JP5161263B2

JP5161263B2 - 平板表示装置及びその製造方法

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Description

本発明は平板表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、画像を表示する平板表示装置及びその製造方法に関する。

液晶（ｌｉｑｕｉｄｃｒｙｓｔａｌ）の電気−光学的特性を用いる液晶表示装置及び有機電界発光ダイオード（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）の自体発光特性を用いる有機電界発光表示装置のような平板表示装置は、受動マトリックス（ｐａｓｓｉｖｅｍａｔｒｉｘ）方式と能動マトリックス（ａｃｔｉｖｅｍａｔｒｉｘ）方式とに区分される。薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む能動マトリックス方式は解像度及び動画実現能力に優れているため、受動マトリックス方式に比べて頻繁に用いられている。

能動マトリックス方式の液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）は２つの基板間に液晶が注入された表示パネル、表示パネルの背面に位置し、光源として用いられるバックライト（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ）及び表示パネルを駆動させるための駆動部（ＤｒｉｖｅＩＣ）を含む。バックライトから提供される光が表示パネルに入射され、駆動部から提供される信号に従って配向した液晶により光が変調されて外部に出射されることで、文字や画像が表示される。

また、能動マトリックス方式の有機電界発光表示装置は、有機電界発光ダイオードが形成された表示パネル及び表示パネルを駆動させるための駆動部を含む。駆動部から提供される信号に従って有機電界発光ダイオードから放出された光が外部に出射されることで、文字や画像が表示される。

従って、液晶表示装置及び有機電界発光表示装置のような平板表示装置は表示パネルでの光透過率が輝度に大きな影響を及ぼす。

このような能動マトリックス方式の平板表示装置は薄膜トランジスタを含むため、製造過程で光が透過される画素領域の基板にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの絶縁層が積層構造で形成される。このため、この絶縁層により光透過率が低下して輝度が減少するという問題がある。

大韓民国特許公開第２００６−００７８５８１Ａ

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、表示パネルでの光透過率が向上し得る平板表示装置及びその製造方法を提供することにある。

前記目的を達成するための本発明による平板表示装置は、基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスタ及びキャパシタと、前記基板と前記薄膜トランジスタの間及び前記基板と前記キャパシタの間にのみ形成されていて、前記薄膜トランジスタ及び前記キャパシタとそれぞれ垂直的に対応する位置に設けられた遮断層と、前記薄膜トランジスタ及び前記キャパシタを含む前記基板上に形成され、前記薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極が露出するようにビアホールが形成された平坦化層と、前記平坦化層上に設けられ、前記ソース電極又はドレイン電極と連結された画素電極と、を含み、前記薄膜トランジスタは、前記遮断層上に前記遮断層と垂直的に対応する位置に形成され、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含む活性層と、前記活性層上に形成されたゲート絶縁層と、前記チャネル領域の前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を含む前記基板上に形成され、前記ソース領域及びドレイン領域の活性層が露出するようにコンタクトホールが形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールを介して前記ソース領域及びドレイン領域の活性層と連結されたソース電極及びドレイン電極と、を含み、前記遮断層は前記基板及び前記活性層の間に形成され、前記遮断層の上部表面は前記活性層により完全に覆われおり、前記遮断層はシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の積層構造であり、前記活性層はポリシリコンであり、前記キャパシタは、前記キャパシタと垂直的に対応する位置に設けられた前記遮断層上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成されている前記ゲート絶縁層を介して形成された上部電極とを含む、ことを特徴とする。

また、本発明による平板表示装置においては、前記基板を第１の基板として、当該第１の基板と対向するように配置された第２基板と、前記第２基板上に形成された共通電極と、前記第１基板及び前記第２基板の間に注入された液晶層と、をさらに含む。

また、本発明による平板表示装置においては、前記画素電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成されたカソード電極と、をさらに含む。

