JP5009613B2

JP5009613B2 - 不斉合成における使用のためのキラル配位子

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Publication number: JP5009613B2
Application number: JP2006515817A
Authority: JP
Inventors: メセゲルベンハミン; アールトディーター
Original assignee: Boehringer Ingelheim International GmbH
Current assignee: Boehringer Ingelheim International GmbH
Priority date: 2003-06-13
Filing date: 2004-06-02
Publication date: 2012-08-22
Anticipated expiration: 2024-06-02
Also published as: EP1636243A2; WO2004111063A2; US20070004927A1; WO2004111063A3; ES2443994T3; EP1636243B1; US20060161022A1; US7396947B2; JP2006527221A

Description

本発明はビアリールビスホスフィン及びその中間生成物に関する。更に、本発明の範囲は、該ビアリールビスホスフィンから製造できる触媒並びに不斉合成におけるその使用を包含する。

エナンチオマー濃縮されたビアリールビスホスフィン、特に置換されたビナフチレン及びビフェニレンから誘導されるものは、遷移金属錯体触媒の配位子としてしばしば良好もしくは非常に良好なエナンチオ選択性をもたらす（例えばHelv. Chim. Acta 1988, 71, 897 - 929; Acc. Chem. Res. 1990, 23, 345 - 350; Synlett 1994, 501 - 503; Angew. Chem. 2001, 113, 40 - 75を参照のこと）。

ビアリール系上の又はホスフィン基内の置換基の種類及び配置によって決められる立体因子及び電子因子は、かかる配位子から製造される触媒のエナンチオ選択性及び活性の両者に影響を及ぼす。

個々の場合において、この種のＲｈ及びＲｕ触媒は工業的にエナンチオ選択的なＣ＝Ｃ二重結合の異性化及びエナンチオ選択的な水素添加のために使用される。かかる工業的手法の数は従来制限されており、それというのも多数の基質のために広範に効率的に使用できる利用可能な配位子の数が少ないためである。むしろこの分野における総括的な研究は、非常に特異的な基質のためにしばしば”テイラード”である触媒の原則的特性である基質特異性のため、同じ基質グループ内の僅かな変化さえも、非常に類似した生成物のために不可欠なエナンチオマー純度が達成されないことを示している。

J. Org. Chem. 2000, 65, 6223 - 6226、ＷＯ０１／２１６２５から、６，６’位で架橋されたビフェニルビスホスフィンの新規のグループの代表物は公知であり、このグループは、架橋要素の内部のアルキレン基の長さの変更により、この配位子から製造される触媒を特定の基質（ここでは：β−ケトエステル）に適合させることを可能にするため、最適化されたエナンチオ選択性が達成される。J. Org. Chem.において発表された研究の結果として、−（ＣＨ_２）_４−基を有する配位子を有する触媒に関する最適化されたエナンチオ選択性は「架橋単位」（”C4TunaPhos”）と記載されている。

上記の刊行物とは無関係に、前記の配位子グループの個々の代表物はＥＰ−Ａ１０９５９４６に開示されている。

しかしながら一般に高い水準のエナンチオ選択性及び活性の両者を可能にし、そして配位子系における置換基の変更により簡単に特定の基質に適合させることが可能な配位子ないしそれらから製造できる触媒のグループを提供することが要求されている。

本発明の対象は、式（Ｉ）

［式中、
Ｂは式−（ＣＨＲ^１）_ｎ−（Ｒ^２Ｃ＝ＣＲ^３）−（ＣＨＲ^４）_ｍの二価の基を表し、その際、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ互いに無関係に水素又はアルキル、有利にはＣ_１〜Ｃ_６−アルキルを表し、ｎ及びｍはそれぞれ互いに無関係に０又は１〜８の整数を表すが、但しｎとｍとからの総和は１〜８、有利には２又は４、特に有利には２であり、更に、
Ｇは塩素又は水素、有利には水素を表し、かつ
Ｒ’及びＲ’’はそれぞれ互いに無関係にアリール又はアルキルを表すか、又は
Ｂは式−（ＣＨＲ^１）_ｎ−（ＣＲ^２Ｒ^３）_ｍ−（ＣＨＲ^４）_ｏの二価の基を表し、その際、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は都度互いに無関係に水素又はアルキル、有利にはＣ_１〜Ｃ_６−アルキルを表し、かつｎ、ｍ及びｏはそれぞれ互いに無関係に０又は１〜８の整数を表すが、但しｎ、ｍ及びｏからの総和は１〜８、有利には３又は４であり、更に、
Ｇは塩素を表し、かつ
Ｒ’及びＲ’’はそれぞれ互いに無関係にアリール又はアルキルを表す］
の化合物である。

純粋な立体異性体もその任意の混合物、例えば特にラセミ混合物も本発明に包含される。９５％以上、殊に有利には９９％以上の立体異性体純度を有する式（Ｉ）の立体異性濃縮された化合物が有利である。２種のエナンチオマー形を生じうる式（Ｉ）の化合物の場合においては、従って９０％以上のｅｅは有利であり、９８％以上のｅｅは特に有利であり、９９％以上のｅｅは極めて殊に有利である。

本発明の範囲内では、前記又は以下に示される、全ての一般的にか又は有利な範囲で記載される基の定義、パラメータ及び説明は、相互に、即ち各範囲及び有利な範囲の間でも任意に組み合わせられてよい。

エナンチオマー濃縮された、とは、本発明の範囲内で、エナンチオマー的に純粋な化合物か、又は一方のエナンチオマーが他方のエナンチオマーと比較してエナンチオマー過剰で（以下でｅｅ（エナンチオマー過剰）とも呼称される）存在する化合物のエナンチオマーの混合物を意味する。有利には、このエナンチオマー過剰は１０〜１００％ｅｅ、特に有利には８０〜１００％ｅｅ、極めて特に有利には９５〜１００％ｅｅである。

立体異性体ないし立体異性濃縮された、という概念は、ジアステレオマーをも生じうる化合物と類似して用いられる。

アルキルは、例えば、非分枝鎖状、分枝鎖状、環式又は非環式の、非置換であるか又は少なくとも部分的にフッ素、塩素又は非置換もしくは置換のアリール又はＣ_１〜Ｃ_６−アルコキシによって置換されていてよいＣ_１〜Ｃ_１２−アルキル基を表す。特に有利には、アルキルは分枝鎖状、環式又は非環式の、更に置換されていないＣ_１〜Ｃ_１２−アルキル基を表す。

