JP5351815B2 - 光学部材および表面プラズモン共鳴測定装置 - Google Patents
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Description
(実施の形態1)
図1は、実施の形態1に係る光学部材を用いた表面プラズモン共鳴測定装置100の概略構成図を示すものである。図1を用いて表面プラズモン共鳴測定装置100の構成について説明する。表面プラズモン共鳴測定装置100は、光源部104、光源部104を駆動するドライブ回路102、プリズム110、流路部材112、受光部118、電流検出回路130およびADコンバータ132を有する。光源部104は、レーザーダイオード106およびレンズ108を有する。プリズム110の上面には、金属膜114が形成されている。本実施の形態では金膜を用いた。流路部材112は、プリズム110の上面にあり、金属膜114の周囲に流路116を形成する。受光部118は、レンズ120、励起光カットフィルタ122、レンズ124、アパーチャ126およびフォトダイオード128を有する。この構成により受光部118は、励起光をカットし、その他の光を電荷に変換する。電流検出回路130は受光部で発生した電荷を電流として検出し、ADコンバータ132は、電流検出回路130で検出した電流を、アナログデータからデジタルデータへ変換する。
La1=〔H/tan{(π/2)−(φ―ψ)}〕−(D+Da)
となる。Hはプリズムの高さ、φは励起光を全反射させる角度、ψは励起光の絞りを表す角度、Dは励起光の中心が金属膜で全反射するx座標である。φは予め定められている表面プラズモン共鳴角であり、φとの関係でDも予め定められている。Hおよびψは、装置の設計者が決めることができる。従ってLa1を表す式において、不明なものはDaとなる。つまり、Daを求めれば、LB<La1となるLBを決定することができる。励起光146Aがプリズム上面で反射する点のx座標を求めることで、Daを求める。
y=x・tan{(π/2)−θi}
で表すことができる直線の線分となる。励起光の軌跡を表す直線は、励起光がプリズム110の上面へ入射する入射角φを用いて、
y=x・tan{(π/2)−φ}+b(定数)
と表すことができる。励起光がプリズム110へ入射する点は、上記プリズム110の入射面を表す式と励起光の軌跡を表す式が交わる点である。プリズムの入射面と励起光146は(x1,y1)で交わるので、x1およびy1を代入して上記2式から、bを求めると、
b=x1・tan{(π/2)−θi}−x1・tan{(π/2)−φ}
となる。励起光を表す直線をy軸まで延長し、当該直線と、プリズム110の上面をy軸まで延長した直線と、y軸とがなす三角形を考える。当該三角形を構成するy軸の長さは、
H−b=H−x1[tan{(π/2)−θi}−tan{(π/2)−φ}]
となる。プリズム110上面と励起光を表す直線とがなす角は{(π/2)−φ}なので、
tan{(π/2)−φ}=H−x1[tan{(π/2)−θi}−tan{(π/2)−φ}]/D
となる。これを整理すると、
x1=[H−D・tan{(π/2)−φ}]/[tan{(π/2)−θi}−tan{(π/2)−φ}]
となる。
x2’=F−(D−x1)/cos{(π/2)−φ}、y2’=0
となる。また、プリズム110とx’軸とがなす角は、{(π/2)−φ}であるため、プリズム110の上面を表す式は、
y’=−tan{(π/2)−φ}{x’+F−(D−x1)/cos{(π/2)−φ)}
となる。プリズム110を表す式と、y’=x’・tanψの式から、x3’を求めると、
x3’=−tan{(π/2)−φ}[F−(D−x1)/cos{(π/2)−φ}]/[tanψ+tan{(π/2)−φ}]
となり、
y3’=tan(ψ)・tan{(π/2)−φ}{F−(D−x1)/cos{(π/2)−φ}/[tan(ψ)+tan{(π/2)−φ}]
