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JP5200879B2 - 多層回路基板導電用充填材料およびその充填方法 - Google Patents

多層回路基板導電用充填材料およびその充填方法 Download PDF

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JP5200879B2 JP2008296074A JP2008296074A JP5200879B2 JP 5200879 B2 JP5200879 B2 JP 5200879B2 JP 2008296074 A JP2008296074 A JP 2008296074A JP 2008296074 A JP2008296074 A JP 2008296074A JP 5200879 B2 JP5200879 B2 JP 5200879B2
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Description

本発明は、多層回路基板の製造に用いる樹脂フィルムに形成された孔内に充填され、構成成分である導電用の金属フィラー焼結さて配線層間の電気的導通確保され多層回路基板導電用充填材料(以下、導電用充填材料と呼ぶ)およびその充填方法に関する。
多層回路基板の製造時において樹脂フィルムに形成された孔内に充填し、構成成分である導電用の金属フィラーを焼結させて配線層間の電気的導通を確保する導電用充填材料およびその充填方法が、例えば、特開2003−86948号公報(特許文献1)と特開2003−182023号公報(特許文献2)に開示されている。
図6は、特許文献1と同様の導電ペーストを用いた多層回路基板の製造方法を説明する図で、図6(a)〜(f)は、多層回路基板90の製造工程別の断面図である。
図6(a)〜(f)に示す多層回路基板90の製造方法では、最初に、図6(a)に示すように、加熱プレスによって、熱可塑性樹脂1からなる樹脂フィルム20の片面に、金属(銅)箔2を貼り合わせる。次に、図6(b)に示すように、エッチングによって、銅箔2を所定の導体パターンPに加工する。次に、図6(c)に示すように、樹脂フィルム20の所定の位置に、レーザ加工で導体パターンPを底とする有底孔Hを開ける。次に、図6(d)に示すように、有底孔Hに導電ペースト4を充填する。これによって、片面に導体パターンPが形成され、有底孔Hに導電ペースト4が充填された、熱可塑性樹脂1からなる樹脂フィルム20aが準備できる。
次に、図6(e)に示すように、同様にして準備した樹脂フィルム20a〜20fを、図のように途中で反転させて積層する。最後に、上記積層体を熱プレス板により加熱加圧して、図6(f)に示すように、熱可塑性樹脂1からなる樹脂フィルム20a〜20fを相互に貼り合わせると共に、導電ペースト4を焼結させて接続導体4aとし、導体パターンPを相互に電気接続する。
以上の工程によって、図6(f)の多層回路基板90が製造される。
図7は、有底孔Hへの導電ペースト4の充填の様子をより詳細に示した図で、図6(c),(d)の各工程に対応した図である。図7(a)は、シート材10表面への有底孔Hの形成の様子を示した模式的な断面図であり、図7(b)は、有底孔Hへの導電ペースト4の充填の様子を示す断面図である。また、図7(c)は、有底孔Hに充填された導電ペースト4について、その後の処理に伴う変化の様子を示した模式的な断面図である。
尚、図7のシート材10において、図6に示した樹脂フィルム20と同様の部分については、同じ符号を付した。また、有底孔Hの形成時においては、銅箔2は図6(c)に示したように所定の導体パターンPに加工されているが、図示を簡略化して図7では銅箔2で示してある。
図6(c),(d)では簡略化のために図示を省略しているが、有底孔Hの形成と導電ペースト4の充填時には、一般的に図7(a),(b)に示すように、熱可塑性樹脂1からなる樹脂フィルムの銅箔2が貼られた面と反対側の面に、保護フィルム3が貼られている。そして、図7(a)に示す孔形成工程において、レーザ加工装置Lによるレーザ光を保護フィルム3の上からシート材10に照射して、銅箔2を底とする有底孔Hを形成する。保護フィルム3は、有底孔H以外の樹脂フィルム表面に導電ペースト4が付着しないようにするためのもので、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)からなる。また、樹脂フィルムに形成される有底孔Hは、直径が100μm程度、深さが50μm程度の微細な孔である。
