JP4849812B2 - 有機電界発光素子およびケイ素化合物 - Google Patents

Description

本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる有機電界発光素子に関する。

今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子（以下、ＥＬ素子、発光素子、または本発明の発光素子と称することがある）は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。

素子耐久性を改良するために、特許文献１に特定のシラン化合物およびこれらを含有する発光素子が提案され、該特許文献中に（４−２５）、（４−２６）、（４−２７）、（４−２８）が開示されているが、これらを用いた素子についてもさらなる耐久性向上が求められていた。
特開２０００−３５１９６６号公報

本発明の目的は、発光特性、素子駆動耐久性、および保存安定性が良好な有機電界発光素子およびこのような素子を実現することを可能にする化合物の提供にある。

この課題は下記手段によって達成された。
（１）一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、前記有機層中に下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含む有機電界発光素子。

（式中、Ｒ^１１、Ｒ^１２は互いに独立にアリール基、ヘテロアリール基を表すが、Ｒ^１１、Ｒ^１２がフェニル基である場合、Ｒ^１１、Ｒ^１２上に置換基として含窒素へテロ環基を有することはない。Ａｒ^１１、Ａｒ^１２は互いに独立に一般式（２）で表される基を表す。）

（式中、Ａｒ^２１はアリーレン基またはヘテロアリーレン基を表し、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３ 、Ｒ^２４はそれぞれ独立に置換基または水素原子を表す。Ｌ^２は置換もしくは無置換のｏ−アリーレン、ビニレン、−ＮＲ−（Ｒは置換基を表す）、−Ｏ−、または、−Ｓ−を表し、ｍは０または１を表す。ただし、Ａｒ ^２１ がフェニレン基である場合、ｍは１である。）
（２）一般式（１）において、Ｒ^１１、およびＲ^１２が無置換アリール基、または無置換ヘテロアリール基である請求項１記載の有機電界発光素子。
（３）一般式（２）において、ｍが１である（１）または（２）項に記載の有機電界発光素子。
（４）一般式（２）において、ｍが１であり、かつＬ^２が置換もしくは無置換のｏ−アリーレン、またはビニレンである（１）〜（３）項のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
（５）前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする（１）項に記載の有機電界発光素子。

（式中、Ｒ ^４１、Ｒ^４２、Ｒ^４３、Ｒ^４４、Ｒ^４５、Ｒ^４６はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、互いに結合して芳香環を形成する基を表す。ｇ、ｈはそれぞれ独立に０から４の整数を表す。ｉ、ｊはそれぞれ独立に０から２の整数を表す。ｋ、ｌはそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。）
（６）一般式（２）において、ｍが０であり、Ａｒ ^２１ がビフェニレン基、ナフチレン基、アントラニレン基、ピリジレン基である（１）または（２）項に記載の有機電界発光素子。
（７）一般式（４）で表される化合物。

（式中、Ｒ ^４１、Ｒ^４２、Ｒ^４３、Ｒ^４４、Ｒ^４５、Ｒ^４６はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、互いに結合して芳香環を形成する基を表す。ｇ、ｈはそれぞれ独立に０から４の整数を表す。ｉ、ｊはそれぞれ独立に０から２の整数を表す。ｋ、ｌはそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。）

本発明の発光素子は発光特性、耐久性が優れる。

本発明の好ましい実施態様は、一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、前記有機層中に下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含む有機電界発光素子である。

（式中、Ｒ^１１、Ｒ^１２は互いに独立にアリール基、ヘテロアリール基を表すが、Ｒ^１１、Ｒ^１２がフェニル基である場合、Ｒ^１１、Ｒ^１２上に置換基として含窒素へテロ環基を有することはない。Ａｒ^１１、Ａｒ^１２は互いに独立に一般式（２）で表される基を表す。）

（式中、Ａｒ^２１はアリーレン基またはヘテロアリーレン基を表し、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４はそれぞれ独立に置換基または水素原子を表す。Ｌ^２は置換もしくは無置換のｏ−アリーレン、ビニレン、−ＮＲ−（Ｒは置換基を表す）、−Ｏ−、または−Ｓ−を表し、ｍは０または１を表す。ただし、Ａｒ ^２１ がフェニレン基である場合、ｍは１である。）

