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JP2001242803A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

表示装置及びその製造方法

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JP2001242803A
JP2001242803A JP2000052877A JP2000052877A JP2001242803A JP 2001242803 A JP2001242803 A JP 2001242803A JP 2000052877 A JP2000052877 A JP 2000052877A JP 2000052877 A JP2000052877 A JP 2000052877A JP 2001242803 A JP2001242803 A JP 2001242803A
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JP
Japan
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film
insulating film
display device
interlayer insulating
substrate
Prior art date
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Application number
JP2000052877A
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English (en)
Inventor
Tsutomu Tanaka
田中　　勉
Minoru Nakano
実 中野
Masahiro Fujino
昌宏 藤野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Priority to TW090103796A priority patent/TW487953B/zh
Priority to US09/792,080 priority patent/US6674106B2/en
Priority to KR1020010010034A priority patent/KR100789340B1/ko
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板と画素の間に介在する多層膜による不要
反射や着色を防止する。 【解決手段】 表示装置は、透明な基板１の上にマトリ
クス状に配列した画素を有する。各画素は、基板１を通
して光を出射する電気光学素子が形成された開口領域
と、電気光学素子を駆動する薄膜トランジスタＴＦＴが
形成された非開口領域とを有する。非開口領域は、薄膜
トランジスタＴＦＴを包含する第一の膜構成を有する。
開口領域は、第一の膜構成から延在し且つ電気光学素子
と基板１との間に介在する第二の膜構成を有する。第二
の膜構成は、開口領域を通る光を調整するため、第一の
膜構成から変化している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶ディスプレイや
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイなどの表示
装置及びその製造方法に関する。より詳しくは、透明な
基板の上にマトリクス状に配列した画素を有し、各画素
は液晶セルや有機エレクトロルミネッセンス素子などの
電気光学素子が形成された開口領域と、この電気光学素
子を駆動する薄膜トランジスタが形成された非開口領域
とを有する表示装置において、開口領域の光学的な特性
を改善する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１６は、従来のアクティブマトリクス
型液晶表示装置の一例を示す模式的な部分断面図であ
る。図示する様に、ガラスなどからなる基板１の上には
金属のゲート電極２が形成されている。ゲート電極２を
被覆する様にゲート絶縁膜３が形成されている。その上
には、薄膜トランジスタの能動層となる非晶質半導体薄
膜４Ａが形成されている。半導体薄膜４Ａの一端側には
不純物濃度が高く低抵抗化された非晶質半導体薄膜４Ａ
（ｎ＋）を介してドレイン電極５Ｄが形成されている。
非晶質半導体薄膜４Ａの他端側には同じく低抵抗化され
た非晶質半導体薄膜４Ａ（ｎ＋）を介してソース電極５
Ｓが形成されている。これらドレイン電極５Ｄ及びソー
ス電極５Ｓを被覆する様に保護膜８が形成されている。
その上には、ＩＴＯなどの透明導電膜からなる画素電極
１０が形成されており、コンタクトホールＣＯＮを介し
てドレイン電極５Ｄに電気接続している。図示の薄膜ト
ランジスタはアモルファスシリコンなどの非晶質半導体
薄膜４Ａを能動層とするボトムゲート構造の代表的な形
態を有している。係る構成を有する薄膜トランジスタは
「逆スタガ・チャネルエッチ型トランジスタ」と呼ばれ
ている。
【０００３】図１７は、従来の表示装置の他の例を示す
模式的な部分断面図である。図１６に示した従来例と対
応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易に
している。尚、以下の図面についても、対応する部分に
は対応する参照番号を付して理解を容易にしている。図
１７に示したディスプレイデバイスは、基本的に図１６
に示した構造と同様であるが、能動層となる非晶質半導
体薄膜４Ａの上部にチャネル保護膜６が形成されている
点が異なる。このチャネル保護膜６は、丁度ゲート電極
２の直上に位置する能動層のチャネル領域の部分を保護
している。この構造は、「逆スタガ・チャネル保護型ト
ランジスタ」と呼ばれる。
【０００４】図１８は別の従来例を示す模式的な部分断
面図である。基板１の上に遮光膜１１が形成されてお
り、その上に下地膜１２を介して非晶質半導体薄膜４Ａ
が形成されている。半導体薄膜４Ａの一端には低抵抗化
された非晶質半導体薄膜４Ａ（ｎ＋）を介して画素電極
１０が接続され、他端には同じく非晶質半導体薄膜４Ａ
（ｎ＋）を介してソース電極５Ｓが接続されている。能
動層となる非晶質半導体薄膜４Ａは保護膜６及びゲート
絶縁膜３で被覆されており、その上にゲート電極２が形
成されている。先の従来例とは非晶質半導体薄膜４Ａ及
びゲート電極２が上下で逆転しており、「順スタガ・ト
ランジスタ」と呼ばれる。
【０００５】図１９は、図１６に示した従来例の改良型
である。薄膜トランジスタは平坦化膜９で被覆されてお
り、その上に画素電極１０が形成されている。この構造
は「平坦化膜を用いた高開口率型トランジスタ」であ
る。以上の従来例では、ゲート絶縁膜３や保護膜８とし
て窒化シリコン膜もしくは酸化シリコン膜を用いること
が多い。又、平坦化膜９は有機樹脂膜を用いることが多
い。図１６〜図１９に示した構造は、例えば、「液晶デ
ィスプレイ工学入門（日刊工業新聞社１９９８年発行）
ＰＰ２７〜３０」や「’９９最新液晶プロセス技術（プ
レスジャーナル１９９８年発行）ｐｐ２１−２７」や
「フラットパネル・ディスプレイ１９９９（日経ＢＰ社
１９９８年発行）ｐｐ１１８〜１３１」に詳細に説明さ
れている。
【０００６】上述したデバイスは能動層として非晶質半
導体薄膜を用いているのに対し、図２０に示す従来例は
ポリシリコンなどの多結晶半導体薄膜を用いている。ガ
ラス基板１の上にゲート電極２が形成され、その上には
ゲート絶縁膜３を介して多結晶半導体薄膜４Ｐが形成さ
れている。ゲート電極２の直上に位置する部分はチャネ
ル領域となり、その両側は不純物が高濃度に注入された
ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄとなる。半導体薄膜４