となる。
これらを用いてDaは、
Da=√{(x3’−x2’)^2+(y3’−y2’)^2}
となる。このようにして求めたDaをLa1に代入してLa1を求める。求めたLa1より短くLBの長さを設定すれば、プリズム内での励起光の反射が1回でかつプリズム110内に焦点Fがある場合に戻り光は発生しない。
La2=La1+H/tan{(π/2)−(φ−ψ)}
となる。プリズムの上面の長さLTは、LT<La2でなければならない。このようにLTを設定すると、励起光146Aは、プリズム110の上面およびプリズム110の出射面がなす角に当たることはない。また、プリズム110の下面およびプリズム110の出射面がなす角に励起光が当たらないために、LB>Lb1を満たすようにLBおよびθoを選ぶ必要がある。ここで
Lb1=H/tan{(π/2)−(φ+ψ)}−(D−Db)
となるため、Dbの値を求める。Dbは、Daを求めた時と同様にして、励起光146Bおよびプリズム110が交わる点(x4’,y4’)を求めると、
x4’=tan{(π/2)−φ}[F−(D−x1)/cos{(π/2)−φ)}]/[tan(−ψ)+tan{(π/2)−φ)}]
となり、
y4’=−tan(−ψ)・tan{(π/2)−φ}[F−(D−x1)/cos{(π/2)−φ)}]/[tan(−ψ)+tan{(π/2)−φ)}]
となる。
Db=√{(x4’−x2’)^2+(y4’−y2’)^2}
である。
Q1=π−(θo+R1)
となる。よってP1を求める式は、
P1=(π/2)−Q1=−φ+ψ+θo+(π/2)となり、この角度が全反射角θc以下であれば励起光は出射面で全反射しない。励起光が出射面で全反射しないためのθoの条件は、
θo<φ−ψ+θc−π/2
となる。θoがφ−ψ+θc−π/2より小さいと、図14(A)に示すように励起光のほとんどはプリズム110から出射する。θoがφ−ψ+θc−π/2以上であると、図14(B)に示すように、励起光は出射面で全反射してプリズム内に戻り、不要な散乱光の原因となる。
Q2=π−│θo│−φ−ψ
となるので、励起光150Bが出射面に入射する入射角P2を求める式は、
P2=(π/2)−Q2=φ+ψ+│θo│−(π/2)
となり、この角度が全反射角θc以下であれば励起光は出射面で全反射しない。励起光が出射面で全反射しないためのθoの条件は、
θo>φ+ψ−θc−(π/2)
となる。θoがφ+ψ−θc−(π/2)以下であると、図16(A)に示すように、励起光は出射面で全反射してプリズム110内に戻り、不要な散乱光の原因となる。θoが、φ+ψ−θc−π/2より大きければ、図16(B)に示すようにほとんどの励起光はプリズム110から出射する。
φ+ψ−θc−(π/2)<θo<φ−ψ+θc−(π/2)
となるようにθoを設定すれば、励起光はプリズム110の出射面で全反射することはない。例えば、φ=75度、ψ=0度、プリズム110の屈折率を1.49とすると、臨界角θc=42.16度となる。従って、
−57.16<θo<27.16
を満たすようにθoの値を設定すれば、励起光は出射面で全反射することがなくなる。
Q3=π−θo−φ−ψ
となるので、励起光150Bが出射面に入射する入射角P3を求める式は、
P3=(π/2)−Q3=−(π/2)+φ+ψ+θo
となり、この角度が全反射角θc以下であれば励起光は出射面で全反射しない。励起光が出射面で全反射しないためのθoの条件は、
θo<(π/2)−φ−ψ+θc
となる。θoが(π/2)−φ−ψ+θcより小さいと、図18(A)に示すようにほとんどの励起光はプリズム110から出射する。θoが(π/2)−φ−ψ+θc以上であると、図18(B)に示すように、励起光は出射面で全反射してプリズム内に戻り、不要な散乱光の原因となる。
P4=(π/2)−Q4=−(π/2)+φ−ψ−│θo│
