JP5019638B2 - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents
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Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。
近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。
この有機ＥＬ素子は、正孔注入電極（陽極）から正孔を注入するとともに、電子注入電極（陰極）から電子を注入し、発光層で正孔と電子とを再結合させて発光を得るものである。フルカラー表示を得るためには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）にそれぞれ発光する画素を構成する必要がある。赤、緑、青の各画素を構成する有機ＥＬ素子の発光層には、赤色、緑色、青色といったそれぞれ異なる発光スペクトルで発光する発光材料を塗り分ける必要がある。このような発光材料を塗り分ける方法として、真空蒸着法がある。このような真空蒸着法によって低分子系の有機ＥＬ材料を成膜する場合、各色の画素毎に開口した金属性のファインマスクを用いてそれぞれ独立にマスク蒸着する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
有機ＥＬ素子において、青色に発光する有機ＥＬ素子については、色純度の向上が要望されている。すなわち、フルカラー表示を実現するにあたり、赤色及び緑色については比較的高い色純度が得られるのに対して、材料の特性などにより青色の色純度が比較的低い場合、所望の色を表示する際に青味が不足しがちとなる。例えば、白を表示する際、青味が不足すると、黄色味を呈する。したがって、所望のホワイトバランスを実現するためには、青味の不足を補うために、青色に発光する有機ＥＬ素子に大電流を供給して高輝度化する必要がある。
これは、有機ＥＬ素子を駆動するのに必要な駆動電圧の高電圧化を招くだけでなく、特に、青色に発光する有機ＥＬ素子の寿命を縮めてしまうおそれがある。
本発明は、多色画像を表示可能とする表示装置であって、青色の色純度を向上し、駆動電圧の高電圧化の回避及び有機ＥＬ素子の長寿命化が可能な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
本発明の一態様によれば、
陽極と陰極との間に、赤色に発光する第１発光層及びホールブロッキング層を有する第１有機層を備えた第１有機ＥＬ素子と、
陽極と陰極との間に、緑色に発光する第２発光層を有する第２有機層を備え、前記第１有機ＥＬ素子よりも薄い第２有機ＥＬ素子と、
陽極と陰極との間に、青色に発光する第３発光層を有する第３有機層を備え、前記第１有機ＥＬ素子よりも厚い第３有機ＥＬ素子と、
を具備することを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
陽極と陰極との間に、赤色に発光する第１発光層及びホールブロッキング層を有する第１有機層を備えた第１有機ＥＬ素子と、
陽極と陰極との間に、緑色に発光する第２発光層を有する第２有機層を備え、前記第１有機ＥＬ素子よりも薄い第２有機ＥＬ素子と、
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を具備することを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
また、本発明の一態様によれば、
反射層を含む陽極と半透過層を含む陰極との間に、赤色に発光する第１発光層を有する第１有機層を備えた第１有機ＥＬ素子と、
反射層を含む陽極と半透過層を含む陰極との間に、緑色に発光する第２発光層を有する第２有機層を備えるとともに前記反射層と前記半透過層との間の厚さが第１有機ＥＬ素子よりも薄い第２有機ＥＬ素子と、
反射層を含む陽極と半透過層を含む陰極との間に、青色に発光する第３発光層を有する第３有機層を備えるとともに前記反射層と前記半透過層との間の厚さが第１有機ＥＬ素子よりも厚い第３有機ＥＬ素子と、
を具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
反射層を含む陽極と半透過層を含む陰極との間に、赤色に発光する第１発光層を有する第１有機層を備えた第１有機ＥＬ素子と、
反射層を含む陽極と半透過層を含む陰極との間に、緑色に発光する第２発光層を有する第２有機層を備えるとともに前記反射層と前記半透過層との間の厚さが第１有機ＥＬ素子よりも薄い第２有機ＥＬ素子と、
反射層を含む陽極と半透過層を含む陰極との間に、青色に発光する第３発光層を有する第３有機層を備えるとともに前記反射層と前記半透過層との間の厚さが第１有機ＥＬ素子よりも厚い第３有機ＥＬ素子と、
を具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
本発明によれば、多色画像を表示可能とする表示装置であって、青色の色純度を向上し、駆動電圧の高電圧化の回避及び有機ＥＬ素子の長寿命化が可能な有機ＥＬ表示装置を提供することが可能となる。
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
本実施形態では、有機ＥＬ表示装置の一例として、アクティブマトリクス駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置について説明する。
図１に示すように、この有機ＥＬ表示装置は、表示パネルＤＰを有している。表示パネルＤＰは、例えば、ガラス基板などの絶縁性の基板ＳＵＢを備えている。
画素ＰＸ１乃至３は、この順にＸ方向に並んでおり、表示画素の最小単位であるトリプレット（単位画素）を構成している。表示領域内では、このトリプレットがＸ方向とＹ方向とに配列されている。すなわち、表示領域内では、画素ＰＸ１をＹ方向に並べてなる画素列と、画素ＰＸ２をＹ方向に並べてなる画素列と、画素ＰＸ３をＹ方向に並べてなる画素列とがこの順にＸ方向に並べられ、さらに、これら３つの画素列がＸ方向に繰り返し並べられている。
走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、各々がＸ方向に延在しており、Ｙ方向に交互に配列している。映像信号線ＤＬは、各々がＹ方向に延在しており、Ｘ方向に配列している。
画素ＰＸ１乃至３の各々は、駆動トランジスタＤＲと、スイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、キャパシタＣとを有している。この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。
駆動トランジスタＤＲとスイッチングトランジスタＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。電源端子ＮＤ１は、電源線ＰＳＬに接続されている。
スイッチングトランジスタＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｂは映像信号線ＤＬと駆動トランジスタＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｃは駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。キャパシタＣは、駆動トランジスタＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。この例では、定電位端子ＮＤ１’は、電源端子ＮＤ１に接続されている。
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、例えば、基板ＳＵＢの上に配置されている。すなわち、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、チップ・オン・グラス（ＣＯＧ）実装されている。なお、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、ＣＯＧ実装する代わりに、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）実装してもよい。或いは、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、基板ＳＵＢの上に直接形成されてもよい。
映像信号線ドライバＸＤＲには、映像信号線ＤＬが接続されている。映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号として電流信号を出力する。
走査信号線ドライバＹＤＲには、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が接続されている。走査信号線ドライバＹＤＲは、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２にそれぞれ第１及び第２走査信号としての電圧信号を出力する。
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線ＳＬ２を順次走査する。すなわち、画素ＰＸ１乃至３を行毎に選択する。或る行を選択している選択期間では、その行に含まれる画素ＰＸ１乃至３に対して書込動作を行う。そして、その行を選択していない非選択期間では、その行に含まれる画素ＰＸ１乃至３で表示動作を行う。
或る行の画素ＰＸ１乃至３を選択する選択期間では、走査信号線ドライバＹＤＲは、先の画素ＰＸ１乃至３が接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチングトランジスタＳＷａを開く（非導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸ１乃至３が接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号（書込電流）Ｉｓｉｇとして出力し、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを、先の映像信号Ｉｓｉｇに対応した大きさに設定する。
その後、走査信号線ドライバＹＤＲは、先の画素ＰＸ１乃至３が接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸ１乃至３が接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。これにより、選択期間を終了する。
選択期間に続く非選択期間では、スイッチングトランジスタＳＷａは閉じたままとし、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃは開いたままとする。非選択期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応した大きさの駆動電流Ｉｄｒｖが流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流Ｉｄｒｖの大きさに対応した輝度で発光する。ここで、Ｉｄｒｖ≒Ｉｓｉｇとなり、各画素で、電流信号（書込電流）Ｉｓｉｇに対応した発光を得ることができる。
尚、上記した例は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを駆動するための画素回路として、映像信号として電流信号を書き込む構成を採用したものであるが、画素回路に映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用することも可能であり、特に上記の例に限定したものではない。また、本態様では、ｐチャネル薄膜トランジスタを使用したが、ｎチャネル薄膜トランジスタを使用しても、本発明の本質を変えるものではない。また、画素回路は、上記した例に限らず、種々の形態を適用可能である。
図２には、スイッチングトランジスタＳＷａ及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含む表示パネルＤＰの断面構造が概略的に示されている。
図２に示すように、基板ＳＵＢ上には、スイッチングトランジスタＳＷａの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。
半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜ＧＩによって被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ（ＴＥＯＳ）などを用いて形成されている。ゲート絶縁膜ＧＩの上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチングトランジスタＳＷａのゲートＧが配置されている。このゲートＧは、走査信号線ＳＬ１の一部であり、上述した走査信号線ＳＬ２とともに同一材料を用いて同一の工程で形成することができる。このゲートＧは、例えばモリブデン・タングステン（ＭｏＷ）によって形成されている。
この例では、スイッチングトランジスタＳＷａは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタであり、上述した駆動トランジスタＤＲ及び他のスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃと同一構造である。
ゲート絶縁膜ＧＩ及びゲートＧは、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２などとともに層間絶縁膜ＩＩによって被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）法により堆積させたシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などを用いて形成されている。
層間絶縁膜ＩＩの上には、スイッチングトランジスタＳＷａのソースＳＥ及びドレインＤＥが配置されている。ソースＳＥは、層間絶縁膜ＩＩ及びゲート絶縁膜ＧＩに形成されたコンタクトホールを介して半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳに接続されている。ドレインＤＥは、層間絶縁膜ＩＩ及びゲート絶縁膜ＧＩに形成されたコンタクトホールを介して半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤに接続されている。
これらのソースＳＥ及びドレインＤＥは、例えば、モリブデン（Ｍｏ）／アルミニウム（Ａｌ）／モリブデン（Ｍｏ）の三層を積層した構造を有しており、同一の工程で形成することができる。これらのソースＳＥ及びドレインＤＥとは、パッシベーション膜ＰＳによって被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などを用いて形成されている。
画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳの上において、画素ＰＸ１乃至３に対応してそれぞれ配置されている。各画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに形成されたコンタクトホールを介してスイッチングトランジスタＳＷａのドレインＤＥに接続されている。この画素電極ＰＥは、この例では陽極に相当する。
パッシベーション膜ＰＳの上には、隔壁ＰＩが配置されている。隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの全周を囲むように格子状に配置されている。なお、この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの間のＹ方向に延びたストライプ状に配置されても良い。このような隔壁ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
各画素電極ＰＥの上には、有機層ＯＲＧが配置されている。有機層ＯＲＧは、全ての画素ＰＸ１乃至３を含む表示領域に亘って延在した連続膜を少なくとも１層含んでいる。すなわち、有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥ及び隔壁ＰＩを被覆している。詳細については後述する。
有機層ＯＲＧは、対向電極ＣＥによって被覆されている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。この対向電極ＣＥは、全ての画素ＰＸ１乃至３を含む表示領域に亘って延在した連続膜である。つまり、対向電極ＣＥは、画素ＰＸ１乃至３で共用する共通電極である。
画素電極ＰＥと有機層ＯＲＧと対向電極ＣＥとは、各画素ＰＸに対応して配置された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成している。
すなわち、画素ＰＸ１は第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を備え、画素ＰＸ２は第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２を備え、画素ＰＸ３は第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３を備えている。なお、図２においては、画素ＰＸ１の第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、画素ＰＸ２の第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２、画素ＰＸ３の第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３がそれぞれ１つずつ図示されているが、Ｘ方向にこれらが繰り返し配置されている。つまり、図中の右側の第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に隣接して第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１が配置されている。同様に、図中の左側の第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に隣接して第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３が配置されている。
隔壁ＰＩは、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間に配置され、両者を分離している。また、この隔壁ＰＩは、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間に配置され、両者を分離している。また、この隔壁ＰＩは、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間に配置され、両者を分離している。
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の封止は、乾燥剤を付けた封止ガラス基板ＳＵＢ２を表示領域の周辺に塗布したシール材で貼り合わせて実施しても良いし、封止ガラス基板ＳＵＢ２をフリットガラスで貼り合わせて実施（フリット封止）しても良いし、さらに、封止ガラス基板ＳＵＢ２と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとの間に有機樹脂層を充填して実施（固体封止）しても良い。フリット封止の場合、乾燥剤を不要とすることができる。固体封止の場合、有機樹脂層に加えて対向電極ＣＥとの間に無機系材料からなる絶縁膜が介在していても良い。