Ｐは層間絶縁膜７で被覆されており、その上にドレイン
電極５Ｄ及びソース電極５Ｓが形成されている。これら
の電極５Ｄ，５Ｓは保護膜８で被覆されている。係る構
造はゲート電極２が能動層の下部に配されており、「ボ
トムゲート型トランジスタ」と呼ばれる。
【０００７】図２１は、同じく多結晶半導体薄膜を能動
層に用いた薄膜トランジスタの構造を示している。この
従来例は、図２０に示した構造と異なり、多結晶半導体
薄膜４Ｐの上にゲート絶縁膜３を介してゲート電極２が
形成されている。係る構成は「トップゲート型トランジ
スタ」と呼ばれる。
【０００８】図２２は、ボトムゲート構造のＮチャネル
薄膜トランジスタ（ＮチャネルＴＦＴ）とＰチャネル薄
膜トランジスタ（ＰチャネルＴＦＴ）を組み合わせたＣ
ＭＯＳ構造を表わしている。Ｐチャネル薄膜トランジス
タは例えばボロンをソース領域Ｓやドレイン領域Ｄに注
入した多結晶半導体薄膜４を能動層に用いている。Ｎチ
ャネル薄膜トランジスタは、ソース領域Ｓやドレイン領
域Ｄに燐などを注入した多結晶半導体薄膜４を能動層に
用いている。この例では、Ｎチャネル薄膜トランジスタ
は画素電極１０の駆動用に用いられている。この関係
で、リーク電流を抑制する為、ドレイン領域Ｄ及びソー
ス領域Ｓと中央のチャネル領域との間に不純物が低濃度
で注入された領域を設け、所謂ＬＤＤ構造としてもよ
い。これらの多結晶半導体薄膜を能動層とする薄膜トラ
ンジスタは、例えば「’９９最新液晶プロセス技術（プ
レスジャーナル１９９８年発行）ｐｐ５３〜５９」や
「フラットパネル・ディスプレイ１９９９（日経ＢＰ社
１９９８年発行）ｐｐ１３２〜１３９」に詳細に述べら
れている。何れの場合も、薄膜トランジスタを構成する
ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、保護膜には、窒化シリコン
膜や酸化シリコン膜が用いられることが多い。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のアクティブマト
リクス型液晶ディスプレイでは、一つの画素は、透明導
電膜で形成された画素電極１０を含む開口領域と、画素
電極を駆動する薄膜トランジスタが形成された非開口領
域とを有している。非開口領域は、薄膜トランジスタを
包含するゲート絶縁膜、層間絶縁膜、保護膜などの膜構
成を有する。この膜構成は開口領域にもそのまま延在し
ており、画素電極１０とガラス基板１との間に介在す
る。この膜構成には、窒化シリコン膜、酸化シリコン
膜、有機樹脂膜などが含まれることになる。窒化シリコ
ン膜の屈折率は１．８〜２．０であるのに対し、ガラス
基板、酸化シリコン膜、有機樹脂膜の屈折率は１．４〜
１．６程度である。従って、屈折率が異なるこれらの膜
が多層構造を構成すると、界面で光干渉効果が発生す
る。
【００１０】図２３は、窒化シリコン膜や酸化シリコン
膜の多層構造をガラス基板に形成した膜体の透過スペク
トルを表わしている。ガラス基板上に下から順に窒化シ
リコン膜（５０ｎｍ）、酸化シリコン膜（２００ｎ
ｍ）、窒化シリコン膜（２００ｎｍ）、有機樹脂膜（２
μｍ）、ＩＴＯ（５０ｎｍ）を積層した場合の可視光領
域の光スペクトルである。この透過スペクトルから明ら
かな様に、層間の屈折率差や膜厚で決まる干渉現象が現
れており、透過光の波長分布にばらつきが生じるととも
に、透過光量全体にも損失が生じる。膜厚のばらつきに
より干渉パタンが変化するので、個々のディスプレイデ
バイス毎に色のばらつきが生ずるという課題がある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明に
かかる表示装置は、透明な基板の上にマトリクス状に配
列した画素を有し、各画素は、該基板を通して光を出射
する電気光学素子が形成された開口領域と、該電気光学
素子を駆動する薄膜トランジスタが形成された非開口領
域とを有し、前記非開口領域は、該薄膜トランジスタを
包含する第一の膜構成を有し、前記開口領域は、該第一
の膜構成から延在し且つ該電気光学素子と該基板との間
に介在する第二の膜構成を有し、前記第二の膜構成は、
該開口領域を通る光を調整するため、該第一の膜構成か
ら変化していることを特徴とする。この場合、前記第二
の膜構成は一又は二以上の膜を含んでおり、該開口領域
を通る光の透過率又は色温度を調整するために、膜の
数、厚み、屈折率及び光吸収率の少なくとも一つが、該
第一の膜構成とは異なることを特徴とする。又、前記第
二の膜構成は、その屈折率が該第一の膜構成に比べて該
基板の屈折率に近づくように、該第一の膜構成から変化
していることを特徴とする。又、前記基板はガラスから
なり、前記第一の膜構成はガラスと屈折率が異なる窒化
シリコンの膜を含み、前記第二の膜構成は該窒化シリコ
ンの膜が除かれていることを特徴とする。又、前記第一
の膜構成は、少なくとも該薄膜トランジスタの能動層と
ゲート電極との間に介在するゲート絶縁膜、該薄膜トラ
ンジスタとその配線との間に介在する層間絶縁膜及び該
薄膜トランジスタを被覆する保護膜を含んでおり、前記
第二の膜構成は、該ゲート絶縁膜、層間絶縁膜及び保護
膜のうち少なくとも一つが除かれていることを特徴とす
る。この場合、該ゲート電極又は該配線に対するコンタ
クトホールを形成する過程で、該ゲート絶縁膜又は層間
絶縁膜が前記第二の膜構成から除かれていることを特徴
とする。一態様では、前記薄膜トランジスタは、ゲート
電極の上にゲート絶縁膜を介して能動層を重ね、且つ能
動層の上に層間絶縁膜を介して配線を形成したボトムゲ
ート構造を有し、前記第二の膜構成から、少なくともゲ
ート絶縁膜又は層間絶縁膜が除かれていることを特徴と
する。他の態様では、前記薄膜トランジスタは、能動層
の上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を重ね、且つ能
動層の上に層間絶縁膜を介して配線を形成したトップゲ
ート構造を有し、前記第二の膜構成から、少なくともゲ
ート絶縁膜又は層間絶縁膜が除かれていることを特徴と
する。加えてに、前記能動層は、多結晶シリコンからな
ることを特徴とする。更に、前記保護膜は透明な有機樹
脂膜からなり、前記第二の膜構成は該有機樹脂膜をその
まま含むことを特徴とする。
【００１２】本発明によれば、非開口領域に形成された
多層の膜構造をそのまま開口領域まで延設するのではな
く、膜の物理的な構成を非開口領域と開口領域とで変化
を持たせている。即ち、開口領域に介在する第二の膜構
成は、画素電極を通る光を調整する為、非開口領域にあ
る第一の膜構成から変化を付けている。例えば、第一の
膜構成に含まれる複数の透明膜の内特に屈折率がガラス
基板から大きく異なる層については、これを第二の膜構
成から除去することにより、多重干渉による不要な反射
を抑え、開口領域の透過率や色温度を改善することが可
能である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に係る表示装
置の第一実施形態を示す模式的な部分断面図の一例であ
り、一画素分を表わしている。本表示装置は、ガラスな
どからなる透明な基板１の上にマトリクス状に配列した
画素を有する。一つの画素は開口領域と非開口領域に分
けられる。開口領域には、基板１を通して光を出射する
電気光学素子が形成されている。本実施形態では、この
電気光学素子は、互いに対向する透明な電極１０，１９
の間に保持された液晶１７からなり、所謂液晶セルと呼
ばれる。この液晶セルは、ガラス基板１の裏面側に配さ
れたバックライト（図示せず）から入射した光を表面側
に出射するライトバルブとして機能する。尚、一方の電
極１０は画素電極としてガラス基板１側に形成され、他
方の電極１９は対向電極として対向基板２０側に形成さ
れている。画素電極１０の表面は配向膜１６によって被
覆され、対向電極１９の表面も配向膜１８によって被覆
されている。
【００１４】一方、非開口領域は、上述した液晶セルを
