[go: up one dir, main page]

JP5753446B2 - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

半導体発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5753446B2
JP5753446B2 JP2011135585A JP2011135585A JP5753446B2 JP 5753446 B2 JP5753446 B2 JP 5753446B2 JP 2011135585 A JP2011135585 A JP 2011135585A JP 2011135585 A JP2011135585 A JP 2011135585A JP 5753446 B2 JP5753446 B2 JP 5753446B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
light emitting
emitting device
semiconductor light
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011135585A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013004807A (ja
Inventor
下村　健二
健二 下村
小松　哲郎
哲郎 小松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2011135585A priority Critical patent/JP5753446B2/ja
Priority to US13/414,497 priority patent/US8753907B2/en
Publication of JP2013004807A publication Critical patent/JP2013004807A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5753446B2 publication Critical patent/JP5753446B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12035—Zener diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明の実施形態は、半導体発光装置の製造方法に関する。
半導体発光装置は、従来のバルブタイプの光源に比べて低消費電力、長寿命であり、表示器機や照明器具など、様々な用途に使用されようとしている。例えば、発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）を搭載した半導体発光装置は、小型化、低電圧駆動が可能であり、発光の制御も容易である。このため、その用途は広範囲に及ぶ。
一方、さらなる省エネルギー化に対応するため、半導体発光装置から放出される光を効率良く利用し、消費電力を低減する技術が求められている。例えば、ＬＥＤを搭載する半導体発光装置のパッケージには、ＬＥＤの発光を反射して配光を制御する外囲器が設けられる。しかしながら、半導体発光装置の用途ごとに適合する配光が異なり、それぞれに対応した外囲器を形成することは高コスト化を招く。そこで、配光制御を低コストで実現し、広い用途に適合可能な半導体発光装置、および、その製造方法が必要とされている。
特開２０１０−１４０９４２号公報
実施形態は、配光制御を低コストで実現し、広い用途に適合可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。
実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、発光素子が固着された第１のフレームと、前記第１のフレームから離間して配置され、前記発光素子の電極と金属ワイヤで接続された第２のフレームと、前記発光素子と前記第１のフレームと前記第２のフレームとを覆う樹脂パッケージと、を有する半導体発光装置の製造方法である。そして、複数の前記第１のフレームと、複数の前記第２のフレームと、が交互に配置された金属プレートの表面に、前記発光素子と前記第１のフレームと前記第２のフレームとを覆う第１の樹脂を成形する工程と、前記第１の樹脂が形成された前記表面とは反対側の前記金属プレートの裏面から、前記金属プレートおよび前記第１の樹脂を切断することにより、前記第１の樹脂を含む前記樹脂パッケージの外周に沿って、前記金属プレートから前記第１の樹脂の方向に幅が狭まる溝を形成する工程と、前記溝の内部に第２の樹脂を充填する工程と、前記第２の樹脂を前記溝に沿って分断し、前記第１の樹脂の外縁を前記第２の樹脂で覆った前記樹脂パッケージを形成する工程と、を備える。
第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造過程を模式的に例示する断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、図２に続く半導体発光装置の製造過程を模式的に例示する断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、真空成形の過程を模式的に例示する断面図である。 第１の実施形態の変形例に係る半導体発光装置の製造過程を模式的に例示する断面図である。 第１の実施形態の変形例に係る半導体発光装置を模式的に例示する断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態に係る半導体発光装置の製造過程を模式的に例示する断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、図７に続く半導体発光装置の製造過程を模式的に例示する断面図である。 第３の実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図である。 第４の実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第４の実施形態に係る半導体発光装置の詳細な構造を例示する模式図である。 第４の実施形態に係る半導体発光装置のリードフレームを例示する模式図である。 （ａ）は、第４の実施形態における金属プレートを例示する平面図であり、（ｂ）は、この金属プレートの一部を拡大した平面図である。 第５の実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図である。 第６の実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第６の実施形態に係る半導体発光装置の詳細な構造を例示する模式図である。 第６の実施形態に係る半導体発光装置のリードフレームを例示する模式図である。 第７の実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第７の実施形態に係る半導体発光装置の詳細な構造を例示する模式図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第７の実施形態に係る半導体発光装置の製造過程を模式的に例示する断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、図２０に続く半導体発光装置の製造過程を模式的に例示する断面図である。 第８の実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第８の実施形態に係る半導体発光装置の詳細な構造を例示する模式図である。
以下、実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。また、本明細書では、便宜上、各図中に示すＸＹＺ直交座標系に基づいて、半導体発光装置の構成を説明する。
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る半導体発光装置１を例示する斜視図である。半導体発光装置１は、発光素子１４と、第１のフレームであるリードフレーム１１と、第２のフレームであるリードフレーム１２と、樹脂パッケージ１８と、を備える。
図１に示すように、半導体発光装置１は、発光素子１４として、ＬＥＤ１４ａと、ＬＥＤ１４ｂと、を搭載する。そして、リードフレーム１１の表面には、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂが固着される。リードフレーム１２は、リードフレーム１１からＸ方向に離間して配置され、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂの電極１４ｔと、それぞれ金属ワイヤ１７ｂおよび１７ｄにより接続される。
