JP5593694B2 - 耐食性部材及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、耐食性部材及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、フッ素系腐食性ガス、塩素系腐食性ガス等のハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマ中においても、十分な誘電率と強度を発揮することができ、例えば半導体製造装置における半導体ウェハ保持などに用いられる静電チャック用などとして好適な耐食性部材、及びその効果的な製造方法に関するものである。
従来、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体製造ラインにおいては、フッ素系腐食性ガス、塩素系腐食性ガス等のハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマを用いる工程があり、なかでもドライエッチング、プラズマエッチング、クリーニング等の工程においてＣＦ4、ＳＦ6、ＨＦ、ＮＦ3、Ｆ2等のフッ素系ガスや、Ｃｌ2、ＳｉＣｌ4、ＢＣｌ3、ＨＣｌ等の塩素系ガスを用いていることから、これらの腐食性ガスやプラズマによる半導体製造装置内の静電チャックのような構成部材の腐食が問題となっている。
そこで、これまで、耐食性材料として、例えば、イットリウムアルミニウム・ガーネットやイットリウムアルミニウム・ガーネットにイットリウムを除く希土類酸化物を添加したものが使用されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
そこで、これまで、耐食性材料として、例えば、イットリウムアルミニウム・ガーネットやイットリウムアルミニウム・ガーネットにイットリウムを除く希土類酸化物を添加したものが使用されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
前記特許文献１には、イットリウムアルミニウム複合酸化物にイットリウムを除く希土類元素を複合化することにより、耐食性が改善されることが開示されている。これはイットリウムを除く希土類元素のハロゲン化物の蒸発温度がイットリウムやアルミニウムのハロゲン化物よりかなり高いためであり、生成すると表面で保護膜として働き、イットリウムやアルミニウムの蒸発やハロゲンとの反応を抑制するためと思われる。
上記イットリウム（Ｙ）を除く希土類元素（ＲＥ）は、入手し易さや耐食性の改善効果の点から、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）の中から選択される1種又は2種以上が好ましく、なかでもサマリウム（Ｓｍ）及びガドリニウム（Ｇｄ）が耐食性の改善効果が著しいことが記されている。
上記イットリウム（Ｙ）を除く希土類元素（ＲＥ）は、入手し易さや耐食性の改善効果の点から、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）の中から選択される1種又は2種以上が好ましく、なかでもサマリウム（Ｓｍ）及びガドリニウム（Ｇｄ）が耐食性の改善効果が著しいことが記されている。
半導体製造工程において使用されるＣＶＤ装置、スパッタリング装置等の成膜装置あるいは微細加工を施すためのエッチング装置等においては、ウェハを保持するためにチャック装置が用いられる。
このチャック装置においては、従来真空チャック方式やメカニカルクランプ方式が採用されてきたが、近年の半導体製造プロセスの高度化に伴い、半導体ウェハを静電引力（クーロン力）により吸着する静電チャック（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｃｈｕｃｋ：ＥＳＣ）方式が用いられるようになってきている。この静電チャック方式は、ウェハ平面度の矯正や均熱などの面において、従来の真空チャック方式やメカニカルクランプ方式に比べ優れた特性を発揮する。静電チャックの動作特性としては、電圧を印加している間は大きなチャッキング力を発生して被吸着物の落下等を防止し、電圧印加を解除したならば直ちにチャッキング力を小さくして被吸着物を容易に取外し得ることが望ましい。
このチャック装置においては、従来真空チャック方式やメカニカルクランプ方式が採用されてきたが、近年の半導体製造プロセスの高度化に伴い、半導体ウェハを静電引力（クーロン力）により吸着する静電チャック（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｃｈｕｃｋ：ＥＳＣ）方式が用いられるようになってきている。この静電チャック方式は、ウェハ平面度の矯正や均熱などの面において、従来の真空チャック方式やメカニカルクランプ方式に比べ優れた特性を発揮する。静電チャックの動作特性としては、電圧を印加している間は大きなチャッキング力を発生して被吸着物の落下等を防止し、電圧印加を解除したならば直ちにチャッキング力を小さくして被吸着物を容易に取外し得ることが望ましい。
静電チャックにおいては、電圧印加により表面に生成した表面電荷により静電吸着するために、表面電荷の生成量に関係する材料の誘電率制御が重要である。また、ウェハ面上でナノオーダーでの平面度が要求されるために、その精度で研削するために十分な機械的強度が必要である。
しかしながら、上述した従来の耐食性材料では、半導体製造プロセスでウェハを吸着固定する静電チャックとして用いる場合に、誘電率が低く吸着特性に劣り、また、異常粒成長により強度が低下し、平面加工精度に劣るという問題点があり、高い誘電率と機械的強度を満足することはできなかった。
本発明は、このような状況下になされたものであって、フッ素系腐食性ガス、塩素系腐食性ガス等のハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマ中で用いられ、静電チャックとして十分な誘電率と強度を有する耐食性部材、及びその効果的な製造方法を提供することを目的とする。
しかしながら、上述した従来の耐食性材料では、半導体製造プロセスでウェハを吸着固定する静電チャックとして用いる場合に、誘電率が低く吸着特性に劣り、また、異常粒成長により強度が低下し、平面加工精度に劣るという問題点があり、高い誘電率と機械的強度を満足することはできなかった。
