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JP4842209B2 - 抽出光学系、光ピックアップ及び光ディスク装置 - Google Patents

抽出光学系、光ピックアップ及び光ディスク装置 Download PDF

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JP4842209B2 JP2007132385A JP2007132385A JP4842209B2 JP 4842209 B2 JP4842209 B2 JP 4842209B2 JP 2007132385 A JP2007132385 A JP 2007132385A JP 2007132385 A JP2007132385 A JP 2007132385A JP 4842209 B2 JP4842209 B2 JP 4842209B2
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Description

本発明は、抽出光学系、光ピックアップ装置及び光ディスク装置に係り、さらに詳しくは、信号光と迷光とを含む光束から信号光を抽出する抽出光学系、該抽出光学系を有する光ピックアップ装置、及び該光ピックアップ装置を備えた光ディスク装置に関する。
近年、デジタル技術の進歩及びデータ圧縮技術の向上に伴い、音楽、映画、写真及びコンピュータソフトなどの情報(以下「コンテンツ」ともいう)を記録するための媒体として、DVD(digital versatile disc)などの光ディスクが注目されるようになり、その低価格化とともに、光ディスクを情報記録の対象媒体とする光ディスク装置が普及するようになった。
ところで、コンテンツの情報量は、年々増加する傾向にあり、光ディスクの記録容量の更なる増加が期待されている。そこで、光ディスクの記録容量を増加させる手段の一つとして、記録層の多層化が考えられ、複数の記録層を有する光ディスク(以下「多層ディスク」ともいう)及び該多層ディスクをアクセス対象とする光ディスク装置の開発が盛んに行われている。
多層ディスクでは、記録層と記録層との間隔が広いと、球面収差の影響により目的とする記録層からの信号が劣化するおそれがあるため、記録層と記録層との間隔を狭くする傾向にある。しかしながら、記録層と記録層との間隔が狭くなると、いわゆる層間クロストークにより、多層ディスクからの戻り光束には、目的とする記録層での反射光(以下「信号光」ともいう)だけでなく、目的とする記録層以外の記録層での反射光(以下「迷光」ともいう)も高いレベルで含まれることとなり、再生信号のS/N比が低下するおそれがあった。
そこで、多層ディスクを再生するときに、層間クロストークを低減させる装置が提案された(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、特許文献1に開示されている装置では、検出器に入射する迷光を更に減少させるには、ピンホールの径を更に小さくする必要があるため、検出器に入射する信号光も減少するというという不都合があった。
特許第2624255号公報
本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第1の目的は、複数の信号光と迷光とを含む光束から複数の信号光を効率良く抽出することができる抽出光学系を提供することにある。
また、本発明の第2の目的は、複数の記録層を有する光ディスクから所望の信号を精度良く取得することができる光ピックアップ装置を提供することにある。
また、本発明の第3の目的は、複数の記録層を有する光ディスクからの情報の再生を精度良く行うことができる光ディスク装置を提供することにある。
本発明は、第1の観点からすると、複数の光束が照射された多層の光ディスクからの複数の信号光と迷光とを含む戻り光束から前記複数の信号光を抽出する抽出光学系であって、前記戻り光束の光路上に配置され、前記戻り光束を分岐する偏光子と;前記戻り光束の光路における前記偏光子の前方あるいは後方に配置され、前記戻り光束を集光する集光光学素子と;前記集光光学素子で集光された前記複数の信号光の各集光位置が含まれる仮想的な第1の面と、該第1の面よりも前記集光光学素子側にある前記迷光の集光位置が含まれる仮想的な第2の面との間に配置され、前記複数の信号光及び前記迷光をそれぞれ2分割し、2分割された光束の一方と他方の偏光状態を互いに異なる偏光状態とする複数の部分領域を有する第1の変更光学素子と;前記第1の面と、該第1の面よりも前記集光光学素子から離れる側にある前記迷光の集光位置が含まれる仮想的な第3の面との間に配置され、前記第1の変更光学素子の複数の部分領域に対向する複数の部分領域を有し、前記第1の変更光学素子を介した前記複数の信号光の偏光状態と前記迷光の偏光状態を互いに異なる偏光状態とする第2の変更光学素子と;前記第2の変更光学素子を介した前記戻り光束から、偏光状態の違いに基づいて前記複数の信号光を抽出する検光子と;を備える第1の抽出光学系である。
