JP5150802B2 - 窒化物基半導体デバイスのための低ドープ層 - Google Patents

Description

本発明は半導体デバイスに関し、特定的には、ショットキーダイオードのような窒化物基半導体デバイスに、及び該デバイスの製造方法に関する。

窒化ガリウム及び窒化ガリウム基半導体のような窒化物基半導体は、望ましい広バンドギャップ化合物半導体として注目されている。これらの材料は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザーダイオード、及びフォトダイオードのようなオプトエレクロニックデバイスに採用され、また電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）及びフィールドエミッタのような非光学電子デバイスにも使用されてきた。オプトエレクロニックデバイスにおいては、材料の広いバンドギャップが、可視から紫外までの範囲の光の放出または吸収を可能にしている。電子デバイスにおいては、窒化ガリウム及びその関連材料が高い電子移動度を与え、また極めて高い信号周波数における動作を可能にする。

また、窒化物基半導体は、それらの特性が、それらの材料をショットキーダイオードに使用するのに望ましくしている。ショットキーダイオードは、順方向バイアスから逆方向バイアスへスイッチングし、そして戻る時のエネルギ損失がシステムの効率に重大なインパクトを与えるような応用にとって、及び、例えば、スイッチング電源における出力整流器として使用する場合のように、順方向バイアス時には大電流を通電させ、逆方向バイアス時には殆ど、または全く通電させないことが望まれるような応用にとって望ましいデバイスである。ショットキーダイオードは、整流用の金属・半導体接合のバリヤーの高さが低いためにターンオン電圧が低く、またそれが主として多数キャリヤーデバイスであるので高いスイッチング速度を有している。従って、窒化物基半導体は、ショットキーダイオードとして高度に望ましいものである。それは、それらの電子移動度が高いために順方向バイアス時のデバイスのオン抵抗が低く、また逆方向バイアス時にはそれらに高い降伏電界に耐える能力を与えるからである。更に、窒化ガリウム及び窒化ガリウム基半導体は、金属・半導体接合におけるバリヤーの高さ、従って順方向電圧降下が、この接合に使用される金属の型に依存して変化するという別の長所を有している。

しかしながら、金属・半導体バリヤーの高さを低くすると、金属・半導体接合が逆方向にバイアスされた時の逆方向漏洩電流を増加させる恐れがある。従って、金属・半導体接合にとっては、半導体層を低めにドーピングすることが望ましい。しかしながら、半導体層を低めにドーピングすると、デバイスが順方向にバイアスされた時のオン抵抗が高くなってしまう。従って、導電路の主要部分として役立つようなより高ドープ層（高めにドーピングされた層、以下同じ）を組み入れて低ドープ層（低めにドーピングされた層、以下同じ）の厚みを最小にし、それによってデバイスが順方向にバイアスされた時の抵抗を減少させることが更に望まれる。従って、デバイスの順方向抵抗を減少させ、また逆方向降伏電圧を低下させることを試みる場合にはトレードオフが存在する。低ドープ層の固有抵抗及び厚みを増加させる等によってショットキーダイオードの逆方向バイアス時の降伏電圧をより高くするように最適化すると、オン抵抗が増加する。反対に、低抵抗層をより高めにドーピングし、より厚くする等によってデバイスのオン抵抗を低くするように最適化すると、降伏電圧が低下してしまう。

逆方向バイアス時の降伏電圧を高くし、且つ順方向バイアス時のオン抵抗を低くするようにショットキーダイオードを最適化するためには、金属・半導体の接点として働く層を薄くし、また極めて低くドープすることが望ましい。しかしながら、ドーピングのレベルを層全体にわたって均一に、そして再現可能なようにそのように低くすることは極めて困難である。

従って、本発明は、極めて低く、且つ均一にドープすることを再現可能にした層を有するショットキーダイオードを提供する。

本発明は、変調ドーピングを使用して形成された低ドープ最上層を有するショットキーダイオードを提供する。

本発明の一面によれば、半導体層構造が提供される。少なくとも１つのドープされた窒化物半導体の副層、及び少なくとも１つのドープされていない窒化物半導体の副層を、別の層の少なくとも一部分の上に形成することによって、この別の層の少なくとも一部分の上に変調ドープ層（変調ドーピングされた層、以下同じ）を形成させ、それによって変調ドープ層が多くとも2E16ｃｍ^-3のドーピング濃度を有するようにする。