本発明は、このような状況下になされたものであって、フッ素系腐食性ガス、塩素系腐食性ガス等のハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマ中で用いられ、静電チャックとして十分な誘電率と強度を有する耐食性部材、及びその効果的な製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、下記の知見を得た。
耐食性部材の少なくともハロゲン系腐食性ガス又はそのプラズマに曝される部位を、アルミニウム（Ａｌ）と、イットリウム（Ｙ）と、イットリウムを除く希土類元素（ＲＥ）とを含む複合酸化物焼結体により構成し、該焼結体において、イットリウムの原子数（ＮY）とイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の和（ＮY＋ＮRE）に対するイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の比［ＮRE／（ＮY＋ＮRE）］を０．０５以上０．５未満とし、かつその焼結体中における平均粒子径を０．５μｍ以上１０μｍ以下であって、最大粒子径を３０μｍ以下にすることにより、十分な誘電率（１ＭＨｚ以下の周波数領域において１０以上であり、かつ１ｋＨｚ以下の周波数領域において３０以上）と強度をもつ複合酸化物焼結体を有する耐食性部材が得られることを見出した。
また、このような性状を有する耐食性部材は、特定の操作を施すことにより、効率よく製造し得ることを見出した。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
耐食性部材の少なくともハロゲン系腐食性ガス又はそのプラズマに曝される部位を、アルミニウム（Ａｌ）と、イットリウム（Ｙ）と、イットリウムを除く希土類元素（ＲＥ）とを含む複合酸化物焼結体により構成し、該焼結体において、イットリウムの原子数（ＮY）とイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の和（ＮY＋ＮRE）に対するイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の比［ＮRE／（ＮY＋ＮRE）］を０．０５以上０．５未満とし、かつその焼結体中における平均粒子径を０．５μｍ以上１０μｍ以下であって、最大粒子径を３０μｍ以下にすることにより、十分な誘電率（１ＭＨｚ以下の周波数領域において１０以上であり、かつ１ｋＨｚ以下の周波数領域において３０以上）と強度をもつ複合酸化物焼結体を有する耐食性部材が得られることを見出した。
また、このような性状を有する耐食性部材は、特定の操作を施すことにより、効率よく製造し得ることを見出した。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明は、
（１）アルミニウムと、イットリウムと、イットリウムを除く希土類元素とを含む複合酸化物焼結体を有し、該焼結体において、イットリウムの原子数（ＮY）とイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の和（ＮY＋ＮRE）に対するイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の比［ＮRE／（ＮY＋ＮRE）］が０．０５以上０．５未満であって、焼結体中の平均粒子径が０．５μｍ以上１０μｍ以下であり、かつ最大粒子径が３０μｍ以下であることを特徴とする耐食性部材、
（２）複合酸化物焼結体の誘電率が１ＭＨｚ以下の周波数領域において１０以上であり、かつ１ｋＨｚ以下の周波数領域において３０以上である上記（１）に記載の耐食性部材、
（３）複合酸化物焼結体の結晶構造が、ガーネット型結晶相である結晶構造、又はガーネット型結晶相と、ペロブスカイト型結晶相及び単斜晶系結晶相から選ばれる少なくとも１種とからなる結晶構造である上記（１）又は（２）に記載の耐食性部材、
（４）イットリウムを除く希土類元素が、ランタン、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム及びジスプロシウムの中から選ばれる少なくとも一種である上記（１）〜（３）のいずれかに記載の耐食性部材、及び
（１）アルミニウムと、イットリウムと、イットリウムを除く希土類元素とを含む複合酸化物焼結体を有し、該焼結体において、イットリウムの原子数（ＮY）とイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の和（ＮY＋ＮRE）に対するイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の比［ＮRE／（ＮY＋ＮRE）］が０．０５以上０．５未満であって、焼結体中の平均粒子径が０．５μｍ以上１０μｍ以下であり、かつ最大粒子径が３０μｍ以下であることを特徴とする耐食性部材、
（２）複合酸化物焼結体の誘電率が１ＭＨｚ以下の周波数領域において１０以上であり、かつ１ｋＨｚ以下の周波数領域において３０以上である上記（１）に記載の耐食性部材、
（３）複合酸化物焼結体の結晶構造が、ガーネット型結晶相である結晶構造、又はガーネット型結晶相と、ペロブスカイト型結晶相及び単斜晶系結晶相から選ばれる少なくとも１種とからなる結晶構造である上記（１）又は（２）に記載の耐食性部材、
（４）イットリウムを除く希土類元素が、ランタン、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム及びジスプロシウムの中から選ばれる少なくとも一種である上記（１）〜（３）のいずれかに記載の耐食性部材、及び
（５）下記の工程により形成された複合酸化物焼結体を有する、上記（１）〜（４）のいずれかに記載の耐食性部材の製造方法であって、
（ａ）酸化アルミニウム粉体と、酸化イットリウム粉体と、イットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体とを、溶媒中に分散させてスラリーを調製する工程、（ｂ）前記（ａ）工程で得られたスラリーを乾燥処理したのち、所定形状の成形体に成形する工程、及び（ｃ）前記（ｂ）工程で得られた成形体を焼成することにより、複合酸化物焼結体を形成する工程を含み、かつ前記（ａ）工程において、イットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体の平均一次粒子径が０．２μｍ以下であり、かつスラリー中の酸化アルミニウム粒子、酸化イットリウム粒子及びイットリウムを除く希土類元素の酸化物粒子からなる混合粒子の平均二次粒子径が２μｍ以下であることを特徴とする耐食性部材の製造方法、
を提供するものである。
