JP5177430B2 - 化学機械研磨用水系分散体、その製造方法および化学機械研磨方法 - Google Patents
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Description
そのような微細化技術としては、例えば、微細化素子分離(Shallow Trench Isolation)、いわゆるSTI技術が知られている。このSTI技術においては、ウェハ基板上に成膜した余分の絶縁層を除去するために化学機械研磨が行われている。この化学機械研磨工程においては、被研磨面の平坦性が重要であり、そのため種々の研磨剤が検討されている。
例えば特開平5−326469号公報および特開平9−270402号公報には、STIの化学機械研磨工程において、研磨砥粒としてセリアを使用した水系分散体を用いることにより、研磨速度が速く、しかも比較的研磨傷の少ない被研磨面を得られることが開示されている。
被研磨面の研磨傷の減少については、キトサン酢酸塩、ドデシルアミン、ポリビニルピロリドンといった界面活性剤が有効である旨の報告がある(例えば特開2000−109809号公報、特開2001−7061号公報および特開2001−185514号公報)。しかし、これらの技術によると、研磨傷の減少には効果が見られるものの研磨速度が低下してしまい、スループットの向上はいまだ達成されていない。
本願出願人は、先に上記目的を達成する化学機械研磨用水系分散体として、セリアを含有する砥粒を1.5重量%以下の濃度で含有する水系分散体であって、該砥粒の平均分散粒径が1.0μm以上であることを特徴とする化学機械研磨用水系分散体を提案した(特開2006−32611号公報)。この水系分散体は、特に絶縁膜の化学機械研磨において被研磨面のスクラッチの発生が著しく抑制され、研磨速度も向上されたものであるが、当業者は更に高速の研磨を望んでいる。
これに対して、化学機械研磨装置の研磨定盤を回転するモーターの電流値を追跡して研磨終点を検出する方法が提案されている(特開2002−203819号公報)。この方法は、研磨の進行により被研磨面の初期段差が解消されて平坦となり、定番の回転に要するトルクが減少することに起因する電流変化を捉えて終点とするものであるが、この方法によると真の終点、すなわち研磨により除去すべき材料が完全に除去された時点を検出することは原理的に不可能である。また、被研磨面の状態を直接観測できる光学的な方法を用いた光学式終点検出装置および方法に関して研究が進められている(例えば特開平9−7985号公報および特開2000−326220号公報)。しかし、光学的な終点検出方法は、STIの化学機械研磨工程における絶縁層の除去においては、終点検出の信頼性に欠けるため、適用が困難である。
研磨廃液処理コストの削減のためには、使用する水系分散体に含有される砥粒の量を減少することが考えられる。しかし従来知られている化学機械研磨用水系分散体につき、砥粒の使用量を減ずる目的で希釈状態で使用すると、研磨速度の著しい低下を招き、所定の量の被研磨物を研磨除去するために要する砥粒量がかえって増加する結果を招くこととなる。
砥粒の含有量を減じても高い研磨速度において高度の表面平滑性を有する被研磨面を与えることができ、かかる観点からの研磨廃液の処理コストの削減を図りうる化学機械用水系分散体は従来知られていない。
本発明の別の目的は、特にSTIの化学機械研磨工程において光学式の終点検出装置を使用せずに、容易に研磨終点の決定ができる化学機械研磨方法を提供することにある。
本発明の上記目的は第二に、(A)セリアを含む無機粒子0.1〜10重量%および(A)無機粒子100重量部に対して5〜100重量部の(B)カチオン性有機重合体粒子を含有する第一液に、
(C)アニオン性水溶性化合物5〜30重量%を含有する第二液を添加する工程を含む、上記化学機械研磨用水系分散体を製造するための方法によって達成される。
更に本発明の上記目的は第三に、上記の化学研磨用水系分散体を用いて被研磨体の被研磨面を研磨する化学機械研磨方法によって達成される。
本発明の化学機械研磨用水系分散体は、(A)セリアを含む無機粒子、(B)カチオン性有機重合体粒子および(C)アニオン性水溶性化合物からなる砥粒を含有する。以下、本発明の化学機械研磨用水系分散体に含有される砥粒を構成する各成分について説明する。
上記(A)セリアを含む無機粒子(以下、「(A)無機粒子」ということがある。)は、セリアのみからなることができ、セリアと他の無機粒子との混合物であってもよい。他の無機粒子としては、例えばシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、二酸化マンガン、三酸化二マンガン、酸化鉄等を挙げることができ、これらのうち、シリカが好ましい。
上記セリアは、例えば4価のセリウム化合物を酸化雰囲気中、600〜800℃で加熱処理することによって得ることができる。セリアの原料たる4価のセリウム化合物としては、例えば水酸化セリウム、炭酸セリウム、シュウ酸セリウム等を挙げることができる。
セリアの比表面積は、好ましくは5〜100m2/g、より好ましくは10〜70m2/g、更に好ましく10〜30m2/gである。この範囲の比表面積を有するセリアを含む無機粒子を使用することにより、平坦性に優れた被研磨面を与える化学機械研磨用水系分散体を得ることができる。
上記シリカとしては、例えばヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等を挙げることができる。上記ヒュームドシリカは、例えば塩化ケイ素を水素および酸素の存在下に反応させて得ることができる。コロイダルシリカは、例えばケイ酸塩化合物をイオン交換する方法、アルコキシケイ素化合物を加水分解し、縮合反応を経る方法等により得ることができる。
(A)無機粒子としては、セリアのみからなる無機粒子であるか、あるいはセリアおよびシリカからなる無機粒子であることが好ましく、セリアのみからなる無機粒子であることがより好ましい。
(A)無機粒子の平均粒子径は、好ましくは0.01〜1μm、より好ましくは0.02〜0.7μm、更に好ましくは0.04〜0.3μmである。この平均粒子径は、動的光散乱法、レーザー散乱回折法、透過型電子顕微鏡観察等により測定することができる。これらのうち、レーザー散乱回折法により測定することが簡便であるため好ましい。
(A)無機粒子の細孔容積は、好ましくは0.09〜0.20mL/gであり、より好ましくは0.10〜0.14mL/gである。細孔容積は、ガス吸着法等により知ることができる。