本実施の形態においては、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の発光色は、互いに異なるように構成されている。ここに示した例では、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は赤色に発光し、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は緑色に発光し、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は青色に発光する。
なお、波長が４００ｎｍ乃至４３５ｎｍの範囲内にある光の色を紫、波長が４３５ｎｍ乃至４８０ｎｍの範囲内にある光の色を青、波長が４８０ｎｍ乃至４９０ｎｍの範囲内にある光の色を緑青、波長が４９０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲内にある光の色を青緑、波長が５００ｎｍ乃至５６０ｎｍの範囲内にある光の色を緑、波長が５６０ｎｍ乃至５８０ｎｍの範囲内にある光の色を黄緑、波長が５８０ｎｍ乃至５９５ｎｍの範囲内にある光の色を黄、波長が５９５ｎｍ乃至６１０ｎｍの範囲内にある光の色を橙、波長が６１０ｎｍ乃至７５０ｎｍの範囲内にある光の色を赤、波長が７５０ｎｍ乃至８００ｎｍの範囲内にある光の色を赤紫と定義するのが一般的であるが、ここでは、主波長が４００ｎｍ乃至４９０ｎｍの範囲内にある色を青色、主波長が４９０ｎｍより長く且つ５９５ｎｍよりも短い範囲内にある色を緑色、主波長が５９５ｎｍ乃至８００ｎｍの範囲内にある色を赤色と定義する。
図３には、トリプレットＴの構成例を示している。トリプレットＴは、Ｘ方向及びＹ方向の長さが略同等となる正方形状に形成されている。トリプレットＴは、画素ＰＸ１、画素ＰＸ２、及び、画素ＰＸ３によって構成されている。画素ＰＸ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を備え、赤色を表示する赤色画素ＰＸＲとなる。画素ＰＸ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２を備え、緑色を表示する緑色画素ＰＸＧとなる。画素ＰＸ３は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３を備え、青色を表示する青色画素ＰＸＢとなる。
第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光部ＥＡ２、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３は、それぞれＹ方向に延びた長方形状に形成されている。
発光部ＥＡ１乃至３の各々の面積の大小関係は、以下の通りである。
発光部ＥＡ１の面積＜発光部ＥＡ２の面積＜発光部ＥＡ３の面積
一例として、発光部ＥＡ１乃至３の各々の面積比は、以下の通りである。
一例として、発光部ＥＡ１乃至３の各々の面積比は、以下の通りである。
ＥＡ１：ＥＡ２：ＥＡ３＝１：１．３：２．７
ここでは、発光部ＥＡ１乃至３のＹ方向の長さは略同等であるため、上記した面積比は、発光部ＥＡ１乃至３のＸ方向の長さによって設定している。
ここでは、発光部ＥＡ１乃至３のＹ方向の長さは略同等であるため、上記した面積比は、発光部ＥＡ１乃至３のＸ方向の長さによって設定している。
このように、青色に発光する発光部ＥＡ３は、他の色に発光する発光部ＥＡ１及びＥＡ２よりも大きな面積になるように形成されている。このため、発光部ＥＡ３に供給されるキャリアが増えるので、十分な青味成分を提供するのに必要な駆動電圧の高電圧化を回避できる。このため、青色を表示する第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の長寿命化が可能となる。
なお、発光部ＥＡ１乃至３の各々の面積については、所望の特性が得られるように種々変更可能である。発光部ＥＡ１乃至３の各々の面積の大小関係は、図３に示した例に限らず、互いに略等しくしても良い。
（実施例１）
図４には、実施例１における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図４に示すように、画素ＰＸ１の第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、画素ＰＸ２の第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２、及び、画素ＰＸ３の第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、それぞれパッシベーション膜ＰＳの上に配置されている。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々は、画素電極ＰＥと、この画素電極ＰＥと向き合った対向電極ＣＥと、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に介在した有機層ＯＲＧと、を有している。
図４には、実施例１における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図４に示すように、画素ＰＸ１の第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、画素ＰＸ２の第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２、及び、画素ＰＸ３の第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、それぞれパッシベーション膜ＰＳの上に配置されている。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々は、画素電極ＰＥと、この画素電極ＰＥと向き合った対向電極ＣＥと、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に介在した有機層ＯＲＧと、を有している。
第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、以下のように構成されている。すなわち、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳの上に配置された反射層ＰＥＲ及び反射層の上に配置された透過層ＰＥＴを有している。第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層（第１有機層）ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、透過層ＰＥＴの上に配置された第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置された第１発光層ＥＭ１、第１発光層ＥＭ１の上に配置された電子輸送層ＥＴＬを有している。第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。
第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、以下のように構成されている。すなわち、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳの上に配置された反射層ＰＥＲ及び反射層の上に配置された透過層ＰＥＴを有している。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の有機層（第２有機層）ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、透過層ＰＥＴの上に配置された第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置された第２発光層ＥＭ２、第２発光層ＥＭ２の上に配置された電子輸送層ＥＴＬを有している。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。
第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、以下のように構成されている。すなわち、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳの上に配置された反射層ＰＥＲ及び反射層の上に配置された透過層ＰＥＴを有している。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層（第３有機層）ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、透過層ＰＥＴの上に配置された第２ホール輸送層ＨＴＬ２、第２ホール輸送層ＨＴＬ２の上に配置された第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置された第３発光層ＥＭ３、第３発光層ＥＭ３の上に配置された電子輸送層ＥＴＬを有している。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは、同一構造であり、反射層ＰＥＲの上に透過層ＰＥＴが積層された２層構造である。パッシベーション膜ＰＳと透過層ＰＥＴとの間に配置された反射層ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）によって形成されているが、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する他の導電材料によって形成されても良い。反射層ＰＥＲと有機層ＯＲＧとの間に配置された透過層ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）によって形成されているが、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する他の導電材料によって形成されても良い。このような第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは、実質的に同一の厚さを有している。
第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）によって形成されているが、他の材料によって形成されても良い。このような第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、実質的に同一の厚さを有している。
第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第１ホール輸送層ＨＴＬ１と同一材料によって形成可能であるが、他の材料によって形成されても良い。
電子輸送層ＥＴＬは、例えば、Ａｌｑ３によって形成されているが、他の材料によって形成されても良い。このような第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の電子輸送層ＥＴＬは、実質的に同一の厚さを有している。
第１乃至第３発光層ＥＭ１乃至３は、いずれもホスト材料を含んでいる。ホスト材料としては、たとえば、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニル−エテン−１−イル）−ジフェニル（略称；ＢＰＶＢＩ）が使用可能であるが、他の材料でも良い。
第１発光層ＥＭ１は、赤色波長に発光中心を有するルミネセンス性有機化合物又は組成物からなる第１発光材料（ドーパント材料）を含んでいる。この第１発光材料としては、例えば、４−（Ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｊｕｌｏｌｉｄｉｎ−４−ｙｌ−ｖｉｎｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ（略称；ＤＣＭ２）が使用可能であるが、他の材料でも良い。
第２発光層ＥＭ２は、緑色波長に発光中心を有するルミネセンス性有機化合物又は組成物からなる第２発光材料（ドーパント材料）を含んでいる。この第２発光材料としては、例えば、トリス（８−ヒドロキシキノラート）アルミニウム（略称；Ａｌｑ３）が使用可能であるが、他の材料でも良い。
第３発光層ＥＭ３は、青色波長に発光中心を有するルミネセンス性有機化合物又は組成物からなる第３発光材料（ドーパント材料）を含んでいる。この第３発光材料としては、例えば、ｂｉｓ［（４，６−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）−ｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ，Ｃ２’］（ｐｉｃｏｒｉｎａｔｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ（III）（略称；ＦIｒｐｉｃ）が使用可能であるが、他の材料でも良い。
これらの第１発光材料、第２発光材料、及び、第３発光材料は、蛍光材料であっても良いし、燐光材料であっても良い。
対向電極ＣＥは、半透過層によって構成された単層構造である。この対向電極ＣＥは、例えば、マグネシウム・銀によって形成されているが、他の導電材料によって形成されても良い。このような第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の対向電極ＣＥは、実質的に同一の厚さを有している。
本実施形態においては、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、発光した光を対向電極側から取り出す上面発光型を採用している。しかも、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、画素電極ＰＥの反射層ＰＥＲと、半透過層によって構成された対向電極ＣＥとにより、マイクロキャビティ構造を採用している。なお、有機層ＯＲＧを挟持する陰極または陽極が透明電極のみによって構成されている場合には、マイクロキャビティ構造が得られない。
このような本実施形態において、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１よりも薄く形成されている。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１より厚く形成されている。ここでの厚さ（あるいは膜厚）とは、パッシベーション膜ＰＳの法線方向つまりＺ方向に沿った距離に相当する。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の厚さとは、各画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間のパッシベーション膜ＰＳのＺ方向に沿った距離に相当する。
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の厚さの大小関係は、以下の通りである。
第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２＜第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１＜第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３
また、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の反射層ＰＥＲと半透過層である各対向電極ＣＥとの間の厚さの大小関係は、以下の通りである。
また、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の反射層ＰＥＲと半透過層である各対向電極ＣＥとの間の厚さの大小関係は、以下の通りである。
第２有機ＥＬ素子における厚さ＜第１有機ＥＬ素子における厚さ＜第３有機ＥＬ素子における厚さ
このような構成において、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、同次数の干渉効果を利用した素子構成を採用しても良い。ここでは、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、例えば０次干渉効果を利用した素子構成を採用することができる。
このような構成において、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、同次数の干渉効果を利用した素子構成を採用しても良い。ここでは、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、例えば０次干渉効果を利用した素子構成を採用することができる。
第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２よりも高次の干渉効果を利用した素子構成を採用しても良い。ここでは、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、例えば１次干渉効果を利用した素子構成を採用することができる。
このような第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３における厚さの差は、第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、及び、第２ホール輸送層ＨＴＬ２の膜厚によって形成される。
図４に示した例では、第１発光層ＥＭ１は、第２発光層ＥＭ２よりも厚い膜厚を有しており、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１が第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２よりも厚く形成される。また、第２ホール輸送層ＨＴＬ２及び第３発光層ＥＭ３は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３が第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１よりも厚く形成されるような膜厚を有している。
図５には、実施例１におけるトリプレットＴに配置された第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、及び、第２ホール輸送層ＨＴＬ２が模式的に示されている。
この図５に示すように、第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１と同等以上の面積に亘って配置されている。第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光部ＥＡ２と同等以上の面積に亘って配置されている。第３発光層ＥＭ３及び第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３と同等以上の面積に亘って配置されている。
図６には、実施例１における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネルＤＰの断面構造が概略的に示されている。なお、この図６では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の構造を明確とするために、図５とＸ方向の寸法が異なっている。
この図６に示すように、基板ＳＵＢと第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各反射層ＰＥＲとの間には、ゲート絶縁膜ＧＩ、層間絶縁膜ＩＩ、及び、パッシベーション膜ＰＳが介在している。各反射層ＰＥＲは、パッシベーション膜ＰＳの上に配置されている。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各透過層ＰＥＴは、各反射層ＰＥＲの上に配置されている。