前記目的を達成するための本発明による平板表示装置の製造方法は、基板を提供する段階と、前記基板上にシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の積層構造による遮断層を形成する段階と、前記遮断層上に、素子形成領域の活性層及びキャパシタの下部電極をポリシリコンにより形成する段階と、前記遮断層が前記活性層及び前記下部電極の下部にのみ配置されるように前記遮断層のうち、前記活性層及び前記下部電極から露出した部分を除去する段階と、前記活性層及び前記下部電極を含む前記基板上にゲート絶縁層を形成する段階と、前記活性層上部の前記ゲート絶縁層上にゲート電極、及び前記下部電極上部の前記ゲート絶縁層上に前記キャパシタの上部電極を形成する段階と、前記ゲート電極及び前記上部電極を含む前記ゲート絶縁層上に層間絶縁膜を形成した後、前記活性層の一部を露出させる段階と、前記層間絶縁膜上に前記活性層と連結されるようにソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極及びドレイン電極を含む前記層間絶縁膜上に平坦化層を形成した後、前記ソース電極又はドレイン電極を露出させる段階と、前記基板上の画素領域となる領域を含む前記平坦化層上に前記ソース電極又はドレイン電極と連結されるように画素電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする。

また、本発明による平板表示装置の製造方法においては、前記画素電極を含む前記平坦化層上に画素定義膜を形成する段階と、前記画素定義膜をパターニングして発光領域となる部分の前記画素電極を露出させる段階と、露出した前記画素電極上に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層上にカソード電極を形成する段階と、をさらに含む。

平板表示装置に適用される薄膜トランジスタの活性層はポリシリコンのような半導体で形成される。このような半導体は基板から広がる不純物により導電性が変化してしまう。本発明は、基板から広がる不純物を遮蔽する遮断層を薄膜トランジスタを構成する活性層の直下にのみ形成した。したがって、遮断層は薄膜トランジスタを含む素子形成領域の活性層の直下にのみ形成され、光が透過される画素領域には形成されない。このため遮蔽層を構成する無機絶縁物、たとえばシリコン窒化物による光透過率の低下が防止されるため、平板表示装置の輝度及び画質が向上し得る。

本発明に係る平板表示装置の一実施形態を説明する斜視図である。図１に示す画素領域及び薄膜トランジスタを説明する断面図である。本発明に係る平板表示装置の他の実施形態を説明する断面図である。本発明に一実施形態に係る平板表示装置の製造方法を説明する断面図である。図４Ａに続く平板表示装置の製造方法を説明する断面図である。図４Ｂに続く平板表示装置の製造方法を説明する断面図である。図４Ｃに続く平板表示装置の製造方法を説明する断面図である。図４Ｄに続く平板表示装置の製造方法を説明する断面図である。図１に示す画素領域及び薄膜トランジスタを説明する断面図である。本発明に係る平板表示装置の透過率を測定したグラフである。本発明に他の実施形態に係る平板表示装置の製造方法を説明する断面図である。図７Ａに続く平板表示装置の製造方法を説明する断面図である。

以下、添付する図面を参照して本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。

図１は、本発明に係る平板表示装置の一実施形態を説明する斜視図であって、画像を表示する表示パネル１００を中心に概略的に説明する。

表示パネル１００は互いに対向するように配置された２つの基板１１０及び１２０と、２つの基板１１０及び１２０の間に介在された液晶層１３０を含む。

基板１１０にはマトリックス状に配列された多数のゲートライン１１１及びデータライン１１２により画素領域１１３が定義され、ゲートライン１１１及びデータライン１１２が交差する部分の基板１１０には各画素に供給される信号を制御する薄膜トランジスタ１１４及び薄膜トランジスタ１１４と連結された画素電極１１５が形成されている。薄膜トランジスタ１１４には信号を維持するためのキャパシタ（図示せず）が連結されている。

基板１２０にはカラーフィルタ１２１及び共通電極１２２が形成されている。また、基板１１０、１２０の背面には偏光板１１６、１２３がそれぞれ形成されている。そして偏光板１１６の下部には光源としてバックライト（図示せず）が配置される。ここでバックライトは、特に限定されず、通常の液晶表示装置に使用されるものであれば利用可能である。したがって、本実施形態においては詳細な説明は省略する。

