JP4856880B2 - 反射防止フィルム、偏光板及び画像表示装置 - Google Patents
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Description
例えば、特許文献1、特許文献2及び特許文献3にはバインダー中に微小空孔を形成させることで屈折率を低下させようという試みがある。また特許文献4には多孔質シリカを使用して屈折率を低下させる試みがある。これらはいずれも膜強度や指紋汚れ等の点で実用的に満足できるものではなかった。
また、特許文献5、特許文献6、特許文献7、特許文献8及び特許文献9には、中空シリカ粒子を低屈折率層に含有した反射防止膜の記載がある。
本発明の目的は、反射率が低く、水滴の付着跡が改良され、防汚性に優れる反射防止フィルムを提供することにある。更には、そのような反射防止フィルムを用いた偏光板や画像表示装置を提供すること、及び、そのような反射防止フィルムの製造方法を提供することにある。
<1>
透明支持体上に、吸着水量が6.1質量%以下で粒子サイズが20〜100nmである多孔質および/または中空の無機微粒子、表面自由エネルギーを低下させる化合物、及び架橋構造を有する飽和炭化水素鎖を主鎖として有するバインダーポリマーを含む低屈折率層を有する反射防止フィルムであって、
該表面自由エネルギーを低下させる化合物が、分子内に活性エネルギー線硬化性の(メタ)アクリロイル基を少なくとも1つ含むシリコーン化合物であり、
該架橋構造を有する飽和炭化水素鎖を主鎖として有するバインダーポリマーが、2個以上のエチレン性不飽和基を有するモノマーの(共)重合体からなり、該モノマーが以下から選ばれることを特徴とする反射防止フィルム。
多価アルコールと(メタ)アクリル酸とのエステル、ビニルベンゼンおよびその誘導体、ビニルスルホン、アクリルアミド、及びメタクリルアミド
<2>
前記架橋構造を有する飽和炭化水素鎖を主鎖として有するバインダーポリマーが、2個以上のエチレン性不飽和基を有するモノマーの(共)重合体であって、該モノマーが以下から選らばれることを特徴とする上記<1>に記載の反射防止フィルム。
エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4-シクロヘキサンジアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート)、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,2,3-シクロヘキサンテトラメタクリレート、ポリウレタンポリアクリレート、ポリエステルポリアクリレート、1,4-ジビニルベンゼン、4-ビニル安息香酸-2-アクリロイルエチルエステル、1,4-ジビニルシクロヘキサノン、ジビニルスルホン、メチレンビスアクリルアミド
<3>
シリコーンおよび/またはフルオロアルキル基が上記低屈折率層の表面に偏析し、上記低屈折率層の最表面と最表面から80%下層における光電子スペクトル強度比Si/Cおよび/またはF/Cが該最表面において80%下層よりも5倍以上大きいことを特徴とする上記<1>又は<2>に記載の反射防止フィルム。
<4>
上記無機微粒子の表面が、酸触媒および/または金属キレート化合物を使用して下記一般式(I)で表されるオルガノシランの加水分解物および/またはその部分縮合物により処理がされていることを特徴とする上記<1>〜<3>のいずれかに記載の反射防止フィルム。
一般式(I):(R 10 ) m Si(X) 4-m
(式中、R 10 は、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を表す。Xは水酸基または加水分解可能な基を表す。mは1〜3の整数を表す。)
<5>
上記<1>〜<4>のいずれかに記載の反射防止フィルムを備えたことを特徴とする偏光板。
<6>
上記<1>〜<4>のいずれかに記載の反射防止フィルムまたは上記<5>に記載の偏光板を備えたことを特徴とする画像表示装置。
なお、本発明は、上記<1>〜<6>に関するものであるが、参考のため、その他の事項(例えば下記1〜14に記載の事項等)についても記載した。
1.透明支持体上に、吸着水量が6.1質量%以下で粒子サイズが20〜100nmである多孔質および/または中空の無機微粒子と表面自由エネルギーを低下させる化合物を含む低屈折率層を有することを特徴とする反射防止フィルム。
2.上記表面自由エネルギーを低下させる化合物が、シリコーン化合物およびフッ素系化合物から選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とする上記1.に記載の反射防止フィルム
3.上記表面自由エネルギーを低下させる化合物がシリコーン化合物であることを特徴とする上記2.に記載の反射防止フィルム。
4.上記表面自由エネルギーを低下させる化合物が、分子中にバインダーとの反応性を有する基を少なくとも1つ含むことを特徴とする上記1.〜3.のいずれかに記載の反射防止フィルム。
5.上記表面自由エネルギーを低下させる化合物が、分子中に活性エネルギー線硬化性の(メタ)アクリロイル基を少なくとも1つ含むことを特徴とする上記1.〜4.のいずれかに記載の反射防止フィルム。
6.透明支持体上に、吸着水量が6.1質量%以下で粒子サイズが20〜100nmである多孔質および/または中空の無機微粒子と表面自由エネルギー低下能を有するバインダーを含む層低屈折率を有することを特徴とする反射防止フィルム。
7.シリコーンおよび/またはフルオロアルキル基が上記低屈折率層の表面に偏析し、上記低屈折率層の最表面と最表面から80%下層における光電子スペクトル強度比Si/Cおよび/またはF/Cが該最表面において80%下層よりも5倍以上大きいことを特徴とする上記1.〜6.のいずれかに記載の反射防止フィルム。
8.上記表面自由エネルギー低下能を有するバインダーがシリコーンおよび/またはフッ素を含むことを特徴とする上記6.または7.に記載の反射防止フィルム。
9.上記表面エネルギー低下能を有するバインダーが含フッ素重合体であることを特徴とする上記6.〜8.のいずれかに記載の反射防止フィルム。
10.上記表面自由エネルギー低下能を有するバインダーが、活性エネルギー線硬化性の(メタ)アクリロイル基を有する重合体であることを特徴とする上記6.〜9.のいずれかに記載の反射防止フィルム。
11.上記表面自由エネルギー低下能を有するバインダーが一般式1で表されることを特徴とする上記6.〜10.のいずれかに記載の反射防止フィルム。
一般式(I):(R10)mSi(X)4-m
(式中、R10は、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を表す。Xは水酸基または加水分解可能な基を表す。mは1〜3の整数を表す。)
13.上記1.〜12.のいずれかに記載の反射防止フィルムを備えたことを特徴とする偏光板。
14.上記1.〜12.のいずれかに記載の反射防止フィルムまたは上記13.に記載の偏光板を備えたことを特徴とする画像表示装置。
まず、本発明の低屈折率層について説明する。
本発明の反射防止フィルムの低屈折率層の屈折率は、1.20〜1.46であることが好ましく、1.25〜1.40であることがより好ましく、1.25〜1.38であることが特に好ましい。さらに、低屈折率層は下記数式(I)を満たすことが低反射率化の点で好ましい。
(mλ/4)×0.7<n1d1<(mλ/4)×1.3 ……数式(I)
式中、mは正の奇数であり、n1は低屈折率層の屈折率であり、そして、d1は低屈折率層の膜厚(nm)である。また、λは波長であり、500〜550nmの範囲の値である。なお、上記数式(I)を満たすとは、上記波長の範囲において数式(I)を満たすm(正の奇数、通常1である)が存在することを意味している。
本発明の低屈折率層中に含有される吸着水量が6.1質量%以下であり、粒子サイズが20〜100nmである多孔質および/または中空の無機微粒子について、以下に説明する。
これらの空孔含有微粒子(多孔質又は中空の微粒子)を使用する際に、構造・種類に制限は無いが、好ましくは多孔質又は中空の無機酸化物微粒子である。無機酸化物微粒子の場合には、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化スズを主成分とする微粒子が好ましい。
中空微粒子の好ましい製造方法は、以下の工程よりなる。第1段階として後処理で除去可能なコア粒子形成、第2段階としてシェル層形成、第3段階としてコア粒子の溶解、必要に応じて第4段階として追加シェル相の形成である。具体的には中空粒子の製造は、例えば特開2001−233611号公報に記載されている中空シリカ微粒子の製造方法に準じて行うことができる。