一般式（１）について説明する。Ｒ^１１、Ｒ^１２はアリール基、またはヘテロアリール基を表す。Ｒ^１１、Ｒ^１２として好ましくは単環、２環、および３環のアリール基またはヘテロアリール基であり、さらに好ましくはフェニル基、ナフチル基、ピリジル基、カルバゾリル基であり、最も好ましくはフェニル基である。Ｒ^１１、Ｒ^１２は置換基を有しても良い。Ｒ^１１、Ｒ^１２がフェニル基である場合、Ｒ^１１、Ｒ^１２上に置換基として含窒素へテロ環基を有することはない。置換基としては、好ましくは以下の置換基Ａが挙げられる。

（置換基Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロアリールオキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基

（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数
１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基

（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）などが挙げられる。

Ｒ^１１、Ｒ^１２が有する置換基としてはアルキル基、アリール基が好ましく、アリール基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましいが、Ｒ^１１、Ｒ^１２は置換基を有さないことが最も好ましい。

Ａｒ^１１、Ａｒ^１２は一般式（２）で表される基を表し、互いに同じでも異なっていてもよい。

次に一般式（２）で表される基について説明する。
Ａｒ^２１はアリーレン基、またはヘテロアリーレン基を表す。Ａｒ^２１として好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アントラニレン基、ピリジレン基であり、より好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基であり、さらに好ましくはｐ‐フェニレン基である。

Ａｒ^２１はさらに置換基を有しても良く、置換基の例としては前記Ｒ^１１、Ｒ^１２における置換基Ａと同じであり、好ましい例も同じであるが、Ａｒ^２１は置換基を有さないことが最も好ましい。

Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４は置換基または水素原子を表す。置換基の例は前記Ｒ^１１、Ｒ^１２における置換基Ａと同じであり、それぞれアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、結合して芳香環を形成する基が好ましく、アリール基、結合して芳香環を形成する基がより好ましく、結合して芳香環を形成する基がさらに好ましい。

Ｌ^２は置換もしくは無置換のｏ−アリーレン、ビニレン、−ＮＲ−、−Ｏ−、または、−Ｓ−を表す。−ＮＲ−におけるＲは置換基を表し、前記置換基Ａの例と同じである。

Ｌ^２として好ましくは置換もしくは無置換のｏ−アリーレン、ビニレン、−ＮＲ−であり、より好ましくは無置換のｏ−アリーレン、ビニレンであり、さらに好ましくは無置換のｏ−フェニレンである。

ｍは０または１を表し、好ましくは０である。ただし、Ａｒ ^２１ がフェニレン基である場合、ｍは１である。ｍ＝０の場合、Ｒ^２２及びＲ^２３が結合している炭素原子同士が連結することを意味する。

以下に本発明の化合物の具体的化合物例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

本発明の別の好ましい実施態様は、一般式（３）または一般式（４）で表される化合物である。

（式中、Ｒ^３１、Ｒ^３２ はそれぞれ独立に互いに結合して芳香環を形成する基を表す。Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｒ^３５、Ｒ^３６、Ｒ^４１、Ｒ^４２、Ｒ^４３、Ｒ^４４、Ｒ^４５、Ｒ^４６はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、互いに結合して芳香環を形成する基を表す。ａ、ｂはそれぞれ独立に２から４の整数を表す。ｇ、ｈはそれぞれ独立に０から４の整数を表す。ｃ、ｄはそれぞれ独立に０から８の整数を表す。ｉ、ｊはそれぞれ独立に０から２の整数を表す。ｅ、ｆ、ｋ、ｌはそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。）

一般式（３）について説明する。一般式（３）中、Ｒ^３１、Ｒ^３２ はそれぞれ独立に互いに結合して芳香環を形成する基を表し、Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｒ^３５、Ｒ^３６はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、互いに結合して芳香環を形成する基を表す。Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｒ^３５としてはアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい。

ａ、ｂはそれぞれ独立に２から４までの整数を表す。

ｃ、ｄはそれぞれ独立に０から８までの整数を表し、０から６が好ましく、０から４がさらに好ましく、０が最も好ましい。ｅ、ｆは０〜５の整数を表し、０〜３が好ましく、０もしくは１がさらに好ましく、０が最も好ましい。