本発明の別の面によれば、半導体層構造は変調ドープされた窒化物半導体層を含む。この変調ドープ層は、別の層の上に配置される。変調ドープ層は、上記別の層の少なくとも一部分の上に配置された少なくとも１つのドープされた窒化物半導体の副層と、少なくとも１つのドープされていない窒化物半導体の副層とを含み、ドープされた層は多くとも2E16ｃｍ^-3のドーピング濃度を有する。

本発明のこれらの面によれば、複数のドープされた窒化物半導体の副層、及び複数のドープされていない窒化物半導体の副層の交互配列を、別の層の少なくとも一部分の上に形成させることができる。ドープされた副層からのドーパントを、ドープされていない副層内へ拡散させて変調ドープ層を形成させると、変調ドープ層のドーピング濃度が実質的に均一になる。これらのドープされた副層及びドープされていない副層は、反応性スパッタリング、金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、または原子層エピタキシーによって形成させることができる。

変調ドープ層は、ＧaＮを含むことができる窒化ガリウム基（窒化ガリウム「をべーすとする」、以下同じ）半導体を含むことができ、またｎ−型であることができる。変調ドープ層は、少なくとも4E15ｃｍ^-3のドーピング濃度を有することができる。変調ドープ層は、少なくとも0.2μｍ、及び／または多くとも10μｍの厚みを有することができる。変調ドープ層のドープされた副層は、少なくとも0.005μｍ、及び／または多くとも0.1μｍの厚みを有することができる。変調ドープ層のドープされていない副層は、少なくとも0.005μｍ、及び／または多くとも0.1μｍの厚みを有することができる。

本発明のこれらの面による層構造を有し、ドープされた層の上に形成させた第１の接触金属層を有するショットキー接合を形成させることができる。第１の接触金属層は、白金（Ｐt）、パラジウム（Ｐd）、またはニッケル（Ｎi）を含むことができる。

上述したショットキー接合を有し、上記別の層の少なくとも一部の上に形成させたオーミック接触を有するショットキーダイオードを形成させることができる。

本発明の更に別の面によれば、ショットキーダイオードが提供される。少なくとも１つのドープされた窒化半導体の副層、及び少なくとも１つのドープされていない窒化半導体の副層を、別の層の少なくとも一部分の上に形成させることによって、変調ドープ層を上記別の層の少なくとも一部分の上に形成させる。変調ドープ層との間にショットキー接触を形成させるように、変調ドープ層の少なくとも一部の上に接触金属層を形成させる。オーミック接触を形成させるように、少なくとも１つの別の接触金属層を上記別の層の少なくとも一部の上に形成させる。ショットキーダイオードのオン抵抗と、そのショットキーダイオードの降伏電圧との比は、多くとも２×10^-5Ω・ｃｍ^-2／Ｖである。

本発明の更に別の面によれば、ショットキーダイオードの変調ドープ層を、別の層の少なくとも一部分の上に配置する。変調ドープ層は、少なくとも１つのドープされた窒化物半導体の副層と、少なくとも１つのドープされていない窒化物半導体の副層とを含む。変調ドープ層との間にショットキー接触を形成させるように、変調ドープ層の少なくとも一部の上に接触金属層を配置する。オーミック接触を形成させるように、少なくとも１つの別の接触金属層を別の層の少なくとも一部の上に配置する。ショットキーダイオードのオン抵抗と、そのショットキーダイオードの降伏電圧との比は、多くとも２×10^-5Ω・ｃｍ^-2／Ｖである。

本発明のこれらの面によれば、ドープされた窒化物半導体の副層及びドープされていない窒化物半導体の副層の交互配列を、別の層の少なくとも一部分の上に形成させることができる。ドープされた副層及びドープされていない副層は、反応性スパッタリング、金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、または原子層エピタキシーによって形成させることができる。

変調ドープ層は、ＧaＮを含むことができる窒化ガリウム基半導体を含むことができ、またｎ−型であることができる。変調ドープ層は、少なくとも0.2μｍ、及び／または多くとも10μｍの厚みを有することができる。変調ドープ層のドープされた副層は、少なくとも0.005μｍ、及び／または多くとも0.1μｍの厚みを有することができる。変調ドープ層のドープされていない副層は、少なくとも0.005μｍ、及び／または多くとも0.1μｍの厚みを有することができる。