第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の透過層ＰＥＴの上に配置されている。また、第２ホール輸送層ＨＴＬ２の一部は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各々の透過層ＰＥＴの上、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第２ホール輸送層ＨＴＬ２の上にそれぞれ配置されている。このような第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。
つまり、この第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、表示領域に亘って広がった連続膜であって、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に共通に配置されている。また、第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上に配置されている。
第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。また、第１発光層ＥＭ１の一部は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。また、第２発光層ＥＭ２の一部は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第３発光層ＥＭ３は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。また、第３発光層ＥＭ３の一部は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
電子輸送層ＥＴＬは、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１発光層ＥＭ１の上、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の第２発光層ＥＭ２の上、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第３発光層ＥＭ３の上にそれぞれ配置されている。このような電子輸送層ＥＴＬは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。
つまり、この電子輸送層ＥＴＬは、表示領域に亘って広がった連続膜であって、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に共通に配置されている。また、電子輸送層ＥＴＬは、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。
対向電極ＣＥは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。このような対向電極ＣＥは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。
つまり、この対向電極ＣＥは、表示領域に亘って広がった連続膜であって、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に共通に配置されている。また、対向電極ＣＥは、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、封止ガラス基板ＳＵＢ２を用いて封止されている。
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の厚さの一例を以下に示す。第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間の総膜厚は１２０ｎｍである。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間の総膜厚は９５ｎｍである。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間の総膜厚は１９２ｎｍである。
ただし、本実施形態では、干渉構成による制約のため、発光した光の色純度を確保するためには、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１における反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間の総膜厚は１１０ｎｍ〜１３０ｎｍの範囲が好ましい。同様に、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２における反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間の総膜厚は８５ｎｍ〜１０５ｎｍの範囲が好ましく、また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３における反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間の総膜厚は、１８２ｎｍ〜２０２ｎｍの範囲が好ましい。
これにより、本実施形態では、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は０次干渉構成を採用している。また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は１次干渉構成を採用している。
このように、青色に発光する第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、青色よりも長波長の色に発光する有機ＥＬ素子、すなわち赤色に発光する第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１や緑色に発光する第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２よりも厚く形成されている。このため、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２よりも高次の干渉効果を利用した素子構成を適用可能となるため、発光する青色の色純度を向上することができる。
したがって、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、低輝度で発光させても所望の色を表示することが可能となる。これにより、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の十分な青味成分を提供するのに必要な駆動電圧の高電圧化を回避できる。このため、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の長寿命化が可能となる。
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３において、同次数の干渉効果を利用した素子構成を採用した場合、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は最も短い波長の光を発光するため、最も薄く形成される。この場合、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３においては、第３発光層ＥＭ３と対向電極ＣＥとの距離が比較的短く、励起子が対向電極ＣＥに引き寄せられて発光に寄与しなくなる消光により、発光効率の低下が顕著となる。第３発光層ＥＭ３と対向電極ＣＥとの距離を十分に確保しようとすると、同次数の干渉効果を利用するためには、素子全体の厚さが決まっているため、第３発光層ＥＭ３の画素電極側の厚さが薄くなる。この場合、ホール輸送層ＨＴＬの厚さが薄くなり、キャリアバランスが劣化する。
本実施形態によれば、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２よりも高次の干渉効果を利用した素子構成が可能となる。このため、このような構成の第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３においては、第３発光層ＥＭ３と対向電極ＣＥとの距離を第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と同等に十分に確保して、対向電極ＣＥでの消光を抑制することが可能となる。加えて、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３においては、第３発光層ＥＭ３と画素電極ＰＥとの間のホール輸送層ＨＴＬ１及びＨＴＬ２の厚さも十分に確保して、キャリアバランスを改善することが可能となる。したがって、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３における発光効率を向上することができる。
また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２については、より低次の干渉効果を利用した素子構成を適用可能であるため、素子全体の厚さが薄くなり、駆動電圧の高電圧化を回避できる。したがって、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の全てにおいて、低消費電力化が可能となる。
このような本実施形態によれば、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の全てにおいて、高い色純度を得られることが確認された。また、白を表示した際の色味付きがなく、また、所望の色の多色画像を表示できることが確認された。
また、本実施形態によれば、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、電子輸送層ＥＴＬ、及び、対向電極ＣＥは、共通層であって、表示領域に亘って広がった連続膜である。このため、これらを蒸着法によって形成する際に、発光部ＥＡ１乃至３の各々に対応した微細な開口を形成したファインマスクが不要であり、マスクの製造コストを低減できる。また、これらの第１ホール輸送層ＨＴＬ１、電子輸送層ＥＴＬ、及び、対向電極ＣＥを形成する際にマスクに堆積する材料が減少し、これらを形成する材料の利用効率を向上できる。
さらに、本実施形態によれば、上面発光型を採用している。すなわち、発光した光を基板ＳＵＢ側から取り出す構造とは異なり、基板ＳＵＢの上に配置される各種薄膜トランジスタや各種配線による開口率の制限を受けることなく、発光した光を基板ＳＵＢとは反対側から取り出すことができる。したがって、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の発光部ＥＡ１乃至３の面積を十分に確保でき、高精細化に有利である。
なお、本実施形態において、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の採り得る素子バリエーションの一例を以下に説明する。
例えば、各々の有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥと第１ホール輸送層ＨＴＬ１との間にホール注入機能を有する薄膜、すなわちホール注入層を有していても良い。このようなホール注入層は、例えば銅フタロシアニンによって形成可能である。
また、対向電極ＣＥは、少なくとも半透過層を含んでいれば良く、上述したような半透過層のみの単層構造に限らず、さらに、透過層を積層した構造であっても良い。
また、対向電極ＣＥの上には、必要に応じて、光透過性を有する絶縁膜、例えばシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）を配置しても良い。このような絶縁膜は、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を保護する保護膜、あるいは、光学干渉を最適化するための光路長調整用に利用可能である。
また、有機層ＯＲＧの各々は、対向電極ＣＥと電子輸送層ＥＴＬとの間に電子注入機能を有する薄膜、すなわち電子注入層を有していても良い。このような電子注入層は、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）によって形成可能である。
また、電子輸送層ＥＴＬは、上述したような単層構造に限らず、２層以上の積層体であっても良い。同様に、第１ホール輸送層ＨＴＬ１及び第２ホール輸送層ＨＴＬ２の各々は、上述したような単層構造に限らず、それぞれ２層以上の積層体であっても良い。
また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３において、第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第１ホール輸送層ＨＴＬ１よりも画素電極側に配置されたが、第１ホール輸送層ＨＴＬ１よりも対向電極側に配置されても良い。
なお、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３のみに配置された第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３が一次干渉を利用した素子構成を実現するための素子全体の厚さ調整に利用可能である。このため、第２ホール輸送層ＨＴＬ２の膜厚が第１ホール輸送層ＨＴＬ１の膜厚より厚い場合がある。この場合、第２ホール輸送層ＨＴＬ２を形成する材料は、第１ホール輸送層ＨＴＬ１を形成する材料よりも安価な材料を適用することが望ましい。
また、本実施形態のように、第２ホール輸送層ＨＴＬ２が第１ホール輸送層ＨＴＬ１よりも画素電極側に配置された構成においては、第１ホール輸送層ＨＴＬ１と第２ホール輸送層ＨＴＬ２とでは異なる特性が要求される。すなわち、厚さ調整用の第２ホール輸送層ＨＴＬ２が第１ホール輸送層ＨＴＬ１より厚く形成される場合には、駆動電圧の高電圧化を招かないように、第２ホール輸送層ＨＴＬ２を形成する材料は、相対的にホール移動度が高い特性を有する材料を適用することが望ましい。特に、第２ホール輸送層ＨＴＬ２の上に第１ホール輸送層ＨＴＬ１が積層される構成においては、第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、そのホール移動度が第１ホール輸送層ＨＴＬ１のホール移動度より高い材料を選択して形成されることが望ましい。一方で、第３発光層ＥＭ３に接する第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、経時変化の小さい特性、つまり高い安定性を有する材料を選択して形成されることが望ましい。
次に、本実施形態の他の実施例について説明する。なお、以下に説明する実施例２乃至７においては、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は０次干渉効果を利用した素子構成とし、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は一次干渉効果を利用した素子構成としている。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の反射層と対向電極との間の総膜厚は、実施例１と同等である。
（実施例２）
図７には、実施例２における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図７に示した実施例２は、図４に示した実施例１と比較して、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいて、第１発光層ＥＭ１と電子輸送層ＥＴＬとの間に第３発光層ＥＭ３を追加した点で異なる。この第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第３発光層ＥＭ３は、ホールブロッキング層であり、発光しない。
図７には、実施例２における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図７に示した実施例２は、図４に示した実施例１と比較して、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいて、第１発光層ＥＭ１と電子輸送層ＥＴＬとの間に第３発光層ＥＭ３を追加した点で異なる。この第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第３発光層ＥＭ３は、ホールブロッキング層であり、発光しない。
画素ＰＸ１の第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、画素ＰＸ２の第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２、及び、画素ＰＸ３の第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、それぞれパッシベーション膜ＰＳの上に配置されている。
第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１では、反射層ＰＥＲと半透過層である対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭ１、第３発光層ＥＭ３、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２では、反射層ＰＥＲと半透過層である対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第２発光層ＥＭ２、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３では、反射層ＰＥＲと半透過層である対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、第２ホール輸送層ＨＴＬ２、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第３発光層ＥＭ３、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。
図８には、実施例２におけるトリプレットＴに配置された第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、及び、第２ホール輸送層ＨＴＬ２が模式的に示されている。この図８に示した実施例２は、図５に示した実施例１と比較して、第３発光層ＥＭ３がＸ方向に隣接する第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３に亘って配置された点で異なる。
第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１と同等以上の面積に亘って配置されている。第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光部ＥＡ２と同等以上の面積に亘って配置されている。第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３と同等以上の面積に亘って配置されている。
図９には、実施例２における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネルＤＰの断面構造が概略的に示されている。なお、この図９では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の構造を明確とするために、図８とＸ方向の寸法が異なっている。
