JP4871967B2

JP4871967B2 - 半導体発光素子およびその製造方法

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Publication number: JP4871967B2
Application number: JP2009028505A
Authority: JP
Inventors: 雅之中野; 博行十川; 秀高山田
Original assignee: Dowa Electronics Materials Co Ltd
Current assignee: Dowa Electronics Materials Co Ltd
Priority date: 2009-02-10
Filing date: 2009-02-10
Publication date: 2012-02-08
Anticipated expiration: 2029-02-10
Also published as: TW201036218A; TWI488330B; US20120007116A1; US8809894B2; EP2398078B1; JP2010186802A; KR20110120905A; EP2398078A1; KR101616150B1; EP2398078A4; WO2010092783A1; CN102388470A; CN102388470B

Description

本発明は、半導体発光素子およびその製造方法に関し、特に、発光出力を向上させた半導体発光素子およびその製造方法に関する。

近年、ＬＥＤ(半導体発光素子)の用途の多様化と共に、ＬＥＤの高出力化が望まれている。

一般に、ＬＥＤは、例えばｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層を含む半導体積層体を一対の電極で挟んで構成される。このようなＬＥＤに電圧を印加すると、活性層において光が発生し、この光は全方位に等方的に向かうこととなる。このような光のうち、光取出し側の電極部に向かった光は、この電極部に吸収および／または反射され、ＬＥＤの外部に放出されず、光取出し効率に影響を与えることが知られている。

特に、MOCVD法等により積層された薄膜の半導体層においては、光取出し側の電極部の直下位置の活性層において発生した光の大部分が、この電極部に吸収および／または反射されてしまい、光取出し効率が大幅に低下するという問題があった。

このような問題を解決するため、特許文献１には、光取出し側の電極部に対して、InGaP材料からなる中間エネルギーギャップ層を適正に配置することにより、この電極部の直下位置以外の活性層にも発光領域を広げ、これにより、光取出し効率を向上させる技術が開示されている。

また、特許文献２には、光取出し側の電極部の直下以外の一部分にのみコンタクト部を形成し、電流狭窄による内部量子効率の向上と、発生した光の光取出し効率の向上とを図る技術が開示されている。

加えて、従来は、活性層の発光領域が、光取出し側の電極部の直下位置から離れた位置にあるほど、光取出し側の電極部による光の遮蔽の影響は少ないとされ、光取出し側の電極部の直下位置と、この電極部と対になる電極部との間の距離を大きくすることにより、ＬＥＤの光取出し効率を向上させるのが一般的であった。

しかしながら、単に上記距離を大きくした場合、光取出し側の電極部とこの電極部と対になる電極部との間の距離も大きくなり、これらの間を電流が流れる際の抵抗が増加するという問題があるにも関わらず、従来技術においては、この抵抗による順方向電圧の増加については考慮されていなかった。また、光取出し側の電極部の直下位置およびこの電極部と対になる電極部の間の距離と発光出力との関係についても、何ら考慮されてはいなかった。

特開平３−３３７３号公報特開２００７−２２１０２９号公報

本発明の目的は、光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、低順方向電圧を維持したままで、発光出力を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の要旨構成は以下のとおりである。
（１）支持基板の上面側に、反射層としての金属層、導電性材料からなる中間電極部と絶縁性材料からなる部分とを含む中間層、第２導電型半導体層、活性層、第１導電型半導体層および光取出し側の上側電極部を順次具え、前記支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、前記第２導電型半導体層、前記活性層および、第１導電型半導体層は、AlGaAs系材料またはAlGaInP系材料からなり、厚さがそれぞれ1〜10μm，10〜500nm，および1〜10μmであり、前記中間層は、線状かつ島状に延在する少なくとも１つの中間電極部を有し、前記上側電極部と前記中間電極部とを前記支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、前記上側電極部が櫛歯形状であり、前記上側電極部と前記中間電極部とは、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、前記上側電極部と前記中間電極部との間の距離は、10〜50μmの範囲であることを特徴とする半導体発光素子。

