JP2017079311A - 発光装置の製造方法 - Google Patents
発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017079311A JP2017079311A JP2015207974A JP2015207974A JP2017079311A JP 2017079311 A JP2017079311 A JP 2017079311A JP 2015207974 A JP2015207974 A JP 2015207974A JP 2015207974 A JP2015207974 A JP 2015207974A JP 2017079311 A JP2017079311 A JP 2017079311A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- emitting device
- sealing layer
- blade
- led chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
- H10H20/856—Reflecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
- H10H20/8512—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0362—Manufacture or treatment of packages of encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0363—Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】リフレクタを備える発光装置の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】基板20の上にLEDチップ10を載置するチップ載置ステップと、LEDチップを封止する透光性の封止層30を形成する封止層形成ステップと、封止層の上に保護層を形成する保護層形成ステップと、基板に対してLEDチップを載置した側とは反対の側から、基板および封止層を貫通する溝を刃によって形成する溝形成ステップであって、溝形成ステップは、刃として、その縁部へ向かって先細りとなる形状を有する刃を用いる。
【選択図】図1
【解決手段】基板20の上にLEDチップ10を載置するチップ載置ステップと、LEDチップを封止する透光性の封止層30を形成する封止層形成ステップと、封止層の上に保護層を形成する保護層形成ステップと、基板に対してLEDチップを載置した側とは反対の側から、基板および封止層を貫通する溝を刃によって形成する溝形成ステップであって、溝形成ステップは、刃として、その縁部へ向かって先細りとなる形状を有する刃を用いる。
【選択図】図1
Description
本発明は発光装置の製造方法に関する。
LED発光装置は、配光制御のためにリフレクタを備える構成とすることが多い。一般的に、リフレクタを形成するには金型を必要とし、このことは発光装置の製造コスト上昇の要因となり得る。また、金型を用いてリフレクタを形成する場合、形成されるリフレクタの形状の精度は必ずしも高いものとはならず、結果としてリフレクタが必要以上に肉厚なものとなってしまう可能性がある。一方、金型を用いずにリフレクタを形成する方法も提案されている。例えば、特許文献1に記載の技術においては、有機溶媒に可溶な材料からなるメッシュ状のマスクの内面に金属膜を形成した後、マスクを有機溶媒で溶解除去することで、上方に広がる形状のリフレクタを形成する(特許文献1の図7等参照)。
別の特許文献2には、逆V字状のテーパブレードによりセラミック基板およびガラス封止部材のダイシングを行うことでガラス封止部材にテーパ状の側面を形成し、更にガラス封止部材のダイシングを行ってLEDチップごとに分割した後、セラミック基板の側面およびガラス封止部材の側面を取り囲むように白色樹脂部を設ける技術が記載されている(特許文献2の図12等参照)。
上述の特許文献1の技術によれば、リフレクタを形成する際に金型を用いる必要がない。しかしながら、有機溶媒に可溶な材料から成るメッシュ状のマスクを形成し、リフレクタ形成の後にマスクを溶解除去することが必要であり、リフレクタ作成のための工程が煩雑になるという問題がある。
特許文献2の技術によれば、ガラス封止部材のテーパ状の側面を取り囲む白色樹脂部がリフレクタとして機能する。しかしながら、LEDチップごとに分離した後に白色樹脂部を形成するために金型を必要とする可能性がある。
特許文献2の技術によれば、ガラス封止部材のテーパ状の側面を取り囲む白色樹脂部がリフレクタとして機能する。しかしながら、LEDチップごとに分離した後に白色樹脂部を形成するために金型を必要とする可能性がある。
本発明は上記に鑑み、リフレクタを備える発光装置の簡便な製造方法を提供することをその目的の一つとする。
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、下記のように本発明の各局面に想到した。
すなわち、本発明の一局面に係る発光装置の製造方法は、基板の上にLEDチップを載置するチップ載置ステップと、LEDチップを封止する透光性の封止層を形成する封止層形成ステップと、封止層の上に保護層を形成する保護層形成ステップと、基板に対してLEDチップを載置した側とは反対の側から、基板および封止層を貫通する溝を刃によって形成する溝形成ステップであって、保護層の下面または内部まで伸びるように溝を形成する溝形成ステップと、溝にリフレクタ材を充填する充填ステップと、保護層のうち、少なくとも溝を形成した部分に対応する部分を除去して分断する分断ステップと、を含む発光装置の製造方法であって、溝形成ステップは、刃として、その縁部へ向かって先細りとなる形状を有する刃を用いる、発光装置の製造方法である。