上記範囲の平均粒子径、細孔容積を有する無機粒子を使用することにより、研磨速度と水系分散体中における分散安定性とのバランスに優れた砥粒を得ることができる。
上記(B)カチオン性有機重合体粒子は、粒子中にカチオン性の残基を有する有機粒子をいう。ここで、カチオン性の残基とは、例えば下記式(1)〜(4)で表される残基を挙げることができる。
上記(B)カチオン性有機重合体粒子は、上記のようなカチオン性の残基を有する限り、特に制限はないが、例えば上記のようなカチオン性残基を有する重合体粒子、カチオン性残基を有する界面活性剤が付着した重合体粒子等であることができる。
(B)カチオン性有機粒子がカチオン性残基を有する重合体粒子である場合、上記カチオン性残基は、重合体の側鎖中および末端のうちの少なくとも一方に位置することができる。
カチオン性残基を側鎖に有する重合体は、カチオン性モノマーの単独重合もしくは二種以上のカチオン性モノマーの共重合またはカチオン性モノマーとそれ以外のモノマーとの共重合によって得ることができる。
アミノアルキル基を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば2−ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、2−ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、2−ジメチルアミノプロピル(メタ)アクリレート、3−ジメチルアミノプロピル(メタ)アクリレート等を;
アミノアルコキシアルキル基を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば2−(ジメチルアミノエトキシ)エチル(メタ)アクリレート、2−(ジエチルアミノエトキシ)エチル(メタ)アクリレート、3−(ジメチルアミノエトキシ)プロピル(メタ)アクリレート等を;
(メタ)アクリル酸アミドまたはそのN−アルキル置換体としては、例えば(メタ)アクリルアミド、メチル(メタ)アクリルアミド等を;
N−アミノアルキル基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えばN−(2−ジメチルアミノエチル)(メタ)アクリルアミド、N−(2−ジエチルアミノエチル)(メタ)アクリルアミド、N−(2−ジメチルアミノプロピル)(メタ)アクリルアミド、N−(3−ジメチルアミノプロピル)(メタ)アクリルアミド等を、それぞれ挙げることができる。
なお、これらカチオン性モノマーは、塩化メチル、硫酸ジメチル、硫酸ジエチル等が付加した塩のかたちであってもよい。カチオン性モノマーがこれらの塩である場合には、塩化メチルが付加した塩が好ましい。
芳香族ビニル化合物としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、ハロゲン化スチレン等を;
不飽和ニトリル化合物としては例えばアクリロニトリル等を;
(メタ)アクリル酸エステル(ただし、上記カチオン性モノマーに相当するものは除く。)としては例えばメチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等を;
共役ジエン化合物としては、例えばブタジエン、イソプレン等を;
カルボン酸のビニルエステルとしては、例えば酢酸ビニル等を;
ハロゲン化ビニリデンとしては、例えば塩化ビニル、塩化ビニリデン等をそれぞれ挙げることができる。
これらのうち、スチレン、α−メチルスチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート、ブチルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレートおよびトリメチロールプロパントリメタクリレートが好ましい。
このようなモノマーとしては、例えば、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、2,2'−ビス〔4−(メタ)アクリロイルオキシプロピオキシフェニル〕プロパン、2,2'−ビス〔4−(メタ)アクリロイルオキシジエトキシジフェニル〕プロパン、グリセリントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールブロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート等を挙げることができる。
これらのうち、ジビニルベンゼンおよびエチレングリコールジメタクリレートが好ましい。
上記の如き重合体は、ラジカル重合開始剤を用いて公知の方法により製造することができる。ここで、ラジカル重合開始剤としては、例えば過酸化ベンゾイル、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル等を挙げることができる。ラジカル重合開始剤の使用量としては、モノマーの総量100重量部に対して好ましくは0.05〜3.0重量部であり、より好ましくは0.1〜2.0重量部である。
この場合の原料となる単量体としては、上記したカチオン性モノマーおよびそれ以外のモノマーのうちから選択される少なくとも1種のモノマーの単独重合または共重合によって製造することができる。ここで、原料モノマーの一部または全部にカチオン性モノマーを使用すると、重合体の側鎖および末端の双方にカチオン性の残基を有する重合体を得ることができる。
2,2'−アゾビス[N−(4−クロロフェニル)−2−メチルプロピオンアミジン)ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−546」として販売)、
2,2'−アゾビス[N−(4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルプロピオンアミジン]ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−548」として販売)、
2,2'−アゾビス[2−メチル−N−(フェニルメチル)−プロピオンアミジン]ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−552」として販売)、
2,2'−アゾビス[2−メチル−N−(2−プロペニル)プロピオンアミジン]ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−553」として販売)、