（２）成長基板の上方に、厚さがそれぞれ1〜10μm，10〜500nm，および1〜10μmであり、AlGaAs系材料またはAlGaInP系材料からなる第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層を順次形成する工程と、該第２導電型半導体層上に、導電性材料からなり、線状かつ島状に延在する少なくとも１つの中間電極部と絶縁性材料からなる部分とを含む中間層を形成する工程と、該中間層上に、反射層としての金属層を形成する工程と、該金属層の上方に、支持基板を接合する工程と、前記成長基板を除去して前記第１導電型半導体層を露出する工程と、該露出した第１導電型半導体層上に、光取出し側の上側電極部を形成する工程とを具え、前記上側電極部と前記中間電極部とを前記支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、前記上側電極部が櫛歯形状であり、前記上側電極部と前記中間電極部とは、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、前記上側電極部と前記中間電極部との間の距離は、10〜50μmの範囲であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

本発明の半導体発光素子は、上側電極部と中間電極部とを支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、上側電極部と中間電極部とが、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、さらに、上側電極部と中間電極部との間の距離を適正化することにより、低順方向電圧を維持したままで、発光出力を向上させることができる。

本発明の半導体発光素子の製造方法は、上側電極部と中間電極部とを支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、上側電極部と中間電極部とが、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、さらに、上側電極部と中間電極部との間の距離を適正化することにより、低順方向電圧を維持したままで、発光出力を向上させることができる半導体発光素子を製造することができる。

本発明に従う半導体発光素子を示す模式図である。本発明に従う半導体発光素子の製造工程を示す模式図である。

次に、本発明の半導体発光素子の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１(a)および図１(b)は、本発明に従う半導体発光素子のダイシング前の断面構造およびダイシング後の所定のチップの平面図をそれぞれ模式的に示したものである。

図１(a)に示すように、本発明の半導体発光素子１は、支持基板２の上面側に、中間電極部３ａを含む中間層３、第２導電型半導体層４、活性層５、第１導電型半導体層６および上側電極部７を順次具え、支持基板２の下面側に下側電極層８を具え、中間層３は、線状または島状に延在する少なくとも１つの中間電極部３ａを有する。

また、図１(b)に示すように、これら上側電極部７と前記中間電極部３ａとを支持基板２の上面と平行な仮想面上に投影したとき、上側電極部７と中間電極部３ａとは、平行かつ相互にずれた位置関係（くし型）にあり、上側電極部７と中間電極部３ａとの間の距離ｄ（以下、「電極間距離ｄ」という。）は、10〜50μmの範囲とする。

このように、上側電極部７と中間電極部３ａとを平行かつ相互にずれた位置関係に配設することにより、活性層５の発光領域が上側電極部７に対してずれ、光取出し効率および発光出力を向上させることができ、また、電極間距離ｄを10〜50μmの範囲とすることにより、低順方向電圧と高光出力を両立させることができるものである。

電極間距離ｄを10μm未満とすると、上側電極部７の直下に流れる電流成分が大きくなり、上側電極部７と中間電極部３ａとをずらした効果が十分に得られない。一方、電極間距離ｄを50μm超えとすると、電気抵抗の距離成分が増加してしまい、低順方向電圧を実現することができない。

第２導電型半導体層４、活性層５、第１導電型半導体層６を構成する材料としては、例えばAlGaAs系材料およびAlGaInP系材料が挙げられ、支持基板２の材料はこれらの材料に応じて適宜選択することができる。これらの層４，５，６および支持基板２の厚さは、それぞれ1〜10μm，10〜500nm(総厚)，1〜10μmおよび100〜400μmとすることができる。なお、第１導電型半導体層６をｐ型層とした場合には第２導電型半導体層４をｎ型層とし、その逆も同様である。