となり、この角度が全反射角θc以下であれば励起光は出射面で全反射しない。励起光が出射面で全反射しないためのθoの条件は、θo>となる。θoが以下であると、図20(A)に示すように、励起光は出射面で全反射してプリズム110内に戻り、不要な散乱光の原因となる。θoが、より大きければ、図20(B)に示すようにほとんどの励起光はプリズム110から出射する。
(π/2)−φ+ψ−θc<θo<(π/2)−φ−ψ+θc
となるようにθoを設定すれば、励起光はプリズム110の出射面で全反射することはない。例えば、φ=75度、ψ=0度、プリズム110の屈折率を1、49とすると、臨界角θc=42.16度となる。従って、
−27.16<θo<57.16
を満たすようにθoの値を設定すれば、励起光は出射面で全反射することがなくなる。
なお、励起光と出射面とが成す角度であって、奇数回の反射の場合の(φ±ψ)−θo、偶数回の反射の場合のπ−(φ±ψ)−θoが、π/2に等しい、即ち、出射面に垂直入射する範囲、奇数回の反射の場合で
(φ−ψ)−π/2<θo<(φ+ψ)−π/2
偶数回の反射の場合で
π/2−(φ+ψ)<θo<π/2−(φ−ψ)
にある場合は、角に当たって正反射するのと同じことで、光源への戻り光が生じることになる。従って、これまで記載した条件に加えて、θoは上記範囲も避ける必要がある。
図21は実施の形態2に係るプリズム210の断面図である。プリズムの形状以外は実施の形態1と同様である。プリズム210は、高さが光の進行方向の途中で変化している。入射面に近い部分のプリズム210の高さをH1、出射面に近い部分のプリズム210の高さをH2とすると、H1>H2を満たす形状となっている。つまり、プリズム210の高さは2段階で変化しており、出射面に近い方の高さの方が低くなっている。このようにプリズム210の高さを変えても、実施の形態1で述べた式のHの値を途中で変化させて形状を規定すれば、戻り光が発生しないプリズム210の形状を規定することができる。
104 光源部
110 プリズム
114 金属膜
116 流路
118 受光部
130 電流検出回路
132 ADコンバータ
146A 励起光の輪郭を表す直線
146B 励起光の輪郭を表す直線
146C 励起光の中心の光路
148 プリズムの上面と出射面との接続部
210 プリズム
Claims (4)
- 表面プラズモン共鳴角で金属膜に入射し、該金属膜で全反射することにより表面プラズモンを発生させる励起光が内部を透過する光学部材であって、
前記金属膜と接する上面と、
該上面と対向して設けられた下面と、
前記上面および前記下面と接続され、前記励起光が入射する入射面と、
前記上面および前記下面と接続され、前記励起光が出射する出射面とを有し、
前記励起光が、前記入射面から前記金属膜に対して前記表面プラズモン共鳴角を満たす異なる複数の角度で入射し、該金属膜で全反射した後、前記上面および前記出射面がなす角部、前記下面および前記出射面がなす角部、ならびに前記出射面で正反射することがないよう、前記入射面と前記出射面との距離、および前記出射面と前記下面に垂直な軸とのなす角度を規定し、
前記金属膜に対して前記表面プラズモン共鳴角で入射し、前記金属膜で全反射した前記励起光が前記下面において全反射する位置に散乱面を設けたことを特徴とする光学部材。 - 前記出射面に対する前記励起光の入射角が、
前記励起光が全反射する角度より小さくなるように、前記出射面と前記下面に垂直な軸とのなす角度を規定した請求項1の光学部材。 - 前記出射面に対する前記励起光の入射角が、ブリュースタ角となるように前記出射面の角度を規定したことを特徴とする請求項2の光学部材。
- 請求項1乃至請求項3の光学部材を用いた表面プラズモン共鳴測定装置。
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