リードフレーム１１および１２は、例えば、同一平面に並列配置された平板であり、同じ導電性材料からなる。リードフレーム１１および１２は、例えば、銅板であり、その表面および裏面に銀めっきが施される。これにより、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂの放射する光を反射する。
樹脂パッケージ１８は、ＬＥＤ１４ａ、ＬＥＤ１４ｂ、リードフレーム１１およびリードフレーム１２を覆う第１の樹脂１９ａと、第１の樹脂１９ａの外縁を覆う第２の樹脂１９ｂと、を含む。
第１の樹脂１９ａは、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂの放射する光を透過する透明樹脂であり、第２の樹脂１９ｂは、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂの光を反射する材料を含む。第２の樹脂１９ｂには、例えば、反射材として酸化チタンの微粉末を含む白色の樹脂を用いることができる。
上記の構成により、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂから放射される光は、第２の樹脂１９ｂの内面１９ｃ、および、リードフレーム１１および１２の表面で反射され、Ｚ方向に放出される。すなわち、第２の樹脂１９ｂは、半導体発光装置１の配光特性を制御する外囲器として機能する。例えば、第２の樹脂に含まれる反射材の量を制御することにより反射率を変化させ、配光特性を変えることができる。また、Ｘ方向、Ｙ方向における第２の樹脂１９ｂの厚さを変えて、配光特性を制御しても良い。
第１の樹脂１９ａと第２の樹脂１９ｂとの間の密着度を高くするために、第１の樹脂１９ａと第２の樹脂１９ｂとが同じ材料を含むことが好ましい。例えば、第１の樹脂１９ａおよび第２の樹脂１９ｂの主成分としてシリコーン樹脂を用いることができる。
なお、本明細書において、「覆う」とは、覆うものが覆われるものに接触している場合と接触していない場合の双方を含む概念である。例えば、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂと、それらを覆う第１の樹脂１９ａと、の間に、他の材料が介在しても良い。
本実施形態に用いるＬＥＤ１４ａおよび１４ｂは、例えば、サファイア基板上に積層された窒化ガリウム（ＧａＮ）等を含む半導体層を材料とする。そのチップ形状は、例えば、直方体であり、その上面に電極１４ｓおよび１４ｔが設けられる。ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂは、電極１４ｓと電極１４ｔとの間に駆動電流を流すことにより、例えば、青色の光を放射する。
図１に示すように、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂは、リードフレーム１１の表面に被着されたダイマウント材１３ａおよび１３ｂを介して固着される。本実施形態に係るＬＥＤ１４ａおよび１４ｂでは、活性領域（発光部）と、チップの裏面と、の間が、絶縁性基板（サファイア基板）により電気的に分離されている。したがって、ダイマウント材１３ａおよび１３ｂは導電性であっても絶縁性であっても良い。ダイマウント材１３ａおよび１３ｂには、例えば、銀ペースト、半田または共晶半田を用いることができる。また、ダイマウント材１３ａおよび１３ｂとして、例えば、透明樹脂ペーストからなる接着剤を用いても良い。
ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂの電極１４ｔは、金属ワイヤ１７ｂおよび１７ｄを介してリードフレーム１２に接続される。一方、電極１４ｓは、金属ワイヤ１７ａおよび１７ｃを介してリードフレーム１１に電気的に接続される。これにより、リードフレーム１１とリードフレーム１２との間に駆動電流を流し、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂを発光させることができる。
また、リードフレーム１１には、表面から裏面側に向けて窪んだ溝１１ｍが設けられる。溝１１ｍは、リードフレーム１１の表面に塗布されるダイマウント材１３のＸ方向、Ｙ方向における広がりを制限する。これにより、溝１１ｍを跨いでボンディングされる金属ワイヤ１７ａおよび１７ｂのボンディング面の汚染を防ぎ、金属ワイヤ１７ａおよび１７ｂと、リードフレーム１１と、の間のボンディング強度を向上させる。
リードフレーム１１に固着される発光素子の数は、上記の例における２個に限らず、１個でも良いし、２個以上であっても良い。発光波長が同じ複数の素子を搭載することにより、光出力を向上させることができる。また、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を放射する３つの発光素子を搭載することにより、白色光を出射させることもできる。
さらに、第１の樹脂１９ａに蛍光体を分散させ、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂから放射される光の波長を変換することもできる。例えば、第１の樹脂１９ａにシリケート系の蛍光体を分散させることにより、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂから放射される青色の光の一部を吸収させ、黄色の蛍光を放射させることができる。これにより、半導体発光装置１は、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂが放射した青色の光と、蛍光体２０から放射された黄色の光と、が混合された白色光を出射する。
次に、図２〜図４を参照して、半導体発光装置１の製造方法について説明する。図２（ａ）〜図３（ｄ）は、半導体発光装置１の製造過程を模式的に例示する断面図である。図４（ａ）〜（ｃ）は、真空成形の過程を模式的に例示する断面図である。
まず、金属プレート２３の表面に、ＬＥＤ１４と、リードフレーム１１と、リードフレーム１２と、を覆う第１の樹脂１９ａを成形する。金属プレート２３には、複数のリードフレーム１１と、複数のリードフレーム１２と、が交互に配置される（図１２参照）。
図２（ａ）に示す例では、リードフレーム１１と、リードフレーム１２になる部分と、が一体に形成され、後の工程において、リードフレーム１１と、リードフレーム１２とに分離される。リードフレーム１１の表面には、ＬＥＤ１４が固着され、その電極と、リードフレーム１２になる部分とが、金属ワイヤ１７により電気的に接続される。
次に、例えば、図４に示す真空成形法を用いて、金属プレート２３の表面に第１の樹脂１９ａを形成する。
図４（ａ）に示すように、金属プレート２３の裏面に、ポリイミドからなる補強シート２４を貼付し、補強シート２４を介して上金型１０２の係合面（下面）に取り付ける。一方、上金型１０２に対応する下金型１０１は、係合面（上面）に直方体形状の凹部１０１ａを有する。そして、その凹部１０１ａに、第１の樹脂１９ａとなる樹脂材料２６を充填する。
樹脂材料２６には、所定の蛍光体を分散させることができる。例えば、透明なシリコーン樹脂に蛍光体を混合し撹拌することにより、液状または半液状の蛍光体を含む樹脂材料２６を調製する。蛍光体を透明なシリコーン樹脂に混合する場合、チキソトロープ剤を用いて均一に分散させる。そして、凹部１０１ａの中に、ディスペンサを用いて蛍光体が分散された樹脂材料２６を充填する。
次に、図４（ｂ）に示すように、上金型１０２と下金型１０１とを型締めする。これにより、金属プレート２３の表面に樹脂材料２６が付着する。この際、ＬＥＤ１４、金属ワイヤ１７、リードフレーム１１および１２を樹脂材料２６が隙間無く均一に覆うように、上金型１０２と下金型１０１との間は真空排気される。続いて、金型の温度を上昇させて樹脂材料２６を硬化させる。
次に、図４（ｃ）に示すように、上金型１０２と、下金型１０１と、を開き、第１の樹脂１９ａを凹部１０１ａから離型させる。続いて、金属プレート２３を上金型１０２から外し、その裏面から補強シート２４を引き剥がす。これにより、金属プレート２３の表面に第１の樹脂１９ａが形成される。
次に、図２（ｂ）に示すように、第１の樹脂１９ａの表面に犠牲シート２７を貼着する。犠牲シート２７には、例えば、ダイシングシート３４よりも粘着力が弱い耐熱シートを用いる。紫外線の照射により粘着力が低下するＵＶシートを用いても良い。
続いて、図２（ｃ）に示すように、第１の樹脂１９ａを含む樹脂パッケージ１８の外周に沿った溝２５を、金属プレート２３の上に形成する。溝２５は、例えば、ダイシングブレードを用いて、第１の樹脂１９ａの少なくとも一部を切断することにより形成する。
次に、例えば、図４（ｂ）に示す真空成型法を用いて、第１の樹脂１９ａを覆う第２の樹脂１９ｂを形成する。これにより、溝２５の内部にも第２の樹脂１９ｂが充填される。第２の樹脂１９ｂを形成する樹脂材料２６には、例えば、酸化チタンの微粉末が分散される。