次に一般式（４）について説明する。一般式（４）中、Ｒ^４１、Ｒ^４２、Ｒ^４５、Ｒ^４６はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、互いに結合して芳香基を形成する基を表し、好ましい例は前記Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｒ^３５、Ｒ^３６と同じである。

Ｒ^４３、Ｒ^４４はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、互いに結合して芳香環を形成する基を表す。置換基の例としては前記Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｒ^３５、Ｒ^３６と同じであり、アリール基、互いに結合して芳香環あるいはヘテロ芳香環を形成する基が好ましく、アリール基、互いに結合して芳香環を形成することがさらに好ましく、互いに結合してベンゼン環を形成することが最も好ましい。

ｇ、ｈはそれぞれ独立に０から４までの整数を表し、０から２が好ましく、０もしくは１がさらに好ましく、０が最も好ましい。ｉ、ｊはそれぞれ独立に０から２の整数を表し、１もしくは２が好ましく、２が最も好ましい。ｋ、ｌは、０〜５の整数を表し、０〜３が好ましく、０もしくは１がさらに好ましく、０が最も好ましい。

一般式（３）で表される化合物の具体的化合物例は、上記具体的化合物例のうち、（１−２）などが挙げられ、一般式（４）で表される化合物の具体的化合物例は、（２−１）、（２−３）、（２−５）、（２−６）、（２−７）、（２−９）、（２−１０）などが挙げられるが本発明はこれらに限定されない。

本発明の化合物の製造方法について述べる。一般式（３）あるいは一般式（４）で表される化合物は例えば下記のスキームに従って合成できる。

（式中、Ｘ、Ｙはハロゲン原子を表し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、互いに結合して芳香環を形成する基を表す。ａ、ｂは０から４の整数を表し、ｃ、ｄは、０〜５の整数を表す。）

前記スキームの中間体Ａは種々の公知の炭素−ケイ素結合形成反応を利用して合成可能であり、その方法は特に限定しないが、例えば、ザ・ケミストリー・オブ・オルガニック・シリコン・コンパウンド、パート１(The Chemistry of Organic Silicon compounds, part1) (John Wiley & Sons) P.655〜761などに記載されている手法を利用して合成することができる。

一般式（３）あるいは一般式（４）で表される化合物は中間体Ａから種々の公知の炭素−窒素結合形成反応を利用して合成可能であり、その方法は特に限定しないが、例えばジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソシエティ(Journal of American Chemical Society), 118, 7215 (1996)あるいはジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソシエティ(Journal of American Chemical Society), 118, 7217 (1996)などに記載されているようなパラジウム触媒を用いた方法を利用して合成する手法が好ましい。

パラジウム触媒としては、特に限定しないが、例えば、パラジウムテトラキストリフェニルホスフィン、パラジウムカーボン、酢酸パラジウム、パラジウムジクロライド（ｄｐｐｆ）（ｄｐｐｆ：１，１’−ビスジフェニルホスフィノフェロセン）などが挙げられる。トリフェニルホスフィン、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）_３などの配位子を同時に添加しても良い。

本反応は、塩基を用いたほうが好ましい。用いる塩基の種類は特に限定しないが、例えば、炭酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、トリエチルアミン、ｔ−ブトキシナトリウム、ｔ−ブトキシカリウムなどが挙げられる。用いる塩基の量は特に限定しないが、カルバゾールあるいはその誘導体、イミノスチルベンあるいはその誘導体に対して、好ましくは０．１〜２０当量、特に好ましくは１〜１０当量である。

本反応は溶媒を用いた方が好ましい。用いる溶媒は特に限定しないが、例えば、エタノール、水、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、トルエン、テトラヒドロフラン、キシレン、メシチレンおよびそれらの混合溶媒を用いることができる。

本発明の化合物を合成する際の反応温度は特に限定はないが、好ましくは２０〜２２０℃、好ましくは２０〜１８０℃、より好ましくは２０〜１６０℃である。

一般式（１）、一般式（３）、または一般式（４）で表される化合物（以下、本発明の化合物ともいう）は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、または一般式（４）で表される構造がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。

本発明の発光素子に関して説明する。本発明の発光素子は、本発明の化合物を利用する素子であればシステム、駆動方法、利用形態など特に問わない。代表的な発光素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を挙げることができる。