（ａ）酸化アルミニウム粉体と、酸化イットリウム粉体と、イットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体とを、溶媒中に分散させてスラリーを調製する工程、（ｂ）前記（ａ）工程で得られたスラリーを乾燥処理したのち、所定形状の成形体に成形する工程、及び（ｃ）前記（ｂ）工程で得られた成形体を焼成することにより、複合酸化物焼結体を形成する工程を含み、かつ前記（ａ）工程において、イットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体の平均一次粒子径が０．２μｍ以下であり、かつスラリー中の酸化アルミニウム粒子、酸化イットリウム粒子及びイットリウムを除く希土類元素の酸化物粒子からなる混合粒子の平均二次粒子径が２μｍ以下であることを特徴とする耐食性部材の製造方法、
を提供するものである。
本発明によれば、フッ素系腐食性ガス、塩素系腐食性ガス等のハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマ中においても、十分な誘電率と強度を発揮することができ、例えば半導体製造装置における半導体ウェハ保持などに用いられる静電チャック用などとして好適な耐食性部材、及びその効果的な製造方法を提供することができる。
まず、本発明の耐食性部材について説明する。
［耐食性部材］
本発明の耐食性部材は、アルミニウムと、イットリウムと、イットリウムを除く希土類元素とを含む複合酸化物焼結体を有し、該焼結体において、イットリウムの原子数（ＮY）とイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の和（ＮY＋ＮRE）に対するイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の比［ＮRE／（ＮY＋ＮRE）］が０．０５以上０．５未満であって、焼結体中の平均粒子径が０．５μｍ以上１０μｍ以下であり、かつ最大粒子径が３０μｍ以下であることを特徴とする。
［耐食性部材］
本発明の耐食性部材は、アルミニウムと、イットリウムと、イットリウムを除く希土類元素とを含む複合酸化物焼結体を有し、該焼結体において、イットリウムの原子数（ＮY）とイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の和（ＮY＋ＮRE）に対するイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の比［ＮRE／（ＮY＋ＮRE）］が０．０５以上０．５未満であって、焼結体中の平均粒子径が０．５μｍ以上１０μｍ以下であり、かつ最大粒子径が３０μｍ以下であることを特徴とする。
これまでの金属酸化物焼結体を有する静電チャックは、体積抵抗値が１×１０14Ω・ｃｍ以上であり、クーロン型の静電チャックの特性を示す。そのため、吸着力は誘電率と印加電圧に比例し、厚さに反比例する。本発明者らは、印加電圧と厚さを調整しても、誘電率が１ＭＨｚ以下の周波数領域で１０未満かつ１ｋＨｚ以下の周波数領域において３０未満では十分な吸着力が得られないことを見出した。
本発明の耐食性部材に用いられる複合酸化物焼結体において、平均粒子径が０．５μｍ未満であると粒子内での分極が小さく十分な誘電率が得られない。また、１０μｍを超えると密度及び強度の低下が起こり、腐食性ガス又はそのプラズマ中で脱落や放電により損傷し、シリコンウェハとの磨耗により削られる。さらに、平均粒子径が０．５μｍ以上１０μｍ以下であっても、最大粒子径が３０μｍを超えると損傷や磨耗によりパーティクルの発生原因となる。
したがって、当該複合酸化物焼結体においては、焼結体中の平均粒子径は０．５μｍ以上１０μｍ以下であり、かつ最大粒子径は３０μｍ以下であることを要し、平均粒子径は
１〜５μｍの範囲が好ましく、また最大粒子径は１０〜３０μｍの範囲が好ましい。
なお、上記焼結体中の平均粒子径及び最大粒子径は、焼結体表面を鏡面研磨した後、１３００℃で３０分のサーマルエッチングを施し、任意５点のＳＥＭ像から平均粒子径と最大粒子径を測定した値である。
したがって、当該複合酸化物焼結体においては、焼結体中の平均粒子径は０．５μｍ以上１０μｍ以下であり、かつ最大粒子径は３０μｍ以下であることを要し、平均粒子径は
１〜５μｍの範囲が好ましく、また最大粒子径は１０〜３０μｍの範囲が好ましい。
なお、上記焼結体中の平均粒子径及び最大粒子径は、焼結体表面を鏡面研磨した後、１３００℃で３０分のサーマルエッチングを施し、任意５点のＳＥＭ像から平均粒子径と最大粒子径を測定した値である。
当該複合酸化物焼結体の結晶構造は、ガーネット型単相になるのが好ましい。しかし、ガーネット型結晶相と、ペロブスカイト型結晶相及び単斜晶系結晶相のうちの少なくとも１種とからなる結晶構造でもよい。この複合酸化物焼結体では、上記の結晶構造を有することにより、４点曲げ強度において、１５０ＭＰａ以上の実用上問題ない強度が得られる。
当該複合酸化物焼結体におけるイットリウムの原子数（ＮY）とイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の和（ＮY＋ＮRE）に対するイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の比［ＮRE／（ＮY＋ＮRE）］は０．０５以上０．５未満であることを要する。その理由は、比［ＮRE／（ＮY＋ＮRE）］が０．５以上であると、第2相として副生成物が粒内あるいは粒界相に生成するからであり、熱膨張係数の違う第2相の生成により内部に残留応力が残り強度の低下を招く。また、比［ＮRE／（ＮY＋ＮRE）］が０．０５より小さいと耐食性への効果が十分でない。好ましい［ＮRE／（ＮY＋ＮRE）］は０．１〜０．３の範囲である。
前記のイットリウムを除く希土類元素としては、ランタン、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム及びジスプロシウムの中から選ばれる少なくとも一種であるものが好ましい。
前記のイットリウムを除く希土類元素としては、ランタン、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム及びジスプロシウムの中から選ばれる少なくとも一種であるものが好ましい。
当該複合酸化物焼結体は、前述した種々の性状を有することにより、誘電率を１ＭＨｚ以下の周波数領域において１０以上、かつ１ｋＨｚ以下の周波数領域において３０以上とすることができる上、４点曲げ強度を１５０ＭＰａ以上とすることができる。