上記別の層は、ドープされた層を形成させる前に、基体の上に形成させた窒化物半導体の別のドープされた層であることができ、この別のドープされた層は、上記ドープされた層よりも重度にドープすることができる。この別のドープされた層は、反応性スパッタリング、金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、または原子層エピタキシーによって形成させることができる。この別のドープされた層は、少なくとも4E18ｃｍ^-3のドーピング濃度を有することができる。

基体は、サファイア、シリコンカーバイド、ドープされたシリコン、またはドープされていないシリコンであることができる。

ショットキー接触金属層は、白金（Ｐt）、パラジウム（Ｐd）、またはニッケル（Ｎi）を含むことができる。オーミック接触金属層は、アルミニウム／チタン／白金／金（Ａl／Ｔi／Ｐt／Ａu）、またはチタン／アルミニウム／白金／金（Ｔi／Ａl／Ｐt／Ａu）であることができる。

本発明の付加的な面によれば、ショットキーダイオードが提供される。ｎ−型にドープされた窒化物半導体の下側層が、基体の上に形成される。上側層は、窒化物半導体の下側層の少なくとも一部分の上に交互配置された複数のｎ−型にドープされた窒化物半導体の副層と、複数のドープされていない窒化物半導体の副層とによって形成される。これらの副層を、反応性スパッタリング、金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、または原子層エピタキシーによって形成させ、窒化物半導体の上側層を形成させる。窒化物半導体の下側層は、窒化物半導体の上側層よりも高めにドープされる。ショットキー接触が形成されるように、窒化物半導体の上側層の上に第１の接触金属層を形成させる。オーミック接触を形成させるように、窒化物半導体層の下側層の上に第２の接触金属層を形成させる。ショットキーダイオードのオン抵抗と、そのショットキーダイオードの降伏電圧との比は、多くとも２×10^-5Ω・ｃｍ^-2／Ｖである。

本発明の更に別の面によれば、ショットキーダイオードのｎ−型にドープされた窒化物半導体の下側層が、基体の上に配置される。窒化物半導体の上側層は、窒化物半導体の上記層の下側層の少なくとも一部分の上に配置され、この上側層は、複数のｎ−型にドープされた窒化物半導体の副層と、複数のドープされていない窒化物半導体の副層との交互配列を含む。窒化物半導体の下側層は、窒化物半導体の上側層よりも高めにドープされる。ショットキー接触が形成されるように、窒化物半導体の上側層の上に第１の接触金属を配置する。オーミック接触を形成させるように、窒化物半導体層の下側層の上に第２の接触金属を配置する。ショットキーダイオードのオン抵抗と、そのショットキーダイオードの降伏電圧との比は、多くとも２×10^-5Ω・ｃｍ^-2／Ｖである。

本発明のこれらの面によれば、窒化物半導体の上側層、及び窒化物半導体の下側層の一方または両方は、ＧaＮを含むことができる窒化ガリウム基半導体を含む。

本明細書において使用する“III−Ｖ半導体”とは、化学式Ａl_aＩn_bＧa_cＮ_dＡs_eＰ_fに従う複合半導体材料のことである。但し、（ａ＋ｂ＋ｃ）は約１であり、また（ｄ＋ｅ＋ｆ）も約１である。“窒化物半導体”または“窒化物基半導体”とは、ｄが0.5またはそれ以上、最も典型的には約0.8またはそれ以上であるIII−Ｖ半導体のことである。好ましくは、半導体材料は純粋な窒化物半導体、即ちｄが約1.0であるような窒化物半導体である。本明細書において使用する“窒化ガリウム基半導体”とは、ガリウムを含む窒化物半導体、最も好ましくは、存在する主金属としてガリウムを含む、即ちｃ≧0.5、最も好ましくはｃ≧0.8を有する窒化物半導体のことである。半導体はｐ−型またはｎ−型の伝導度を有することができ、これは普通のドーパントによって与えることができ、また特定の半導体材料に固有の伝導度の型によるものであることもできる。例えば、欠陥を有する窒化ガリウム基半導体は、典型的にはドーピングされなくても本質的にｎ−型である。Ｓi、Ｇe、Ｓ、及びＯのような普通の電子ドナードーパントを使用して、窒化物半導体にｎ−型の伝導度を与えることができ、一方、ｐ−型窒化物半導体はＭg及びＺnのような普通の電子アクセプタドーパントを含むことができる。