これによれば、複数の信号光と迷光とを含む戻り光束は集光光学素子で集光され、第1の変更光学素子の複数の部分領域により、複数の信号光及び迷光はそれぞれ2分割され、2分割された光束の一方と他方の偏光状態は互いに異なる偏光状態とされる。そして、第2の変更光学素子の複数の部分領域により、複数の信号光の偏光状態と迷光の偏光状態は互いに異なる偏光状態とされ、検光子により、偏光状態の違いに基づいて複数の信号光が抽出される。すなわち、第1の変更光学素子と第2の変更光学素子によって、複数の信号光の偏光状態と迷光の偏光状態とに違いをもたせ、その違いを利用して複数の信号光を抽出しているため、複数の信号光と迷光とを含む光束から複数の信号光を効率良く抽出することが可能となる。
本発明は、第2の観点からすると、複数の光束が照射された多層の光ディスクからの複数の信号光と迷光とを含む戻り光束から前記複数の信号光を抽出する抽出光学系であって、前記戻り光束の光路上に配置され、前記戻り光束を分岐する偏光子と;前記戻り光束の光路における前記偏光子の前方あるいは後方に配置され、前記戻り光束を集光する集光光学素子と;前記集光光学素子で集光された前記複数の信号光の各集光位置が含まれる仮想的な第1の面と、該第1の面よりも前記集光光学素子側にある前記迷光の集光位置が含まれる仮想的な第2の面との間に配置され、前記複数の信号光及び前記迷光をそれぞれ2分割し、2分割された光束の一方と他方の偏光状態を互いに異なる偏光状態とする複数の部分領域を有する変更光学素子と;前記第1の面上に配置され、前記変更光学素子を介した前記戻り光束を前記変更光学素子に向けて反射する反射部材と;を備え、前記偏光子は更に、前記反射部材で反射され再度前記変更光学素子を介した前記戻り光束が入射し、偏光状態の違いに基づいて前記複数の信号光を抽出することを特徴とする第2の抽出光学系である。
これによれば、複数の信号光と迷光とを含む戻り光束は集光光学素子で集光され、変更光学素子の複数の部分領域により、複数の信号光及び迷光はそれぞれ2分割され、2分割された光束の一方と他方の偏光状態は互いに異なる偏光状態とされる。そして、変更光学素子を介した戻り光束は反射部材で反射され、再度変更光学素子に入射し、偏光子により、偏光状態の違いに基づいて複数の信号光が抽出される。すなわち、変更光学素子と反射部材によって、複数の信号光の偏光状態と迷光の偏光状態とに違いをもたせ、その違いを利用して複数の信号光を抽出しているため、複数の信号光と迷光とを含む光束から複数の信号光を効率良く抽出することが可能となる。
本発明は、第3の観点からすると、複数の記録層を有する光ディスクに光束を照射し、前記光ディスクからの戻り光束を受光する光ピックアップ装置であって、直線偏光の光を出射する光源と;前記光源から出射された光を複数の光束とするグレーティングと;前記複数の光束を前記複数の記録層のうちアクセス対象の記録層に集光する対物レンズと;前記グレーティングと前記対物レンズとの間の光路上に配置され、入射光に1/4波長の光学的位相差を付与する1/4波長板と、前記光ディスクで反射され前記対物レンズ及び前記1/4波長板を介した戻り光束の光路上に配置された本発明の抽出光学系と;前記抽出光学系からの光を受光し、受光量に応じた信号を生成する光検出器と;を備える光ピックアップ装置である。
これによれば、本発明の抽出光学系を備えているため、迷光が極めて少ない戻り光束が光検出器で受光される。従って、複数の記録層を有する光ディスクから所望の信号を精度良く取得することが可能となる。
本発明は、第4の観点からすると、複数の記録層を有する光ディスクに対して、情報の記録、再生及び消去のうち少なくとも再生が可能な光ディスク装置であって、本発明の光ピックアップ装置と;前記光ピックアップ装置の光検出器の出力信号を用いて、前記光ディスクに記録されている情報の再生を行なう処理装置と;を備える光ディスク装置である。
これによれば、本発明の光ピックアップ装置を備えているため、その結果として、複数の記録層を有する光ディスクからの情報の再生を精度良く行うことが可能となる。
以下、本発明の一実施形態を図1〜図11に基づいて説明する。図1には、本発明の一実施形態に係る光ディスク装置20の概略構成が示されている。
この図1に示される光ディスク装置20は、光ディスク15を回転駆動するためのスピンドルモータ22、光ピックアップ装置23、該光ピックアップ装置23を光ディスク15の半径方向に駆動するためのシークモータ21、レーザ制御回路24、エンコーダ25、駆動制御回路26、再生信号処理回路28、バッファRAM34、バッファマネージャ37、インターフェース38、フラッシュメモリ39、CPU40及びRAM41などを備えている。なお、図1における矢印は、代表的な信号や情報の流れを示すものであり、各ブロックの接続関係の全てを表すものではない。また、本実施形態では、光ディスク装置20は多層ディスクに対応しているものとする。