すなわち、本発明の一局面に係る発光装置の製造方法は、基板の上にLEDチップを載置するチップ載置ステップと、LEDチップを封止する透光性の封止層を形成する封止層形成ステップと、封止層の上に保護層を形成する保護層形成ステップと、基板に対してLEDチップを載置した側とは反対の側から、基板および封止層を貫通する溝を刃によって形成する溝形成ステップであって、保護層の下面または内部まで伸びるように溝を形成する溝形成ステップと、溝にリフレクタ材を充填する充填ステップと、保護層のうち、少なくとも溝を形成した部分に対応する部分を除去して分断する分断ステップと、を含む発光装置の製造方法であって、溝形成ステップは、刃として、その縁部へ向かって先細りとなる形状を有する刃を用いる、発光装置の製造方法である。
上記局面に係る製造方法によれば、封止層のテーパ状の側面に沿う形状の面(テーパ面)を有するリフレクタを設けることができる。そのため、LEDチップからの光をリフレクタで反射させることで、封止層からの光取り出し効率が向上する。また、リフレクタを形成するために金型を用いないため、発光装置の製造が簡便であり、製造コストの低減にも貢献し得る。また、リフレクタのテーパ面の角度は、刃の刃先の角度で調整できるため、光の出射角の変更を容易に行い得る。更に、リフレクタを形成した後に保護層を分断することから、LEDチップごとに分離した後にリフレクタを形成するために金型を要するという問題も生じない。
本発明の別の局面に係る発光装置の製造方法は、基板の上にLEDチップを載置するチップ載置ステップと、LEDチップを封止する透光性の封止層を形成する封止層形成ステップと、基板に対してLEDチップを載置した側とは反対の側から、基板を貫通し封止層の途中まで伸びる溝を刃によって形成する溝形成ステップと、溝にリフレクタ材を充填する充填ステップと、封止層のうち、溝を形成した部分を更に切削して分断する分断ステップと、を含む発光装置の製造方法であって、溝形成ステップは、刃として、その縁部へ向かって先細りとなる形状を有する刃を用いる、発光装置の製造方法である。
このような方法によっても、上記したのと同様の効果を得ることができる。また、その場合、溝形成ステップは、チップの上面より高い位置まで伸びるように溝を形成することが好ましい。そうすることで、その後に形成されるリフレクタの上端がLEDチップの上面より高い位置に存在することとなり、リフレクタによる高い反射効果が得られる。
このような方法によっても、上記したのと同様の効果を得ることができる。また、その場合、溝形成ステップは、チップの上面より高い位置まで伸びるように溝を形成することが好ましい。そうすることで、その後に形成されるリフレクタの上端がLEDチップの上面より高い位置に存在することとなり、リフレクタによる高い反射効果が得られる。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る発光装置1の断面図である。発光装置1は、LEDチップ10、リード部21と絶縁部22を有する基板20、封止層30、リフレクタ40を備える。
LEDチップ10はフリップチップ型であり、リード部21に対してバンプを介して電気的に接続される。ただし、LEDチップ10はフリップチップ型に限らず、フェイスアップ型でもよく、その場合、ワイヤボンディングによりリード部21に対して電気的に接続され得る。
基板20のリード部21は銅、アルミニウム、金等の金属または導電性樹脂等の導電物質からなり、絶縁部22はガラスエポキシ樹脂等の樹脂またはセラミックス等の絶縁物質からなる。
封止層30はシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の透明な樹脂またはガラス等の透光性を有する封止材により形成され、基板20の上面およびLEDチップ10の露出部全体を覆うようにして逆四角錘台状に形成される。すなわち、封止層30は、上方に向って横方向の断面積が大きくなるよう、側面がテーパ面となっている。封止層30は、蛍光体粒子を含んでもよい。
リフレクタ40は白色のシリコーン等の樹脂材からなり、封止層30の側面を覆うように形成される。また、白色の樹脂材に限らず、発光波長に対し反射率が高いものであれば他の色の樹脂材であってもよい。
図1は、本発明の第1実施形態に係る発光装置1の断面図である。発光装置1は、LEDチップ10、リード部21と絶縁部22を有する基板20、封止層30、リフレクタ40を備える。
LEDチップ10はフリップチップ型であり、リード部21に対してバンプを介して電気的に接続される。ただし、LEDチップ10はフリップチップ型に限らず、フェイスアップ型でもよく、その場合、ワイヤボンディングによりリード部21に対して電気的に接続され得る。
基板20のリード部21は銅、アルミニウム、金等の金属または導電性樹脂等の導電物質からなり、絶縁部22はガラスエポキシ樹脂等の樹脂またはセラミックス等の絶縁物質からなる。
封止層30はシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の透明な樹脂またはガラス等の透光性を有する封止材により形成され、基板20の上面およびLEDチップ10の露出部全体を覆うようにして逆四角錘台状に形成される。すなわち、封止層30は、上方に向って横方向の断面積が大きくなるよう、側面がテーパ面となっている。封止層30は、蛍光体粒子を含んでもよい。
リフレクタ40は白色のシリコーン等の樹脂材からなり、封止層30の側面を覆うように形成される。また、白色の樹脂材に限らず、発光波長に対し反射率が高いものであれば他の色の樹脂材であってもよい。
(発光装置1の製造方法)