次に、図7(b)に示すペースト充填工程において、真空容器内でシート材10の表面に供給された導電ペースト4を、機械的にスキージ(ヘラ)Sを用いて保護フィルム3越しに有底孔H内へ押し込み充填する。導電ペースト4は、例えば銀(Ag)と錫(Sn)の数μmの微細粉末を金属フィラーとし、銀と錫の比率を安定した状態に保つため、テルピネ等の揮発性溶剤に分散してペースト状としたものである。
次に、図7(c)の(1)に示すように、有底孔Hへの充填直後の導電ペースト4は、
スキージSにより保護フィルム3の表面で摺り切り充填されるため、表面が平坦である。
次に、図7(c)の(2)に示すように、溶剤が蒸発することにより有底孔Hの中央部における導電ペースト4の表面が低下して、表面がすり鉢状になる。次に、図7(c)の(3)に示すように、保護フィルム3を剥離すると、導電ペースト4は熱可塑性樹脂1からなる樹脂フィルムの表面から突き出た状態となる。これで、図6(d)に示した樹脂フィルム20aと同じ状態の樹脂フィルムが得られる。
特開2003−86948号公報 特開2003−182023号公報
前述した従来の導電ペースト4とその充填方法においては、図7(c)の(2)に示すように、充填後の溶剤蒸発で有底孔Hの中央部における導電ペースト4の表面が低下して、表面がすり鉢状になっている。また、充填後にシート材10の表面に残存する導電ペースト4をスキージSでワイプ除去するが、この時に有底孔Hに充填されている導電ペースト4まで余分に掻き取り、有底孔Hに充填された導電ペースト4の表面を窪ませてしまうこともある。
溶剤蒸発後の導電ペースト4は保形性が乏しいため、図7(c)の(3)に示す導電ペースト4の樹脂フィルム表面からの突出部分は、崩壊し易い状態にある。特に、上述したように表面が窪んで樹脂フィルム表面からの突出部分が鋭角となっている導電ペースト4は、角部が崩れ易い。従って、保護フィルム3を剥がす際や、図6(e)に示示した樹脂フィルム20a〜20fを積層する際には特に注意を要するため、作業に大きな工数を要する。また、上記導電ペースト4の崩れが発生すると配線層間の接続不良や崩れた導電ペースト4の粉末による短絡不良の問題が生じるため、配線層間の接続導体として導電ペースト4を用いる従来の多層回路基板90は、製造歩留りが低い。
そこで本発明は、多層回路基板における配線層間の接続導体として、従来の導電ペーストに較べて製造時の取り扱いが容易であり、接続信頼性と製造歩留りを高めることのできる導電用充填材料およびその充填方法を提供することを目的としている。
請求項1に記載の発明は、多層回路基板の製造に用いる樹脂フィルムに形成された孔内に充填され、構成成分である導電用の金属フィラー焼結さて配線層間の電気的導通確保される導電用充填材料であって、前記樹脂フィルムが、熱可塑性樹脂からなり、前記導電用充填材料が、前記金属フィラーと、溶剤からなるバインダー成分と異なり、該金属フィラーの焼結温度より低い温度で融解し、室温で固体状態であるパラフィン系炭化水素または脂肪酸(以下、低融点室温固体蝋材と呼ぶ)との混合物からなり、該導電用充填材料が、温で固体状態であり、該導電用充填材料前記樹脂フィルムと共に加熱され、軟化さて前記孔内に充填されることを特徴としている。
上記導電用充填材料は、従来の導電ペーストと同様に、多層回路基板の製造時において樹脂フィルムに形成された孔内に充填し、構成成分である導電用の金属フィラーを焼結させて配線層間の電気的導通を確保する材料である。
一方、上記導電用充填材料は、従来の導電ペーストと異なり、金属フィラーと、溶剤からなるバインダー成分と異なり、該金属フィラーの焼結温度より低い温度で融解し、室温で固体状態である低融点室温固体蝋材との混合物からなり、温で固体状態である。従って、多層回路基板の製造時において上記導電用充填材料を樹脂フィルムに形成された孔内に充填する時には、樹脂フィルムと共に加熱し、上記導電用充填材料を軟化した上で、スキージ等により孔内に押し込み充填する。この孔への押し込み充填時には、上記導電用充填材料が軟化しているため、従来の導電ペーストと同様に充填することが可能である。