アリールは、例えば、６〜１８個の骨格炭素原子を有する炭素環式芳香族基又は５〜１８個の骨格炭素原子を有する複素芳香族基であって、その中で１つの環あたり１つの骨格炭素原子も窒素、硫黄又は酸素の群から選択されたヘテロ原子によって置換されていないか、１つの環あたり１、２又は３つの骨格炭素原子、しかしながら分子全体では少なくとも１つの骨格炭素原子が窒素、硫黄又は酸素の群から選択されたヘテロ原子によって置換されていてよいものを表す。更に炭素環式芳香族基又は複素芳香族基は、１つの環あたり５つまでの同一又は異なる、遊離の又は保護されたヒドロキシ、ヨウ素、臭素、塩素、フッ素、シアノ、遊離の又は保護されたホルミル、Ｃ_１〜Ｃ_１２−アルキル、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロヘキシル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル又はイソオクチル、Ｃ_６〜Ｃ_１２−アリール、例えばフェニル、Ｃ_１〜Ｃ_６−アルコキシ、トリ（Ｃ_１〜Ｃ_６−アルキル）シロキシル、例えばトリメチルシロキシル、トリエチルシロキシル及びトリ−ｎ−ブチルシロキシルの群から選択された置換基によって置換されていてよい。

６〜１８個の骨格炭素原子を有する炭素環式芳香族基の例は、例えばフェニル、ナフチル、フェナントレニル、アントラセニル及びフルオレニルであり、５〜１８個の骨格炭素原子を有する複素芳香族基であって、その中で１つの環あたり１つの骨格炭素原子も窒素、硫黄又は酸素の群から選択されたヘテロ原子によって置換されていないか、１つの環あたり１、２又は３つの骨格炭素原子、しかしながら分子全体では少なくとも１つの骨格炭素原子が窒素、硫黄又は酸素の群から選択されたヘテロ原子によって置換されていてよいものは、例えばピリジニル、オキサゾリル、チオフェニル、ベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニル、フラニル、インドリル、ピリダジニル、ピラジニル、ピリミジニル、チアゾリル、トリアゾリル又はキノリニルである。

保護されたホルミルは、本発明の範囲内において、アミナール、アセタール又は混合アミナールアセタール（その際、アミナール、アセタール及び混合アミナールアセタールは非環式又は環式であってよい）への変換によって保護されているホルミル基を表す。

保護されたヒドロキシは、本発明の範囲内において、アセタール、カーボネート、カルバメート又はカルボキシレートへの変換によって保護されているヒドロキシ基を表す。その例は、テトラヒドロピラニル付加物、ベンジルオキシカルボニル誘導体、アリルオキシカルボニル誘導体又はｔ−ブチルオキシカルボニル誘導体への変換である。

式（Ｉ）の化合物の有利な範囲を以下に定義する。

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は有利にはそれぞれ互いに無関係に水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル及びｎ−ペンチルを表し、特に有利には水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル及びイソプロピルを表し、極めて特に有利にはそれぞれ同一であり水素を表す。

Ｒ’及びＲ’’は有利にはそれぞれ互いに無関係に、より有利にはそれぞれ同一であり、非置換であるか、塩素、フッ素、シアノ、フェニル、Ｃ_１〜Ｃ_６−アルコキシ及びＣ_１〜Ｃ_６−アルキルの群から選択された基によって一置換又は多置換されているＣ_３〜Ｃ_８−アルキル又はＣ_５〜Ｃ_１０−アリール、特に有利にはシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプテニル、フェニル、ｏ−、ｍ−、ｐ−トリル、３，５−ジメチルフェニル、３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル、３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル、４−トリフルオロメチルフェニル、４−フルオロフェニル、２−、３−フリル、２−、３−チオフェン−イル、２−Ｎ−メチルピロリル、Ｎ−メチル−２−インドリル及び２−チアゾリルを表す。

式（Ｉ）の特に有利な化合物として以下のものが挙げられる：
（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（シス−１，４−ブト−２−エンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−フェニル）ホスフィン、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（シス−１，４−ブト−２−エンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−シクロヘキシル）ホスフィン、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（シス−１，４−ブト−２−エンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ．−ブチル−４−メトキシフェニル）ホスフィン、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（シス−１，４−ブト−２−エンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（シス−１，４−ブト−２−エンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィン、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（シス−１，４−ブト−２−エンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−４−フルオロフェニル）ホスフィン並びに（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（シス−１，４−ブト−２−エンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル）ホスフィン並びに相応するトランス−化合物（その際、上記のシス−化合物が有利である）、並びに
（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−フェニル）ホスフィン、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−シクロヘキシル）ホスフィン、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ．−ブチル−４−メトキシフェニル）ホスフィン、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィン、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−４−フルオロフェニル）ホスフィン並びに（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル）ホスフィン、立体異性体（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−ブタンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニルホスフィン）、立体異性体（Ｒ）及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−ブタンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル−ホスフィン）並びにエナンチオマーの任意の混合物。

本発明による式（Ｉ）の化合物は、例えば、６，６’位で架橋されたビフェニルビスホスフィンの合成に関して既に記載されている自体公知の方法と類似の方法で製造することができる。

例えば、５，５’−ジクロロ−６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２’−ジイル］ビスホスフィン又は類似の化合物から、エーテル分解によって、相応する６，６’−ジヒドロキシビスホスフィンを得ることができ、これは引き続き式（ＩＩ）
Ｘ^１−Ｂ−Ｘ^２（ＩＩ）
［式中、
Ｂは式（Ｉ）の説明に記載された意味及び有利な範囲を有し、かつ
Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ互いに無関係に塩素、臭素又はヨウ素を表す］
の化合物を用いて、自体公知の条件下で（例えばJ. Org. Chem. 2000, 65, 6224を参照のこと）処理することにより、本発明による式（Ｉ）の化合物に変換される。

式（Ｉ）の化合物の製造のために、有利には、
工程ａ）において、
式（Ｖ）

の化合物をエーテル分解によって式（ＩＩＩ）

の化合物に変換し、
工程ｂ）において、
式（ＩＩＩ）の化合物を、塩基の存在下での式（ＩＩ）の化合物との反応によって、式（ＩＶ）

の化合物に変換し、
かつ工程ｃ）において、
式（ＩＶ）の化合物を還元し、式（Ｉ）

の化合物に変換するという手段がとられ、
その際、Ｂ、Ｇ，Ｒ’及びＲ’’は上記で式（Ｉ）及び（ＩＩ）において既に定義されたものと同一の条件及び有利な範囲を有し、
Ｒは式（Ｖ）においてＣ_１〜Ｃ_６−アルキルを表す。

まだエナンチオマー濃縮されていない式（Ｖ）の化合物を式（Ｉ）の化合物の製造のために使用するならば、有利には式（ＩＶ）の化合物を自体公知のように、例えばキラルな補助試薬との反応によるか又はエナンチオマーの場合にはキラルカラム材料上での連続的又は回分式のクロマトグラフィーによって立体異性体に分割することができる。