図2は、本発明の第1実施形態に係る発光装置1の製造方法を説明するための図である。この製造方法においては、まず図2(A)に示すように複数のLEDチップ10を用意し、それらの電極を基板20のリード部21に対して極性を合わせた上でバンプを介して載置し電気的に接続する。
次に、図2(B)に示すように、透光性を有する封止材により、基板20の上面とLEDチップ10の露出部全体を覆う封止層30を形成する。
次に、図2(C)に示すように、封止層30の上面を覆う保護層50を形成し、または、固着させる。保護層50はPET(ポリエチレンテレフタラート)、PVC(ポリ塩化ビニル)等の樹脂やセラミックス等からなるものとすることができる。次に、基板20に対してLEDチップ10を載置した側とは反対の側から、上に凸状の(すなわち、縁部に向かって先細りとなる形状を有する)第1のテーパ刃Aによって、基板20および封止層30にテーパ状の溝(テーパ溝)を、複数のLEDチップ10の間に形成する。第1のテーパ刃Aを回転させながら、刃先が封止層30の上面に達して封止層30が切断されるまで図2(C)の上方向に移動させる。刃先は更に保護層50の内部にまで達してもよいが、保護層50を貫通しないようにする。そして、第1のテーパ刃Aを戻し、刃先を90°回転させて先の切削方向と直交する方向に基板20および封止層30(場合によっては更に保護層50)へのテーパ溝形成を同様に行う。これにより、封止層30の四方にテーパ面31が形成される。
なお、図2において、第1のテーパ刃Aの刃面、および、第1のテーパ刃Aによって形成されるテーパ溝の面を、断面視において直線状に記載しているが、本発明はこれに限らず、断面視において凸曲線状、凹曲線状としてもよく、要求されるリフレクタ40の反射面の形状に合わせた任意の形状を採用することができる。
図2は、本発明の第1実施形態に係る発光装置1の製造方法を説明するための図である。この製造方法においては、まず図2(A)に示すように複数のLEDチップ10を用意し、それらの電極を基板20のリード部21に対して極性を合わせた上でバンプを介して載置し電気的に接続する。
次に、図2(B)に示すように、透光性を有する封止材により、基板20の上面とLEDチップ10の露出部全体を覆う封止層30を形成する。
次に、図2(C)に示すように、封止層30の上面を覆う保護層50を形成し、または、固着させる。保護層50はPET(ポリエチレンテレフタラート)、PVC(ポリ塩化ビニル)等の樹脂やセラミックス等からなるものとすることができる。次に、基板20に対してLEDチップ10を載置した側とは反対の側から、上に凸状の(すなわち、縁部に向かって先細りとなる形状を有する)第1のテーパ刃Aによって、基板20および封止層30にテーパ状の溝(テーパ溝)を、複数のLEDチップ10の間に形成する。第1のテーパ刃Aを回転させながら、刃先が封止層30の上面に達して封止層30が切断されるまで図2(C)の上方向に移動させる。刃先は更に保護層50の内部にまで達してもよいが、保護層50を貫通しないようにする。そして、第1のテーパ刃Aを戻し、刃先を90°回転させて先の切削方向と直交する方向に基板20および封止層30(場合によっては更に保護層50)へのテーパ溝形成を同様に行う。これにより、封止層30の四方にテーパ面31が形成される。
なお、図2において、第1のテーパ刃Aの刃面、および、第1のテーパ刃Aによって形成されるテーパ溝の面を、断面視において直線状に記載しているが、本発明はこれに限らず、断面視において凸曲線状、凹曲線状としてもよく、要求されるリフレクタ40の反射面の形状に合わせた任意の形状を採用することができる。
次に、図2(D)に示すように、形成したテーパ溝の内部に、白色の樹脂材からなるリフレクタ材40’を充填する。
リフレクタ材40’の硬化後、図2(E)に示すように、第1のテーパ刃Aと比較して更に鋭角な第2のテーパ刃Bにより、硬化したリフレクタ材40’と保護層50のテーパ溝に対応する箇所のダイシングを行う。このとき、保護層50を貫通するように、かつ、LEDチップ10の全周にわたるようにダイシングを行うことで、各LEDチップ10間が分離される。その際、少なくとも封止層30の側面にはリフレクタ材40’が残存するようにする。図2(E)の例においては、基板20の絶縁部22の一部を除去してリード部21を露出させている。保護層50および余分なリフレクタ材40’を除去することで、図1に示す、同一仕様の複数の発光装置1が完成する。
図2(E)に示す例においては保護層50を貫通するようにダイシングを行ったが、これに代えて、保護層50を貫通しない高さまでダイシングを行いリフレクタ材40’を分割して各リフレクタ40とした後、保護層50の全体を除去することで個々の発光装置1に分離してもよい。
リフレクタ材40’の硬化後、図2(E)に示すように、第1のテーパ刃Aと比較して更に鋭角な第2のテーパ刃Bにより、硬化したリフレクタ材40’と保護層50のテーパ溝に対応する箇所のダイシングを行う。このとき、保護層50を貫通するように、かつ、LEDチップ10の全周にわたるようにダイシングを行うことで、各LEDチップ10間が分離される。その際、少なくとも封止層30の側面にはリフレクタ材40’が残存するようにする。図2(E)の例においては、基板20の絶縁部22の一部を除去してリード部21を露出させている。保護層50および余分なリフレクタ材40’を除去することで、図1に示す、同一仕様の複数の発光装置1が完成する。
図2(E)に示す例においては保護層50を貫通するようにダイシングを行ったが、これに代えて、保護層50を貫通しない高さまでダイシングを行いリフレクタ材40’を分割して各リフレクタ40とした後、保護層50の全体を除去することで個々の発光装置1に分離してもよい。
(第1実施形態の効果)