続いて、金属プレート２３をダイシングシート３５に貼り付け、ダイシングブレードにより、第２の樹脂１９ｂを溝２５に沿って分断する。この際、ダイシングブレードは、溝２５を形成したダイシングブレードよりも幅の狭いものを用いる。これにより、第２の樹脂１９ｂを分断した溝３７の幅が溝２５の幅よりも狭くなり、第１の樹脂１９ａの外縁（側面）を覆う第２の樹脂１９ｂを形成することができる。溝３７は、金属プレート２３を切断し、ダイシングシート３５に至る深さに形成する。これにより、リードフレーム１１と、リードフレーム１２とが分離される。
次に、図３（ｂ）に示すように、第２の樹脂１９ｂの上面に粘着シート３９を貼着する。粘着シート３９には、犠牲シート２７よりも粘着力の大きなものを用いる。そして、第２の樹脂１９ｂの上面に貼り付いた粘着シートを引き剥がすことにより、第１の樹脂１９ａの上面に形成された第２の樹脂１９ａを犠牲シート２７と共に取り除く。これにより、図３（ｃ）に示すように、第１の樹脂１９ａの外縁を第２の樹脂１９ｂで覆った樹脂パッケージ１８を形成することができる。第２の樹脂１９ｂの厚さは、図２（ｃ）に示す工程で使用するダイシングブレードの刃の厚さで調整することができる。
図３（ｄ）は、ダイシングシート３５から取り外された半導体発光装置１を示している。半導体発光装置１は、同図に示すＺ方向にＬＥＤ１４の光を放出し、樹脂パッケージ１８における発光面１８ａの反対側の１つの主面１８ｂに、リードフレーム１１の裏面およびリードフレーム１２の裏面が露出する。リードフレーム１１および１２の裏面には、例えば、回路基板にボンディングする際に使用されるハンダ材に馴染み易いＡｇメッキ面が施される。
さらに、主面１８ｂに交差する複数の側面には、リードフレーム１１の端面、および、リードフレーム１２の端面が露出する。ダイシングブレードで切断された各端面には、リードフレーム１１および１２の芯材、例えば、銅（Ｃｕ）が露出する。
図５（ａ）〜（ｄ）は、半導体発光装置１の別の製造過程を模式的に例示する断面図である。同図に示す製造方法では、第１の樹脂１９ａの上に形成される第２の樹脂１９ｂの除去過程が、図２（ａ）〜図３（ｄ）に示す製造方法と相違する。
図５（ａ）に示すように、本実施形態では、第１の樹脂１９ａの表面に犠牲シート２７を貼着せずにダイシングを行い溝２５を形成する。続いて、図５（ｂ）に示すように、第１の樹脂１９ａの上に第２の樹脂１９ｂを成形し、第２の樹脂１９ｂを溝２５に充填する。
次に、第２の樹脂１９ｂの表面を研磨もしくは研削し、図５（ｃ）に示すように、第１の樹脂１９ａの表面を露出させる。続いて、溝２５の延在方向に沿って、第２の樹脂１９ｂと金属プレート２３とを切断する。これにより、図５（ｄ）に示すように、第１の樹脂１９ａの外縁を第２の樹脂１９ｂで覆った樹脂パッケージ１８を形成することができる。
図６は、第１の実施形態の変形例に係る半導体発光装置２および３を模式的に例示する断面図である。
図６（ａ）に示す半導体発光装置２では、樹脂パッケージ１８の外縁におけるリードフレーム１１および１２の端部の厚さＷ２が、リードフレーム１１の発光素子１４がボンディングされた部分の厚さＷ１、および、リードフレーム１２の金属ワイヤ１７がボンディングされた部分の厚さＷ１よりも薄くなっている。このような構造は、例えば、図２（ｃ）に示す溝２５を形成する工程において、リードフレーム１１および１２をハーフカットすることにより形成することができる。
例えば、半導体発光装置２を回路基板にボンディングする際には、リードフレーム１１および１２の裏面と、回路基板のランドパターンと、をハンダ付けする。この際、ハンダ材は、リードフレーム１１および１２の裏面に広がるだけでなく、端面１１ｕおよび１２ｕに沿って這い上がる。そこで、リードフレーム１１および１２の端部を薄く加工して段差を設けることにより、端面１１ｕおよび１２ｕを這い上がったハンダが段差より奥へ侵入することを抑制する。
図６（ｂ）に示す半導体発光装置３では、第１の樹脂１９ａの外縁を覆う第２の樹脂１９ｂと、リードフレーム１１および１２と、の間に、第１の樹脂１９ａが介在する。例えば、図２（ｃ）に示す工程において、ダイシング深さを浅く設定することにより、第２の樹脂１９ｂと、リードフレーム１１および１２と、の間に、第１の樹脂１９ａを残した部分４１を形成することができる。
リードフレーム１１および１２の端面を這い上がるハンダの侵入を防ぐために、リードフレーム１１および１２と、樹脂パッケージ１８と、の間の密着度が大きいことが望ましい。すなわち、半導体発光装置３は、リードフレーム１１および１２と、第１の樹脂１９ａと、の間の密着度が、リードフレーム１１および１２と、第２の樹脂１９ｂと、の間の密着度よりも高い場合に有利であり、ハンダの侵入を抑制することができる。
上記の通り、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法では、第１の樹脂１９ａと、その外縁を覆う第２の樹脂１９ｂと、を含む樹脂パッケージ１８を容易に形成することができる。そして、第２の樹脂１９ｂの厚さ、および、第２の樹脂に分散する反射材の量を変えることにより、配光特性を制御することができる。このように、本実施形態によれば、配光制御を低コストで実現し、広い用途に適合可能な半導体発光装置を提供することができる。
［第２の実施形態］
図７（ａ）〜図８（ｃ）は、第２の実施形態に係る半導体発光装置４の製造過程を模式的に例示する断面図である。図８（ｃ）に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置４では、第１の樹脂１９ａの外縁とリードフレーム１１および１２の端面が第２の樹脂１９ｂにより覆われる点で、第１の実施形態に係る半導体発光装置１〜３と相違する。
本実施形態に係る製造方法では、第１の樹脂１９ａが形成された金属プレート２３を、例えば、ダイシングシート３５に貼り付ける。そして、図７（ａ）に示すように、ダイシングブレードを用いて、第１の樹脂１９ａの表面からダイシングシート３５に至る深さまで切断し、溝２５を形成する。続いて、図７（ｂ）に示すように、ダイシングシート３５を、Ｘ方向およびＹ方向に拡張し、溝２５の幅を広げる。
次に、図７（ｃ）に示すように、例えば、真空成形法を用いて、第１の樹脂１９ａの表面を覆う第２の樹脂１９ｂを形成する。続いて、図８（ａ）に示すように、第２の樹脂１９ｂの上面を研磨もしくは研削し、第１の樹脂１９ａを露出させる。
次に、図８（ｂ）に示すように、第２の樹脂１９ｂを溝２５の延在方向に沿って切断する。この場合も、溝２５の内部に充填された第２の樹脂１９ｂを、例えば、溝２５の幅よりも薄いダイシングブレードを用いて切断する。
図８（ｃ）は、ダイシングシート３５から取り外した１つの半導体発光装置４を示す断面図である。同図に示すように、半導体発光装置４では、第２の樹脂１９ｂが、第１の樹脂１９ａの外縁と、リードフレーム１１および１２の端面とを覆う。そして、リードフレーム１１および１２の裏面のみが、樹脂パッケージ１８の１つの主面に露出する。言い換えれば、その主面に平行な平面視において、リードフレーム１１および１２は、樹脂パッケージ１８の外縁の内側に位置する。
本実施形態に係る製造方法では、ダイシングシート３５をＸ方向およびＹ方向に拡張することにより、第１の樹脂１９ａの外縁を覆う第２の樹脂１９ｂの厚さを変えることができる。これにより、配光特性を変化させることができる。また、本実施形態に係る製造方法により製作された半導体発光装置４では、樹脂パッケージ１８の側面にリードフレームが露出しない。このため、ダイシングによりリードフレーム１１および１２の端面に生じるバリなどが樹脂パッケージ１８の表面に出ることがない。したがって、外形不良を低減することができる。さらに、リードフレーム１１および１２の端部を絶縁性樹脂で覆うことにより、電界による異物のマイグレーションを抑制し信頼度を向上させることができる。
［第３の実施形態］
図９は、第３の実施形態に係る半導体発光装置５を例示する斜視図である。同図に示すように、半導体発光装置５では、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置１〜４と比較して、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂが、上下導通型の構造である点が相違する。
すなわち、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂには、発光面側の上面電極１４ｕおよび裏面電極（図示せず）が設けられている。このため、図１に示す金属ワイヤ１７ａおよび１７ｃは設けられない。この場合、ダイマウント材１３ａおよび１３ｂは、導電性の材料を含む。また、リードフレーム１１の表面において、金属ワイヤ１７ａおよび１７ｃのボンディング面をダイマウント材１３ａおよび１３ｂの塗布領域から区画するための溝１１ｍが設けられない。本実施形態における上記以外の構成、製造方法および作用効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