2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオンアミジン)ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「V−50」として販売)、
2,2'−アゾビス[N−(2−ヒドロキシエチル)−2−メチルプロピオンアミジン]ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−558」として販売)、
2,2'−アゾビス[N−(2−カルボキシエチル)−2−メチルプロピオンアミジン]ハイドレート(和光純薬工業(株)から商品名「VA−057」として販売)、
2,2'−アゾビス[2−(2−イミダゾリン−2−イル)プロパン)ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−044」として販売)、
2,2'−アゾビス[2−(4,5,6,7−テトラヒドロ−1H−1,3−ジアゼピン−2−イル)プロパン]ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−054」として販売)、
2,2'−アゾビス[2−(3,4,5,6−テトラヒドロピリミジン−2−イル)プロパン]ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−058」として販売)、
2,2'−アゾビス[2−(5−ヒドロキシ−3,4,5,6−テトラヒドロピリミジン−2−イル)プロパン]ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−059」として販売)、
2,2'−アゾビス{2−[1−(2−ヒドロキシエチル)−2−イミダゾリン−2−イル]プロパン}ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−060」として販売)、
2,2'−アゾビス[2−(2−イミダゾリン−2−イル)プロパン)(和光純薬工業(株)から商品名「VA−061」として販売)等を挙げることができる。
かかるカチオン性重合開始剤の使用量としては、モノマーの総量100重量部に対して好ましくは0.1〜5.0重量部であり、より好ましくは0.2〜3.0重量部であり、更に0.5〜2.0重量部であることが好ましい。
アニオン性残基を有するモノマーとしては、例えば上記したカルボン酸のビニルエステル等を用いることができる。ここで、アニオン性残基を有するモノマーの使用量としては、全モノマーに対して1〜60重量%であることが好ましく、1〜30重量%であることが更に好ましい。
この場合のラジカル重合開始剤の使用量としては、モノマーの総量100重量部に対して好ましくは0.05〜3.0重量部であり、より好ましくは0.1〜2.0重量部である。
上記カチオン性残基を有する界面活性剤としては、アルキルピリジニルクロライド、アルキルアミンアセテート、アルキルアンモニウムクロライド、アルキンアミン等の他、特開昭60−235631号公報に記載されているようなジアリルアンモニウムハロゲン化物等の反応性陽イオン界面活性剤等が挙げられる。
カチオン性残基を有する界面活性剤の使用量は、重合体100重量部に対して、好ましくは1〜30重量部であり、更に好ましくは1〜10重量部である。
(B)カチオン性有機重合体粒子の平均粒子径としては、1.0μm以下であることが好ましく、更に好ましくは0.02〜0.6μmであり、特に0.04〜0.3μmであることが好ましい。また、この平均粒子径は、(A)無機粒子の平均粒子径と比較して同程度であることが好ましく、(A)無機粒子の平均粒子径の60〜200%であることが更に好ましく、特に60〜100%であることが好ましい。上記平均粒子径は、動的光散乱法、レーザー散乱回折法、透過型電子顕微鏡観察等により測定することができる。
上記(C)アニオン性水溶性化合物が有するアニオン性の官能基としては、例えばカルボキシル基、スルホン基等を挙げることができる。
(C)アニオン性水溶性化合物としては、好ましくはアニオン性水溶性高分子またはアニオン性界面活性剤である。
アニオン性官能基としてカルボキシル基を含有するアニオン性水溶性高分子としては、例えば不飽和カルボン酸の(共)重合体、ポリグルタミン酸、ポリマレイン酸等を挙げることができる。アニオン性基としてスルホン基を含有するアニオン性水溶性高分子としては、例えばスルホン基を有する不飽和単量体の(共)重合体等を挙げることができる。
上記不飽和カルボン酸(共)重合体は、不飽和カルボン酸の単独重合体または不飽和カルボン酸とその他の単量体との共重合体である。不飽和カルボン酸としては、例えば(メタ)アクリル酸を挙げることができる。その他の単量体としては、例えば(メタ)アクリルアミド、(メタ)アクリル酸エステル、スチレン、ブタジエン、イソプレン等を挙げることができる。(メタ)アクリル酸エステルとしては例えば(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸ベンジル等を挙げることができる。
上記スルホン基を有する不飽和単量体の(共)重合体は、スルホン基を有する不飽和単量体の単独重合体またはスルホン基を有する不飽和単量体とその他の単量体との共重合体である。スルホン基を有する不飽和単量体としては、例えばスチレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、イソプレンスルホン酸等を挙げることができる。その他の単量体としては、上記した不飽和カルボン酸共重合体の原料として例示したその他の単量体と同様の単量体を使用することができる。
なお、これらアニオン性基を有する水溶性有機重合体は、これに含まれるアニオン性基の全部または一部が塩であるものを使用してもよい。その場合のカウンターカチオンとしては、例えばアンモニウムイオン、アルキルアンモニウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができ、これらのうちアンモニウムイオンまたはアルキルアンモニウムイオンが好ましい。
上記アニオン性界面活性剤としては、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルジフェニルエーテルジスルフォン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、アルキルエーテル硫酸塩等を挙げることができる。これらのアニオン性界面活性剤のカウンターカチオンとしては、例えば、アンモニウムイオン、アルキルアンモニウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。