前記光ディスク15は、一例として図2に示されるように、光束の入射側から順に、基板M0、記録層L0、中間層ML、記録層L1、基板M1を有している。また、記録層L0と中間層MLとの間には金や誘電体などで形成された半透明膜MB0があり、記録層L1と基板M1との間にはアルミニウムなどで形成された反射膜MB1がある。中間層MLには、照射される光束に対して透過率が高く、基板の屈折率に近い屈折率を有する紫外線硬化型の樹脂材料が用いられている。すなわち、光ディスク15は片面2層ディスクである。なお、各記録層にはスパイラル状又は同心円状の案内用の溝(グルーブ)を有するトラックが、それぞれ形成されている。そして、光ディスク15は、記録層L0が記録層L1よりも光ピックアップ装置23に近くなるように光ディスク装置20にセットされる。そこで、光ディスク15に入射した光束の一部は半透明膜MB0で反射され、残りは半透明膜MB0を透過する。そして、半透明膜MB0を透過した光束は反射膜MB1で反射される。ここでは、一例として、光ディスク15はDVD系の情報記録媒体であるものとする。
前記光ピックアップ装置23は、光ディスク15の2つの記録層のうちアクセス対象の記録層(以下、便宜上「対象記録層」と略述する)にレーザ光を照射するとともに、光ディスク15からの反射光を受光するための装置である。この光ピックアップ装置23は、一例として図3に示されるように、光源ユニット51、カップリングレンズ52、グレーティング200、1/4波長板55、対物レンズ60、抽出光学系70、集光レンズ58、光検出器としての受光器PD、及び対物レンズ60を駆動するための駆動系(フォーカシングアクチュエータAC及びトラッキングアクチュエータ(図示省略))などを備えている。
前記抽出光学系70は、偏光子としての偏光ビームスプリッタ54、集光光学素子としてのレンズ61、2つの変更光学素子(192、193)、及び検光子64を備えている。
光源ユニット51は、光ディスク15に対応する波長が約660nmのレーザ光を発光する光源としての半導体レーザを含んで構成されている。なお、本実施形態では、光源ユニット51から出射されるレーザ光の最大強度出射方向を+X方向とする。また、一例として光源ユニット51からは偏光ビームスプリッタ54の入射面に平行な偏光(P偏光)の光束が出射されるものとする。
この光源ユニット51の+X側には、前記カップリングレンズ52が配置され、光源ユニット51から出射された光束を略平行光とする。
前記グレーティング200は、カップリングレンズ52の+X側に配置され、カップリングレンズ52からの略平行光を0次光、+1次回折光(以下、便宜上「+1次光」と略述する)、−1次回折光(以下、便宜上「−1次光」と略述する)の3ビームに分割する。すなわち、グレーティング200は、入射光を3ビーム化する。ここでは、一例として、グレーティング200は、入射光の80%を0次光に、10%を+1次光に、10%を−1次光にするものとする。また、以下では、便宜上、+1次光と−1次光を合わせて「±1次光」ともいう。
前記偏光ビームスプリッタ54は、グレーティング200の+X側に配置されている。この偏光ビームスプリッタ54は、入射する光束の偏光状態に応じてその反射率が異なっている。ここでは、偏光ビームスプリッタ54は、一例としてP偏光に対する反射率が小さく、S偏光に対する反射率が大きくなるように設定されている。すなわち、偏光ビームスプリッタ54は、入射光に含まれるS偏光を分岐する。従って、光源ユニット51から出射され、グレーティング200で回折された各光束の大部分は、偏光ビームスプリッタ54を透過することができる。この偏光ビームスプリッタ54の+X側には、前記1/4波長板55が配置されている。
この1/4波長板55は、入射した光束に1/4波長の光学的位相差を付与する。1/4波長板55の+X側には、前記対物レンズ60が配置され、1/4波長板55を透過した各光束を対象記録層に集光する。
対物レンズ60に入射する各光束(0次光、±1次光)は、それぞれの入射角が互いに異なるので、対物レンズ60を透過した各光束は、対象記録層上で互いに異なる位置に集光する。例えば、差動プッシュプル法によるトラックエラー検出を行なう場合には、0次光が対象記録層のグルーブ上に集光し、±1次光は0次光が集光したグルーブに隣接する各ランド上にそれぞれ集光するように設定されている。