上側電極部７は、例えばAuGe系合金材料からなるオーミックコンタクト層（50〜500nm）およびTi材料上にAu材料を積層したワイヤボンディング用のパッド層（1〜3μm）を有する構造とすることができ、下側電極層８の材料は、支持基板２の材料に応じて適宜選択することができる。

中間電極部３ａの材料は、例えばAuZn系合金材料とすることができ、中間層３の中間電極部３ａ以外の部分は、例えばSiO₂またはSi₃N₄材料からなる絶縁材料で形成することができる。ウエハ接合時に表面の凹凸が少ないことが望ましいため、中間層３の厚さは、絶縁材料層と同等の厚さであることが好ましく、50〜500nmとするのが好ましい。これは、厚さが50nm未満では、絶縁不十分になるおそれがあり、また、500nmを超えても本願の効果は得られるが、500nmを超えて厚くすると絶縁材料による光の影響が無視できなくなることがあり、また、厚くすることによる効果も期待できず不経済となることが考えられるためである。

また、支持基板２と中間層３との間に、反射層としての金属層９をさらに設ける。活性層５で発生した光のうち、支持基板２側に向かった光を上側電極部７側から効率的に取り出すためである。金属層９は、例えばAu，Al，Cuまたははんだ材料等の接合用金属材料とすることができ、赤〜赤外の波長の光を発光層で発生させる場合には、同波長範囲において高い光の反射率を有するAu材料が好ましく、その厚さは100〜1000nmの厚さとするのが好ましい。100nm未満の場合には、光の反射率が劣る場合があり、1000nmを超える厚さとしても本願の効果は得られるが、光の反射率を高くする効果が期待できず不経済となることによる。

次に、本発明の半導体発光素子の製造方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図２(a)〜図２(h)は、本発明に従う半導体発光素子の製造工程を模式的に示したものである。

本発明の半導体発光素子１の製造方法は、図２(a)に示すように、成長基板１０の上方に、第１導電型半導体層６、活性層５および第２導電型半導体層４を順次形成する。これら層６，５，４は例えばMOCVD法を用いてエピタキシャル成長により形成することができる。成長基板１０は、例えばGaAs基板とすることができ、その厚さは、特に限定されないが、200〜400μmとすることができる。

次に、図２(b)および図２(c)に示すように、第２導電型半導体層４上に中間電極部３ａを含む中間層３を形成する。中間電極部３ａは、例えばスパッタリング法、電子ビーム蒸着法または抵抗加熱蒸着法により第２導電型半導体層４上に蒸着した後、図２(b)に示すように、所定の形状にエッチングする。その後、所定の熱処理を施すことにより第２導電型半導体層４との間のコンタクト抵抗を下げることができる。次いで、中間電極部３ａおよび第２導電型半導体層４上に、例えばスパッタリング法またはプラズマＣＶＤ法により絶縁膜を成膜し、例えばウェットエッチングまたはドライエッチングにより中間電極部３ａよりも上方の絶縁膜を除去して図２(c)に示すような中間層３を形成する。

次に、図２(d)および図２(e)に示すように、中間層３の上方に支持基板２を接合する。このとき、予め中間層３上に反射層としての金属層９を形成しておく。金属層９は、例えばAu，Al，Cuまたははんだ材料等の接合用金属材料を蒸着することにより形成することができ、特に、低温での接合が可能であり、また酸化や腐食が少ないため、Au材料で形成するのがより好ましい。また、この金属層９上に、例えばPt材料からなる拡散防止層（50〜200nm）および例えばAu材料からなる接合層（1〜2μm）を形成してもよい。これに対し、支持基板２上には、予め例えばAuGe系合金材料からなるオーミックコンタクト層（50〜500nm）、例えばTi材料からなる密着層（50〜200nm）および例えばAu材料からなる接合層（1〜2μm）を形成しておくのが好ましい。また、支持基板２の接合は、例えば250〜400℃の範囲の温度で15〜120分間加熱圧着することによるのが好ましい。金属層を介して接合することで、低温での基板接合が可能になり、半導体層の特性や構造を劣化させることなく接合することができる。