［第４の実施形態］
図１０は、第４の実施形態に係る半導体発光装置６を例示する斜視図である。図１１（ａ）〜（ｄ）は、半導体発光装置６の詳細な構造を例示する模式図である。
半導体発光装置６では、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置１の構成に加えて、ツェナーダイオード１６が設けられている点で相違する。ツェナーダイオード１６は、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂを電圧サージから保護するために設けられる。
ツェナーダイオード１６と、リードフレーム１１と、の間は、金属ワイヤ１７ｅにより電気的に接続される。このため、リードフレーム１１には、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂを固着するダイマウント材１３ａおよび１３ｂが塗布される領域と、金属ワイヤ１７ｅのボンディング面と、を区画する溝１１ｎが設けられる。さらに、リードフレーム１２には、ツェナーダイオード１６を固着するためのダイマウント材１５を塗布する領域と、金属ワイヤ１７ｂおよび１７ｄのボンディング面を区画するための溝１２ｍが設けられている。
図１１（ａ）は、Ｚ方向から見た半導体発光装置６の平面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）におけるＡ−Ａ’断面の構造を示す模式図であり、図１１（ｄ）は、図１１（ａ）におけるＢ−Ｂ’断面の構造を示す模式図である。図１１（ｃ）は、発光面１８ａの反対側の裏面を示す底面図である。
図１１（ａ）、（ｂ）、（ｄ）に示すように、第１の樹脂１９ａは、ＬＥＤ１４ａ、１４ｂ、金属ワイヤ１７ａ〜１７ｅを覆い、リードフレーム１１および１２の上面および側面を覆うように形成される。そして、第１の樹脂１９ａの外縁（側面）を覆う第２の樹脂１９ｂが設けられる。そして、第１の樹脂１９ａは、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂが放射する光、および、蛍光体２０が発する蛍光（以下、出射光と総称）を透過する。第１の樹脂１９ａは、例えば、透明なシリコーン樹脂によって形成される。ここで、「透明」とは、半透明も含む。
第２の樹脂１９ｂは、出射光に対する透過率が第１の樹脂１９ａにおける透過率よりも低い。例えば、白色のシリコーン樹脂によって形成される。そして、第２の樹脂１９ｂの表面における出射光の反射率は、第１の樹脂１９ａの表面における出射光の反射率よりも高い。具体的には、第１の樹脂１９ａは、例えば、ジメチル系シリコーン樹脂によって形成される。第２の樹脂１９ｂもジメチル系シリコーン樹脂によって形成され、反射材を含有する。反射材には、例えば、酸化チタンを主成分とする微粉末を用いる。これにより、可視光および近紫外領域（例えば、波長８００〜３５０ｎｍの領域）において、例えば、８０％以上の反射率を実現することができる。
第１の樹脂１９ａの内部には、蛍光体２０を分散させることができる。蛍光体２０は粒状であり、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂから出射された光を吸収し、その光よりも長波長の蛍光を発する。例えば、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂが出射する青色の光の一部を吸収し、黄色の蛍光を発する蛍光体２０を分散させる。これにより、半導体発光装置６は、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂから出射し蛍光体２０に吸収されなかった青色の光と、蛍光体２０の黄色の蛍光と、が混合された白色光を出射する。
なお、便宜上、図１１（ｂ）および（ｄ）において、蛍光体２０は、実際よりも低濃度で、且つ、大きなサイズに描いている。また、図１０の斜視図、および、図１１（ａ）の平面図では、蛍光体２０を省略している。
蛍光体２０として、例えば、黄緑色、黄色またはオレンジ色の光を発光するシリケート系の蛍光体を使用することができる。シリケート系の蛍光体は、以下の一般式で表すことができる。
（２−ｘ−ｙ）ＳｒＯ・ｘ（Ｂａｕ，Ｃａｖ）Ｏ・（１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）ＳｉＯ２・ａＰ２Ｏ５ｂＡｌ２Ｏ３ｃＢ２Ｏ３ｄＧｅＯ２：ｙＥｕ２＋
但し、０＜ｘ、０．００５＜ｙ＜０．５、ｘ＋ｙ≦１．６、０≦ａ、ｂ、ｃ、ｄ＜０．５、０＜ｕ、０＜ｖ、ｕ＋ｖ＝１である。
また、黄色蛍光体として、ＹＡＧ系の蛍光体を使用することもできる。ＹＡＧ系の蛍光体は、以下の一般式で表すことができる。
（ＲＥ１−ｘＳｍｘ）３（ＡｌｙＧａ１−ｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ
但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、ＲＥはＹおよびＧｄから選択される少なくとも１種の元素である。
蛍光体２０として、サイアロン系の赤色蛍光体および緑色蛍光体を混合して使用することもできる。すなわち、蛍光体２０は、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂから出射された青色の光を吸収して緑色の光を発光する緑色蛍光体、および青色の光を吸収して赤色の光を発光する赤色蛍光体とすることができる。
サイアロン系の赤色蛍光体は、例えば下記一般式で表すことができる。
（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ１ＡｌＳｉｂ１Ｏｃ１Ｎｄ１
但し、ＭはＳｉおよびＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、特に、ＣａおよびＳｒの少なくとも一方であることが望ましい。Ｒは発光中心元素であり、Ｅｕが望ましい。ｘ、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１は、０＜ｘ≦１、０．６＜ａ１＜０．９５、２＜ｂ１＜３．９、０．２５＜ｃ１＜０．４５、４＜ｄ１＜５．７である。このようなサイアロン系の赤色蛍光体の具体例を以下に示す。
Ｓｒ２Ｓｉ７Ａｌ７ＯＮ１３：Ｅｕ２＋
サイアロン系の緑色蛍光体は、例えば下記一般式で表すことができる。
（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２
但し、ＭはＳｉおよびＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、ＣａおよびＳｒの少なくとも一方が望ましい。Ｒは発光中心元素であり、Ｅｕが望ましい。ここで、ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、０＜ｘ≦１、０．９３＜ａ２＜１．３、４．０＜ｂ２＜５．８、０．６＜ｃ２＜１、６＜ｄ２＜１１である。このようなサイアロン系の緑色蛍光体の具体例を以下に示す。
Ｓｒ３Ｓｉ１３Ａｌ３Ｏ２Ｎ２１：Ｅｕ２＋
次に、本実施形態に係るリードフレームについて説明する。リードフレーム１１および１２は、裏面側において、凸部１１ｐと凸部１２ｐとを有する（図１２参照）。そして、リードフレーム１１は、凸部１１ｐの外周に、薄板部１１ｔと、薄板部１１ｔの周りに延出する吊ピン１１ｂ〜１１ｇと、を有する。同様に、リードフレーム１２は、凸部１２ｐの外周に、薄板部１２ｔと、薄板部１２ｔの周りに延出する吊ピン１２ｂ〜１２ｆと、を有する。
図１１（ｃ）に示すように、リードフレーム１１の裏面１１ｌのうち、凸部１１ｐの表面は、樹脂パッケージ１８の裏面に露出する。そして、吊ピン１１ｂ〜１１ｇの先端面は、樹脂パッケージ１８の側面に露出する（図１０参照）。一方、リードフレーム１１の上面１１ｈの全体、裏面１１ｌのうち、凸部１１ｐ以外の部分、すなわち、各吊ピンおよび薄板部１１ｔの裏面、並びに、側面のうちの吊ピンの先端面以外の部分、すなわち、凸部１１ｐの側面、ベース部１１ａの端面および吊ピンの側面は、樹脂パッケージ１８（第１の樹脂１９ａ）によって覆われている。これにより、リードフレーム１１と第１の樹脂１９ａとの密着性が強化される。
同様に、リードフレーム１２の凸部１２ｐの表面は樹脂パッケージ１８の裏面に露出しており、吊ピン１２ｂ〜１２ｆの先端面は樹脂パッケージ１８の側面に露出している。一方、リードフレーム１２の上面１２ｈの全体、裏面１２ｌのうち凸部１２ｐ以外の部分、すなわち、各吊ピンおよび薄板部１２ｔの裏面、並びに、側面のうち吊ピンの先端面以外の部分、すなわち、凸部１２ｐの側面、ベース部１２ａの端面および吊ピンの側面は、樹脂パッケージ１８（第１の樹脂１９ａ）によって覆われている。これにより、リードフレーム１２と第１の樹脂１９ａとの密着性も強化される。