封止層30のテーパ面31を覆うリフレクタ40が設けられていることにより、LEDチップ10からの光をリフレクタ40で効果的に反射させることができ、封止層30からの光取り出し効率が向上する。
リフレクタ40を形成するために金型を用いないため、発光装置1の製造が簡便であり、製造コストの低減にも貢献し得る。
リフレクタ40のテーパ面の角度は、第1のテーパ刃Aの刃先の角度で調整できるため、光の出射角の変更が容易に行える。
保護層50を切削分離して複数の発光装置1とする前に、テーパ溝に対してリフレクタ材40’を充填してリフレクタ40を形成するため、LEDチップ10ごとに分離した後にリフレクタを形成するために金型を要するという問題も生じない。
封止層30のテーパ面31を覆うリフレクタ40が設けられていることにより、LEDチップ10からの光をリフレクタ40で効果的に反射させることができ、封止層30からの光取り出し効率が向上する。
リフレクタ40を形成するために金型を用いないため、発光装置1の製造が簡便であり、製造コストの低減にも貢献し得る。
リフレクタ40のテーパ面の角度は、第1のテーパ刃Aの刃先の角度で調整できるため、光の出射角の変更が容易に行える。
保護層50を切削分離して複数の発光装置1とする前に、テーパ溝に対してリフレクタ材40’を充填してリフレクタ40を形成するため、LEDチップ10ごとに分離した後にリフレクタを形成するために金型を要するという問題も生じない。
1枚の基板20上に複数のLEDチップ10を設けた後、全てのLEDチップ10を覆うように封止層30を形成し、第1のテーパ刃Aによりテーパ溝を形成し、リフレクタ40を有する個々の発光装置1に更に分離することにより、リフレクタ40での反射による光取り出し構造を有する発光装置1を容易に形成できるとともに、量産性および生産性を向上させることができる。
なお、保護層50は、封止層30よりも硬度が高いものとしてもよい。そうすることによって、第1のテーパ刃Aによるテーパ溝形成時に、刃先が封止層30を脱して保護層50に入った時点で、第1のテーパ刃Aにかかる切削抵抗が急激に変化(増加)する。その変化を検知することで、第1のテーパ刃Aの刃先が保護層50に入ったことを高精度に検知することができ、テーパ溝形成の精度を高めることができる。
なお、保護層50は、封止層30よりも硬度が高いものとしてもよい。そうすることによって、第1のテーパ刃Aによるテーパ溝形成時に、刃先が封止層30を脱して保護層50に入った時点で、第1のテーパ刃Aにかかる切削抵抗が急激に変化(増加)する。その変化を検知することで、第1のテーパ刃Aの刃先が保護層50に入ったことを高精度に検知することができ、テーパ溝形成の精度を高めることができる。
(第1の実施形態の変形例)
図2に示す第1の実施形態に係る発光装置1の製造方法においては、リフレクタ40を形成した後に保護層50を除去したが、これに代えて、図3に示す発光装置1’のように、保護層50’を除去せずに存置して発光装置1’の完成としてもよい。この場合、光透過性確保のため、保護層50’は、透明な樹脂材料やガラス等の透光性を有する材料により形成する。保護層50’は蛍光体粒子を含んでもよい。
図2に示す第1の実施形態に係る発光装置1の製造方法においては、リフレクタ40を形成した後に保護層50を除去したが、これに代えて、図3に示す発光装置1’のように、保護層50’を除去せずに存置して発光装置1’の完成としてもよい。この場合、光透過性確保のため、保護層50’は、透明な樹脂材料やガラス等の透光性を有する材料により形成する。保護層50’は蛍光体粒子を含んでもよい。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係る発光装置1”の製造方法を図4に基づいて説明する。図4(A)、(B)の工程は図2(A)、(B)に示すものと同様であるため説明を省略する。
図4(B)の工程の後、図4(C)の工程において、基板20に対してLEDチップ10を載置した側とは反対の側から、上に凸状の(すなわち、縁部に向かって先細りとなる形状を有する)第1のテーパ刃Aによって、基板20および封止層30にテーパ状の溝(テーパ溝)を、複数のLEDチップ10の間に形成する。第1のテーパ刃Aを回転させながら、刃先がLEDチップ10の上面の高さを越え、かつ、封止層30の上面に達しない位置まで図4(C)の上方向に移動させる。そして、第1のテーパ刃Aを戻し、刃先を90°回転させて先の切削方向と直交する方向に基板20および封止層30へのテーパ溝の形成を同様に行う。これにより、封止層30の四方にテーパ面31が形成される。
なお、図4において、第1のテーパ刃Aの刃面、および、第1のテーパ刃Aによって形成されるテーパ溝の面を、断面視において直線状に記載しているが、本発明はこれに限らず、断面視において凸曲線状、凹曲線状としてもよく、要求されるリフレクタ40の反射面の形状に合わせた任意の形状を採用することができる。
次に、本発明の第2実施形態に係る発光装置1”の製造方法を図4に基づいて説明する。図4(A)、(B)の工程は図2(A)、(B)に示すものと同様であるため説明を省略する。
図4(B)の工程の後、図4(C)の工程において、基板20に対してLEDチップ10を載置した側とは反対の側から、上に凸状の(すなわち、縁部に向かって先細りとなる形状を有する)第1のテーパ刃Aによって、基板20および封止層30にテーパ状の溝(テーパ溝)を、複数のLEDチップ10の間に形成する。第1のテーパ刃Aを回転させながら、刃先がLEDチップ10の上面の高さを越え、かつ、封止層30の上面に達しない位置まで図4(C)の上方向に移動させる。そして、第1のテーパ刃Aを戻し、刃先を90°回転させて先の切削方向と直交する方向に基板20および封止層30へのテーパ溝の形成を同様に行う。これにより、封止層30の四方にテーパ面31が形成される。