このような特性を有する複合酸化物焼結体により、部材の少なくともハロゲン系腐食性ガス又はそのプラズマに曝される部位を構成してなる本発明の耐食性部材は、フッ素系腐食性ガス、塩素系腐食性ガス等のハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマ中においても、十分な誘電率と強度を発揮することができ、例えば半導体製造装置における半導体ウェハ保持などに用いられる静電チャック用などとして好適である。
なお、本発明の耐食性部材においては、当該部材の少なくともハロゲン系腐食性ガス又はそのプラズマに曝される部位が、前述した性状及び特性を有する複合酸化物焼結体により構成されていればよく、その構造については特に制限はない。
このような特性を有する複合酸化物焼結体により、部材の少なくともハロゲン系腐食性ガス又はそのプラズマに曝される部位を構成してなる本発明の耐食性部材は、フッ素系腐食性ガス、塩素系腐食性ガス等のハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマ中においても、十分な誘電率と強度を発揮することができ、例えば半導体製造装置における半導体ウェハ保持などに用いられる静電チャック用などとして好適である。
なお、本発明の耐食性部材においては、当該部材の少なくともハロゲン系腐食性ガス又はそのプラズマに曝される部位が、前述した性状及び特性を有する複合酸化物焼結体により構成されていればよく、その構造については特に制限はない。
次に、本発明の耐食性部材の製造方法について説明する。
本発明の耐食性部材の製造方法（以下、単に「製造方法」と称することがある。）は、下記の（ａ）工程、（ｂ）工程及び（ｃ）工程を含む工程により形成された複合酸化物焼結体を有する、前述した本発明の耐食性部材を製造する方法である。
本発明の耐食性部材の製造方法（以下、単に「製造方法」と称することがある。）は、下記の（ａ）工程、（ｂ）工程及び（ｃ）工程を含む工程により形成された複合酸化物焼結体を有する、前述した本発明の耐食性部材を製造する方法である。
（（ａ）工程）
本発明の製造方法における（ａ）工程は、酸化アルミニウム粉体と、酸化イットリウム粉体と、イットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体とを、溶媒中に分散させてスラリーを調製する工程である。
当該（ａ）工程においては、イットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体の平均一次粒子径が０．２μｍ以下であり、かつスラリー中の酸化アルミニウム粒子、酸化イットリウム粒子及びイットリウムを除く希土類元素の酸化物粒子からなる混合粒子の平均二次粒子径が２μｍ以下であることを要する。
本発明の製造方法で得られる複合酸化物焼結体は、イットリウムを除く希土類元素の酸化物を添加することにより、焼成中に粒成長が促進される。これは、イットリウムを除く希土類元素の酸化物の添加によって複合酸化物焼結体の融点が低下するためであり、物質移動が促進され、その結果粒成長する。そのため、原料粉体中のイットリウムを除く希土類酸化物粒子の分散性が悪いと、焼成中に局所的な異常粒成長を起こす。そこで、分散性を改善するためにイットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体の一次粒子径を０．２μｍ以下と小さくし、原料スラリー中の酸化アルミニウム粒子、酸化イットリウム粒子、イットリウムを除く希土類元素の酸化物からなる混合粒子の平均二次粒径も２μｍ以下と小さくする必要がある。
本発明の製造方法における（ａ）工程は、酸化アルミニウム粉体と、酸化イットリウム粉体と、イットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体とを、溶媒中に分散させてスラリーを調製する工程である。
当該（ａ）工程においては、イットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体の平均一次粒子径が０．２μｍ以下であり、かつスラリー中の酸化アルミニウム粒子、酸化イットリウム粒子及びイットリウムを除く希土類元素の酸化物粒子からなる混合粒子の平均二次粒子径が２μｍ以下であることを要する。
本発明の製造方法で得られる複合酸化物焼結体は、イットリウムを除く希土類元素の酸化物を添加することにより、焼成中に粒成長が促進される。これは、イットリウムを除く希土類元素の酸化物の添加によって複合酸化物焼結体の融点が低下するためであり、物質移動が促進され、その結果粒成長する。そのため、原料粉体中のイットリウムを除く希土類酸化物粒子の分散性が悪いと、焼成中に局所的な異常粒成長を起こす。そこで、分散性を改善するためにイットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体の一次粒子径を０．２μｍ以下と小さくし、原料スラリー中の酸化アルミニウム粒子、酸化イットリウム粒子、イットリウムを除く希土類元素の酸化物からなる混合粒子の平均二次粒径も２μｍ以下と小さくする必要がある。
なお、上記イットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体の平均一次粒子径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により計測された値である。また、原料スラリー中の酸化アルミニウム粒子、酸化イットリウム粒子及びイットリウムを除く希土類元素の酸化物粒子からなる混合粒子の平均二次粒子径は、スラリーにレーザ光を当てた際に回折・散乱する光の強度変化により（レーザ回折・散乱法により）測定された値である。
当該（ａ）工程においては、具体的には、以下に示す操作を施すことにより、原料スラリーを調製する。
まず、原料粉体である、純度９９．９％程度かつ一次粒子の平均粒径（平均一次粒子径）が０．０１〜１．０μｍ程度の、市販の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）粉体と、市販の酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）粉体、及びイットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体として、平均一次粒子径が０．２μｍ以下、好ましくは０．０１〜０．２μｍの市販の酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）粉体や市販の酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3）粉体などを用い、それぞれ、所定の比率で混合する。ここで、原料粉体の平均一次粒子径が０．０１μｍ未満であると価格が高く、経済的に不利となる。また、酸化アルミニウム粉体や酸化イットリウム粉体の平均一次粒子径が１．０μｍより大きくなると焼結性が悪く密度の低下を招くとともに、焼結体中の粒子径が大きくなることにより腐食性ガスまたはそのプラズマ中での劣化が早まるおそれが生じる。