樹脂パッケージ１８の形状は、例えば、Ｚ方向から見て矩形であり、凸部１１ｐおよび１２ｐの表面が樹脂パッケージ１８の裏面に露出し電極パッドとなる。そして、リードフレーム１１および１２にそれぞれ設けられた複数本の吊ピンの先端面は、樹脂パッケージ１８の相互に異なる３つの側面に露出する。
図１２（ａ）〜（ｃ）は、半導体発光装置６のリードフレームを例示する図である。図１２（ａ）に示すように、リードフレーム１１においては、Ｚ方向から見て矩形のベース部１１ａが設けられており、このベース部１１ａから６本の吊ピン１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇが延出している。
吊ピン１１ｂおよび１１ｃは、ベース部１１ａの１つの端縁１１ｘからＹ方向に延出している。吊ピン１１ｄおよび１１ｅは、端縁１１ｘの反対側の端縁から−Ｙ方向に向けて延出している。Ｘ方向における吊ピン１１ｂおよび１１ｄの位置は相互に同一であり、吊ピン１１ｃおよび１１ｅの位置は相互に同一である。吊ピン１１ｆおよび１１ｇは、ベース部１１ａの端縁１１ｙから−Ｘ方向に向けて延出している。このように、吊ピン１１ｂ〜１１ｇは、ベース部１１ａの相互に異なる３辺（３つの端縁）からそれぞれ延出している。
一方、リードフレーム１２は、リードフレーム１１と比較して、Ｘ方向の長さが短く、Ｙ方向の長さは同じである。リードフレーム１２では、Ｚ方向から見て矩形のベース部１２ａが設けられており、このベース部１２ａの端縁から４本の吊ピン１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅが延出している。吊ピン１２ｂは、ベース部１２ａ端縁１２ｘの中央部からＹ方向に向けて延出している。吊ピン１２ｃは、端縁１２ｘの反対側の端縁の中央部から−Ｙ方向に向けて延出している。吊ピン１２ｄおよび１２ｅは、ベース部１２ａの端縁１２ｙからＸ方向に向けて延出している。このように、吊ピン１２ｂ〜１２ｅは、ベース部１２ａの相互に異なる３辺からそれぞれ延出している。
リードフレーム１１の吊ピン１１ｇおよび１１ｆの幅は、リードフレーム１２における吊ピン１２ｄおよび１２ｅの幅と同一でもよく、異なっていてもよい。但し、吊ピン１１ｄおよび１１ｅの幅と吊ピン１２ｄおよび１２ｅの幅とを異ならせれば、アノードとカソードの判別が容易になる。
図１２（ａ）および（ｂ）に示すように、リードフレーム１１の裏面１１ｌにおけるベース部１１ａの中央部には、凸部１１ｐが形成されている。このため、リードフレーム１１の厚さは２水準の値をとり、ベース部１１ａの中央部、すなわち、凸部１１ｐが形成されている部分は相対的に厚い厚板部１１ｓとなっており、ベース部１１ａの外周部および吊ピン１１ｂ〜１１ｇは相対的に薄い薄板部１１ｔとなっている。
図１２（ｂ）および（ｃ）に示すように、リードフレーム１２の裏面１２ｌにおけるベース部１２ａの中央部には、凸部１２ｐが形成されている。これにより、リードフレーム１２の厚さも２水準の値をとり、ベース部１２ａの中央部は凸部１２ｐが形成されているため相対的に厚い厚板部１２ｓとなっており、ベース部１２ａの外周部および吊ピン１２ｂ〜１２ｅは相対的に薄い薄板部１２ｔとなっている。換言すれば、ベース部１１ａおよび１２ａの外周部の下面には切欠が形成されている。
このように、凸部１１ｐおよび１２ｐは、リードフレーム１１および１２における相互に対向する端縁から離隔した領域に形成されており、これらの端縁を含む領域は、薄板部１１ｔおよび１２ｔとなっている。リードフレーム１１の上面１１ｈとリードフレーム１２の上面１２ｈは同一平面上にあり、リードフレーム１１の凸部１１ｐの下面とリードフレーム１２の凸部１２ｐの下面は同一平面上にある。また、Ｚ方向における各吊ピンの上面の位置は、リードフレーム１１および１２の上面の位置と一致している。従って、各吊ピンは同一のＸＹ平面上に配置されている。
リードフレーム１１の上面１１ｈにおける端縁１１ｙ側の領域には、Ｙ方向に延びる溝１１ｍが形成されている。また、上面１１ｈの中心からＸ方向およびＹ方向側にずれた領域には、Ｙ方向に延びる溝１１ｎが形成されている。さらに、リードフレーム１２の上面１２ｈにおける中央部には、Ｘ方向に延びる溝１２ｍが形成されている。溝１１ｍ、１１ｎおよび１２ｍは、いずれも厚板部１１ｓまたは１２ｓ、すなわち、凸部１１ｐまたは１２ｐの直上域の内側に形成されており、厚板部の外縁には達しておらず、また、Ｚ方向においてもリードフレームを貫通していない。
図１３（ａ）は、第４の実施形態における金属プレート２３を例示する平面図であり、図１３（ｂ）は、この金属プレート２３の一部を拡大した平面図である。
図１３（ａ）に示すように、金属プレート２３では、例えば、３つのブロックＢが設定されており、各ブロックＢには、例えば、１０００個程度のペアフレームＰが形成される。また、図１３（ｂ）に示すように、ペアフレームＰは、マトリクス状に配列されており、隣り合うペアフレームＰの間は格子状のダイシング領域Ｄとなっている。このようなフレームパターンは、例えば、金属プレート２３を選択エッチングすることにより製作することができる。
各ペアフレームＰには、相互に離隔したリードフレーム１１および１２が配置されている。すなわち、複数のリードフレーム１１と、複数のリードフレーム１２とが、Ｘ方向に交互に配置された基本パターンが形成されている。ダイシング領域Ｄでは、隣り合うペアフレームＰが、連結部（吊ピン）により接続されている。
リードフレーム１１とリードフレーム１２とは相互に離隔し、１つのペアフレームＰに含まれるリードフレーム１１は、このペアフレームＰから見て−Ｘ方向に位置する隣のペアフレームＰのリードフレーム１２に連結部２３ａおよび２３ｂを介してつながっている。一方、Ｙ方向では、隣り合うペアフレームＰに含まれるリードフレーム１１が、連結部２３ｃおよび２３ｄを介してつながっている。同様に、Ｙ方向において、隣り合うペアフレームＰに含まれるリードフレーム１２は、連結部２３ｅを介してつながっている。
このように、ペアフレームＰの外縁から内側に離隔したベース部１１ａおよび１２ａから、それぞれ３方向に向けて、ダイシング領域Ｄを通過し隣のペアフレームＰに至る連結部２３ａ〜２３ｅが設けられている。さらに、金属プレート２３の下面側からハーフエッチングすることにより、リードフレーム１１および１２の下面に、それぞれ凸部１１ｐおよび１２ｐを形成する（図１２参照）。
なお、本実施形態において詳細に説明した金属プレート２３、および、蛍光体２０は、他の実施形態にも適用できることは言うまでもない。
［第５の実施形態］
図１４は、第５の実施形態に係る半導体発光装置７を例示する斜視図である。同図に示すように、半導体発光装置７では、前述の第４の実施形態に係る半導体発光装置６（図１３参照）と比較して、樹脂パッケージ１８における第１の樹脂１９ａおよび第２の樹脂１９ｂの配置が相違する。
本実施形態では、第２の樹脂１９ｂが樹脂パッケージ１８のＸ方向（長手方向）にのみ延在し、Ｙ方向（短手方向）には設けられていない。すなわち、第２の樹脂１９ｂは、第１の樹脂１９ａの外縁を囲む枠状ではなく、Ｘ方向に延在し、Ｙ方向において第１の樹脂１９ａを挟む２本のストライプ状に設けられる。そして、第２の樹脂１９ａは、樹脂パッケージ１８のＸ方向の全長にわたって設けられる。樹脂パッケージ１８の最下層部、すなわち、リードフレーム１１および１２の上面よりも下方に位置する部分には、第１の樹脂１９ａが充填される。
このような樹脂パッケージ１８は、図２（ｃ）または図５（ａ）に示す溝２５の形成工程において、例えば、第１の樹脂をＸ方向にのみダイシングすることにより形成できる。半導体発光装置７では、Ｙ方向における指向性が高く、Ｘ方向では広い放射角で光が放出される。本実施形態における上記以外の構成、製造方法および作用効果は、第４の実施形態に係る半導体発光装置６と同じである。
［第６の実施形態］
図１５〜図１７は、第６の実施形態に係る半導体発光装置８を例示する模式図である。図１５は、半導体発光装置８を示す斜視図である。図１６（ａ）〜（ｄ）は、半導体発光装置８の詳細な構造を例示する模式図である。図１６（ａ）は、Ｚ方向から見た平面図である。図１６（ｂ）は、図１６（ａ）に示すＡ−Ａ’断面の構造を示している。図１６（ｃ）は、底面図である。図１６（ｄ）は、図１６（ａ）に示すＢ−Ｂ’断面の構造を示している。図１７は、半導体発光装置８のリードフレームを例示する模式図である。図１７（ａ）は、上面図であり、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）に示すＣ−Ｃ’断面であり、図１７（ｃ）は、図１７（ａ）に示すＤ−Ｄ’断面図である。
半導体発光装置８では、前述の第４の実施形態に係る半導体発光装置６（図１０〜図１２参照）と比較して、リードフレーム１１がＸ方向において２枚のリードフレーム３１および３２に分割されている点が相違する。リードフレーム３２は、リードフレーム３１とリードフレーム１２との間に配置される。