これらのうち、ドデシルベンゼンスルホン酸の塩またはアルキルジフェニルエーテルジスルフォン酸の塩が好ましく、これらのアンモニウム塩がより好ましい。
本発明に用いられる(C)アニオン性水溶性化合物としては、アニオン性水溶性高分子が好ましい。
(B)カチオン性有機重合体粒子は、(A)無機粒子100重量部に対して10〜80重量部であることが好ましく、15〜60重量部であることがより好ましい。(C)アニオン性水溶性化合物は、(A)無機粒子100重量部に対して10〜50重量部であることが好ましく、15〜40重量部であることがより好ましい。
上記砥粒は、電子顕微鏡観察によって、上記(A)無機粒子と(B)カチオン性有機重合体粒子とが、(C)アニオン性水溶性化合物を介して集合してなる特異な集合状態にあることが分かった。
本発明の化学機械研磨用水系分散体に含有される砥粒の量は、水系分散体の全量に対して好ましくは0.1〜2.0重量%であり、より好ましくは0.2〜08重量%である。
上記酸としては、有機酸、無機酸のいずれをも用いることができる。有機酸としては、例えばパラトルエンスルホン酸、イソプレンスルホン酸、グルコン酸、乳酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、グリコール酸、マロン酸、ギ酸、シユウ酸、コハク酸、フマル酸、マレイン酸、フタル酸等が挙げられる。無機酸としては、例えば硝酸、塩酸及び硫酸等が挙げられる。これら酸の配合量は、化学機械研磨用水系分散体全体に対して好ましくは2重量%以下であり、より好ましくは1重量%以下である。
上記塩基としては特に限定されず、有機塩基、無機塩基のいずれをも用いることができる。有機塩基としては、例えばエチレンジアミン、エタノールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム等の含窒素有機化合物等が挙げられる。無機塩基としては、例えばアンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム等が挙げられる。上記塩基の含有量は、化学機械研磨用水系分散体全体に対して好ましくは1重量%以下、より好ましくは0.5重量%以下である。
本発明の化学機械研磨用水系分散体における防腐剤の使用量としては、好ましくは0.1重量%以下であり、より好ましくは0.01重量%以下である。
本発明の化学機械研磨用水系分散体に使用できる分散媒としては、例えば水、および水と水溶性アルコールとの混合溶媒を挙げることができる、水溶性アルコールとしては、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール等をあげることができる。これらのうち、研磨材の製造時の媒体としては水を使用することが好ましい。
本発明の化学機械研磨用水系分散体のpHは、好ましくは4.0〜9.0であり、より好ましくは5.0〜8.5であり、更に5.5〜8.0であることが好ましい。
上記の割合の(A)、(B)および(C)各成分からなる砥粒を含有する本発明の化学機械研磨用水系分散体は、後述する実施例から明らかなように、被研磨面に実質的に研磨傷が発生せず且つ高速な研磨が可能であり、特に微細素子分離工程(STI工程)における絶縁膜研磨、多層化配線基板の層間絶縁膜の研磨に極めて好適に使用できる。
本発明の化学機械研磨用水系分散体は、
(A)セリアを含む無機粒子0.1〜10重量%および(A)無機粒子100重量部に対して5〜100重量部の(B)カチオン性有機重合体粒子を含有する第一液に、
(C)アニオン性水溶性化合物5〜30重量%を含有する第二液を添加する工程を含む方法により製造することができる。
第一液は水系分散体であり、その分散媒は、所望の化学機械研磨用水系分散体の分散媒と同様であり、水を使用することが好ましい。第一液中の(A)セリアを含む無機粒子の含有量は、好ましくは0.25〜7.5重量%である。第一液中の(B)カチオン性有機重合体粒子の含有量は、所望の化学機械研磨用水系分散体に含有される砥粒における(A)無機粒子と(B)重合体粒子との比に応じて決定することができ、好ましくは第一液に含有される(A)無機粒子100重量部に対して10〜80重量部であり、より好ましくは15〜60重量部である。第一液のpHは、好ましくは3.5〜9.0であり、より好ましくは4.0〜8.0であり、更に4.5〜6.0であることが好ましい。第一液は、そのpHを上記の好ましいpH範囲とするために、上記した酸または塩基を含有することができる。
第二液は溶液であり、その溶媒は、所望の化学機械研磨用水系分散体の分散媒と同様であり、水を使用することが好ましい。第二液に含有される(C)アニオン性水溶性化合物の量は、好ましくは10〜25重量%であり、より好ましくは15〜20重量%である。第二液のpHは、好ましくは4.0〜9.0であり、より好ましくは5.0〜8.0であり、更に5.5〜7.0であることが好ましい。第二液は、そのpHを上記の好ましいpH範囲とするために、それぞれ上記した酸または塩基を含有することができる。
第一液および第二液に含有される各成分の含有量を上記の好ましい範囲とすることにより、これらを用いて均一な組成の砥粒を適当な含有量で含有する本発明の化学機械研磨用水系分散体またはその濃縮物を容易に得ることができることとなる。
第一液と第二液とを混合した後に化学機械研磨用水系分散体のpHを調整するために、更に酸または塩基を加えてもよい。
また、本発明の化学機械研磨用水系分散体が、上述の防腐剤を含有するものである場合、防腐剤は予め第一液および第二液のいずれか一方または双方に含有させておいてもよく、あるいは防腐剤を含有しない第一液および第二液を混合した後に更に防腐剤を加えてもよい。これらのうち、予め第一液に混合しておくことが好ましい。
こうして調製された水系分散体は、孔径2〜10μm程度のフィルターで濾過した後に化学機械研磨工程に供してもよい。
化学機械研磨用水系分散体を製造するためのセットは、それぞれ上記の化学機械研磨用水系分散体を製造するための方法に用いられる第一液および第二液からなる。この第一液もしくは第二液またはその双方は、各液に含有される各成分の含有割合を保ったまま濃縮状態に調製されたものであってもよい。