さらに、イットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体の平均一次粒子径が０．２μｍを超えると、前述したように、焼成中に局所的な異常粒成長を起こす。
まず、原料粉体である、純度９９．９％程度かつ一次粒子の平均粒径（平均一次粒子径）が０．０１〜１．０μｍ程度の、市販の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）粉体と、市販の酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）粉体、及びイットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体として、平均一次粒子径が０．２μｍ以下、好ましくは０．０１〜０．２μｍの市販の酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）粉体や市販の酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3）粉体などを用い、それぞれ、所定の比率で混合する。ここで、原料粉体の平均一次粒子径が０．０１μｍ未満であると価格が高く、経済的に不利となる。また、酸化アルミニウム粉体や酸化イットリウム粉体の平均一次粒子径が１．０μｍより大きくなると焼結性が悪く密度の低下を招くとともに、焼結体中の粒子径が大きくなることにより腐食性ガスまたはそのプラズマ中での劣化が早まるおそれが生じる。
さらに、イットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体の平均一次粒子径が０．２μｍを超えると、前述したように、焼成中に局所的な異常粒成長を起こす。
当該（ａ）工程においては、前述した原料の各酸化物粉体を用い、溶媒中に分散させて酸化アルミニウム粒子、酸化イットリウム粒子及びイットリウムを除く希土類元素の酸化物粒子からなる混合粒子の平均二次粒子径が２μｍ以下であるスラリーを調製する。混合粒子の平均二次粒子径が２μｍを超えると、得られる複合酸化物焼結体中の平均粒子径が１０μｍを超えたり、最大粒子径が３０μｍを超えたりする。その結果、該複合酸化物焼結体の曲げ強度が低下する。この平均二次粒子径は、好ましくは０．１〜２μｍ、より好ましくは０．１〜１μｍである。
なお、前記溶媒に特に制限はなく、例えば、水、アルコール類などが挙げられる。また、原料粉体のスラリー化には分散剤を用いてもよい。分散剤に特に制限はなく、粒子表面に吸着し分散効率を上げるものを使用する。さらには、金属不純物を低減するため対イオンとして金属イオンを含まないものが望ましい。分散剤は異粒子同士のヘテロ凝集を防止する意味でも添加される。
原料粉体のスラリー化には、分散機を用いるのが効率的である。分散機により粒子表面への分散剤の吸着を効率よくすると共に異粒子同士の均一な混合が可能となる。分散機は特に制限はなく、例えば、超音波、遊星ボールミル、ボールミル、サンドミルなどのメディアを用いた分散機や、アルティマイザー（商品名）、ナノマイザー（商品名）などのメディアレス分散機が挙げられる。メディアレス分散機はコンタミの混入が少なく半導体製造装置用の耐食性部材には特に有利である。また、上記アルティマイザーやナノマイザーは、粒子同士を高圧で衝突させて、前記混合粒子の平均二次粒子径を容易に２μｍ以下にし得ることからも有利である。
（（ｂ）工程）
本発明の製造方法における（ｂ）工程は、前記（ａ）工程で得られたスラリーを乾燥処理したのち、所定形状の成形体に成形する工程である。具体的には、以下に示す操作を施すことにより、所定形状の成形体を形成する。
まず、前述の（ａ）工程で得られた混合粒子のスラリーを、例えばスプレードライ法などで乾燥処理してなる混合粉末を仮焼又は造粒し、得られた仮焼粉末又は造粒物を、周知の成形手法により、所定形状の成形体に成形する。
本発明の製造方法における（ｂ）工程は、前記（ａ）工程で得られたスラリーを乾燥処理したのち、所定形状の成形体に成形する工程である。具体的には、以下に示す操作を施すことにより、所定形状の成形体を形成する。
まず、前述の（ａ）工程で得られた混合粒子のスラリーを、例えばスプレードライ法などで乾燥処理してなる混合粉末を仮焼又は造粒し、得られた仮焼粉末又は造粒物を、周知の成形手法により、所定形状の成形体に成形する。
（（ｃ）工程）
本発明の製造方法における（ｃ）工程は、前述した（ｂ）工程で得られた成形体を焼成することにより、複合酸化物焼結体を得る工程である。具体的には、以下に示す操作を施すことにより、複合酸化物焼結体を形成する。
まず、前述の（ｂ）工程で得られた成形体を、大気中、５０〜６００℃程度にて脱脂処理した後、大気中あるいは真空中又は不活性ガス雰囲気中、１０００℃〜１８００℃程度、好ましくは１５００℃〜１７００℃にて１〜１０時間程度焼成することにより、９８%以上の相対密度を有する緻密な焼結体を作製することができる。１０００℃未満では焼結が進まず密度が上がらない。また、１８００℃を超えると溶解が起こるため好ましくない。
焼成方法としては、常圧焼成でもよいが、緻密な焼結体を得るためにはホットプレス、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）等の加圧焼成法が好ましい。加圧焼成時の加圧力は特に制限はないが、通常、１０〜４０ＭＰａ程度である。
本発明の製造方法における（ｃ）工程は、前述した（ｂ）工程で得られた成形体を焼成することにより、複合酸化物焼結体を得る工程である。具体的には、以下に示す操作を施すことにより、複合酸化物焼結体を形成する。
まず、前述の（ｂ）工程で得られた成形体を、大気中、５０〜６００℃程度にて脱脂処理した後、大気中あるいは真空中又は不活性ガス雰囲気中、１０００℃〜１８００℃程度、好ましくは１５００℃〜１７００℃にて１〜１０時間程度焼成することにより、９８%以上の相対密度を有する緻密な焼結体を作製することができる。１０００℃未満では焼結が進まず密度が上がらない。また、１８００℃を超えると溶解が起こるため好ましくない。