図１７に示すように、本実施形態では、前述の第４の実施形態に係る半導体発光装置６におけるリードフレーム１１のベース部１１ａ（図１２参照）が、リードフレーム３１および３２のベース部３１ａおよび３２ｂに相当する。そして、リードフレーム１１の吊ピン１１ｂ〜１１ｇは、リードフレーム３１および３２の吊ピン３１ｂ、３２ｃ、３１ｄ、３２ｅ、３１ｆおよび３１ｇに相当する。さらに、リードフレーム１１の凸部１１ｐは、リードフレーム３１の凸部３１ｐおよびリードフレーム３２の凸部３２ｐに分割される。Ｚ方向から見て、凸部３１ｐおよび３２ｐは、それぞれ、ベース部３１ａおよび３２ａの中央部に形成される。
そして、図１５および図１６（ａ）に示すように、金属ワイヤ１７ａおよび１７ｃの一端は、リードフレーム３１の上面にボンディングされる。なお、前述の第４の実施形態と同様に、金属ワイヤ１７ｂおよび１７ｄの一端は、リードフレーム１２にボンディングされる。また、本実施形態では、ツェナーダイオード１６（図１０参照）は配置されておらず、ダイマウント材１５および金属ワイヤ１７ｅも設けられない。したがって、溝１１ｍ、１１ｎ、１２ｍは、形成されない。
本実施形態では、リードフレーム３１および１２を介して、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂに外部から駆動電流を供給する。一方、リードフレーム３２は、電気的に中性であっても良く、ヒートシンクとして機能する。例えば、複数の半導体発光装置８を１つの回路基板に搭載する場合に、リードフレーム３２を共通のヒートシンクに接続し、放熱性を向上させることができる。
なお、リードフレーム３２は、接地電位でも良く、浮遊電位としてもよい。また、半導体発光装置８を回路基板に実装する際に、リードフレーム３１、３２および１２に、それぞれ半田ボールを接合することにより、所謂マンハッタン現象を抑制することができる。マンハッタン現象とは、複数個の半田ボール等を介して回路基板にデバイスを実装するときに、リフロー工程における半田ボールの融解のタイミングがずれ、半田の表面張力に起因してデバイスが起立してしまう現象であり、実装不良の原因となる。本実施形態によれば、半田ボールをＸ方向に密に配置することにより、マンハッタン現象を抑制することができる。
本実施形態では、リードフレーム３１が、吊ピン３１ｂ、３１ｄ、３１ｆ、３１ｇによって３方向から支持される。このため、金属ワイヤ１７ａおよび１７ｃのボンディングが容易となる。同様に、リードフレーム１２は、吊ピン１２ｂ〜１２ｅによって３方向から支持されるため、金属ワイヤ１７のボンディングも容易となる。
本実施形態に係る半導体発光装置８は、図１３に示す金属プレート２３において、各ペアフレームＰのパターンを変更することにより、前述の第１の実施形態の製造方法を用いて製作することができる。本実施形態における上記以外の構成、作用効果は、前述の第４の実施形態に係る半導体発光装置６と同じである。
［第７の実施形態］
図１８は、第７の実施形態に係る半導体発光装置９を例示する斜視図である。図１９（ａ）〜（ｃ）は、半導体発光装置９の詳細な構造を例示する模式図である。図１９（ａ）は、Ｚ方向から見た平面図である。図１９（ｂ）は、図１９（ａ）に示すＡ−Ａ’断面の構造を示し、図１９（ｃ）は、図１９（ａ）に示すＢ−Ｂ’断面の構造を示している。
半導体発光装置９では、前述の第４の実施形態に係る半導体発光装置６（図１０〜図１２参照）と比較して、第１の樹脂１９ａの外縁を覆う第２の樹脂１９ｂの形状が相違する。また、樹脂パッケージ１８の側面にリードフレーム１１および１２の端面が露出しない点で相違する。
本実施形態に係る第２の樹脂１９ｂは、図１９（ｂ）および（ｃ）に示すように、そのＸ方向およびＹ方向における幅が、Ｚ方向に狭くなるように設けられる。すなわち、第１の樹脂１９ａを囲む内面１９ｃがＺ方向に開く形状に設けられる。これにより、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂから放射される光をＺ方向に反射し、Ｚ方向の指向性を高めることができる。
図２０（ａ）〜図２１（ｃ）は、半導体発光装置９の製造過程を模式的に例示する断面図である。本実施形態では、金属プレート２３の裏面側からダイシングを行い、第２の樹脂１９ｂを充填する溝を形成する点で第１実施形態に係る製造方法（図５参照）と相違する。
まず、図２０（ａ）に示すように、第１の樹脂１９ａが形成された金属プレート２３をダイシングシート３５に貼着する。同図に示すように、第１の樹脂１９ａの上面をダイシングシート３５に接着させ、さらに、犠牲シート２７を金属プレート２３の裏面に貼着する。
続いて、図２０（ｂ）に示すように、金属プレート２３の裏面側から、金属プレート２３および第１の樹脂１９ａを切断し、溝４５を形成する。この際、ダイシングブレードは、ブレードの根本から刃先にかけてテーパ状に幅が狭くなるものを用いる。これにより、金属プレート２３の裏面から第１の樹脂１９ａの上面の方向（Ｚ方向）に幅が狭くなる溝４５を形成することができる。
次に、図２０（ｃ）に示すように、金属プレート２３の上に第２の樹脂１９ｂを成形し、溝４５の内部に第２の樹脂１９ｂを充填する。この際、ダイシングシートをＸ方向およびＹ方向に拡張し、溝４５の幅を広げても良い。
次に、図２１（ａ）に示すように、溝４５の延在方向に沿って第２の樹脂１９ｂを切断する。続いて、図２１（ｂ）に示すように、第２の樹脂１９ｂの上面に粘着シート４９を貼り付け、さらに、引き剥がすことにより、犠牲シート２７と共に、リードフレーム１１および１２の裏面に形成された第２の樹脂１９ｂを除去する。これにより、図２１（ｃ）に示すように、第１の樹脂１９ａの外縁と、リードフレーム１１および１２の外縁とを、第２の樹脂１９ｂで覆った樹脂パッケージ１８を形成することができる。
上記の通り、本実施形態に係る半導体発光装置９では、第１の樹脂１９ａを囲む第２の樹脂１９ｂの内面がＺ方向に開く形状に設けられ、ＬＥＤ１４ａおよび１４ｂの放射光、および、第１の樹脂１９ａに分散された蛍光体２０の蛍光をＺ方向に反射する。これにより、出射光の指向性を向上させることができる。本実施形態における上記以外の構成、作用効果は、前述の第４の実施形態に係る半導体発光装置６と同じである。
［第８の実施形態］
図２２は、第８の実施形態に係る半導体発光装置１０を例示する斜視図である。図２３（ａ）〜（ｃ）は、半導体発光装置１０の詳細な構造を例示する模式図である。図２３（ａ）は、Ｚ方向から見た平面図である。図２３（ｂ）は、図２３（ａ）に示すＡ−Ａ’断面の構造を示し、図２３（ｃ）は、図２３（ａ）に示すＢ−Ｂ’断面の構造を示している。
図２２および図２３に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置１０は、前述の第７の実施形態に係る半導体発光装置９（図１８および図１９参照）と比較して、第２の樹脂１９ｂのＹ方向に延在する部分の高さが、Ｘ方向に延在する部分の高さよりも低く設けられている点が異なっている。本実施形態に係る樹脂パッケージ１８は、例えば、図２０（ｂ）に示す溝４５を形成する工程において、Ｙ方向におけるダイシングの深さを浅くすることにより形成することができる。
例えば、リードフレーム１１および１２の上面を基準として、第２の樹脂１９ｂのＹ方向に延在する部分の高さを、Ｘ方向に延在する部分の高さの約半分にする。これにより、半導体発光装置１０のＹ方向における指向性を高くし、Ｘ方向における指向性を下げて光の出射角をＹ方向よりも広げることができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法および作用効果は、前述の第７の実施形態に係る半導体発光装置９と同様である。
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１〜１０・・・半導体発光装置、 １１、１２、３１、３２・・・リードフレーム、 １１ａ、１２ａ、３１ａ・・・ベース部、 １１ｂ〜１１ｇ、１２ｂ〜１２ｅ、３１ｂ、３２ｃ、３１ｄ、３２ｅ、３１ｆ、３１ｇ・・・吊ピン、 １１ｈ、１２ｈ・・・上面、 １１ｌ、１２ｌ・・・裏面、 １１ｍ、１１ｎ、１２ｍ・・・溝、 １１ｐ、１２ｐ、３１ｐ、３２ｐ・・・凸部、 １１ｓ、１２ｓ・・・厚板部、 １１ｔ、１２ｔ・・・薄板部、 １３ａ、１３ｂ、１５・・・ダイマウント材、 １４、１４ａ、１４ｂ・・・発光素子（ＬＥＤ）、 １４ｓ、１４ｔ、１４ｕ・・・電極、 １６・・・ツェナーダイオード、 １７、１７ａ〜１７ｅ・・・金属ワイヤ、 １８・・・樹脂パッケージ、 １８ａ・・・発光面、 １８ｂ・・・主面、 １９ａ・・・第１の樹脂、 １９ｂ・・・第２の樹脂、 １９ｃ・・・第２の樹脂の内面、 ２０・・・蛍光体、 ２３・・・金属プレート、 ２３ａ〜２３ｅ・・・連結部、 ２４・・・補強シート、 ２５、３７、４５・・・溝、 ２６・・・樹脂材料、 ２７・・・犠牲シート、 ３４、３５・・・ダイシングシート、 ３９、４９・・・粘着シート、 １０１・・・下金型、 １０１ａ・・・凹部、 １０２・・・上金型