なお、図4において、第1のテーパ刃Aの刃面、および、第1のテーパ刃Aによって形成されるテーパ溝の面を、断面視において直線状に記載しているが、本発明はこれに限らず、断面視において凸曲線状、凹曲線状としてもよく、要求されるリフレクタ40の反射面の形状に合わせた任意の形状を採用することができる。
次に、図4(D)に示すように、形成したテーパ溝の内部に、白色の樹脂材からなるリフレクタ材40’を充填する。
リフレクタ材40’の硬化後、図4(E)に示すように、第1のテーパ刃Aと比較して更に鋭角な第2のテーパ刃Bにより、硬化したリフレクタ材40’と封止層30のテーパ溝に対応する箇所のダイシングを行う。このとき、封止層30を貫通するように、かつ、LEDチップ10の全周にわたるようにダイシングを行うことで、各LEDチップ10間が分離される。図4(E)の例においては、基板20の絶縁部22の一部を除去してリード部21を露出させている。余分なリフレクタ材40’を除去することで、図5に示すように、同一仕様の複数の発光装置1”が完成する。
リフレクタ材40’の硬化後、図4(E)に示すように、第1のテーパ刃Aと比較して更に鋭角な第2のテーパ刃Bにより、硬化したリフレクタ材40’と封止層30のテーパ溝に対応する箇所のダイシングを行う。このとき、封止層30を貫通するように、かつ、LEDチップ10の全周にわたるようにダイシングを行うことで、各LEDチップ10間が分離される。図4(E)の例においては、基板20の絶縁部22の一部を除去してリード部21を露出させている。余分なリフレクタ材40’を除去することで、図5に示すように、同一仕様の複数の発光装置1”が完成する。
(第2実施形態の効果)
封止層30のテーパ面31を覆うリフレクタ40が設けられていることにより、LEDチップ10からの光をリフレクタ40で効果的に反射させることができ、封止層30からの光取り出し効率が向上する。
図4(C)の工程でテーパ溝をLEDチップ10の上面より高い位置まで形成することにより、その後形成されるリフレクタ40の上端がLEDチップ10の上面より高い位置に存在することとなり、リフレクタ40による十分な反射効果を得ることができる。
封止層30のテーパ面31を覆うリフレクタ40が設けられていることにより、LEDチップ10からの光をリフレクタ40で効果的に反射させることができ、封止層30からの光取り出し効率が向上する。
図4(C)の工程でテーパ溝をLEDチップ10の上面より高い位置まで形成することにより、その後形成されるリフレクタ40の上端がLEDチップ10の上面より高い位置に存在することとなり、リフレクタ40による十分な反射効果を得ることができる。
リフレクタを形成するために金型を用いないため、発光装置1”の製造が簡便であり、製造コストの低減にも貢献し得る。
リフレクタ40のテーパ面の角度は、第1のテーパ刃Aの刃先の角度で調整できるため、光の出射角の変更が容易に行える。
封止層30を分離して複数の発光装置1”とする前に、テーパ溝に対してリフレクタ材40’を充填してリフレクタ40を形成するため、LEDチップ10ごとに分離した後にリフレクタを形成するために金型を要するという問題も生じない。
リフレクタ40のテーパ面の角度は、第1のテーパ刃Aの刃先の角度で調整できるため、光の出射角の変更が容易に行える。
封止層30を分離して複数の発光装置1”とする前に、テーパ溝に対してリフレクタ材40’を充填してリフレクタ40を形成するため、LEDチップ10ごとに分離した後にリフレクタを形成するために金型を要するという問題も生じない。
1枚の基板20上に複数のLEDチップ10を設けた後、全てのLEDチップ10を覆うように封止層30を形成し、第1のテーパ刃Aによりテーパ溝を形成し、リフレクタ40を有する個々の発光装置1”に更に分離することにより、リフレクタ40での反射による光取り出し構造を有する発光装置1”を容易に形成できるとともに、量産性および生産性を向上させることができる。
本発明は、前記各局面および前記各実施形態の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様も本発明に含まれる。本明細書の中で明示した公報などの内容は、その全ての内容を援用によって引用することとする。
以下、開示する。
(付記1)
基板の上にLEDチップを載置するチップ載置ステップと、
前記LEDチップを封止する透光性の封止層を形成する封止層形成ステップと、
前記封止層の上に保護層を形成する保護層形成ステップと、
前記基板に対して前記LEDチップを載置した側とは反対の側から、前記基板および前記封止層を貫通する溝を刃によって形成する溝形成ステップであって、前記保護層の下面または内部まで伸びるように前記溝を形成する溝形成ステップと、
前記溝にリフレクタ材を充填する充填ステップと、
前記保護層のうち、少なくとも前記溝を形成した部分に対応する部分を除去して分断する分断ステップと、を含む発光装置の製造方法であって、
前記溝形成ステップは、前記刃として、その縁部へ向かって先細りとなる形状を有する刃を用いる、発光装置の製造方法。
(付記2)
前記分断ステップは、前記基板に対して前記LEDチップを載置した側とは反対の側からダイシングを行う、付記1に記載の発光装置の製造方法。
(付記3)
前記分断ステップは、前記保護層の全体を除去する、付記1に記載の発光装置の製造方法。
(付記4)
基板の上にLEDチップを載置するチップ載置ステップと、
前記LEDチップを封止する透光性の封止層を形成する封止層形成ステップと、
前記基板に対して前記LEDチップを載置した側とは反対の側から、前記基板を貫通し前記封止層の途中まで伸びる溝を刃によって形成する溝形成ステップと、
前記溝にリフレクタ材を充填する充填ステップと、
前記封止層のうち、前記溝を形成した部分を更に切削して分断する分断ステップと、を含む発光装置の製造方法であって、