焼成方法としては、常圧焼成でもよいが、緻密な焼結体を得るためにはホットプレス、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）等の加圧焼成法が好ましい。加圧焼成時の加圧力は特に制限はないが、通常、１０〜４０ＭＰａ程度である。
次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
なお、各例における諸特性は、下記に示す方法に従って測定した。
（１）金属酸化物粉体原料の一次平均粒子径
透過型電子顕微鏡［日立製作所社製、機種名「H-800」］を用いて測定した。
（２）焼結体の相対密度
アルキメデス法により、焼結体の密度を測定し、下記により求めた理論密度に対する割合（相対密度）を算出した。
＜理論密度＞
理論密度＝単位胞重量（ｇ）／単位胞体積（ｃｍ3）
単位胞重量：（ガーネット型結晶相の単位胞重量×結晶相のｍｏｌ％）＋（ペロブスカイト型結晶相の単位胞重量×結晶相のｍｏｌ％）＋（単斜晶系結晶相の単位胞重量×結晶相のｍｏｌ％）
単位胞体積：（ガーネット型結晶相の単位胞体積×結晶相のｍｏｌ％）＋（ペロブスカイト型結晶相の単位胞体積×結晶相のｍｏｌ％）+（単斜晶系結晶相の単位胞体積×結晶相のｍｏｌ％）
なお、各結晶相の単位胞重量は、希土類元素がすべて結晶構造中に固溶しているものとして理論値より算出した。
また、各結晶相の単位胞体積は、希土類元素の酸化イットリウムアルミニウムへの固溶による格子定数の変化はないものとして、理論値を用いた。
さらに、結晶相のｍｏｌ％は、原料粉体の仕込み量からＡｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3系相図を用いて算出した。ガーネット型結晶相とＳｍＡｌＯ３斜方晶系結晶相の混在しているものはガーネット型結晶相単相として算出した。
なお、各例における諸特性は、下記に示す方法に従って測定した。
（１）金属酸化物粉体原料の一次平均粒子径
透過型電子顕微鏡［日立製作所社製、機種名「H-800」］を用いて測定した。
（２）焼結体の相対密度
アルキメデス法により、焼結体の密度を測定し、下記により求めた理論密度に対する割合（相対密度）を算出した。
＜理論密度＞
理論密度＝単位胞重量（ｇ）／単位胞体積（ｃｍ3）
単位胞重量：（ガーネット型結晶相の単位胞重量×結晶相のｍｏｌ％）＋（ペロブスカイト型結晶相の単位胞重量×結晶相のｍｏｌ％）＋（単斜晶系結晶相の単位胞重量×結晶相のｍｏｌ％）
単位胞体積：（ガーネット型結晶相の単位胞体積×結晶相のｍｏｌ％）＋（ペロブスカイト型結晶相の単位胞体積×結晶相のｍｏｌ％）+（単斜晶系結晶相の単位胞体積×結晶相のｍｏｌ％）
なお、各結晶相の単位胞重量は、希土類元素がすべて結晶構造中に固溶しているものとして理論値より算出した。
また、各結晶相の単位胞体積は、希土類元素の酸化イットリウムアルミニウムへの固溶による格子定数の変化はないものとして、理論値を用いた。
さらに、結晶相のｍｏｌ％は、原料粉体の仕込み量からＡｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3系相図を用いて算出した。ガーネット型結晶相とＳｍＡｌＯ３斜方晶系結晶相の混在しているものはガーネット型結晶相単相として算出した。
（３）焼結体における結晶相の同定
粉末Ｘ線回折法により、Ｘ線回折装置として、PANalytial社製、機種名「X' Pert PRO MPD」を用いて、結晶相の同定を行った。表１中、Ｇはガーネット型結晶相、Ｍは単斜晶系結晶相、Ｏは斜方晶系結晶相である。
（４）焼結体の誘電率
４０Ｈｚから１ＭＨｚの周波数領域における誘電率を、測定機器としてAgilent社製、機種名「Agilent 4294A プレシジョン・インピーダンス・アナライザー」を用いて測定した。
（５）スラリー中の混合粒子の二次平均粒子径
レーザ回折・散乱法により、レーザ回折・散乱式粒度分布測定装置［島津社製、機種名「SALD-2000J」］を用いて、混合粒子の二次平均粒子径を測定した。
粉末Ｘ線回折法により、Ｘ線回折装置として、PANalytial社製、機種名「X' Pert PRO MPD」を用いて、結晶相の同定を行った。表１中、Ｇはガーネット型結晶相、Ｍは単斜晶系結晶相、Ｏは斜方晶系結晶相である。
（４）焼結体の誘電率
４０Ｈｚから１ＭＨｚの周波数領域における誘電率を、測定機器としてAgilent社製、機種名「Agilent 4294A プレシジョン・インピーダンス・アナライザー」を用いて測定した。
（５）スラリー中の混合粒子の二次平均粒子径
レーザ回折・散乱法により、レーザ回折・散乱式粒度分布測定装置［島津社製、機種名「SALD-2000J」］を用いて、混合粒子の二次平均粒子径を測定した。
（６）複合酸化物焼結体の平均粒子径及び最大粒子径
焼結体表面を鏡面研磨した後、１３００℃で３０分のサーマルエッチングを施し、走査型電子顕微鏡［日立製作所社製、機種名「S-4000」］を用いて、任意５点のＳＥＭ像から平均粒子径と最大粒子径を測定した。
なお、任意５点のＳＥＭ像は、各点において、１０００倍スケールで１００μｍ×７０μｍ長方形範囲内の粒子について測定した。
（７）焼結体の四点曲げ強度
試料から、ＪＩＳ Ｒ １６０１に準じる試験片を切り出し、ＩＮＳＴＲＯＮ社製、機種名「インストロン４２０６型万能材料試験機」を用い、４点曲げ試験にて曲げ強度（１０本平均）を測定した。
焼結体表面を鏡面研磨した後、１３００℃で３０分のサーマルエッチングを施し、走査型電子顕微鏡［日立製作所社製、機種名「S-4000」］を用いて、任意５点のＳＥＭ像から平均粒子径と最大粒子径を測定した。
なお、任意５点のＳＥＭ像は、各点において、１０００倍スケールで１００μｍ×７０μｍ長方形範囲内の粒子について測定した。
（７）焼結体の四点曲げ強度
試料から、ＪＩＳ Ｒ １６０１に準じる試験片を切り出し、ＩＮＳＴＲＯＮ社製、機種名「インストロン４２０６型万能材料試験機」を用い、４点曲げ試験にて曲げ強度（１０本平均）を測定した。
（８）焼結体の消耗速度（エッチングレート）
試料から、１０ｍｍ×１０ｍｍ×５ｍｍの板状体を切り出し、一方の面を鏡面研磨し、この研磨面を試験面とする試験片を作製した。次いで、この試験片をアセトン洗浄した後、その重量を測定し、プラズマエッチング装置のチャンバー内に設置した。次いで、このチャンバー内にＣＦ4ガス及びマイクロ波（１００Ｗ）を導入してＣＦ4プラズマを発生させ、このＣＦ4プラズマに各試験片を暴露させた。その後、この試験片の暴露後の重量を測定し、暴露前後の重量変化から消耗速度（エッチングレート）を算出し、耐食性の評価とした。