次に、孔への充填が終了し、上記導電用充填材料が樹脂フィルムと共に室温まで冷却されると、上記導電用充填材料は固体状態に戻る。従って、孔へ充填されている上記導電用充填材料は、従来の導電ペーストと異なり、溶剤蒸発による表面低下で表面がすり鉢状になることもなく、充填後のスキージによるワイプ除去で余分に掻き取られる不具合も抑制することができる。そして、溶剤蒸発後の従来の導電ペーストと異なり、保形性が乏しくなって崩壊し易い状態になることもない。このため、多層回路基板の製造時において、樹脂フィルムに貼られた保護フィルムを剥がす際や樹脂フィルムを積層する際の取り扱いが容易であり、従来の導電ペーストを用いる場合に較べて、作業時間を大幅に短縮することができる。また、孔へ充填後の保形性が良いため、配線層間の接続不良や短絡不良を抑制することができ、従来の導電ペーストを用いる場合に較べて、多層回路基板の製造歩留りを向上することができる。
以上のようにして、上記導電用充填材料は、多層回路基板における配線層間の接続導体として、従来の導電ペーストに較べて製造時の取り扱いが容易であり、接続信頼性と製造歩留りを高めることのできる導電用充填材料とすることができる。
上記導電用充填材料を簡単な加熱で容易に軟化させるためには、請求項2に記載のように、前記低融点室温固体蝋材の融点が、100℃以下であることが好ましい。
また、多層回路基板を製造する上で、上記導電用充填材料の構成要素である前記低融点室温固体蝋材が最後まで残存して悪影響を及ぼすことがないようにするためには、請求項3に記載のように、前記低融点室温固体蝋材が、前記金属フィラーの焼結温度より低い温度で分解または揮発することが好ましい。
この場合、請求項4に記載のように、例えば多層回路基板の製造時における積層した樹脂フィルムの一括貼り合わせ工程において、低融点室温固体蝋材の分解または揮発と金属フィラーの焼結を同時に行い、貼り合わせ後に低融点室温固体蝋材の残渣を残さないようにするためには、前記低融点室温固体蝋材の分解または揮発する温度が、350℃以下であることが好ましい。
えば請求項に記載のように、前記パラフィン系炭化水素として、パラフィンまたはエイコサンを選択することができ、えば請求項に記載のように、前記脂肪酸として、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノデカン酸またはアラキン酸を選択することができる。
上記導電用充填材料における前記金属フィラーは、例えば請求項に記載のように、銀(Ag)と錫(Sn)からなる構成とすることができる。
また、上記導電用充填材料を充填する前記孔は、請求項に記載のように、前記樹脂フィルムの片面に形成された金属箔からなる導体パターンを底とする有底孔であってよい。そして、上記導電用充填材料、前記導体パターンが形成された樹脂フィルムと共に加熱され、軟化さて前記有底孔内に充填される。
以上のようにして、上記導電用充填材料は、多層回路基板における配線層間の接続導体として、従来の導電ペーストに較べて製造時の取り扱いが容易であり、接続信頼性と製造歩留りを高めることのできる導電用充填材料である。
従って、上記導電用充填材料は、請求項に記載のように、前記多層回路基板が、前記樹脂フィルムが複数枚積層され、一括した加熱加圧により、該樹脂フィルムが相互に貼り合わされると共に、前記金属フィラーが焼結されてなる多層回路基板である場合に好適である。そして、記導電用充填材料前記樹脂フィルムの孔内に充填されて、積層される複数枚の該樹脂フィルムと共に、一括して加熱加圧される。
請求項119に記載の発明は、上記導電用充填材料の充填方法に関する発明である。
請求項1に記載の発明は、多層回路基板の製造に用いる樹脂フィルムに形成された孔内に充填され、構成成分である導電用の金属フィラー焼結さて配線層間の電気的導通確保される導電用充填材料であって、前記樹脂フィルムが、熱可塑性樹脂からなり、前記導電用充填材料が、前記金属フィラーと、溶剤からなるバインダー成分と異なり、該金属フィラーの焼結温度より低い温度で融解し、室温で固体状態であるパラフィン系炭化水素または脂肪酸(以下、低融点室温固体蝋材と呼ぶ)との混合物からなり、該導電用充填材料が、温で固体状態であり、該導電用充填材料を前記樹脂フィルムと共に加熱し、軟化させて前記孔内に充填する、導電用充填材料の充填方法であって、前記樹脂フィルムを室温以上に加熱する加熱工程と、加熱された前記樹脂フィルム上に前記導電用充填材料を供給し、軟化した該導電用充填材料を前記孔内に押し込み充填する充填工程と、充填が終了した前記樹脂フィルムを室温に冷却して、前記導電用充填材料を固体状態に戻す冷却工程と、を有することを特徴としている。