その後、図２(f)に示すように、成長基板１０を除去して第１導電型半導体層６を露出する。成長基板１０の除去は、例えば研磨またはウェットエッチングにより行うことができ、エッチング液は、成長基板１０の材料に応じて適宜選択することができる。

露出した第１導電型半導体層６上には、図２(g)に示すように、上側電極部７を形成する。この上側電極部７は、例えばオーミックコンタクト層上にパッド層を蒸着し、フォトリソグラフィ後にウェットエッチングを施すことにより、図１(b)に示すように、上側電極部７の上方側から支持基板２の上面に透影して見たとき、上側電極部７と中間電極部３ａとが、平行かつ相互にずれた位置関係(くし型)にあり、また、上側電極部７と中間電極部３ａとの間の距離dが10〜50μmの範囲となるように形成する。

その後、所定の熱処理を施すことにより、第１導電型半導体層６との間のコンタクト抵抗を下げることができる。

また、支持基板２の下面側に下側電極層８を蒸着して形成し、図２(h)に示されるようにダイシングが行われる。

本発明に従う半導体発光素子は、上述したような方法を用いて製造することができる。

上述したところは、この発明の実施形態の一例を示したにすぎず、請求の範囲において種々の変更を加えることができる。

次に、本発明の電流狭窄型発光素子を試作し、性能を評価したので、以下で説明する。
実施例は、図１に示す断面構造を有し、GaAs材料からなる成長基板(厚さ:280μm)上に、MOCVD法を用いてAl_0.4Ga_0.6As材料からなるｎ型半導体層(厚さ:5μm，ドーパント:Te，濃度:5×10¹⁷/cm³)、InGaAs/AlGaAs多重量子井戸構造の活性層(厚さ:8/5nm，3組，総厚:約50nm)およびAlGaAs材料からなるｐ型半導体層(厚さ:2μm，ドーパント:C，濃度:1×10¹⁸/cm³)を１回のエピタキシャル成長で順次形成し、抵抗加熱蒸着法によりAuZn合金(Zn含有率:5質量%)からなる中間電極部材料を蒸着して、所定のフォトリソグラフィ後のエッチングにより中間電極部(厚さ:100nm)を形成した後、オーミックコンタクトをとるために、400℃の熱処理を施した。
次に、プラズマCVD法により、中間電極部およびｐ型半導体層上にSi₃N₄材料を成膜し、BHFエッチング液を用いたウェットエッチングにより、中間電極部よりも上方のSi₃N₄材料を除去して中間層を形成した。
中間層上には、反射層として、電子ビーム蒸着法により、Au材料からなる金属層(厚さ:500nm)を形成し、この金属層上に、Pt材料からなる拡散防止層(厚さ:100nm)およびAu材料からなる接合層（厚さ:1μm）を形成した。また、接合用にGaAs材料からなる支持基板(厚さ:280μm，ドーパント:Si，濃度:2×10¹⁸/cm³)を用意し、この上には、予めAuGe系合金(Ge含有率:12質量%)材料からなるオーミックコンタクト層（厚さ:200nm）、Ti材料からなる密着層（厚さ:100nm）およびAu材料からなる接合層(厚さ1μm)を形成しておいた。これら中間層の接合層と支持基板の接合層とを、350℃で30分間加熱圧着し、支持基板の接合を行った。このようにして得られた構造物に対し、室温のアンモニア水:過酸化水素水:水=1:12:18(体積比)の液中において２時間揺動させることによりウェットエッチングを行い、成長基板の除去を行った。
次に、露出したｎ型半導体層上に、低温加熱蒸着法により、AuGe系合金(Ge含有率:12質量%)材料からなるオーミックコンタクト層(厚さ:200nm)およびTi材料上にAu材料を積層してパッド層(Ti厚さ:100nm，Au厚さ:2μm)を蒸着し、フォトリソグラフィ後にウェットエッチングを施すことにより、上側電極部の上方側から支持基板の上面に透影して見たとき、上側電極部と中間電極部とが、図１(b)に示す位置関係となるよう、電極間距離を表１に示す値となるよう形成した後、380℃の熱処理を施した。なお、図１(b)において、チップの隅に形成された部分はワイヤボンディング用のパッド部(100μm角)であり、この部分から幅20μmの上側電極が延びた構造となっている。また、上側電極部および中間電極部の本数は、電極間距離に応じて適宜選択した。
最後に、リン酸および過酸化水素水の混合液を用いてエッチングによりメサを形成し、ダイサーを用いてダイシングすることにより、500μm角の正方形チップを作製した。