なお、暴露条件は、雰囲気圧：１１ｔoｒｒ、暴露時間：１０分、暴露温度：９００℃である。
試料から、１０ｍｍ×１０ｍｍ×５ｍｍの板状体を切り出し、一方の面を鏡面研磨し、この研磨面を試験面とする試験片を作製した。次いで、この試験片をアセトン洗浄した後、その重量を測定し、プラズマエッチング装置のチャンバー内に設置した。次いで、このチャンバー内にＣＦ4ガス及びマイクロ波（１００Ｗ）を導入してＣＦ4プラズマを発生させ、このＣＦ4プラズマに各試験片を暴露させた。その後、この試験片の暴露後の重量を測定し、暴露前後の重量変化から消耗速度（エッチングレート）を算出し、耐食性の評価とした。
なお、暴露条件は、雰囲気圧：１１ｔoｒｒ、暴露時間：１０分、暴露温度：９００℃である。
実施例１〜２０
いずれも純度９９．９％かつ透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により計測される平均一次粒子径が０．１μｍの市販の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）粉体と、市販の酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）粉体、及び市販の酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）粉体、酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3）粉体、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）粉体、酸化ネオジム（Ｎｄ2Ｏ3）粉体、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2Ｏ3）粉体を用い、これらの粉体を表１に示す組成となるように秤量、調整し、その後、水を溶媒としてアルティマイザーで分散して湿式混合し、原料スラリーを調製したのち、スプレードライにより造粒し混合粉末とした。
次いで、この混合粉末を周知の成形手段により所定形状に成形した。次いで、ホットプレスを用いて、アルゴンガス中、１６００℃にて２時間、加圧焼成することにより、複合酸化物焼結体を作製した。この際の加圧力は２０ＭＰａである。
いずれも純度９９．９％かつ透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により計測される平均一次粒子径が０．１μｍの市販の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）粉体と、市販の酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）粉体、及び市販の酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）粉体、酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3）粉体、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）粉体、酸化ネオジム（Ｎｄ2Ｏ3）粉体、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2Ｏ3）粉体を用い、これらの粉体を表１に示す組成となるように秤量、調整し、その後、水を溶媒としてアルティマイザーで分散して湿式混合し、原料スラリーを調製したのち、スプレードライにより造粒し混合粉末とした。
次いで、この混合粉末を周知の成形手段により所定形状に成形した。次いで、ホットプレスを用いて、アルゴンガス中、１６００℃にて２時間、加圧焼成することにより、複合酸化物焼結体を作製した。この際の加圧力は２０ＭＰａである。
比較例１〜６
実施例１と同様な操作を行い、表１に示す組成となるように、複合酸化物焼結体を作製した。
実施例１と同様な操作を行い、表１に示す組成となるように、複合酸化物焼結体を作製した。
比較例７
実施例１において、分散機をアルティマイザーからボールミルに変更した以外は、実施例１と同様な操作を行い、表１に示す組成となるように、複合酸化物焼結体を作製した。
実施例１において、分散機をアルティマイザーからボールミルに変更した以外は、実施例１と同様な操作を行い、表１に示す組成となるように、複合酸化物焼結体を作製した。
比較例８
実施例１において、希土類酸化物（Ｓｍ2Ｏ3）粉体の平均一次粒子径を０．１μｍから１．５μｍに変更した以外は、実施例１と同様な操作を行い、表１に示す組成となるように複合酸化物焼結体を作製した。
実施例１において、希土類酸化物（Ｓｍ2Ｏ3）粉体の平均一次粒子径を０．１μｍから１．５μｍに変更した以外は、実施例１と同様な操作を行い、表１に示す組成となるように複合酸化物焼結体を作製した。
実施例１〜２０及び比較例１〜８における各原料スラリーと複合酸化物焼結体の諸特性を評価した。その結果を表１に示す。
［注］
１）Ａ：５．０Ａｌ2Ｏ3・２．７Ｙ2Ｏ3・０．３ＲＥ2Ｏ3
２）Ｂ：５．０Ａｌ2Ｏ3・４．５Ｙ2Ｏ3・０．５ＲＥ2Ｏ3
３）Ｃ：５．０Ａｌ2Ｏ3・２．１Ｙ2Ｏ3・０．９ＲＥ2Ｏ3
４）Ｄ：５．０Ａｌ2Ｏ3・１．８Ｙ2Ｏ3・１．２ＲＥ2Ｏ3
５）Ｅ：５．０Ａｌ2Ｏ3・１．２Ｙ2Ｏ3・１．８ＲＥ2Ｏ3
６）ＡＭ：アルティマイザー
７）ＢＭ：ボールミル
８）Ｇ：ガーネット型結晶相
９）Ｍ：単斜晶系結晶相
１０）Ｏ：ＳｍＡｌＯ3斜方晶系結晶相
１）Ａ：５．０Ａｌ2Ｏ3・２．７Ｙ2Ｏ3・０．３ＲＥ2Ｏ3
２）Ｂ：５．０Ａｌ2Ｏ3・４．５Ｙ2Ｏ3・０．５ＲＥ2Ｏ3
３）Ｃ：５．０Ａｌ2Ｏ3・２．１Ｙ2Ｏ3・０．９ＲＥ2Ｏ3
４）Ｄ：５．０Ａｌ2Ｏ3・１．８Ｙ2Ｏ3・１．２ＲＥ2Ｏ3
５）Ｅ：５．０Ａｌ2Ｏ3・１．２Ｙ2Ｏ3・１．８ＲＥ2Ｏ3
６）ＡＭ：アルティマイザー
７）ＢＭ：ボールミル
８）Ｇ：ガーネット型結晶相
９）Ｍ：単斜晶系結晶相
１０）Ｏ：ＳｍＡｌＯ3斜方晶系結晶相
表１より、次の事項が判明した。
実施例１〜２０のように原子比ＮRE／（ＮY＋ＮRE）が０．０５以上０．５未満の範囲であれば、いずれも相対密度は９８%以上、曲げ強度は１５０ＭＰａ以上、消耗速度は０．１μｍ/分以下であり実用上問題ない程度である。結晶相はガーネット型結晶相単相、あるいはガーネット型結晶相と単斜晶系結晶相が混在しているものがあるが、結晶相による特性の変化は見られない。
