JP4852893B2 - プリアプライド用封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、プリアプライド用封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。

近年半導体パッケージの軽薄短小化の技術革新は目覚しいものがあり、さまざまなパッケージ構造が提唱され、製品化されている。従来のリードフレーム接合に代わり、半田のような突起電極により、回路基板（マザーボード）に接合するエリア実装方式は特に重要である。

その中で半導体チップの回路面に直接突起電極が具備されたフリップチップはパッケージを最小化できる方法のひとつである。フリップチップ実装は、はんだ電極の場合、はんだ電極の表面の酸化膜を除去するためにフラックスで処理した後リフロー等の方法で接合する。その為はんだ電極、回路基板等の周囲にフラックスが残存し、不純物として問題となるためフラックスを除去する洗浄を行った後液状封止を行う。その理由としては、直接回路基板（マザーボード）に突起電極で接合するため、温度サイクル試験のような信頼性試験を行うと、チップと回路板の線膨張係数の差により電極接合部の電気的不良が発生するためである。

該パッケージの封止は、チップの一辺または複数面に液状封止樹脂を塗布し毛細管現象を利用して樹脂を回路板とチップの間隙に流れ込ませる。しかしこの方法はフラックス処理、洗浄を行うため工程が長くなりかつ洗浄廃液の処理問題等環境管理を厳しくしなければならない。更に液状封止を毛細管現象で行うため封止時間が長くなり、生産性に問題があった。

そこで直接回路基板に樹脂を塗布し、はんだ電極を持ったチップをその上から搭載し、はんだ接合と樹脂封止を同時に行う方法が考案された（特許文献１参照）。この場合、はんだを回路基板に接合させるために、熱硬化性樹脂、硬化剤からなる樹脂組成物にフラックス作用を有する成分を添加することが特徴である。

更に近年では、チップキャリアで搬送される半導体チップにあらかじめアンダーフィル材を塗布してＢ−ステージ化させ、実装の際のアンダーフィル塗布工程さえも削減させたり、実装ユーザーへアンダーフィルつきの半導体チップを納めるという付加価値をつけるためのプリアプライド型ノンフローアンダーフィル材が検討され始めている。

上記プリアプライド封止方法に用いられるアンダーフィル材としては、常温で固形のエポキシ樹脂が用いられてきた（特許文献２参照）。
米国特許５，１２８，７４６号公報 特開２００３−２１２９６４号公報

しかしながら、上記文献記載の従来技術は、以下の点で改善の余地を有していた。
第一に、固形エポキシ樹脂は結晶性が高いものが多く、これを用いた封止樹脂組成物をウェハーに塗布してＢ−ステージ化した場合に脆くなる傾向にあり、ウェハーをダイシングにより個片化する際にブレードによって当該Ｂ−ステージ化した封止樹脂組成物が欠けるなど容易に損傷を受け易いという課題が生じていた。
第二に、上記個片化された半導体素子は、次のステップにおいて基板と加熱圧着接合されるが、当該工程までの間に半導体素子を取り扱う際にも前記Ｂ−ステージ化した封止樹脂組成物が脆さにより損傷してしまうという課題が生じていた。
本発明は上記事情にかんがみてなされたものであり、その目的とするところは、より損傷を受けにくいプリアプライド用封止樹脂組成物を提供することにある。

本発明によれば、（Ａ）２５℃で液状であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂、（Ｂ）２５℃で固体であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂、及び、（Ｃ）フラックス活性を有する硬化剤を含むプリアプライド用封止樹脂組成物が提供される。
本発明のプリアプライド用封止樹脂組成物によれば、２５℃で液状のエポキシ樹脂を用いることにより、Ｂ−ステージ化時の可とう性を向上させることができ、当該封止樹脂組成物をウェハーに塗布してＢ−ステージ化した場合においても、樹脂が剥離したりする等の損傷が起こりにくいという効果を得ることができる。