また、表示パネル１００には画素を駆動させるための駆動部（ＬＣＤＤｒｉｖｅＩＣ；図示せず）が実装される。駆動部は外部から提供される電気的信号を走査信号及びデータ信号に切り替えてゲートラインとデータラインに供給する。駆動部についても特に限定されるものではなく、通常の液晶表示装置に使用されるものであれば利用可能である。また、その配置も通常の液晶表示装置として組み付けられている配置などでよく限定されない。したがって、本実施形態においては詳細な説明は省略する。

図２は、図１に示す画素領域１１３及び薄膜トランジスタ１１４を更に詳細に説明する断面図であって、薄膜トランジスタ１１４と連結されるキャパシタ１１７を共に示す。

基板１１０は画素領域Ｐ及び素子形成領域Ｔを含む。画素領域Ｐは主に光を透過させるための領域である。素子形成領域Ｔの基板１１０には遮断層１１が形成され、遮断層１１上には薄膜トランジスタ１１４及びキャパシタ１１７が形成される。

薄膜トランジスタ１１４は遮断層１１上に、垂直的に対応する位置に形成されている。薄膜トランジスタ１１４は、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含む活性層１２ａ、活性層１２ａ上に形成されたゲート絶縁層１３、チャネル領域のゲート絶縁層１３上に形成されたゲート電極１４ａ、ゲート電極１４ａを含む基板１１０上に形成され、ソース領域及びドレイン領域の活性層１２ａが露出するようにコンタクトホールが形成された層間絶縁膜１５、そして層間絶縁膜１５上に形成され、コンタクトホールを介してソース領域及びドレイン領域の活性層１２ａと連結されたソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂを含む。ここで活性層１２ａにおけるチャネル領域は、ゲート絶縁層１３上のゲート電極１４ａが形成されている位置に対応する領域であり、ソース領域、ドレイン領域はゲート絶縁層１３から露出した部分ということになる。

なお、本明細書において「垂直的」とは、基板１１０表面に対して垂直という意味である。以下同様の記載について同じ意味である。

この薄膜トランジスタ１１４部分において、遮断層１１は活性層１２ａの下部に選択的に配置されている。即ち、遮断層１１は活性層１２ａと垂直的に対応し、遮断層１１の上部表面は活性層１２ａにより完全に覆われるようになる。

キャパシタ１１７は遮断層１１上に形成された下部電極１２ｂ、ゲート絶縁層１３及び上部電極１４ｂを含むＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造となっている。

キャパシタ１１７部分において、遮断層１１は下部電極１２ｂの下部に選択的に配置されている。即ち、遮断層１１は下部電極１２ｂと垂直的に対応し、遮断層１１の上部表面は下部電極１２ｂにより完全に覆われるようになる。

さらに、薄膜トランジスタ１１４及びキャパシタ１１７が形成された素子形成領域Ｔ及び画素領域Ｐの基板１１０上には平坦化層１７が形成され、平坦化層１７にはソース電極１６ａ又はドレイン電極１６ｂが露出するようにビアホールが形成されている。そして、画素領域Ｐを含む平坦化層１７上にはビアホールを介してソース電極１６ａ又はドレイン電極１６ｂと連結された画素電極１１５が形成されている（図２ではソース電極１６ａと画素電極１１５が連結された形態として描いているが、ドレイン電極と接続される形態にもなりうる）。

この図２に示した形態では、基板１１０の下方側にバックライトが配置され基板１１０の上方側に液晶層１３０が配置されて（図１参照）、図２中矢印方向に光が射出される平板表示装置となる。

図３は、本発明に係る平板表示装置の他の実施形態を説明する断面図であって、画像を表示する表示パネル２００のうち特に、薄膜トランジスタ２２４とキャパシタ２２７を説明するための断面図である。

図３を参照すれば、基板２１０は画素領域Ｐ及び素子形成領域Ｔを含む。素子形成領域Ｔの基板２１０には遮断層２１１が形成され、遮断層２１１上には薄膜トランジスタ２２４及びキャパシタ２２７が形成されている。