この図９に示した実施例２は、図６に示した実施例１と比較して、第３発光層ＥＭ３が第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３のみならず、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に延在している点で異なる。
基板ＳＵＢと各反射層ＰＥＲとの間には、ゲート絶縁膜ＧＩ、層間絶縁膜ＩＩ、及び、パッシベーション膜ＰＳが介在している。パッシベーション膜ＰＳの上には、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴが積層されている。
第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の透過層ＰＥＴの上に配置され、また、その一部が第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、実施例１と同様に、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。また、第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上に配置されている。
第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置され、また、その一部が第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置され、また、その一部が第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第３発光層ＥＭ３は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に配置されるとともに、Ｘ方向において、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に隣接する第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に延在している。すなわち、第３発光層ＥＭ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１発光層ＥＭ１の上、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上にそれぞれ配置されている。また、第３発光層ＥＭ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間の隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の各々の第３発光層ＥＭ３は、同一材料を用いて同一工程で形成され、実質的な膜厚は同一である。
電子輸送層ＥＴＬは、実施例１と同様に、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。また、電子輸送層ＥＴＬは、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、及び、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。また、電子輸送層ＥＴＬは、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第３発光層ＥＭ３の上に配置されている。
対向電極ＣＥは、実施例１と同様に、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、封止ガラス基板ＳＵＢ２を用いて封止されている。
反射層ＰＥＲ、透過層ＰＥＴ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第２ホール輸送層ＨＴＬ２、第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、電子輸送層ＥＴＬ、及び、対向電極ＣＥは、実施例１と同一材料によって形成可能である。
このような実施例２においても、実施例１と同様の効果が得られる。
加えて、第３発光層ＥＭ３は、隣接する第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に亘って延在した連続膜である。このため、第３発光層ＥＭ３を蒸着法によって形成する際に、発光部ＥＡ３に対応した微細な開口を形成したファインマスクを適用する代わりに、隣接する発光部ＥＡ１及び発光部ＥＡ３を繋ぐ開口を形成したマスクが適用される。つまり、マスクの開口寸法を拡大することができ、マスクの製造コストを低減できる。また、第３発光層ＥＭ３を形成する際にマスクに堆積する材料が減少し、第３発光層ＥＭ３を形成するための材料の利用効率を向上できる。
さらに、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に配置された第３発光層ＥＭ３は、光路長調整用に利用可能であるため、第３発光層ＥＭ３の膜厚分だけ第１発光層ＥＭ１の膜厚を低減できる。このため、第１発光層ＥＭ１を形成するための材料の使用量を低減できるとともに、材料費を低減できる。
また、この実施例２によれば、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいて、第３発光層ＥＭ３は、第１発光層ＥＭ１と電子輸送層ＥＴＬとの間に配置されている。このように、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１において、第１発光層ＥＭ１の第１発光材料よりも広いバンドギャップを有する第３発光材料を含む第３発光層ＥＭ３は、第１発光層ＥＭ１よりも対向電極側においてホールブロッキング層として機能する。このため、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１におけるキャリアバランスが改善し、発光効率を改善できる。
第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１において、第１発光材料を含む第１発光層ＥＭ１と第３発光材料を含む第３発光層ＥＭ３とが積層されているが、励起エネルギーの最も低い第１発光材料が励起状態から最も発光しやすい。このため、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１においては、第１発光層ＥＭ１から赤色が発光する。
なお、第２発光材料も第１発光材料よりも広いバンドギャップを有している。このため、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧは、第１発光層ＥＭ１と電子輸送層ＥＴＬとの間に、ホールブロッキング層として、第２発光材料を含む第２発光層ＥＭ２を有していても良い。この場合、第２発光層ＥＭ２は、Ｘ方向において、隣接する第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に亘って延在し、これらの第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上にも配置される。
また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧは、第１発光層ＥＭ１と電子輸送層ＥＴＬとの間に、ホールブロッキング層として、第２発光層ＥＭ２及び第３発光層ＥＭ３を有していてもよい。
つまり、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧは、第１発光層ＥＭ１と電子輸送層ＥＴＬとの間において、第２発光層ＥＭ２及び第３発光層ＥＭ３の少なくとも１つの発光層を有していれば良い。この場合、第２発光層ＥＭ２及び第３発光層ＥＭ３の少なくとも１つの発光層は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおいてホールブロッキング層として機能する。
但し、第３発光材料と第１発光材料とのバンドギャップの差は、第２発光材料と第１発光材料とのバンドギャップの差よりも大きい。このため、第１発光層ＥＭ１に積層される発光層としては、第３発光材料を含む第３発光層ＥＭ３の方が、第２発光材料を含む第２発光層ＥＭ２よりもホールブロッキング効果が高い。したがって、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおいては、第１発光層ＥＭ１に第３発光層ＥＭ３を積層することが望ましい。
この実施例２は、上述した実施例１で説明した素子バリエーションのいずれも採用できる。
（実施例３）
図１０には、実施例３における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図１０に示した実施例３は、図７に示した実施例２と比較して、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の有機層ＯＲＧにおいて、第２発光層ＥＭ２と電子輸送層ＥＴＬとの間に第３発光層ＥＭ３を追加した点で異なる。第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各々の有機層ＯＲＧにおいては、第３発光層ＥＭ３は発光しない。
図１０には、実施例３における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図１０に示した実施例３は、図７に示した実施例２と比較して、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の有機層ＯＲＧにおいて、第２発光層ＥＭ２と電子輸送層ＥＴＬとの間に第３発光層ＥＭ３を追加した点で異なる。第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各々の有機層ＯＲＧにおいては、第３発光層ＥＭ３は発光しない。
画素ＰＸ１の第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、画素ＰＸ２の第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２、及び、画素ＰＸ３の第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、それぞれパッシベーション膜ＰＳの上に配置されている。
第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭ１、第３発光層ＥＭ３、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、第２ホール輸送層ＨＴＬ２、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第３発光層ＥＭ３、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。
図１１には、実施例３におけるトリプレットＴに配置された第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、及び、第２ホール輸送層ＨＴＬ２が模式的に示されている。この図１１に示した実施例３は、図８に示した実施例２と比較して、第３発光層ＥＭ３がＸ方向に隣接する第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光部ＥＡ２、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３に亘って配置された点で異なる。
第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１と同等以上の面積に亘って配置されている。第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光部ＥＡ２と同等以上の面積に亘って配置されている。第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３と同等以上の面積に亘って配置されている。
図１２には、実施例３における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネルＤＰの断面構造が概略的に示されている。なお、この図１２では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の構造を明確とするために、図１１とＸ方向の寸法が異なっている。
この図１２に示した実施例３は、図９に示した実施例２と比較して、第３発光層ＥＭ３が第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３のみならず、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に延在している点で異なる。
基板ＳＵＢと各反射層ＰＥＲとの間には、ゲート絶縁膜ＧＩ、層間絶縁膜ＩＩ、及び、パッシベーション膜ＰＳが介在している。パッシベーション膜ＰＳの上には、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴが積層されている。
第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の透過層ＰＥＴの上に配置され、また、その一部が第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上に配置されている。
第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置され、また、その一部が第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置され、また、その一部が第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第３発光層ＥＭ３は、Ｘ方向に並んだ第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。すなわち、第３発光層ＥＭ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１発光層ＥＭ１の上、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の第２発光層ＥＭ２の上、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上にそれぞれ配置されている。また、この第３発光層ＥＭ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の第３発光層ＥＭ３は、同一材料を用いて同一工程で形成され、実質的な膜厚は同一である。
電子輸送層ＥＴＬは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、第３発光層ＥＭ３の上に配置されている。
対向電極ＣＥは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、封止ガラス基板ＳＵＢ２を用いて封止されている。
反射層ＰＥＲ、透過層ＰＥＴ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第２ホール輸送層ＨＴＬ２、第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、電子輸送層ＥＴＬ、及び、対向電極ＣＥは、実施例１と同一材料によって形成可能である。
このような実施例３においても、実施例２と同様の効果が得られる。
加えて、第３発光層ＥＭ３は、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在した連続膜である。このため、第３発光層ＥＭ３を蒸着法によって形成する際に、発光部ＥＡ３に対応した微細な開口を形成したファインマスクを適用する代わりに、発光部ＥＡ１乃至３を繋ぐ開口を形成したマスクが適用される。つまり、マスクの開口寸法を実施例２よりもさらに拡大することができ、マスクの製造コストを低減できる。また、第３発光層ＥＭ３を形成する際にマスクに堆積する材料が実施例２よりもさらに減少し、第３発光層ＥＭ３を形成するための材料の利用効率を向上できる。
さらに、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に配置された第３発光層ＥＭ３は、光路長調整用に利用可能である。このため、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１において、第３発光層ＥＭ３の膜厚分だけ第１発光層ＥＭ１の膜厚を低減できる。同様に、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２において、第３発光層ＥＭ３の膜厚分だけ第２発光層ＥＭ２の膜厚を低減できる。このため、第１発光層ＥＭ１及び第２発光層ＥＭ２を形成するための材料の使用量を低減できるとともに、材料費を低減できる。
この実施例３は、上述した実施例１で説明した素子バリエーションのいずれも採用できる。
（実施例４）
図１３には、実施例４における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図１３に示した実施例４は、図７に示した実施例２と比較して、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各々の有機層ＯＲＧにおいて画素電極ＰＥと第１ホール輸送層ＨＴＬ１との間にバッファ層ＢＵＦを追加した点、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいて、画素電極ＰＥと第２ホール輸送層ＨＴＬ２との間にバッファ層ＢＵＦを追加した点で異なる。なお、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第３発光層ＥＭ３は発光しない。
図１３には、実施例４における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図１３に示した実施例４は、図７に示した実施例２と比較して、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各々の有機層ＯＲＧにおいて画素電極ＰＥと第１ホール輸送層ＨＴＬ１との間にバッファ層ＢＵＦを追加した点、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいて、画素電極ＰＥと第２ホール輸送層ＨＴＬ２との間にバッファ層ＢＵＦを追加した点で異なる。なお、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第３発光層ＥＭ３は発光しない。
画素ＰＸ１の第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、画素ＰＸ２の第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２、及び、画素ＰＸ３の第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、それぞれパッシベーション膜ＰＳの上に配置されている。
第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭ１、第３発光層ＥＭ３、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第２発光層ＥＭ２、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第２ホール輸送層ＨＴＬ２、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第３発光層ＥＭ３、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。
