお、実施例1とは、修正ガス導入機構以外は共通するため、符号は同様とした。
(Example 2)
Next, a modified gas introduction mechanism 15B different from the first embodiment will be described. Since Example 1 is common except for the correction gas introduction mechanism, the reference numerals are the same.
図3は、本発明に係るICP装置として、修正ガスCの導入を実施例1の修正ガス導入機構15Aに係るキャピラリに替えて、流路部材151bのボンネット10Bの固定端(下)側に間隙dの円周に沿うように設けた修正ガスCの噴き出し152bを備えたものを示す。図4(a)には噴き出し152bの経路を斜視図により示した。図4(b)は、(a)のb方向(真上)から見た場合のガス経路を示す。図4(c)は、(a)のB−B’断面のプラズマガス管123の外周面とボンネット10Bの内周面とで形成される間隙dと噴き出し152bの位置関係を示す。ここでは、ボンネット10Bの円周のうち半周分に噴出しを設けたが、全周に設けることや、その円周に沿って間欠するように複数の穴を配置してもよい。また、ガス流路は、ベース部14に貫通孔を作製してもよいし、噴き出し152bを形成可能であればキャピラリを改造して使用してもよい。また、ボンネット10Bの位置決めを容易にするために、実施例1と同様にボンネット10Bの固定端側にスリット101を設けてもよい。 FIG. 3 shows an ICP device according to the present invention, in which the introduction of the correction gas C is replaced with the capillary related to the correction gas introduction mechanism 15A of the first embodiment, and a gap is formed on the fixed end (lower) side of the bonnet 10B of the flow path member 151b. The one provided with the ejection 152b of the correction gas C provided along the circumference of d is shown. FIG. 4A is a perspective view showing the path of the ejection 152b. FIG.4 (b) shows the gas path | route at the time of seeing from the b direction (directly above) of (a). FIG. 4C shows the positional relationship between the gap d formed by the outer peripheral surface of the plasma gas tube 123 and the inner peripheral surface of the bonnet 10B in the B-B ′ cross section of FIG. Here, jets are provided in half of the circumference of the bonnet 10B, but a plurality of holes may be arranged so as to be provided on the entire circumference or intermittently along the circumference. In addition, the gas flow path may be formed with a through hole in the base portion 14 or may be used by remodeling the capillary as long as the ejection 152b can be formed. Further, in order to facilitate positioning of the bonnet 10B, a slit 101 may be provided on the fixed end side of the bonnet 10B as in the first embodiment.
この構造により、プラズマトーチ12の開口端部でのガスは、滞留することが無く実施例1と同様の結果を得ることができ、同様の効果を示した。
本発明のICP装置は、ICP発光分光分析(ICP−OES)装置あるいはICP質量分析装置(ICP−MS)に利用できる。また、それ以外のプラズマ発光を利用した装置に利用可能である。
With this structure, the gas at the opening end of the plasma torch 12 did not stay and the same result as in Example 1 could be obtained, and the same effect was shown.
The ICP apparatus of the present invention can be used for an ICP emission spectroscopic analysis (ICP-OES) apparatus or an ICP mass spectrometer (ICP-MS). In addition, the present invention can be used for other apparatuses using plasma emission.
また、プラズマの横方向から測光する際は、ボンネット10A及び10Bにおいて、測光部付近にスリット102−L及び102−Rの少なくとも一方を備えることができる。このようにすることで、ボンネットの内面が白濁した場合であっても、測光の妨げとならない。この測光用のスリットは、穴であってもよいし、プラズマ炎への大気の影響を防ぐことができる範囲であればその形状は問わない。
また、プラズマガスは、アルゴンに限定されず、窒素、ヘリウム等が利用できる。
Further, when photometry is performed from the lateral direction of the plasma, at least one of the slits 102-L and 102-R can be provided in the vicinity of the photometry unit in the bonnets 10A and 10B. By doing so, even if the inner surface of the bonnet is clouded, photometry is not hindered. The slit for photometry may be a hole or any shape as long as the influence of the atmosphere on the plasma flame can be prevented.
The plasma gas is not limited to argon, and nitrogen, helium, etc. can be used.