薄膜トランジスタ２２４は遮断層２１１上に形成され、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含む活性層２１２ａ、活性層２１２ａ上に形成されたゲート絶縁層２１３、チャネル領域のゲート絶縁層２１３上に形成されたゲート電極２１４ａ、ゲート電極２１４ａを含む基板２１０上に形成され、ソース領域及びドレイン領域の活性層２１２ａが露出するようにコンタクトホールが形成された層間絶縁膜２１５、そして層間絶縁膜２１５上に形成され、コンタクトホールを介してソース領域及びドレイン領域の活性層２１２ａと連結されたソース電極２１６ａ及びドレイン電極２１６ｂを含む。

この薄膜トランジスタ２２４部分において、遮断層２１１は活性層２１２ａの下部に選択的に配置されている。即ち、遮断層２１１は活性層２１２ａと垂直的に対応し、遮断層２１１の上部表面は活性層２１２ａにより完全に覆われるようになる。

キャパシタ２２７は遮断層２１１上に形成された下部電極２１２ｂ、ゲート絶縁層２１３及び上部電極２１４ｂを含むＭＩＳ構造である。

キャパシタ１１７部分において、遮断層２１１は下部電極２１２ｂの下部に選択的に配置されている。即ち、遮断層２１１は下部電極２１２ｂと垂直的に対応し、遮断層２１１の上部表面は下部電極２１２ｂにより完全に覆われるようになる。

さらに薄膜トランジスタ２２４及びキャパシタ２２７が形成された素子形成領域Ｔ及び画素領域Ｐの基板２１０上には平坦化層２１７が形成され、平坦化層２１７にはソース電極２１６ａ又はドレイン電極２１６ｂが露出するようにビアホールが形成される。そして、画素領域Ｐを含む平坦化層２１７上にはビアホールを介してソース電極２１６ａ又はドレイン電極２１６ｂと連結された画素電極２１８が形成されている（図３ではソース電極２１６ａと画素電極２１８が連結された形態として描いているが、ドレイン電極２１６ｂは連結された形態となってもよい）。

画素電極２１８を含む平坦化層２１７上には発光領域の画素電極２１８が露出するように画素定義膜２１９が形成され、露出した画素電極２１８上には有機発光層２２０が形成される。そして、有機発光層２２０を含む画素定義膜２１９上にはカソード電極２２１が形成される。

そして基板２１０の上部に封止基板２３０が配置され、封止材（図示せず）により基板２１０及び封止基板２３０が互いに貼り合わされて封止されている。有機発光層２２０からの光は、図３中の矢印方向に射出される。

前記のように構成された平板表示装置の製造過程を通じて本発明を更に詳細に説明する。

図４Ａ〜図４Ｅは、図２に示した構造の平板表示装置の製造方法を説明する断面図である。

図４Ａを参照すれば、ガラス及びプラスチックのような透明な基板１１０を準備する。この基板１１０上には製造過程を通じて画素領域Ｐ及び素子形成領域Ｔが出来上がることになる。

まず、基板１１０上の全面に遮断層１１を形成する。遮断層１１は基板１１０から不純物が広がって活性層が汚染するのを防止し、結晶化過程で活性層の結晶化程度を制御するためのものである。従って、不純物の拡散が効果的に防止され、活性層の結晶化程度が均一となるように、遮断層１１はシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）１１ａ及びシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）１１ｂの積層構造で形成することが好ましい。なお、図においては基板１１０の上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）１１ａ、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）１１ｂの順に形成したように示したが、これとは逆にシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）の順であってもよい。なお、遮断層１１となるシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）１１ａ及びシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）はＣＶＤ法を用いて形成することができる。