工程ａ）によるエーテル分解は、例えば自体公知のようにＢＢｒ_３との反応及び引き続いての水での処理によって実施してよい。

式（ＩＩＩ）の化合物と式（ＩＩ）の化合物との工程ｂ）での反応は、有利には塩基の存在下に有機溶剤中で実施される。

溶剤として、特にアルコール、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール又はエチレングリコールモノメチルエーテル及びアミド溶剤、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド又はＮ−メチルピロリドン又は前記の溶剤の混合物が適当である。

塩基として、例えばアルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物、例えば酸化物、水酸化物、炭酸塩又はアルコラートを使用してよく、例えば：酸化カルシウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム又はナトリウムメタノラートを挙げることができる。塩基として三級アミン、例えばトリエチルアミン又はトリブチルアミンを使用することもできる。

使用される式（ＩＩＩ）の化合物と式（ＩＩ）の化合物とのモル比は、有利には１：１〜１：４であり；一般に、完全な反応のためであっても、僅かに過剰な式（ＩＩ）の化合物で十分である。塩基は、有利には式（ＩＩＩ）の化合物に対して少なくとも当量で使用される。溶剤に不溶な塩基、例えばＤＭＦ中の炭酸カリウムを使用する場合には、４〜１０倍のモル量を使用し、同時に懸濁液が強力に完全混合されるように配慮することが有利である。

工程ｂ）における反応は２相系において実施してもよく、その際、非水相として、生じる式（ＩＶ）の生成物が少なくとも主に可溶性である溶剤が使用され、そのために例えばジクロロメタンが適当である。この反応の変法において、相間移動触媒、例えば四級アンモニウム又はホスフィン塩及びテトラブチルアンモニウム塩を使用することが有利である。テトラブチルアンモニウム塩が有利である。

式（ＩＩＩ）の化合物を反応させて、式（ＩＶ）の化合物を生成するにあたっての反応温度は、例えば約２０℃〜１００℃の範囲内、有利には２０℃〜８０℃の範囲内であってよい。

工程ｃ）における式（ＩＶ）の化合物から式（ＩＩ）の化合物への還元は、有利には自体公知の方法によって、例えば不活性溶剤、例えばトルエン又はキシレン中で、かつ三級アミン、例えばトリ−ｎ−ブチルアミンの存在下に還流温度でトリクロロシランと反応させることによって実施される（例えばＥＰ−Ａ３９８１３２、ＥＰ−Ａ７４９９７３及びＥＰ−Ａ９２６１５２を参照のこと）。

更に、６，６’位の置換基がアルケンジイル基である本発明による式（ＩＶ）の化合物は、上記の意味を有する式（ＩＩＩ）の化合物を、まず
・式（ＶＩａ）又は（ＶＩｂ）
Ｘ^３−（ＣＨＲ^１）_ｎ−（Ｒ^２Ｃ＝ＣＨＲ^５）（ＶＩａ）
Ｘ^４−（ＣＨＲ^４）_ｍ−（Ｒ^３Ｃ＝ＣＨＲ^６）（ＶＩｂ）
［式中、
Ｘ^３及びＸ^４はそれぞれ塩素、臭素、ヨウ素又はスルホネートを表し、有利には塩素、臭素又はヨウ素を表し、かつ
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は有利な範囲を含めて上記の意味を有し、かつ
Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ互いに無関係に水素又はＣ_１〜Ｃ_４−アルキルを表す］
の化合物と、又は逐次的に式（ＶＩａ）及び（ＶＩｂ）の２種の異なる化合物と反応させ、式（ＶＩＩ）

の化合物に変換し、次いで式（ＶＩＩ）の化合物をオレフィン−メタセシス触媒の存在下に式（ＩＶ）の化合物に変換することによっても製造することができる。

次いで、式（ＩＶ）の化合物を上記のように還元し、式（Ｉ）の化合物に変換することができる。

式（ＩＩＩ）の化合物と式（ＶＩａ）及び／又は（ＶＩｂ）の化合物との反応に関して、上記された方法の工程ｂ）のために記載された溶剤、温度、モル比及びその他の反応パラメータが同様に当てはまる。

式（ＶＩＩ）の化合物から式（ＩＶ）の化合物への反応のために、オレフィン−メタセシス触媒、特にルテニウム−カルベン−錯体が適当である。有利なルテニウム−カルベン−錯体は、例えば式（Ｘａ）及び（Ｘｂ）

のものであり、ここで、
式（Ｘａ）において、
Ａｒはアリールを表し、Ｈａｌは塩素、臭素又はヨウ素を表し、かつＲ^７はそれぞれ無関係にＣ_１〜Ｃ_１２−アルキル、Ｃ_５〜Ｃ_１２−アリール又はＣ_６〜Ｃ_１３−アリールアルキルを表し、
式（Ｘｂ）において、
ｏ−アリールジイルはオルト−二価Ｃ_５〜Ｃ_２４−アリール基を表し、該基は更に、アリールのために既に上記で定義されている基を４個まで有してよく、Ｈａｌは塩素、臭素又はヨウ素を表し、Ｂは場合によりＣ_１〜Ｃ_１２−アルキル、Ｃ_５〜Ｃ_１２−アリール又はＣ_６〜Ｃ_１３−アリールアルキルにより一置換又は二置換された１，２−エタンジイル−又は１，２−エテンジイルを表し、かつＲ^８はそれぞれ無関係にＣ_１〜Ｃ_１２−アルキル、Ｃ_５〜Ｃ_１２−アリール又はＣ_６〜Ｃ_１３−アリールアルキルを表す。

最後に記載された式（ＩＶ）の化合物の製造法は、式（Ｉ）の化合物の製造のために必要な、特に純粋な立体異性体の形とその任意の混合物との双方、特にラセミ混合物の式（ＩＶ）及び（ＶＩＩ）の化合物と同様に本発明に包含される。

式（ＶＩＩ）の化合物として、以下のものが挙げられる：
（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（ビス−アリルオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−シクロヘキシル）ホスフィンオキシド、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（ビス−アリルオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ．−ブチル−４−メトキシフェニル）ホスフィンオキシド、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（ビス−アリルオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジメチルフェニル）ホスフィンオキシド、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（ビス−アリルオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィンオキシド、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（ビス−アリルオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−４−フルオロフェニル）ホスフィンオキシド並びに（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（ビス−アリルオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル）ホスフィンオキシド。