Claims (6)

  1. 発光素子が固着された第１のフレームと、前記第１のフレームから離間して配置され、前記発光素子の電極と金属ワイヤで接続された第２のフレームと、前記発光素子と前記第１のフレームと前記第２のフレームとを覆う樹脂パッケージと、を有する半導体発光装置の製造方法であって、
    複数の前記第１のフレームと、複数の前記第２のフレームと、が交互に配置された金属プレートの表面に、前記発光素子と前記第１のフレームと前記第２のフレームとを覆う第１の樹脂を成形する工程と、
    前記第１の樹脂が形成された前記表面とは反対側の前記金属プレートの裏面から、前記金属プレートおよび前記第１の樹脂を切断することにより、前記第１の樹脂を含む前記樹脂パッケージの外周に沿って、前記金属プレートから前記第１の樹脂の方向に幅が狭まる溝を形成する工程と、
    前記溝の内部に第２の樹脂を充填する工程と、
    前記第２の樹脂を前記溝に沿って分断し、前記第１の樹脂の外縁を前記第２の樹脂で覆った前記樹脂パッケージを形成する工程と、
    を備えた半導体発光装置の製造方法。
  2. 前記金属プレートの裏面に犠牲シートを貼着する工程と、
    前記溝に充填された前記第２の樹脂を残し、前記金属プレート上に形成された前記第２の樹脂を前記犠牲シートと共に除去する工程と、
    をさらに備えた請求項１記載の半導体発光装置の製造方法。
  3. 前記第２の樹脂は、前記発光素子が放射する光を反射する反射材を含む請求項１または２に記載の半導体発光装置の製造方法。
  4. 前記第１の樹脂および前記第２の樹脂は、同じ材料を含む請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
  5. 前記第１の樹脂および前記第２の樹脂は、シリコーン樹脂を含む請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
  6. 前記金属プレートおよび前記第１の樹脂の少なくとも一部をダイシングブレードで切断することにより前記溝を形成する請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
JP2011135585A 2011-06-17 2011-06-17 半導体発光装置の製造方法 Active JP5753446B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011135585A JP5753446B2 (ja) 2011-06-17 2011-06-17 半導体発光装置の製造方法
US13/414,497 US8753907B2 (en) 2011-06-17 2012-03-07 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011135585A JP5753446B2 (ja) 2011-06-17 2011-06-17 半導体発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013004807A JP2013004807A (ja) 2013-01-07
JP5753446B2 true JP5753446B2 (ja) 2015-07-22