駆動する薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。図
示する様に、この薄膜トランジスタはボトムゲート構造
を有し、金属からなるゲート電極２の上に酸化シリコン
などからなるゲート絶縁膜３Ｏを介して、ポリシリコン
などからなる多結晶半導体薄膜４Ｐが形成されている。
この多結晶半導体薄膜４Ｐは窒化シリコンからなる層間
絶縁膜７Ｎによって被覆されており、その上にソース電
極５Ｓ及びドレイン電極５Ｄが形成されている。これら
の電極５Ｓ，５Ｄは有機透明樹脂膜からなる平坦化膜９
により被覆されている。この平坦化膜９はガラス基板１
の表面を平坦化するとともに、薄膜トランジスタＴＦＴ
に対する保護膜でもある。平坦化膜９の上には前述した
様に画素電極１０が形成されており、ドレイン電極５Ｄ
を介して薄膜トランジスタＴＦＴに電気接続している。
以上に述べたゲート絶縁膜３Ｏ、層間絶縁膜７Ｎ、平坦
化膜９などが重なって第一の膜構成を形成する。この第
一の膜構成は非開口領域において薄膜トランジスタＴＦ
Ｔを包含している。換言すると、第一の膜構成は薄膜ト
ランジスタを上下から包み込む形で形成されている。一
方、非開口領域に隣接する開口領域には、第一の膜構成
から延在した第二の膜構成が配されている。図示の実施
形態では、第二の膜構成は平坦化膜９のみからなり、画
素電極１０の上に形成された液晶セルとガラス基板１と
の間に介在している。
【００１５】本発明の特徴事項として、第二の膜構成は
開口領域を通る光を調整する為、第一の膜構成から変化
している。具体的には、第二の膜構成は一又は二以上の
膜を含んでおり、開口領域を通る光の透過率又は色温度
を調整する為に、膜の数、厚み、屈折率及び光吸収率の
少なくとも一つが、第一の膜構成とは異なる。本実施形
態では、第二の膜構成は、その屈折率が第一の膜構成に
比べてガラス基板１の屈折率に近づく様に、第一の膜構
成から変化している。具体的には、基板１は屈折率が例
えば１．５のガラスからなり、第一の膜構成はガラスと
屈折率が異なる窒化シリコンの膜（屈折率１．８〜１．
９）を含む。これに対し、開口領域側にある第二の膜構
成は窒化シリコンの膜が除かれている。本実施形態で
は、非開口領域側の第一の膜構成は、少なくとも薄膜ト
ランジスタＴＦＴの能動層となる多結晶半導体薄膜４Ｐ
とゲート電極２との間に介在するゲート絶縁膜３Ｏ、薄
膜トランジスタＴＦＴとその配線電極５Ｓ，５Ｄとの間
に介在する層間絶縁膜７Ｎ及び薄膜トランジスタＴＦＴ
を被覆する平坦化膜（保護膜）９を含んでいる。この場
合、開口領域側に位置する第二の膜構成は、ゲート絶縁
膜３Ｏ、層間絶縁膜７Ｎ及び保護膜９の内少なくとも一
つが除かれている。本実施形態では、特に窒化シリコン
からなる層間絶縁膜７Ｎが第二の膜構成から除かれてい
る。合わせて、酸化シリコンからなるゲート絶縁膜３Ｏ
も除かれている。従って、開口領域に残るのは透明樹脂
膜からなる平坦化膜９のみである。これらのゲート絶縁
膜３Ｏや層間絶縁膜７Ｎは、ゲート電極２や配線電極５
Ｓ，５Ｄに対するコンタクトを形成する過程で、第二の
膜構成から除かれる。従って、マスクパタンの変更のみ
で対応でき、露光現像処理やエッチング処理は、非開口
領域と開口領域とで共通に進めることが可能である。こ
の例では、薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極２の
上にゲート絶縁膜３Ｏを介して能動層となる多結晶半導
体薄膜４Ｐを重ね、且つ能動層の上に層間絶縁膜７Ｎを
介して配線電極５Ｓ，５Ｄを形成したボトムゲート構造
を有し、開口領域にある第二の膜構成から、少なくとも
ゲート絶縁膜３Ｏ又は層間絶縁膜７Ｎが除かれている。
この様に、本実施形態は能動層として、多結晶シリコン
からなる多結晶半導体薄膜４Ｐを用いている。又、平坦
化膜９（保護膜）は透明な有機樹脂膜からなり、第二の
膜構成はこの有機樹脂膜をそのまま含む。尚、場合によ
っては、平坦化膜９は有機樹脂膜の代わりに無機ガラス
膜を用いることができる。例えば、ＴＥＯＳをＣＶＤに
より成膜して平坦化膜９に加工することができる。又、
多結晶半導体薄膜４Ｐはレーザアニールを用いることで
６００℃以下の低温で成膜できる。場合によっては、固
相成長などにより１０００℃以上で形成する高温ポリシ
リコンを用いてもよい。
【００１６】以上説明した様に、第一の実施形態では、
開口領域から不要な膜を除去し、ガラス基板１上に直接
有機樹脂の平坦化膜９のみを形成している。アクリル樹
脂を用いた場合、平坦化膜９の屈折率は１．４〜１．６
で、透明なガラス基板１とほとんど差がない。よって、
この界面では屈折率差による不要反射が発生しなくな
る。この様に、開口領域から屈折率が異なる層を出来得
る限り除去することにより、多重干渉が減少し、パネル
透過率が向上する。又、干渉効果がなくなる為、固体間
で製造上の色ばらつきが減少可能である。又、パネルの
反射を少なくすることができる。その際、非開口領域と
開口領域を共通のプロセスで処理できる為、新たな製造
上の工程を必要としない。特に、低温ポリシリコンを能
動層として用いる場合、ほとんどの薄膜トランジスタ構
造において、酸化シリコン膜をゲート絶縁膜にする一方
窒化シリコン膜をガラスからの汚染防止膜やパシベーシ
ョン膜に用いる為、屈折率の異なる積層構造が生じ易
い。その場合に、本発明は大きな効果がある。
【００１７】図２は、図１に示した実施形態の開口領域
における透過スペクトルを表わしたグラフである。グラ
フ中、カーブＡは本実施形態を示し、カーブＢは従来例
の透過光スペクトルを表わしている。従来例は、第二の
膜構成が第一の膜構成と同様であり、ゲート絶縁膜や層
間絶縁膜など全てを含んでいる。グラフから明らかな様
に、開口領域から不要な膜を除くことで、干渉現象がな
くなりスペクトルが全可視波長域で平らになっていると
ともに、全体的な透過率も従来例に比し１０％改善して
いる。即ち、不要な反射も少なくなっている。
【００１８】図３は、本発明に係る表示装置の第二実施
形態を示す模式的な部分断面図の一例である。図１に示
した第一実施形態と対応する部分には対応する参照番号
を付して理解を容易にしている。この実施形態では、ゲ
ート絶縁膜３Ｎが窒化シリコンからなり、層間絶縁膜７
Ｏが酸化シリコンからなる。開口領域から層間絶縁膜７
Ｏが除かれている一方ゲート絶縁膜３Ｎはそのまま残さ
れている。図２に示した透過スペクトルでは短波長側
（青色）のスペクトルが若干低下している。本実施形態
は、この短波長側の透過率の低下を持ち上げる為に、意
図的に開口領域に窒化シリコンを残してある。窒化シリ
コンの多重反射を利用して短波長側青色を持ち上げる為
には、その膜厚は１４０ｎｍ程度に設定すればよい。即
ちボトムゲート構造のゲート絶縁膜３Ｎをあらかじめ１
４０ｎｍの厚みで形成し、この膜をそのまま開口領域に
残すことで、透過スペクトルを短波長側で持ち上げるこ
とができる。
【００１９】図４は、本発明に係る表示装置の第三実施
形態を示す模式的な部分断面図の一例である。この例で
は、薄膜トランジスタとしてアモルファスシリコンなど
からなる非晶質半導体薄膜４Ａを能動層に用いたボトム
ゲート構造を採用している。本例では、特にチャネルエ
ッチ型のＴＦＴ構造を採用している。但し、この方式に
限られる訳ではなく、チャネル保護型にも適用可能であ
る。尚、この実施形態では、開口領域からゲート絶縁膜
３Ｎ及び層間絶縁膜７Ｎが除かれており、画素電極１０
はガラス基板１に直接接触している。図４に示したＴＦ
Ｔ構造は、基本的に図１６に示したＴＦＴ構造と同様で
ある。
【００２０】図５は、本発明に係る表示装置の第四実施
形態を示す模式的な部分断面図の一例である。基本的に
は、図４に示した第三実施形態と同様である。異なる点
は、開口領域に有機樹脂膜からなる平坦化膜９が介在し
ている点である。
【００２１】図６は、本発明に係る表示装置の第五実施