前記フォーカシングアクチュエータACは、対物レンズ60の光軸方向であるフォーカス方向に対物レンズ60を微少駆動するためのアクチュエータである。ここでは、便宜上、対象記録層が記録層L0のときのフォーカス方向に関する対物レンズ60の最適位置を「第1レンズ位置」といい、対象記録層が記録層L1のときのフォーカス方向に関する対物レンズ60の最適位置を「第2レンズ位置」ということとする。なお、対物レンズ60が第2レンズ位置にあるときには、第1レンズ位置にあるときよりも、対物レンズ60と光ディスク15との間隔は狭くなる(図4(A)及び図4(B)参照)。
前記トラッキングアクチュエータ(図示省略)は、トラッキング方向に対物レンズ60を微少駆動するためのアクチュエータである。
ここで、光ディスク15からの戻り光束について図4(A)及び図4(B)を用いて説明する。
対象記録層が記録層L0のときには、一例として図4(A)に示されるように、対物レンズ60は前記第1レンズ位置に位置決めされる。これにより、光源ユニット51から出射された光束は、対物レンズ60によって記録層L0に集光される。そして、半透過膜MB0で反射された光束は信号光として対物レンズ60に入射する。一方、半透過膜MB0を透過した光束は前記金属反射膜MB1で反射され、迷光として対物レンズ60に入射する。
対象記録層が記録層L1のときには、一例として図4(B)に示されるように、対物レンズ60は前記第2レンズ位置に位置決めされる。これにより、光源ユニット51から出射された光束は、対物レンズ60によって記録層L1に集光される。そして、金属反射膜MB1で反射された光束は信号光として対物レンズ60に入射する。一方、半透過膜MB0で反射された光束は迷光として対物レンズ60に入射する。
すなわち、対象記録層がいずれの記録層であっても、戻り光束には半透過膜MB0で反射された光束(以下「第1反射光」ともいう)と金属反射膜MB1で反射された光束(以下「第2反射光」ともいう)とが含まれることとなる。ここでは、対象記録層が記録層L0のときには、第1反射光が信号光であり、第2反射光が迷光である。一方、対象記録層が記録層L1のときには、第2反射光が信号光であり、第1反射光が迷光である。
ここでは、3ビーム(0次光と±1次光)が光ディスク15に照射されるので、第1反射光は、0次光の反射光と±1次光の反射光とからなり、第2反射光も、0次光の反射光と±1次光の反射光とからなる。従って、信号光は、0次光の信号光と±1次光の信号光とからなる複数の信号光であり、迷光は、0次光の迷光と±1次光の迷光とからなる複数の迷光である。
迷光は再生信号処理回路28で各種信号を検出する際にS/N比を低下させる要因となるため、戻り光束に含まれる信号光を抽出する必要がある。
前記レンズ61は、偏光ビームスプリッタ54の−Z側に配置され、偏光ビームスプリッタ54で−Z方向に分岐された戻り光束を集光する。ここでは、戻り光束に含まれる第1反射光では、0次光の反射光の集光位置の+X側及び−X側に±1次光の反射光がそれぞれ集光する。同様に、戻り光束に含まれる第2反射光では、0次光の反射光の集光位置の+X側及び−X側に±1次光の反射光がそれぞれ集光する。なお、同一の記録層からの0次光の反射光の集光位置と±1次光の反射光の集光位置とが含まれる仮想的な平面を「集光面」ということとする。光ディスク15において、半透過膜MB0と金属反射膜MB1とは、フォーカス方向に関して互いに離れているために、第1反射光の集光面と第2反射光の集光面とは一致せずに、レンズ61の光軸方向に関して互いに離れることとなる。
図3に戻り、前記変更光学素子192は、レンズ61の−Z側であって、対象記録層からの複数の信号光の集光面と、対象記録層の+X側に隣接した記録層(ここでは、対象記録層がL0のときの記録層L1)からの複数の迷光の集光面との間に配置されている。この変更光学素子192は、一例として図5に示されるように、Y軸方向に延びる5本の分割線(192i、192j、192k、192l、192m)によって、6つの領域(192a、192b、192c、192d、192e、192f)に分割されている。そして、ここでは、領域192a、領域192c及び領域192eは、いずれも入射光束に−1/4波長のリターデーション(光学的位相差)を付与し、領域192b、領域192d及び領域192dは、いずれも入射光束に+1/4波長のリターデーションを付与する。なお、対物レンズ60がトラッキング方向にシフトすると、変更光学素子192に入射する戻り光束は、トラッキング方向に対応する方向(ここではY軸方向)にシフトする。
本実施形態では、一例として+1次光が領域192a及び領域192bに入射し、0次光が領域192c及び領域192dに入射し、−1次光が領域192e及び領域192fに入射するように設定されている。