Family

ID=47352988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011135585A Active JP5753446B2 (ja) 2011-06-17 2011-06-17 半導体発光装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8753907B2 (ja)
JP (1) JP5753446B2 (ja)

Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9497821B2 (en) 2005-08-08 2016-11-15 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US9587817B2 (en) 2014-09-28 2017-03-07 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
US9885449B2 (en) 2014-09-28 2018-02-06 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
US9794990B2 (en) 2014-09-28 2017-10-17 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube lamp with improved compatibility with an electrical ballast
US9879852B2 (en) 2014-09-28 2018-01-30 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
US9945520B2 (en) 2014-09-28 2018-04-17 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
US9618168B1 (en) 2014-09-28 2017-04-11 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
US10634337B2 (en) 2014-12-05 2020-04-28 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp with heat dissipation of power supply in end cap
US11131431B2 (en) 2014-09-28 2021-09-28 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
US9629211B2 (en) 2014-09-28 2017-04-18 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube lamp with improved compatibility with an electrical ballast
US10021742B2 (en) 2014-09-28 2018-07-10 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US20130329429A1 (en) * 2012-06-11 2013-12-12 Cree, Inc. Emitter package with integrated mixing chamber
JP6147976B2 (ja) * 2012-09-26 2017-06-14 ローム株式会社 発光装置、および、発光ユニットの製造方法
WO2014069362A1 (ja) * 2012-11-05 2014-05-08 ソニー株式会社 光学装置およびその製造方法、ならびに電子機器
DE102013100711B4 (de) * 2013-01-24 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente
CN104937326B (zh) * 2013-01-25 2018-10-26 亮锐控股有限公司 照明组件和用于制造照明组件的方法
US20140208689A1 (en) 2013-01-25 2014-07-31 Renee Joyal Hypodermic syringe assist apparatus and method
KR102024295B1 (ko) * 2013-02-05 2019-09-23 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈
DE102013213073A1 (de) * 2013-07-04 2015-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
JP6323217B2 (ja) * 2013-07-10 2018-05-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2015023219A (ja) * 2013-07-22 2015-02-02 ローム株式会社 Ｌｅｄ発光装置およびｌｅｄ発光装置の製造方法
US9532464B2 (en) 2013-07-22 2016-12-27 Rohm Co., Ltd. LED lighting apparatus
TWI527166B (zh) * 2013-07-25 2016-03-21 The package structure of the optical module
JP6603982B2 (ja) * 2013-07-31 2019-11-13 日亜化学工業株式会社 リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂パッケージ、発光装置及び樹脂パッケージの製造方法
CN104518071A (zh) * 2013-09-29 2015-04-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的制造方法
JP6331376B2 (ja) * 2013-12-17 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
TW201543720A (zh) * 2014-05-06 2015-11-16 Genesis Photonics Inc 封裝結構及其製備方法
WO2016032167A1 (ko) * 2014-08-26 2016-03-03 엘지이노텍(주) 발광 소자 패키지
US11480305B2 (en) 2014-09-25 2022-10-25 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube lamp
US10299333B2 (en) 2014-09-28 2019-05-21 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube lamp
CN106032880B (zh) * 2014-09-28 2019-10-25 嘉兴山蒲照明电器有限公司 Led光源及led日光灯
US9689536B2 (en) 2015-03-10 2017-06-27 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube lamp
CN204573684U (zh) * 2014-09-28 2015-08-19 嘉兴山蒲照明电器有限公司 Led日光灯
US10560989B2 (en) 2014-09-28 2020-02-11 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
US9625137B2 (en) 2014-09-28 2017-04-18 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube light with bendable circuit board
US9618166B2 (en) 2014-09-28 2017-04-11 Jiaxing Super Lighting Electric Applianc Co., Ltd. LED tube lamp
CN112377825B (zh) 2014-09-28 2022-12-02 嘉兴山蒲照明电器有限公司 一种led直管灯
CN105674111A (zh) 2014-12-05 2016-06-15 嘉兴山蒲照明电器有限公司 Led直管灯
US10514134B2 (en) 2014-12-05 2019-12-24 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
US9897265B2 (en) 2015-03-10 2018-02-20 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube lamp having LED light strip
WO2016148019A1 (ja) * 2015-03-16 2016-09-22 日東電工株式会社 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
JP6762736B2 (ja) * 2015-03-16 2020-09-30 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
US9835312B2 (en) 2015-04-02 2017-12-05 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. End cap of LED tube light with thermal conductive ring
US10190749B2 (en) 2015-04-02 2019-01-29 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube lamp
US9611984B2 (en) 2015-04-02 2017-04-04 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube lamp
US9955587B2 (en) 2015-04-02 2018-04-24 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube lamp
JP6424738B2 (ja) * 2015-05-26 2018-11-21 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP6217711B2 (ja) * 2015-08-21 2017-10-25 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US10161569B2 (en) 2015-09-02 2018-12-25 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
CN106558640B (zh) * 2015-09-25 2019-01-22 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
JP6842234B2 (ja) * 2015-10-13 2021-03-17 ローム株式会社 光半導体装置の製造方法および光半導体装置
JP2017079311A (ja) * 2015-10-22 2017-04-27 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
CN108352388B (zh) * 2015-11-05 2022-11-18 索尼半导体解决方案公司 半导体装置、半导体装置制造方法和电子设备
JP2018536297A (ja) * 2015-11-10 2018-12-06 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Ｅｖｅｒｌｉｇｈｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 発光ダイオードデバイスおよびその製造方法
EP3174109B1 (en) 2015-11-30 2020-11-18 Nichia Corporation Method of manufacturing a light emitting device
US10211378B2 (en) 2016-01-29 2019-02-19 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing same
CA3014910A1 (en) 2016-02-22 2017-08-31 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Method of manufacturing an implantable neural electrode interface platform
CN107202262B (zh) 2016-03-17 2024-04-30 嘉兴山蒲照明电器有限公司 U型led日光灯
JP6447580B2 (ja) 2016-06-15 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN106024649A (zh) * 2016-07-12 2016-10-12 希睿（厦门）科技有限公司 一种超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装及其封装方法
DE112018000656T5 (de) 2017-02-02 2019-10-24 Citizen Electronics Co., Ltd. LED-Baugruppe und Verfahren zur Herstellung derselben
JP6823262B2 (ja) 2017-03-15 2021-02-03 ミツミ電機株式会社 光学モジュールの製造方法及び光学モジュール
CN108878625B (zh) 2017-05-12 2023-05-05 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
JP2018207005A (ja) * 2017-06-07 2018-12-27 シチズン電子株式会社 発光装置及びその製造方法並びに面状ライトユニット
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
US10361349B2 (en) * 2017-09-01 2019-07-23 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
KR20190074233A (ko) * 2017-12-19 2019-06-27 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 모듈
JP7089159B2 (ja) 2018-03-22 2022-06-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10916041B2 (en) * 2018-03-30 2021-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for depth image di coding
JP7136532B2 (ja) 2018-03-30 2022-09-13 ミネベアミツミ株式会社 モジュールの製造方法及び光学モジュールの製造方法
JP2020021784A (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 Ｅ＆Ｅ Ｊａｐａｎ株式会社 Ｌｅｄ及びその製造方法
JP7158647B2 (ja) * 2019-02-28 2022-10-24 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7256372B2 (ja) * 2019-03-14 2023-04-12 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2021034642A (ja) * 2019-08-28 2021-03-01 浜松ホトニクス株式会社 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
EP3848981A1 (en) * 2020-01-10 2021-07-14 Lumileds Holding B.V. Led module, mold and method for manufacturing the same
US12027501B2 (en) * 2020-04-02 2024-07-02 Nichia Corporation Surface light source and method of manufacturing surface light source

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08293626A (ja) * 1995-04-20 1996-11-05 Omron Corp 半導体装置
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2002344030A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Stanley Electric Co Ltd 横方向発光型面実装ｌｅｄ及びその製造方法
JP4785021B2 (ja) * 2001-07-13 2011-10-05 スタンレー電気株式会社 ７セグメントｌｅｄ数字表示器およびその製造方法
JP2003332508A (ja) * 2002-05-16 2003-11-21 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
JP4144498B2 (ja) * 2002-10-01 2008-09-03 松下電器産業株式会社 線状光源装置及びその製造方法、並びに、面発光装置
JP4711715B2 (ja) * 2005-03-30 2011-06-29 株式会社東芝 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
KR100735325B1 (ko) * 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP5368982B2 (ja) 2007-06-14 2013-12-18 ローム株式会社 半導体発光装置
JP5233352B2 (ja) * 2008-03-21 2013-07-10 東芝ライテック株式会社 照明装置
JP5217800B2 (ja) * 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP2010123620A (ja) * 2008-11-17 2010-06-03 Stanley Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP4808244B2 (ja) 2008-12-09 2011-11-02 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP4764519B1 (ja) 2010-01-29 2011-09-07 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
MY155671A (en) * 2010-01-29 2015-11-13 Toshiba Kk LED package and method for manufacturing same
JP5010716B2 (ja) * 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
JP4951090B2 (ja) 2010-01-29 2012-06-13 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
JP2011165833A (ja) 2010-02-08 2011-08-25 Toshiba Corp Ｌｅｄモジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US8753907B2 (en) 2014-06-17
US20120319150A1 (en) 2012-12-20
JP2013004807A (ja) 2013-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5753446B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法
US10374136B2 (en) Light emitting apparatus
JP6149487B2 (ja) 発光装置の製造方法および発光装置
JP5233170B2 (ja) 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法
JP6790416B2 (ja) 発光装置
US20120161180A1 (en) Led package
US20120132949A1 (en) Led package
JP5598323B2 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP2012114311A (ja) Ｌｅｄモジュール
CN101312185A (zh) 发光装置及其制造方法
JP2012114284A (ja) Ｌｅｄモジュール及び照明装置
JP2007067204A (ja) 発光ダイオード装置
EP3451394B1 (en) Light-emitting device
US9960333B2 (en) Light-emitting device including light-emitting elements connected in series and light-emitting elements connected in parallel
JP6606966B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2012113919A (ja) 照明装置
US20130062644A1 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
JP2013143496A (ja) Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
JP2012134295A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP5200471B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
CN104488096B (zh) 发光装置
JP6326830B2 (ja) 発光装置及びそれを備える照明装置
JP2022156442A (ja) 発光装置
JP2021106184A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130826

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140728

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140925

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150209

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150403

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150423

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150522

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5753446

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250