本発明においては、上記に加えて更に（Ｄ）前記（Ａ）、（Ｂ）成分に対して良溶媒性であり、前記（Ｃ）成分に対しては貧溶媒性である溶剤を使用したプリアプライド用封止樹脂組成物が提供される。
本発明において、成分（Ｄ）を使用することにより、フラックス活性を有する硬化剤が固形のまま樹脂組成物に分散するため、封止樹脂組成物を半導体チップに塗布してＢ−ステージ化する際には硬化反応が抑制され、半導体チップと基板を接合する際にも加熱時に樹脂組成物が溶融するために、適切にフラックス活性を発現することができる。更に本発明では、成分（Ｄ）に加えて成分（Ｅ）を使用することで溶剤の揮発性を高めることができるため、溶剤乾燥時の溶剤除去効率を向上させ、乾燥工程時間を短縮することができる。前記成分（Ｄ）、（Ｅ）の沸点が２０℃以上異なる溶剤を用いた場合には、溶剤揮発性を特に高めることができる。

本発明によれば、上記封止樹脂組成物をウェハー上に塗布する工程、ウェハーに塗布後の封止樹脂組成物をＢ−ステージ化する工程、前記ウェハーをダイシングし、半導体素子を個片化する工程、及び、個片化した半導体素子の封止樹脂組成物が塗布された面と基板とを加熱圧着接合する工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、ウェハーと、前記ウェハーの基板との接合面に塗布された封止樹脂組成物を備えてなるプリアプライド封止用部品であって、前記封止樹脂組成物が上記記載のプリアプライド用封止樹脂組成物であるプリアプライド封止用部品が提供される。

本発明によれば、プリアプライド封止方法に用いられる樹脂組成物であって、当該封止樹脂組成物をウェハーに塗布してＢ−ステージ化した場合においても、樹脂が剥離したりする等の損傷が起こりにくい封止樹脂組成物を提供することができる。

本発明において、プリアプライド用封止樹脂組成物とは、回路面に半田突起電極が形成された半導体ウェハーに封止樹脂組成物を塗布し、当該封止樹脂組成物を介して電極が電気接合されるように回路基板と半導体チップとを位置合わせした後、半田の融点以上に加熱し、前記突起電極と回路基板を電気的に接合し、当該封止樹脂組成物を硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法に用いられる封止樹脂組成物のことを主に意味する。

本発明は、（Ａ）２５℃で液状であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂、（Ｂ）２５℃で固体であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂、及び、（Ｃ）フラックス活性を有する硬化剤を含むプリアプライド用封止樹脂組成物に関するものである。なお下記は例示であり、本発明は何ら下記に限定されるものではない。以下に本発明のプリアプライド用封止樹脂組成物の各成分について詳細に説明する。

本発明に用いられる（Ａ）２５℃で液状であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂は、２５℃で流動性があり、一分子中にエポキシ基が複数個ある化合物であれば、どのような化合物を用いてもよい。
具体例としては、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル型エポキシ、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル型エポキシ、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル型エポキシ、ｏ−アリルビスフェノールＡ型ジグリシジルエーテル、３，３’，５，５’−テトラメチル４，４’−ジヒドロキシビフェニルジグリシジルエーテル型エポキシ、４，４’−ジヒドロキシビフェニルジグリシジルエーテル型エポキシ、１，６−ジヒドロキシビフェニルジグリシジルエーテル型エポキシ、フェノールノボラック型エポキシ、臭素型クレゾールノボラック型エポキシ、ビスフェノールＤジグリシジルエーテル型エポキシ，１，６ナフタレンジオールのグリシジルエーテル、アミノフェノール類のトリグリシジルエーテル等が挙げられる。これらは単独で用いても組み合わせて用いてもよい。これらのエポキシ樹脂は、信頼性の優れた封止樹脂組成物を得るために、Ｎａ^＋、Ｃｌ⁻等のイオン性不純物はできるだけ少ないものが好ましい。