形態を示す模式的な部分断面図である。薄膜トランジス
タはトップゲート構造を有し、基本的には図２１に示し
たＴＦＴ構造と同様である。開口領域からは酸化シリコ
ンからなるゲート絶縁膜３Ｏ、窒化シリコンからなる第
一層間絶縁膜７１Ｎ、同じく窒化シリコンからなる第二
層間絶縁膜７２Ｎが除かれる一方、透明樹脂からなる平
坦化膜９はそのまま残されている。この実施形態でも、
実質的に透過光の制御を行なう開口領域において、ガラ
ス基板１とは屈折率が大きく異なる膜を除去している
為、多重干渉の影響は小さくなる。
【００２２】ところで、能動層として用いるポリシリコ
ンやアモルファスシリコンは薄く着色しているが大部分
の光を透過することができる。この着色を積極的に利用
して開口領域の光学的な特性を制御することも考えられ
る。この場合には、開口領域に能動層として用いられる
半導体薄膜を残すことになる。参考の為、図７にポリシ
リコン膜及びアモルファスシリコン膜の透過スペクトル
を示す。何れも膜厚は４０ｎｍである。ポリシリコンの
スペクトルを４Ｐで表わし、アモルファスシリコンのス
ペクトルを４Ａで表わしてある。何れも、短波長側で吸
収がある為、全体的に黄色味を帯びた色相となる。
【００２３】次に図８及び図９を参照して、本発明に係
る表示装置の製造方法の一例を具体的に説明する。本例
はポリシリコンを能動層に用いたボトムゲート構造の薄
膜トランジスタを集積形成するものである。まず（ａ）
で、透明なガラス基板１上に、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｍ
ｏ、Ｔａなどの金属を用いてゲート電極２を例えば２０
０ｎｍの厚みで形成する。工程（ｂ）に進み、ゲート電
極２上に例えば窒化シリコン膜を５０ｎｍ、酸化シリコ
ン膜を１５０ｎｍ積層して、それぞれゲート絶縁膜３
Ｎ，３Ｏとした後、連続でアモルファスシリコンを５０
ｎｍ成膜する。その後、赤外線ランプを用いた熱アニー
ルやレーザアニールなどの手段を用いて、アモルファス
シリコンを結晶化し、多結晶シリコンからなる半導体薄
膜４Ｐを形成する。あるいは、他の熱ＣＶＤ法などを用
いて直接ポリシリコン膜を成膜してもよい。工程（ｃ）
に進み、酸化シリコン膜を成膜し、その後ゲート電極２
上の半導体薄膜４Ｐのチャネル部を被覆する様にパタニ
ングして、チャネル保護膜６とする。このチャネル保護
膜６をマスクとして燐又は砒素を低濃度でイオン注入
し、ＬＤＤ領域を形成する。この場合、必ずしもマスク
用のチャネル保護膜６を酸化シリコンで形成する必要は
なく、レジストなどを用いてもよい。工程（ｄ）に進
み、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを形成する為に、
マスクＭをレジストなどにより形成し、高濃度の燐又は
砒素などをイオン注入する。その後、適宜注入した不純
物を活性化する為に、熱アニールやレーザアニールを行
なう。工程（ｅ）に進み、薄膜トランジスタ素子を形成
する部分を除いて、半導体薄膜４Ｐをパタニングし、そ
の後窒化シリコン膜３００ｎｍ、酸化シリコン膜２００
ｎｍを連続形成して、それぞれ層間絶縁膜７Ｎ，７Ｏと
する。
【００２４】図９の工程（ｆ）に進み、多結晶半導体薄
膜４Ｐ上のコンタクトホールＣＯＮの部分、ゲート電極
２上のコンタクトホール（図示せず）の部分、及び開口
領域となる部分において、層間絶縁膜７Ｎ，７Ｏ及びゲ
ート絶縁膜３Ｎ，３Ｏをエッチング除去する。工程
（ｇ）に進み、アルミニウムなどでソース電極５Ｓ及び
ドレイン電極５Ｄを形成する。その後、コンタクトホー
ルＣＯＮとなる部分やパッド形成部分（図示せず）など
を除いた領域に有機樹脂からなる平坦化膜９を形成す
る。最後に工程（ｈ）に進み、有機平坦化膜９で埋め込
まれた開口領域を覆う様にＩＴＯなどからなる画素電極
１０を形成する。その後、液晶を配向させる為に配向膜
１６を形成し、配向処理を行なう。
【００２５】以上の様な方法で作成した基板は、カラー
フィルタ、対向電極、配向膜を形成した対向基板と貼り
合わせ、その後両基板の間に液晶を注入することにより
パネルとする。この方法では、開口領域に存在する屈折
率の異なる窒化シリコン膜などを除去する為に特別な工
程は必要なく、ゲート電極や半導体薄膜にコンタクトを
取る工程を用いて同時に処理している。但し、本発明は
これに限られるものではなく開口領域における積層膜の
エッチング量を制御する為に非開口領域とは別のマスク
工程を用いてもよい。又、本方法では層間絶縁膜とゲー
ト絶縁膜の全層をエッチング除去しているが、例えば、
ゲート絶縁膜に酸化シリコン膜のみを使用している場合
などには、必ずしもゲート絶縁膜を除去する必要はない
ことは言うまでもない。又、図２３に示した短周期の干
渉は層間絶縁膜として用いた窒化シリコン膜で起こって
いる為、この層のみを除去するだけでも干渉を小さくす
ることが可能である。
【００２６】図１０及び図１１は、本発明に係る表示装
置の製造方法の他の例を示す工程図である。基本的に
は、図８及び図９に示した先の製造方法と同様であるの
で、ここでは特に異なる点のみを説明する。まず工程
（ｂ）では、窒化シリコンからなる単層のゲート絶縁膜
３Ｎのみを形成する。この膜厚は１４０ｎｍ程度であ
る。又、工程（ｅ）では、先に酸化シリコンを２００ｎ
ｍ堆積して層間絶縁膜７Ｏとし、その上に窒化シリコン
を３００ｎｍ堆積し層間絶縁膜７Ｎとする。この後工程
（ｆ）では、開口領域に厚みが１４０ｎｍの窒化シリコ
ンからなるゲート絶縁膜３Ｎを残す一方、層間絶縁膜７
Ｏ及び７Ｎを除去する。この際、窒化シリコンからなる
ゲート絶縁膜３Ｎと同じく窒化シリコンからなる層間絶
縁膜７Ｎとの間に酸化シリコンからなる層間絶縁膜７Ｏ
を介在させている。即ち、窒化シリコンからなるゲート
絶縁膜３Ｎと酸化シリコンからなる層間絶縁膜７Ｏが接
した状態になっている。両者のエッチングレートの相違
を利用して、開口領域に窒化シリコンからなるゲート絶
縁膜３Ｎのみを残すことが可能である。その後、先の例
と同様に開口領域及び非開口領域を透明な有機樹脂の平
坦化膜９で被覆する。本例では、開口領域に厚み１４０
ｎｍのシリコン窒化膜を残すことで、透過スペクトルの
短波長側青色領域を意図的に持ち上げることが可能であ
る。
【００２７】図１２及び図１３は本発明に係る表示装置
の製造方法の別の例を示す工程図である。この例では、
トップゲート構造のＴＦＴを形成している。まず工程
（ａ）で、透明なガラス基板１上に、例えば窒化シリコ
ン膜を１００ｎｍ、酸化シリコン膜を３００ｎｍ積層
し、それぞれ下地膜１２Ｎ，１２Ｏとした後、連続でア
モルファスシリコンを５０ｎｍ成膜する。その後、赤外
線ランプを用いた熱アニールやレーザアニールなどの手
段を用いて結晶化し、ポリシリコンからなる半導体薄膜
４Ｐとする。又、他の熱ＣＶＤ法などを用いて直接多結
晶半導体薄膜４Ｐを成膜してもよい。その後、多結晶半
導体薄膜４Ｐを薄膜トランジスタの素子領域の形状に合
わせてパタニングする。工程（ｂ）に進み、半導体薄膜
４Ｐの上にゲート絶縁膜３Ｏとして例えば酸化シリコン
膜を１５０ｎｍ積層し、その後ゲート電極２として例え
ばタングステンやモリブデン、アルミニウムなどを３０
０ｎｍ積層する。その後で所定の形状にパタニングす
る。工程（ｃ）に進み、ゲート電極２をマスクとしてＬ
ＤＤ領域を形成する為に燐又は砒素などを比較的低濃度
でイオン注入する。工程（ｄ）に進み、ソース領域Ｓ及
びドレイン領域Ｄを形成する為、マスクＭをレジストな
どで形成し、高濃度の燐又は砒素などを注入する。その
後、適宜注入した不純物を活性化する為に、熱アニール
やレーザアニールを行なう。工程（ｅ）に進み、層間絶
縁膜７Ｎとして窒化シリコン膜を４００ｎｍ成膜する。
この場合、層間絶縁膜は酸化シリコン膜を用いても、又
窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層構造としてもよ
い。
【００２８】図１３の工程（ｆ）に進み、多結晶半導体