また、本発明のICP装置は、その要部となる本発明に係るボンネット及び修正ガス導入機構を従来のICP装置に対して組み込むことにより提供することができる。このことは、既存の装置を廃する必要がなく、本発明の効果を享受することができるため、この点においても経済性に優れるものとなる。 Further, the ICP device of the present invention can be provided by incorporating the bonnet and the correction gas introduction mechanism according to the present invention, which are the main parts thereof, into the conventional ICP device. This eliminates the need to dispose of the existing apparatus and can enjoy the effects of the present invention, and this is also excellent in terms of economy.
以上のように、本発明のICP装置は、プラズマガスの消費量を低減した際の副作用(プラズマの大気の巻き込みによるプラズマ炎の不安定化)を円筒管状の長いボンネットにより解消すると共に、当該ボンネットを用いた際の副作用(プラズマトーチとボンネットによるプラズマガスの一部の停滞に起因するプラズマ点灯時の異常放電)をも解消し、結果として長時間運転時のプラズマガスの消費量を大幅に低減することを可能とした。 As described above, the ICP device of the present invention eliminates the side effect (instability of the plasma flame due to the entrainment of the plasma atmosphere) by reducing the plasma gas consumption by the long cylindrical bonnet, and the bonnet. Side effects (abnormal discharge when the plasma is turned on due to stagnation of part of the plasma gas by the plasma torch and bonnet) are also eliminated, resulting in a significant reduction in plasma gas consumption during long-time operation. Made it possible to do.
従って、従来に比して、極めて経済性に優れるICP装置を提供することができる。
なお、本発明の実施形態は、上記の記載内容に限られるものではなく、趣旨を逸脱しない範囲において適宜、改良や変更を加えることが可能である。
Therefore, it is possible to provide an ICP device that is extremely economical as compared with the prior art.
Note that the embodiment of the present invention is not limited to the above description , and can be appropriately improved or changed without departing from the spirit of the present invention.
10A,10B,30 ボンネット
11,31 プラズマ生成部
12,32 プラズマトーチ
13,33 試料導入部
14 プラズマトーチ支持部材
15A,15B 修正ガス導入部
10A, 10B, 30 Bonnet 11, 31 Plasma generation unit 12, 32 Plasma torch 13, 33 Sample introduction unit 14 Plasma torch support member 15A, 15B Correction gas introduction unit
Claims (13)
試料を導入する試料導入部と、
キャリヤーガス用のインナーチューブ、補助ガス用のミドルチューブ及びプラズマガス用のアウターチューブからなる同心の三重管構造であり、一端部にこれらのガス導入部を備えた端部が開口状態になっているプラズマトーチと、
前記プラズマトーチとは分離しており、生成したプラズマ炎の先端部まで十分に取り囲む高さを有し、所定の距離だけ離間して前記プラズマトーチに外嵌するように配置した円筒形状のボンネットと、
前記プラズマ炎が生成する前記プラズマトーチ開口端隣部のプラズマ生成領域を取り囲むように前記ボンネットに外嵌して配置した誘導コイルと、
前記キャリヤーガス、前記補助ガス及び前記プラズマガスを制御するガス制御部と、
前記ボンネットの内面と前記アウターチューブの外面とで形成する間隙部に前記プラズマガスの流路修正用の修正ガスを導入する修正ガス導入機構と、を備えることを特徴とするICP装置。 In ICP equipment,
A sample introduction part for introducing a sample;
It is a concentric triple tube structure comprising an inner tube for carrier gas, a middle tube for auxiliary gas, and an outer tube for plasma gas, and an end portion including these gas introduction portions at one end portion is in an open state. With a plasma torch,
A cylindrical bonnet that is separated from the plasma torch, has a height that sufficiently surrounds the front end of the generated plasma flame, and is arranged so as to be externally fitted to the plasma torch by being separated by a predetermined distance ; ,
An induction coil that is externally fitted to the bonnet so as to surround a plasma generation region adjacent to the plasma torch opening end generated by the plasma flame;
A gas control unit for controlling the carrier gas, the auxiliary gas, and the plasma gas;
An ICP apparatus comprising: a correction gas introduction mechanism for introducing a correction gas for correcting a flow path of the plasma gas into a gap formed by an inner surface of the bonnet and an outer surface of the outer tube.