多孔質粒子の好ましい製造方法は、第1段階としてアルコキシドの加水分解や縮合の程度、共存物質の種類や量を制御し多孔質のコア粒子を製造し、第2段階としてその表面にシェル層を形成する方法である。具体的には多孔質粒子の製造は、例えば、特開2003−327424号、同2003−335515号、同2003−226516号、同2003−238140号等の各公報に記載された方法で行うことができる。
本発明においては、後述の無機微粒子の吸着水量を減らすことが好ましく、粒子サイズの変更、シェル厚の変更、水熱処理の条件等により制御することができる。また、粒子を焼成することで吸着水量を低減することもできる。
本発明において、空孔含有微粒子の吸着水量は以下の測定法により求めることができる。粒子の粉末を、ロータリーポンプを用いて、20℃、約1hPaの条件で1時間乾燥させた。その後20℃−55%の相対湿度で1時間保存した。島津(株)製DTG−50を用い、乾燥後の試料を約10mgを白金セルに秤量し、加熱速度20℃/minで温度20℃から950℃まで上昇させた。吸着水量は200℃まで昇温した際の質量減少百分率として以下の式により算出した。
吸着水量(%)=100×(W20−W200)/W200
(W20:昇温開始時の初期質量、W200:200℃まで昇温した時点での質量)
尚、粒子が分散液の場合には、溶媒をエバポレーター(25℃、10hPaに減圧)で留去し、残渣をメノウ乳鉢ですりつぶして粉末とした後に、上記工程で測定することができる。
本発明においては、吸着水量は6.1質量%以下が好ましく、更に好ましくは5.5質量%以下、最も好ましくは5.0質量%以下である。
層中に粒子サイズや調製条件が異なる粒子を複数種含む場合においては、それら粒子の少なくとも1種の吸着水量が6.1質量%以下であればよい。但し、吸着水量が6.1質量%以下の粒子の全粒子にしめる割合が、30質量%以上であることが好ましく、50質量%以上であることがより好ましく、70質量%以上であることがさらに好ましい。
本発明の空孔含有微粒子のサイズの測定は、粒子を透過型電子顕微鏡で観察し、円相当径を1000個の平均で算出した。直径は20〜100nmが好ましく、更に好ましくは35〜100nm、最も好ましくは45〜80nmである。粒子径が小さ過ぎると屈折率の上昇や吸着水量の増大が認められ好ましくなく、粒子径が大きすぎると反射防止フィルムを構成した際の塗膜での散乱が大きくなり好ましくない。
本発明においては、空孔含有微粒子はサイズ分布を有していても良く、その変動係数は好ましくは60%〜5%、更に好ましくは50%〜10%である。また、平均粒子サイズの異なる2種又は3種以上の粒子を混合して用いることもできる。
本発明に好ましく用いることのできる空孔含有微粒子の屈折率は、1.15〜1.40が好ましく、更に好ましくは1.15〜1.35、最も好ましくは1.18〜1.30である。粒子の屈折率は以下の方法により求めることができる。
(1)マトリックス形成成分液の調製
テトラエトキシシラン(TEOS)(SiO2濃度28質量%)55g、エタノール200g、濃硝酸1.4gおよび水34gの混合溶液を室温で5時間攪拌した。SiO2に換算したときの濃度が5質量%になるようエタノール量を調節してマトリックス形成成分を含む液(M−1)を調製した。
(2)塗膜の作製
マトリックス形成成分液(M−1)と空孔含有微粒子とを、酸化物換算の質量比[マトリックス(SiO2):空孔含有微粒子(MOx+SiO2)]が、それぞれ100:0、90:10、80:20、60:40、50:50、25:75となるように、混合した屈折率測定用塗布液を調製した。ここで、シリカ以外の無機化合物をMOxで表す。各塗布液を、表面を50℃に保ったシリコンウェハー上に300rpm、スピナー法で各々塗布し、次いで160℃で30分加熱処理した後、エリプソメーターで形成した屈折率測定用被膜の屈折率を測定した。
(3)屈折率の算出
次いで、得られた屈折率と粒子混合割合(粒子:(MOx+SiO2)/[粒子:(MOx+SiO2)+マトリックス:SiO2])をプロットし、外挿によって粒子が100%のときの屈折率を求めた。空孔含有微粒子の割合が多すぎると、測定用の被膜中に空隙が生じて被膜の屈折率を低下させることがあるため、空孔含有微粒子の割合の高いサンプルで量依存性から外れるデーターは排除した。
次に空孔含有微粒子(多孔質又は中空の無機微粒子)の表面の処理方法について述べる。後述のフッ化アルキル部及び/又はジメチルシロキサン部を含有する低屈折率層用バインダーへの分散性を改良するために、無機微粒子の表面は下記一般式(I)で表されるオルガノシランの加水分解物および/またはその部分縮合物により処理がされているのが好ましく、処理の際に、酸触媒および金属キレート化合物のいずれか、あるいは両者が使用されることが更に好ましい。
本発明に用いるオルガノシラン化合物について詳細に説明する。
一般式(I)
(R10)m−Si(X)4-m
一般式(I)においてR10は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表す。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ヘキシル基、t−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、デシル基、ヘキサデシル基等が挙げられる。アルキル基として好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは1〜6のものである。アリール基としてはフェニル基、ナフチル基等が挙げられ、好ましくはフェニル基である。
mは1〜3の整数を表す。R10もしくはXが複数存在するとき、複数のR10もしくはXはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。mとして好ましくは1または2であり、特に好ましくは1である。
R10が複数ある場合は、少なくとも一つが、置換アルキル基もしくは置換アリール基であることが好ましい。中でも該置換アルキル基もしくは置換アリール基がさらにビニル重合性基を有することが好ましく、この場合、一般式(I)で表される化合物は、下記一般式(II)で表されるビニル重合性の置換基を有するオルガノシラン化合物として表すことができる。
Yは、単結合、エステル基、アミド基、エーテル基またはウレア基を表す。単結合、エステル基およびアミド基が好ましく、単結合およびエステル基が更に好ましく、エステル基が特に好ましい。
R10は、一般式(I)のR10と同義であり、置換もしくは無置換のアルキル基、無置換のアリール基が好ましく、無置換のアルキル基、無置換のアリール基が更に好ましい。
Xは、一般式(I)のXと同義であり、ハロゲン、水酸基、無置換のアルコキシ基が好ましく、塩素、水酸基、無置換の炭素数1〜6のアルコキシ基が更に好ましく、水酸基、炭素数1〜3のアルコキシ基が更に好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
一般式(III)
(Rf−L1)n−Si(X1)n-4
上記式中、Rfは炭素数1〜20の直鎖、分岐、環状の含フッ素アルキル基、または炭素数6〜14の含フッ素芳香族基を表す。Rfは、炭素数3〜10の直鎖、分岐、環状のフルオロアルキル基が好ましく、炭素数4〜8の直鎖のフルオロアルキル基が更に好ましい。L1は炭素数10以下の2価の連結基を表し、好ましくは炭素数1〜10のアルキレン基、更に好ましくは炭素数1〜5のアルキレン基を表す。アルキレン基は、直鎖もしくは分岐の、置換もしくは無置換の、内部に連結基(例えば、エーテル、エステル、アミド)を有していてもよいアルキレン基である。アルキレン基は置換基を有していてもよく、その場合の好ましい置換基は、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、エポキシ基、アルキル基、アリール基等が挙げられる。X1は一般式(I)のXと同義であり、ハロゲン、水酸基、無置換のアルコキシ基が好ましく、塩素、水酸基、無置換の炭素数1〜6のアルコキシ基が更に好ましく、水酸基、炭素数1〜3のアルコキシ基が更に好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
一般式(IV)
CnF2n+1−(CH2)m−Si(X2)3
上記式中、nは1〜10の整数、mは1〜5の整数を表す。Rは炭素数1〜5のアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。nは4〜10が好ましく、mは1〜3が好ましく、X2はメトキシ基、エトキシ基、及び塩素原子を表す。