本発明に用いられる（Ｂ）２５℃で固体であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂は、２５℃でタックがない固体であり、一分子中にエポキシ基が複数個ある化合物であれば、どのような化合物を用いてもよい。
具体例としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いても組み合わせて用いてもよい。これらのエポキシ樹脂も同様に、信頼性の優れた封止樹脂組成物を得るために、Ｎａ^＋、Ｃｌ⁻等のイオン性不純物はできるだけ少ないものが好ましい。

前記（Ｂ）成分の添加量は、前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分の総重量に対し、５０重量％から９５重量％であることが好ましい。前記（Ｂ）成分の添加量が５０重量％以上になると、Ｂ−ステージ化時に封止樹脂自体のフィルム化（タックフリー化）が容易になり、また９５重量％以下であると結晶性が低下してダイシング時やハンドリング時に封止樹脂組成物にクラックや欠けが生じにくくなる。

本発明に用いられる（Ｃ）フラックス活性を有する硬化剤とは、半導体チップに設けられたはんだ電極表面の酸化膜を、基板と電気的に接合できる程度に還元する作用を示し、かつ、エポキシ樹脂と反応する官能基を有する化合物である。一般的には、カルボン酸類、酸無水物が挙げられるが、好ましくは、１分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基と、芳香族に直接結合したカルボキシル基を１分子中に少なくとも１個含む化合物である。なお、フェノール性水酸基は上記フラックス活性を示さない。
フラックス活性を有する硬化剤の具体例としては、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。これらの化合物は何れも吸湿し易くボイドの原因となるため製造する際は前もって乾燥を行うことが好ましい。

本発明において用いられる成分（Ｂ）の添加量は、成分（Ａ）に対して１０〜７０重量％である。好ましくは３０〜６０重量％である。成分（Ｂ）の添加量が下限値以上であると、主にフラックス活性不足が改善され、上限値以下であると硬化剤過多が解消され、硬化性が改善される。

本発明においては、成分（Ｄ）前記（Ａ）、（Ｂ）成分に対して良溶媒性であり、前記（Ｃ）成分に対しては貧溶媒性である溶剤を用いることが好ましい。このような溶剤を用いることにより、エポキシ樹脂は適切に溶解させつつ、フラックス活性を有する硬化剤が固形のまま樹脂組成物に分散するため、封止樹脂組成物を半導体チップに塗布してＢ−ステージ化する際には硬化反応が抑制され、半導体チップと基板を接合する際にも樹脂組成物が溶融するという再溶融性が安定し、適切にフラックス活性を発現することができる。

本発明において、（Ｄ）前記（Ａ）、（Ｂ）成分に対して良溶媒性であり、前記（Ｃ）成分に対しては貧溶媒性である溶剤は、使用するエポキシ樹脂及びフラックス活性を有する硬化剤によって変わりうるものである。実際には、使用するエポキシ樹脂及びフラックス活性を有する硬化剤に対する溶解性試験を行い、適宜選択することができる。

本発明において、良溶媒性とは、溶剤１００ｇに対して前記（Ａ）または（Ｂ）１００ｇを溶解させたときの前記（Ａ）または（Ｂ）の不溶分が１０ｇ以下であることをいう。好ましくは不溶分が１ｇ以下である。

本発明において、貧溶媒性とは、溶剤１００ｇに対して前記（Ｃ）１０ｇを溶解させたときの前記（Ｃ）の不溶分が８ｇ以上であることをいう。好ましくは不溶分が９ｇ以上である。

上記溶解性試験の方法としては、室温にてガラスビーカー内に溶剤を１００ｇ入れ、そこに前記（Ａ）または（Ｂ）１００ｇ或いは（Ｃ）１０ｇを添加したものを、マグネチックスターラーにて1時間攪拌し、重量の既知であるろ紙を用いてろ過した後、ろ過物を８０℃、３時間にて十分に乾燥させたものの残渣物を秤量して行った。