本発明の発光素子において、本発明の化合物の作用や含有する層は特に限定されないが、正孔輸送層または発光層中に含まれることが好ましく、発光層中に含まれることがより好ましく、発光層中にホスト材料として含まれることがさらに好ましい。

本発明の発光素子において、有機層中に本発明の化合物が主成分として含まれることが好ましい。本発明の化合物が正孔輸送層に含まれる場合、本発明の化合物を単独又は複数用いるのが好ましく、さらに本発明以外の他の化合物を混合してもよい。
一方、本発明の化合物が発光層中に含まれる場合、本発明の化合物と発光材料との比は層全質量に対して発光材料が０．０１質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以上１５質量％以下であることがより好ましく、０．５質量％以上１０質量％以下であることがさらに好ましい。

本発明の発光素子中に含まれる発光材料は一重項励起子から発光する蛍光発光性化合物、または、三重項励起子から発光する燐光発光性化合物のいずれであっても良い。例えばベンゾオキサゾールおよびそれらの誘導体、ベンゾイミダゾールおよびそれらの誘導体、ベンゾチアゾールおよびそれらの誘導体、スチリルベンゼンおよびそれらの誘導体、ポリフェニルおよびそれらの誘導体、ジフェニルブタジエンおよびそれらの誘導体、テトラフェニルブタジエンおよびそれらの誘導体、ナフタルイミドおよびそれらの誘導体、クマリンおよびそれらの誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノンおよびそれらの誘導体、オキサジアゾールおよびそれらの誘導体、オキサジンおよびそれらの誘導体、アルダジンおよびそれらの誘導体、ピラリジンおよびそれらの誘導体、シクロペンタジエンおよびそれらの誘導体、ビススチリルアントラセンおよびそれらの誘導体、キナクリドンおよびそれらの誘導体、ピロロピリジンおよびそれらの誘導体、チアジアゾロピリジンおよびそれらの誘導体、シクロペンタジエンおよびそれらの誘導体、スチリルアミンおよびそれらの誘導体、ジケトピロロピロールおよびそれらの誘導体、芳香族ジメチリディンおよびそれらの化合物、８−キノリノールおよびそれらの誘導体の金属錯体やピロメテンおよびそれらの誘導
体の金属錯体、希土類錯体、遷移金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シランおよびそれらの誘導体等が挙げられる。発光材料は好ましくは縮合芳香族化合物、キナクリドンおよびそれらの誘導体、ジケトピロロピロールおよびそれらの誘導体、ピロメテンおよびそれらの誘導体の金属錯体、希土類錯体、遷移金属錯体であり、さらに好ましくは縮合芳香族化合物、遷移金属錯体である。

３重項励起子から発光する燐光発光性化合物の場合は特に遷移金属錯体が好ましい。遷移金属錯体の中心金属は特に限定されないが、好ましくはイリジウム、白金、レニウム、またはルテニウムであり、より好ましくはイリジウムまたは白金であり、特に好ましくはイリジウムである。遷移金属錯体の中でも、オルトメタル化錯体が非常に好ましい。オルトメタル化錯体（Ｏｒｔｈｏｍｅｔａｌａｔｅｄ Ｃｏｍｐｌｅｘ）とは、山本明夫著「有機金属 基礎と応用」、１５０頁および２３２頁、裳華房社（１９８２年）やＨ．Ｙｅｒｓｉｎ著「フォトケミストリー・アンド・フォトフィジックス・オブ・コーディナーション・コンパウンド（Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）」、７１〜７７頁および１３５〜１４６頁、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社（１９８７年）等に記載されている化合物群の総称である。