これにより、上記導電用充填材料を容易に孔内に充填することができ、前述した上記導電用充填材料の効果を発揮させることができる。
前述したように、上記導電用充填材料は保形性に優れ、孔に充填した後のスキージによるワイプ除去で余分に掻き取られることもない。
従って、上記導電用充填材料の充填方法では、特に請求項1に記載のように、前記充填工程において、保護フィルムを介することなく、前記導電用充填材料を加熱された前記樹脂フィルムの表面上に直接供給するようにしてもよい。
請求項119に記載の充填方法は、上述した請求項2〜に記載の導電用充填材料の充填に対応するものである。充填によって得られる効果については、上述したとおりであり、その説明は省略する。
本発明は、多層回路基板の製造に用いる樹脂フィルムに形成された孔内に充填され、構成成分である導電用の金属フィラー焼結さて配線層間の電気的導通確保される、導電用充填材料およびその充填方法に関する。
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図に基づいて説明する。
図1は、本発明に係る導電用充填材料40を示した模式的な断面図である。図2は、導電用充填材料40を樹脂フィルム30に形成された孔H内に充填する様子を示した模式的な断面図である。図3(a),(b)は、孔Hに充填された導電用充填材料40について、その後の処理に伴う変化の様子を示した模式的な断面図である。また、図4は、保護フィルム3が貼られていない樹脂フィルム30aを用いた場を示す図で、孔Hに充填された導電用充填材料40について、充填後の様子を示した模式的な断面図である。尚、図2〜図4に示す樹脂フィルム30,30aにおいて、図6に示した樹脂フィルム20および図7に示したシート材10と同様の部分については、同じ符号を付した。また、図2では、樹脂フィルム30における保護フィルム3の図示を省略している。
図1に示す導電用充填材料40は、金属フィラー41と低融点室温固体蝋材42との混合物からなる。金属フィラー41は、図6および図7に示した従来の導電ペースト4に含まれている導電用の金属フィラーと同様で、多層回路基板の製造時において焼結させ、配線層間の電気的導通を確保するための成分である。金属フィラー41は、粒子サイズが数十μm以下、好ましくは数μm以下の微細金属粉末で、例えば比較的低い温度で焼結が可能な銀(Ag)と錫(Sn)からなる構成とすることができる。一方、低融点室温固体蝋材42は、従来の導電ペースト4に含まれている分散剤や溶剤からなるバインダー成分と異なり、金属フィラー41の焼結温度より低い温度で融解し、室温で固体状態の蝋材である。従って、金属フィラー41と低融点室温固体蝋材42との混合物からなる導電用充填材料40は、図1に示すように、室温で固体状態である。
図5は、上記導電用充填材料40の低融点室温固体蝋材42として採用可能な蝋材の代表例を、融点と共に示した図である。
図5に示すように、低融点室温固体蝋材42は、例えばパラフィン系炭化水素、テレビン油または脂肪酸のいずれかであってよい。より具体的には、パラフィン系炭化水素として、パラフィンまたはエイコサンを選択することができる。例えば、パラフィンは分子量によって融点が異なり、42〜70℃の融点のものが利用できる。テレビン油としては、例えばαテルピネを選択することができる。また、脂肪酸としては、例えばカプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノデカン酸またはアラキン酸を選択することができる。
図1の導電用充填材料40は、室温で固体状態であるため、図2に示すように、加熱しながら樹脂フィルム30に形成された孔H内に充填する。
より詳細に説明すると、樹脂フィルム30を載せる基盤ステージBSには、加熱ヒータKHが埋め込まれている。樹脂フィルム30を真空チャックVCで基盤ステージBS上に保持すると、樹脂フィルム30が、加熱ヒータKHからの伝導熱で室温以上の所定温度に加熱される。次に、加熱された樹脂フィルム30上に図1の導電用充填材料40を供給すると、樹脂フィルム30からの伝導熱で軟化する。この軟化した導電用充填材料40を、図2に示すように、スキージSで樹脂フィルム30に形成された孔H内に押し込み充填する。