本発明で（Ｄ）として用いることのできる溶剤は、脂肪族アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、アルデヒド系溶剤、カルボン酸系溶剤、エステル系溶剤、エーテル系溶剤、フェノール系溶剤、炭化水素系溶剤、ハロゲン化炭化水素系溶剤、アセタール系溶剤、脂肪酸系溶剤、酸無水物系溶剤、窒素化合物系溶剤、硫黄化合物系溶剤、無機溶剤など公知の溶剤が挙げられる。

本発明においては、成分（Ｄ）として、エーテルアセテート型溶剤を用いることが好ましい。エーテルアセテート型溶剤の具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアクリレート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルベンゾエート、エチレングリコールモノエチルイソブチレート、エチレングリコールモノエチルメタクリレート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノイソブチルエーテルベンゾエート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテルベンゾエート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルアクリレート、１-アセトキシ-２-エトキシエタン、４-（２-アセトキシエトキシ）トルエン、４'-（２-アセトキシエトキシ）アセトフェノン、プロピレングリコール-１-モノメチルエーテル-２-アセテート等が挙げられる。混練時やハンドリング時の過剰な溶剤揮発を抑制させるため、沸点は１５０℃以上であることが望ましい。

本発明においては更に、成分（Ｅ）前記（Ｄ）成分よりも低沸点の溶剤を含んでもよい。この場合には、成分（Ｄ）と成分（Ｅ）の沸点差が２０℃以上であることが好ましい。更に好ましくは３０℃以上である。沸点の差が下限値以上になると溶剤がより早く揮発するためにＢ−ステージ化においてエポキシ樹脂と硬化剤の反応を抑制することができ、より適切に半導体素子を基板に接合させることができる。

本発明において用いられる成分（Ｄ）溶剤の好ましい添加量（成分（Ｅ）をもちいた場合には（Ｄ）と（Ｅ）の総添加量）は、成分（Ａ）及び（Ｂ）の総量に対して１０〜７０重量％である。適用プロセスにもよるが，印刷方式用で好ましくは１５〜３５重量％、スピンコート方式用で２５〜４５重量％である。成分（Ｄ）の添加量が下限値以上であると、常態での粘性特性，特に作業性が改善され、上限値以下であるとウェハー上への塗布後のハンドリング性（樹脂だれ抑制）が改善される。

本発明のプリアプライド封止用樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を添加することができる。硬化促進剤としては、一般的にエポキシ樹脂の硬化促進剤として用いられるものであればなんでもよく、具体的にはイミダゾール類、リン化合物、ジアゾ化合物、第三級アミン等が挙げられる。

本発明では硬化物性を調節するため、必要に応じて無機フィラーを添加することができる。具体例としては、炭酸カルシウム、シリカ、アルミナ、窒化アルミ等が挙げられる。用途によりこれらを複数混合してもよいが、純度、信頼性、コストの点でシリカが好ましい。その添加量は特に制限がないが、封止樹脂組成物としての特性（耐湿性、作業性等）を保つために成分（Ａ）〜（Ｃ）の総量の８０重量％以下であることが好ましい。より好ましくは５０重量％以下である。上限値を以下であると、接合の際、絶縁性のフィラーが半導体素子の突起電極と回路板電極との接合が妨げられず良好に行うことができる。

また本発明に用いる無機フィラーの形状は球状であることが好ましい。いわゆる破砕フィラーの場合はその鋭利な面により半導体素子表面の回路を破壊する恐れがあるからである。また、無機フィラーの粒径は平均粒径で６μｍ以下、最大粒径で３０μｍ以下が好ましい。この範囲内であるとはんだ接合時に接合がフィラーにより妨げられることが少なく、接続不良を起こす可能性が低減される。