上記燐光材料は、２０℃以上における燐光量子収率が７０％以上であるのが好ましく、より好ましくは８０％以上であり、さらに好ましくは８５％以上である。

上記燐光発光材料としては、例えばＵＳ ６３０３２３１ Ｂ１、ＵＳ６０９７１４７、ＷＯ ００／５７６７６、ＷＯ ００／７０６５５、ＷＯ ０１／０８２３０、ＷＯ ０１／３９２３４ Ａ２、ＷＯ ０１／４１５１２ Ａ１、ＷＯ ０２／０２７１４ Ａ２、ＷＯ ０２／１５６４５ Ａ１、特開２００１−２４７８５９、特願２０００−３３５６１、特願２００１−１８９５３９、特願２００１−２４８１６５、特願２００１−３３６８４、特願２００１−２３９２８１、特願２００１−２１９９０９、ＥＰ １２１１２５７、特開２００２−２２６４９５、特開２００２−２３４８９４、特開２００１−２４７８５９、特開２００１−２９８４７０、特開２００２−１７３６７４、特開２００２−２０３６７８、特開２００２−２０３６７９等の各号の公報および明細書や、ネイチャー（Ｎａｔｕｒｅ）、３９５巻、１５１頁（１９９８年）、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、７５巻、４頁（１９９９年）、ポリマー・プレプリンツ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ）、４１巻、７７０頁（２０００年）、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソシエティ（Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ）、１２３巻、４３０４頁（２００１年）、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、７９巻、２０８２頁（１９９９年）等の文献に記載されているものが好適に利用できる。

本発明の化合物を含有する発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法、転写法が好ましい。

本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。

本発明の発光素子で用いられる基材は、特に限定されないが、ジルコニア安定化イットリウム、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルや、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、テフロン（登録商標）、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子量材料であっても良い。

陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。

陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。

陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。

陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）およびそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）およびそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物および混合物の単層構造だけでなく、上記化合物および混合物を含む積層構造を取ることもできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウム の積層構造が好ましい。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。

陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極および陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。

発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば何でもよく、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリレン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノールの金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体、および、白金ポルフィリン錯体に代表される遷移金属錯体、および、それらの誘導体等が挙げられる。発光層の材料の少なくとも一つは、りん光材料である。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法、転写法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。

発光層は単一化合物で形成されても良いし、複数の化合物で形成されても良い。また、発光層は一つであっても複数であっても良く、それぞれの層が異なる発光色で発光して、例えば、白色を発光しても良い。単一の発光層から白色を発光しても良い。発光層が複数の場合は、それぞれの発光層は単一材料で形成されていても良いし、複数の化合物で形成されていても良い。

本発明の有機電界発光素子の発光層は積層構造を少なくとも一つ有していても良い。積層数は２層以上５０層以下が好ましく、４層以上３０層以下がより好ましく、６層以上２０層以下がさらに好ましい。

積層を構成する各層の膜厚は特に限定されないが、０．２ｎｍ以上、２０ｎｍ以下が好ましく、０．４ｎｍ以上、１５ｎｍ以下がより好ましく、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下がさらに好ましく、１ｎｍ以上５ｎｍ以下が特に好ましい。

本発明の有機電界発光素子の発光層は複数のドメイン構造を有していても良い。発光層中に他のドメイン構造を有していても良い。各ドメインの径は、０．２ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましく、０．３ｎｍ以上５ｎｍ以下がより好ましく、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下がさらに好ましく、０．７ｎｍ以上２ｎｍ以下が特に好ましい。

正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、カルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、カーボン膜、本発明の化合物、および、それらの誘導体等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、

より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。

電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、本発明の化合物、および、それらの誘導体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、

より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。

保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等の金属酸化物、ＭｇＦ_２、ＬｉＦ、ＡｌＦ_３、ＣａＦ_２等の金属フッ化物、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ などの窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの
共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。

保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。

本発明の発光素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。

本発明の発光素子は、陽極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式であっても良い。

以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

実施例１
化合物Ａ−１の合成
窒素気流下、１，４−ジブロモベンゼン２０ｇ、脱水ジエチルエーテル１００ｍｌを氷冷し、ここに１．６ｍｏｌ／ｌのノルマルブチルリチウム／ヘキサン溶液５５ｍｌを２０分かけて滴下した。滴下終了後、氷浴をはずして室温まで昇温し、さらに攪拌した。３０分後再び氷冷して、ここにジクロロジフェニルシラン１０．７ｇを３０分かけて滴下し、滴下終了後、室温まで昇温してさらに攪拌を続けた。３時間後、１．０ｍｏｌ／ｌの塩酸水溶液９０ｍｌを滴下し、滴下終了後、さらにクロロホルム２００ｍｌ、水１００ｍｌを加えた。分液して得られた有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた白色固体をクロロホルム／メタノール混合溶媒から再結晶することで化合物Ａ−１を１５．０ｇ（収率７１％）得た。