前記ベース部が、前記ボンネットの固定側の円筒端部が接する線上の一部に配置時の基準となる前記スリットと勘合可能な凸部を備えた、請求項1に記載のICP装置。 The bonnet includes a slit that communicates the inside and outside of the cylinder in a part of the circumference of the opening end supported by the base portion that supports and fixes the bonnet,
2. The ICP device according to claim 1 , wherein the base portion includes a convex portion that can be fitted with the slit serving as a reference at the time of arrangement on a part of a line that is in contact with a cylindrical end portion on the fixed side of the bonnet.
当該キャピラリの噴き出し側端部を前記ボンネットの固定側端部の前記間隙部に向くように配置した請求項2に記載のICP装置。 The correction gas introduction mechanism includes a capillary for ejecting the correction gas;
The ICP device according to claim 2 , wherein the ejection side end portion of the capillary is arranged so as to face the gap portion of the fixed side end portion of the bonnet.
当該流路が前記プラズマトーチのガス導入部側の前記間隙部の一部又は全部に沿って配置され、当該間隙部に沿った部分の一部又は全部が開口している請求項1に記載のICP装置。 The correction gas introduction mechanism includes a flow path for the correction gas;
The said flow path is arrange | positioned along a part or all of the said gap | interval part by the side of the gas introduction part of the said plasma torch, The part or all of the part along the said gap | interval part is opening. ICP device.
当該キャピラリの噴き出し側端部を前記ボンネットの固定側端部の前記間隙部に向くように配置した請求項1に記載のICP装置。 The ICP device according to claim 1, wherein the ejection side end portion of the capillary is arranged so as to face the gap portion of the fixed side end portion of the bonnet.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012144604A JP5965743B2 (en) | 2012-06-27 | 2012-06-27 | ICP device, spectroscopic analyzer, and mass spectrometer |
KR1020130071401A KR101948943B1 (en) | 2012-06-27 | 2013-06-21 | Icp apparatus, spectrometer and mass spectrometer |
CN201310261620.6A CN103515184B (en) | 2012-06-27 | 2013-06-27 | Inductively coupled plasma device, spectroscopic analyzer, and mass spectrometer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012144604A JP5965743B2 (en) | 2012-06-27 | 2012-06-27 | ICP device, spectroscopic analyzer, and mass spectrometer |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014009961A JP2014009961A (en) | 2014-01-20 |
JP2014009961A5 JP2014009961A5 (en) | 2015-04-30 |
JP5965743B2 true JP5965743B2 (en) | 2016-08-10 |
Family
ID=49897722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012144604A Active JP5965743B2 (en) | 2012-06-27 | 2012-06-27 | ICP device, spectroscopic analyzer, and mass spectrometer |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5965743B2 (en) |
KR (1) | KR101948943B1 (en) |
CN (1) | CN103515184B (en) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112017007408B4 (en) * | 2017-04-06 | 2021-01-28 | Ulvac, Inc. | Ion source and ion implantation device |
CN108732234B (en) * | 2017-04-24 | 2020-09-29 | 上海新昇半导体科技有限公司 | Plasma generator |
US11648574B2 (en) | 2017-05-12 | 2023-05-16 | Sumco Corporation | Spray chamber, sample atomization and introduction device, analysis device, and method of analyzing component in sample |
CN107464735A (en) * | 2017-06-28 | 2017-12-12 | 中国地质科学院水文地质环境地质研究所 | A kind of new chlorine bromine isotope mass spectrometer and its analysis method |
CN108181374A (en) * | 2018-02-08 | 2018-06-19 | 聚光科技(杭州)股份有限公司 | The method of work of plasma-mass spectrometry system |
CN110519904B (en) * | 2019-08-16 | 2020-09-29 | 中国地质大学(武汉) | A device and method for forming an ICP plasma source based on a magnetic collector |
CN110677972A (en) * | 2019-10-17 | 2020-01-10 | 中国人民解放军国防科技大学 | Plasma generator for SiC optical mirror processing and application method thereof |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS584062U (en) * | 1981-06-30 | 1983-01-11 | 日本ジヤ−レル・アツシユ株式会社 | High frequency induction plasma torch tube |
GB8602463D0 (en) * | 1986-01-31 | 1986-03-05 | Vg Instr Group | Mass spectrometer |