したがって、本発明の化学機械研磨用水系分散体を製造するためのセットは、(A)セリアを含む無機粒子100重量部および(B)カチオン性有機重合体粒子5〜100重量部を含有する第一液ならびに
(C)アニオン性水溶性化合物を含有する第二液からなる。
一方、セットに含まれる第二液が濃縮物である場合、この第二液中の(C)アニオン性水溶性化合物の含有量は40重量%以下であることが好ましい。第二液である濃縮物中の(C)アニオン性水溶性化合物をかかる含有量とすることにより、第二液を均一且つ安定な溶液とすることができ、第二液を長期間保存した後でもこれを希釈することにより本発明の化学機械研磨用水系分散体の製造に好適に供することができることとなる。したがって、セットの第二液中の(C)アニオン性水溶性化合物の含有量は、好ましくは5〜40重量%である。
なお、本発明の化学機械研磨用水系分散体を製造してから化学機械研磨工程に供するまでの時間は60日以内とすることが好ましく、15日以内とすることがより好ましい。一方、二液からなるセットとして保存する場合には、通常の保存環境において少なくとも1年程度は安定に保存することができ、保存後に上記の方法により所期の性能を発揮する化学機械研磨用水系分散体を製造することができる。
本発明の化学機械研磨方法は、上記の化学機械研磨用水系分散体を用いて被研磨体を研磨するものである。被研磨体の被研磨面を構成する好ましい材料としては絶縁膜が挙げられる。具体的には、微細素子分離工程(STI工程)において研磨される絶縁膜、多層化配線基板の層間絶縁膜等を挙げることができる。
STI工程における被研磨体としては、例えば図1に断面概略図として示したような被研磨体を挙げることができる。図1の被研磨体10は、素子分離領域となるべき溝2を有するシリコン基板1のうち溝部以外の表面に酸化シリコン層3、その上に更に窒化シリコン層4が形成され、更に溝2および窒化シリコン層4上に絶縁膜5が堆積された被研磨体である。図1の被研磨体では、STI工程において理想的には窒化シリコン層4が露出するまで研磨が行われる。
上記STI工程における研磨の対象となる絶縁膜および多層化配線基板の絶縁膜を構成する材料としては、例えば熱酸化膜、PETEOS膜(Plasma Enhanced−TEOS膜)、HDP膜(High Density Plasma Enhanced−TEOS膜)、熱化学気相蒸着法(熱CVD法)により得られる酸化シリコン膜、ホウ素リンシリケート膜(BPSG膜)、フッ化シリケート膜(FSG膜)等が挙げられる。
上記PETEOS膜は、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)を原料として、促進条件としてプラズマを利用して化学気相成長で形成されたものである。
上記HDP膜はテトラエチルオルトシリケート(TEOS)を原料として、促進条件として高密度プラズマを利用して化学気相成長で形成されたものである。
上記熱CVD法により得られる酸化シリコン膜は、常圧CVD法(AP−CVD法)又は減圧CVD法(LP−CVD法)により形成されたものである。
上記ホウ素リンシリケート膜(BPSG膜)は、常圧CVD法(AP−CVD法)又は減圧CVD法(LP−CVD法)により形成されたものである。
また、上記フッ化シリケート膜は、促進条件として高密度プラズマを利用して化学気相成長で形成されたものである。
本発明の化学機械研磨方法において、図1の如き被研磨体を研磨対象とする場合、化学機械研磨装置の定盤を回転するモーターの電流値を追跡することにより、化学機械研磨の終点を容易に知ることができる。
すなわち、本発明の化学機械研磨方法では、研磨開始初期の不安定時期(例えば研磨開始後2〜5秒程度)を除いて、上記電流値が先ず徐々に増加する傾向が見られる。この増加傾向は被研磨物の研磨が進行するに連れて被研磨面の初期段差が解消され、研磨パッドと被研磨面との接触面積が増大し、これにより摩擦が増加することによるものと思われる。その後更に研磨が進むと、電流値は減少傾向に転じる。そして該電流値の経時変化を示すグラフにおいて電流値が増加傾向から減少傾向に転じた後に変曲点を示した時点が、化学機械研磨工程の終点、すなわち窒化シリコン層4が露出した時点と一致することがわかった。この時点は、電流値が増加傾向から減少傾向に転じた後に下記数式(1)
d2A/dt2=0 (1)
(上式中、Aは化学機械研磨装置の定盤を回転するモーターの電流値であり、tは時間である。)
をはじめに充たした時点である。
一方、従来知られているセリア砥粒では、定盤を回転するモーターの電流値と研磨終点との間に明確な相関は見られない。
炭酸セリウムを空気中、700℃で4時間加熱し、セリアを得た。このセリアをイオン交換水と混合してジルコニアビーズを使用したビーズミルで粉砕した。これを72時間静置し、上部の90重量%相当分を分取することにより分級し、28.7重量%のセリアを含有するセリアの水分散体を得た。
この水分散体中のセリアにつき、レーザー回折法によって測定した平均粒子径は140nmであった。また、上記セリアの水分散体を乾燥して得たセリアにつき、ヘリウムを用いたガス吸着法によって測定した細孔容積は0.105mL/gであり、窒素を用いてBET法により測定した比表面積は15.4m2/gであった。
合成例1(有機粒子(a)の調製)
モノマーとしてメチルメタクリレート60重量部およびスチレン40重量部、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオンアミジン)ジヒドロクロライド(商品名「V−50」、和光純薬工業(株)製)0.5重量部、界面活性剤として非イオン系界面活性剤「アデカソープ ER−10」((株)ADEKA製)1重量部およびイオン交換水400重量部を混合し、窒素ガス雰囲気下、攪拌しながら70℃に昇温し、同温度で5時間重合させることにより、有機粒子(a)を19.7重量%含有する水分散体を得た。重合反応転化率は98.3%であった。
得られた有機粒子(a)につきレーザー光回折法により測定した平均粒子径は128nmであり、また有機粒子(a)のゼータ電位は+20mVであった。
使用したモノマー、重合開始剤および界面活性剤の種類および量を表1に記載のとおりとしたほかは、合成例1と同様にして実施し、有機粒子(b)〜(f)をそれぞれ含有する水分散体を得た。各合成例における重合反応転化率、各水分散体の粒子含有率ならびに各有機粒子の平均粒子径およびゼータ電位を表1に示した。
重合開始剤;
V−50:商品名、和光純薬工業(株)製。2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオンジアミン)ジヒドロクロライド