薄膜４Ｐ上のコンタクトホールＣＯＮ形成部分及びゲー
ト電極２上のコンタクトホール形成部分（図示せず）及
び開口領域の部分において、下地膜１２Ｎ，１２Ｏ、ゲ
ート絶縁膜３Ｏ、層間絶縁膜７Ｎをエッチング除去す
る。工程（ｇ）に進み、画素電極とのコンタクトホール
ＣＯＮを形成する部分やパッド形成部分（図示せず）な
どを除いた全ての領域に有機樹脂からなる平坦化膜９を
形成する。工程（ｈ）に進み、平坦化膜９で埋め込まれ
た開口領域を覆う様に、ＩＴＯなどからなる画素電極１
０を形成する。その後、液晶を配向させる為に配向膜１
６を形成し、配向処理を行なう。この様にして作成した
ＴＦＴ基板１は、カラーフィルタ、対向電極、配向膜を
形成した対向ガラス基板と貼り合わせ、その後両基板の
間に液晶を注入することにより液晶パネルが完成する。
【００２９】図１４は、本発明に係る表示装置の全体構
成を示す模式的な斜視図であり、アクティブマトリクス
型液晶表示装置の例を表わしている。この表示装置は駆
動基板１と対向基板２０との間に液晶１７などからなる
電気光学物質を保持した構造となっている。駆動基板１
には画素アレイ部と周辺回路部とが集積形成されてい
る。周辺回路部は垂直走査回路４１と水平走査回路４２
とに分かれている。又、駆動基板１の上端側には外部接
続用の端子電極４７も形成されている。各端子電極４７
は配線４８を介して垂直走査回路４１及び水平走査回路
４２に接続している。画素アレイ部には互いに交差する
ゲート配線４３と信号配線４４が形成されている。ゲー
ト配線４３は垂直走査回路４１に接続し、信号配線４４
は水平走査回路４２に接続している。両配線４３，４４
の交差部には画素電極１０とこれを駆動する薄膜トラン
ジスタＦＴＦとが形成されている。一方、対向基板２０
の内表面には図示しないが対向電極が形成されている。
【００３０】図１５は、本発明に係る表示装置の別の実
施形態を示す模式的な部分断面図であり、一画素のみを
表わしている。本実施形態は、電気光学素子として液晶
セルに代えて有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥ
Ｄを用いている。ＯＬＥＤはＩＴＯなどの透明導電膜な
どからなる陽極Ａ、有機層１１０及び金属の陰極Ｋを順
に重ねたものである。陽極Ａは画素毎に分離しており、
基本的に透明である。陰極Ｋは画素間で共通接続されて
おり、基本的に光反射性である。係る構成を有するＯＬ
ＥＤの陽極Ａ／陰極Ｋ間に順方向の電圧（１０Ｖ程度）
を印加すると、電子や正孔などのキャリアの注入が起こ
り、発光が観測される。ＯＬＥＤの動作は、陽極Ａから
注入さた正孔と陰極Ｋから注入された電子により形成さ
れた励起子による発光と考えられる。ＯＬＥＤは自ら発
した光をガラスなどからなる基板１の表面側から裏面側
に出射する。
【００３１】一方、ＯＬＥＤを駆動する薄膜トランジス
タは、ゲート電極２と、その上に重ねられたゲート絶縁
膜３Ｏと、このゲート絶縁膜３Ｏを介してゲート電極２
の上方に重ねられた半導体薄膜４とからなる。この半導
体薄膜４は例えばレーザアニールにより結晶化されたシ
リコン薄膜からなる。薄膜トランジスタはＯＬＥＤに供
給される電流の通路となるソース領域Ｓ、チャネル領域
Ｃｈ及びドレイン領域Ｄを備えている。チャネル領域Ｃ
ｈは丁度ゲート電極２の直上に位置する。このボトムゲ
ート構造を有する薄膜トランジスタは窒化シリコンから
なる第一の層間絶縁膜７１Ｎにより被覆されており、そ
の上には電極５Ｓ，５Ｄが形成されている。これらの上
には酸化シリコンからなる第二の層間絶縁膜７２Ｏを介
して前述したＯＬＥＤが成膜されている。このＯＬＥＤ
の陽極Ａは電極５Ｄを介して薄膜トランジスタに電気接
続されている。この実施形態では、ＯＬＥＤが配される
開口領域から、窒化シリコンの層間絶縁膜７１Ｎが除か
れる一方、酸化シリコンからなるゲート絶縁膜３Ｏ及び
同じく酸化シリコンからなる第二層間絶縁膜７２Ｏはそ
のまま残されている。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
開口領域から透明基板と屈折率が異なる層を出来うる限
り除去する為、多重干渉が減少し、パネルの透過率が向
上する。多重干渉を抑制することができる為、製造上の
色ばらつきを減少できる。又、パネルの不要反射を小さ
くすることができる。開口領域から屈折率の異なる層を
除去する場合、新たな製造上の工程を必要としない。特
に、低温ポリシリコンを能動層とするＴＦＴを形成する
場合、酸化シリコン膜をゲート絶縁膜に用いる一方、窒
化シリコン膜をガラスからの汚染を防止する下地膜やパ
シベーション膜（保護膜）に用いる為、屈折率の異なる
積層構造が生じ易い。その場合、本発明に従って開口領
域から窒化シリコン膜を選択的に除去することは透過率
を高くし色付きを防止する上で顕著な効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る表示装置の第一実施形態を示す部
分断面図である。
【図２】開口領域における透過スペクトルを示すグラフ
である。
【図３】第二実施形態を示す模式的な部分断面図であ
る。
【図４】第三実施形態を示す部分断面図である。
【図５】第四実施形態を示す部分断面図である。
【図６】第五実施形態を示す部分断面図である。
【図７】半導体薄膜の透過スペクトルを示すグラフであ
る。
【図８】本発明に係る表示装置の製造方法を示す工程図
である。
【図９】本発明に係る表示装置の製造方法を示す工程図
である。
【図１０】本発明に係る表示装置の製造方法を示す工程
図である。
【図１１】本発明に係る表示装置の製造方法を示す工程
図である。
【図１２】本発明に係る表示装置の製造方法を示す工程
図である。
【図１３】本発明に係る表示装置の製造方法を示す工程
図である。
【図１４】本発明に係るアクティブマトリクス型液晶表
示装置の全体構成を示す斜視図である。
【図１５】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス
表示装置の一例を示す部分断面図である。
【図１６】従来の表示装置を示す断面図である。
【図１７】従来の表示装置を示す断面図である。
【図１８】同じく従来例の断面図である。
【図１９】従来例の断面図である。
【図２０】従来例の断面図である。
【図２１】従来例の断面図である。
【図２２】従来例の断面図である。
【図２３】従来の表示装置の透過スペクトルを示すグラ
フである。
【符号の説明】
１・・・ガラス基板、２・・・ゲート電極、３・・・ゲ
ート絶縁膜、４・・・半導体薄膜、７・・・層間絶縁
膜、８・・・保護膜、９・・・平坦化膜、１０・・・画
素電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤野 昌宏 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 GA05 JA25 JA26 JA34 JA46 JB58 KA04 KB24 KB25 MA30 NA01 NA03 NA27 PA01 PA06 PA08 5C094 AA08 AA10 AA43 AA48 BA03 BA27 BA43 CA19 DA13 EA04 EA05 EB02 ED14 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB14 FB15 GB10 5F110 AA30 BB01 CC02 CC07 CC08 DD02 DD13 DD14 DD17 EE03 EE04 FF02 FF03 FF09 GG02 GG13 GG15 GG25 GG44 HJ01 HJ13 HJ23 HL03 HM15 NN03 NN12 NN22 NN23 NN24 NN27 NN72 NN80 PP02 PP03 PP10 QQ11