このように、上記導電用充填材料40は、従来と同様の方法を用いて容易に孔内に充填することができ、後述する上記導電用充填材料40の効果を発揮させることができる。
充填が終了した樹脂フィルム30を基盤ステージBSから取り出して室温に冷却すると、図3(a)に示すように、樹脂フィルム30の孔H内に充填された導電用充填材料40が次第に固まり、固体状態に戻る。次に、図3(b)に示すように、保護フィルム3を剥離すると、導電用充填材料40が樹脂フィルム30の表面から突き出た状態となる。
以上のようにして複数枚の樹脂フィルム30を準備し、図6(e)と同様に積層した後、図6(f)に示に示した加熱・加圧による一括貼り合わせ工程を行う。これによって、隣り合う樹脂フィルム30同士を相互に貼り合わせると共に、導電用充填材料40の金属フィラー41を焼結させて接続導体とし、導体パターンを相互に電気接続する。
以上の工程によって、図6(f)と同様の多層回路基板を製造することができる。
以上説明したように、図1の導電用充填材料40は、図6と図7に示した従来の導電ペースト4と同様に、多層回路基板の製造時において樹脂フィルム30に形成された孔H内に充填し、構成成分である導電用の金属フィラー41を焼結させて配線層間の電気的導通を確保する材料である。
一方、図1の導電用充填材料40は、図6と図7に示した従来の導電ペースト4と異なり、金属フィラー41と、該金属フィラー41の焼結温度より低い温度で融解し、室温で固体状態である低融点室温固体蝋材42との混合物からなり、室温で固体状態である。従って、図2に示したように、多層回路基板の製造時において上記導電用充填材料40を樹脂フィルム30に形成された孔H内に充填する時には、樹脂フィルム30と共に加熱し、導電用充填材料40を軟化した上で、スキージS等により孔H内に押し込み充填する。この孔Hへの押し込み充填時には、導電用充填材料40が軟化しているため、従来の導電ペースト4と同様に充填することが可能である。
次に、図3に示したように、孔Hへの充填が終了し、導電用充填材料40が樹脂フィルム30と共に室温まで冷却されると、導電用充填材料40は固体状態に戻る。従って、孔Hへ充填されている導電用充填材料40は、図6と図7に示した従来の導電ペースト4と異なり、溶剤蒸発による表面低下で表面がすり鉢状になることもなく、充填後のスキージによるワイプ除去で余分に掻き取られる不具合も抑制することができる。そして、溶剤蒸発後の従来の導電ペースト4と異なり、保形性が乏しくなって崩壊し易い状態になることもない。このため、図3に示したように、多層回路基板の製造時において、樹脂フィルム30に貼られた保護フィルム3を剥がす際や樹脂フィルム30を積層する際の取り扱いが容易であり、従来の導電ペースト4を用いる場合に較べて、作業時間を大幅に短縮することができる。また、孔Hへ充填後の保形性が良いため、配線層間の接続不良や短絡不良を抑制することができ、従来の導電ペースト4を用いる場合に較べて、多層回路基板の製造歩留りを向上することができる。
また、上記したように、導電用充填材料40は保形性に優れ、孔Hに充填した後のスキージによるワイプ除去で余分に掻き取られることもない。従って、上記した導電用充填材料40の充填方法では、図2に示した充填工程において、保護フィルム3を介することなく、導電用充填材料40を加熱された保護フィルム3の無い樹脂フィルムの表面上に直接供給するようにしてもよい。この場合には、図4に示すように、導電用充填材料40の表面が充填後のスキージによるワイプ除去で余分に掻き取られて凹む不具合がなく、充填後の導電用充填材料40の表面と樹脂フィルム30aの表面と一致して平坦となる。図4に示す導電用充填材料40が孔Hに充填された樹脂フィルム30aも、図3(b)に示した樹脂フィルム30と同様に、多層回路基板の製造に好適である。
以上のようにして、上記導電用充填材料40は、多層回路基板における配線層間の接続導体として、従来の導電ペーストに較べて製造時の取り扱いが容易であり、接続信頼性と製造歩留りを高めることのできる導電用充填材料となっている。