図４Ｂを参照すれば、素子形成領域Ｔの基板１１０上に薄膜トランジスタのソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を提供する活性層１２ａ及びキャパシタの下部電極１２ｂを形成する。活性層１２ａ及び下部電極１２ｂはポリシリコンのような半導体で形成し、必要に応じて結晶化及びイオン注入を施す。その後、活性層１２ａ及び下部電極１２ｂの側部、すなわち、露出した部分の遮断層１１を乾式エッチングにより除去する。具体的には、たとえば、遮断層１１形成後、フォトリソグラフィと乾式エッチングによりポリシリコンをパターニングした後、出来上がった活性層１２ａ及び下部電極１２ｂのパターンをマスクとして露出した遮断層１１部分を乾式エッチングする。この乾式エッチングは活性層１２ａのダメージを最小化し、側壁のプロファイルを良好に維持できる誘導結合プラズマエッチングで進めることが好ましい。

これにより遮断層１１は活性層１２ａ及び下部電極１２ｂの下部にのみ選択的に配置された構造となる。即ち、遮断層１１は活性層１２ａ及び下部電極１２ｂと垂直的に対応して、遮断層１１の上部表面は、それぞれ活性層１２ａ及び下部電極１２ｂにより完全に覆われるようになる。

図４Ｃを参照すれば、活性層１２ａ及び下部電極１２ｂを含む基板１１０上にゲート絶縁層１３を形成する。ゲート絶縁層１３は、たとえばＳＩＯ_２、ＳｉＮ、またはＳＩＯ_２とＳｉＮの二重層などで形成する。

そして、活性層１２ａ上部のゲート絶縁層１３上にゲート電極１４ａを形成し、下部電極１２ｂ上部のゲート絶縁層１３上に上部電極１４ｂを形成する。ゲート電極１４ａ及び上部電極１４ｂを形成する過程でゲートライン１１１又はデータライン１１２を形成できる。なお、ゲート電極１４ａは金属ゲートであってもよし、ポリシリコンゲートであってもよい。ゲートライン１１１又はデータライン１１２を一緒に形成する場合は、これらの金属配線と同じ金属によるゲートとすればよい。すなわち、ゲート電極１４ａ及び上部電極１４ｂと共にゲートライン１１１又はデータライン１１２を形成する場合は、金属層を形成後、ゲート電極１４ａ及び上部電極１４ｂのパターンと共にゲートライン１１１又はデータライン１１２となるようにパターニングすればよい。

図４Ｄを参照すれば、ゲート電極１４ａ及び上部電極１４ｂを含むゲート絶縁層１３上に層間絶縁膜１５を形成し、ソース領域及びドレイン領域の活性層１２ａが露出するように層間絶縁膜１５にコンタクトホールを形成する。層間絶縁膜１５はたとえばＳＩＯ_２、ＳｉＮ、またはＳＩＯ_２とＳｉＮの二重層などで形成する。

そして、コンタクトホールを介してソース領域及びドレイン領域の活性層１２ａと連結されるようにソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂを形成する。ソース電極１６ａ及びドレイン電極１６はアルミニウムや銅などの金属配線層として形成することができるが、そのほかにポリシリコン配線としてもよい。ソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂを形成する過程でデータライン１１２又はゲートライン１１１を形成できる。すなわち、金属層を形成した後、金属層をパターニングする際に、ソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂと共に、データライン１１２又はゲートライン１１１も同時に形成されるように金属層をパターニングすればよい。

図４Ｅを参照すれば、ソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂを含む層間絶縁膜１５上に平坦化層１７を形成し、ソース電極１６ａ又はドレイン電極１６ｂが露出するように平坦化層１７にビアホールを形成する。平坦化層１７は、たとえばポリイミド、アクリルなどを用いることができる。

そして、画素領域Ｐを含む平坦化層１７上にビアホールを介してソース電極１６ａ又はドレイン電極１６ｂと連結されるように画素電極１１５を形成する。画素電極１１５はＩＴＯ及びＩＺＯのような透明電極物質で形成する。

その後、前記基板１１０（第１の基板）上に共通電極１２２が形成された基板１２０（第２の基板）を配置し、スペーサ（図示せず）により基板１１０と基板１２０が所定間隔離間するようにした状態で封止材（図示せず）で基板１１０と基板１２０を接合する。そして、基板１１０と基板１２０との間に液晶層１３０を注入して表示パネル１００を完成する。