オルガノシラン化合物の使用量が上記範囲であると、分散液の安定化効果が充分得られ、塗膜形成時に膜強度も上昇する。複数種のオルガノシラン化合物を併用することも好ましく、複数種の化合物を同時に添加することも、添加時間をずらして反応させることもできる。また、複数種の化合物を予め部分縮合物にしてから添加すると反応制御が容易であり好ましい。
加水分解縮合反応は、加水分解性基(X、X1、X2)1モルに対して0.3〜2.0モル、好ましくは0.5〜1.0モルの水を添加し、本発明に用いられる酸触媒または、金属キレート化合物の存在下、15〜100℃で、撹拌することにより行われることが好ましい。
オルガノシランの加水分解物および/または縮合反応物による分散性の改良処理は、触媒の存在下で行われることが好ましい。触媒としては、塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸類;シュウ酸、酢酸、ギ酸、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸等の有機酸類;水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア等の無機塩基類;トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基類;トリイソプロポキシアルミニウム、テトラブトキシジルコニウム等の金属アルコキシド類等が挙げられるが、無機酸化物微粒子液の製造安定性や保存安定性の点から、本発明においては、酸触媒(無機酸類、有機酸類)及び/又は金属キレート化合物が用いられる。無機酸では塩酸、硫酸、有機酸では、水中での酸解離定数(pKa値(25℃))が4.5以下のものが好ましく、塩酸、硫酸、水中での酸解離定数が3.0以下の有機酸がより好ましく、塩酸、硫酸、水中での酸解離定数が2.5以下の有機酸が更に好ましく、水中での酸解離定数が2.5以下の有機酸が更に好ましく、メタンスルホン酸、シュウ酸、フタル酸、マロン酸が更に好ましく、シュウ酸が特に好ましい。
金属キレート化合物は、Zr、TiまたはAlから選ばれる金属を中心金属とするものであれば特に制限なく好適に用いることができる。この範疇であれば、2種以上の金属キレート化合物を併用しても良い。本発明に用いられる金属キレート化合物の具体例としては、トリ−n−ブトキシエチルアセトアセテートジルコニウム、ジ−n−ブトキシビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、n−ブトキシトリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、テトラキス(n−プロピルアセトアセテート)ジルコニウム、テトラキス(アセチルアセトアセテート)ジルコニウム、テトラキス(エチルアセトアセテート)ジルコニウムなどのジルコニウムキレート化合物;ジイソプロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタニウム、ジイソプロポキシ・ビス(アセチルアセテート)チタニウム、ジイソプロポキシ・ビス(アセチルアセトン)チタニウムなどのチタニウムキレート化合物;ジイソプロポキシエチルアセトアセテートアルミニウム、ジイソプロポキシアセチルアセトナートアルミニウム、イソプロポキシビス(エチルアセトアセテート)アルミニウム、イソプロポキシビス(アセチルアセトナート)アルミニウム、トリス(エチルアセトアセテート)アルミニウム、トリス(アセチルアセトナート)アルミニウム、モノアセチルアセトナート・ビス(エチルアセトアセテート)アルミニウムなどのアルミニウムキレート化合物などが挙げられる。
これらの金属キレート化合物のうち好ましいものは、トリ−n−ブトキシエチルアセトアセテートジルコニウム、ジイソプロポキシビス(アセチルアセトナート)チタニウム、ジイソプロポキシエチルアセトアセテートアルミニウム、トリス(エチルアセトアセテート)アルミニウムである。これらの金属キレート化合物は、1種単独であるいは2種以上混合して使用することができる。また、これらの金属キレート化合物の部分加水分解物を使用することもできる。
本発明において無機微粒子を粉体から溶媒中に分散して調製するには、分散剤を用いることもできる。本発明においては、アニオン性基を有する分散剤を用いることが好ましい。
アニオン性基としては、カルボキシル基、スルホン酸基(スルホ)、リン酸基(ホスホノ)、スルホンアミド基等の酸性プロトンを有する基、またはその塩が有効であり、特にカルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基またはその塩が好ましく、カルボキシル基、リン酸基が特に好ましい。分散性をさらに改良する目的でアニオン性基は複数個が含有されていてもよい。平均で2個以上であることが好ましく、より好ましくは5個以上、特に好ましくは10個以上である。また、分散剤に含有されるアニオン性基は、1分子中に複数種類が含有されていてもよい。
分散剤は、さらに架橋又は重合性官能基を含有することもできる。架橋又は重合性官能基としては、ラジカル種による付加反応・重合反応が可能なエチレン性不飽和基(例えば(メタ)アクリロイル基、アリル基、スチリル基、ビニルオキシ基等)、カチオン重合性基(エポキシ基、オキサタニル基、ビニルオキシ基等)、重縮合反応性基(加水分解性シリル基等、N−メチロール基)等が挙げられ、好ましくはエチレン性不飽和基を有する官能基である。
(1):1+cosθH2O=2√γsd(√γH2O d/γH2O v)+2√γsh(√γH2O h/γH2O v)
(2):1+cosθCH2I2=2√γsd(√γCH2I2 d/γCH2I2 v)+2√γsh(√γCH2I2 h/γCH2I2 v)
*γH2O d=21.8、γH2O h=51.0、γH2O v=72.8、γCH2I2 d=49.5、γCH2I2 h=1.3、γCH2I2 v=50.8で、接触角の測定は25℃60%の条件下で1時間以上反射防止フィルムを調湿した後に同条件下において実施するものとする。
フッ素系化合物は、さらに低屈折率層皮膜との結合形成あるいは相溶性に寄与する置換基を有していることが好ましい。該置換基は同一であっても異なっていても良く、複数個あることが好ましい。好ましい置換基の例としてはアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、アリール基、シンナモイル基、エポキシ基、オキセタニル基、水酸基、ポリオキシアルキレン基、カルボキシル基、アミノ基などが挙げられる。フッ素系化合物はフッ素原子を含まない化合物とのポリマーであってもオリゴマーであってもよく、分子量に特に制限はない。フッ素系化合物のフッ素原子含有量には特に制限は無いが20質量%以上であることが好ましく、30〜70質量%であることが特に好ましく、40〜70質量%であることが最も好ましい。好ましいフッ素系化合物の例としてはダイキン化学工業(株)製、R−2020、M−2020、R−3833、M−3833(以上商品名)、大日本インキ(株)製、メガファックF−171、F−172、F−179A、ディフェンサMCF−300(以上商品名)などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
架橋性官能基の例には、イソシアナート基、エポキシ基、アジリジン基、オキサゾリン基、アルデヒド基、カルボニル基、ヒドラジン基、カルボキシル基、メチロール基および活性メチレン基が含まれる。ビニルスルホン酸、酸無水物、シアノアクリレート誘導体、メラミン、エーテル化メチロール、エステルおよびウレタン、テトラメトキシシランのような金属アルコキシドも、架橋構造を導入するためのモノマーとして利用できる。ブロックイソシアナート基のように、分解反応の結果として架橋性を示す官能基を用いてもよい。すなわち、本発明において架橋性官能基は、すぐには反応を示すものではなくとも、分解した結果反応性を示すものであってもよい。これら架橋性官能基を有するバインダーポリマーは塗布後、加熱することによって架橋構造を形成することができる。
低屈折率層の屈折率は、1.20〜1.46であることが好ましく、1.25〜1.40であることがより好ましく、1.25〜1.38であることが特に好ましい。
低屈折率層の厚さは、50〜200nmであることが好ましく、70〜120nmであることがさらに好ましい。低屈折率層のヘイズは、3%以下であることが好ましく、2%以下であることがさらに好ましく、1%以下であることが最も好ましい。具体的な低屈折率層の強度は、500g荷重の鉛筆硬度試験でH以上であることが好ましく、2H以上であることがさらに好ましく、3H以上であることが最も好ましい。