この実施例４におけるトリプレットＴに配置された第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、及び、第２ホール輸送層ＨＴＬ２のレイアウトは、実施例２における図８に示したレイアウトと同一であるため、図示を省略する。
図１４には、実施例４における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネルＤＰの断面構造が概略的に示されている。この図１４に示した実施例４は、図９に示した実施例２と比較して、バッファ層ＢＵＦが第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している点で異なる。なお、その他の構成については、図９に示した実施例２と同一である。
この実施例４に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は以下のような手順にて製造可能である。
すなわち、基板ＳＵＢの上に、順次、ゲート絶縁膜ＧＩ、層間絶縁膜ＩＩ、及び、パッシベーション膜ＰＳを形成する。そして、パッシベーション膜ＰＳの上に、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴを形成する。その後、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の透過層ＰＥＴを囲む隔壁ＰＩを形成する。
そして、ラフマスクを用いて第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘ってバッファ層ＢＵＦを形成する。このバッファ層ＢＵＦは、少なくともホール注入機能を有し、各透過層ＰＥＴ及び隔壁ＰＩの上に成膜された後にリフローイング処理される。
その後、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に対応した開口を有するファインマスクを用いて、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３におけるバッファ層ＢＵＦの上に第２ホール輸送層ＨＴＬ２を形成する。
その後、ラフマスクを用いて第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って第１ホール輸送層ＨＴＬ１を形成する。
その後、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に対応した開口を有するファインマスクを用いて、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１における第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に第１発光層ＥＭ１を形成する。そして、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に対応した開口を有するファインマスクを用いて、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２における第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に第２発光層ＥＭ２を形成する。
そして、Ｘ方向に隣接する第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３を繋いだ開口を有するマスクを用いて、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１における第１発光層ＥＭ１の上及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３における第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に第３発光層ＥＭ３を形成する。
その後、ラフマスクを用いて第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って電子輸送層ＥＴＬを形成した後に、ラフマスクを用いて第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って対向電極ＣＥを形成する。
このようにして形成された第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、封止ガラス基板ＳＵＢ２を用いて封止されている。
反射層ＰＥＲ、透過層ＰＥＴ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第２ホール輸送層ＨＴＬ２、第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、電子輸送層ＥＴＬ、及び、対向電極ＣＥは、実施例１と同一材料によって形成可能である。
このような実施例４においても、実施例２と同様の効果が得られる。
加えて、バッファ層ＢＵＦは、リフローイング処理により画素電極ＰＥの表面の異物の影響を緩和する機能を有している。これにより、電極間ショートや膜欠陥の発生を抑制できる。
また、バッファ層ＢＵＦは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在した連続膜である。このため、バッファ層ＢＵＦを蒸着法によって形成する際に、発光部ＥＡ１乃至３を繋いだ開口を形成したマスクが適用される。つまり、バッファ層ＢＵＦを形成するためのファインマスクが不要である。
さらに、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に配置されたバッファ層ＢＵＦは、光路長調整用に利用可能である。このため、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２において、バッファ層ＢＵＦの膜厚分だけ第１ホール輸送層ＨＴＬ１の膜厚を低減できる。同様に、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３において、バッファ層ＢＵＦの膜厚分だけ第１ホール輸送層ＨＴＬ１及び第２ホール輸送層ＨＴＬ２の膜厚を低減できる。このため、第１ホール輸送層ＨＴＬ１及び第２ホール輸送層ＨＴＬ２を形成するための材料の使用量を低減できるとともに、材料費を低減できる。
この実施例４は、上述した実施例１で説明した素子バリエーションのいずれも採用できる。
（実施例５）
図１５には、実施例５における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図１５に示した実施例５は、図１３に示した実施例４と比較して、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいて、第２発光層ＥＭ２を追加した点及び第２発光層ＥＭ２と第３発光層ＥＭ３との間に第２ホール輸送層ＨＴＬ２を配置した点で異なる。なお、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第３発光層ＥＭ３は発光しない。また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいては、第２発光層ＥＭ２は発光しない。
図１５には、実施例５における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図１５に示した実施例５は、図１３に示した実施例４と比較して、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいて、第２発光層ＥＭ２を追加した点及び第２発光層ＥＭ２と第３発光層ＥＭ３との間に第２ホール輸送層ＨＴＬ２を配置した点で異なる。なお、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第３発光層ＥＭ３は発光しない。また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいては、第２発光層ＥＭ２は発光しない。
画素ＰＸ１の第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、画素ＰＸ２の第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２、及び、画素ＰＸ３の第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、それぞれパッシベーション膜ＰＳの上に配置されている。
第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭ１、第３発光層ＥＭ３、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第２発光層ＥＭ２、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第２発光層ＥＭ２、第２ホール輸送層ＨＴＬ２、第３発光層ＥＭ３、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。
図１６には、実施例５におけるトリプレットＴに配置された第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、及び、第２ホール輸送層ＨＴＬ２が模式的に示されている。この図１６に示した実施例５は、実施例４と比較して、第２発光層ＥＭ２がＸ方向に隣接する第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光部ＥＡ２及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３に亘って配置された点で異なる。
第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１と同等以上の面積に亘って配置されている。第３発光層ＥＭ３は、Ｘ方向に隣接する第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３及び第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１に亘って配置されている。第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３と同等以上の面積に亘って配置されている。
図１７には、実施例５における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネルＤＰの断面構造が概略的に示されている。なお、この図１７では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の構造を明確とするために、図１６とＸ方向の寸法が異なっている。
この図１７に示した実施例５は、図１４に示した実施例４と比較して、第２発光層ＥＭ２が第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２のみならず、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に延在している点で異なる。
基板ＳＵＢと各反射層ＰＥＲとの間には、ゲート絶縁膜ＧＩ、層間絶縁膜ＩＩ、及び、パッシベーション膜ＰＳが介在している。パッシベーション膜ＰＳの上には、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴが積層されている。
バッファ層ＢＵＦは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上に配置されている。
第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、バッファ層ＢＵＦの上に配置されている。
第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置され、また、その一部が第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に配置されるとともに、Ｘ方向において、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に隣接する第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に延在している。すなわち、第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上にそれぞれ配置されている。また、この第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の各々の第２発光層ＥＭ２は、同一材料を用いて同一工程で形成され、実質的な膜厚は同一である。
第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第２発光層ＥＭ２の上に配置され、また、その一部が第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第３発光層ＥＭ３は、Ｘ方向に並んだ第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に亘って延在している。すなわち、第３発光層ＥＭ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１発光層ＥＭ１の上、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第２ホール輸送層ＨＴＬ２の上にそれぞれ配置されている。また、この第３発光層ＥＭ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の各々の第３発光層ＥＭ３は、同一材料を用いて同一工程で形成され、実質的な膜厚は同一である。
電子輸送層ＥＴＬは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。また、電子輸送層ＥＴＬは、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第２発光層ＥＭ２の上に配置されている。また、電子輸送層ＥＴＬは、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第３発光層ＥＭ３の上に配置されている。
対向電極ＣＥは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、封止ガラス基板ＳＵＢ２を用いて封止されている。
このような実施例５においても、実施例４と同様の効果が得られる。
加えて、第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に亘って延在した連続膜である。このため、第２発光層ＥＭ２を蒸着法によって形成する際に、発光部ＥＡ２に対応した微細な開口を形成したファインマスクを適用する代わりに、発光部ＥＡ２及び発光部ＥＡ３を繋ぐ開口を形成したマスクが適用される。つまり、マスクの開口寸法を拡大することができ、マスクの製造コストを低減できる。また、第２発光層ＥＭ２を形成する際にマスクに堆積する材料が減少し、第２発光層ＥＭ２を形成するための材料の利用効率を向上できる。
さらに、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に配置された第２発光層ＥＭ２は、光路長調整用に利用可能であるため、第２発光層ＥＭ２の膜厚分だけ第２ホール輸送層ＨＴＬ２の膜厚を低減できる。このため、第２ホール輸送層ＨＴＬ２を形成するための材料の使用量を低減できるとともに、材料費を低減できる。
また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧは、第３発光層ＥＭ３の画素電極側に第２発光層ＥＭ２を有している。この第２発光層ＥＭ２は、第１ホール輸送層ＨＴＬ１と第２ホール輸送層ＨＴＬ２との間に配置されているため、ホール輸送性を有する材料によって形成されている。つまり、この実施例５において、緑色に発光する第２発光材料を含む第２発光層ＥＭ２は、第３ホール輸送層として機能する。このように第２発光層ＥＭ２を形成する材料として、ホール輸送性を有する材料を選択することにより、画素電極ＰＥから第３発光層ＥＭ３へのホール輸送が阻害されず、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３での駆動電圧の高電圧化や発光効率の低下を回避できる。
この実施例５は、上述した実施例１で説明した素子バリエーションのいずれも採用できる。
（実施例６）
図１８には、実施例６における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図１８に示した実施例６は、図１３に示した実施例４と比較して、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいて、第１発光層ＥＭ１を追加した点及び第１発光層ＥＭ１と第３発光層ＥＭ３との間に第２ホール輸送層ＨＴＬ２を配置した点で異なる。なお、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第３発光層ＥＭ３は発光しない。また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいては、第１発光層ＥＭ１は発光しない。
図１８には、実施例６における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図１８に示した実施例６は、図１３に示した実施例４と比較して、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいて、第１発光層ＥＭ１を追加した点及び第１発光層ＥＭ１と第３発光層ＥＭ３との間に第２ホール輸送層ＨＴＬ２を配置した点で異なる。なお、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第３発光層ＥＭ３は発光しない。また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいては、第１発光層ＥＭ１は発光しない。
画素ＰＸ１の第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、画素ＰＸ２の第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２、及び、画素ＰＸ３の第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、それぞれパッシベーション膜ＰＳの上に配置されている。
第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭ１、第３発光層ＥＭ３、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第２発光層ＥＭ２、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭ１、第２ホール輸送層ＨＴＬ２、第３発光層ＥＭ３、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。
図１９には、実施例６におけるトリプレットＴに配置された第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、及び、第２ホール輸送層ＨＴＬ２が模式的に示されている。この図１９に示した実施例６は、実施例４と比較して、第１発光層ＥＭ１がＸ方向に隣接する第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３に亘って配置された点で異なる。