US4926021A (en) * | 1988-09-09 | 1990-05-15 | Amax Inc. | Reactive gas sample introduction system for an inductively coupled plasma mass spectrometer |
JPH0782918B2 (en) * | 1991-11-11 | 1995-09-06 | 株式会社三社電機製作所 | Induction plasma torch |
US5642190A (en) * | 1995-09-01 | 1997-06-24 | Thermo Jarrell Ash Corp. | Dual-axis plasma imaging system for use in spectroscopic analysis |
JPH11111491A (en) * | 1997-10-01 | 1999-04-23 | Yokogawa Analytical Systems Inc | Plasma generator |
EP0930810A1 (en) * | 1997-12-29 | 1999-07-21 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Plasma torch with adjustable distributor and gas analysis system using such a torch |
JP2003194723A (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Rikogaku Shinkokai | Plasma torch |
JP2004327243A (en) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Tdk Corp | Inductively coupled plasma mass spectrometer and mass spectrometry method |
JP2010197080A (en) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Sii Nanotechnology Inc | Induction coupling plasma analyzer |
JP2010197207A (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Shimadzu Corp | Emission spectral analysis method and emission spectrophotometer |
EP2566650B1 (en) * | 2010-05-05 | 2019-10-02 | PerkinElmer Health Sciences, Inc. | Inductive devices and low flow plasmas using them |
-
2012
- 2012-06-27 JP JP2012144604A patent/JP5965743B2/en active Active
-
2013
- 2013-06-21 KR KR1020130071401A patent/KR101948943B1/en active IP Right Grant
- 2013-06-27 CN CN201310261620.6A patent/CN103515184B/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140001125A (en) | 2014-01-06 |
KR101948943B1 (en) | 2019-02-15 |
CN103515184B (en) | 2017-06-16 |
CN103515184A (en) | 2014-01-15 |
JP2014009961A (en) | 2014-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5965743B2 (en) | ICP device, spectroscopic analyzer, and mass spectrometer | |
US9847217B2 (en) | Devices and systems including a boost device | |
US9198275B2 (en) | Inductive devices and low flow plasmas using them | |
US8633416B2 (en) | Plasmas and methods of using them | |
JP5459867B2 (en) | Analysis method and analysis system | |
CN108152358B (en) | Plasma-mass spectrometry system and working method thereof | |
US20060286492A1 (en) | Boost devices and methods of using them | |
RU2008131073A (en) | PLASMA BURNER FOR PRODUCING SYNTHETIC SILICON DIOXIDE | |
RU2016106108A (en) | DEVICES FOR PLASMA ARC BURNERS WITH GAS COOLING AND SYSTEMS AND METHODS RELATING TO THEM | |
CN107421952A (en) | Gas analyzing apparatus | |
CA2473837A1 (en) | Microwave plasma source | |
CA2608528C (en) | Boost devices and methods of using them | |
CN211350573U (en) | Plasma source chamber used in spectrometer and spectrometer | |
RU2013122759A (en) | SMOKE ANALYSIS CELL | |
US20180332697A1 (en) | Torches and systems and methods using them | |
JP2014009961A5 (en) | ||
US20160222507A1 (en) | Apparatus and method for purging gaseous compounds | |
JP3800621B2 (en) | ICP analyzer | |
CN103969243A (en) | Device for detecting infinitesimal sample elements through microporous high-speed jet stream atomic emission spectrometry | |
US6709632B2 (en) | ICP analyzer | |
JP2010197080A (en) | Induction coupling plasma analyzer | |
CN103604940A (en) | Inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry/mass spectrometry (ICP-AES/ MS) switching-free type organic sampling device | |
JPH11258163A (en) | Icp analyzer | |
JP4333542B2 (en) | ICP emission analyzer | |
JP2001305059A (en) | Inductively coupled plasma photometric analyzer and its method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20150202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150227 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150311 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160304 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160607 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160704 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5965743 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |