JP5379951B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、現在、最も広く使用されている平板表示装置のうちの一つであって、画素電極と共通電極など電場生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挿入されている液晶層とからなり、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定して入射光の偏光を制御することによって、映像を表示する。

液晶表示装置は、また、各画素電極に連結されているスイッチング素子、及びスイッチング素子を制御して画素電極に電圧を印加するためのゲート線とデータ線など複数の信号線を含む。

このような液晶表示装置の中でも、電場が印加されない状態で液晶分子の長軸を上下表示板に対して垂直をなすように配列した垂直配向方式（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ ｍｏｄｅ）の液晶表示装置は、コントラスト比が大きく、基準視野角が広くて脚光を浴びている。ここで、基準視野角とは、コントラスト比が１：１０の視野角または階調間輝度反転限界角度を意味する。

垂直配向モード液晶表示装置において、広視野角を実現するための手段としては、電場生成電極に切開部を形成する方法と、電場生成電極上に突起を形成する方法などがある。切開部と突起によって液晶分子の傾斜方向を決定することができるので、これらを用いて液晶分子の傾斜方向をいくつかの方向に分散させることによって、基準視野角を広くすることができる。

切開部が具備されたＰＶＡ（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ）方式の液晶表示装置の場合には、側面視認性を改善するために、一つの画素を二つの副画素に分割し、二つの副画素を容量性結合させた後、一方の副画素には直接電圧を印加し、他方の副画素には容量性結合による電圧下降を起こして二つの副画素の電圧を異にすることによって、透過率を異ならせる方法が提示された。

このような液晶表示装置においては、二つの電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、この電界の強さを調節して液晶層を通過する光の透過率を調節することによって、所望の画像を得る。この時、液晶層に一方向の電界が永らく印加されることによって発生する劣化現象を防止するために、フレーム別に、行別に、または画素別に共通電圧に対するデータ電圧の極性を反転させる。
［先行技術文献］
［特許文献］
特開２００５−３０１２２６号公報

液晶表示装置においては、データ線と画素電極との間に寄生容量が生じる。このような寄生容量は画素電極電圧に影響を与え、特に、低階調電圧が印加される際に副画素のうちの高い電圧が印加される副画素電極電圧を変動させて輝度を変化させる。そのため垂直クロストーク（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｃｒｏｓｓ ｔａｌｋ）が発生し、これは液晶表示装置の画質を悪化させる要因として作用する。

そこで、本発明が目的とする技術的課題は、液晶表示装置における垂直クロストークの発生を防止することにある。

本発明の液晶表示装置は、複数の画素を含む基板と、１つの画素において前記基板上に形成されていて、第１副画素電極及び第２副画素電極を含む第１画素電極と、前記基板上に位置する複数のゲート線と、前記基板上に形成されている複数のデータ線とを含み、前記複数のデータ線のうち、互いに隣接する一対のデータ線は前記第１画素電極と重畳し、互いに隣接する前記一対のデータ線は反対極性のデータ電圧を有し、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極を分離する領域中の少なくとも一部分は、前記複数のゲート線のうちの少なくとも１つと重畳する。

前記液晶表示装置の行方向に一つの画素において前記第１画素電極と隣接する第２画素電極をさらに含み、前記第２画素電極は第３副画素電極及び第４副画素電極を含み、互いに隣接する前記一対のデータ線のうちの一つのデータ線は、前記第１副画素電極及び前記第２副画素電極のうちの少なくとも一つと、前記第３副画素電極及び前記第４副画素電極のうちの少なくとも一つと交差して位置し、前記第１画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極は、前記第２画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極と隣接する。

前記第１画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極と、それと隣接する前記第２画素電極のうちの少なくとも一つの副画素電極と交差する維持電極をさらに含む。

前記第１画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極は、前記第１画素電極の前記第１副画素電極に対応し、前記第２画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極は、前記第２画素電極の前記第４副画素電極に対応する。

前記第１画素電極の前記第１副画素電極の面積は、前記第１画素電極の前記第２副画素電極の面積と異なる。

前記第１画素電極の前記第２副画素電極の面積は、前記第１画素電極の前記第１副画素電極の面積より広い。

前記第１画素電極の前記第１副画素電極に連結されている第１薄膜トランジスタと、前記第１画素電極の前記第２副画素電極に連結されている第２薄膜トランジスタとをさらに含み、前記第１薄膜トランジスタ及び前記第２薄膜トランジスタは、互いに隣接する前記一対のデータ線のうちの１つのデータ線と連結されている。

前記第２画素電極の前記第３副画素電極に連結されている第３薄膜トランジスタと、前記第２画素電極の前記第４副画素電極に連結されている第４薄膜トランジスタとをさらに含み、前記第３薄膜トランジスタ及び前記第４薄膜トランジスタは互いに隣接する前記一対のデータ線のうちの他の１つのデータ線と連結されている。

前記複数のゲート線は、前記第１薄膜トランジスタに連結されている第１ゲート線と、前記第２薄膜トランジスタに連結されている第２ゲート線とを含む。

前記複数のゲート線は、前記第３薄膜トランジスタに連結されている第３ゲート線と、前記第４薄膜トランジスタに連結されている第４ゲート線とを含む。

前記第３ゲート線は前記第１ゲート線と同一であり、前記第４ゲート線は前記第２ゲート線と同一である。

互いに隣接する前記一対のデータ線のうちの少なくとも１つは、前記第１画素電極と前記第２画素電極が位置する部分で少なくとも４回曲がっている。

互いに隣接する一対のデータ線のうちの前記１つのデータ線は、前記第１画素電極と重畳する第１部分及び前記第２画素電極と重畳する第２部分を含み、前記第１部分の面積は実質的に前記第２部分の面積と同一である。

前記第１画素電極の前記第１副画素電極及び前記第１画素電極の前記第２副画素電極の大部分は、前記第１ゲート線と前記第２ゲート線との間に位置する。

前記第１画素電極の前記第１副画素電極の電圧は、前記第１画素電極の前記第２副画素電極の電圧と異なる。

本発明の液晶表示装置は、複数の画素を含む基板と、前記第１ゲート線及び前記第１ゲート線と列方向に隣接する第２ゲート線と、１つの画素において前記基板上に形成されており、第１副画素電極及び第２副画素電極を含む第１画素電極と、前記基板上に形成されている複数のデータ線とを含み、前記複数のデータ線のうち、互いに隣接する一対のデータ線は前記第１画素電極と重畳し、互いに隣接する前記一対のデータ線は反対極性のデータ電圧を有し、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の基本電極部分とは、前記第１ゲート線と前記第２ゲート線との間に位置する。

前記液晶表示装置の行方向に一つの画素において前記第１画素電極と隣接する第２画素電極をさらに含み、前記第２画素電極は第３副画素電極及び第４副画素電極を含み、隣接する前記一対のデータ線のうちの一つのデータ線は、前記第１副画素電極及び前記第２副画素電極のうちの少なくとも一つと、前記第３副画素電極及び前記第４副画素電極のうちの少なくとも一つと交差して位置し、前記第１画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極は前記第２画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極と隣接する。

前記第１画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極と、それと隣接する前記第２画素電極のうちの少なくとも一つの副画素電極と交差する維持電極をさらに含む。

前記第１画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極は、前記第１画素電極の前記第１副画素電極に対応し、前記第２画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極は、前記第２画素電極の前記第４副画素電極に対応する。

前記第１画素電極の前記第１副画素電極の面積は、前記第１画素電極の前記第２副画素電極の面積と異なる。

前記第１画素電極の前記第２副画素電極の面積は、前記第１画素電極の前記第１副画素電極の面積より広い。

前記第１画素電極の前記第１副画素電極に連結されている第１薄膜トランジスタと、前記第１画素電極の前記第２副画素電極に連結されている第２薄膜トランジスタとをさらに含み、前記第１薄膜トランジスタ及び前記第２薄膜トランジスタは、互いに隣接する前記一対のデータ線のうちの１つのデータ線と連結されている。

前記第２画素電極の前記第３副画素電極に連結されている第３薄膜トランジスタと、前記第２画素電極の前記第４副画素電極に連結されている第４薄膜トランジスタとをさらに含み、前記第３薄膜トランジスタ及び前記第４薄膜トランジスタは互いに隣接する前記一対のデータ線のうちの他の１つのデータ線と連結されている。

前記複数のゲート線は、前記第１薄膜トランジスタに連結されている第１ゲート線と、前記第２薄膜トランジスタに連結されている第２ゲート線とを含む。

前記複数のゲート線は、前記第３薄膜トランジスタに連結されている第３ゲート線と、前記第４薄膜トランジスタに連結されている第４ゲート線とを含む。

前記第３ゲート線は前記第１ゲート線と同一であり、前記第４ゲート線は前記第２ゲート線と同一である。

互いに隣接する前記一対のデータ線のうちの少なくとも１つは、前記第１画素電極と前記第２画素電極が位置する部分で少なくとも４回曲がっている。

互いに隣接する一対のデータ線のうちの前記１つのデータ線は、前記第１画素電極と重畳する第１部分及び前記第２画素電極と重畳する第２部分を含み、前記第１部分の面積は実質的に前記第２部分の面積と同一である。

前記第１画素電極の前記第１副画素電極の電圧は前記第１画素電極の前記第２副画素電極の電圧と異なる。

本発明によれば、一つのデータ線が隣接する２つの画素電極に重畳されることで、データ線と画素電極との間に生じる寄生容量を相殺させることができ、寄生容量が画素電極電圧の変動に与える影響を最小化する。これにより、液晶表示装置における垂直クロストークの発生を防止して表示品質を向上させる。

添付した図面を参照して、本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異な形態で実現でき、ここに説明する実施形態に限定されない。

図面において、いろいろな層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似な部分については同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“すぐ上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上”にあるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。

先に、図１及び図２を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。

図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図であり、図２は本発明の一実施形態による液晶表示装置の二つの副画素に対する等価回路図である。

図１に示したように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、液晶表示板組立体（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｎｅｌ ａｓｓｅｍｂｌｙ）３００と、これと連結されたゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００と、データ駆動部５００に連結された階調電圧生成部８００と、これらを制御する信号制御部６００とを含む。

液晶表示板組立体３００は、等価回路から見れば、複数の信号線（図示せず）と、これに連結されていてほぼ行列状に配列された複数の画素（ｐｉｘｅｌ）ＰＸとを含む。反面、図２に示した構造から見れば、液晶表示板組立体３００は、互いに対向する下部及び上部表示板１００、２００と、その間に入っている液晶層３とを含む。

信号線は、ゲート信号（“走査信号”とも言う）を伝達する複数のゲート線（図示せず）と、データ信号を伝達する複数のデータ線（図示せず）とを含む。ゲート線はほぼ行方向にのび、互いにほとんど平行し、データ線はほぼ列方向にのび、互いにほとんど平行する。

各画素ＰＸは一対の副画素を含み、各副画素は液晶キャパシタ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂを含む。二つの副画素のうちの少なくとも一つは、ゲート線、データ線及び液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂと連結されたスイッチング素子（図示せず）を含む。

液晶キャパシタＣｌｃａ／Ｃｌｃｂは、下部表示板１００の副画素電極ＰＥａ／ＰＥｂと、上部表示板２００の共通電極ＣＥとを二つの端子とし、副画素電極ＰＥａ／ＰＥｂと共通電極ＣＥとの間の液晶層３は誘電体として機能する。一対の副画素電極ＰＥａ、ＰＥｂは互いに分離されていて、一つの画素電極ＰＥをなす。共通電極ＣＥは上部表示板２００の全面に形成されていて、共通電圧Ｖｃｏｍの印加を受ける。液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電場がない状態でその長軸が二つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されている。

一方、色表示を実現するためには、各画素ＰＸが基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを固有に表示したり（空間分割）、各画素ＰＸが時間によって交互に基本色を表示するように（時間分割）して、これら基本色の空間的、時間的合計によって所望の色相が認識されるようにする。

基本色の例としては赤色、緑色、青色など三原色がある。図２は空間分割の一例であって、各画素ＰＸが上部表示板２００の領域に基本色のうちの一つを示すカラーフィルタＣＦを備えることを示している。図２とは異なって、カラーフィルタＣＦは下部表示板１００の副画素電極ＰＥａ、ＰＥｂ上または下に形成することもできる。

表示板１００、２００の外側面には偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）（図示せず）が備えられているが、二つの偏光子の偏光軸は直交することができる。反射型液晶表示装置の場合には二つの偏光子１２、２２のうちの一つが省略できる。直交偏光子の場合、電場がない液晶層３に入った入射光を遮断する。

以下、図３、図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃを参照して、このような液晶表示板組立体の画素電極の詳細構造について説明する。

図３は本発明のいろいろな実施形態による液晶表示板組立体における一つの画素電極の配置図であり、図４Ａ乃至図４Ｃは図３に示した各副画素電極の基本になる電極片の平面図である。

図３に示したように、本発明の実施形態による液晶表示板組立体の各画素電極（ｐｉｘｅｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１は、互いに分離されている一対の第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含む。第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとは行方向に隣接し、切開部（ｃｕｔｏｕｔ）９１ａ、９１ｂを有する。共通電極２７０（図２参考）は、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂと対向する切開部７１ａ、７１ｂを有する。

一つの画素電極１９１をなす第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとは各々別個のスイッチング素子（図示せず）と連結される。これとは異なって、第１副画素電極１９１ａはスイッチング素子（図示せず）と連結され、第２副画素電極１９１ｂは第１副画素電極１９１ａと容量性結合されていることができる。

第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂ各々は、少なくとも図４Ａに示した平行四辺形の電極片１９６一つと、図４Ｂに示した平行四辺形の電極片１９７一つとを含む。図４Ａ及び図４Ｂに示した電極片１９６、１９７を上下に連結すれば図４Ｃに示した基本電極１９８となり、各副画素電極１９１ａ、１９１ｂはこのような基本電極１９８を根幹とする構造を有する。

図４Ａ及び図４Ｂに示したように、電極片１９６、１９７各々は、一対の斜辺（ｏｂｌｉｑｕｅ ｅｄｇｅ）１９６ｏ、１９７ｏ及び一対の横辺（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｅｄｇｅ）１９６ｔ、１９７ｔを有し、ほぼ平行四辺形である。各斜辺１９６ｏ、１９７ｏは横辺１９６ｔ、１９７ｔに対して斜角（ｏｂｌｉｑｕｅ ａｎｇｌｅ）をなし、斜角の大きさはほぼ４５°乃至１３５°であることが好ましい。便宜上、以下、底辺１９６ｔ、１９７ｔを中心に垂直の状態で傾いた方向（“傾斜方向”）によって区分し、図４Ａのように右側に傾いたことを“右傾斜”と言い、図４Ｂのように左に傾いたことを“左傾斜”と言う。

電極片１９６、１９７における横辺１９６ｔ、１９７ｔの長さ、つまり、幅Ｗと横辺１９６ｔ、１９７ｔとの間の距離、つまり、高さＨは表示板組立体３００の大きさによって自由に決定することができる。また、各電極片１９６、１９７における横辺１９６ｔ、１９７ｔは、他の部分との関係を考慮して曲がったり突出したりするなど変形が可能であり、以下ではこのような変形も全て含んで平行四辺形と称する。

共通電極２７０には電極片１９６、１９７と対向する切開部６１、６２が形成されており、電極片１９６、１９７は切開部６１、６２を中心に二つの副領域Ｓ１、Ｓ２に区画される。切開部６１、６２は、電極片１９６、１９７の斜辺１９６ｏ、１９７ｏと並んだ斜線部６１ｏ、６２ｏと、斜線部６１ｏ、６２ｏと鈍角をなしながら電極片１９６、１９７の横辺１９６ｔ、１９７ｔと重畳する横部６１ｔ、６２ｔとを含む。

各副領域Ｓ１、Ｓ２は、切開部６１、６２の斜線部６１ｏ、６２ｏ及び電極片１９６、１９７の斜辺１９６ｔ、１９７ｔによって定義される二つの主辺（ｐｒｉｍａｒｙ ｅｄｇｅ）を有する。主辺の間の距離、つまり、副領域の幅は約２５〜４０μｍ程度であることが好ましい。

図４Ｃに示した基本電極１９８は、右傾斜電極片１９６と左傾斜電極片１９７とが結合してなる。右傾斜電極片１９６と左傾斜電極片１９７とがなす角度はほぼ直角であることが好ましく、二つの電極片１９６、１９７の連結は一部だけで行われる。連結されない部分は切開部９０を構成し、凹んだ方に位置する。しかし、切開部９０は省略することもできる。

二つの電極片１９６、１９７の外側横辺１９６ｔ、１９７ｔは基本電極１９８の横辺１９８ｔをなし、二つの電極片１９６の対応する斜辺１９６ｏ、１９７ｏは互いに連結され、基本電極１９８の屈曲辺（ｃｕｒｖｅｄ ｅｄｇｅ）１９８ｏ１、１９８ｏ２をなす。

屈曲辺１９８ｏ１、１９８ｏ２は、横辺１９８ｔと鈍角、例えば、約１３５゜をなして合う凸辺（ｃｏｎｖｅｘ ｅｄｇｅ）１９８ｏ１、及び横辺１９８ｔと鋭角、例えば、約４５゜をなして合う凹辺（ｃｏｎｃａｖｅ ｅｄｇｅ）１９８ｏ２を含む。屈曲辺１９８ｏ１、１９８ｏ２は一対の斜辺１９６ｏ、１９７ｏがほぼ直角で合ってなるため、その曲がった角度はほぼ直角である。

切開部６０は、凹辺１９８ｏ２上の凹頂点ＣＶから凸辺１９８ｏ１上の凸頂点ＶＶに向かってほぼ基本電極１９８の中心まで延存することができる。

また、共通電極２７０の切開部６１、６２は互いに連結されて一つの切開部６０を構成する。この時、切開部６１、６２で重複する横部６１ｔ、６２ｔは合わせられて一つの横部６０ｔ１を構成する。この新たな形態の切開部６０は、より詳細には次の通りである。

切開部６０は、屈曲点ＣＰを有する屈曲部６０ｏと、屈曲部６０ｏの屈曲点ＣＰに連結されている中央横部６０ｔ１と、屈曲部６０ｏの両端に連結されている一対の終端横部６０ｔ２とを含む。切開部６０の屈曲部６０ｏは直角で合う一対の斜線部からなり、基本電極１９８の屈曲辺１９８ｏ１、１９８ｏ２とほとんど平行であり、基本電極１９８を左半部と右半部に二等分する。切開部６０の中央横部６０ｔ１は屈曲部６０ｏと鈍角、例えば、約１３５゜をなし、ほぼ基本電極１９８の凸頂点ＶＶに向かって延在している。縦断横部６０ｔ２は基本電極１９８の横辺１９８ｔと整列されており、屈曲部６０ｏと鈍角、例えば、約１３５゜をなす。

基本電極１９８と切開部６０は、基本電極１９８の凸頂点ＶＶと凹頂点ＣＶとを連結する仮想の直線（以下、“横中心線”と言う）に対しほぼ反転対称である。

次に、図３に示した各画素電極の特徴について具体的に説明する。

図３に示した各画素電極１９１において、第１副画素電極１９１ａの大きさは第２副画素電極１９１ｂの大きさより小さい。特に、第２副画素電極１９１ｂの高さが第１副画素電極１９１ａの高さより高く、二つの副画素電極１９１ｂの幅は実質的に同一である。第２副画素電極１９１ｂの電極片の数は第１副画素電極１９１ａの電極片の数より多い。

第１副画素電極１９１ａは左傾斜電極片１９７と右傾斜電極片１９６とからなり、図４Ｃに示した基本電極１９８と実質的に同一の構造を有する。

第２副画素電極１９１ｂは二つ以上の左傾斜電極片１９７と二つ以上の右傾斜電極片１９６との組み合わせからなり、図４Ｃに示した基本電極１９８とこれに結合された左傾斜及び右傾斜電極片１９６、１９７とを含む。

図３に示した第２副画素電極１９１ｂは全て６個の電極片１９１ｂ１〜１９１ｂ６からなり、このうちの二つの電極片１９１ｂ５、１９１ｂ６は第１副画素電極１９１ａの上下に配置されている。画素電極１９１ｂは３回曲がった構造を有し、一回屈曲した構造に比べて縦線の表現が優れている。また、第１副画素電極１９１ａの電極片１９１ａ１、１９１ａ２と第２副画素電極１９１ｂの電極片１９１ｂ５、１９１ｂ６が隣接する所で共通電極２７０の切開部６１、６２の横部６１ｔ、６２ｔが合わせられ、一つの横部を構成するようになるので、開口率がさらに増加する。

中間の電極片１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂ１、１９１ｂ２と、その上下に配置された電極片１９１ｂ３〜１９１ｂ６の高さが互いに異なる。例えば、上下電極片１９１ｂ３〜１９１ｂ６の高さが中間電極片１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂ１、１９１ｂ２の約１／２であり、これによって第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとの面積比はほぼ１：２となる。このように、上下電極片１９１ｂ３〜１９１ｂ６の高さを調節すれば所望の面積比を得ることができ、ほぼ１：１．１から１：３程度の面積比を有することが好ましい。

図３において、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの位置関係及び曲がった方向は変わることができ、図３の画素電極１９１を上下左右に反転対称移動したり回転移動したりすることによって変形することができる。

再び図１を参照すれば、階調電圧生成部８００は画素ＰＸの透過率と係わる複数の階調電圧（または基準階調電圧）を生成する。

ゲート駆動部４００は、液晶表示板組立体３００のゲート線と連結され、ゲートオン電圧Ｖｏｎとゲートオフ電圧Ｖｏｆｆとの組み合わせからなるゲート信号Ｖｇをゲート線に印加する。

データ駆動部５００は、液晶表示板組立体３００のデータ線と連結されており、階調電圧生成部８００からの階調電圧を選択し、これをデータ信号としてデータ線に印加する。しかし、階調電圧生成部８００が全ての階調に対する電圧を全て提供することでなく、決められた数の基準階調電圧のみを提供する場合に、データ駆動部５００は基準階調電圧を分圧して全体階調に対する階調電圧を生成し、この中からデータ信号を選択する。

信号制御部６００はゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００などを制御する。

このような駆動装置４００、５００、６００、８００各々は、少なくとも一つの集積回路チップの形態で液晶表示板組立体３００上に直接装着されたり、可撓性印刷回路膜（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｆｉｌｍ）（図示せず）上に装着されてＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）の形態で液晶表示板組立体３００に付着されたり、別途の印刷回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）（図示せず）上に装着されることもできる。これとは異なって、これら駆動装置４００、５００、６００、８００が液晶表示板組立体３００に集積されることもできる。また、駆動装置４００、５００、６００、８００は単一チップで集積でき、この場合、これらのうちの少なくとも一つまたはこれらをなす少なくとも一つの回路素子が単一チップの外側にあり得る。

次に、このような液晶表示装置の動作について詳細に説明する。

信号制御部６００は、外部のグラフィック制御機（図示せず）から入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂ及びその表示を制御する入力制御信号を受信する。入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂは各画素ＰＸの輝度（ｌｕｍｉｎａｎｃｅ）情報を含んでおり、輝度は決められた数、例えば、１０２４（＝２^１０）、２５６（＝２^８）または６４（＝２^６）個の階調（ｇｒａｙ）を有している。入力制御信号の例としては、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃと水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、メインクロックＭＣＬＫ、データイネーブル信号ＤＥなどがある。

信号制御部６００は、入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂと入力制御信号に基づいて入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを液晶表示板組立体３００及びデータ駆動部５００の動作条件に合うように適切に処理し、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１及びデータ制御信号ＣＯＮＴ２などを生成した後、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１をゲート駆動部４００に送出し、データ制御信号ＣＯＮＴ２と処理した映像信号ＤＡＴをデータ駆動部５００に出力する。出力映像信号ＤＡＴはデジタル信号として決められた数の値（または階調）を有する。

ゲート制御信号ＣＯＮＴ１は、走査開始を指示する走査開始信号ＳＴＶと、ゲートオン電圧Ｖｏｎの出力周期を制御する少なくとも一つのクロック信号とを含む。ゲート制御信号ＣＯＮＴ１は、また、ゲートオン電圧Ｖｏｎの持続時間を限定する出力イネーブル信号ＯＥをさらに含むことができる。

データ制御信号ＣＯＮＴ２は、一群の副画素に対する映像データの伝送開始を知らせる水平同期開始信号ＳＴＨと、液晶表示板組立体３００にデータ信号の印加を指示するロード信号ＬＯＡＤと、データクロック信号ＨＣＬＫとを含む。データ制御信号ＣＯＮＴ２は、また、共通電圧Ｖｃｏｍに対するデータ信号の電圧極性（以下、“共通電圧に対するデータ信号の電圧極性”を略して“データ信号の極性”と言う）を反転させる反転信号ＲＶＳをさらに含むことができる。

信号制御部６００からのデータ制御信号ＣＯＮＴ２によって、データ駆動部５００は一群の副画素に対するデジタル映像信号ＤＡＴを受信し、各デジタル映像信号ＤＡＴに対応する階調電圧を選択することによって、デジタル映像信号ＤＡＴをアナログデータ信号に変換した後に、これを当該データ線に印加する。

ゲート駆動部４００は、信号制御部６００からのゲート制御信号ＣＯＮＴ１によってゲートオン電圧Ｖｏｎをゲート線に印加し、このゲート線に連結されたスイッチング素子を導通させる。そうすると、データ線に印加されたデータ信号が導通したスイッチング素子を通じて当該副画素に印加される。

この時、図３を参照すれば、一つの画素電極１９１をなす第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂが別個のスイッチング素子と連結されている場合、つまり、各副画素が各自のスイッチング素子を有している場合には、二つの副画素が互いに異なる時間に同一のデータ線を通じて別個のデータ電圧の印加を受けたり、同一の時間に互いに異なるデータ線を通じて別個のデータ電圧の印加を受けることができる。これとは異なって、第１副画素電極１９１ａはスイッチング素子（図示せず）と連結されており、第２副画素電極１９１ｂは第１副画素電極１９１ａと容量性結合されている場合には、第１副画素電極１９１ａを含む副画素だけがスイッチング素子を通じてデータ電圧の印加を受け、第２副画素電極１９１ｂを含む副画素は第１副画素電極１９１ａの電圧の変化によって変化する電圧を有することができる。この時、面積が相対的に小さい第１副画素電極１９１ａの電圧が、面積が相対的に大きい第２副画素電極１９１ｂの電圧より高い。

このように第１または第２液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの両端に電位差が生じれば、表示板１００、２００の表面にほとんど垂直である主電場（電界）（ｐｒｉｍａｒｙ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）が液晶層３に生成される（以下、画素電極１９１及び共通電極２７０を共に“電場生成電極（ｆｉｅｌｄ ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）”と言う）。そうすると、液晶層３の液晶分子は電場に応答してその長軸が電場の方向に垂直をなすように傾き、液晶分子が傾いた程度によって液晶層３への入射光の偏光の変化程度が変わる。このような偏光の変化は偏光子によって透過率の変化として現れ、これを通じて液晶表示装置は映像を表示する。

液晶分子が傾く角度は電場の強さによって変わるが、二つの液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの電圧が互いに異なるため液晶分子が傾いた角度が異なり、これによって二つの副画素の輝度が異なる。従って、第１液晶キャパシタＣｌｃａの電圧と第２液晶キャパシタＣｌｃｂの電圧を適切に合せれば、側面から見る映像を正面から見る映像に最大限近くすることができ、つまり、側面ガンマ曲線を正面ガンマ曲線に最大限近くすることができ、このようにすることで側面視認性を向上することができる。

また、高い電圧の印加を受ける第１副画素電極１９１ａの面積を第２副画素電極１９１ｂの面積より小さくすれば、側面ガンマ曲線を正面ガンマ曲線にさらに近くすることができる。特に、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積比が、図４Ａ乃至図７Ｂに示したようにほぼ１：２乃至１：３の場合、側面ガンマ曲線が正面ガンマ曲線により一層近くなって側面視認性がさらに良くなる。

液晶分子が傾く方向は、一次的に、電場生成電極１９１、２７０の切開部７１ａ、７１ｂと副画素電極１９１ａ、１９１ｂの辺が主電場を歪曲して作りだす水平成分によって決定される。このような主電場の水平成分は、切開部７１ａ、７１ｂの辺と副画素電極１９１ａ、１９１ｂの辺にほとんど垂直である。

図３を参照すれば、切開部７１ａ、７１ｂによって分れた各副領域上の液晶分子はほとんど主辺に垂直である方向に傾くので、傾く方向をまとめればほぼ四つの方向である。このように、液晶分子が傾く方向を多様にすれば、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。

一方、副画素電極１９１ａ、１９１ｂの間の電圧差によって副次的に生成される副電場（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）の方向は副領域の主辺と垂直である。従って、副電場の方向と主電場の水平成分の方向と一致する。結局、副画素電極１９１ａ、１９１ｂの間の副電場は、液晶分子の傾斜方向の決定を強化する方に作用する。

１水平周期［“１Ｈ”とも記し、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ及びデータイネーブル信号ＤＥの一周期と同一である］を単位としてこのような過程を繰り返すことによって、全ての画素ＰＸにデータ信号を印加して１フレーム（ｆｒａｍｅ）の映像を表示する。

１フレームが終了すれば、次のフレームが開始し、各画素ＰＸに印加されるデータ信号の極性が直前フレームでの極性と反対になるように、データ駆動部５００に印加される反転信号ＲＶＳの状態が制御される（“フレーム反転”）。この時、１フレーム内でも反転信号ＲＶＳの特性によって一つのデータ線を通じて流れるデータ信号の極性が変わったり（例：行反転、点反転）、一群の画素に印加されるデータ信号の極性も互いに異なることができる（例：列反転、点反転）。

次に、図５乃至図８及び前述した図１乃至図４Ｃを参照して、本発明の一実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。

図５は本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。

図５を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体は、複数対のゲート線ＧＬａ、ＧＬｂ、複数のデータ線ＤＬ及び複数の維持電極線ＳＬを含む信号線と、これに連結された複数の画素ＰＸとを含む。

各画素ＰＸは一対の副画素ＰＸａ、ＰＸｂを含み、各副画素ＰＸａ／ＰＸｂは、各々当該ゲート線ＧＬａ／ＧＬｂ及びデータ線ＤＬに連結されているスイッチング素子Ｑａ／Ｑｂと、これに連結された液晶キャパシタＣｌｃａ／Ｃｌｃｂと、スイッチング素子Ｑａ／Ｑｂ及び維持電極線ＳＬに連結されているストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｓｔａ／Ｃｓｔｂとを含む。

各スイッチング素子Ｑａ／Ｑｂは、下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬａ／ＧＬｂと連結されており、入力端子はデータ線ＤＬと連結されており、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃａ／Ｃｌｃｂ及びストレージキャパシタＣｓｔａ／Ｃｓｔｂと連結されている。

液晶キャパシタＣｌｃａ／Ｃｌｃｂの補助的な役割を果たすストレージキャパシタＣｓｔａ／Ｃｓｔｂは、下部表示板１００に具備された維持電極線ＳＬと画素電極ＰＥが絶縁体を間に置いて重畳してなり、維持電極線ＳＬには共通電圧Ｖｃｏｍなどの決められた電圧が印加される。しかし、ストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂは副画素電極ＰＥａ、ＰＥｂが絶縁体を媒介としてすぐ上の前段ゲート線と重畳してなることができる。

液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂなどについては前述したので、詳細な説明は省略する。

このような液晶表示板組立体を含む液晶表示装置においては、信号制御部６００が一つの画素ＰＸに対する入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを受信して二つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂに対する出力映像信号ＤＡＴに変換し、データ駆動部５００に伝送することができる。これとは異なって、階調電圧生成部８００で二つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂに対する階調電圧集合を別に作ってこれを交互にデータ駆動部５００に提供するか、またはデータ駆動部５００でこれを交互に選択することによって、二つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂに互いに異なる電圧を印加することができる。但し、この際に二つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂの合成ガンマ曲線が正面における基準ガンマ曲線に近くなるように映像信号を補正するか、または階調電圧集合を作ることが好ましい。例えば、正面における合成ガンマ曲線はこの液晶表示板組立体に最も適するように決められた正面における基準ガンマ曲線と一致するようにし、側面における合成ガンマ曲線は正面における基準ガンマ曲線と最も近くなるようにする。

図５に示した液晶表示板組立体の一例について、図６、図７及び図８、そして前述した図３を参照して詳細に説明する。

図６は本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の配置図であり、図７及び図８は図６に示した液晶表示板組立体のＶＩＩ−ＶＩＩ及びＶＩＩ−ＶＩＩ線による断面図である。

図６及び図７を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体は、互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００、及びこれら二つの表示板１００、２００の間に入っている液晶層３を含む。

先に、下部表示板１００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板１１０上に、複数対の第１及び第２ゲート線（ｇａｔｅ ｌｉｎｅ）１２１ａ、１２１ｂと、複数対の第１及び第２維持電極線（ｓｔｏｒａｇｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｌｉｎｅｓ）１３１ａ、１３１ｂとを含む複数のゲート導電体が形成されている。

第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂはゲート信号を伝達し、主に横方向にのびており、各々上側及び下側に位置する。

第１ゲート線１２１ａは、上に突出した複数の第１ゲート電極（ｇａｔｅｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４ａと、他の層またはゲート駆動部４００との接続のための広い端部１２９ａとを含む。第２ゲート線１２１ｂは、下に突出した複数の第２ゲート電極１２４ｂと、他の層またはゲート駆動部４００との接続のための広い端部１２９ｂとを含む。ゲート駆動部４００が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１ａ、１２１ｂが延長されてこれと直接連結されることができる。

維持電極線１３１ａ、１３１ｂは共通電圧Ｖｃｏｍなど所定の電圧の印加を受け、主に横方向にのびている。第１及び第２維持電極線１３１ａ、１３１ｂは各々第１ゲート線１２１ａ及び第２ゲート線１２１ｂの下に位置する。各維持電極線１３１ａ、１３１ｂは下上に拡張された複数対の第１及び第２維持電極（ｓｔｏｒａｇｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１３７ａ、１３７ｂを含む。しかし、維持電極１３７ａ、１３７ｂをはじめとする維持電極線１３１の形状及び配置はいろいろな形態に変更することができる。

ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１ａ、１３１ｂは、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などで作ることができる。

しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。多重膜構造とする場合は、このうちの一つの導電膜は信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで作られる。一方、他の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで作られる。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１ａ、１３１ｂはその他にも多様な金属または導電体で作ることができる。

ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１ａ、１３１ｂの側面は、基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であることが好ましい。

ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１ａ、１３１ｂ上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで作られたゲート絶縁膜（ｇａｔｅ ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）（非晶質シリコンは、略してａ−Ｓｉと記す）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）などで作られた複数の第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されている。第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂは各々第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置する。

それぞれの第１半導体１５４ａ上には一対の島型オーミックコンタクト部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）１６３ａ、１６５ａが形成されており、それぞれの第２半導体１５４ｂ上にも一対の島型オーミックコンタクト部材（図示せず）が形成されている。オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６５ａはリンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質、またはシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）で作ることができる。

半導体１５４ａ、１５４ｂとオーミックコンタクト部材１６３ａ、１６５ａの側面も基板１１０面に対して傾斜しており、傾斜角は３０゜乃至８０゜程度である。

オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６５ａ及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線（ｄａｔａ ｌｉｎｅ）１７１と複数対の第１及び第２ドレイン電極（ｄｒａｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５ａ、１７５ｂとを含むデータ導電体が形成されている。

データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に縦方向にのびてゲート線１２１ａ、１２１ｂ及び維持電極線１３１ａ、１３１ｂと交差する。各データ線１７１は中間に４回曲がっており、第１ゲート線１２１ａを中心に上部分と第２維持電極線１３１ｂを中心に下部分は一直線上にある。

各データ線１７１は、第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂに向かって各々のびた複数対の第１及び第２ソース電極（ｓｏｕｒｃｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３ａ、１７３ｂと、他の層またはデータ駆動部５００との接続のために面積が広い端部１７９とを含む。データ駆動部５００が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が延長されてこれと直接連結されることができる。

第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離されており、データ線１７１とも分離されている。

第１／第２ドレイン電極１７５ａ／１７５ｂは、第１／第２ゲート電極１２４ａ／１２４ｂを中心に第１／第２ソース電極１７３ａ／１７３ｂと対向し、広い一端部１７７ａ／１７７ｂと棒状の他端部分とを含む。広い端部１７７ａ、１７７ｂは各々第１及び第２維持電極１３７ａ、１３７ｂと重畳し、棒状の端部は曲がった第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂによって一部取り囲まれている。

第１／第２ゲート電極１２４ａ／１２４ｂ、第１／第２ソース電極１７３ａ／１７３ｂ及び第１／第２ドレイン電極１７５ａ／１７５ｂは、第１／第２半導体１５４ａ、１５４ｂと共に第１／第２薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）Ｑａ／Ｑｂをなし、第１／第２薄膜トランジスタＱａ／Ｑｂのチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、第１／第２ソース電極１７３ａ／１７３ｂと第１／第２ドレイン電極１７５ａ／１７５ｂとの間の第１／第２半導体１５４ａ／１５４ｂに形成される。

データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂは、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ ｍｅｔａｌ）またはこれらの合金で作られることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜との二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜との三重膜がある。しかし、データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂはその他にも多様な金属または導電体で作ることができる。

データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂもその側面が基板１１０面に対して３０゜乃至８０゜程度の傾斜角で傾斜していることが好ましい。

オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６５ａは、その下の半導体１５４ａ、１５４ｂとその上のデータ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂとの間にだけ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。半導体１５４ａ、１５４ｂには、ソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間をはじめとしてデータ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂによって覆われずに露出された部分がある。

データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂ及び露出された半導体１５４ａ、１５４ｂ部分上には保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などで作られ、表面が平坦であり得る。有機絶縁物は４．０以下の誘電率を有することが好ましく、感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有することもできる。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも露出された半導体１５４ａ、１５４ｂ部分に損傷を与えないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することができる。

保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９と第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの広い端部１７７ａ、１７７ｂを各々露出する複数のコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）１８２、１８５ａ、１８５ｂが形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂを各々露出する複数のコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂが形成されている。

保護膜１８０上には複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１及び複数のコンタクト補助部材（ｃｏｎｔａｃｔ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）８１ａ、８１ｂ、８２が形成されている。これらは、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属で作ることができる。

画素電極１９１は、各々上部表示板２００に形成されていて、基本色、例えば赤色Ｒ、緑色Ｇ、青色Ｂの三原色のうちの一つを示すカラーフィルタＣＦと各々対向する。各画素電極１９１は互いに分離されている一対の第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含む。

第１副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｇａ、１９１Ｂａは各々コンタクトホール１８５ａを通じてそれぞれの第１ドレイン電極１７５ａと連結されており、第２副画素電極１９１Ｇｂと第２副画素電極１９１Ｒｂ、１９１Ｂｂの連結部１９２Ｒ、１９２Ｂは各々コンタクトホール１８５ｂを通じてそれぞれの第２ドレイン電極１７５ｂと連結されている。

画素電極１９１はデータ線１７１と保護膜１８０を間に置いて重畳する。一つのデータ線１７１は隣接する画素電極１９１と全て重畳する。つまり、データ線１７１は第１薄膜トランジスタを通じて連結されている画素電極１９１の第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂと重畳し、これと隣接する他の画素電極１９１の第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂとも重畳する。以下、一つのデータ線１７１を基準としてデータ線１７１に連結された画素電極１９１と第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを自己画素電極１７１、自己第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂとし、これと隣接する画素電極１９１と第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを隣接画素電極１９１、隣接第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂとする。

データ線１７１は自己の画素電極１９１と隣接する画素電極１９１と全て重畳するために、一直線に延びた形態ではなく、何回曲がった形態をとる。つまり、データ線１７１は自己第２副画素電極１９１ｂと重畳し、縦にのびて第１ゲート線１２１ａ上を経てほぼ第１ゲート線１２１ａのエッジ部分上の地点で曲がって自己第１副画素電極１９１ａ及び隣接第２副画素電極１９１ｂと重畳する。次いで、この隣接第２副画素電極１９１ｂと重畳したまま、隣接第２副画素電極１９１ｂのエッジ部分上で曲がって第１維持電極線１３１ａに対して垂直にのび、隣接第１副画素電極１９１ａと重畳する。第１維持電極線１３１ａを通過して、再び、隣接第１副画素電極１９１ａを越えて、隣接第２副画素電極１９１ｂのエッジ部分で曲がってこの隣接第２副画素電極１９１ｂと自己第１副画素電極１９１ａと重畳する。次いで、第２維持電極線１３１ｂと出会う前の地点（自己第１副画素電極１９１ａのほぼエッジ部分上）で再び一回曲がって自己第２副画素電極１９１ｂと重畳する。従って、データ線１７１は全体にわたって４回曲がっており、第１ゲート線１２１ａの上側及び第２維持電極線１３１ｂの下側で一直線上に位置する。また、このようなデータ線１７１の形態は第１維持電極線１３１ａを中心に上下対称をなす。

一方、データ線１７１が自己第１副画素電極１９１ａと重畳する部分、自己第２副画素電極１９１ｂと重畳する部分、隣接第１副画素電極１９１ａと重畳する部分、及び隣接第２副画素電極１９１ｂと重畳する部分を各々第１部分１７１ａ、第２部分１７１ｂ、第３部分１７１ｃ、及び第４部分１７１ｄとする時、第１、第２及び第４部分１７１ａ、１７１ｂ、１７１ｄと第３部分１７１ｃとの長さは互いに異なる。つまり、第１、第２及び第４部分１７１ａ、１７１ｂ、１７１ｄは第１維持電極線１３１ａを中心に上下に二つの部分に分れているが、第３部分１７１ｃは第１維持電極線１３１ａを横切って一つの部分からなる。また、第３部分１７１ｃは第１、第２及び第４部分１７１ａ、１７１ｂ、１７１ｄに比べてその幅が広く、例えば、約２倍程度である。従って、第１部分１７１ａの面積と第３部分１７１ｃの面積とは実質的に同一であり、第２部分１７１ｂの面積と第４部分１７１ｄの面積とが同一である。

さらに、データ線１７１は、第１部分１７１ａと第２部分１７１ｂの間、第３部分１７１ｃと第４部分１７１ｄの間でそれぞれ曲がっている。またデータ線１７１の第１部分１７１ａと第４部分１７１ｄとは一直線上に位置し、第１部分１７１ａと第３部分１７１ｃとは平行である。

以上で説明したことを一つの画素電極１９１を基準として再び説明すれば、画素電極１９１と連結されているデータ線１７１、隣接するデータ線１７１が全て重畳する。データ線１７１と画素電極１９１との間には寄生容量が発生して画素電極電圧に影響を与える。列反転駆動で隣接するデータ線１７１には互いに異なる極性のデータ電圧が印加されるので、一つの画素電極１９１が互いに異なる極性が印加されるデータ線１７１と同時に重畳すれば、隣接する二つのデータ線１７１各々と画素電極１７１との間に発生する寄生容量による画素電極電圧の変動は各々正極性（＋）及び負極性（−）の方向に同時に発生するので互いに相殺される。従って、データ線１７１及び画素電極１９１との間に発生する寄生容量による垂直クロストークの発生を最小化することができる。

維持電極線１３１ａ、１３１ｂ、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの拡張部１７７ａ、１７７ｂ及びコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂは、副画素電極１９１ａ、１９１ｂの横中心線上に位置している。副画素電極１９１ａ、１９１ｂの屈曲点を連結する直線は前述した副領域の境界であって、この部分では液晶分子の配列が乱れてテクスチャ（ｔｅｘｔｕｒｅ）が現れる。従って、このように配置すれば、テクスチャを覆いながら開口率を向上することができる。

画素電極１９１のその他の形状及び配置は図３を参照して前述したので、詳細な説明は省略する。

第１／第２副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｇａ、１９１Ｂａ／１９１Ｒｂ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂｂと上部表示板２００の共通電極２７０は、その間の液晶層３部分と共に各々第１／第２液晶キャパシタＣｌｃａ／Ｃｌｃｂをなし、薄膜トランジスタＱａ／Ｑｂがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。

第１副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｇａ、１９１Ｂａ及びこれと連結された第１ドレイン電極１７５ａは、ゲート絶縁膜１４０を間に置いて維持電極１３７と重畳して各々第１／第２ストレージキャパシタＣｓｔａ／Ｃｓｔｂをなし、第１／第２ストレージキャパシタＣｓｔａ／Ｃｓｔｂは第１／第２液晶キャパシタＣｌｃａ／Ｃｌｃｂの電圧維持能力を強化する。

コンタクト補助部材８１ａ、８１ｂ、８２は、各々コンタクトホール１８１ａ、１８１ｂ、１８２を通じてゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９と連結される。コンタクト補助部材８１ａ、８１ｂ、８２は、ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。

次に、上部表示板２００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板２１０上に遮光部材（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）２２０が形成されている。遮光部材２２０は画素電極１９１の屈曲辺に対応する屈曲部と薄膜トランジスタに対応する四角形部分とを含み、画素電極１９１の間の光漏れを防止し、画素電極１９１と対向する開口領域を定義する。

基板２１０及び遮光部材２２０上には、また、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２３０によって取り囲まれた領域内にほとんど存在し、画素電極１９１の列に沿って長くのびることができる。各カラーフィルタ２３０は赤色、緑色及び青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示することができる。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には蓋膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。蓋膜２５０は（有機）絶縁物で作ることができ、カラーフィルタ２３０が露出されることを防止し、平坦面を提供する。蓋膜２５０は省略できる。

蓋膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。

表示板１００、２００の内側面には配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｌａｙｅｒ）１１、２１が形成されていて、これらは垂直配向膜であり得る。

表示板１００、２００の外側面には偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）１２、２２が備えられており、二つの偏光子１２、２２の偏光軸は直交し、このうちの一つの偏光軸はゲート線１２１ａ、１２１ｂに対して並んでいることが好ましい。反射型液晶表示装置の場合には二つの偏光子１２、２２のうちの一つが省略できる。

液晶表示装置は、偏光子１２、２２、位相遅延膜、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ ｕｎｉｔ）（図示せず）を含むことができる。

液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電場がない状態でその長軸が二つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されている。

次に、図５に示した液晶表示板組立体の他の例について、図９及び図１０を参照して詳細に説明する。

図９は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体を示す配置図であり、図１０は図９に示した液晶表示板組立体を概括的に示す図面である。

図９及び図１０を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体は、下部表示板（図示せず）、上部表示板（図示せず）及びその間の液晶層（図示せず）を含む。

本実施形態による液晶表示板組立体の層状構造は、ほとんど図９及び図１０に示した液晶表示板組立体の層状構造と同一である。

下部表示板について説明すれば、絶縁基板（図示せず）上に複数対の第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂと複数対の維持電極線１３１ａ、１３１ｂとを含むゲート導電体が形成されている。第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂは各々第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂと端部１２９ａ、１２９ｂとを含む。ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１ａ、１３１ｂ上にはゲート絶縁膜（図示せず）が形成されている。ゲート絶縁膜上には複数の半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されており、その上には複数のオーミックコンタクト部材（図示せず）が形成されている。オーミックコンタクト部材上には複数のデータ線１７１と複数の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとを含むデータ導電体が形成されている。データ線１７１は複数の第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと端部１７９とを含み、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは広い端部１７７ａ、１７７ｂを含む。データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂ及び露出された半導体１５４ａ、１５４ｂ部分上には保護膜（図示せず）が形成されており、保護膜及びゲート絶縁膜には複数のコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂ、１８２、１８５ａ、１８５ｂが形成されている。保護膜上には第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含む複数の画素電極１９１と複数のコンタクト補助部材８１ａ、８１ｂ、８２が形成されている。画素電極１９１、コンタクト補助部材８１ａ、８１ｂ、８２及び保護膜上には配向膜（図示せず）が形成されている。

上部表示板について説明すれば、絶縁基板上に遮光部材、共通電極２７０、及び配向膜が形成されている。

しかし、本実施形態による液晶表示板組立体は、画素電極１９１の形態が図６乃至図８に示した液晶表示板組立体と異なる。

画素電極１９１は上部表示板に形成されていて、基本色、例えば赤色Ｒ、緑色Ｇ、青色Ｂの三原色のうちの一つを示すカラーフィルタＣＦと各々対向する。画素電極１９１は各カラーフィルタに対応し、互いに分離されている三つの画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂに分けることができる。各画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂは、互いに分離されている一対の第１及び第２副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂａ、１９１Ｂｂを含む。

第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂ各々も、少なくとも図４Ａに示した平行四辺形の電極片１９６一つと図４Ｂに示した平行四辺形の電極片１９７一つとを含む。図４Ａ及び図４Ｂに示した電極片１９６、１９７を上下に連結すれば、図４Ｃに示した基本電極１９８となり、各副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂａ、１９１Ｂｂはこのような基本電極１９８を根幹とする構造を有する。

第１副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｇａ、１９１Ｂａは左傾斜電極片１９７と右傾斜電極片１９６からなり、図４Ｃに示した基本電極１９８と実質的に同一の構造を有する。

第２副画素電極１９１Ｒｂ、１９１Ｂｂは基本電極１９８と実質的に同一の構造を有する第１及び第２単位電極１９１Ｒｂ１、１９１Ｒｂ２、１９１Ｂｂ１、１９１Ｂｂ２を含み、第１及び第２単位電極１９１Ｒｂ１、１９１Ｒｂ２、１９１Ｂｂ１、１９１Ｂｂ２は連結部１９２Ｒ、１９２Ｂによって上下に連結されている。第１単位電極１９１Ｒｂ１、１９１Ｂｂ１の高さが第２単位電極１９１Ｒｂ２、１９１Ｂｂ２の高さより高く、ほぼ１．１倍乃至２倍であることが好ましい。また、第１副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｂａの高さが第１単位電極１９１Ｒｂ１、１９１Ｂｂ１の高さと同一である場合、第１副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｂａと第２副画素電極１９１Ｒｂ、１９１Ｂｂとの面積比がほぼ１：１．５乃至１：２となる。このように、第１副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｂａと第２副画素電極の第１及び第２単位電極１９１Ｒｂ１、１９１Ｒｂ２、１９１Ｂｂ１、１９１Ｂｂ２の幅と高さを調節すれば、所望の面積比を得ることができる。

第２副画素電極１９１Ｒｂは基本電極１９８と実質的に同一の構造を有し、下端と上端で連結された三つの単位電極を含む。二つの切開部９１、９２は第２副画素電極１９１Ｇｂを三等分し、各々第２副画素電極１９１Ｇｂの屈曲辺と平行な屈曲部とこれに連結された横部を含む。第２副画素電極１９１Ｇｂの幅は第１副画素電極１９１Ｇａの幅より広く、例えば、ほぼ３倍である。また、第２副画素電極１９１Ｇｂの高さは第１副画素電極１９１Ｇａの高さのほぼ１／２倍乃至１倍であることが好ましい。同様に、第１及び第２副画素電極１９１Ｇａ、１９１Ｇｂの幅と高さを調節して面積比を調節することができる。

副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂａ、１９１Ｂｂの幅と高さを調節して画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂの面積を互いに実質的に同一にすることができる。

このようにすれば、三つの基本色を示す画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂが一つの画素電極集合をなすとする時、隣接する画素電極集合の同じ色を示す画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂの形状が同一に繰り返され、隣接する画素電極集合自体の形状も同一に繰り返される。従って、縦線の表現がさらに良くなり、第１及び第２副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂａ、１９１Ｂｂにデータ電圧を別々に印加することも容易である。

また、一つの画素電極集合で副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂａ、１９１Ｂｂの幅と高さの調節が容易であるので、各画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂ間の面積調節も容易になる。

図１０に示したように、各データ線１７１は直線にのびており、各データ線１７１の間の間隔は各々異なる。一つのデータ線１７１は隣接する二つの画素電極１９１それぞれの第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂと全て重畳する。

青色カラーフィルタに対応する画素電極１９１Ｂの第１副画素電極１９１Ｂａは、二つのデータ線１７１と重畳する。画素電極１９１Ｂと薄膜トランジスタＱ１Ｂを通じて連結されているデータ線１７１と画素電極１９１Ｂが重畳する部分を第１領域１７１ｅとし、隣接するデータ線１７１と画素電極１９１Ｂが重畳する部分を第２領域１７１ｆとする時、第１領域１７１ｅの長さは第２領域１７１ｆの長さより長い。また、第２領域１７１ｆの幅は第１領域１７１ｅの幅より広い。結局、第１領域１７１ｅの面積と第２領域１７１ｆの面積とは実質的に同一である。従って、データ線１７１と画素電極１９１との間の寄生容量による画素電極電圧の変動を最小化することができる。

図６乃至図８に示した液晶表示板組立体の多くの特徴が図９及び図１０に示した液晶表示板組立体にも適用できる。

次に、図１１、図１２及び図１３、そして前述した図１及び図２を参照して、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。

図１１は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。

図１１を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体は、複数のゲート線ＧＬ、複数対のデータ線ＤＬｃ、ＤＬｄ及び複数の維持電極線ＳＬを含む信号線と、これに連結された複数の画素ＰＸとを含む。

各画素ＰＸは一対の副画素ＰＸｃ、ＰＸｄを含み、各副画素ＰＸｃ／ＰＸｄは、各々当該ゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬｃ／ＤＬｄに連結されているスイッチング素子Ｑｃ／Ｑｄと、これに連結された液晶キャパシタＣｌｃｃ／Ｃｌｃｄと、スイッチング素子Ｑｃ／Ｑｄ及び維持電極線ＳＬに連結されているストレージキャパシタＣｓｔｃ／Ｃｓｔｄとを含む。

各スイッチング素子Ｑｃ／Ｑｄも下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬと連結されており、入力端子はデータ線ＤＬｃ／ＤＬｄと連結されており、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃｃ／Ｃｌｃｄ及びストレージキャパシタＣｓｔｃ／Ｃｓｔｄと連結されている。

液晶キャパシタＣｌｃｃ、ＣｌｃｄとストレージキャパシタＣｓｔｃ、Ｃｓｔｄ、及びこのような液晶表示板組立体を含む液晶表示装置の動作などについては前述した実施形態と実質的に同一であるので、詳細な説明は省略する。但し、図８に示した液晶表示装置においては、一つの画素ＰＸを構成する二つの副画素ＰＸａ、ＰＸａが時差を置いてデータ電圧の印加を受ける反面、本実施形態においては二つの副画素ＰＸｃ、ＰＸｄが同一の時間にデータ電圧の印加を受ける。

次に、図１１に示した液晶表示板組立体の一例について、図１２及び図１３を参照して詳細に説明する。

図１２は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体を示す配置図であり、図１３は図１２に示した液晶表示板組立体のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線による断面図である。

図１２及び図１３を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体も、互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００、及びこれら二つの表示板の間に入っている液晶層３を含む。

本実施形態による液晶表示板組立体の層状構造はほとんど図６及び図８に示した液晶表示板組立体の層状構造と同一である。

下部表示板について説明すれば、、絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１とを含む複数のゲート導電体が形成されている。各ゲート線１２１は第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂと端部１２９とを含む。ゲート導電体１２１、１３１上にはゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０上には第１及び第２突出部１５４ａ、１５４ｂを含む複数の線状半導体１５１が形成されており、その上には複数の島型オーミックコンタクト部材１６３ｂ、１６５ｂが形成されている。オーミックコンタクト部材１６３ｂ、１６５ｂ上には複数対の第１及び第２データ線１７１ａ、１７１ｂと複数の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとを含むデータ導電体が形成されている。

第１及び第２データ線１７１ａ、１７１ｂは各々複数の第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと端部１７９ａとを含み、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは拡張部１７７ａ、１７７ｂを含む。データ導電体１７１ａ、１７１ｂ、１７５ａ、１７５ｂ及び露出された半導体１５４ａ、１５４ｂ部分上には保護膜１８０が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数のコンタクトホール１８１、１８２ａ、１８２ｂ、１８５ａ、１８５ｂが形成されている。保護膜１８０上には第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含む複数の画素電極１９１と複数のコンタクト補助部材８１、８２ａ、８２ｂとが形成されている。

画素電極１９１、コンタクト補助部材８１、８２ａ、８２ｂ及び保護膜１８０上には配向膜１１が形成されている。

上部表示板２００について説明すれば、絶縁基板２１０上に遮光部材２２０、複数のカラーフィルタ２３０、蓋膜２５０、共通電極２７０、及び配向膜２１が形成されている。

しかし、本実施形態による液晶表示板組立体においては、図６及び図９に示した液晶表示板組立体と比較すればゲート線１２１の数が半分であり、その代わりにデータ線１７１ａ、１７１ｂの数が２倍である。つまり、二対のデータ線１７１ａ、１７１ｂが同一の形態で反復形成されている。

そして、一つの画素電極１９１をなす第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂに連結された第１及び第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂが、同一のゲート線１２１、互いに異なるデータ線１７１ａ、１７１ｂに連結されている。

第１及び第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂは各々第１及び第２データ線１７１ａ、１７１ｂの右側に位置する。

また、本実施形態による液晶表示装置においては、共通電極表示板２００にカラーフィルタ２３０がなく、その代わりに薄膜トランジスタ表示板１００の保護膜１８０の下に複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。

カラーフィルタ２３０は画素電極１９１の列に沿って帯状で縦に長くのびており、隣接する二つのカラーフィルタ２３０がデータ線１７１上部で重畳している。互いに重畳しているカラーフィルタ２３０は有機膜からなっていて、画素電極１９１とデータ線１７１との間を絶縁する。従って、絶縁膜１８０を有機膜から形成しなくても画素電極１９１とデータ線１７１とが重畳する部分で寄生容量が発生することを防止する。また、画素電極１９１の間の光漏れを防止する遮光部材の役割を果たすことができる。この場合、共通電極表示板２００上の遮光部材２２０を省略することができるので、工程が簡素化される。

カラーフィルタ２３０にはコンタクトホール１８５が通過する貫通孔２３５が形成されており、貫通孔２３５はコンタクトホール１８５より大きい。ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９が位置した周辺領域にはカラーフィルタ２３０が存在しない。

カラーフィルタ２３０の下にも保護膜（図示せず）を設けることができる。

図６乃至図８に示した液晶表示板組立体の多くの特徴が図１２及び図１３に示した液晶表示板組立体にも適用できる。

次に、図１４を参照して図１１に示した液晶表示板のまた他の例について説明する。

図１４は本発明の他の実施形態による液晶表示板を概括的に示す図面である。

図１４を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体も、互いに対向する下部表示板（図示せず）と上部表示板（図示せず）、及びこれら二つの表示板の間に入っている液晶層（図示せず）を含む。

本実施形態による液晶表示板組立体の層状構造はほとんど図６乃至図８に示した液晶表示板組立体の層状構造と同一である。

下部表示板について説明すれば、絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１とを含む複数のゲート導電体が形成されている。また、ゲート線１２１と交差するようにデータ線１７１ａ、１７１ｂが形成されている。ゲート線１２１及びデータ線１７１ａ、１７１ｂの交差地点には薄膜トランジスタＱｃ、Ｑｄが形成されている。薄膜トランジスタＱｃ、Ｑｄの各ゲート線１２１から拡張された第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、島型半導体１５４ａ、１５４ｂ及びデータ線１７１ａ、１７１ｂから拡張された複数の第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、及び複数の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂからなる。薄膜トランジスタＱｃ、Ｑｄの形態は図１２に示した液晶表示板と同一である。薄膜トランジスタＱｃ、Ｑｄ上には画素電極１９１が形成されている。画素電極１９１の形態は図１０に示した液晶表示板の画素電極と同一である。

上部表示板について説明すれば、絶縁基板上に遮光部材、複数のカラーフィルタ、蓋膜、共通電極、及び配向膜が形成されている。

しかし、本実施形態による液晶表示板は、図１２及び図１３に示した液晶表示板とは異なって複数対のデータ線１７１ａ、１７１ｂのほとんどが直線にのびている。但し、緑色カラーフィルタに対応する画素電極１９１Ｇに連結されており、青色カラーフィルタに対応する画素電極１９１Ｂと重畳するデータ線対１７１ａ、１７１ｂは２回曲がった形態をとる。また、データ線対１７１ａ、１７１ｂの幅は図１０に示した液晶表示板のデータ線１７１と同一である。

図６乃至図８に示した液晶表示板組立体の多くの特徴が図１４に示した液晶表示板組立体にも適用できる。

以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるわけではなく、添付した請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置の二つの副画素に対する等価回路図である。 本発明の種々の実施形態による液晶表示板組立体における一つの画素電極と共通電極の配置図である。 図３に示した各副画素電極の基本になる電極片の平面図である。 図３に示した各副画素電極の基本になる電極片の平面図である。 図３に示した各副画素電極の基本になる電極片の平面図である。 本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。 本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 図６に示した液晶表示板組立体のＶＩＩ−ＶＩＩ線による断面図である。 図６に示した液晶表示板組立体のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線による断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 図９に示した液晶表示板組立体を概括的に示す図面である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体を示す配置図である。 図１２に示した液晶表示板組立体のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線による断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体を概略的に示す配置図である。

符号の説明

１２、２２…偏光板、
１１、２１…配向膜、
９１…画素電極切開部、
８１、８１ａ、８１ｂ、８２、８２ａ、８２ｂ…コンタクト補助部材、
１１０、２１０…基板、
１２１、１２１ａ、１２１ｂ、１２９ａ、１２９ｂ…ゲート線、
１２４、１２４ａ、１２４ｂ…ゲート電極、
１３１…維持電極線、
１４０…ゲート絶縁膜、
１５４、１５４ａ、１５４ｂ…半導体、
１６１、１６３ａ、１６５ａ、１６３ｂ、１６５ｂ…オーミックコンタクト部材、
１７１、１７１ａ、１７１ｂ、１７９…データ線、
１７３ａ、１７３ｂ…ソース電極、
１７５ａ、１７５ｂ、１７７ａ、１７７ｂ…ドレイン電極、
１８０…保護膜、
１８１、１８１ａ、１８１ｂ、１８２、１８２ａ、１８２ｂ、１８５ａ、１８５ｂ…コンタクトホール、
１９１、１９１ａ、１９１ｂ…画素電極、
２２０…遮光部材、
２３０…カラーフィルタ、
２５０…蓋膜、
２７０…共通電極、
３００…液晶表示板組立体、
４００…ゲート駆動部、
５００…データ駆動部、
６００…信号制御部、
８００…階調電圧生成部。

Claims (29)

1. 複数の画素を含む基板と、
   １つの画素において前記基板上に形成されていて、第１副画素電極及び第２副画素電極を含む第１画素電極と、
   前記基板上に位置する複数のゲート線と、
   前記基板上に形成されている複数のデータ線と
   を含み、
   前記複数のデータ線のうち、互いに隣接する一対のデータ線は前記第１画素電極と重畳し、互いに隣接する前記一対のデータ線は反対極性のデータ電圧を有し、
   前記第１副画素電極と前記第２副画素電極を分離する領域中の少なくとも一部分は、前記複数のゲート線のうちの少なくとも１つと重畳する液晶表示装置。
2. 前記液晶表示装置の行方向の一つの画素において前記第１画素電極と隣接する第２画素電極をさらに含み、
   前記第２画素電極は、第３副画素電極及び第４副画素電極を含み、
   互いに隣接する前記一対のデータ線のうちの一つのデータ線は、前記第１副画素電極及び前記第２副画素電極のうちの少なくとも一つと、前記第３副画素電極及び前記第４副画素電極のうちの少なくとも一つと交差して位置し、前記第１画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極は、前記第２画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極と隣接する請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極と、それと隣接する前記第２画素電極のうちの少なくとも一つの副画素電極と交差する維持電極をさらに含む請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記第１画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極は、前記第１画素電極の前記第１副画素電極に対応し、前記第２画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極は、前記第２画素電極の前記第４副画素電極に対応する請求項２に記載の液晶表示装置。
5. 前記第１画素電極の前記第１副画素電極の面積は、前記第１画素電極の前記第２副画素電極の面積と異なる請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記第１画素電極の前記第２副画素電極の面積は、前記第１画素電極の前記第１副画素電極の面積より広い請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記第１画素電極の前記第１副画素電極に連結されている第１薄膜トランジスタと、
   前記第１画素電極の前記第２副画素電極に連結されている第２薄膜トランジスタとをさらに含み、
   前記第１薄膜トランジスタ及び前記第２薄膜トランジスタは、互いに隣接する前記一対のデータ線のうちの１つのデータ線と連結されている請求項２に記載の液晶表示装置。
8. 前記第２画素電極の前記第３副画素電極に連結されている第３薄膜トランジスタと、
   前記第２画素電極の前記第４副画素電極に連結されている第４薄膜トランジスタとをさらに含み、
   前記第３薄膜トランジスタ及び前記第４薄膜トランジスタは互いに隣接する前記一対のデータ線のうちの他の１つのデータ線と連結されている請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記複数のゲート線は、前記第１薄膜トランジスタに連結されている第１ゲート線と、前記第２薄膜トランジスタに連結されている第２ゲート線とを含む請求項８に記載の液晶表示装置。
10. 前記複数のゲート線は、前記第３薄膜トランジスタに連結されている第３ゲート線と、前記第４薄膜トランジスタに連結されている第４ゲート線とを含む請求項９に記載の液晶表示装置。
11. 前記第３ゲート線は前記第１ゲート線と同一であり、前記第４ゲート線は前記第２ゲート線と同一である請求項１０に記載の液晶表示装置。
12. 互いに隣接する前記一対のデータ線のうちの少なくとも１つは、前記第１画素電極と前記第２画素電極が位置する部分で少なくとも４回曲がっている請求項２に記載の液晶表示装置。
13. 互いに隣接する一対のデータ線のうちの前記１つのデータ線は、前記第１画素電極と重畳する第１部分及び前記第２画素電極と重畳する第２部分を含み、前記第１部分の面積は実質的に前記第２部分の面積と同一である請求項２に記載の液晶表示装置。
14. 前記第１画素電極の前記第１副画素電極及び前記第１画素電極の前記第２副画素電極の大部分は、前記第１ゲート線と前記第２ゲート線との間に位置する請求項９に記載の液晶表示装置。
15. 前記第１画素電極の前記第１副画素電極の電圧は、前記第１画素電極の前記第２副画素電極の電圧と異なる請求項１に記載の液晶表示装置。
16. 複数の画素を含む基板と、
    前記第１ゲート線及び前記第１ゲート線と列方向に隣接する第２ゲート線と、
    １つの画素において前記基板上に形成されており、第１副画素電極及び第２副画素電極を含む第１画素電極と、
    前記基板上に形成されている複数のデータ線と
    を含み、
    前記複数のデータ線のうち、互いに隣接する一対のデータ線は前記第１画素電極と重畳し、互いに隣接する前記一対のデータ線は反対極性のデータ電圧を有し、
    前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の基本電極部分とは、前記第１ゲート線と前記第２ゲート線との間に位置する液晶表示装置。
17. 前記液晶表示装置の行方向に一つの画素において前記第１画素電極と隣接する第２画素電極をさらに含み、
    前記第２画素電極は第３副画素電極及び第４副画素電極を含み、
    隣接する前記一対のデータ線のうちの一つのデータ線は、前記第１副画素電極及び前記第２副画素電極のうちの少なくとも一つと、前記第３副画素電極及び前記第４副画素電極のうちの少なくとも一つと交差して位置し、前記第１画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極は前記第２画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極と隣接する請求項１６に記載の液晶表示装置。
18. 前記第１画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極と、それと隣接する前記第２画素電極のうちの少なくとも一つの副画素電極と交差する維持電極をさらに含む請求項１７に記載の液晶表示装置。
19. 前記第１画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極は、前記第１画素電極の前記第１副画素電極に対応し、前記第２画素電極のうちの前記少なくとも一つの副画素電極は、前記第２画素電極の前記第４副画素電極に対応する請求項１７に記載の液晶表示装置。
20. 前記第１画素電極の前記第１副画素電極の面積は、前記第１画素電極の前記第２副画素電極の面積と異なる請求項１９に記載の液晶表示装置。
21. 前記第１画素電極の前記第２副画素電極の面積は、前記第１画素電極の前記第１副画素電極の面積より広い請求項２０に記載の液晶表示装置。
22. 前記第１画素電極の前記第１副画素電極に連結されている第１薄膜トランジスタと、
    前記第１画素電極の前記第２副画素電極に連結されている第２薄膜トランジスタとをさらに含み、
    前記第１薄膜トランジスタ及び前記第２薄膜トランジスタは、互いに隣接する前記一対のデータ線のうちの１つのデータ線と連結されている請求項１７に記載の液晶表示装置。
23. 前記第２画素電極の前記第３副画素電極に連結されている第３薄膜トランジスタと、
    前記第２画素電極の前記第４副画素電極に連結されている第４薄膜トランジスタとをさらに含み、
    前記第３薄膜トランジスタ及び前記第４薄膜トランジスタは互いに隣接する前記一対のデータ線のうちの他の１つのデータ線と連結されている請求項２２に記載の液晶表示装置。
24. 前記複数のゲート線は、前記第１薄膜トランジスタに連結されている第１ゲート線と、前記第２薄膜トランジスタに連結されている第２ゲート線とを含む請求項２３に記載の液晶表示装置。
25. 前記複数のゲート線は、前記第３薄膜トランジスタに連結されている第３ゲート線と、前記第４薄膜トランジスタに連結されている第４ゲート線とを含む請求項２４に記載の液晶表示装置。
26. 前記第３ゲート線は前記第１ゲート線と同一であり、前記第４ゲート線は前記第２ゲート線と同一である請求項２５に記載の液晶表示装置。
27. 互いに隣接する前記一対のデータ線のうちの少なくとも１つは、前記第１画素電極と前記第２画素電極が位置する部分で少なくとも４回曲がっている請求項１７に記載の液晶表示装置。
28. 互いに隣接する一対のデータ線のうちの前記１つのデータ線は、前記第１画素電極と重畳する第１部分及び前記第２画素電極と重畳する第２部分を含み、前記第１部分の面積は実質的に前記第２部分の面積と同一である請求項１７に記載の液晶表示装置。
29. 前記第１画素電極の前記第１副画素電極の電圧は前記第１画素電極の前記第２副画素電極の電圧と異なる請求項１６に記載の液晶表示装置。

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