Claims (60)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明な基板の上にマトリクス状に配列し
    た画素を有し、 各画素は、該基板を通して光を出射する電気光学素子が
    形成された開口領域と、該電気光学素子を駆動する薄膜
    トランジスタが形成された非開口領域とを有し、 前記非開口領域は、該薄膜トランジスタを包含する第一
    の膜構成を有し、 前記開口領域は、該第一の膜構成から延在し且つ該電気
    光学素子と該基板との間に介在する第二の膜構成を有
    し、 前記第二の膜構成は、該開口領域を通る光を調整するた
    め、該第一の膜構成から変化していることを特徴とする
    表示装置。
  2. 【請求項２】 前記第二の膜構成は一又は二以上の膜を
    含んでおり、該開口領域を通る光の透過率又は色温度を
    調整するために、膜の数、厚み、屈折率及び光吸収率の
    少なくとも一つが、該第一の膜構成とは異なることを特
    徴とする請求項１記載の表示装置。
  3. 【請求項３】 前記第二の膜構成は、その屈折率が該第
    一の膜構成に比べて該基板の屈折率に近づくように、該
    第一の膜構成から変化していることを特徴とする請求項
    １記載の表示装置。
  4. 【請求項４】 前記基板はガラスからなり、前記第一の
    膜構成はガラスと屈折率が異なる窒化シリコンの膜を含
    み、前記第二の膜構成は該窒化シリコンの膜が除かれて
    いることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
  5. 【請求項５】 前記第一の膜構成は、少なくとも該薄膜
    トランジスタの能動層とゲート電極との間に介在するゲ
    ート絶縁膜、該薄膜トランジスタとその配線との間に介
    在する層間絶縁膜及び該薄膜トランジスタを被覆する保
    護膜を含んでおり、 前記第二の膜構成は、該ゲート絶縁膜、層間絶縁膜及び
    保護膜のうち少なくとも一つが除かれていることを特徴
    とする請求項１記載の表示装置。
  6. 【請求項６】 該ゲート電極又は該配線に対するコンタ
    クトホールを形成する過程で、該ゲート絶縁膜又は層間
    絶縁膜が前記第二の膜構成から除かれていることを特徴
    とする請求項５記載の表示装置。
  7. 【請求項７】 前記薄膜トランジスタは、ゲート電極の
    上にゲート絶縁膜を介して能動層を重ね、且つ能動層の
    上に層間絶縁膜を介して配線を形成したボトムゲート構
    造を有し、 前記第二の膜構成から、少なくともゲート絶縁膜又は層
    間絶縁膜が除かれていることを特徴とする請求項５記載
    の表示装置。
  8. 【請求項８】 前記薄膜トランジスタは、能動層の上に
    ゲート絶縁膜を介してゲート電極を重ね、且つ能動層の
    上に層間絶縁膜を介して配線を形成したトップゲート構
    造を有し、 前記第二の膜構成から、少なくともゲート絶縁膜又は層
    間絶縁膜が除かれていることを特徴とする請求項５記載
    の表示装置。
  9. 【請求項９】 前記能動層は、多結晶シリコンからなる
    ことを特徴とする請求項５記載の表示装置。
  10. 【請求項１０】 前記保護膜は透明な有機樹脂膜からな
    り、前記第二の膜構成は該有機樹脂膜をそのまま含むこ
    とを特徴とする請求項５記載の表示装置。
  11. 【請求項１１】 透明な基板の上にマトリクス状に配列
    した各画素に対して、該基板を通して光を出射する電気
    光学素子を含む開口領域と、該電気光学素子を駆動する
    薄膜トランジスタを含む非開口領域とを形成する表示装
    置の製造方法において、 前記非開口領域には、該薄膜トランジスタを包含する第
    一の膜体を形成し、 前記開口領域には、該第一の膜体から延在し且つ該電気
    光学素子と該基板との間に介在する第二の膜体を形成
    し、 前記第二の膜体は、該開口領域を通る光を調整するた
    め、該第一の膜体に変化を加えたことを特徴とする表示
    装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記第二の膜体は一又は二以上の膜を
    含んでおり、該開口領域を通る光の透過率又は色温度を
    調整するために、膜の数、厚み、屈折率及び光吸収率の
    少なくとも一つを、該第一の膜体とは異なる様に加工し
    たことを特徴とする請求項１１記載の表示装置の製造方
    法。
  13. 【請求項１３】 前記第二の膜体は、その屈折率が該第
    一の膜体に比べて該基板の屈折率に近づくように、該第
    一の膜体から変化していることを特徴とする請求項１１
    記載の表示装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記基板はガラスを用い、前記第一の
    膜体はガラスと屈折率が異なる窒化シリコンの膜を含
    み、前記第二の膜体から該窒化シリコンの膜を除くこと
    を特徴とする請求項１１記載の表示装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記第一の膜体は、少なくとも該薄膜
    トランジスタの能動層とゲート電極との間に介在するゲ
    ート絶縁膜、該薄膜トランジスタとその配線との間に介
    在する層間絶縁膜及び該薄膜トランジスタを被覆する保
    護膜を含んでおり、 前記第二の膜体から、該ゲート絶縁膜、層間絶縁膜及び
    保護膜のうち少なくとも一つを除くことを特徴とする請
    求項１１記載の表示装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 該ゲート電極又は該配線に対するコン
    タクトホールを形成する過程で、該ゲート絶縁膜又は層
    間絶縁膜を前記第二の膜体から除くことを特徴とする請
    求項１５記載の表示装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記薄膜トランジスタは、ゲート電極
    の上にゲート絶縁膜を介して能動層を重ね、且つ能動層
    の上に層間絶縁膜を介して配線を形成したボトムゲート
    構造を有し、 前記第二の膜体から、少なくともゲート絶縁膜又は層間
    絶縁膜を除くことを特徴とする請求項１５記載の表示装
    置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記薄膜トランジスタは、能動層の上
    にゲート絶縁膜を介してゲート電極を重ね、且つ能動層
    の上に層間絶縁膜を介して配線を形成したトップゲート
    構造を有し、 前記第二の膜体から、少なくともゲート絶縁膜又は層間
    絶縁膜を除くことを特徴とする請求項１５記載の表示装
    置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記能動層は、多結晶シリコンを用い
    ることを特徴とする請求項１５記載の表示装置の製造方
    法。
  20. 【請求項２０】 前記保護膜は透明な有機樹脂膜を用
    い、前記第二の膜体は該有機樹脂膜をそのまま含むこと
    を特徴とする請求項１５記載の表示装置の製造方法。
  21. 【請求項２１】 透明な基板の上にマトリクス状に配列
    した画素を有し、 各画素は、該基板を通して光を出射する電気光学素子が
    形成された開口領域と、該電気光学素子を駆動する薄膜
    トランジスタが形成された非開口領域とを有し、 前記電気光学素子は、互いに対向する透明な電極の間に
    保持された液晶材料からなり、該基板の一面側から入射
    した光を他面側に出射する液晶表示装置において、 前記非開口領域は、該薄膜トランジスタを包含する第一