図１は、本発明により形成された窒化物基ショットキーダイオードの断面図である。ショットキーダイオード１００は基体１０２を含み、基体１０２の上にはさらなる層が成長される。窒化物基半導体内に形成される結晶格子内の転位のような欠陥の数を減少させるために、理想的には、基体は、基体の上に成長させる窒化ガリウム、または他の窒化物基半導体の格子間隔に等しい格子間隔（即ち、その結晶格子内で隣接し合う原子間の間隔）を有するべきである。更に、窒化物基半導体層の成長後に基体及び窒化物基半導体を冷却した時に基体が半導体層よりも大きく収縮し、半導体層を圧縮して半導体層内に割れを形成させるのを回避するために、基体が少なくとも窒化物基半導体の熱膨張係数に等しい熱膨張係数を有していることが高度に望まれる。

基体１０２は、ラテラル導電型デバイスを形成させるために使用される結晶性サファイアウェーハ、シリコンカーバイドウェーハ、またはドープされていないシリコンウェーハのような、絶縁性の、即ち非導電性の基体であることができる。代替として、基体１０２は、2002年12月４日付米国特許暫定出願第60/430,837号、及び2003年11月25日付米国特許出願第10/721,488号に開示されているようなバーチカル導電型デバイスを形成させるために使用されているドープされたシリコンウェーハであることができる。

窒化物基半導体層と基体との間の格子の不整合、及び熱膨張係数の不整合を補償するために、基体１０２の上にバッファ層（図示してない）を設けることができる。バッファ層は、基体の格子構造と、窒化ガリウムまたは他の窒化物基半導体層との間にトランジションを与えるような１またはそれ以上の層を含むことができる。

次に、窒化ガリウム、または窒化ガリウム基半導体のような、高ドープ窒化物基半導体層をバッファ層の上に、またはバッファ層が存在しない場合には直接基体１０２上に形成させる。高ドープ層１０６は、典型的に、エピタキシャル成長プロセスを使用して形成させる。反応性スパッタリングを使用することもできる。この場合には、金属ターゲット及び基体の両方を窒素及び１またはそれ以上のドーパントを含むガス雰囲気内に配置し、基体に極めて接近し配置されたターゲットからガリウム、アルミニウム、及び／またはインジウムのような半導体の金属構成物質を移動させる。代替として、金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）が使用される。この場合には、基体を、典型的には約700−1100℃のような高温に維持しながら、金属の有機化合物を含む雰囲気に、及びアンモニア及びドーパント含有ガスのような反応性窒素含有ガスに曝すと、ガス状化合物が分解して基体１０２の表面上にドープされた金属窒化物半導体が結晶材料のフィルムの形状で形成される。次いで基体及び成長したフィルムを冷却する。さらなる代替として、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）または原子層エピタキシーのような他のエピタキシャル成長方法を使用することができる。得られた高ドープ層１０６は好ましくはｎ−型であり、少なくとも4E18ｃｍ^-3のドーピング濃度を有する。

高ドープ層１０６の少なくとも上面部分の上に、変調ドーピングによって、窒化ガリウムまたは窒化ガリウム基半導体のような低ドープ窒化物基半導体層１０８を形成させる。典型的には、高ドープ層１０６の全表面上に低ドープ層１０８を形成させ、次いで低ドープ層をパターン化して低ドープ層の複数の部分をエッチングによって除去し、高ドープ層１０６の複数の領域を露出させる。このようなパターン化及びエッチングステップは、公知の手法で遂行することができる。

ショットキー接触金属層１１０を、公知の技法によって低ドープ層１０８の上に形成させ、低ドープ層との間にショットキー接合として知られる金属・半導体接合を形成させる。ショットキー接触金属層は、典型的には白金（Ｐt）層、パラジウム（Ｐd）層、またはニッケル（Ｎi）層からなるが、所望のバリヤー高さを得るために他の高仕事関数材料も使用することができる。