実施例２
参考化合物（１−１）の合成
窒素気流下、実施例１で合成した化合物Ａ−１ ２．６ｇ、カルバゾール１．８ｇ、２酢酸パラジウム０．０８ｇ、炭酸ルビジウム４．１ｇ、トリス−ｔ−ブチルホスフィン０．２４ｇ、キシレン５０ｍｌを加熱還流し、３時間攪拌した。反応の進行をＴＬＣ（薄層クロマトグラフィー）で追跡し、化合物Ａの消失を確認した後、反応混合物中にクロロホルム５０ｍｌ、水５０ｍｌを加え、分液した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後、溶媒を減圧留去した。得られた固体をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム）で精製した後、ヘキサン／クロロホルム混合溶媒から再結晶することで参考化合物（１−１）を２．６ｇ（収率７５％）得た。化合物（１−１）の融点は２７４℃であった。

実施例３
化合物Ｂの合成
化合物Ｂは特開２００１−９７９５３号公報に例示化合物（１−１）として記載されており、この文献記載の方法により合成出来た。

実施例４
例示化合物（２−１）の合成
窒素気流下、実施例１で合成した化合物Ａ−１ ５．０ｇ、実施例２で合成した化合物Ｂ ５．４ｇ、２酢酸パラジウム０．１１ｇ、トリス−ｔ−ブチルホスフィン０．３１ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム３．９ｇ、キシレン１００ｍｌを加熱還流し、３時間攪拌した。反応の進行をＴＬＣ（薄層クロマトグラフィー）で追跡し、化合物Ａの消失を確認した後、反応混合物中にクロロホルム１００ｍｌ、水１００ｍｌを加え、分液した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後、溶媒を減圧留去した。得られた固体をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム）で精製した後、ヘキサン／クロロホルム混合溶媒から再結晶することで例示化合物（２−１）を４．８ｇ（収率５８％）得た。化合物（２−１）の融点は３６４℃であった。

参考例１
ＣＶ（サイクリックボルタンメトリー）法による酸化波可逆性評価
本参考例は参考化合物のＥＬ素子中での安定性を評価するため行った。
ＥＬ素子駆動時、正孔あるいは電子の電荷注入、輸送によって素子中の有機化合物材料は絶えず酸化あるいは還元を受けていると考えることができる。このため素子駆動時の有機化合物材料の安定性を評価するための一つの方法として有機化合物材料のＣＶを測定することが有効である。

すなわちＣＶ法によって得られる酸化波あるいは還元波が可逆であれば、その有機化合物材料は酸化あるいは還元に対して安定あり、さらに掃引を繰り返した場合に酸化波あるいは還元波の最初の波形からの変化が小さければ、その材料は酸化あるいは還元に対してさらに安定であると判断できる。

今回は特に材料の酸化安定性を評価すべく、以下のＣＶ測定条件による酸化波の可逆性評価、および繰り返し掃引による最初の掃引からの波形変化を測定した。

ＣＶ測定測定条件
支持電解質：^ｎＢｕ_４Ｎ・ＰＦ_６（０．１Ｍ）
作用電極：Ｐｔ
対極：Ｐｔ
参照電極：ＳＣＥ
掃引速度：１００ｍＶ／ｓ
測定範囲：０〜＋１．６Ｖ ｖｓ． ＳＣＥ
試料溶液としてＢｅｎｚｅｎｅ−アセトニトリル（１：１）混合溶媒による１．０ｍＭ
溶液を調製。調液後メンブレンフィルターによってろ過し、Ａｒバブリングを行った後、測定した。
結果を下表に示す。

上記のように参考化合物（１−１）は比較例の化合物に比べ、ＣＶ法による酸化波可逆性が良好であり、繰り返し掃引による波形変化も小さいことが分かった。本結果は参考化合物の酸化安定性が高いことを示すものであり、すなわち参考化合物を用いて作成したＥＬ素子が優れた駆動耐久性を示すことを示唆するものである。