式（ＩＶ）の化合物として、以下のものが挙げられる：
（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（シス−１，４−ブト−２−エン−ジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−シクロヘキシル）ホスフィンオキシド、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（シス−１，４−ブト−２−エン−ジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ．−ブチル−４−メトキシフェニル）ホスフィンオキシド、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（シス−１，４−ブト−２−エン−ジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジメチルフェニル）ホスフィンオキシド、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（シス−１，４−ブト−２−エン−ジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィンオキシド、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（シス−１，４−ブト−２−エン−ジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス［（ジ−４−フルオロフェニル）ホスフィンオキシド並びに（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（シス−１，４−ブト−２−エン−ジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル）ホスフィンオキシド並びにそれぞれのトランス−化合物（その際、シス−化合物が有利である）、並びに（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−シクロヘキシル）ホスフィンオキシド、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ．−ブチル−４−メトキシフェニル）ホスフィンオキシド、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジメチルフェニル）ホスフィンオキシド、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィンオキシド、（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−４−フルオロフェニル）ホスフィンオキシド並びに（Ｒ）−及び（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−［（ジ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル）ホスフィンオキシド、立体異性体（Ｒ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−ブタンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス−（ジフェニル−ホスフィンオキシド）、立体異性体（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−ブタンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）並びにエナンチオマーの任意の混合物。

有利には立体異性濃縮された形の式（Ｉ）の化合物は、エナンチオマー濃縮された化合物の製造方法のために触媒として使用できる遷移金属錯体の製造のための配位子として特に適当である。

式（Ｉ）の化合物についての有利な範囲は、以下で前記と同様に当てはまる。

従って本発明は、式（Ｉ）の化合物を含有する遷移金属錯体も、本発明による遷移金属錯体を含有する触媒もいずれも包含している。

この場合有利な遷移金属錯体は、遷移金属化合物の存在下での式（Ｉ）の化合物の反応によって得ることができるものである。

有利な遷移金属化合物は、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、パラジウム及びニッケルの化合物であり、その際、ロジウム、イリジウム及びルテニウムの化合物は更に有利である。

有利な遷移金属化合物は、例えば式（ＶＩＩＩａ）
Ｍ（Ｙ^１）_３（ＶＩＩＩａ）
［式中、
Ｍはルテニウム、ロジウム、イリジウムを表し、かつ
Ｙ^１はクロリド、ブロミド、アセテート、ニトレート、メタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート又はアセチルアセトネートを表す］
の遷移金属化合物、又は式（ＶＩＩＩｂ）
Ｍ（Ｙ^２）_ｐＢ^１ _２（ＶＩＩＩｂ）
［式中、
Ｍはルテニウム、ロジウム、イリジウムを表し、かつ
Ｙ^２はクロリド、ブロミド、アセテート、メタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、ペルクロレート、ヘキサフルオロアンチモネート、テトラ（ビス−３，５−トリフルオロメチルフェニル）ボレート又はテトラフェニルボレートを表し、かつ
ｐは、ロジウム及びイリジウムの場合には１を表し、かつルテニウムの場合には２を表し、
Ｂ^１はそれぞれＣ_２〜Ｃ_１２−アルケン、例えばエチレン又はシクロオクテン又はニトリル、例えばアセトニトリル、ベンゾニトリル又はベンジルニトリルを表すか、又は
Ｂ^１ _２は一緒になって（Ｃ_４〜Ｃ_１２）−ジエン、例えばノルボルナジエン又は１，５−シクロオクタジエンを表す］
の遷移金属化合物、又は式（ＶＩＩＩｃ）
［ＭＢ^２Ｙ^１ _２］_２（ＶＩＩＩｃ）
［式中、
Ｍはルテニウムを表し、かつ
Ｂ^２はアリール基、例えばシメン、メシチル、フェニル又はシクロオクタジエン、ノルボルナジエン又はメチルアリルを表す］
の遷移金属化合物、又は式（ＶＩＩＩｄ）
Ｍｅ_３［Ｍ（Ｙ^３）_４］（ＶＩＩＩｄ）
［式中、
Ｍはイリジウム又はロジウムを表し、かつ
Ｙ^３はクロリド又はブロミドを表し、かつ
Ｍｅはリチウム、ナトリウム、カリウム、アンモニウム又は有機アンモニウムを表す］
の遷移金属化合物、又は式（ＶＩＩＩｅ）
［Ｍ（Ｂ^３）_２］Ａｎ（ＶＩＩＩｅ）
［式中、
Ｍはイリジウム又はロジウムを表し、かつ
Ｂ^３は（Ｃ_４〜Ｃ_１２）−ジエン、例えばノルボルナジエン又は１，５−シクロオクタジエンを表し、
Ａｎは非配位性又は弱配位性のアニオン、例えばメタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、ペルクロレート、ヘキサフルオロアンチモネート、テトラ（ビス−３，５−トリフルオロメチルフェニル）ボレート又はテトラフェニルボレートを表す］
の遷移金属化合物である。

更に、遷移金属化合物として、シクロペンタジエニル_２Ｒｕ、Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）_２、Ｉｒ（ピリジン）_２（１，５−シクロオクタジエン）又は多核の架橋錯体、例えば［Ｒｈ（１，５−シクロオクタジエン）Ｃｌ］_２及び［Ｒｈ（１，５−シクロオクタジエン）Ｂｒ］_２、［Ｒｈ（エテン）_２Ｃｌ］_２、［Ｒｈ（シクロオクテン）_２Ｃｌ］_２、［Ｉｒ（１，５−シクロオクタジエン）Ｃｌ］_２及び［Ｉｒ（１，５−シクロオクタジエン）Ｂｒ］_２、［Ｉｒ（エテン）_２Ｃｌ］_２及び［Ｉｒ（シクロオクテン）_２Ｃｌ］_２が有利である。