界面活性剤
ER−10:商品名「アデカリアソープ ER−10」、(株)アデカ製。非イオン反応性界面活性剤。
ER−30:商品名「アデカリアソープ ER−30」、(株)アデカ製。非イオン反応性界面活性剤。
コータミン24P:商品名、花王(株)製、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリド。
DBSA:ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウム。
表1中の各成分に対応する数字は、それぞれ重合反応に際して当該成分を添加した量(重量部)である。「−」は、当該欄に対応する成分を添加しなかったことを示す。
(1)化学機械研磨用水系分散体の調製
(1−1)第一液の調製
予め容器に入れたイオン交換水中に、(A)無機粒子として上記で調製したセリアの水分散体を加え、第一液中のセリア含有量が6.25重量%となるように希釈した。ここに(B)カチオン性有機重合体粒子として有機粒子(a)を含有する水分散体を、第一液中の有機粒子(a)含有量が0.625重量%となるような量だけ加えた。この混合物につき、更に30分間攪拌を継続することにより、(A)無機粒子および(B)カチオン性有機重合体粒子を含有する水分散体である第一液を調製した。
(1−2)第二液の調製
(C)アニオン性水溶性化合物として重量平均分子量Mwが10,000のポリアクリル酸アンモニウムを10重量%含有する水溶液である第二液を調製した。
(1−3)化学機械研磨用水系分散体の調製
上記で調製した第一液を撹拌しつつ、これに第二液を、(C)アニオン性水溶性化合物の量が第一液中の(A)無機粒子100重量部に対して40重量部に相当する量だけ加え、更に30分間撹拌を継続した。これを孔径5μmのポリプロピレン製デプスフィルターで濾過することにより、(A)無機粒子として100重量部(5.0重量%)のセリア、(B)カチオン性有機重合体粒子として10重量部(0.5重量%)の有機粒子(a)および(C)アニオン性水溶性化合物として40重量部(2.0重量%)のポリアクリル酸アンモニウムからなる砥粒(1)を7.5重量%含有する化学機械研磨用水系分散体の濃縮物を得た。
この濃縮物を、砥粒(1)の含有量が2.00重量%となるように希釈した後、化学機械研磨試験に供した。
上記のようにして調製した化学機械研磨用水系分散体(希釈後のもの)を使用して、以下の条件下、直径8インチの熱酸化膜つきウェハを被研磨体として化学機械研磨を行った。
研磨装置:(株)荏原製作所製、型式「EPO−112」
研磨パッド:ロデール・ニッタ(株)製、「IC1000/SUBA400」
水系分散体供給速度:200mL/分
定盤回転数:100rpm
研磨ヘッド回転数:107rpm
研磨ヘッド押し付け圧:350hPa
被研磨体である直径8インチの熱酸化膜つきウェハにつき、その研磨前の膜厚を光干渉式膜厚計「NanoSpec 6100」(ナノメトリクス・ジャパン(株)製)によって予め測定した後、上記の化学機械研磨試験条件にて1分間研磨を行った。研磨後の被研磨体の膜厚を、研磨前と同じ光干渉式膜厚計を用いて測定し、研磨前の膜厚との差、すなわち化学機械研磨により減少した膜厚を求めた。ここで減少した膜厚および研磨時間から研磨速度を算出したところ、研磨速度は363nm/分であった。
<スクラッチ評価方法>
被研磨体である直径8インチの熱酸化膜つきウェハを、上記の化学機械研磨試験条件にて2分間研磨を行った。研磨後の被研磨面につき、ケーエルエー・テンコール(株)製のウェハ欠陥検査装置「KLA2351」により欠陥検査した。先ず、ピクセルサイズ0.39μm、敷居値(threshold)20の条件でウェハ被研磨面の全範囲について、「KLA2351」が「欠陥」としてカウントした数を計測した。次いで、これら「欠陥」を順次に装置のディスプレイ上に表示し、それぞれの「欠陥」がスクラッチであるか否かを分類することにより、ウェハ全面のスクラッチ数を調べたところ、スクラッチ数は15個/ウェハであった。なお、ウェハ欠陥検査装置が欠陥としてカウントしたもののうち、スクラッチでないものとは、例えば付着したゴミ、ウェハ製造時に発生したシミ等を挙げることができる。
実施例1において、化学機械研磨用水系分散体の濃縮物を希釈する際、砥粒(1)の含有量がそれぞれ表6に記載の含有量となるように希釈したほかは、実施例1と同様にして化学機械研磨用水系分散体を調製し、化学機械研磨試験を行った。結果を表6に示した。
実施例1において、第一液中の(B)カチオン性有機重合体粒子および第二液中の(C)アニオン性水溶性化合物の種類および含有量を表2に記載のとおりとし、第一液と第二液との混合割合を、化学機械研磨用水系分散体の濃縮物中の(A)、(B)および(C)成分の含有量がそれぞれ表4に記載の通りとなるようにしたほかは実施例1と同様にして、それぞれ砥粒(2)〜(7)を含有する化学機械研磨用水系分散体の濃縮物を調製した。
これら濃縮物を、イオン交換水によってそれぞれ表6に記載の砥粒濃度に希釈したものを化学機械研磨用水系分散体として用いたほかは実施例1と同様にして化学機械研磨試験を行った。結果を表6に示した。
ただし、実施例5は参考例である。
(1−1)第一液の濃縮物の調製
予め容器に入れたイオン交換水中に、(A)無機粒子として上記で調製したセリアの水分散体を加え、第一液中のセリア含有量が5.0重量%となるように希釈した。ここに(B)カチオン性有機重合体粒子として有機粒子(a)を含有する水分散体を、第一液中の有機粒子(a)含有量が0.5重量%となるような量だけ加えた。この混合物につき、更に30分間攪拌を継続した後、これを孔径5μmのポリプロピレン製デプスフィルターで濾過することにより、(A)無機粒子および(B)カチオン性有機重合体粒子を含有する水分散体である第一液の濃縮物を調製した。
(1−2)第二液の調製
(C)アニオン性水溶性化合物として重量平均分子量Mwが8,000のポリアクリル酸アンモニウムを30重量%含有する水溶液である第二液を調製した。
(1−3)化学機械研磨用水系分散体の調製
予め容器に入れたイオン交換水中に、上記で調製した第一液を、化学機械研磨用水系分散体中の(A)無機粒子の含有量が0.5重量%となるような量だけ入れた。ここに第二液を、(C)アニオン性水溶性化合物の量が第一液中の(A)無機粒子100重量部に対して50重量部に相当する量だけ加え、更に30分間撹拌を継続することにより、(A)無機粒子として100重量部(0.5重量%)のセリア、(B)カチオン性有機重合体粒子として10重量部(0.05重量%)の有機重合体粒子(b)および(C)アニオン性水溶性化合物として50重量部(0.25重量%)のポリアクリル酸アンモニウムからなる砥粒(8)を0.8重量%含有する化学機械研磨用水系分散体を得た。