前記溝形成ステップは、前記刃として、その縁部へ向かって先細りとなる形状を有する刃を用いる、発光装置の製造方法。
(付記5)
前記溝形成ステップは、前記チップの上面より高い位置まで伸びるように前記溝を形成する、付記4に記載の発光装置の製造方法。
(付記6)
前記分断ステップは、前記基板に対して前記LEDチップを載置した側とは反対の側からダイシングを行う、付記4または付記5に記載の発光装置の製造方法。
(付記7)
前記保護層は、前記封止層よりも硬度が高い、付記1〜3のいずれか一項に記載の製造方法。
(付記1)
基板の上にLEDチップを載置するチップ載置ステップと、
前記LEDチップを封止する透光性の封止層を形成する封止層形成ステップと、
前記封止層の上に保護層を形成する保護層形成ステップと、
前記基板に対して前記LEDチップを載置した側とは反対の側から、前記基板および前記封止層を貫通する溝を刃によって形成する溝形成ステップであって、前記保護層の下面または内部まで伸びるように前記溝を形成する溝形成ステップと、
前記溝にリフレクタ材を充填する充填ステップと、
前記保護層のうち、少なくとも前記溝を形成した部分に対応する部分を除去して分断する分断ステップと、を含む発光装置の製造方法であって、
前記溝形成ステップは、前記刃として、その縁部へ向かって先細りとなる形状を有する刃を用いる、発光装置の製造方法。
(付記2)
前記分断ステップは、前記基板に対して前記LEDチップを載置した側とは反対の側からダイシングを行う、付記1に記載の発光装置の製造方法。
(付記3)
前記分断ステップは、前記保護層の全体を除去する、付記1に記載の発光装置の製造方法。
(付記4)
基板の上にLEDチップを載置するチップ載置ステップと、
前記LEDチップを封止する透光性の封止層を形成する封止層形成ステップと、
前記基板に対して前記LEDチップを載置した側とは反対の側から、前記基板を貫通し前記封止層の途中まで伸びる溝を刃によって形成する溝形成ステップと、
前記溝にリフレクタ材を充填する充填ステップと、
前記封止層のうち、前記溝を形成した部分を更に切削して分断する分断ステップと、を含む発光装置の製造方法であって、
前記溝形成ステップは、前記刃として、その縁部へ向かって先細りとなる形状を有する刃を用いる、発光装置の製造方法。
(付記5)
前記溝形成ステップは、前記チップの上面より高い位置まで伸びるように前記溝を形成する、付記4に記載の発光装置の製造方法。
(付記6)
前記分断ステップは、前記基板に対して前記LEDチップを載置した側とは反対の側からダイシングを行う、付記4または付記5に記載の発光装置の製造方法。
(付記7)
前記保護層は、前記封止層よりも硬度が高い、付記1〜3のいずれか一項に記載の製造方法。
1、1’、1” 発光装置
10 LEDチップ
20 基板
21 リード部
22 絶縁部
30 封止層
31 テーパ面
40 リフレクタ
40’ リフレクタ材
50、50’ 保護層
A 第1のテーパ刃
B 第2のテーパ刃
10 LEDチップ
20 基板
21 リード部
22 絶縁部
30 封止層
31 テーパ面
40 リフレクタ
40’ リフレクタ材
50、50’ 保護層
A 第1のテーパ刃
B 第2のテーパ刃
Claims (6)
- 基板の上にLEDチップを載置するチップ載置ステップと、
前記LEDチップを封止する透光性の封止層を形成する封止層形成ステップと、
前記封止層の上に保護層を形成する保護層形成ステップと、
前記基板に対して前記LEDチップを載置した側とは反対の側から、前記基板および前記封止層を貫通する溝を刃によって形成する溝形成ステップであって、前記保護層の下面または内部まで伸びるように前記溝を形成する溝形成ステップと、
前記溝にリフレクタ材を充填する充填ステップと、
前記保護層のうち、少なくとも前記溝を形成した部分に対応する部分を除去して分断する分断ステップと、を含む発光装置の製造方法であって、
前記溝形成ステップは、前記刃として、その縁部へ向かって先細りとなる形状を有する刃を用いる、発光装置の製造方法。 - 前記分断ステップは、前記基板に対して前記LEDチップを載置した側とは反対の側からダイシングを行う、請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記分断ステップは、前記保護層の全体を除去する、請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 基板の上にLEDチップを載置するチップ載置ステップと、
前記LEDチップを封止する透光性の封止層を形成する封止層形成ステップと、
前記基板に対して前記LEDチップを載置した側とは反対の側から、前記基板を貫通し前記封止層の途中まで伸びる溝を刃によって形成する溝形成ステップと、
前記溝にリフレクタ材を充填する充填ステップと、
前記封止層のうち、前記溝を形成した部分を更に切削して分断する分断ステップと、を含む発光装置の製造方法であって、
前記溝形成ステップは、前記刃として、その縁部へ向かって先細りとなる形状を有する刃を用いる、発光装置の製造方法。 - 前記溝形成ステップは、前記チップの上面より高い位置まで伸びるように前記溝を形成する、請求項4に記載の発光装置の製造方法。
- 前記分断ステップは、前記基板に対して前記LEDチップを載置した側とは反対の側からダイシングを行う、請求項4または請求項5に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015207974A JP2017079311A (ja) | 2015-10-22 | 2015-10-22 | 発光装置の製造方法 |