第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光部ＥＡ２と同等以上の面積に亘って配置されている。第３発光層ＥＭ３は、Ｘ方向に隣接する第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３及び第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１に亘って配置されている。第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３と同等以上の面積に亘って配置されている。
図２０には、実施例６における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネルＤＰの断面構造が概略的に示されている。なお、この図２０では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の構造を明確とするために、図１９とＸ方向の寸法が異なっている。
この図２０に示した実施例６は、図１４に示した実施例４と比較して、第１発光層ＥＭ１が第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１のみならず、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に延在している点で異なる。
基板ＳＵＢと各反射層ＰＥＲとの間には、ゲート絶縁膜ＧＩ、層間絶縁膜ＩＩ、及び、パッシベーション膜ＰＳが介在している。パッシベーション膜ＰＳの上には、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴが積層されている。
バッファ層ＢＵＦは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上に配置されている。
第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、バッファ層ＢＵＦの上に配置されている。
第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に配置されるとともに、Ｘ方向において、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に隣接する第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に延在している。すなわち、第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上にそれぞれ配置されている。また、この第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の各々の第１発光層ＥＭ１は、同一材料を用いて同一工程で形成され、実質的な膜厚は同一である。
第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置され、また、その一部が第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第１発光層ＥＭ１の上に配置され、また、その一部が第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第３発光層ＥＭ３は、Ｘ方向に並んだ第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に亘って延在している。すなわち、第３発光層ＥＭ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１発光層ＥＭ１の上、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第２ホール輸送層ＨＴＬ２の上にそれぞれ配置されている。また、この第３発光層ＥＭ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第１発光層ＥＭ１の上に配置されている。第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の各々の第３発光層ＥＭ３は、同一材料を用いて同一工程で形成され、実質的な膜厚は同一である。
電子輸送層ＥＴＬは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、及び、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。また、電子輸送層ＥＴＬは、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第３発光層ＥＭ３の上に配置されている。
対向電極ＣＥは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、封止ガラス基板ＳＵＢ２を用いて封止されている。
このような実施例６においても、実施例４と同様の効果が得られる。
加えて、第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に亘って延在した連続膜である。このため、第１発光層ＥＭ１を蒸着法によって形成する際に、発光部ＥＡ１に対応した微細な開口を形成したファインマスクを適用する代わりに、発光部ＥＡ１及び発光部ＥＡ３を繋ぐ開口を形成したマスクが適用される。つまり、マスクの開口寸法を拡大することができ、マスクの製造コストを低減できる。また、第１発光層ＥＭ１を形成する際にマスクに堆積する材料が減少し、第１発光層ＥＭ１を形成するための材料の利用効率を向上できる。
また、この実施例６において、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を形成するのに必要なファインマスクの最小開口寸法は、発光部ＥＡ２と略同等の寸法になる。すなわち、蒸着法によって形成される有機層ＯＲＧを構成する各層のうち、第２発光層ＥＭ２及び第２ホール輸送層ＨＴＬ２以外の層は、２以上の有機ＥＬ素子に亘って延在している。一方で、第２発光層ＥＭ２は発光部ＥＡ２と略同等の面積に亘って形成され、第２ホール輸送層ＨＴＬ２は発光部ＥＡ３と略同等の面積に亘って形成される。上述したように、発光部ＥＡ３の面積は発光部ＥＡ２の面積よりも大きく、発光部ＥＡ２の面積は発光部ＥＡ１の面積よりも大きい。このため、実施例６で適用されるファインマスクの最小開口寸法は発光部ＥＡ２の面積と略同等となり、他の実施例と比較して、最小開口寸法を拡大できる。したがって、この実施例６の構成は、高精細化に有利である。
さらに、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に配置された第１発光層ＥＭ１は、光路長調整用に利用可能であるため、第１発光層ＥＭ１の膜厚分だけ第２ホール輸送層ＨＴＬ２の膜厚を低減できる。このため、第２ホール輸送層ＨＴＬ２を形成するための材料の使用量を低減できるとともに、材料費を低減できる。
また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧは、第３発光層ＥＭ３の画素電極側に第１発光層ＥＭ１を有している。この第１発光層ＥＭ１は、第１ホール輸送層ＨＴＬ１と第２ホール輸送層ＨＴＬ２との間に配置されているため、ホール輸送性を有する材料によって形成されている。つまり、この実施例６において、赤色に発光する第１発光材料を含む第１発光層ＥＭ１は、第３ホール輸送層として機能する。このように第１発光層ＥＭ１を形成する材料として、ホール輸送性を有する材料を選択することにより、画素電極ＰＥから第３発光層ＥＭ３へのホール輸送が阻害されず、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３での駆動電圧の高電圧化や発光効率の低下を抑制できる。
この実施例６は、上述した実施例１で説明した素子バリエーションのいずれも採用できる。
（実施例７）
図２１には、実施例７における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図２１に示した実施例７は、図１８に示した実施例６と比較して、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいて、第１発光層ＥＭ１と第２ホール輸送層ＨＴＬ２との間に第２発光層ＥＭ２を追加した点で異なる。なお、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第３発光層ＥＭ３は発光しない。また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいては、第１発光層ＥＭ１及び第２発光層ＥＭ２は発光しない。
図２１には、実施例７における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図２１に示した実施例７は、図１８に示した実施例６と比較して、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいて、第１発光層ＥＭ１と第２ホール輸送層ＨＴＬ２との間に第２発光層ＥＭ２を追加した点で異なる。なお、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第３発光層ＥＭ３は発光しない。また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいては、第１発光層ＥＭ１及び第２発光層ＥＭ２は発光しない。
画素ＰＸ１の第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、画素ＰＸ２の第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２、及び、画素ＰＸ３の第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、それぞれパッシベーション膜ＰＳの上に配置されている。
第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭ１、第３発光層ＥＭ３、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第２発光層ＥＭ２、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第２ホール輸送層ＨＴＬ２、第３発光層ＥＭ３、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。
図２２には、実施例７におけるトリプレットＴに配置された第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、及び、第２ホール輸送層ＨＴＬ２が模式的に示されている。この図２２に示した実施例７は、図１９に示した実施例６と比較して、第２発光層ＥＭ２がＸ方向に隣接する第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光部ＥＡ２及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３に亘って配置された点で異なる。
第１発光層ＥＭ１及び第３発光層ＥＭ３は、Ｘ方向に隣接する第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３及び第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１に亘って配置されている。第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３と同等以上の面積に亘って配置されている。
図２３には、実施例７における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネルＤＰの断面構造が概略的に示されている。なお、この図２３では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の構造を明確とするために、図２２とＸ方向の寸法が異なっている。
この図２３に示した実施例７は、図２０に示した実施例６と比較して、第２発光層ＥＭ２が第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２のみならず、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に延在している点で異なる。
基板ＳＵＢと各反射層ＰＥＲとの間には、ゲート絶縁膜ＧＩ、層間絶縁膜ＩＩ、及び、パッシベーション膜ＰＳが介在している。パッシベーション膜ＰＳの上には、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴが積層されている。
バッファ層ＢＵＦは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上に配置されている。
第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、バッファ層ＢＵＦの上に配置されている。
第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に配置されるとともに、Ｘ方向において、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に隣接する第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に延在している。すなわち、第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上にそれぞれ配置されている。また、この第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の各々の第１発光層ＥＭ１は、同一材料を用いて同一工程で形成され、実質的な膜厚は同一である。
第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に配置されるとともに、Ｘ方向において、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に隣接する第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に延在している。すなわち、第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第１発光層ＥＭ１の上にそれぞれ配置されている。また、この第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の各々の第２発光層ＥＭ２は、同一材料を用いて同一工程で形成され、実質的な膜厚は同一である。
第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第２発光層ＥＭ２の上に配置され、また、その一部が第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第３発光層ＥＭ３は、Ｘ方向に並んだ第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に亘って延在している。すなわち、第３発光層ＥＭ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１発光層ＥＭ１の上、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第２ホール輸送層ＨＴＬ２の上にそれぞれ配置されている。また、この第３発光層ＥＭ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第１発光層ＥＭ１の上に配置されている。第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の各々の第３発光層ＥＭ３は、同一材料を用いて同一工程で形成され、実質的な膜厚は同一である。
電子輸送層ＥＴＬは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。また、電子輸送層ＥＴＬは、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第２発光層ＥＭ２の上に配置されている。また、電子輸送層ＥＴＬは、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第３発光層ＥＭ３の上に配置されている。
対向電極ＣＥは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、封止ガラス基板ＳＵＢ２を用いて封止されている。
このような実施例７においては、実施例５及び６の双方と同様の効果が得られる。
加えて、この実施例７において、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を形成するのに必要なファインマスクの最小開口寸法は、発光部ＥＡ３と略同等の寸法になる。すなわち、蒸着法によって形成される有機層ＯＲＧを構成する各層のうち、第２ホール輸送層ＨＴＬ２以外の層は、２以上の有機ＥＬ素子に亘って延在している。一方で、第２ホール輸送層ＨＴＬ２は発光部ＥＡ３と略同等の面積に亘って形成される。上述したように、発光部ＥＡ３の面積は発光部ＥＡ１及びＥＡ２の面積よりも大きい。このため、実施例７で適用されるファインマスクの最小開口寸法は発光部ＥＡ３の面積と略同等となり、実施例６と比較して、最小開口寸法をさらに拡大できる。したがって、この実施例７の構成は、高精細化に極めて有利である。
また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧは、第３発光層ＥＭ３の画素電極側に第１発光層ＥＭ１及び第２発光層ＥＭ２を有している。これらの第１発光層ＥＭ１及び第２発光層ＥＭ２は、第１ホール輸送層ＨＴＬ１と第２ホール輸送層ＨＴＬ２との間に配置されているため、ホール輸送性を有する材料によって形成されている。つまり、この実施例７において、赤色に発光する第１発光材料を含む第１発光層ＥＭ１及び緑色に発光する第２発光材料を含む第２発光層ＥＭ２は、それぞれ第３ホール輸送層及び第４ホール輸送層として機能する。このように第１発光層ＥＭ１及び第２発光層ＥＭ２を形成する材料として、ホール輸送性を有する材料を選択することにより、画素電極ＰＥから第３発光層ＥＭ３へのホール輸送が阻害されず、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３での駆動電圧の高電圧化や発光効率の低下を抑制できる。
さらに、図２４にイメージとして示すように、第３発光層ＥＭ３の発光スペクトルと、第１発光層ＥＭ１及び第２発光層ＥＭ２の吸収スペクトルとが重複しないことが望ましい。このような材料を選択することにより、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３において、第３発光層ＥＭ３で発光した光の第１発光層ＥＭ１及び第２発光層ＥＭ２での吸収が抑制され、発光効率の低下が抑制できる。
この実施例７は、上述した実施例１で説明した素子バリエーションのいずれも採用できる。
（実施例８）