前記のように構成された表示パネル１００を備える平板表示装置は、基板１１０の背面に設置されたバックライトから光が画素領域１１３の液晶層１３０に入射され、駆動部から画素電極１１５及び共通電極１２２に印加される電圧によって配向した液晶により光が変調された後、基板１２０を介して外部に出射されることで、文字や画像を表示する。

表示パネル１００で実質的に光が透過する領域、即ち、画素領域Ｐの領域における透過率は、輝度に大きな影響を及ぼすが、本発明の平板表示装置は画素領域Ｐの基板１１０上にはゲート絶縁層１３、層間絶縁膜１５及び平坦化層１７のみ形成されるため、光透過率が殆ど低下しない。

図５は本実施形態との比較するための構造を示す断面図である。

図５に示した構造では、画素領域Ｐの基板１１０にもシリコン酸化膜１１ａ及びシリコン窒化膜１１ｂが積層された構造の遮断層１１が形成されている。すなわち、遮断層１１が基板面上の領域にかかわらず全面に形成されている。ここでシリコン窒化膜１１ｂはシリコン酸化膜１１ａに比べて透過率が２０％程度低く、光の波動を増加させるため、光の透過率が低下する。したがって、図５に示した構造では画素領域Ｐにも遮断層１１（特にシリコン窒化膜１１ｂ）が存在するため、光の透過率が低下してしまう。

図６は、光透過率を測定したグラフであって、本発明に係る図２の平板表示装置の光透過率（線Ａ）が図５の平板表示装置の光透過率（線Ｂ）より２０％程度高く、光の波動も少ないことが確認できる。

図７Ａ及び図７Ｂは、図３に示した構造の平板表示装置の製造方法を説明する断面図である。

図７Ａを参照すれば、薄膜トランジスタ２２４及びキャパシタ２２７の構造は、図４Ａ〜図４Ｅと同じ製造工程を通じて形成する。そして、薄膜トランジスタ２２４及びキャパシタ２２７を含む上部に平坦化層２１７を形成し、ビアホールを介してソース電極２１６ａ又はドレイン電極２１６ｂと連結されるように画素電極２１８を形成する。

図７Ｂを参照すれば、画素電極２１８を含む平坦化層２１７上の全面に画素定義膜２１９を形成する。形成した画素定義膜２１９をパターニングして発光領域となる部分の画素電極２１８を露出させる。そして、露出した画素電極２１８上に有機発光層２２０を形成し、有機発光層２２０を含む画素定義膜２１９上にカソード電極２２１を形成する。

前記のように構成された基板２１０の上部に封止基板２３０を配置し、封止材により基板２１０及び封止基板２３０が互いに貼り合わされるように封止する。

前記平板表示装置は画素電極２１８及びカソード電極２２１に所定の電圧が印加されると、画素電極２１８を介して注入される正孔とカソード電極２２１を介して注入される電子が有機発光層２２０で再結合するようになり、この過程で発生するエネルギー差により有機発光層２２０から放出された光が基板２１０を介して外部に出射されることで、文字や画像を表示する。

従って、表示パネル２００で実質的に光が透過する領域、即ち、画素領域Ｐの透過率は輝度に大きな影響を及ぼすが、本発明の平板表示装置は画素領域Ｐの基板２１０上にゲート絶縁層２１３、層間絶縁膜２１５及び平坦化層２１７のみ形成されているため、光透過率が殆ど低下しない。

以上説明したように、本発明の最も好ましい実施の形態について説明したが、本発明は、上記記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載され、又は明細書に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能なのはもちろんであり、斯かる変形や変更が、本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。

１１、２１１遮断層、
１２ａ、２１２ａ活性層、
１２ｂ、２１２ｂ下部電極、
１３、２１３ゲート絶縁層、
１４ａ、１４ａゲート電極、
１４ｂ、２１４ｂ上部電極、
１５、２１５層間絶縁膜、
１６ａ、２１６ａソース電極、
１６ｂ、２１６ｂドレイン電極、
１７、２１７平坦化層、
１１０基板（第１の基板）、
１１４、２２４薄膜トランジスタ、
１１５、２１８画素電極、
１１７、２２７キャパシタ、
１２０基板（第２の基板）、
１２２共通電極、
１３０液晶層、
１００、２００表示パネル、
２１０基板、
２１９画素定義膜、
２２０有機発光層、
２３０封止基板。