上記導電用充填材料40は、室温で固体状態であり、加熱して樹脂フィルム30に形成された孔H内に充填する点に特徴がある。従って、上記導電用充填材料40を簡単な加熱で容易に軟化させるためには、構成成分である低融点室温固体蝋材42の融点が、100℃以下であることが好ましい。図5に例示した低融点室温固体蝋材42として採用可能な各樹脂材料は、いずれも100℃以下の融点を持ち、室温で固体状態の樹脂材料である。
また、上記導電用充填材料40は最終的に多層回路基板の配線層間の電気的導通を確保するためのである。従って、多層回路基板を製造する上で、上記導電用充填材料40の構成要素である低融点室温固体蝋材42が最後まで残存して悪影響を及ぼすことがないようにするためには、低融点室温固体蝋材42が、金属フィラー41の焼結温度より低い温度で分解または揮発することが好ましい。
例えば、図6(f)で示したように、多層回路基板の製造時における積層した樹脂フィルムの一括貼り合わせ工程において、低融点室温固体蝋材42の分解または揮発と金属フィラー41の焼結を同時に行い、貼り合わせ後に低融点室温固体蝋材42の残渣を残さないようにするためには、低融点室温固体蝋材42の分解または揮発する温度が、350℃以下であることが好ましい。
また、図2と図3に示した例において、導電用充填材料40を充填する樹脂フィルム30に形成された孔Hは、樹脂フィルム30の片面に形成された銅箔2からなる導体パターンを底とした有底孔であった。しかしながら、これ限らず、上記導電用充填材料40は室温で固体状態に戻り、十分な保形性を有するようになるため、底の無い貫通孔に充填することも可能である。
以上のようにして、上記導電用充填材料40は、多層回路基板における配線層間の接続導体として、図6と図7に示した従来の導電ペースト4に較べて製造時の取り扱いが容易であり、接続信頼性と製造歩留りを高めることのできる導電用充填材料である。
従って、上記導電用充填材料40は、図6で説明した多層回路基板90の製造工程において、従来の導電ペースト4の代わりに用いて好適である。すなわち、上記導電用充填材料40は、前記樹脂フィルムが、熱可塑性樹脂からなり、前記多層回路基板が、前記樹脂フィルムが複数枚積層され、一括した加熱加圧により、該樹脂フィルムが相互に貼り合わされると共に、前記金属フィラーが焼結されてなる多層回路基板である場合に好適である。
次に、より具体的な実施例について説明する。
実施例1.
上記導電用充填材料の金属フィラーとして、平均粒径5μmの球状銀(Ag)粉末と平均粒径2.5μmの球状錫(Sn)粉末を、両者の配合比が銀/錫=7/3となるように調整した。次に、低融点室温固体蝋材として融点43℃のパラフィン8wt%を添加し、60℃のホットプレート上にて上記金属フィラーと混練した。次に、保護フィルムの無い熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムを、加熱ヒータで60℃に設定した基盤ステージ上に置いた後、上記導電用充填材料を、銅箔を底とする有底孔へスキージで真空充填した。その後、上記導電用充填材料を充填した樹脂フィルムを基盤ステージより取り出し、加熱ヒータの無い別のステージに置き、樹脂フィルムが室温となったのを接触式の表面温度計にて確認した。次に、樹脂フィルム表面に残存した上記導電用充填材料を硬質ペーパーでふき取り除去した後、準備した複数枚の樹脂フィルムを重ね合わせた。この重ね合わせ工程において、ハンドリングによる振動や樹脂フィルムの反転積層によって、有底孔に充填されている上記導電用充填材料が崩壊しないことを、金属顕微鏡による観察で確認した。次に、重ね合わせた複数枚の樹脂フィルムを、320℃、40min、4MPaの条件で加熱真空プレスした。これにて得られた多層回路基板における配線層間の接続部の断面を顕微鏡で観察した結果、銅箔との拡散接合が良好で、有底孔へ充填された上記導電用充填材料の金属フィラーが良好に焼成されていることを確認した。また、電気的な導通も良好なものであった。
実施例2.
実施例1と同じ金属フィラーを用い、低融点室温固体蝋材として融点37℃のエイコサン8wt%を添加し、60℃のホットプレート上にて金属フィラーと混練した。その後、実施例1と同様の工程を経て、多層回路基板を作製した。これにて得られた多層回路基板における配線層間の接続部の断面を顕微鏡で観察した結果、銅箔との拡散接合が良好で、金属フィラーが良好に焼成されていることを確認した。また、電気的な導通も良好なものであった。
実施例3.