また、光学フィルムの防汚性能を改良するために、表面の水に対する接触角が90度以上であることが好ましい。更に好ましくは95度以上であり、特に好ましくは100度以上である。
本発明の反射防止フィルムは、透明な基材上に、必要に応じて後述のハードコート層を有し、その上に光学干渉によって反射率が減少するように屈折率、膜厚、層の数、層順等を考慮して積層されている。反射防止フィルムは、最も単純な構成では、基材上に低屈折率層のみを塗設した構成である。更に反射率を低下させるには、反射防止層を、基材よりも屈折率の高い高屈折率層と、基材よりも屈折率の低い低屈折率層を組み合わせて構成することが好ましい。構成例としては、基材側から高屈折率層/低屈折率層の2層のものや、屈折率の異なる3層を、中屈折率層(基材またはハードコート層よりも屈折率が高く、高屈折率層よりも屈折率の低い層)/高屈折率層/低屈折率層の順に積層されているもの等があり、更に多くの反射防止層を積層するものも提案されている。中でも、耐久性、光学特性、コストや生産性等から、ハードコート層を有する基材上に、中屈折率層/高屈折率層/低屈折率層の順に塗布することが好ましい。
・基材フィルム/低屈折率層、
・基材フィルム/帯電防止層/低屈折率層、
・基材フィルム/防眩層/低屈折率層、
・基材フィルム/防眩層/帯電防止層/低屈折率層
・基材フィルム/ハードコート層/防眩層/低屈折率層、
・基材フィルム/ハードコート層/防眩層/帯電防止層/低屈折率層
・基材フィルム/ハードコート層/帯電防止層/防眩層/低屈折率層
・基材フィルム/ハードコート層/高屈折率層/低屈折率層、
・基材フィルム/ハードコート層/帯電防止層/高屈折率層/低屈折率層、
・基材フィルム/ハードコート層/中屈折率層/高屈折率層/低屈折率層、
・基材フィルム/防眩層/高屈折率層/低屈折率層、
・基材フィルム/防眩層/中屈折率層/高屈折率層/低屈折率層、
・基材フィルム/帯電防止層/ハードコート層/中屈折率層/高屈折率層/低屈折率層、
・帯電防止層/基材フィルム/ハードコート層/中屈折率層/高屈折率層/低屈折率層、
・基材フィルム/帯電防止層/防眩層/中屈折率層/高屈折率層/低屈折率層、
・帯電防止層/基材フィルム/防眩層/中屈折率層/高屈折率層/低屈折率層、
・帯電防止層/基材フィルム/防眩層/高屈折率層/低屈折率層/高屈折率層/低屈折率層、
光学干渉により反射率を低減できるものであれば、特にこれらの層構成のみに限定されるものではない。高屈折率層は防眩性のない光拡散性層であってもよい。
また、帯電防止層は導電性ポリマー粒子または金属酸化物微粒子(例えば、ATO、ITO)を含む層であることが好ましく、塗布または大気圧プラズマ処理等によって設けることができる。
次に、高(中)屈折率層について説明する。
本発明に高屈折率層が用いられる場合、屈折率は、1.65乃至2.40であることが好ましく、1.70乃至2.20であることがさらに好ましい。中屈折率層が用いられる場合、屈折率は、低屈折率層の屈折率と高屈折率層の屈折率との間の値となるように調整する。中屈折率層の屈折率は、1.55乃至1.80であることが好ましい。高屈折率層および中屈折率層のヘイズは、3%以下であることが好ましい。
本発明の高屈折率層および中屈折率層に用いる二酸化チタンを主成分とする無機微粒子の分散には、分散剤を用いることができる。本発明の二酸化チタンを主成分とする無機微粒子の分散には、アニオン性基を有する分散剤を用いることが特に好ましい。アニオン性基としては、カルボキシル基、スルホン酸基(及びスルホ基)、リン酸基(及びホスホノ基)、スルホンアミド基等の酸性プロトンを有する基、またはその塩が有効であり、特にカルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基及びその塩が好ましく、カルボキシル基及びリン酸基が特に好ましい。1分子当たりの分散剤に含有されるアニオン性基の数は、1個以上含有されていればよい。無機微粒子の分散性をさらに改良する目的でアニオン性基は複数個が含有されていてもよい。平均で2個以上であることが好ましく、より好ましくは5個以上、特に好ましくは10個以上である。また、分散剤に含有されるアニオン性基は、1分子中に複数種類が含有されていてもよい。
高屈折率層および中屈折率層に用いる二酸化チタンを主成分とする無機微粒子は、分散物の状態で高屈折率層および中屈折率層の形成に使用する。無機微粒子の分散において、前記の分散剤の存在下で、分散媒体中に分散する。分散媒体は、沸点が60〜170℃の液体を用いることが好ましい。分散媒体の例には、水、アルコール(例、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ベンジルアルコール)、ケトン(例、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン)、エステル(例、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル)、脂肪族炭化水素(例、ヘキサン、シクロヘキサン)、ハロゲン化炭化水素(例、メチレンクロライド、クロロホルム、四塩化炭素)、芳香族炭化水素(例、ベンゼン、トルエン、キシレン)、アミド(例、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、n−メチルピロリドン)、エーテル(例、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラハイドロフラン)、エーテルアルコール(例、1−メトキシ−2−プロパノール)が含まれる。トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンおよびブタノールが好ましい。特に好ましい分散媒体は、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンである。
S=[D(0.9)−D(0.1)]/D(0.5)
D(0.1):体積換算粒径の積算値の10%相当粒径
D(0.5):体積換算粒径の積算値の50%相当粒径
D(0.9):体積換算粒径の積算値の90%相当粒径
反射防止膜をCRT画像表示面やレンズ表面に直接設ける場合を除き、反射防止膜は透明基材(透明支持体)を有することが好ましい。透明基材の光透過率は、80%以上であることが好ましく、86%以上であることがさらに好ましい。透明基材のヘイズは、2.0%以下であることが好ましく、1.0%以下であることがさらに好ましい。透明基材の屈折率は、1.4〜1.7であることが好ましい。透明基材としてはガラス板よりもプラスチックフィルムの方が好ましい。プラスチックフィルムの材料の例には、セルロースエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエステル(例、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ−1,4−シクロヘキサンジメチレンテレフタレート、ポリエチレン−1,2−ジフェノキシエタン−4、4’−ジカルボキシレート、ポリブチレンテレフタレート)、ポリスチレン(例、シンジオタクチックポリスチレン)、ポリオレフィン(例、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリメチルペンテン)、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリメチルメタクリレートおよびポリエーテルケトンが含まれる。セルロースエステル、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートが好ましい。特に、液晶表示装置に用いる場合、セルロースアシレートフィルムが好ましく、セルロースからエステル化してセルロースアシレートが作製される。特に好ましい前述のセルロースがそのまま利用できる訳ではなく、リンター、ケナフ、パルプを精製して用いられる。
添加剤の使用量は、透明基材の0.01〜20質量%であることが好ましく、0.05〜10質量%であることがさらに好ましい。
本発明の反射防止フィルムのハードコート層について以下に説明する。
ハードコート層は、ハードコート性を付与するためのバインダー、必要に応じて防眩性を付与するためのマット粒子、および高屈折率化、架橋収縮防止、高強度化のための無機フィラーから形成される。バインダーとしては、飽和炭化水素鎖またはポリエーテル鎖を主鎖として有するポリマーであることが好ましく、飽和炭化水素鎖を主鎖として有するポリマーであることがさらに好ましい。また、バインダーポリマーは架橋構造を有することが好ましい。飽和炭化水素鎖を主鎖として有するバインダーポリマーとしては、エチレン性不飽和モノマーの重合体が好ましい。飽和炭化水素鎖を主鎖として有し、かつ架橋構造を有するバインダーポリマーとしては、二個以上のエチレン性不飽和基を有するモノマーの(共)重合体が好ましい。高屈折率にするには、このモノマーの構造中に芳香族環や、フッ素以外のハロゲン原子、硫黄原子、リン原子、及び窒素原子から選ばれた少なくとも1種の原子を含むことが好ましい。