(2)化学機械研磨試験
上記で調製した化学機械研磨用水系分散体を用いて実施例1と同様にして化学機械研磨試験を行った。結果を表6に示した。
実施例10において、第一液中の(A)無機粒子(セリア)の含有量ならびに(B)カチオン性有機重合体粒子種類および含有量を表3に記載のとおりとしたほかは実施例10と同様にして第一液の濃縮物をそれぞれ調製した。
一方、実施例10において第二液中の(C)アニオン性水溶性化合物の種類および含有量を表3に記載のとおりとしたほかは実施例10と同様にして第二液を調製した。
次いで、第一液および第二液の使用量を、化学機械研磨用水系分散体の濃縮物中の(A)、(B)および(C)成分の含有量がそれぞれ表5に記載の通りとなるようにしたほかは実施例10と同様にして、それぞれ砥粒(9)〜(17)を含有する化学機械研磨用水系分散体を調製した。
上記で調製した化学機械研磨用水系分散体を用いて実施例1と同様にしてそれぞれ化学機械研磨試験を行った。結果を表6に示した。
ただし、実施例13および14は、それぞれ、参考例である。
比較例1において調製した化学機械研磨用水系分散体に、更にイオン交換水を加えて砥粒(15)の含有量が0.07重量%となるように希釈したものを化学機械研磨用水系分散体として用いたほかは、比較例1と同様にして化学機械研磨試験を行った。結果を表6に示した。なお、本比較例においては、研磨速度が低すぎて実用に適さないことが明らかだったので、スクラッチの評価は行わなかった。
予め容器に入れたイオン交換水中に、第一稀元素化学工業(株)製 セリアゾル CESL−40N(平均粒子径:40nm、セリア含有量:20重量%)を加え、イオン交換水により化学機械研磨用水系分散体の濃縮物中のセリア含有量が5重量%となるように希釈した。ここに更に、Mwが10,000のポリアクリル酸アンモニウムを10重量%含有する水溶液を、化学機械研磨用水系分散体の濃縮物中のポリアクリル酸アンモニウム含有量が2.0重量%となるような量だけ加え10分間攪拌した。これを孔径5μmのポリプロピレン製デプスフィルターで濾過し、セリア(a)を5重量%含有する化学機械研磨用水系分散体の濃縮物を得た。
この濃縮物をイオン交換水によってセリア含有量が0.5重量%となるように希釈した後、実施例1と同様にして化学機械研磨試験を行った。結果を表6に示した。なお、本比較例においては、研磨速度が低すぎて実用に適さないことが明らかだったので、スクラッチの評価は行わなかった。
炭酸セリウムを空気中、800℃で4時間加熱し、セリアを得た。このセリアをイオン交換水と混合してジルコニアビーズを使用したビーズミルで粉砕した。これを24時間静置し、上部の90重量%相当分を分取することにより分級し、31.6重量%のセリアの水分散体を得た。得られたセリアについて、レーザー回折法により測定した平均粒径は440nmであった。
このセリア水分散体をCESL−40Nの代わりに用いた以外は比較例1と同様にしてセリア(b)を5重量%含有する化学機械研磨用水系分散体の濃縮物を得た。
この濃縮物にイオン交換水を加えて砥粒の含有量が表6に記載の値となるように希釈した後、実施例1と同様にして化学機械研磨試験を行った。結果を表6に示した。
上記比較例2で調製したセリア(b)を含む濃縮物および上記合成例1で調製した有機粒子(a)を含む水分散体を混合し、更にイオン交換水を加えてセリア(b)および有機粒子(a)の含有量がそれぞれ表6に記載の値となるように希釈した後、実施例1と同様にして化学機械研磨試験を行った。結果を表6に示した。
上記比較例6で調製したセリア(b)を含む濃縮物および上記合成例6で調製した有機粒子(f)を含む水分散体を混合し、更にイオン交換水を加えてセリア(b)および有機粒子(f)の含有量がそれぞれ表6に記載の値となるように希釈した後、実施例1と同様にして化学機械研磨試験を行った。結果を表6に示した。
(C)アニオン性水溶性化合物;
PAAA(1):ポリアクリル酸アンモニウム、Mw=10,000。
PAAA(2):ポリアクリル酸アンモニウム、Mw=6,000。
DBSA:ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウム。
実施例4で調製した化学機械研磨用水系分散体(希釈後のもの)を用い、被研磨体として864CMP(アドバンスマテリアルズテクノロジー社製のテスト用ウェハ。図1において、溝2の部分の窒化シリコン4の上表面までの深さが約5,000Å、酸化シリコン層3の厚さが約100Å、窒化シリコン層4の厚さが約1,500Åである断面構造を有する。)を用いたほかは実施例1と同様の条件で3分間化学機械研磨試験を行った。研磨試験中の定盤を回転するためのモーター電流を図2に示した。
図2の電流値の経時変化を見ると、研磨初期の不安定状態を脱した後増加傾向を示し、研磨開始後70秒ほどで最大値に達して減少傾向に転じた後、研磨開始約80秒に変曲点が見られる。
この時点が研磨終点であることを確認するために、上記と同種の被研磨体を用い、化学機械研磨装置の定盤を回転するモーターの電流値を追跡しつつ同一の研磨条件で研磨を行い、該電流値が上昇傾向から減少傾向へと転じ、変曲点が検出された時点で研磨を終了した。研磨後の被研磨面を光干渉式膜厚計「NanoSpec 6100」(ナノメトリクス・ジャパン(株)製)にて分析した結果、パターン密度30〜90%の100μmピッチの各パターンにおける窒化シリコン層上の酸化シリコン層の厚さは、0Åであった。また、パターン密度30〜90%の100μmピッチのいずれのパターンでも研磨による窒化シリコン層の厚さ減少は50Å以下であり、窒化シリコン層はほとんど研磨されていなかったことから、上記変曲点が現れた時点を研磨終点として利用しうることが分かった。
実施例17において、化学機械研磨用水系分散体として比較例6で調製した化学機械研磨用水系分散体(希釈後のもの)を用いたほかは実施例17と同様にして3分間の化学機械研磨試験を行った。研磨試験中のトルク電流を図2に示した。
比較例6で評価した研磨速度からは、実施例17の場合よりも短時間で終点に達するものと推定されるが、比較例9の電流値は想定される終点付近でも何らの傾向も示さずに、電流値の追跡によっては終点が検出できないことが分かった。