本発明のプリアプライド用封止樹脂組成物は、前記エポキシ樹脂、フラックス活性を有する硬化剤、溶剤、硬化促進剤、無機フィラー以外に、必要に応じて反応性希釈材、顔料、染料、レベリング剤、消泡剤、カップリング材等の添加剤を混合し、真空脱泡することにより製造することができる。これらの添加剤は何れもボイドの要因になってはならないため、耐熱性、揮発性、基材への濡れ性等確認の上添加することが好ましい。

上記フィラーや添加剤はＢ−ステージ後の封止樹脂組成物の透明性を劣化させる原因となるため、Ｂ−ステージ後の性状として透明性を維持するものや添加量を選択することが好ましい。

以下に本発明における半導体装置の製造方法について説明する。

ウェハー上に封止樹脂組成物を塗布する方法としては、メタルマスクやメッシュマスクを用いた印刷法、スピンコート法、またはリリースフィルム上にシート化したものを貼り付ける方法などが挙げられるが、本方式では一般的には印刷法またはスピンコート法が用いられる。
ウェハーに塗布後の封止樹脂組成物をＢ−ステージ化する方法としては、一般的に乾燥工程が必要であり、乾燥オーブン内で一定時間静置させるか、インラインオーブン、コンベア式加熱炉などでも代替できる。必要に応じて、ステップ加熱、定常昇温、定常降温などが設定される。
前記ウェハーは、一般的なダイシング装置を使用し、乾式又は湿式ダイシングを行うことによって個片化することが可能である。
個片化した半導体素子の封止樹脂組成物が塗布された面と基板とを加熱圧着接合する方法としては、一般的には、フリップチップボンダーを用いて位置合わせをした後、そのまま加熱圧着する方法、または位置合わせ、仮搭載が終わったものをリフロー炉などで加熱接続させる方法が用いられる。その際、パッケージや封止法に適した熱プロファイルが用いられる。また、チップ搭載にはフリップチップボンダーのみならず、ダイボンダーなど位置合わせが可能なもので代替することも出来る。

<実施例１>
下記のようにして本発明の封止樹脂組成物を得た。
（Ａ）成分としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂２５重量部、（Ｂ）成分としてビフェニル型エポキシ樹脂７５重量部、（Ｃ）成分として予め１２０℃、５ｔｏｒｒで５時間真空乾燥したゲンチジン酸（融点２０２℃）０．２重量部、（Ｄ）溶剤としてエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（沸点１９２℃）２０重量部、及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（沸点１５６℃）１０重量部、硬化促進剤として２−フェニル−４−メチルイミダゾール０．２重量部、低応力材としてカルボキシル末端ブタジエンニトリルゴム１重量部を秤量し３本ロールにて分散混練し、真空下脱泡処理をして封止樹脂組成物を得た。

下記のように本発明の半導体装置を製造した。

東レエンジニアリング社製真空印刷機を用い、ウレタン製スキージ板にて２ステップ印刷法にて行った。このとき真空にはせず、１００μｍ厚のメタルマスクを使用し、およそ６０ｇの液状封止樹脂をマスク上に供給し、６インチウェハーに塗布した。この時１ステップ目は樹脂塗布を目的にスキージ板角度は３０°、スキージ圧は０．４Ｐａとした。また２ステップ目は塗布時の材料の平坦化を目的とするため、スキージ板は５０°、スキージ圧は０．１Ｐａとした。

印刷機によって６インチウェハー上に封止樹脂組成物をマスク厚みとほぼ同等の１００μｍ厚前後に塗布したものをあらかじめ平行をとっておいた乾燥オーブン内で９０℃９０分にて乾燥させた。

Ｄｉｓｃｏ社製ダイシング装置を使用し、湿式ダイシングを行い、Ａモードにて１０ｍｍ角チップに個片化した。この際、平坦化した樹脂組成物の再溶融と、ダイシング面の形状変化を阻止するため、通常行われるウェハー乾燥は行わなかった。