実施例1と同じ金属フィラーを用い、低融点室温固体蝋材として融点70℃のステアリン酸8wt%を添加し、100℃のホットプレート上にて金属フィラーと混練した。次に、保護フィルムの無い熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムを、加熱ヒータで100℃に設定した基盤ステージ上に置いた後、上記導電用充填材料を、銅箔を底とする有底孔へスキージで真空充填した。その後、実施例1と同様の工程を経て、多層回路基板を作製した。これにて得られた多層回路基板における配線層間の接続部の断面を顕微鏡で観察した結果、低融点室温固体蝋材としてパラフィンやエイコサンを採用した実施例1,2に較べると、金属フィラーの焼結性が若干劣っていた。これは、パラフィンやエイコサンとステアリン酸の熱分解性の違いが起因しているものと思われる。但し、銅箔との拡散接合や電気的な導通は、良好なものであった。
以上に説明したように、上記導電用充填材料およびその充填方法は、多層回路基板における配線層間の接続導体として、従来の導電ペーストに較べて製造時の取り扱いが容易であり、接続信頼性と製造歩留りを高めることのできる導電用充填材料およびその充填方法である。
本発明に係る導電用充填材料40を示した模式的な断面図である。 導電用充填材料40を樹脂フィルム30に形成された孔H内に充填する様子を示した模式的な断面図である。 (a),(b)は、孔Hに充填された導電用充填材料40について、その後の処理に伴う変化の様子を示した模式的な断面図である。 保護フィルム3が貼られていない樹脂フィルム30aを用いた場を示す図で、孔Hに充填された導電用充填材料40について、充填後の様子を示した模式的な断面図である。 導電用充填材料40の低融点室温固体蝋材42として採用可能な樹脂材料の代表例を、融点と共に示した図である。 特許文献1と同様の導電ペーストを用いた多層回路基板の製造方法を説明する図で、(a)〜(f)は、多層回路基板90の製造工程別の断面図である。 有底孔Hへの導電ペースト4の充填の様子をより詳細に示した図である。(a)は、シート材10表面への有底孔Hの形成の様子を示した模式的な断面図であり、(b)は、有底孔Hへの導電ペースト4の充填の様子を示す断面図である。また、(c)は、有底孔Hに充填された導電ペースト4について、その後の処理に伴う変化の様子を示した模式的な断面図である。
1 熱可塑性樹脂
2 金属箔(銅箔)
3 保護フィルム
30,30a 樹脂フィルム
H 孔
40 導電用充填材料
41 金属フィラー
42 低融点室温固体蝋材
90 多層回路基板

Claims (19)

  1. 多層回路基板の製造に用いる樹脂フィルムに形成された孔内に充填され、構成成分である導電用の金属フィラー焼結さて配線層間の電気的導通確保され多層回路基板導電用充填材料であって、
    前記樹脂フィルムが、熱可塑性樹脂からなり、
    前記多層回路基板導電用充填材料が、
    前記金属フィラーと、溶剤からなるバインダー成分と異なり、該金属フィラーの焼結温度より低い温度で融解し、室温で固体状態であるパラフィン系炭化水素または脂肪酸(以下、低融点室温固体蝋材と呼ぶ)との混合物からなり、
    多層回路基板導電用充填材料が、温で固体状態であり、
    多層回路基板導電用充填材料前記樹脂フィルムと共に加熱され、軟化さて前記孔内に充填されることを特徴とする多層回路基板導電用充填材料。
  2. 前記低融点室温固体蝋材の融点が、100℃以下であることを特徴とする請求項1に記載の多層回路基板導電用充填材料。
  3. 前記低融点室温固体蝋材が、
    前記金属フィラーの焼結温度より低い温度で分解または揮発することを特徴とする請求項1または2に記載の多層回路基板導電用充填材料。
  4. 前記分解または揮発する温度が、350℃以下であることを特徴とする請求項3に記載の多層回路基板導電用充填材料。
  5. 前記パラフィン系炭化水素が、
    パラフィンまたはエイコサンであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の多層回路基板導電用充填材料。
  6. 前記脂肪酸が、
    カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノデカン酸またはアラキン酸であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の多層回路基板導電用充填材料。
  7. 前記金属フィラーが、銀(Ag)と錫(Sn)からなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の多層回路基板導電用充填材料。