前記変更光学素子193は、変更光学素子192の−Z側であって、対象記録層からの複数の信号光の集光面と、対象記録層の−X側に隣接した記録層(ここでは、対象記録層がL1のときの記録層L0)からの複数の迷光の集光面との間に配置されている。この変更光学素子193は、一例として図6に示されるように、Y軸方向に延びる5本の分割線(193i、193j、193k、193l、193m)によって、6つの領域(193a、193b、193c、193d、193e、193f)に分割されている。そして、ここでは、領域193a、領域193c及び領域193eは、いずれも入射光束に+1/4波長のリターデーションを付与し、領域193b、領域193d及び領域193fは、いずれも入射光束に−1/4波長のリターデーションを付与する。この場合も、対物レンズ60がトラッキング方向にシフトすると、変更光学素子193に入射する戻り光束は、トラッキング方向に対応する方向(ここではY軸方向)にシフトする。
各変更光学素子には、ツイストネマティック型液晶、サブ波長格子、及びフォトニック結晶などを用いることができる。
前記検光子64は、変更光学素子163の−Z側に配置され、変更光学素子193からの光束に含まれるP偏光のみを透過させる。
前記検出レンズ58は、検光子64の−Z側に配置され、検光子64を透過した戻り光束を前記受光器PDの受光面に集光する。この受光器PDは、再生信号処理回路28にてRF信号、ウォブル信号及びサーボ信号などを検出するのに最適な信号(光電変換信号)を生成するための複数の受光素子(又は受光領域)を含んで構成されている。
上記のように構成される光ピックアップ装置23の作用を図3及び図7(A)〜図7(C)を用いて説明する。なお、図3及び図7(A)〜図7(C)では、0次光を実線で示し、±1次光を破線で示している。
「対象記録層が記録層L0の場合」
光源ユニット51から出射された直線偏光(ここではP偏光)の光束は、カップリングレンズ52で略平行光となり、グレーティング200で3ビーム(0次光及び±1次光)化され、偏光ビームスプリッタ54に入射する。グレーティング200からの各光束の大部分は偏光ビームスプリッタ54をそのまま透過し、1/4波長板55で円偏光とされ、対物レンズ60を介して光ディスク15の対象記録層であるL0に3つの微小スポットとして集光される。
光ディスク15からは、L0からの複数の信号光とL1からの複数の迷光とが生じ、これらの光束は、往路とは反対回りの円偏光となり、戻り光束として対物レンズ60で再び略平行光とされ、1/4波長板55で往路と直交した直線偏光(ここではS偏光)とされる。そして、この戻り光束は偏光ビームスプリッタ54に入射する。偏光ビームスプリッタ54で−Z方向に反射された戻り光束は、レンズ61で集光される。
レンズ61を介した戻り光束は、変更光学素子192に入射する。変更光学素子192では、信号光の+1次光及び迷光の+1次光が領域192aと領域192bに入射し、信号光の0次光及び迷光の0次光が領域192cと領域192dに入射し、信号光の−1次光及び迷光の−1次光が領域192eと領域192fに入射する。そして、領域192aに入射した各+1次光には−1/4波長のリターデーションが付与され、領域192bに入射した各+1次光には+1/4波長のリターデーションが付与される。また、領域192cに入射した各0次光には−1/4波長のリターデーションが付与され、領域192dに入射した各0次光には+1/4波長のリターデーションが付与される。また、領域192eに入射した各−1次光には−1/4波長のリターデーションが付与され、領域192fに入射した各−1次光には+1/4波長のリターデーションが付与される。なお、レンズ61と変更光学素子192との間の光路では、信号光及び迷光はいずれもS偏光である。
変更光学素子192からの各光束は、変更光学素子193に入射する。
「信号光について」
複数の信号光は、一例として図7(A)に示されるように、変更光学素子192と変更光学素子193との間に集光するので、領域192aを介した+1次光(−1/4波長のリターデーションが付与された+1次光)の信号光は領域193bに入射し、−1/4波長のリターデーションが付与される。領域192bを介した+1次光(+1/4波長のリターデーションが付与された+1次光)の信号光は領域193aに入射し、+1/4波長のリターデーションが付与される。領域192cを介した0次光(−1/4波長のリターデーションが付与された0次光)の信号光は領域193dに入射し、−1/4波長のリターデーションが付与される。領域192dを介した0次光(+1/4波長のリターデーションが付与された0次光)の信号光は領域193cに入射し、+1/4波長のリターデーションが付与される。領域192eを介した−1次光(−1/4波長のリターデーションが付与された−1次光)の信号光は領域193fに入射し、−1/4波長のリターデーションが付与される。領域192fを介した−1次光(+1/4波長のリターデーションが付与された−1次光)は領域193eに入射し、+1/4波長のリターデーションが付与される。従って、複数の信号光は、いずれもP偏光となる。
「迷光について」