    の膜構成を有し、前記開口領域は、該第一の膜構成から
    延在し且つ該電気光学素子と該基板との間に介在する第
    二の膜構成を有し、 前記第二の膜構成は、該開口領域を通る光を調整するた
    め、該第一の膜構成から変化していることを特徴とする
    液晶表示装置。
  22. 【請求項２２】 前記第二の膜構成は一又は二以上の膜
    を含んでおり、該開口領域を通る光の透過率又は色温度
    を調整するために、膜の数、厚み、屈折率及び光吸収率
    の少なくとも一つが、該第一の膜構成とは異なることを
    特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置。
  23. 【請求項２３】 前記第二の膜構成は、その屈折率が該
    第一の膜構成に比べて該基板の屈折率に近づくように、
    該第一の膜構成から変化していることを特徴とする請求
    項２１記載の表示装置。
  24. 【請求項２４】 前記基板はガラスからなり、前記第一
    の膜構成はガラスと屈折率が異なる窒化シリコンの膜を
    含み、前記第二の膜構成は該窒化シリコンの膜が除かれ
    ていることを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装
    置。
  25. 【請求項２５】 前記第一の膜構成は、少なくとも該薄
    膜トランジスタの能動層とゲート電極との間に介在する
    ゲート絶縁膜、該薄膜トランジスタとその配線との間に
    介在する層間絶縁膜及び該薄膜トランジスタを被覆する
    保護膜を含んでおり、 前記第二の膜構成は、該ゲート絶縁膜、層間絶縁膜及び
    保護膜のうち少なくとも一つが除かれていることを特徴
    とする請求項２１記載の液晶表示装置。
  26. 【請求項２６】 該ゲート電極又は該配線に対するコン
    タクトホールを形成する過程で、該ゲート絶縁膜又は層
    間絶縁膜が前記第二の膜構成から除かれていることを特
    徴とする請求項２５記載の液晶表示装置。
  27. 【請求項２７】 前記薄膜トランジスタは、ゲート電極
    の上にゲート絶縁膜を介して能動層を重ね、且つ能動層
    の上に層間絶縁膜を介して配線を形成したボトムゲート
    構造を有し、 前記第二の膜構成から、少なくともゲート絶縁膜又は層
    間絶縁膜が除かれていることを特徴とする請求項２５記
    載の液晶表示装置。
  28. 【請求項２８】 前記薄膜トランジスタは、能動層の上
    にゲート絶縁膜を介してゲート電極を重ね、且つ能動層
    の上に層間絶縁膜を介して配線を形成したトップゲート
    構造を有し、 前記第二の膜構成から、少なくともゲート絶縁膜又は層
    間絶縁膜が除かれていることを特徴とする請求項２５記
    載の液晶表示装置。
  29. 【請求項２９】 前記能動層は、多結晶シリコンからな
    ることを特徴とする請求項２５記載の液晶表示装置。
  30. 【請求項３０】 前記保護膜は透明な有機樹脂膜からな
    り、前記第二の膜構成は該有機樹脂膜をそのまま含むこ
    とを特徴とする請求項２５記載の液晶表示装置。
  31. 【請求項３１】 透明な基板の上にマトリクス状に配列
    した各画素に対して、該基板を通して光を出射する電気
    光学素子を含む開口領域と、該電気光学素子を駆動する
    薄膜トランジスタを含む非開口領域とを形成し、前記電
    気光学素子は、互いに対向する透明な電極の間に液晶を
    保持して形成し、該基板の一面側から入射した光を他面
    側に出射する液晶表示装置の製造方法において、 前記非開口領域には、該薄膜トランジスタを包含する第
    一の膜体を形成し、 前記開口領域には、該第一の膜体から延在し且つ該電気
    光学素子と該基板との間に介在する第二の膜体を形成
    し、 前記第二の膜体は、該開口領域を通る光を調整するた
    め、該第一の膜体に変化を加えたことを特徴とする液晶
    表示装置の製造方法。
  32. 【請求項３２】 前記第二の膜体は一又は二以上の膜を
    含んでおり、該開口領域を通る光の透過率又は色温度を
    調整するために、膜の数、厚み、屈折率及び光吸収率の
    少なくとも一つを、該第一の膜体とは異なる様に加工し
    たことを特徴とする請求項３１記載の液晶表示装置の製
    造方法。
  33. 【請求項３３】 前記第二の膜体は、その屈折率が該第
    一の膜体に比べて該基板の屈折率に近づくように、該第
    一の膜体から変化していることを特徴とする請求項３１
    記載の液晶表示装置の製造方法。
  34. 【請求項３４】 前記基板はガラスを用い、前記第一の
    膜体はガラスと屈折率が異なる窒化シリコンの膜を含
    み、前記第二の膜体から該窒化シリコンの膜を除くこと
    を特徴とする請求項３１記載の液晶表示装置の製造方
    法。
  35. 【請求項３５】 前記第一の膜体は、少なくとも該薄膜
    トランジスタの能動層とゲート電極との間に介在するゲ
    ート絶縁膜、該薄膜トランジスタとその配線との間に介
    在する層間絶縁膜及び該薄膜トランジスタを被覆する保
    護膜を含んでおり、 前記第二の膜体から、該ゲート絶縁膜、層間絶縁膜及び
    保護膜のうち少なくとも一つを除くことを特徴とする請
    求項３１記載の液晶表示装置の製造方法。
  36. 【請求項３６】 該ゲート電極又は該配線に対するコン
    タクトホールを形成する過程で、該ゲート絶縁膜又は層
    間絶縁膜を前記第二の膜体から除くことを特徴とする請
    求項３５記載の液晶表示装置の製造方法。
  37. 【請求項３７】 前記薄膜トランジスタは、ゲート電極
    の上にゲート絶縁膜を介して能動層を重ね、且つ能動層
    の上に層間絶縁膜を介して配線を形成したボトムゲート
    構造を有し、 前記第二の膜体から、少なくともゲート絶縁膜又は層間
    絶縁膜を除くことを特徴とする請求項３５記載の液晶表
    示装置の製造方法。
  38. 【請求項３８】 前記薄膜トランジスタは、能動層の上
    にゲート絶縁膜を介してゲート電極を重ね、且つ能動層
    の上に層間絶縁膜を介して配線を形成したトップゲート
    構造を有し、 前記第二の膜体から、少なくともゲート絶縁膜又は層間
    絶縁膜を除くことを特徴とする請求項３５記載の液晶表
    示装置の製造方法。
  39. 【請求項３９】 前記能動層は、多結晶シリコンを用い
    ることを特徴とする請求項３５記載の液晶表示装置の製
    造方法。
  40. 【請求項４０】 前記保護膜は透明な有機樹脂膜を用
    い、前記第二の膜体は該有機樹脂膜をそのまま含むこと
    を特徴とする請求項３５記載の液晶表示装置の製造方
    法。
  41. 【請求項４１】 透明な基板の上にマトリクス状に配列
    した画素を有し、 各画素は、該基板を通して光を出射する電気光学素子が
    形成された開口領域と、該電気光学素子を駆動する薄膜
    トランジスタが形成された非開口領域とを有し、 前記電気光学素子は、互いに対向する電極の間に保持さ
    れた有機エレクトロルミネッセンス材料からなり、自ら
    発した光を該基板の一面側から他面側に出射する有機エ
    レクトロルミネッセンス表示装置において、 前記非開口領域は、該薄膜トランジスタを包含する第一
    の膜構成を有し、 前記開口領域は、該第一の膜構成から延在し且つ該電気
    光学素子と該基板との間に介在する第二の膜構成を有
    し、 前記第二の膜構成は、該開口領域を通る光を調整するた
    め、該第一の膜構成から変化していることを特徴とする