本実施例は、本発明の砥粒が、(A)セリアを含む無機粒子と(B)カチオン性有機重合体粒子とが(C)アニオン性水溶性化合物を介して集合してなることを検証するために行った。
実施例1において調製した化学機械研磨用水系分散体を更にイオン交換水で希釈してコロジオン膜に塗布し乾燥した後、透過型電子顕微鏡(TEM)写真を撮影した。この写真により、本砥粒は、セリアと有機粒子(a)とがポリアクリル酸アンモニウムを介して集合していることが理解される。この電子顕微鏡写真を図3に示す。図3(a)はTEM画像であり、図3(b)は、TEM画像観察のための参考図である。図3(a)において、セリアは最も黒く見え((b)において黒く塗りつぶした部分に相当する。)、有機粒子(a)は半透明の球形に見え((b)における白抜きの円の部分に相当する。)、セリアと有機粒子を取り巻くアメーバの如く見える半透明の部分がポリアクリル酸アンモニウムである((b)において、斜線で示した部分に相当する。)。
2 溝
3 酸化シリコン層
4 窒化シリコン層
5 絶縁膜
10 被研磨体
Claims (9)
- (A)セリアを含む無機粒子100重量部、(B)カチオン性有機重合体粒子5〜100重量部および(C)アニオン性水溶性化合物5〜50重量部からなり、前記(A)セリアを含む無機粒子と前記(B)カチオン性有機重合体粒子とが、前記(C)アニオン性水溶性化合物を介して集合してなる砥粒を含有することを特徴とする、化学機械研磨用水系分散体。
- (A)セリアを含む無機粒子100重量部に対する(B)カチオン性有機重合体粒子の量が10〜80重量部であり、(C)アニオン性水溶性化合物の量が10〜50重量部である、請求項1に記載の化学機械研磨用水系分散体。
- 砥粒の含有量が0.1〜2.0重量%である、請求項1または2に記載の化学機械研磨用水系分散体。
- 砥粒の含有量が0.1〜0.8重量%である、請求項1または2に記載の化学機械研磨用水系分散体。
- (A)セリアを含む無機粒子0.1〜10重量%および(A)無機粒子100重量部に対して5〜100重量部の(B)カチオン性有機重合体粒子を含有する第一液に、
(C)アニオン性水溶性化合物5〜30重量%を含有する第二液を添加する工程を含むことを特徴とする、請求項1に記載の化学機械研磨用水系分散体を製造するための方法。 - (A)セリアを含む無機粒子100重量部および(B)カチオン性有機重合体粒子5〜100重量部を含有する第一液ならびに
(C)アニオン性水溶性化合物を含有する第二液からなることを特徴とする、請求項1に記載の化学機械研磨用水系分散体を製造するためのセット。 - 請求項1に記載の化学機械研磨用水系分散体を用いて被研磨体の被研磨面を研磨することを特徴とする、化学機械研磨方法。
- 被研磨面の少なくとも一部が絶縁膜である、請求項7に記載の化学機械研磨方法。
- 化学機械研磨装置の定盤を回転するモーターの電流値を追跡し、該電流値の経時変化を示すグラフにおいて該電流値が増加傾向から減少傾向に転じた後に変曲点を示した時点をもって化学機械研磨の終点として決定することを特徴とする、請求項7または8に記載の化学機械研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008525868A JP5177430B2 (ja) | 2006-07-18 | 2007-07-11 | 化学機械研磨用水系分散体、その製造方法および化学機械研磨方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006195571 | 2006-07-18 | ||
JP2006195571 | 2006-07-18 | ||
JP2008525868A JP5177430B2 (ja) | 2006-07-18 | 2007-07-11 | 化学機械研磨用水系分散体、その製造方法および化学機械研磨方法 |
PCT/JP2007/064124 WO2008010499A1 (fr) | 2006-07-18 | 2007-07-11 | Dispersion aqueuse pour polissage mécanico-chimique, son procédé de fabrication et procédé de polissage mécanico-chimique |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008010499A1 JPWO2008010499A1 (ja) | 2009-12-17 |
JP5177430B2 true JP5177430B2 (ja) | 2013-04-03 |
Family
ID=38956830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008525868A Expired - Fee Related JP5177430B2 (ja) | 2006-07-18 | 2007-07-11 | 化学機械研磨用水系分散体、その製造方法および化学機械研磨方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090325323A1 (ja) |
JP (1) | JP5177430B2 (ja) |
KR (1) | KR20090031571A (ja) |
TW (1) | TW200813205A (ja) |
WO (1) | WO2008010499A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020170331A1 (ja) * | 2019-02-19 | 2020-08-27 | 日立化成株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
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- 2007-07-11 JP JP2008525868A patent/JP5177430B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-11 WO PCT/JP2007/064124 patent/WO2008010499A1/ja active Application Filing
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