このようにして作製したチップを積分球に設置し、電流20mAとなるように通電したときの順方向電圧Vf(V)および発光出力Po(mW)を測定した。これらの結果を表１に示す。なお、光出力は全光束分光測定システム（Labshere社製SLMS-1021-S）を用いて測定した。

表１の結果から、実施例１〜４は、比較例１〜３と比較して、低順方向電圧を維持したままで、発光出力を向上させることができていることがわかる。
特に、順方向電圧に関しては、電極間距離ｄとの明確な相関が見られ、10≦d(μm)≦50の範囲では、Vf=1.55以下と、ＬＥＤの使用に対して十分に低いVfが得られた。
また、発光出力に関しては、10≦d(μm)≦50の範囲でPo=4.9mW以上と、ＬＥＤの使用に対して十分に高い光出力が得られた。

本発明によれば、上側電極部と中間電極部とを支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、上側電極部と中間電極部との間の距離を適正化することにより、低順方向電圧を維持したままで、発光出力を向上させることができる半導体発光素子を提供することができる。

本発明の半導体発光素子の製造方法によれば、上側電極部と中間電極部とを支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、上側電極部と中間電極部との間の距離を適正化することにより、低順方向電圧を維持したままで、発光出力を向上させることができる半導体発光素子を製造することができる。

１半導体発光素子
２支持基板
３中間層
３ａ中間電極部
４第２導電型半導体
５活性層
６第１導電型半導体
７上側電極部
８下側電極層
９金属層
１０成長基板

Claims

支持基板の上面側に、反射層としての金属層、導電性材料からなる中間電極部と絶縁性材料からなる部分とを含む中間層、第２導電型半導体層、活性層、第１導電型半導体層および光取出し側の上側電極部を順次具え、前記支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、
前記第２導電型半導体層、前記活性層および、第１導電型半導体層は、AlGaAs系材料またはAlGaInP系材料からなり、厚さがそれぞれ1〜10μm，10〜500nm，および1〜10μmであり、
前記中間層は、線状かつ島状に延在する少なくとも１つの中間電極部を有し、
前記上側電極部と前記中間電極部とを前記支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、
前記上側電極部が櫛歯形状であり、
前記上側電極部と前記中間電極部とは、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、
前記上側電極部と前記中間電極部との間の距離は、10〜50μmの範囲である
ことを特徴とする半導体発光素子。
成長基板の上方に、厚さがそれぞれ1〜10μm，10〜500nm，および1〜10μmであり、AlGaAs系材料またはAlGaInP系材料からなる第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層を順次形成する工程と、
該第２導電型半導体層上に、導電性材料からなり、線状かつ島状に延在する少なくとも１つの中間電極部と絶縁性材料からなる部分とを含む中間層を形成する工程と、
該中間層上に、反射層としての金属層を形成する工程と、
該金属層の上方に、支持基板を接合する工程と、
前記成長基板を除去して前記第１導電型半導体層を露出する工程と、
該露出した第１導電型半導体層上に、光取出し側の上側電極部を形成する工程と
を具え、
前記上側電極部と前記中間電極部とを前記支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、
前記上側電極部が櫛歯形状であり、
前記上側電極部と前記中間電極部とは、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、
前記上側電極部と前記中間電極部との間の距離は、10〜50μmの範囲である
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。