極めて特に有利に使用される遷移金属化合物は以下の通りである：
［Ｒｈ（ｃｏｄ）Ｃｌ］_２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）_２Ｂｒ］、［Ｒｈ（ｃｏｄ）_２］ＣｌＯ_４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）_２］ＢＦ_４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）_２］ＰＦ_６、［Ｒｈ（ｃｏｄ）_２］ＯＴｆ、［Ｒｈ（ｃｏｄ）_２］ＢＡｒ_４（Ａｒ＝３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）、［Ｒｈ（ｃｏｄ）_２］ＳｂＦ_６、ＲｕＣｌ_２（ｃｏｄ）、［（シメン）ＲｕＣｌ_２］_２、［（ベンゼン）ＲｕＣｌ_２］_２、［（メシチル）ＲｕＣｌ_２］_２、［（シメン）ＲｕＢｒ_２］_２、［（シメン）ＲｕＩ_２］_２、［（シメン）Ｒｕ（ＢＦ_４）_２］_２、［（シメン）Ｒｕ（ＰＦ_６）_２］_２、［（シメン）Ｒｕ（ＢＡｒ_４）_２］_２（Ａｒ＝３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）、［（シメン）Ｒｕ（ＳｂＦ_６）_２］_２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）_２Ｃｌ］_２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）_２］ＰＦ_６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）_２］ＣｌＯ_４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）_２］ＳｂＦ_６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）_２］ＢＦ_４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）_２］ＯＴｆ、［Ｉｒ（ｃｏｄ）_２］ＢＡｒ_４（Ａｒ＝３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）、ＲｕＣｌ_３、ＲｈＣｌ_３、［Ｒｈ（ｎｂｄ）Ｃｌ］_２、［Ｒｈ（ｎｂｄ）_２Ｂｒ］、［Ｒｈ（ｎｂｄ）_２］ＣｌＯ_４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）_２］ＢＦ_４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）_２］ＰＦ_６、［Ｒｈ（ｎｂｄ）_２］ＯＴｆ、［Ｒｈ（ｎｂｄ）_２］ＢＡｒ_４（Ａｒ＝３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）、［Ｒｈ（ｎｂｄ）_２］ＳｂＦ_６、ＲｕＣｌ_２（ｎｂｄ）、［Ｉｒ（ｎｂｄ）_２］ＰＦ_６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）_２］ＣｌＯ_４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）_２］ＳｂＦ_６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）_２］ＢＦ_４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）_２］ＯＴｆ、［Ｉｒ（ｎｂｄ）_２］ＢＡｒ_４（Ａｒ＝３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）、Ｉｒ（ピリジン）_２（ｎｂｄ）、ＲｕＣｌ_３、［Ｒｕ（ＤＭＳＯ）_４Ｃｌ_２］、［Ｒｕ（ＣＨ_３ＣＮ）_４Ｃｌ_２］、［Ｒｕ（ＰｈＣＮ）_４Ｃｌ_２］、［Ｒｕ（ｃｏｄ）Ｃｌ_２］_ｎ、［Ｒｕ（ｃｏｄ）（メチルアリル）_２］及び［Ｒｕ（アセチルアセトネート）_３］。

特に有利な遷移金属錯体は、式（ＶＩＩＩａ、ｂ、ｃ）
［Ｍ（Ｉ）Ｈａｌ］_２（ＶＩＩＩａ）
［Ｍ（ｃｏｄ）（Ｉ）］Ａｎ（ＶＩＩＩｂ）
［Ｍ（ｎｂｄ）（Ｉ）］Ａｎ（ＶＩＩＩｃ）
［式中、
Ｍはロジウム又はイリジウムを表し、かつ
Ｈａｌはクロリド、ブロミド又はヨージドを表し、かつ
（Ｉ）は式（Ｉ）の化合物を表し、かつ
Ａｎは非配位性又は弱配位性のアニオン、例えばメタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、ペルクロレート、ヘキサフルオロアンチモネート、テトラ（ビス−３，５−トリフルオロメチルフェニル）ボレート又はテトラフェニルボレートを表す］
の化合物、及び式（ＩＸａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ）
［Ｒｕ（ＡｃＯ）_２（Ｉ）］（ＩＸａ）
［Ｒｕ_２Ｃｌ_４（Ｉ）_２ＮＥｔ_３］（ＩＸｂ）
［ＲｕＨａｌ（Ｉ）（ＡＲ）］_２（ＩＸｃ）
［Ｒｕ（Ｉ）］（Ａｎ）_２（ＩＸｄ）
［｛ＲｕＨａｌ（Ｉ）｝_２（μ−Ｈａｌ）_３］⁻［（Ｒ’’’）_２ＮＨ_２］^＋（ＩＸｅ）
［ＲｕＨａｌ_２（Ｉ）（ジアミン）］（ＩＸｆ）
［式中、
Ｈａｌはクロリド、ブロミド又はヨージドを表し、かつ
（Ｉ）は式（Ｉ）の化合物を表し、かつ
Ａｎは非配位性又は弱配位性のアニオン、例えばメタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、ペルクロレート、ヘキサフルオロアンチモネート、テトラ（ビス−３，５−トリフルオロメチルフェニル）ボレート又はテトラフェニルボレートを表し、かつ
基Ｒ’’’はそれぞれ無関係にＣ_１〜Ｃ_６−アルキルを表し、かつ
ジアミンは、有利には（Ｓ，Ｓ）−及び（Ｒ，Ｒ）−１，２−ジフェニル−エチレン−ジアミン及び（Ｒ）−又は（Ｓ）−１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−３−メチル−１，２−ブタンジアミンの群から選択されたキラルの１，２−ジアミンを表し、かつ
ＡＲは、有利にはベンゼン、ｐ−シメン及びメシチレンの群から選択されたアレン配位子を表す］
の化合物である。

かかる種類の錯体の製造は原則的に公知であり、例えばChemistry Letters, 1851, 1989；J. Organomet. Chem., 1992, 428, 213 （ＶＩＩＩａ、ｂ、ｃ）；J. Chem. Soc., Chem. Commun., 922, 1985 （ＩＸａ、ｂ、ｃ、ｄ）、ＥＰ−Ａ９４５４５７（ＩＸｅ）及びPure Appl. Chem., Vol. 71, 8, 1493-1501, 1999 （ＩＸｆ））に記載される方法に類似の方法で実施できる。

本発明による遷移金属錯体及び触媒は、エナンチオマー濃縮された化合物の遷移金属触媒による製造法における使用のため、及びＣ＝Ｃ二重結合の異性化のために特に適当であり、それも同様に本発明に包含される。

ここで、単離された遷移金属錯体、例えば式（ＶＩＩＩａ−ｃ）及び（ＩＸａ−ｅ）の遷移金属錯体も、その場で製造される遷移金属錯体も両者とも使用できるが、その際、後者が有利である。

該遷移金属錯体及び触媒は、有利には不斉水素添加のために使用される。有利な不斉水素添加は、例えばプロキラルなＣ＝Ｃ結合、例えばプロキラルなエナミン、オレフィン、エノールエーテル、Ｃ＝Ｏ結合、例えばプロキラルなケトン及びＣ＝Ｎ結合、例えばプロキラルなイミンの水素添加である。特に有利な不斉水素添加は、プロキラルなケトン、特にα−及びβ−ケトエステル、例えばクロロアセト酢酸メチル−又はエチルエステル並びにアセト酢酸メチル−又はエチルエステルの水素添加である。