澁谷工業社製フリップチップボンダーを用い、圧接条件にてフリップチップ接合及びアンダーフィル封止を行った。接続後のフリップチップは１５０℃９０分にて後硬化させた。得られた半導体装置について表１に示すような評価を行った。

本発明において使用したチップの詳細は以下の通りである。なお、基板としてはＢＴ基板（接続パッド：金メッキ表面）を使用した。
はんだ：錫−銀（融点：２２１℃）、バンプ数：１９３６（４８４バンプ／１ブロック）、バンプ高さ：８０μｍ、チップサイズ：１０ｍｍ角、パッシベーション：ポリイミド、チップ厚み：５２５μｍ。

実施例で行った評価結果の詳細を下記に示す。

（１）タックフリー試験
厚み１ｍｍのガラススライド上に、厚み５０μｍ、面積１０ｍｍＸ５０ｍｍに液状封止樹脂を広げ、９０℃/９０ｍｉｎでＢ−ステージ化させた。そのサンプルに旭化成製のベンコットンを押し当て、樹脂表面にベンコットンが付着するか否かでタックフリーの判断を行った。

（２）ポットライフ性
作成したエポキシ樹脂組成物を１ｃｃシリンジに取り分け、２５℃恒温槽にて保管して、ブルックフィールド型粘度計にて、２５℃/２．５ｒｐｍでの粘度値を経過時間と共に測定し、粘度が初期値と比較して３０％上昇した時間を読み取った。

（３）半田濡れ広がり性試験
（１）で得られたＢ−ステージ化後のサンプルをＣｕ板に適量取り、半径が既知である半田ボール（Ｓｎ３．５Ａｇ）をのせ、ＡＳＴＭ-Ｂ-５４５に準拠した半田濡れ広がり性試験により、２５０℃ホットプレート上での半田濡れ広がり率をアスペクト比として求めた。

（４）ダイシング時のチッピング性
エポキシ樹脂組成物を半田電極が具備した６インチウェハーに１００μｍ厚で塗布し，乾燥させＢ−ステージ状態にしたものを，Ｄｉｓｃｏ社製ダイシングブレードにて１０ｍｍ^２チップに個片化し，その際にチップ上の樹脂部の欠け状態を観察し，少しでも欠けのあるものをＮＧとした。

（５）半田バンプ接続性試験
エポキシ樹脂組成物を半田電極が具備した１０ｍｍ^２チップに所定量塗布し、９０℃/９０ｍｉｎでＢ−ステージ化させた後，上部よりフリップチップボンダーを用いて位置決めを行いながらフリップチップを同配列に設計された基板上に設置した。その際、フリップチップボンダーのステージは約６０℃に加温させておいた。次にはんだ溶融、接続を行った。接続率はデイジーチェーンでつながった四つのブロック単位で確認した。すなわちあるブロックにおいては一つでも接続不良が出た場合は導通しないため、接続率は導通不良ブロック数／総ブロック数（＝４Ｘ５）でカウントした。

（６）ボイド、初期剥離観察
封止樹脂を硬化させた後、超音波探傷装置（ＳＡＴ）を用いてボイド、剥離を観察した。（各水準ｎ＝５）界面の剥離状態は一箇所でも剥離が生じたパッケージを不良とし、その大きさを明記した。

（７）耐リフロー試験
接続率１００％のパッケージを選び、３０℃、６０％、７２時間吸湿させたあと最大温度２６０℃の温度プロファイルのリフローに３回通過させ、封止樹脂外観クラック、界面の剥離状態をＳＡＴで調べた（各水準ｎ＝５）。界面の剥離状態は一箇所でも剥離が生じたパッケージを不良とし、その大きさを明記した。

（８）温度サイクル（Ｔ／Ｃ）試験
耐リフロー試験を行ったパッケージを引き続き−５５℃、３０分／−１２５℃、３０分の条件でＴ／Ｃ試験を行った。（各水準ｎ＝５）
クラック、剥離の状態を２５０時間おき最大１０００時間観察した。界面の剥離状態は一箇所でも剥離が生じたパッケージを不良とし、その大きさを明記した。