図２５には、実施例８における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図２５に示した実施例８は、図１３に示した実施例４と比較して、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいて、第１発光層ＥＭ１と電子輸送層ＥＴＬとの間の第３発光層ＥＭ３に代えて第２発光層ＥＭ２を配置した点、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいて、第３発光層ＥＭ３と電子輸送層ＥＴＬとの間に第２発光層ＥＭ２を配置した点で異なる。なお、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第２発光層ＥＭ２は発光せず、ホールブロッキング層として機能する。また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいては、第２発光層ＥＭ２は発光しない。
図２５には、実施例８における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図２５に示した実施例８は、図１３に示した実施例４と比較して、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいて、第１発光層ＥＭ１と電子輸送層ＥＴＬとの間の第３発光層ＥＭ３に代えて第２発光層ＥＭ２を配置した点、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいて、第３発光層ＥＭ３と電子輸送層ＥＴＬとの間に第２発光層ＥＭ２を配置した点で異なる。なお、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第２発光層ＥＭ２は発光せず、ホールブロッキング層として機能する。また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいては、第２発光層ＥＭ２は発光しない。
画素ＰＸ１の第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、画素ＰＸ２の第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２、及び、画素ＰＸ３の第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、それぞれパッシベーション膜ＰＳの上に配置されている。
第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第２発光層ＥＭ２、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第２ホール輸送層ＨＴＬ２、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第３発光層ＥＭ３、第２発光層ＥＭ２、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。
図２６には、実施例８におけるトリプレットＴに配置された第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、及び、第２ホール輸送層ＨＴＬ２が模式的に示されている。この図２６に示した実施例８は、実施例４と比較して、第２発光層ＥＭ２がＸ方向に隣接する第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光部ＥＡ２、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３に亘って配置された点で異なる。
第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１と同等以上の面積に亘って配置されている。第３発光層ＥＭ３及び第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３と同等以上の面積に配置されている。
図２７には、実施例８における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネルＤＰの断面構造が概略的に示されている。なお、この図２７では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の構造を明確とするために、図２６とＸ方向の寸法が異なっている。
この図２７に示した実施例８は、図１４に示した実施例４と比較して、第２発光層ＥＭ２が第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２のみならず、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に延在している点で異なる。
基板ＳＵＢと各反射層ＰＥＲとの間には、ゲート絶縁膜ＧＩ、層間絶縁膜ＩＩ、及び、パッシベーション膜ＰＳが介在している。パッシベーション膜ＰＳの上には、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴが積層されている。
バッファ層ＢＵＦは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上に配置されている。
第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３のバッファ層ＢＵＦの上に配置され、また、その一部が第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。すなわち、第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２においては、バッファ層ＢＵＦの上に配置されている。また、第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３においては、第２ホール輸送層ＨＴＬ２の上に配置されている。さらに、この第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、バッファ層ＢＵＦの上に配置されている。
第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置され、また、その一部が第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第３発光層ＥＭ３は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置され、また、その一部が第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に配置されるとともに、Ｘ方向において、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に隣接する第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に延在している。すなわち、第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。また、この第２発光層ＥＭ２は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１発光層ＥＭ１の上、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第３発光層ＥＭ３の上にそれぞれ配置されている。さらに、この第２発光層ＥＭ２は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。
電子輸送層ＥＴＬは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３のそれぞれにおいて第２発光層ＥＭ２の上に配置されている。また、この電子輸送層ＥＴＬは、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、第２発光層ＥＭ２の上に配置されている。
対向電極ＣＥは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３のそれぞれにおいて電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。また、この対向電極ＣＥは、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、封止ガラス基板ＳＵＢ２を用いて封止されている。
このような実施例８においても、実施例４と同様の効果が得られる。
加えて、第２発光層ＥＭ２は、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在した連続膜である。このため、第２発光層ＥＭ２を蒸着法によって形成する際に、発光部ＥＡ１乃至３を繋いだ開口を形成したマスクが適用される。実施例４においては、第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、及び、第２ホール輸送層ＨＴＬ２を形成する際にファインマスクが必要であるが、この実施例８においては、第２発光層ＥＭ２を形成するためのファインマスクが不要であり、マスクの製造コストを低減できる。また、第２発光層ＥＭ２を形成する際にマスクに堆積する材料が減少し、第２発光層ＥＭ２を形成するための材料の利用効率を向上できる。
さらに、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に配置された第２発光層ＥＭ２は、光路長調整用に利用可能であるため、第２発光層ＥＭ２の膜厚分だけ第２ホール輸送層ＨＴＬ２の膜厚を低減できる。このため、第２ホール輸送層ＨＴＬ２を形成するための材料の使用量を低減できるとともに、材料費を低減できる。
この実施例８は、上述した実施例１で説明した素子バリエーションのいずれも採用できる。
（実施例９）
図２８には、実施例９における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図２８に示した実施例９は、図１３に示した実施例４と比較して、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいて、第１発光層ＥＭ１と電子輸送層ＥＴＬとの間の第３発光層ＥＭ３に代えて第２発光層ＥＭ２を配置した点で異なる。なお、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第２発光層ＥＭ２は発光せず、ホールブロッキング層として機能する。
図２８には、実施例９における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図２８に示した実施例９は、図１３に示した実施例４と比較して、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいて、第１発光層ＥＭ１と電子輸送層ＥＴＬとの間の第３発光層ＥＭ３に代えて第２発光層ＥＭ２を配置した点で異なる。なお、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第２発光層ＥＭ２は発光せず、ホールブロッキング層として機能する。
画素ＰＸ１の第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、画素ＰＸ２の第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２、及び、画素ＰＸ３の第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、それぞれパッシベーション膜ＰＳの上に配置されている。
第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第２発光層ＥＭ２、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第２ホール輸送層ＨＴＬ２、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第３発光層ＥＭ３、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。
図２９には、実施例９におけるトリプレットＴに配置された第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、及び、第２ホール輸送層ＨＴＬ２が模式的に示されている。この図２９に示した実施例９は、実施例４と比較して、第２発光層ＥＭ２がＸ方向に隣接する第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１、及び、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光部ＥＡ２に亘って配置された点で異なる。
第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１と同等以上の面積に亘って配置されている。第３発光層ＥＭ３及び第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３と同等以上の面積に配置されている。
図３０には、実施例９における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネルＤＰの断面構造が概略的に示されている。なお、この図３０では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の構造を明確とするために、図２９とＸ方向の寸法が異なっている。
この図３０に示した実施例９は、図１４に示した実施例４と比較して、第２発光層ＥＭ２が第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２のみならず、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に延在している点で異なる。
基板ＳＵＢと各反射層ＰＥＲとの間には、ゲート絶縁膜ＧＩ、層間絶縁膜ＩＩ、及び、パッシベーション膜ＰＳが介在している。パッシベーション膜ＰＳの上には、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴが積層されている。
バッファ層ＢＵＦは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上に配置されている。
第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３のバッファ層ＢＵＦの上に配置され、また、その一部が第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。すなわち、第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２においては、バッファ層ＢＵＦの上に配置されている。また、第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３においては、第２ホール輸送層ＨＴＬ２の上に配置されている。さらに、この第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、バッファ層ＢＵＦの上に配置されている。
第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置され、また、その一部が第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第３発光層ＥＭ３は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置され、また、その一部が第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に配置されるとともに、Ｘ方向において、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に隣接する第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に延在している。すなわち、第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。また、この第２発光層ＥＭ２は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１発光層ＥＭ１の上に配置されている。さらに、この第２発光層ＥＭ２は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。
電子輸送層ＥＴＬは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。すなわち、電子輸送層ＥＴＬは、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２のそれぞれにおいて第２発光層ＥＭ２の上に配置され、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第２発光層ＥＭ２の上に配置されている。また、この電子輸送層ＥＴＬは、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３において第３発光層ＥＭ３の上に配置されている。さらに、電子輸送層ＥＴＬは、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。
対向電極ＣＥは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３のそれぞれにおいて電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。また、この対向電極ＣＥは、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、封止ガラス基板ＳＵＢ２を用いて封止されている。
このような実施例９においても、実施例４と同様の効果が得られる。
加えて、第２発光層ＥＭ２は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に亘って延在した連続膜である。このため、第２発光層ＥＭ２を蒸着法によって形成する際に、発光部ＥＡ１及びＥＡ２を繋いだ開口を形成したマスクが適用される。つまり、マスクの開口寸法を拡大することができ、マスクの製造コストを低減できる。また、第２発光層ＥＭ２を形成する際にマスクに堆積する材料が減少し、第２発光層ＥＭ２を形成するための材料の利用効率を向上できる。
この実施例９は、上述した実施例１で説明した素子バリエーションのいずれも採用できる。
（実施例１０）
図３１には、実施例１０における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図３１に示した実施例１０は、図１３に示した実施例４と比較して、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいて、第３発光層ＥＭ３と電子輸送層ＥＴＬとの間に第２発光層ＥＭ２を配置した点で異なる。なお、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第３発光層ＥＭ３は発光せず、ホールブロッキング層として機能する。また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいては、第２発光層ＥＭ２は発光しない。
図３１には、実施例１０における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の構造が模式的に示されている。この図３１に示した実施例１０は、図１３に示した実施例４と比較して、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいて、第３発光層ＥＭ３と電子輸送層ＥＴＬとの間に第２発光層ＥＭ２を配置した点で異なる。なお、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の有機層ＯＲＧにおいては、第３発光層ＥＭ３は発光せず、ホールブロッキング層として機能する。また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の有機層ＯＲＧにおいては、第２発光層ＥＭ２は発光しない。