ここで、使用される遷移金属化合物又は使用される遷移金属錯体の量は、例えば使用される基質に対して０．００１〜５モル％、有利には０．０１〜２モル％であってよい。

本発明により製造できるエナンチオマー濃縮された化合物は、特に農薬、医薬又はその中間生成物の製造のために特に適当である。

本発明の利点は、本発明の触媒を用いて、従来類似の触媒を使用して達成不可能であったエナンチオ選択性及び活性が達成されることである。

実施例
実施例１
（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−ジヒドロキシビフェニル−２，２’−ジイル］ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）の製造
ＣａＨ_２上で乾燥させ、撹拌容器中で湿分を排除して−７８℃に冷却した塩化メチレン１６０ｍｌ中の（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２’−ジイル］ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）８ｇの溶液に、ＢＢｒ_３３．４ｍｌ（＝８．７７ｇ）を撹拌しながら滴加し、この温度で１時間保持した。次いで温度を２時間以内で室温にまで上昇させ、この温度で更に２４時間撹拌した。氷冷却しながら、全体で５０ｍｌの水を引き続き１時間以内で十分に完全混合しながら滴加し、次いで塩化メチレンを留去し、更に水１１０ｍｌを添加した後に、撹拌しながら８０℃で６時間保持した。室温に冷却した後に、生じた沈殿物をガラス濾過フリットを介して吸引濾過し、水１００ｍｌで、次いで塩化メチレン２００ｍｌで強力に完全混合しながら洗浄した。残留した生成物の乾燥後、純粋な（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−ジヒドロキシビフェニル−２，２’−ジイル］ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）６．３ｇ（＝理論値の８２％）、融点：２３６〜２３７℃が得られた。

使用した中間生成物３８ｍｇの他に、上記の式の（Ｓ）−シス−化合物１２３ｍｇ、
融点：１２６℃〜１２８℃、［ａ］_Ｄ＝＋５７．６゜（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ_３）及び
上記の式の（Ｓ）−トランス−化合物１１８ｍｇ、
融点：１４１℃〜１４２℃、［ａ］_Ｄ＝−４８．４゜（ｃ＝１．４、ＣＨＣｌ_３）
も得られる。

実施例２
シス−及びトランス−（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，４−ブト−２−エン−ジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）の製造
ＤＭＦ１０ｍｌ中の（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−ジヒドロキシビフェニル−２，２’−ジイル］ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）０．５０ｇ（０．７６ミリモル）と炭酸カリウム０．４２ｇ（３．０４ミリモル）との混合物を室温で３０分間強力に撹拌する。更に強力に撹拌しながら、塩化アリル０．２２３ｇ（３．０４ミリモル）を添加し、この混合物を４０℃で２６時間保持する。引き続き、反応混合物を実施例１に記載された処理方法と類似の方法で後処理する。使用したジクロロジヒドロキシビフェニルホスフィンオキシド０．１３６ｇ、及び、モノアリルオキシ−及びビスアリルオキシ−ジクロロビスフェニルビスホスフィンオキシドからの混合フラクション５８ｍｇの他に、純粋な（Ｓ）−［６，６’−ビスアリルオキシ−５，５’−ジクロロビフェニル−２，２’−ジイル］ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）０．３９５ｇが得られる。

融点：２１４℃〜２１５℃（分解）、［ａ］_Ｄ＝−５６．８゜（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ_３）
無水ＣＨ_２Ｃｌ_２４０ｍｌ中の第１世代のGrubbs触媒１８ｍｇの溶液に、室温で１時間にわたって撹拌しながら、かつアルゴン雰囲気下で、ＣＨ_２Ｃｌ_２４０ｍｌ中に溶解させた上記の中間生成物２９５ｍｇを滴加する。その後、該混合物を４０℃で５時間還流下に保持し、室温で２４時間にわたって保持する。次いで、空気下で撹拌することにより（１時間）、触媒を分解させ、得られた生成物混合物をシリカゲル上で濾過し、粗生成物を実施例１の処理方法と類似の方法でクロマトグラフィーにより分離する。

実施例３
（Ｒ）−（１，４−ブト−２−エンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）の製造
ジメチルホルムアミド５０ｍｌ中の（Ｒ）−（６，６’−ジヒドロキシビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）４．１ｇ（６．９９ミリモル）及び炭酸カリウム３．８５ｇ（２７．９６ミリモル）との混合物を、室温で１時間強力に撹拌する。その後、更に強力に撹拌した該混合物に、ＤＭＦ５．０ｍｌ中に溶解させたシス−１，１−ジクロロ−ブト−２−エン０．９６ｇ（７．６９ミリモル）を滴加し、該混合物を室温で更に１２時間撹拌し、８０℃で８時間撹拌する。冷却後、該反応混合物を濾過する。

濾別した沈殿物から、２Ｎ塩酸での酸性化後、使用したジヒドロキシビスフェニルビスホスフィンオキシド０．７１ｇをそのままで純粋な形で回収する。

濾液を０．５ミリバールで６０℃に加熱しながら慎重に乾燥させ、次いで無水ジクロロメタン６０ｍｌ中に溶解させる。１２時間後、シリカゲルを濾過助剤として添加しながらこの溶液を濾過する。濾別された固体の生成物から、更に、使用したビスホスフィンオキシド０．１３ｇを回収する。

濾液を蒸発させ、粗生成物３．４１ｇを得て、該粗生成物をクロマトグラフィーにより分離する（シリカゲル Merck 9385型、溶離液：エチルアセテート／メタノール／水、５００：５０：５）。上記の式の純粋な生成物２．７６ｇを得る。
融点：１１６℃〜１１８℃、［ａ］_Ｄ＝−１６１．１゜（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ_３）

実施例４
実施例３と類似して、（Ｓ）−シス−［６，６’−（１，６−ヘキス−３−エンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル’］−ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）を製造する。
融点：２３４℃〜２３５℃、［ａ］_Ｄ＝−９９゜（ｃ＝０．５、ＥｔＯＨ）

実施例５
実施例３と類似して、（Ｒ）−トランス−［６，６’−（１，４−ブト−２−エンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル’］−ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）を製造する。
融点：１９２℃〜１９４℃（分解）、［ａ］_Ｄ＝＋８６．８゜（ｃ＝０．５、ＣＨＣｌ_３）

実施例６
（Ｒ）−シス−［６，６’−（１，４−ブト−２−エンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル）−ホスフィンの製造
実施例３からのホスフィンオキシド（０．６８６ｇ、１ミリモル）をキシレン（１８ｍｌ）と一緒にアルゴン下で装入し、得られる混合物をまずトリ−（ｎ−ブチル）アミン（３．５ｍｌ、１５ミリモル）及びトリクロロシラン（１．５ｍｌ、１５ミリモル）と混合し、次いで還流下に２時間加熱した。これを冷却し、脱気したＮａＯＨ溶液（３０％、１５ｍｌ）と短時間後撹拌し、脱気水２５ｍｌを添加し、相を分離させた。水相をメチル−ｔｅｒｔ．−ブチルエーテル（１０ｍｌ）で３回抽出し、合液した有機相をまず飽和食塩溶液で洗浄し、次いでＭｇＳＯ_４上で乾燥させた。有機溶剤を真空中で除去し、生成物を無色の粉末として得た。
収率：理論値の９５％