本発明の反射防止フィルムを塗布する方法としては、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法やダイコート法が好ましく、グラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ダイコート法がより好ましく、ダイコート法が特に好ましい。更に、構成を後述のように工夫したダイを使用して塗布を行うことが最も好ましい。
図1は、本発明の実施の際に使用したスロットダイを用いたコーターの断面図である。コーター10はバックアップロール11に支持されて連続走行するウェブWに対して、スロットダイ13から塗布液14をビード14aにして塗布することにより、ウェブW上に塗膜14bを形成する。
本発明の反射防止フィルムは、液晶表示装置(LCD)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(ELD)や陰極管表示装置(CRT)のような画像表示装置に適用することができる。本発明の反射防止フィルムは透明支持体を有しているので、透明支持体側を画像表示装置の画像表示面に接着して用いられる。
テトラエトキシシラン(TEOS、SiO2濃度28質量%)360gとメタノール530gを混合し、この混合液に25℃において、イオン交換水100gとアンモニア水(28%アンモニア含有)をそれぞれ滴下し、24時間攪拌し熟成した。オートクレーブで180℃、4時間加熱処理し、限外濾過膜を用いて溶媒をエタノールに置換して固形分濃度20質量%の無機微粒子(P−1)の分散液を調製した。透過電子顕微鏡観察により多孔質の粒子であることが確認された。
調製例1で作製した無機微粒子(P−1)分散液100.0gに対してイオン交換水を900g及びエタノール800gを加えた混合液を30℃に加温した後、テトラエトキシシラン(SiO2濃度28質量%)360gと28%アンモニア水626gを添加し、粒子表面にテトラエトキシシランの加水分解重縮合物でシリカ外殻層を形成した。次いで、エバポレーターで固形分濃度5質量%まで濃縮した後、濃度15質量%のアンモニア水を加えてpH10とし、オートクレーブで180℃、4時間加熱処理し、限外濾過膜を用いて溶媒をエタノールに置換した固形分濃度20質量%の無機微粒子(P−2)の分散液を調製した。
無機微粒子(P−2)の調製工程において、テトラエトキシシラン(SiO2濃度28質量%)の添加量を360gから470gに変更した以外は無機微粒子(P−2)の調製工程と同様にして無機微粒子(P−3)を調製した。
平均粒径5nm、SiO2濃度20質量%のシリカゾル90gとイオン交換水1710gとを混合して反応母液を調製し、95℃に加温した。この反応母液のpHは10.5であり、同母液にSiO2として1.5質量%のケイ酸ナトリウム水溶液24,900gと、Al2O3として0.5質量%のアルミン酸ナトリウム水溶液36,800gとを同時に添加した。その間、反応液の温度を91℃に保持した。添加終了後、反応液を室温まで冷却し、限外濾過膜で洗浄して固形分濃度20質量%のSiO2・Al2O3コア粒子の分散液(A)を調製した。(第1調製工程)
次いで、このコア粒子の分散液(A)500gを採取し、イオン交換水1,700gを加えて98℃に加温し、この温度を保持しながら、ケイ酸ナトリウム水溶液を陽イオン交換樹脂で脱アルカリして得られたケイ酸液(SiO2濃度3.5質量%)2,100gを添加してコア粒子表面にシリカ保護膜を形成した。得られたシリカ保護膜を有するコア粒子の分散液を、限外濾過膜で洗浄して固形分濃度13質量%に調整したのち、コア粒子の分散液500gにイオン交換水1,125gを加え、さらに濃塩酸(35.5%)を滴下してpH1.0とし、脱アルミニウム処理を行ったのち、pH3の塩酸水溶液10Lとイオン交換水5Lを加えながら限外濾過膜で溶解したアルミニウム塩を分離し、粒子前駆体分散液を調製した。(第2調製工程)
上記粒子前駆体分散液1500gと、イオン交換水500gおよびエタノール1,750gとの混合液を30℃に加温した後、テトラエトキシシラン(SiO228質量%)40gと28%アンモニア水626gを速度を制御しながら添加し、粒子前駆体表面にテトラエトキシシランの加水分解重縮合物でシリカ外殻層を形成することによって、外殻層内部に空洞を有する粒子を作製した。次いで、エバポレーターで固形分濃度5質量%まで濃縮した後、濃度15質量%のアンモニア水を加えてpH10とし、オートクレーブで180℃、4時間加熱処理し、限外濾過膜を用いて溶媒をエタノールに置換した固形分濃度20質量%の中空シリカ微粒子ゾル(空孔含有無機微粒子)(P−4)の分散液を調製した。(第3調製工程)
無機微粒子(P−4)の第3調製工程において、テトラエトキシシラン(SiO228質量%)の添加量を60gに変更した以外は無機微粒子(P−4)の調製工程と同様にして中空シリカ微粒子ゾル(P−5)を調製した。
無機酸化物粒子(P−4)の第3調製工程において、テトラエトキシシラン(SiO228質量%)の添加量を70gに変更した以外は無機微粒子(P−4)の調製工程と同様にして中空シリカ微粒子ゾル(P−6)を調製した。
無機微粒子(P−4)の第3調製工程において、テトラエトキシシラン(SiO228質量%)の添加量を160gに変更した以外は無機微粒子(P−4)の調製工程と同様にして中空シリカ微粒子ゾル(P−7)を調製した。
[粒子サイズの変更]
第1調製工程において、平均粒径5nmのシリカゾルの添加量を変えることで粒子サイズの変更を行った。
[吸着水量の変更]
第2調製工程において、ケイ酸液(SiO2濃度3.5質量%)の量を変更又は、第3調製工程において、テトラエトキシシラン量、アンモニア量、添加タイミング、温度、時間等を適宜変更して粒子を形成した。
この様にして得られた粒子を用い以下の評価を行った。
(評価1)粒子サイズ測定
分散液を希釈してグリッド上にすくい取り透過型電子顕微鏡で観察した。1000個の粒子の平均の粒子サイズを求めた。
(評価2)吸着水量
分散液をエバポレーターで乾燥し粉末化した後に、200℃まで昇温した際の質量減少百分率として以下の式により算出した。
吸着水量(%)=100×(W20−W200)/W200
(W20:昇温開始時の初期質量、W200:200℃まで昇温した時点での質量)
(評価3)粒子屈折率
本文に記載の方法で粒子をマトリックス中に含量を変えて塗膜を形成した。膜の屈折率を測定し、無機微粒子100%時の屈折率を外挿して粒子屈折率とした。
評価(1)〜(3)の結果は表1に示す。
以下に示す多層の反射防止フィルムを作製した。
(ゾル液aの調製)
攪拌機、還流冷却器を備えた反応器に、メチルエチルケトン120部、アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン(KBM−5103、信越化学工業(株)製)100部、ジイソプロポキシアルミニウムエチルアセトアセテート(商品名、ケロープEP−12、ホープ製薬(株)製)3部を加え混合したのち、イオン交換水30部を加え、60℃で4時間反応させたのち、室温まで冷却し、ゾル液aを得た。質量平均分子量は1600であり、オリゴマー成分以上の成分のうち、分子量が1000〜20000の成分は100%であった。また、ガスクロマトグラフィー分析から、原料のアクリロイルオキシプロピルトリメトキシシランは全く残存していなかった。固形分の濃度が29%になるようにメチルエチルケトンで調節してゾル液aとした。
調製例6で作製した中空シリカ微粒子ゾル(P−6)の500部(シリカ濃度20質量%、エタノール分散液)に対して、ほぼシリカの含量が一定となるようにイソプロピルアルコールを添加しながら、圧力20kPaで減圧蒸留による溶媒置換を行った。このようにして得られたシリカ分散液(シリカ濃度20%)500部に、アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン(KBM−5103、信越化学工業(株)製)30部、およびジイソプロポキシアルミニウムエチルアセテート(商品名、ケロープEP−12、ホープ製薬(株)製)1.5部加え混合した後に、イオン交換水を9部を加えた。60℃で8時間反応させた後に室温まで冷却し、アセチルアセトン1.8部を添加した。この分散液500gにほぼシリカの含量一定となるようにシクロヘキサノンを添加しながら、圧力20kPaで減圧蒸留による溶媒置換を行った。分散液に異物の発生はなく、固形分濃度をシクロヘキサノンで調整し20質量%にしたときの粘度は25℃で5mPa・sであった。得られた分散液(A−6)のイソプロピルアルコールの残存量をガスクロマトグラフィーで分析したところ、1.5%であった。