  8. 前記孔が、前記樹脂フィルムの片面に形成された金属箔からなる導体パターンを底とする有底孔であり、
    前記多層回路基板導電用充填材料が、前記導体パターンが形成された樹脂フィルムと共に加熱され、軟化されて前記有底孔内に充填されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の多層回路基板導電用充填材料。
  9. 前記多層回路基板が、前記樹脂フィルムが複数枚積層され、一括した加熱加圧により、該樹脂フィルムが相互に貼り合わされると共に、前記金属フィラーが焼結されてなる多層回路基板であり、
    前記多層回路基板導電用充填材料が、前記樹脂フィルムの孔内に充填されて、積層される複数枚の該樹脂フィルムと共に、一括して加熱加圧される多層回路基板導電用充填材料であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の多層回路基板導電用充填材料。
  10. 多層回路基板の製造に用いる樹脂フィルムに形成された孔内に充填され、構成成分である導電用の金属フィラーが焼結されて配線層間の電気的導通が確保される多層回路基板導電用充填材料であって、
    前記樹脂フィルムが、熱可塑性樹脂からなり、
    前記多層回路基板導電用充填材料が、
    前記金属フィラーと、溶剤からなるバインダー成分と異なり、該金属フィラーの焼結温度より低い温度で融解し、室温で固体状態であるパラフィン系炭化水素または脂肪酸(以下、低融点室温固体蝋材と呼ぶ)との混合物からなり、
    該多層回路基板導電用充填材料が、室温で固体状態であり、
    該多層回路基板導電用充填材料を前記樹脂フィルムと共に加熱し、軟化させて前記孔内に充填する、多層回路基板導電用充填材料の充填方法であって、
    前記樹脂フィルムを室温以上に加熱する加熱工程と、
    加熱された前記樹脂フィルム上に前記多層回路基板導電用充填材料を供給し、軟化した該多層回路基板導電用充填材料を前記孔内に押し込み充填する充填工程と、
    充填が終了した前記樹脂フィルムを室温に冷却して、前記多層回路基板導電用充填材料を固体状態に戻す冷却工程と、を有することを特徴とする多層回路基板導電用充填材料の充填方法
  11. 前記充填工程において、
    保護フィルムを介することなく、前記多層回路基板導電用充填材料を加熱された前記樹脂フィルムの表面上に直接供給することを特徴とする請求項10に記載の多層回路基板導電用充填材料の充填方法
  12. 前記低融点室温固体蝋材の融点が、100℃以下であることを特徴とする請求項10または11に記載の多層回路基板導電用充填材料の充填方法。
  13. 前記低融点室温固体蝋材が、
    前記金属フィラーの焼結温度より低い温度で分解または揮発することを特徴とする請求項10乃至12のいずれか一項に記載の多層回路基板導電用充填材料の充填方法。
  14. 前記分解または揮発する温度が、350℃以下であることを特徴とする請求項13に記載の多層回路基板導電用充填材料の充填方法。
  15. 前記パラフィン系炭化水素が、
    パラフィンまたはエイコサンであることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一項に記載の多層回路基板導電用充填材料の充填方法。
  16. 前記脂肪酸が、
    カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノデカン酸またはアラキン酸であることを特徴とする請求項10乃至14のいずれか一項に記載の多層回路基板導電用充填材料の充填方法。
  17. 前記金属フィラーが、銀(Ag)と錫(Sn)からなることを特徴とする請求項1乃至16のいずれか一項に記載の多層回路基板導電用充填材料の充填方法。
  18. 前記孔が、前記樹脂フィルムの片面に形成された金属箔からなる導体パターンを底とする有底孔であり、
    前記多層回路基板導電用充填材料を、前記導体パターンが形成された樹脂フィルムと共に加熱し、軟化させて前記有底孔内に充填することを特徴とする請求項10乃至17のいずれか一項に記載の多層回路基板導電用充填材料の充填方法。
  19. 前記多層回路基板が、前記樹脂フィルムが複数枚積層され、一括した加熱加圧により、該樹脂フィルムが相互に貼り合わされると共に、前記金属フィラーが焼結されてなる多層回路基板であり、
    前記樹脂フィルムの孔内に充填された前記多層回路基板導電用充填材料が、積層される複数枚の該樹脂フィルムと共に、一括して加熱加圧されることを特徴とする請求項10乃至18のいずれか一項に記載の多層回路基板導電用充填材料の充填方法。
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