別の金属層１１６が高ドープ層１０６の上に配置され、高ドープ層との間にオーミック接触を形成させる。オーミック接触金属層は、典型的には、アルミニウム／チタン／白金／金（Ａl／Ｔi／Ｐt／Ａu）スタック、またはチタン／アルミニウム／白金／金（Ｔi／Ａl／Ｐt／Ａu）スタックのような１またはそれ以上の金属のスタックであるが、他の金属または金属の組合わせを使用することができる。Ａl／Ｔi／Ｐt／Ａuオーミック接触スタック、及びその形成の例が、2003年11月25日付米国特許第6,653,215号“Contact To n-GaN With Au Termination”に開示されているので参照されたい。

厚めのボンドパッド金属層１１２が、ショットキー接触金属層１１０及びオーミック接触金属層１１６の上に形成される。ボンドパッド金属層は、典型的には、厚めのアルミニウム（Ａl）または金（Ａu）の層である。絶縁体からなる不動態化（パッシベーション）層（図示してない）を、少なくともオーミック接触金属層とショットキー接触金属層との間に形成させることができる。

ショットキー接触金属層１１０、オーミック接触金属層１０６、及びボンドパッド金属層１１２は、当分野においては公知の方法を使用して形成させることができる。

図１に示すショットキーダイオード構造によって、窒化ガリウム基層のラテラル導電を使用して順方向電流を通電するデバイスが得られる。順方向電流は、ショットキー接触金属層１１０からショットキーバリヤーを横切り、相対的に薄い低ドープ層１０８を垂直に走行し、次いで高ドープ層１０６の水平寸法に沿ってオーミック接触金属層１１６に到達する。

図２は、図１に示す窒化物基ショットキーダイオード１００の詳細図であって、低ドープ層を形成させるために使用される変調ドーピングを示している。図２においては、図１に示す構造に対応する構造に対して、同一の参照番号を使用している。

変調ドーピングは、ドープされた、及びドープされていない窒化ガリウム及び窒化ガリウム基材料の副層のような、ドープされた窒化物基材料の副層２０８及びドープされていない窒化物基材料の副層２０９を交互に堆積させることによって達成される。ドープされた層及びドープされていない層の交互配列を形成させるために、好ましくは反応性スパッタリング、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、または原子層エピタキシーのような方法を使用して、高ドープ層１０６の上にエピタキシャル成長させる。

オプションとして、交互配列されるドープされた副層及びドープされていない副層を十分に薄くし、エピタキシャル成長中の基体の加熱によってドープされた層内のドーパントを拡散させ、低ドープ層全体にわたって実質的に均一なドーピング濃度（ドープされた副層２０８内の初期ドーピング濃度よりも低い）をもたらすようにする。しかしながら、本発明は、このような拡散が欠如する場合にも等しく適用可能である。

得られた低ドープ層は、好ましくはｎ−型であり、低ドープ層が形成された後に測定した時の低ドープ層全体のドーピング濃度は7.5E18乃至1.4E16ｃｍ^-3であり、デバイス処理が完了した後に4E15乃至2E16のドーピング濃度を有している。低ドープ層は、好ましくは0.2μｍ乃至10μｍの厚みを有し、各ドープされた層の好ましい厚みは0.005μｍ乃至0.1μｍであり、各ドープされていない層の好ましい厚みは0.005μｍ乃至0.1μｍである。低ドープ層の厚み及びドーピング濃度はデバイスの所望の降伏電圧によって決定され、より高い降伏電圧を得るためには厚みを増加させる、及び／または、ドーピング濃度を低くする。例えば、所望の降伏電圧が200Ｖであれば、低ドープ層の厚みを１乃至４μｍとし、対応するドーピング濃度を1E15乃至5E16ｃｍ^-3にすることができる。

有利なことには、本発明の変調ドーピングプロセスによれば、再現可能で且つ均一な低ドープ層を使用することが可能である。交互配置されるドープされた副層は、各々再現可能な技法で形成される十分に高いドーピング濃度を有している。従って、得られたドープされた副層及びドープされていない副層の組合わせは、低ドープ層全体に再現可能で且つ均一なドーパント濃度をもたらす。