実施例７
（Ｓ）−シス−［６，６’−（１，４−ヘキス−３−エンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル）−ホスフィンの製造
実施例４からのホスフィンオキシドを完全に実施例６と類似の方法で還元し、９１％の収率で得た。

実施例８
（Ｓ）−シス−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，４−ブト−２−エンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル）ホスフィンの製造
実施例２からのホスフィンオキシドを完全に実施例６と類似の方法で還元し、９４％の収率で得た。

アセト酢酸メチルエステル（Ｓ１）のエナンチオ選択的水素添加
実施例９
（Ｓ）−シス−［６，６’−（１，４−ヘキス−３−エンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル）−ホスフィン（４．４ｍｇ、２モル％）、ＲｕＣｌ_３（１．４ｍｇ、１モル％）及びＳ１７５ｍｇをメタノール（１．３ｍｌ）中に装入し、該混合物を水素圧１０バール下で２３時間に亘って５０℃に加熱した。この時間の後、９７．３％ｅｅのエナンチオマー純度を検出した。

実施例１０
（Ｒ）−シス−［６，６’−（１，４−ブト−２−エンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル）−ホスフィン（４．４ｍｇ、２モル％）、ＲｕＣｌ_３（１．４ｍｇ、１モル％）及びＳ１７５ｍｇをメタノール（１．３ｍｌ）中に装入し、該混合物を水素圧１０バール下で２３時間に亘って５０℃に加熱した。この時間の後、９８．６％ｅｅの生成物のエナンチオマー純度を検出した。

実施例１１
（Ｓ）−シス−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，４−ブト−２−エンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル）−ホスフィン（４．４ｍｇ、２モル％）、ＲｕＣｌ_３（１．４ｍｇ、１モル％）及びＳ１７５ｍｇをメタノール（１．３ｍｌ）中に装入し、該混合物を水素圧１０バール下で５時間に亘って５０℃に加熱した。この時間の後、９８．３％ｅｅの生成物のエナンチオマー純度を検出した。

実施例１２（比較のため）
（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−ジメトキシ−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル）−ホスフィン（４．４ｍｇ、２モル％）、ＲｕＣｌ_３（１．４ｍｇ、１モル％）及びＳ１７５ｍｇをメタノール（１．３ｍｌ）中に装入し、該混合物を水素圧１０バール下で２３時間に亘って５０℃に加熱した。この時間の後、９６．４％ｅｅの生成物のエナンチオマー純度を検出した。

実施例１３
（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）の製造
強力撹拌機を用いて効率的に完全混合した、ＤＭＦ７５ｍｌ中の（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−ジヒドロキシビフェニル−２，２’−ジイル］ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）５．０ｇ及び炭酸カリウム４．２ｇの溶液ないし懸濁液に、２２℃で１，３−ジブロモプロパン１．６９ｇを添加した。その後、反応混合物を室温で更に７２時間撹拌し、次いで濾過した。濾液から、真空蒸留によって溶剤を除去した。副生成物として生じる（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−ビス（３−ブロモプロポキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）（０．３４ｇ）をクロマトグラフィーにより分離した（シリカゲル Merck 9385型、溶離液：エチルアセテート／ヘキサン／メタノール、１０：１：１）。主生成物は、このクロマトグラフィーの後になお不純物として使用した基質を少量含有していた。この不純物を除去するために、この生成物をＤＭＦ４０ｍｌ中に溶解させ、炭酸カリウム１６０ｍｇ及びブロモ酢酸メチルエステル０．１５ｍｇを添加し、該混合物を室温で一晩撹拌した。濾過及び真空中での蒸発による溶剤の除去の後、得られた生成物を上記と同一の条件下でクロマトグラフィーにより分離した。上記の式の純粋な生成物４．０ｇを得た。
融点：１３５℃〜１３７℃、［ａ］_Ｄ＝＋１５１．３゜（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ_３）

実施例１４
（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，４−ブタンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）の製造
強力撹拌機を用いて効率的に完全混合した、ＤＭＦ２５ｍｌ中の（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−ジヒドロキシビフェニル−２，２’−ジイル］ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）１．０ｇ及び炭酸カリウム０．８４ｇの溶液ないし懸濁液に、２２℃で１，４−ジブロモブタン０．３２９ｇを添加した。その後、反応混合物をまず室温で１２時間撹拌し、次いで８０℃で更に３６時間撹拌した。次いで、得られた生成物混合物を濾過し、濾液から、真空蒸留によって溶剤を除去した。

そのようにして得られる生成物をクロマトグラフィーにより分離した（シリカゲル Merck 9385型、溶離液：エチルアセテート／ヘキサン／メタノール、７５：１．５：１．０）。上記の式の純粋な生成物０．６７ｇを得た。
融点：１３８℃〜１４０℃、［ａ］_Ｄ＝＋１５．２゜（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ_３）

実施例１５
（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−ブタンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）の立体異性体の製造
ＤＭＦ５．０ｍｌ中の（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−ジヒドロキシビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル−ホスフィンオキシド）２５０ｍｇ及び炭酸カリウム２１０ｍｇ及びラセミ１，３−ジブロモブタン９０ｍｇの溶液ないし懸濁液を室温で１２時間強力に撹拌し、次いで８０℃で１０時間強力に撹拌した。その後、該反応混合物を濾過し、得られた濾液を真空中で乾燥するまで濃縮させた。得られた粗生成物から、クロマトグラフィーにより、それぞれ上記の式に相当する二種の純粋なジアステレオマーを純粋な形で単離した（シリカゲル Merck 9385型、溶離液：エチルアセテート／ヘキサン／メタノール、７５．０：１．５：１．０）。

ジアステレオマー４Ａ（６４ｍｇ）：
融点：１３２℃〜１３５℃、［ａ］_Ｄ＝＋６２．４゜（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ_３）
ジアステレオマー４Ｂ（４２ｍｇ）：
融点：１１８℃〜１１９℃、［ａ］_Ｄ＝＋１３７．７゜（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ_３）