参考例２
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、まず正孔注入層として銅フタロシアニンを１０ｎｍ蒸着し、この上に正孔輸送材料としてα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を３０ｎｍ蒸着した。この上に参考化合物（１−１）とＩｒ（ｐｐｙ）_３を９対１の比率（重量比）で３０ｎｍの厚さに共蒸着し、この上にＢＡｌｑを１０ｎｍ、続いてＡｌｑ３を４０ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でフッ化リチウムを約１ｎｍ蒸着し、この上にアルミニウムを膜厚約２００ｎｍ蒸着して素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８、発光波長を浜松フォトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。
その結果、色度値（０．２７、０．６２）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は７．５％であった。本素子の耐久性評価を初期輝度２０００ｃｄ／ｍ^２、電流値一定にて行うと輝度半減時間は約８００時間である。

実施例７
ＮＰＤの代わりに化合物（２−１）を用い、参考化合物（１−１）の代わりにＣＢＰを用いて参考例２と同様に素子作製評価した。
その結果、色度値（０．２６，０．６１）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は ７．２％であった。本素子の耐久性評価を初期輝度２０００ｃｄ／ｍ^２、電流値一定にて行うと輝度半減時間は約７００時間である。

比較例１
参考化合物（１−１）の代わりにＣＢＰを用い参考例２と同様に素子作成評価した。その結果色度（０．２７，０．６２）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は６．０％であった。本素子の耐久性評価を初期輝度２０００ｃｄ／ｍ^２、電流値一定にて行うと輝度半減時間は約４００時間である。

比較例２
参考化合物（１−１）の代わりに特許文献１記載の化合物Ｃを用い、参考例２と同様に素子作成評価した。その結果色度（０．２７，０．６２）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は５．０％であった。本素子の耐久性評価を初期輝度２０００ｃｄ／ｍ^２、電流値一定にて行うと輝度半減時間は約２００時間である。
同様に、他の本発明の化合物を用いても、高効率発光素子を作製することができる。

Claims (7)

1. 一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、前記有機層中に下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含む有機電界発光素子。
   

   

   （式中、Ｒ^１１、Ｒ^１２は互いに独立にアリール基、ヘテロアリール基を表すが、Ｒ^１１、Ｒ^１２がフェニル基である場合、Ｒ^１１、Ｒ^１２上に置換基として含窒素へテロ環基を有することはない。Ａｒ^１１、Ａｒ^１２は互いに独立に一般式（２）で表される基を表す。）
   

   

   （式中、Ａｒ^２１はアリーレン基またはヘテロアリーレン基を表し、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３ 、Ｒ^２４はそれぞれ独立に置換基または水素原子を表す。Ｌ^２は置換もしくは無置換のｏ−アリーレン、ビニレン、−ＮＲ−（Ｒは置換基を表す）、−Ｏ−、または、−Ｓ−を表し、ｍは０または１を表す。ただし、Ａｒ ^２１ がフェニレン基である場合、ｍは１である。）
2. 一般式（１）において、Ｒ^１１、およびＲ^１２が無置換アリール基、または無置換ヘテロアリール基である請求項１記載の有機電界発光素子。
3. 一般式（２）において、ｍが１である請求項１または２記載の有機電界発光素子。
4. 一般式（２）において、ｍが１であり、かつＬ^２が置換もしくは無置換のｏ−アリーレン、またはビニレンである請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
5. 前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光素子。
   

   

   （式中、Ｒ ^４１、Ｒ^４２、Ｒ^４３、Ｒ^４４、Ｒ^４５、Ｒ^４６はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、互いに結合して芳香環を形成する基を表す。ｇ、ｈはそれぞれ独立に０から４の整数を表す。ｉ、ｊはそれぞれ独立に０から２の整数を表す。ｋ、ｌはそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。）
6. 一般式（２）において、ｍが０であり、Ａｒ ^２１ がビフェニレン基、ナフチレン基、アントラニレン基、ピリジレン基である請求項１または２記載の有機電界発光素子。
7. 一般式（４）で表される化合物。
   

   

   （式中、Ｒ ^４１、Ｒ^４２、Ｒ^４３、Ｒ^４４、Ｒ^４５、Ｒ^４６はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、互いに結合して芳香環を形成する基を表す。ｇ、ｈはそれぞれ独立に０から４の整数を表す。ｉ、ｊはそれぞれ独立に０から２の整数を表す。ｋ、ｌはそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。）