各調製例で調製した他の無機微粒子(P−1)〜(P−5)、(P−7)〜(P−11)について、分散液(A−6)の調製に準じて処理を行い、対応する分散液(A−1)〜(A−5)、(A−7)〜(A−11)を調製した。
PETA 50.0質量部
イルガキュア184 2.0質量部
SX−350(30%) 1.7質量部
架橋アクリル−スチレン粒子(30%) 13.3質量部
FP−132 0.75質量部
KBM−5103 10.0質量部
トルエン 38.5質量部
デソライトZ7404 100質量部
(ジルコニア微粒子含有ハードコート組成液:JSR(株)製)
DPHA (UV硬化性樹脂:日本化薬(株)製) 31質量部
KBM−5103 10質量部
KE−P150 (1.5μmシリカ粒子:日本触媒(株)製) 8.9質量部
MXS−300 (3μm架橋PMMA粒子:綜研化学(株)製) 3.4質量部
MEK(メチルエチルケトン) 29質量部
MIBK(メチルイソブチルケトン) 13質量部
トリメチロールプロパントリアクリレート(TMPTA:ビスコート#295、日本化薬(株)製)750.0質量部に、質量平均分子量15000のポリ(グリシジルメタクリレート)270.0質量部、メチルエチルケトン730.0質量部、シクロヘキサノン500.0質量部及び光重合開始剤(イルガキュア184、日本チバガイギー(株)製)50.0質量部を添加して攪拌した。
二酸化チタン微粒子としては、コバルトを含有し、かつ水酸化アルミニウムと水酸化ジルコニウムを用いて表面処理を施した二酸化チタン微粒子(MPT−129C、石原産業(株)製、TiO2:Co3O4:Al2O3:ZrO2=90.5:3.0:4.0:0.5質量比)を使用した。
この粒子257.1質量部に、下記分散剤41.1質量部、およびシクロヘキサノン701.8質量部を添加してダイノミルにより分散し、質量平均径70nmの二酸化チタン分散液を調製した。
上記の二酸化チタン分散液99.1質量部に、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの混合物(DPHA)68.0質量部、光重合開始剤(イルガキュア907、日本チバガイギー(株)製)3.6質量部、光増感剤(カヤキュアーDETX、日本化薬(株)製)1.2質量部、メチルエチルケトン279.6質量部およびシクロヘキサノン1049.0質量部を添加して攪拌した。十分に攪拌ののち、孔径0.4μmのポリプロピレン製フィルターで濾過した。
上記の二酸化チタン分散液A469.8質量部に、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの混合物(DPHA、日本化薬(株)製)40.0質量部、光重合開始剤(イルガキュア907、日本チバガイギー(株)製)3.3質量部、光増感剤(カヤキュア−DETX、日本化薬(株)製)1.1質量部、メチルエチルケトン526.2質量部、およびシクロヘキサノン459.6質量部を添加して攪拌した。孔径0.4μmのポリプロピレン製フィルターで濾過した。
JTA−113(6%) 941.7質量部
MEK−ST−L(30%) 100.0質量部
ゾル液a 46.6質量部
塗布液全体の固形分濃度が6質量%になり、シクロヘキサノンとMEKの質量比率が3対97となるようにシクロヘキサノンとMEKで希釈した。
JTA−113(6%) 941.7質量部
調製粒子分散液:A−4(20%) 195.0質量部
ゾル液a 15.6質量部
塗布液全体の固形分濃度が6質量%になり、シクロヘキサノンとMEKの質量比率が10対90となるようにシクロヘキサノンとMEKで希釈した。
JTA−113(6%) 783.3質量部
調製粒子分散液:A−4(20%) 195.0質量部
MEK−ST−L(30%) 30.0質量部
ゾル液a 17.2質量部
塗布液全体の固形分濃度が6質量%になり、シクロヘキサノンとMEKの質量比率が10対90となるようにシクロヘキサノンとMEKで希釈した。
DPHA 50.0質量部
調製粒子分散液:A−4(20%) 195.0質量部
Irg−907 3.0質量部
ゾル液a 17.2質量部
塗布液全体の固形分濃度が6質量%になり、シクロヘキサノンとMEKの質量比率が10対90となるようにシクロヘキサノンとMEKで希釈した。
DPHA 50.0質量部
調製粒子分散液:A−6(20%) 195.0質量部
Irg−907 3.0質量部
ゾル液a 17.2質量部
塗布液全体の固形分濃度が6質量%になり、シクロヘキサノンとMEKの質量比率が10対90となるようにシクロヘキサノンとMEKで希釈した。
DPHA 50.0質量部
調製粒子分散液:A−6(20%) 195.0質量部
RMS−033 3.0質量部
Irg−907 3.0質量部
ゾル液a 17.2質量部
塗布液全体の固形分濃度が6質量%になり、シクロヘキサノンとMEKの質量比率が10対90となるようにシクロヘキサノンとMEKで希釈した。
DPHA 5.0質量部
例示フッ素ポリマー:P−1 45.0質量部
調製粒子分散液:A−4(20%) 195.0質量部
Irg−907 3.0質量部
ゾル液a 17.2質量部
塗布液全体の固形分濃度が6質量%になり、シクロヘキサノンとMEKの質量比率が10対90となるようにシクロヘキサノンとMEKで希釈した。
DPHA 5.0質量部
例示フッ素ポリマー:P−1 45.0質量部
調製粒子分散液:A−6(20%) 195.0質量部
Irg−907 3.0質量部
ゾル液a 17.2質量部
塗布液全体の固形分濃度が6質量%になり、シクロヘキサノンとMEKの質量比率が10対90となるようにシクロヘキサノンとMEKで希釈した。
DPHA 5.0質量部
例示フッ素ポリマー:P−1 45.0質量部
調製粒子分散液:A−6(20%) 195.0質量部
RMS−033 3.0質量部
Irg−907 3.0質量部
ゾル液a 17.2質量部
塗布液全体の固形分濃度が6質量%になり、シクロヘキサノンとMEKの質量比率が10対90となるようにシクロヘキサノンとMEKで希釈した。
例示フッ素ポリマー:P−1 93.0質量部
RMS−033 3.0質量部
Irg−907 4.0質量部
塗布液全体の固形分濃度が6質量%になり、シクロヘキサノンとMEKの質量比率が10対90となるようにシクロヘキサノンとMEKで希釈した。
テトラメトキシシラン30質量部とメタノール240質量部を4つ口反応フラスコに入れ、液温を30℃に保ちながら攪拌し、次いで、これに水6質量部に硝酸2質量部を加えた水溶液を加えて30℃で5時間攪拌し、シロキサンオリゴマーのアルコール溶液(溶液A)を得た。シロキサンオリゴマーのGPCによるエチレングリコール/ポリエチレンオキサイド換算の相対分子量は950であった。
溶液Aおよび溶液Bの調製は低屈折率層用塗布液Kと同様に行い、溶液A30質量部及び溶液B100質量部に更に水素末端ポリジメチルシロキサンDMS−H21(Gelest製)を1質量部、前述の粒子分散液A−4(20.0%)を80質量部加えて攪拌混合して、混合塗工液中の固形分濃度が1質量%となるように酢酸ブチルにて希釈を行い低屈折率層用塗布液Lを得た。
JTA−113(6%) 783.3質量部
調製粒子分散液:A−5(20%) 195.0質量部
MEK−ST−L(30%) 30.0質量部
RMS−033 3.0質量部
ゾル液a 17.2質量部
塗布液全体の固形分濃度が6質量%になり、シクロヘキサノンとMEKの質量比率が10対90となるようにシクロヘキサノンとMEKで希釈した。
JTA−113(6%) 783.3質量部
調製粒子分散液:A−5(20%) 195.0質量部
MEK−ST−L(30%) 30.0質量部
X22−163C 3.0質量部
ゾル液a 17.2質量部
塗布液全体の固形分濃度が6質量%になり、シクロヘキサノンとMEKの質量比率が10対90となるようにシクロヘキサノンとMEKで希釈した。
JTA−113(6%) 783.3質量部
調製粒子分散液:A−5(20%) 195.0質量部
MEK−ST−L(30%) 30.0質量部
KF−6003 3.0質量部
ゾル液a 17.2質量部
塗布液全体の固形分濃度が6質量%になり、シクロヘキサノンとMEKの質量比率が10対90となるようにシクロヘキサノンとMEKで希釈した。
PETA:ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレートの混合物(日本化薬(株)製)