複数の迷光は、一例として図7(B)に示されるように、レンズ61と変更光学素子192との間に集光するので、領域192aを介した+1次光(−1/4波長のリターデーションが付与された+1次光)の迷光は領域193aに入射し、+1/4波長のリターデーションが付与される。領域192bを介した+1次光(+1/4波長のリターデーションが付与された+1次光)の迷光は領域193bに入射し、−1/4波長のリターデーションが付与される。領域192cを介した0次光(−1/4波長のリターデーションが付与された0次光)の迷光は領域193cに入射し、+1/4波長のリターデーションが付与される。領域192dを介した0次光(+1/4波長のリターデーションが付与された0次光)の迷光は領域193dに入射し、−1/4波長のリターデーションが付与される。領域192eを介した−1次光(−1/4波長のリターデーションが付与された−1次光)の迷光は領域193eに入射し、+1/4波長のリターデーションが付与される。領域192fを介した−1次光(+1/4波長のリターデーションが付与された−1次光)の迷光は領域193fに入射し、−1/4波長のリターデーションが付与される。従って、複数の迷光は、いずれもS偏光のままである。
変更光学素子193からの各光束は、検光子64に入射する。この検光子64はP偏光のみを透過させるので、複数の信号光のみが検出レンズ58に入射し、受光器PDで受光される。受光器PDでは受光素子(又は受光領域)毎に光電変換され、各光電変換信号はそれぞれ再生信号処理回路28に出力される。ここでは、複数の信号光のみが受光器PDで受光されるため、S/N比の高い光電変換信号が出力されることとなる。
「対象記録層が記録層L1の場合」
光源ユニット51から出射された直線偏光(ここではP偏光)の光束は、カップリングレンズ52で略平行光となり、グレーティング200で3ビーム(0次光及び±1次光)化され、偏光ビームスプリッタ54に入射する。グレーティング200からの各光束の大部分は偏光ビームスプリッタ54をそのまま透過し、1/4波長板55で円偏光とされ、対物レンズ60を介して光ディスク15の対象記録層であるL1に3つの微小スポットとして集光される。光ディスク15からは、L1からの複数の信号光とL0からの複数の迷光とが生じ、これらの光束は、往路とは反対回りの円偏光となり、戻り光束として対物レンズ60で再び略平行光とされ、1/4波長板55で往路と直交した直線偏光(ここではS偏光)とされる。そして、この戻り光束は偏光ビームスプリッタ54に入射する。偏光ビームスプリッタ54で−Z方向に反射された戻り光束は、レンズ61で集光される。
レンズ61を介した戻り光束は、変更光学素子192に入射する。変更光学素子192では、信号光の+1次光及び迷光の+1次光が領域192aと領域192bに入射し、信号光の0次光及び迷光の0次光が領域192cと領域192dに入射し、信号光の−1次光及び迷光の−1次光が領域192eと領域192fに入射する。そして、領域192aに入射した各+1次光には−1/4波長のリターデーションが付与され、領域192bに入射した各+1次光には+1/4波長のリターデーションが付与される。また、領域192cに入射した各0次光には−1/4波長のリターデーションが付与され、領域192dに入射した各0次光には+1/4波長のリターデーションが付与される。また、領域192eに入射した各−1次光には−1/4波長のリターデーションが付与され、領域192fに入射した各−1次光には+1/4波長のリターデーションが付与される。なお、レンズ61と変更光学素子192との間の光路では、信号光及び迷光はいずれもS偏光である。
変更光学素子192からの各光束は、変更光学素子193に入射する。
「信号光について」
複数の信号光は、変更光学素子192と変更光学素子193との間に集光するので、領域192aを介した+1次光(−1/4波長のリターデーションが付与された+1次光)の信号光は領域193bに入射し、−1/4波長のリターデーションが付与される。領域192bを介した+1次光(+1/4波長のリターデーションが付与された+1次光)の信号光は領域193aに入射し、+1/4波長のリターデーションが付与される。領域192cを介した0次光(−1/4波長のリターデーションが付与された0次光)の信号光は領域193dに入射し、−1/4波長のリターデーションが付与される。領域192dを介した0次光(+1/4波長のリターデーションが付与された0次光)の信号光は領域193cに入射し、+1/4波長のリターデーションが付与される。領域192eを介した−1次光(−1/4波長のリターデーションが付与された−1次光)の信号光は領域193fに入射し、−1/4波長のリターデーションが付与される。領域192fを介した−1次光(+1/4波長のリターデーションが付与された−1次光)の信号光は領域193eに入射し、+1/4波長のリターデーションが付与される。従って、複数の信号光は、いずれもP偏光となる。