得られた構造は、順方向バイアス下におけるデバイスのオン抵抗が低く、且つ逆バイアス下における降伏電圧が高いというさらなる長所を有している。典型的には、デバイスのオン抵抗と、そのデバイスの逆降伏電圧との比は、多くとも２×10^-5Ω・ｃｍ^-2／Ｖである。例として、降伏電圧が200Ｖ、オン抵抗が0.0035Ω・ｃｍ^-2であるショットキーダイオードの場合、上記比は1.75×10^-5Ω・ｃｍ^-2／Ｖになる。別の例として、降伏電圧が600Ｖ、オン抵抗が0.009Ω・ｃｍ^-2であるデバイスの場合、上記比は1.5×10^-2Ω・ｃｍ^-2／Ｖになる。

以上に、本発明を特定の実施の形態に関して説明したが、これらの実施の形態は単に本発明の原理及び応用を例示したに過ぎないことを理解されたい。従って、特許請求の範囲に記載されている本発明の思想及び範囲から逸脱することなく、図示実施例に対して多くの変更を考案し、また他の配列を考案できることが理解されよう。

本発明の実施の形態による半導体構造の拡大部分断面図である。 図１に示した半導体構造の拡大部分断面図であって、最上層の変調ドーピングを示している。

符号の説明

１００ ショットキーダイオード
１０２ 基体
１０６ 高ドープ半導体層
１０８ 低ドープ半導体層
１１０ ショットキー接触金属層
１１２ ボンドパッド金属層
１１６ オーミック接触金属層
２０８ ドープされた窒化物基材料の副層
２０９ ドープされていない窒化物基材料の副層

Claims (14)

1. 半導体層構造を形成させる方法であって、
   少なくとも１つのドープされた窒化物半導体の副層と、少なくとも１つのドープされていない窒化物半導体の副層とを、別の層の少なくとも一部分の上に形成させることによって上記別の層の少なくとも一部分の上に変調ドープされた層を形成させるステップを含み、上記変調ドープされた層が、該変調ドープされた層の全体にわたって多くとも2E16ｃｍ^-3の実質的に均一なドーピング濃度を有することを特徴とする方法。
2. 上記形成ステップは、複数のドープされた窒化物半導体の副層と、複数のドープされていない窒化物半導体の副層との交互配列を、上記別の層の少なくとも一部分の上に形成させるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 上記形成ステップは、上記ドープされた窒化物半導体の副層から上記ドープされていない窒化物半導体の副層内へドーパントを拡散させて上記変調ドープされた層を形成させるステップを含み、上記変調ドープされた層が実質的に均一のドーピング濃度を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
4. 上記変調ドープされた層は、窒化ガリウム基半導体を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
5. 上記変調ドープされた層は、ＧaＮを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
6. 上記変調ドープされた層は、少なくとも0.2μｍの、そして多くとも10μｍの厚みを有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
7. 上記変調ドープされた層の上に接触金属層を形成させることによってショットキー接合を形成させるステップを更に含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
8. 上記別の層の別の部分の上にオーミック接触金属層を形成させるステップを更に含み、上記ショットキーダイオードのオン抵抗と、上記ショットキーダイオードの降伏電圧との比が多くとも２×10^-5Ω・ｃｍ²／Ｖであることを特徴とする請求項７に記載の方法。
9. 上記ショットキー接触金属層は、白金（Ｐt）、パラジウム（Ｐd）、及びニッケル（Ｎi）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
10. 上記オーミック接触金属層は、アルミニウム／チタン／白金／金（Ａl／Ｔi／Ｐt／Ａu）、及びチタン／アルミニウム／白金／金（Ｔi／Ａl／Ｐt／Ａu）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
11. 上記少なくとも１つのドープされた窒化物半導体の副層内のドーパントを上記少なくとも１つのドープされていない窒化物半導体の副層内へ拡散させるステップを更に含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
12. 上記ドーパントを拡散させるステップは、エピタキシャル成長中に基体を加熱するステップを含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
13. 上記別の層は、高くドープされた窒化物基半導体層であり、上記高くドープされた窒化物基半導体層をエピタキシャル成長プロセスを使用して形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
14. 上記変調ドープされた層の一部分をエッチングによって除去して上記高くドープされた窒化物基半導体層を露出させるステップを更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。

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