イルガキュア184:重合開始剤(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(株)製)
SX−350:平均粒径3.5μm架橋ポリスチレン粒子(屈折率1.60、綜研化学(株)製、30%トルエン分散液。ポリトロン分散機にて10000rpmで20分間分散後使用)
架橋アクリル−スチレン粒子:平均粒径3.5μm(屈折率1.55、綜研化学(株)製、30%トルエン分散液)
FP−132:フッ素系表面改質剤
JTA−113:熱架橋性含フッ素ポリマー(屈折率1.44、固形分濃度6%、JSR(株)製)「オプスターJTA−113:商品名」
P−1:パーフルオロオレフィン共重合体(1)
DPHA:ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの混合物(日本化薬(株)製)
MEK−ST−L:シリカゾル(シリカ、MEK−STの粒子サイズ違い、平均粒径45nm、固形分濃度30%、日産化学(株)製)
KF96−1000CS:ストレートシリコーン(信越化学工業(株)製)
KF−6003:カルビノール変性シリコーン(信越化学工業(株)製)
X22−164C:メタクリロキシ変性シリコーン(信越化学工業(株)製)
X22−163C:エポキシ変性シリコーン(信越化学工業(株)製)
RMS−033:メタクリロキシ変性シリコーン(Gelest(株)製)
R−2020:フルオロアルキルアクリレートモノマー(ダイキン(株)製)
FMS−121:フルオロアルキルシリコーン(Gelest(株)製)
Irg−907:光重合開始剤(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(株)製)
支持体としてトリアセチルセルロースフィルム(TD80U、富士写真フイルム(株)製)をロール形態で巻き出して直接、上記のハードコート層用塗布液を線数180本/インチ、深度40μmのグラビアパターンを有する直径50mmのマイクログラビアロールとドクターブレードを用いて、搬送速度30m/分の条件で塗布し、60℃で150秒乾燥の後、さらに窒素パージ下で160W/cmの空冷メタルハライドランプ(アイグラフィックス(株)製)を用いて、照度400mW/cm2、ハードコート層Aは照射量250mJ/cm2、ハードコート層Cは照射量300mJ/cm2の紫外線照射して塗布層を硬化させ、ハードコート層を形成し、巻き取った。硬化後、ハードコート層Aは厚さが6μmとなるようにハードコート層Cは厚さが8μmとなるようにグラビアロール回転数を調整した。
支持体としてトリアセチルセルロースフィルム(TD80U、富士写真フイルム(株)製)をロール形態で巻き出して直接、上記のハードコート層用塗布液を線数135本/インチ、深度60μmのグラビアパターンを有する直径50mmのマイクログラビアロールとドクターブレードを用いて、搬送速度10m/分の条件で塗布し、60℃で150秒乾燥の後、さらに窒素パージ下で160W/cmの空冷メタルハライドランプ(アイグラフィックス(株)製)を用いて、照度400mW/cm2、照射量250mJ/cm2の紫外線を照射して塗布層を硬化させ、ハードコート層を形成し、巻き取った。硬化後、ハードコート層の厚さが3.6μmとなるようにグラビアロール回転数を調整した。
ハードコート層まで塗設したトリアセチルセルロースフィルム(TD−80UF、富士写真フイルム(株)製)を再び巻きだして、中屈折率層用塗布液を線数180本/インチ、深度40μmのグラビアパターンを有する直径50mmのマイクログラビアロールとドクターブレードを用いて塗布した。乾燥条件は90℃、30秒とし、紫外線硬化条件は酸素濃度が1.0体積%以下の雰囲気になるように窒素パージしながら180W/cmの空冷メタルハライドランプ(アイグラフィックス(株)製)を用いて、照度400mW/cm2、照射量400mJ/cm2の照射量とした。塗布後の厚さ67nmになるようにグラビアロールの回転数を調節しながら中屈折率層を形成し、巻き取った。硬化後の中屈折率層は屈折率1.630であった。
中屈折率層まで塗設したトリアセチルセルロースフィルム(TD−80UF、富士写真フイルム(株)製)を再び巻きだして、高屈折率層用塗布液を線数180本/インチ、深度40μmのグラビアパターンを有する直径50mmのマイクログラビアロールとドクターブレードを用いて塗布した。乾燥条件は90℃、30秒とし、紫外線硬化条件は酸素濃度が1.0体積%以下の雰囲気になるように窒素パージしながら240W/cmの空冷メタルハライドランプ(アイグラフィックス(株)製)を用いて、照度600mW/cm2、照射量400mJ/cm2の照射量とした。塗布後の厚さ107nmになるようにグラビアロールの回転数を調節しながら高屈折率層を形成し、巻き取った。硬化後の高屈折率層は屈折率1.905であった。
ハードコート層もしくは高屈折率層まで塗設したトリアセチルセルロースフィルムを再び巻き出して、上記低屈折率層用塗布液を線数180本/インチ、深度40μmのグラビアパターンを有する直径50mmのマイクログラビアロールとドクターブレードを用いて、搬送速度15m/分の条件で塗布し、120℃で150秒で前乾燥の後、更に140℃で8分、後乾燥させてから窒素パージ下で240W/cmの空冷メタルハライドランプ(アイグラフィックス(株)製)を用いて、照度400mW/cm2、照射量900mJ/cm2の紫外線を照射し、厚さ100nmになるようにグラビアロールの回転数を調節しながら低屈折率層を形成し、巻き取った。
後乾燥を省いた以外は「塗布硬化方式A」と同様にした。
上記で調製した低屈折率層用塗布液をワイヤーバーを用いて硬化後の厚みが約100nmとなるように塗工し、90℃で1時間加熱硬化して反射防止層を形成した。
ハードコート層まで塗設したトリアセチルセルロースフィルムを再び巻き出して、上記低屈折率層用塗布液をダイコート法により塗布した。120℃で150秒乾燥の後、更に140℃で8分乾燥させてから窒素パージ下で240W/cmの空冷メタルハライドランプ(アイグラフィックス(株)製)を用いて、照度400mW/cm2、照射量900mJ/cm2の紫外線を照射し、厚さ100nmの低屈折率層を形成し、巻き取った。
表2〜表4に示すように上記方法により反射防止フィルム試料を作成した。
表2及び5において、試料004〜008、011、012、014、015、018〜021は「本発明」とあるのを「参考例」に読み替えるものとする。
表3及び6において、試料109〜116は「本発明」とあるのを「参考例」に読み替えるものとする。
表4及び7において、試料203、206、及び207は「本発明」とあるのを「参考例」に読み替えるものとする。
製膜後、試料016〜018を除く前記試料について以下の処理を行った。
1.5mol/lの水酸化ナトリウム水溶液を調製し、55℃に保温した。0.01mol/lの希硫酸水溶液を調製し、35℃に保温した。作製した反射防止フィルムを上記の水酸化ナトリウム水溶液に2分間浸漬した後、水に浸漬し水酸化ナトリウム水溶液を十分に洗い流した。次いで、上記の希硫酸水溶液に1分間浸漬した後、水に浸漬し希硫酸水溶液を十分に洗い流した。最後に試料を120℃で十分に乾燥させた。
前記の鹸化処理後に得られたフィルム試料について、以下の項目の評価を行った。ただし試料016〜018については鹸化処理を行なわないフィルム試料について、同様に以下の項目の評価を行った。
フィルム、偏光板、又は画像表示装置の反射防止フィルムの最表面を水平に設置した。25℃−55%の相対湿度に30分間以上放置した後に、イオン交換水2.0mlをピペット(エッペンドルフ社製)で約2秒かけて滴下した。反射防止膜の表面により広がりやすさが異なるが、水滴を直径約1.5〜2.5cmの円状に広げた。15分間放置後、ベンコット(旭化成(株)製)で水滴を拭き取った。水滴を滴下する前後で反射防止フィルムの反射スペクトルを測定した。測定は日本分光(株)製 Model V−550UV/Vis Spectorphotometerを用い、D65標準光源下でのCIE1976L*a*b*色空間における色度変化(△E)を決定した。
(2)平均反射率
分光光度計(日本分光(株)製)を用いて、380〜780nmの波長領域において、入射角5°における分光反射率を測定した。結果には450〜650nmの平均反射率を用いた。
(3)マジック拭き取り性
反射防止フィルムをガラス面上に粘着剤で固定し、25℃60RH%の条件下で黒マジック「マッキー極細(商品名:ZEBRA製)」のペン先(細)にて直径5mmの円形を3周書き込み、5秒後に10枚重ねに折り束ねたベンコット(商品名、旭化成(株))でベンコットの束がへこむ程度の荷重で20往復拭き取る。マジック跡が拭き取りで消えなくなるまで前記の書き込みと拭き取りを前記条件で繰り返し、拭き取りできた回数を求めた。上記テストを4回繰り返し、平均して下記4段階で評価した。