画素ＰＸ１の第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、画素ＰＸ２の第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２、及び、画素ＰＸ３の第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、それぞれパッシベーション膜ＰＳの上に配置されている。
第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭ１、第３発光層ＥＭ３、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第２発光層ＥＭ２、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３では、反射層ＰＥＲと対向電極ＣＥとの間に、透過層ＰＥＴ、バッファ層ＢＵＦ、第２ホール輸送層ＨＴＬ２、第１ホール輸送層ＨＴＬ１、第３発光層ＥＭ３、第２発光層ＥＭ２、及び、電子輸送層ＥＴＬがこの順に積層されている。
図３２には、実施例１０におけるトリプレットＴに配置された第１発光層ＥＭ１、第２発光層ＥＭ２、第３発光層ＥＭ３、及び、第２ホール輸送層ＨＴＬ２が模式的に示されている。この図３２に示した実施例１０は、実施例４と比較して、第２発光層ＥＭ２がＸ方向に隣接する第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光部ＥＡ２、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３に亘って配置された点で異なる。
第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１と同等以上の面積に亘って配置されている。第３発光層ＥＭ３は、Ｘ方向に隣接する第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３及び第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光部ＥＡ１に亘って配置されている。第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光部ＥＡ３と同等以上の面積に亘って配置されている。
図３３には、実施例１０における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネルＤＰの断面構造が概略的に示されている。なお、この図３３では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の構造を明確とするために、図３２とＸ方向の寸法が異なっている。
この図３３に示した実施例１０は、図１４に示した実施例４と比較して、第２発光層ＥＭ２が第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２のみならず、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に延在している点で異なる。
基板ＳＵＢと各反射層ＰＥＲとの間には、ゲート絶縁膜ＧＩ、層間絶縁膜ＩＩ、及び、パッシベーション膜ＰＳが介在している。パッシベーション膜ＰＳの上には、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴが積層されている。
バッファ層ＢＵＦは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、また、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上に配置されている。
第２ホール輸送層ＨＴＬ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３のバッファ層ＢＵＦの上に配置され、また、その一部が第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。すなわち、第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２においては、バッファ層ＢＵＦの上に配置されている。また、第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３においては、第２ホール輸送層ＨＴＬ２の上に配置されている。さらに、この第１ホール輸送層ＨＴＬ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、バッファ層ＢＵＦの上に配置されている。
第１発光層ＥＭ１は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置され、また、その一部が第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を囲む隔壁ＰＩの上まで延在している。
第３発光層ＥＭ３は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に配置されるとともに、Ｘ方向において、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に隣接する第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に延在している。すなわち、第３発光層ＥＭ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の第１発光層ＥＭ１の上、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上にそれぞれ配置されている。また、この第３発光層ＥＭ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。
第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に配置されるとともに、Ｘ方向において、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に隣接する第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に延在している。すなわち、第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。また、この第２発光層ＥＭ２は、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の第３発光層ＥＭ３の上に配置されている。さらに、この第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。
電子輸送層ＥＴＬは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。すなわち、電子輸送層ＥＴＬは、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３のそれぞれにおいて第２発光層ＥＭ２の上に配置され、また、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第２発光層ＥＭ２の上に配置されている。また、この電子輸送層ＥＴＬは、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１において第３発光層ＥＭ３の上に配置されている。さらに、電子輸送層ＥＴＬは、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に配置されている。また、電子輸送層ＥＴＬは、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間に配置された隔壁ＰＩの上において、第３発光層ＥＭ３の上に配置されている。
対向電極ＣＥは、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３のそれぞれにおいて電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。また、この対向電極ＣＥは、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２との間、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３との間、及び、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１との間にそれぞれ配置された隔壁ＰＩの上において、電子輸送層ＥＴＬの上に配置されている。
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、封止ガラス基板ＳＵＢ２を用いて封止されている。
このような実施例１０においても、実施例４と同様の効果が得られる。
加えて、第２発光層ＥＭ２は、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に亘って延在した連続膜である。このため、第２発光層ＥＭ２を蒸着法によって形成する際に、発光部ＥＡ２及びＥＡ３を繋いだ開口を形成したマスクが適用される。つまり、マスクの開口寸法を拡大することができ、マスクの製造コストを低減できる。また、第２発光層ＥＭ２を形成する際にマスクに堆積する材料が減少し、第２発光層ＥＭ２を形成するための材料の利用効率を向上できる。
また、第３発光層ＥＭ３は、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に亘って延在した連続膜である。このため、第３発光層ＥＭ３を蒸着法によって形成する際に、発光部ＥＡ１及びＥＡ３を繋いだ開口を形成したマスクが適用される。つまり、マスクの開口寸法を拡大することができ、マスクの製造コストを低減できる。また、第３発光層ＥＭ３を形成する際にマスクに堆積する材料が減少し、第３発光層ＥＭ３を形成するための材料の利用効率を向上できる。
さらに、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３に配置された第２発光層ＥＭ２は、光路長調整用に利用可能であるため、第２発光層ＥＭ２の膜厚分だけ第２ホール輸送層ＨＴＬ２の膜厚を低減できる。このため、第２ホール輸送層ＨＴＬ２を形成するための材料の使用量を低減できるとともに、材料費を低減できる。
この実施例１０は、上述した実施例１で説明した素子バリエーションのいずれも採用できる。
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
上記の実施形態では、有機ＥＬ表示装置は、発光色が異なる３種の有機ＥＬ素子つまり第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を備えている。有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子として、発光色が異なる２種の有機ＥＬ素子のみを備えていてもよく、発光色が異なる４種以上の有機ＥＬ素子を備えていてもよい。
上記の実施形態では、第１乃至第３発光材料は、それら全てが蛍光材料であっても良いし、燐光材料であっても良い。また、それらの一部が蛍光材料であり、その他が燐光材料であっても良い。
上記の各実施形態において、電子注入層もしくは正孔注入層、又は、その両方を含んでいてもよい。
上記の実施例１乃至４、実施例８乃至１０では、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３において、第２ホール輸送層ＨＴＬ２の上に第１ホール輸送層ＨＴＬ１を配置したが、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に第２ホール輸送層ＨＴＬ２を配置しても良い。
上記の実施例５乃至７では、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３において、第１ホール輸送層ＨＴＬ１の上に第２ホール輸送層ＨＴＬ２を配置したが、第２ホール輸送層ＨＴＬ２の上に第１ホール輸送層ＨＴＬ１を配置しても良い。
ＤＰ…表示パネル ＳＵＢ…基板
ＯＬＥＤ１…第１有機ＥＬ素子 ＯＬＥＤ２…第２有機ＥＬ素子 ＯＬＥＤ３…第３有機ＥＬ素子
ＰＥ…画素電極（ＰＥＲ…反射層 ＰＥＴ…透過層）
ＯＲＧ…有機層（ＥＴＬ…電子輸送層 ＢＵＦ…バッファ層 ＨＴＬ１…第１ホール輸送層 ＨＴＬ２…第２ホール輸送層 ＥＭ１…第１発光層 ＥＭ２…第２発光層 ＥＭ３…第３発光層）
ＯＬＥＤ１…第１有機ＥＬ素子 ＯＬＥＤ２…第２有機ＥＬ素子 ＯＬＥＤ３…第３有機ＥＬ素子
ＰＥ…画素電極（ＰＥＲ…反射層 ＰＥＴ…透過層）
ＯＲＧ…有機層（ＥＴＬ…電子輸送層 ＢＵＦ…バッファ層 ＨＴＬ１…第１ホール輸送層 ＨＴＬ２…第２ホール輸送層 ＥＭ１…第１発光層 ＥＭ２…第２発光層 ＥＭ３…第３発光層）
Claims (6)
- 陽極と陰極との間に、赤色に発光する第１発光層及びホールブロッキング層を有する第１有機層を備えた第１有機ＥＬ素子と、
陽極と陰極との間に、緑色に発光する第２発光層を有する第２有機層を備え、前記第１有機ＥＬ素子よりも薄い第２有機ＥＬ素子と、
陽極と陰極との間に、青色に発光する第３発光層を有する第３有機層を備え、前記第１有機ＥＬ素子よりも厚い第３有機ＥＬ素子と、
を具備し、
前記ホールブロッキング層は、前記第２有機ＥＬ素子から延在した前記第２発光層または前記第３有機ＥＬ素子から延在した前記第３発光層であり、
前記第１有機ＥＬ素子の前記第１有機層は、前記陽極と前記第１発光層との間に配置された第１ホール輸送層と、前記ホールブロッキング層と前記陰極との間に配置された電子輸送層と、を有し、
前記第２有機ＥＬ素子の前記第２有機層は、前記陽極と前記第２発光層との間に配置され前記第１有機ＥＬ素子から延在した第１ホール輸送層と、前記第２発光層と前記陰極との間に配置され前記第１有機ＥＬ素子から延在した電子輸送層と、を有し、
前記第３有機ＥＬ素子の前記第３有機層は、前記陽極と前記第３発光層との間に配置され前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子から延在した第１ホール輸送層と、前記第３発光層と前記陰極との間に配置され前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子から延在した電子輸送層と、前記陽極と前記第３発光層との間に配置された第２ホール輸送層と、を有し、
前記第３有機ＥＬ素子の前記第３有機層は、前記第１ホール輸送層と前記第２ホール輸送層との間に配置され前記第２有機ＥＬ素子から延在した第２発光層を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 - 前記第２有機ＥＬ素子と前記第３有機ＥＬ素子との間に配置された隔壁の上に、前記第２発光層が延在したことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 陽極と陰極との間に、赤色に発光する第１発光層及びホールブロッキング層を有する第１有機層を備えた第１有機ＥＬ素子と、
陽極と陰極との間に、緑色に発光する第２発光層を有する第２有機層を備え、前記第１有機ＥＬ素子よりも薄い第２有機ＥＬ素子と、
陽極と陰極との間に、青色に発光する第３発光層を有する第３有機層を備え、前記第１有機ＥＬ素子よりも厚い第３有機ＥＬ素子と、
を具備し、
前記ホールブロッキング層は、前記第２有機ＥＬ素子から延在した前記第２発光層または前記第３有機ＥＬ素子から延在した前記第３発光層であり、
前記第１有機ＥＬ素子の前記第１有機層は、前記陽極と前記第１発光層との間に配置された第１ホール輸送層と、前記ホールブロッキング層と前記陰極との間に配置された電子輸送層と、を有し、
前記第２有機ＥＬ素子の前記第２有機層は、前記陽極と前記第２発光層との間に配置され前記第１有機ＥＬ素子から延在した第１ホール輸送層と、前記第２発光層と前記陰極との間に配置され前記第１有機ＥＬ素子から延在した電子輸送層と、を有し、
前記第３有機ＥＬ素子の前記第３有機層は、前記陽極と前記第３発光層との間に配置され前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子から延在した第１ホール輸送層と、前記第３発光層と前記陰極との間に配置され前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子から延在した電子輸送層と、前記陽極と前記第３発光層との間に配置された第２ホール輸送層と、を有し、
前記第３有機ＥＬ素子の前記第３有機層は、前記第１ホール輸送層と前記第２ホール輸送層との間に配置され前記第１有機ＥＬ素子から延在した第１発光層を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 - 前記第１有機ＥＬ素子と前記第３有機ＥＬ素子との間に配置された隔壁の上に、前記第１発光層が延在したことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 陽極と陰極との間に、赤色に発光する第１発光層及びホールブロッキング層を有する第１有機層を備えた第１有機ＥＬ素子と、
陽極と陰極との間に、緑色に発光する第２発光層を有する第２有機層を備え、前記第１有機ＥＬ素子よりも薄い第２有機ＥＬ素子と、
陽極と陰極との間に、青色に発光する第３発光層を有する第３有機層を備え、前記第１有機ＥＬ素子よりも厚い第３有機ＥＬ素子と、
を具備し、
前記ホールブロッキング層は、前記第２有機ＥＬ素子から延在した前記第２発光層または前記第３有機ＥＬ素子から延在した前記第３発光層であり、
前記第１有機ＥＬ素子の前記第１有機層は、前記陽極と前記第１発光層との間に配置された第１ホール輸送層と、前記ホールブロッキング層と前記陰極との間に配置された電子輸送層と、を有し、
前記第２有機ＥＬ素子の前記第２有機層は、前記陽極と前記第２発光層との間に配置され前記第１有機ＥＬ素子から延在した第１ホール輸送層と、前記第２発光層と前記陰極との間に配置され前記第１有機ＥＬ素子から延在した電子輸送層と、を有し、
前記第３有機ＥＬ素子の前記第３有機層は、前記陽極と前記第３発光層との間に配置され前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子から延在した第１ホール輸送層と、前記第３発光層と前記陰極との間に配置され前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子から延在した電子輸送層と、前記陽極と前記第３発光層との間に配置された第２ホール輸送層と、を有し、
前記第３有機ＥＬ素子の前記第３有機層は、前記第１有機ＥＬ素子から延在した前記第１発光層と、前記第２有機ＥＬ素子から延在した前記第２発光層と、を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 - 前記第２有機ＥＬ素子と前記第３有機ＥＬ素子との間に配置された隔壁の上に、前記第２発光層が延在するとともに、前記第１有機ＥＬ素子と前記第３有機ＥＬ素子との間に配置された隔壁の上に、前記第１発光層が延在したことを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
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