Claims

基板と、
前記基板上に形成された薄膜トランジスタ及びキャパシタと、
前記基板と前記薄膜トランジスタの間及び前記基板と前記キャパシタの間にのみ形成されていて、前記薄膜トランジスタ及び前記キャパシタとそれぞれ垂直的に対応する位置に設けられた遮断層と、
前記薄膜トランジスタ及び前記キャパシタを含む前記基板上に形成され、前記薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極が露出するようにビアホールが形成された平坦化層と、
前記平坦化層上に設けられ、前記ソース電極又はドレイン電極と連結された画素電極と、
を含み、
前記薄膜トランジスタは、前記遮断層上に前記遮断層と垂直的に対応する位置に形成され、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含む活性層と、
前記活性層上に形成されたゲート絶縁層と、
前記チャネル領域の前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を含む前記基板上に形成され、前記ソース領域及びドレイン領域の活性層が露出するようにコンタクトホールが形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールを介して前記ソース領域及びドレイン領域の活性層と連結されたソース電極及びドレイン電極と、を含み、
前記遮断層は前記基板及び前記活性層の間に形成され、前記遮断層の上部表面は前記活性層により完全に覆われおり、
前記遮断層はシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の積層構造であり、
前記活性層はポリシリコンであり、
前記キャパシタは、前記キャパシタと垂直的に対応する位置に設けられた前記遮断層上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成されている前記ゲート絶縁層を介して形成された上部電極とを含む、
ことを特徴とする平板表示装置。
前記基板上にマトリックス状で配列され、前記薄膜トランジスタと連結されたゲートライン及びデータラインを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
前記基板を第１基板として、当該第１基板と対向するように配置された第２基板と、
前記第２基板上に形成された共通電極と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に注入された液晶層と、をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の平板表示装置。
前記画素電極上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成されたカソード電極と、をさらに含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の平板表示装置。
基板を提供する段階と、
前記基板上にシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の積層構造による遮断層を形成する段階と、
前記遮断層上に、素子形成領域の活性層及びキャパシタの下部電極をポリシリコンにより形成する段階と、
前記遮断層が前記活性層及び前記下部電極の下部にのみ配置されるように前記遮断層のうち、前記活性層及び前記下部電極から露出した部分を除去する段階と、
前記活性層及び前記下部電極を含む前記基板上にゲート絶縁層を形成する段階と、
前記活性層上部の前記ゲート絶縁層上にゲート電極、及び前記下部電極上部の前記ゲート絶縁層上に前記キャパシタの上部電極を形成する段階と、
前記ゲート電極及び前記上部電極を含む前記ゲート絶縁層上に層間絶縁膜を形成した後、前記活性層の一部を露出させる段階と、
前記層間絶縁膜上に前記活性層と連結されるようにソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、
前記ソース電極及びドレイン電極を含む前記層間絶縁膜上に平坦化層を形成した後、前記ソース電極又はドレイン電極を露出させる段階と、
前記基板上の画素領域となる領域を含む前記平坦化層上に前記ソース電極又はドレイン電極と連結されるように画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする平板表示装置の製造方法。
前記遮断層を除去する段階は乾式エッチングで進めることを特徴とする請求項５に記載の平板表示装置の製造方法。
前記乾式エッチングは誘導結合プラズマエッチングであることを特徴とする請求項６に記載の平板表示装置の製造方法。
前記画素電極を含む前記平坦化層上に画素定義膜を形成する段階と、
前記画素定義膜をパターニングして発光領域となる部分の前記画素電極を露出させる段階と、
露出した前記画素電極上に有機発光層を形成する段階と、
前記有機発光層上にカソード電極を形成する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項５〜７のいずれか一つに記載の平板表示装置の製造方法。