しかし、比較例１のように原子比ＮRE／（ＮY＋ＮRE）を０まで減少させると、消耗速度が０．１μｍ/分以上となり耐食性（耐プラズマ性）が低下する。逆に比較例２〜６のように０．６まで増加させると、第二層としてＳｍＡｌＯ3斜方晶系結晶相が析出し、曲げ強度のかなりの低下が見られた。これは、粒内あるいは粒界に生成したＳｍＡｌＯ3の熱膨張率係数がマトリックスであるイットリウムアルミニウム・ガーネット相と異なるために降温時に残留応力が発生し、破壊時の起点となったからであると推察される。
一方、比較例７と８のように、原料スラリーや酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）粒子の粒径が大きく、Ｓｍ2Ｏ3の分散性が悪いものでは、局所的な異常粒成長が起こり最大粒子径が３０μｍより大きくなってしまっている。また、第二層としてＳｍＡｌＯ3斜方晶系結晶相が生成しており、これらが要因となり、曲げ強度がかなり低下している。
実施例１〜２０のように原子比ＮRE／（ＮY＋ＮRE）が０．０５以上０．５未満の範囲であれば、いずれも相対密度は９８%以上、曲げ強度は１５０ＭＰａ以上、消耗速度は０．１μｍ/分以下であり実用上問題ない程度である。結晶相はガーネット型結晶相単相、あるいはガーネット型結晶相と単斜晶系結晶相が混在しているものがあるが、結晶相による特性の変化は見られない。
しかし、比較例１のように原子比ＮRE／（ＮY＋ＮRE）を０まで減少させると、消耗速度が０．１μｍ/分以上となり耐食性（耐プラズマ性）が低下する。逆に比較例２〜６のように０．６まで増加させると、第二層としてＳｍＡｌＯ3斜方晶系結晶相が析出し、曲げ強度のかなりの低下が見られた。これは、粒内あるいは粒界に生成したＳｍＡｌＯ3の熱膨張率係数がマトリックスであるイットリウムアルミニウム・ガーネット相と異なるために降温時に残留応力が発生し、破壊時の起点となったからであると推察される。
一方、比較例７と８のように、原料スラリーや酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）粒子の粒径が大きく、Ｓｍ2Ｏ3の分散性が悪いものでは、局所的な異常粒成長が起こり最大粒子径が３０μｍより大きくなってしまっている。また、第二層としてＳｍＡｌＯ3斜方晶系結晶相が生成しており、これらが要因となり、曲げ強度がかなり低下している。
以上説明したように、本発明の耐食性部材によれば、ハロゲン系腐食性ガス又はそのプラズマに曝される部位を、アルミニウム（Ａｌ）と、イットリウム（Ｙ）と、イットリウムを除く希土類元素（ＲＥ）とを含む複合酸化物により構成し、イットリウムの原子数（ＮY）とイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の和（ＮY＋ＮRE）に対するイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の比［ＮRE／（ＮY＋ＮRE）］は０．０５以上０．５未満であり、かつ焼結体中の平均粒子径を０．５μｍ以上１０μｍ以下かつ最大粒子径を３０μｍ以下にすることにより、腐食性ガスやそのプラズマに曝されるおそれのある半導体製造装置内で、十分な誘電率と強度を有する。
したがって、この耐食性部材を、上記の腐食性ガスやプラズマに曝されるおそれのある半導体装置内の構成部材に適用すれば、パーティクル等の発生も無く、シリコン（Ｓｉ）等のウェハの表面を汚染するおそれもない。
したがって、この耐食性部材を、上記の腐食性ガスやプラズマに曝されるおそれのある半導体装置内の構成部材に適用すれば、パーティクル等の発生も無く、シリコン（Ｓｉ）等のウェハの表面を汚染するおそれもない。
本発明の耐食性部材は、フッ素系腐食性ガス、塩素系腐食性ガス等のハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマ中においても、十分な誘電率と強度を発揮することができ、例えば半導体製造装置における半導体ウェハ保持などに使用される静電チャックなどとして好適に用いられる。
Claims (3)
- アルミニウムと、イットリウムと、イットリウムを除く希土類元素とを含む複合酸化物焼結体を有し、該焼結体において、イットリウムの原子数（ＮY）とイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の和（ＮY＋ＮRE）に対するイットリウムを除く希土類元素の原子数（ＮRE）の比［ＮRE／（ＮY＋ＮRE）］が０．０５以上０．５未満であって、焼結体中の平均粒子径が０．５μｍ以上１０μｍ以下であり、かつ最大粒子径が３０μｍ以下であり、
前記複合酸化物焼結体の結晶構造が、ガーネット型結晶相である結晶構造、又はガーネット型結晶相と、ペロブスカイト型結晶相及び単斜晶系結晶相から選ばれる少なくとも１種とからなる結晶構造であり、
複合酸化物焼結体の誘電率が１ＭＨｚ以下の周波数領域において１０以上であり、かつ１ｋＨｚ以下の周波数領域において３０以上であることを特徴とする静電チャック用耐食性部材。 - イットリウムを除く希土類元素が、ランタン、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム及びジスプロシウムの中から選ばれる少なくとも一種である請求項１に記載の静電チャック用耐食性部材。
- 下記の工程により形成された複合酸化物焼結体を有する、請求項１または２に記載の静電チャック用耐食性部材の製造方法であって、
（ａ）酸化アルミニウム粉体と、酸化イットリウム粉体と、イットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体とを、メディアレス分散機を用いて溶媒中に分散させてスラリーを調製する工程、（ｂ）前記（ａ）工程で得られたスラリーを乾燥処理したのち、所定形状の成形体に成形する工程、及び（ｃ）前記（ｂ）工程で得られた成形体を焼成することにより、複合酸化物焼結体を形成する工程を含み、かつ前記（ａ）工程において、イットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体の平均一次粒子径が０．２μｍ以下であり、かつスラリー中の酸化アルミニウム粒子、酸化イットリウム粒子及びイットリウムを除く希土類元素の酸化物粒子からなる混合粒子の平均二次粒子径が２μｍ以下であることを特徴とする静電チャック用耐食性部材の製造方法。
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