US15/299,505 US9985187B2 (en) | 2015-10-22 | 2016-10-21 | Method of manufacturing light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015207974A JP2017079311A (ja) | 2015-10-22 | 2015-10-22 | 発光装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017079311A true JP2017079311A (ja) | 2017-04-27 |
Family
ID=58559088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015207974A Withdrawn JP2017079311A (ja) | 2015-10-22 | 2015-10-22 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9985187B2 (ja) |
JP (1) | JP2017079311A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10886430B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-01-05 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
US11158774B2 (en) | 2018-12-14 | 2021-10-26 | Nichia Corporation | Light-emitting device, light-emitting module, and method of manufacturing light-emitting device |
JP7661513B2 (ja) | 2021-09-28 | 2025-04-14 | 京セラ株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102694860B1 (ko) * | 2016-09-23 | 2024-08-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6932910B2 (ja) * | 2016-10-27 | 2021-09-08 | 船井電機株式会社 | 表示装置 |
US10672954B2 (en) * | 2017-09-01 | 2020-06-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
US10361349B2 (en) | 2017-09-01 | 2019-07-23 | Cree, Inc. | Light emitting diodes, components and related methods |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002368286A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2013004807A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Toshiba Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2013062416A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Toshiba Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
US20140175487A1 (en) * | 2012-12-26 | 2014-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device package |
JP5611492B1 (ja) * | 2012-12-10 | 2014-10-22 | シチズンホールディングス株式会社 | Led装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4122737B2 (ja) | 2001-07-26 | 2008-07-23 | 松下電工株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US7842526B2 (en) | 2004-09-09 | 2010-11-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device and method of producing same |
JP4590994B2 (ja) | 2004-09-09 | 2010-12-01 | 豊田合成株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
-
2015
- 2015-10-22 JP JP2015207974A patent/JP2017079311A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-10-21 US US15/299,505 patent/US9985187B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002368286A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2013004807A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Toshiba Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2013062416A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Toshiba Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP5611492B1 (ja) * | 2012-12-10 | 2014-10-22 | シチズンホールディングス株式会社 | Led装置及びその製造方法 |