<実施例３、参考例１〜４、比較例１〜５>
表１に記載されてあるように処方を変更した他は、実施例１と同様にして実験を行った。評価結果を表１に示した。

表１で用いられている成分の詳細は以下の通りである。
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂：大日本インキ化学工業（株）社製、ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ（２５℃で液状、エポキシ当量１６１）
ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：日本化薬（株）社製，ＲＥ−８１０ＮＭ（２５℃で液状、エポキシ当量２１０）
ビフェニル型エポキシ樹脂：日本化薬（株）社製、ＮＣ３０００（２５℃で固体、軟化点５８℃、エポキシ当量２７２）
クレゾールナフトール型エポキシ樹脂：日本化薬（株）社製、ＮＣ７３００Ｌ（２５℃で固体、軟化点６２℃、エポキシ当量２１２）
フェノールノボラック：住友デュレズ社（株）製、ＰＲ−５１４７０
ゲンチジン酸：みどり化学（株）製、２，５−ジヒドロキシ安息香酸
２Ｐ４ＭＺ：四国化成（株）製、２−フェニル−４−メチルイミダゾール
ブタジエンニトリルゴム：宇部興産（株）製、ＣＴＢＮ１００８ＳＰ（カルボキシル基末端ブタジエンアクリルゴム）

本発明で用いられた溶剤を表２に示した。

比較例１及び比較例２では固形エポキシのみであるため、Ｂ−ステージ後の脆性が顕著であり、ダイシング時のチッピング性に課題がある。一方比較例３では固形エポキシを含まないため、Ｂ−ステージ化後のタックフリー化できず、本発明の用途を発現しない。

比較例４及び５は硬化剤がフラックス特性を有さないために、フリップチップ接続が出来ず、本発明の用途としての機能を発現しなかった。

本発明は、プリアプライド用封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法に用いられる。

Claims (6)

1. （Ａ）２５℃で液状であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂、
   （Ｂ）２５℃で固体であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂、
   （Ｃ）フラックス活性を有する硬化剤、
   （Ｄ）前記（Ａ）、（Ｂ）成分に対して良溶媒性であり、前記（Ｃ）成分に対しては貧溶媒性である溶剤、及び、
   （Ｅ）溶剤、を含み、
   前記（Ｅ）成分が前記（Ｄ）成分よりも低沸点の溶剤であり、かつ、前記成分（Ｅ）と前記成分（Ｄ）の沸点差が２０℃以上である、
   プリアプライド用封止樹脂組成物。
2. 前記成分（Ｃ）が、１分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基と、芳香族に直接結合したカルボキシル基を１分子中に少なくとも１個含む硬化剤である請求項１記載のプリアプライド用封止樹脂組成物。
3. 前記成分（Ａ）及び（Ｂ）の総重量に対する前記成分（Ｂ）の割合が０．５〜０．９５である請求項１または２記載のプリアプライド用封止樹脂組成物。
4. 前記（Ｄ）成分が、エーテルアセテート型溶剤である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリアプライド用封止樹脂組成物。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプリアプライド用封止樹脂組成物をウェハー上に塗布する工程、
   ウェハーに塗布後の前記プリアプライド用封止樹脂組成物をＢ−ステージ化する工程、
   前記ウェハーをダイシングし、半導体素子を個片化する工程、及び、
   個片化した半導体素子の前記プリアプライド用封止樹脂組成物が塗布された面と基板とを加熱圧着接合する工程、
   を含む半導体装置の製造方法。
6. ウェハーと、前記ウェハーの基板との接合面に塗布された封止樹脂組成物を備えてなる半導体部品であって、
   前記封止樹脂組成物が請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプリアプライド用封止樹脂組成物である半導体部品。