実施例１６
（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，４−ブタンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル）−ホスフィンの製造
実施例１４からのホスフィンオキシド（０．６８７ｇ、１ミリモル）をキシレン（１８ｍｌ）と一緒にアルゴン下で装入し、得られる混合物をまずトリ−（ｎ−ブチル）アミン（３．５ｍｌ、１５ミリモル）及びトリクロロシラン（１．５ｍｌ、１５ミリモル）と混合し、次いで還流下に２時間加熱した。これを冷却し、脱気したＮａＯＨ溶液（３０％、１４ｍｌ）と短時間後撹拌し、脱気水２０ｍｌを添加し、相を分離させた。水相をメチル−ｔｅｒｔ．−ブチルエーテル（ＭＴＢＥ）で４回抽出し、合液した有機相をまず飽和食塩溶液で洗浄し、次いでＭｇＳＯ_４上で乾燥させた。有機溶剤を真空中で除去し、生成物を無色の粉末として得た。
収率：理論値の９７％
^３１Ｐ−ＮＭＲ（１６１．９ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：−１３．６１ｐｐｍ

実施例１７
（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル）−ホスフィンの製造
実施例１６と完全に類似の方法で、生成物を収率９８％で得た。
^３１Ｐ−ＮＭＲ（１６１．９ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：−１０．９１ｐｐｍ

クロロアセト酢酸エチルエステル（Ｓ２）及びアセト酢酸メチルエステル（Ｓ３）のエナンチオ選択的水素添加
実施例１８
（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，３−プロパンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル）−ホスフィン（３．２ｍｇ、０．０２モル％）、［（ｐ−シメン）ＲｕＣｌ］_２（１．５ｍｇ、０．０１モル％）及びＳ２４ｇをエタノール（１０ｍｌ）中に装入し、該混合物を水素圧９０バール下で１時間に亘って８０℃に加熱した。この時間の後、９６．５％ｅｅの生成物のエナンチオマー純度を検出した。

実施例１９（比較のため）
（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−ジメトキシ−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル）−ホスフィン（３．２ｍｇ、０．０２モル％）、［（ｐ−シメン）ＲｕＣｌ］_２（１．５ｍｇ、０．０１モル％）及びＳ２４ｇをエタノール（１０ｍｌ）中に装入し、該混合物を水素圧９０バール下で１時間に亘って８０℃に加熱した。この時間の後、９５．１％ｅｅの生成物のエナンチオマー純度を検出した。

実施例２０
（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−（１，４−ブタンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル）−ホスフィン（４．４ｍｇ、２モル％）、ＲｕＣｌ_３（１．４ｍｇ、１モル％）及びＳ３７５ｍｇをメタノール（１．３ｍｌ）中に装入し、該混合物を水素圧１０バール下で５時間に亘って５０℃に加熱した。この時間の後、９７．１％ｅｅの生成物のエナンチオマー純度を検出した。

実施例２１（比較のため）
（Ｓ）−［５，５’−ジクロロ−６，６’−ジメトキシ−ビフェニル−２，２’−ジイル］−ビス（ジフェニル）−ホスフィン（４．４ｍｇ、２モル％）、ＲｕＣｌ_３（１．４ｍｇ、１モル％）及びＳ３７５ｍｇをメタノール（１．３ｍｌ）中に装入し、該混合物を水素圧１０バール下で５時間に亘って５０℃に加熱した。この時間の後、９６．４％ｅｅの生成物のエナンチオマー純度を検出した。

Claims

式（Ｉ）

［式中、
Ｂは式−（ＣＨＲ^１）ｎ−（Ｒ^２Ｃ＝ＣＲ^３）−（ＣＨＲ^４）ｍの二価の基を表し、その際、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ互いに無関係に水素又はアルキルを表し、ｎ及びｍはそれぞれ互いに無関係に０又は１〜８の整数を表すが、但しｎとｍとからの総和は１〜８であるか、又は
Ｂは式−（ＣＨＲ^１）ｎ−（ＣＲ^２Ｒ^３）ｍ−（ＣＨＲ^４）ｏの二価の基を表し、その際、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は都度互いに無関係に水素又はアルキルを表し、ｎ、ｍ及びｏはそれぞれ互いに無関係に０又は１〜８の整数を表すが、但しｎ、ｍ及びｏからの総和は１〜８であり、
更に、
Ｇは塩素を表し、
Ｒ’及びＲ’’がそれぞれ互いに無関係に、非置換であるか、塩素、フッ素、シアノ、フェニル、Ｃ _１〜Ｃ _６ −アルコキシ及びＣ _１〜Ｃ _６ −アルキルの群から選択された基によって一置換又は多置換されているＣ _３〜Ｃ _８ −アルキル又はＣ _５〜Ｃ _１０ −アリールを表す］
の化合物。
式（ＩＶ）

［式中、
Ｂ、Ｇ、Ｒ’及びＲ’’は請求項１に記載された意味を有する］
の化合物の製造法において、式（ＩＩＩ）

の化合物を式（ＶＩａ）又は（ＶＩｂ）
Ｘ^３−（ＣＨＲ^１）ｎ−（Ｒ^２Ｃ＝ＣＨＲ^５）（ＶＩａ）
Ｘ^４−（ＣＨＲ^４）ｍ−（Ｒ^３Ｃ＝ＣＨＲ^６）（ＶＩｂ）
［式中、
Ｘ^３及びＸ^４はそれぞれ塩素、臭素、ヨウ素又はスルホネートを表し、かつ
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、ｎ、ｍは請求項１に記載された意味を有し、かつＲ^５及びＲ^６はそれぞれ互いに無関係に水素又はＣ_１〜Ｃ_４−アルキルを表す］
の化合物と、又は逐次的に式（ＶＩａ）及び（ＶＩｂ）の２種の異なる化合物と反応させ、式（ＶＩＩ）

［式中、
Ｒ’及びＲ’’、Ｇ、Ｒ ^１、Ｒ ^２、Ｒ ^３、Ｒ ^４、ｎ、ｍは請求項１に記載された意味を有し、かつＲ ^５及びＲ ^６はそれぞれ互いに無関係に水素又はＣ _１〜Ｃ _４ −アルキルを表す］
の化合物に変換し、次いで式（ＶＩＩ）の化合物をオレフィン−メタセシス−触媒の存在下に式（ＩＶ）の化合物に変換することを特徴とする、式（ＩＶ）の化合物の製造法。
式（ＶＩＩ）

［式中、
Ｇ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ’Ｒ’’、ｎ及びｍは請求項１に記載された意味を有し、かつ
Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ互いに無関係に水素又はＣ_１〜Ｃ_４−アルキルを表す］
の化合物。
式（ＩＶ）

［式中、
Ｇ、Ｂ、Ｒ’及びＲ’’は請求項１に記載された意味を有する］
の化合物。
請求項１に記載された式（Ｉ）の化合物を配位子として、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、パラジウム及びニッケルからなる群から選ばれた金属に配位した遷移金属錯体。
請求項５記載の遷移金属錯体を含有する、不斉水素添加によりエナンチオマー濃縮された化合物を製造するための触媒。