US20140175487A1 (en) * | 2012-12-26 | 2014-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device package |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10886430B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-01-05 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
US11424384B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-08-23 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
US11158774B2 (en) | 2018-12-14 | 2021-10-26 | Nichia Corporation | Light-emitting device, light-emitting module, and method of manufacturing light-emitting device |
JP7661513B2 (ja) | 2021-09-28 | 2025-04-14 | 京セラ株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170117446A1 (en) | 2017-04-27 |
US9985187B2 (en) | 2018-05-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2017079311A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US9953956B2 (en) | Package substrate and package structure using the same | |
JP6554914B2 (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
JP6369266B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
TWI657603B (zh) | 半導體封裝裝置及其製造方法 | |
TWI542047B (zh) | 發光二極體封裝結構之製法 | |
TWI648880B (zh) | 形成發光裝置之方法 | |
TWI575779B (zh) | 晶片封裝體及其製造方法 | |
WO2014091914A1 (ja) | Led装置及びその製造方法 | |
CN103069563B (zh) | 用于制造至少一个光电子半导体器件的方法 | |
US20170110635A1 (en) | Method of manufacturing light-emitting device | |
JP6317464B2 (ja) | オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 | |
JP2015076612A5 (ja) | ||
JP2014099468A (ja) | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス | |
JP6541963B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
EP3451394A1 (en) | Light-emitting device | |
US8846422B2 (en) | Method for manufacturing LED package struture and method for manufacturing LEDs using the LED packange struture | |
TWI735405B (zh) | 發光裝置及其形成方法 | |
EP2858129A2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
JP6104624B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス | |
JP2017092352A (ja) | 受発光装置および受発光装置の製造方法 | |
CN110148661B (zh) | 具电极辨识的晶片级封装发光装置及其制造方法 | |
JP6717621B2 (ja) | 光学装置および光学装置の製造方法 | |
JP2016063210A5 (ja) | ||
CN104409523A (zh) | 一种半导体器件的封装结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171121 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180821 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20180830 |