「迷光について」
複数の迷光は、一例として図7(C)に示されるように、変更光学素子193と検光子64との間に集光するので、領域192aを介した+1次光(−1/4波長のリターデーションが付与された+1次光)の迷光は領域193aに入射し、+1/4波長のリターデーションが付与される。領域192bを介した+1次光(+1/4波長のリターデーションが付与された+1次光)の迷光は領域193bに入射し、−1/4波長のリターデーションが付与される。領域192cを介した0次光(−1/4波長のリターデーションが付与された0次光)の迷光は領域193cに入射し、+1/4波長のリターデーションが付与される。領域192dを介した0次光(+1/4波長のリターデーションが付与された0次光)の迷光は領域193dに入射し、−1/4波長のリターデーションが付与される。領域192eを介した−1次光(−1/4波長のリターデーションが付与された−1次光)の迷光は領域193eに入射し、+1/4波長のリターデーションが付与される。領域192fを介した−1次光(+1/4波長のリターデーションが付与された−1次光)の迷光は領域193fに入射し、−1/4波長のリターデーションが付与される。従って、複数の迷光は、いずれもS偏光のままである。
変更光学素子193からの各光束は、検光子64に入射する。この検光子64はP偏光のみを透過させるので、複数の信号光のみが検出レンズ58に入射し、受光器PDで受光される。受光器PDでは受光素子(又は受光領域)毎に光電変換され、各光電変換信号はそれぞれ再生信号処理回路28に出力される。ここでは、複数の信号光のみが受光器PDで受光されるため、S/N比の高い光電変換信号が出力されることとなる。
図1に戻り、前記再生信号処理回路28は、前記受光器PDの出力信号(複数の光電変換信号)に基づいて、サーボ信号(フォーカスエラー信号やトラックエラー信号など)、アドレス情報、同期情報及びRF信号などを取得する。ここでは、受光器PDからS/N比の高い光電変換信号が出力されるため、サーボ信号、アドレス情報、同期情報及びRF信号などを精度良く取得することができる。例えば、受光器PDからS/N比の高い光電変換信号が出力されると、図8(A)に示されるように、フォーカスエラー信号のリニア部が従来(例えば図9(A)参照)よりも長くなり、位置ずれ量を精度良く検出することができる。なお、図8(A)の縦軸は規格化されており、例えば、受光器がトラッキング方向に対応する方向の分割線によって2つの受光領域に分割され、各受光領域の出力信号をS1、S2とすると、図8(A)の縦軸は(S1−S2)/(S1+S2)である。また、一例として図8(B)に示されるように、RF信号が含まれる和信号(複数の光電変換信号を加算した信号)についても、従来(例えば図9(B)参照)よりも安定しているため、RF信号を精度良く取得することができる。なお、図8(B)の縦軸は正規化されており、和信号の最大値を1としている。また、図8(A)及び図8(B)は、中間層MLの厚さが約9μmであり、対物レンズのNAが約0.65、レーザ光の波長が約660nmのときのデータである。
また、一例として図10に示されるように、前記受光器PDが0次光を受光する2分割受光素子PD1と+1次光を受光する2分割受光素子PD2と−1次光を受光する2分割受光素子PD3とを有している場合には、(Sb−Sa)−K(Sd+Sf−Sc−Se)で、差動プッシュプル信号DPPを得ることができる。
図1に戻り、再生信号処理回路28で得られたサーボ信号は前記駆動制御回路26に出力され、アドレス情報はCPU40に出力され、同期信号はエンコーダ25や駆動制御回路26などに出力される。さらに、再生信号処理回路28は、RF信号に対して復号処理及び誤り検出処理などを行い、誤りが検出されたときには誤り訂正処理を行った後、再生データとして前記バッファマネージャ37を介して前記バッファRAM34に格納する。また、再生データに含まれるアドレス情報はCPU40に出力される。
前記駆動制御回路26は、再生信号処理回路28からのトラックエラー信号に基づいて、トラッキング方向に関する対物レンズ60の位置ずれを補正するための前記トラッキングアクチュエータの駆動信号を生成する。また、駆動制御回路26は、再生信号処理回路28からのフォーカスエラー信号に基づいて、対物レンズ60のフォーカスずれを補正するための前記フォーカシングアクチュエータACの駆動信号を生成する。ここで生成された各アクチュエータの駆動信号は光ピックアップ装置23に出力される。これにより、トラッキング制御及びフォーカス制御が行われる。さらに、駆動制御回路26は、CPU40の指示に基づいて、シークモータ21を駆動するための駆動信号、及びスピンドルモータ22を駆動するための駆動信号を生成する。各モータの駆動信号は、それぞれシークモータ21及びスピンドルモータ22に出力される。