◎:10回以上拭き取り可能。
○:数回〜10回未満拭き取れる。
△:1回だけ拭き取れる。
×:1回も拭き取れない
島津製作所(株)製ESCA−3400で各々の反射防止フィルムついて測定(真空度1×10-5Pa、X線源;ターゲットMg、電圧12kV、電流20mA)された最表面のSi2p、F1s、C1sの光電子スペクトルの強度比Si2p/C1s(=Si(a))、F1s/C1s(=F(a))とESCA−3400に付属のイオンエッチング装置(イオンガン、電圧2kV、電流20mA)で低屈折率層をその層厚が1/5(±5%)になるまで削った表面から80%下層において測定した光電子スペクトルの強度比Si2p/C1s(=Si(b))、F1s/C1s(=F(b))から、エッチング前後でのそれぞれの強度比の変化、Si(a)/Si(b)、F(a)/F(b)、を求め、それぞれのSi2p/C1s比、F1s/C1s比のエッチング前後における変化(低屈折率層最上部における光電子スペクトルの強度比/低屈折率層の表面から深さ80%下層付近における光電子スペクトルの強度比の変化)を以下4段階で評価した。上記測定を同一膜面上で互いに少なくとも2cm以上離れた場所3箇所で行った。
◎:エッチング後の強度比が5倍以上が1箇所以上。
○:エッチング後の強度比が5倍未満、3倍以上が1箇所以上。
△:エッチング後の強度比が3倍未満、1.5倍以上が1箇所以上。
−:エッチング後の強度比が1.5倍未満
なお、F1s、C1sはそれぞれの光電子スペクトルのピーク位置で強度を求め、Si2pは結合エネルギーが105eV付近のシリコーン(ポリジメチルシロキサンのSi原子)由来のピーク位置における強度を上記の強度比算出に用い、無機シリカ粒子由来のSi原子と区別した。種々のエッチング条件で低屈折率層表面を徐々に削り進む予備実験を実施しておき、下層のハードコート層または高屈折率層に達するまでに要するエッチング条件から表面から深さ80%となる条件を求めてから測定した。
本発明の反射防止フィルムは、水滴付着後の色味変化が小さく、反射率、マジック拭き取り性にも優れ、反射防止フィルムとして性能が向上している。本発明の試料は比較試料001に対していずれも低反射化と水滴付着後の色味変化抑制を達成でき、比較試料101に対してシリコーンやフルオロアルキル化合物を添加した試料103〜106などは水滴付着後の色味変化抑制に加えてマジック拭き取り性が向上する。更にシリコーンとフッ素バインダーを併用する試料110〜113などは水滴付着後の色味変化抑制に優れ、更に一段高いマジック拭き取り性を発現した。
次に、本発明試料フィルム004、006,015、110を偏光板と貼り合わせて反射防止付き偏光板を作製した。この偏光板を用いて反射防止層を最表層に配置した液晶表示装置を作製したところ、外光の映り込みが少なく、反射像が目立たず優れた視認性を有していた。また実使用形態において問題となる水滴付着後の水あと、防汚性等は満たされていた。
1.5mol/l、55℃のNaOH水溶液中に2分間浸漬したあと中和、水洗した、80μmの厚さのトリアセチルセルロースフィルム(TAC−TD80U、富士写真フイルム(株)製)と、実施例2で使用した本発明試料塗設置したトリアセチルセルロースフィルムに、ポリビニルアルコールにヨウ素を吸着させ、延伸して作製した偏光膜の両面を接着、保護して偏光板を作製した。このようにして作製した偏光板を、反射防止膜側が最表面となるように透過型TN液晶表示装置搭載のノートパソコンの液晶表示装置(偏光選択層を有する偏光分離フィルムである住友3M(株)製のD−BEFをバックライトと液晶セルとの間に有する)の視認側の偏光板と貼り代えたところ、背景の映りこみが極めて少なく、表示品位の非常に高い表示装置が得られた。
実施例2で使用した本発明試料を貼りつけた透過型TN液晶セルの視認側の偏光板の液晶セル側の保護フィルム、およびバックライト側の偏光板の液晶セル側の保護フィルムとして、ディスコティック構造単位の円盤面が透明支持体面に対して傾いており、且つ該ディスコティック構造単位の円盤面と透明支持体面とのなす角度が、光学異方層の深さ方向において変化している光学補償層を有する視野角拡大フィルム(ワイドビューフィルムSA−12B、富士写真フイルム(株)製)を用いたところ、明室でのコントラストに優れ、且つ上下左右の視野角が非常に広く、極めて視認性に優れ、表示品位の高い液晶表示装置が得られた。
実施例2で使用した本発明試料を、有機EL表示装置の表面のガラス板に粘着剤を介して貼り合わせたところ、ガラス表面での反射が抑えられ視認性が高く、指紋やホコリに対する汚染に対しても十分に耐え得る表示装置が得られた。
実施例2で使用した本発明試料を用いて、片面反射防止フィルム付き偏光板を作製し、偏光板の反射防止膜を有している側の反対面にλ/4板を張り合わせ、反射防止膜側が最表面になるように、有機EL表示装置の表面のガラス板に貼り付けたところ、表面反射および、表面ガラスの内部からの反射がカットされ、極めて視認性の高い表示が得られた。
11 バックアップロール
W ウェブ
13 スロットダイ
14 塗布液
14a ビード
14b 塗膜
15 ポケット
16 スロット
17 先端リップ
18 ランド
18a 上流側リップランド
18b 下流側リップランド
Claims (6)
- 透明支持体上に、吸着水量が6.1質量%以下で粒子サイズが20〜100nmである多孔質および/または中空の無機微粒子、表面自由エネルギーを低下させる化合物、及び架橋構造を有する飽和炭化水素鎖を主鎖として有するバインダーポリマーを含む低屈折率層を有する反射防止フィルムであって、
該表面自由エネルギーを低下させる化合物が、分子内に活性エネルギー線硬化性の(メタ)アクリロイル基を少なくとも1つ含むシリコーン化合物であり、
該架橋構造を有する飽和炭化水素鎖を主鎖として有するバインダーポリマーが、2個以上のエチレン性不飽和基を有するモノマーの(共)重合体からなり、該モノマーが以下から選ばれることを特徴とする反射防止フィルム。
多価アルコールと(メタ)アクリル酸とのエステル、ビニルベンゼンおよびその誘導体、ビニルスルホン、アクリルアミド、及びメタクリルアミド - 前記架橋構造を有する飽和炭化水素鎖を主鎖として有するバインダーポリマーが、2個以上のエチレン性不飽和基を有するモノマーの(共)重合体であって、該モノマーが以下から選らばれることを特徴とする請求項1に記載の反射防止フィルム。
エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4-シクロヘキサンジアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート)、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,2,3-シクロヘキサンテトラメタクリレート、ポリウレタンポリアクリレート、ポリエステルポリアクリレート、1,4-ジビニルベンゼン、4-ビニル安息香酸-2-アクリロイルエチルエステル、1,4-ジビニルシクロヘキサノン、ジビニルスルホン、メチレンビスアクリルアミド - シリコーンおよび/またはフルオロアルキル基が上記低屈折率層の表面に偏析し、上記低屈折率層の最表面と最表面から80%下層における光電子スペクトル強度比Si/Cおよび/またはF/Cが該最表面において80%下層よりも5倍以上大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の反射防止フィルム。
- 上記無機微粒子の表面が、酸触媒および/または金属キレート化合物を使用して下記一般式(I)で表されるオルガノシランの加水分解物および/またはその部分縮合物により処理がされていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の反射防止フィルム。
一般式(I):(R10)mSi(X)4-m
(式中、R10は、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を表す。Xは水酸基または加水分解可能な基を表す。mは1〜3の整数を表す。) - 請求項1〜4のいずれかに記載の反射防止フィルムを備えたことを特徴とする偏光板。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の反射防止フィルムまたは請求項5に記載の偏光板を備えたことを特徴とする画像表示装置。
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