    有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  42. 【請求項４２】 前記第二の膜構成は一又は二以上の膜
    を含んでおり、該開口領域を通る光の透過率又は色温度
    を調整するために、膜の数、厚み、屈折率及び光吸収率
    の少なくとも一つが、該第一の膜構成とは異なることを
    特徴とする請求項４１記載の有機エレクトロルミネッセ
    ンス表示装置。
  43. 【請求項４３】 前記第二の膜構成は、その屈折率が該
    第一の膜構成に比べて該基板の屈折率に近づくように、
    該第一の膜構成から変化していることを特徴とする請求
    項４１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  44. 【請求項４４】 前記基板はガラスからなり、前記第一
    の膜構成はガラスと屈折率が異なる窒化シリコンの膜を
    含み、前記第二の膜構成は該窒化シリコンの膜が除かれ
    ていることを特徴とする請求項４１記載の有機エレクト
    ロルミネッセンス表示装置。
  45. 【請求項４５】 前記第一の膜構成は、少なくとも該薄
    膜トランジスタの能動層とゲート電極との間に介在する
    ゲート絶縁膜、該薄膜トランジスタとその配線との間に
    介在する層間絶縁膜及び該薄膜トランジスタを被覆する
    保護膜を含んでおり、 前記第二の膜構成は、該ゲート絶縁膜、層間絶縁膜及び
    保護膜のうち少なくとも一つが除かれていることを特徴
    とする請求項４１記載の有機エレクトロルミネッセンス
    表示装置。
  46. 【請求項４６】 該ゲート電極又は該配線に対するコン
    タクトホールを形成する過程で、該ゲート絶縁膜又は層
    間絶縁膜が前記第二の膜構成から除かれていることを特
    徴とする請求項４５記載の有機エレクトロルミネッセン
    ス表示装置。
  47. 【請求項４７】 前記薄膜トランジスタは、ゲート電極
    の上にゲート絶縁膜を介して能動層を重ね、且つ能動層
    の上に層間絶縁膜を介して配線を形成したボトムゲート
    構造を有し、 前記第二の膜構成から、少なくともゲート絶縁膜又は層
    間絶縁膜が除かれていることを特徴とする請求項４５記
    載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  48. 【請求項４８】 前記薄膜トランジスタは、能動層の上
    にゲート絶縁膜を介してゲート電極を重ね、且つ能動層
    の上に層間絶縁膜を介して配線を形成したトップゲート
    構造を有し、 前記第二の膜構成から、少なくともゲート絶縁膜又は層
    間絶縁膜が除かれていることを特徴とする請求項４５記
    載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  49. 【請求項４９】 前記能動層は、多結晶シリコンからな
    ることを特徴とする請求項４５記載の有機エレクトロル
    ミネッセンス表示装置。
  50. 【請求項５０】 前記保護膜は透明な有機樹脂膜からな
    り、前記第二の膜構成は該有機樹脂膜をそのまま含むこ
    とを特徴とする請求項４５記載の有機エレクトロルミネ
    ッセンス表示装置。
  51. 【請求項５１】 透明な基板の上にマトリクス状に配列
    した各画素に対して、該基板を通して光を出射する電気
    光学素子を含む開口領域と、該電気光学素子を駆動する
    薄膜トランジスタを含む非開口領域とを形成し、前記電
    気光学素子は、互いに対向する電極の間に有機エレクト
    ロルミネッセンス材料を保持して形成し、自ら発した光
    を該基板の一面側から他面側に出射する有機エレクトロ
    ルミネッセンス表示装置の製造方法において、 前記非開口領域には、該薄膜トランジスタを包含する第
    一の膜体を形成し、 前記開口領域には、該第一の膜体から延在し且つ該電気
    光学素子と該基板との間に介在する第二の膜体を形成
    し、 前記第二の膜体は、該開口領域を通る光を調整するた
    め、該第一の膜体に変化を加えたことを特徴とする有機
    エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  52. 【請求項５２】 前記第二の膜体は一又は二以上の膜を
    含んでおり、該開口領域を通る光の透過率又は色温度を
    調整するために、膜の数、厚み、屈折率及び光吸収率の
    少なくとも一つを、該第一の膜体とは異なる様に加工し
    たことを特徴とする請求項５１記載の有機エレクトロル
    ミネッセンス表示装置の製造方法。
  53. 【請求項５３】 前記第二の膜体は、その屈折率が該第
    一の膜体に比べて該基板の屈折率に近づくように、該第
    一の膜体から変化していることを特徴とする請求項５１
    記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方
    法。
  54. 【請求項５４】 前記基板はガラスを用い、前記第一の
    膜体はガラスと屈折率が異なる窒化シリコンの膜を含
    み、前記第二の膜体から該窒化シリコンの膜を除くこと
    を特徴とする請求項５１記載の有機エレクトロルミネッ
    センス表示装置の製造方法。
  55. 【請求項５５】 前記第一の膜体は、少なくとも該薄膜
    トランジスタの能動層とゲート電極との間に介在するゲ
    ート絶縁膜、該薄膜トランジスタとその配線との間に介
    在する層間絶縁膜及び該薄膜トランジスタを被覆する保
    護膜を含んでおり、 前記第二の膜体から、該ゲート絶縁膜、層間絶縁膜及び
    保護膜のうち少なくとも一つを除くことを特徴とする請
    求項５１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置
    の製造方法。
  56. 【請求項５６】 該ゲート電極又は該配線に対するコン
    タクトホールを形成する過程で、該ゲート絶縁膜又は層
    間絶縁膜を前記第二の膜体から除くことを特徴とする請
    求項５５記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置
    の製造方法。
  57. 【請求項５７】 前記薄膜トランジスタは、ゲート電極
    の上にゲート絶縁膜を介して能動層を重ね、且つ能動層
    の上に層間絶縁膜を介して配線を形成したボトムゲート
    構造を有し、 前記第二の膜体から、少なくともゲート絶縁膜又は層間
    絶縁膜を除くことを特徴とする請求項５５記載の有機エ
    レクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  58. 【請求項５８】 前記薄膜トランジスタは、能動層の上
    にゲート絶縁膜を介してゲート電極を重ね、且つ能動層
    の上に層間絶縁膜を介して配線を形成したトップゲート
    構造を有し、 前記第二の膜体から、少なくともゲート絶縁膜又は層間
    絶縁膜を除くことを特徴とする請求項５５記載の有機エ
    レクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  59. 【請求項５９】 前記能動層は、多結晶シリコンを用い
    ることを特徴とする請求項５５記載の有機エレクトロル
    ミネッセンス表示装置の製造方法。
  60. 【請求項６０】 前記保護膜は透明な有機樹脂膜を用
    い、前記第二の膜体は該有機樹脂膜をそのまま含むこと
    を特徴とする請求項５５記載の有機エレクトロルミネッ
    センス表示装置の製造方法。
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