前記バッファRAM34には、光ディスク15に記録するデータ(記録用データ)、及び光ディスク15から再生したデータ(再生データ)などが一時的に格納される。このバッファRAM34へのデータの入出力は、前記バッファマネージャ37によって管理されている。
前記エンコーダ25は、CPU40の指示に基づいて、バッファRAM34に蓄積されている記録用データをバッファマネージャ37を介して取り出し、データの変調及びエラー訂正コードの付加などを行ない、光ディスク15への書き込み信号を生成する。ここで生成された書き込み信号はレーザ制御回路24に出力される。
前記レーザ制御回路24は、前記光源ユニット51の半導体レーザの発光パワーを制御する。例えば記録の際には、前記書き込み信号、記録条件、及び半導体レーザの発光特性などに基づいて、半導体レーザの駆動信号がレーザ制御回路24にて生成される。
前記インターフェース38は、上位装置90(例えば、パソコン)との双方向の通信インターフェースであり、ATAPI(AT Attachment Packet Interface)、SCSI(Small Computer System Interface)及びUSB(Universal Serial Bus)などの標準インターフェースに準拠している。
前記フラッシュメモリ39には、CPU40にて解読可能なコードで記述された各種プログラム、記録パワーや記録ストラテジ情報を含む記録条件、及び光源ユニット51の半導体レーザの発光特性などが格納されている。
前記CPU40は、フラッシュメモリ39に格納されている上記プログラムに従って前記各部の動作を制御するとともに、制御に必要なデータなどをRAM41及びバッファRAM34に保存する。
次に、上位装置90からアクセス要求があったときの、光ディスク装置20における処理について図11を用いて簡単に説明する。図11のフローチャートは、CPU40によって実行される一連の処理アルゴリズムに対応している。
上位装置90から記録要求コマンド又は再生要求コマンド(以下、「要求コマンド」と総称する)を受信すると、図11のフローチャートに対応するプログラムの先頭アドレスがCPU40のプログラムカウンタにセットされ、処理がスタートする。
最初のステップ401では、所定の線速度(又は角速度)で光ディスク15が回転するように駆動制御回路26に指示するとともに、上位装置90から要求コマンドを受信した旨を再生信号処理回路28に通知する。
次のステップ403では、要求コマンドから指定アドレスを抽出し、その指定アドレスから、対象記録層が記録層L0であるか記録層L1であるかを特定する。
次のステップ405では、特定された対象記録層に関する情報を駆動制御回路26などに通知する。
次のステップ409では、指定アドレスに対応する目標位置近傍に光スポットが形成されるように、駆動制御回路26に指示する。これにより、シーク動作が行なわれる。なお、シーク動作が不要であれば、ここでの処理はスキップされる。
次のステップ411では、要求コマンドに応じて記録又は再生を許可する。
次のステップ413では、記録又は再生が完了したか否かを判断する。完了していなければ、ここでの判断は否定され、所定時間経過後に再度判断する。完了していれば、ここでの判断は肯定され、処理を終了する。
以上の説明から明らかなように、本実施形態に係る光ピックアップ装置23によると、直線偏光の光を出射する光源ユニット51と、光源ユニット51から出射された光を複数の光束とするグレーティング200と、複数の光束を複数の記録層のうちアクセス対象の記録層に集光する対物レンズ60と、グレーティング200と対物レンズ60との間の光路上に配置され、入射光に1/4波長の光学的位相差を付与する1/4波長板55と、光ディスク15で反射され対物レンズ60及び1/4波長板55を介した戻り光束の光路上に配置された抽出光学系70と、抽出光学系70からの光を受光し、受光量に応じた信号を生成する受光器PDとを備えている。
そして、本実施形態に係る抽出光学系70は、戻り光束の光路上に配置され、戻り光束を分岐する偏光ビームスプリッタ54と、戻り光束の光路における前記偏光ビームスプリッタ54の後方に配置され、戻り光束を集光するレンズ61と、該レンズ61で集光された複数の信号光の各集光位置が含まれる仮想的な第1の面と、該第1の面よりもレンズ61側にある複数の迷光の各集光位置が含まれる仮想的な第2の面との間に配置され、複数の信号光及び複数の迷光をそれぞれ2分割し、2分割された光束の一方と他方の偏光状態を互いに異なる偏光状態とする複数の部分領域を有する変更光学素子192と、前記第1の面と、該第1の面よりもレンズ61から離れる側にある複数の迷光の各集光位置が含まれる仮想的な第3の面との間に配置され、変更光学素子192の複数の部分領域に対向する複数の部分領域を有し、変更光学素子192を介した複数の信号光の偏光状態と複数の迷光の偏光状態を互いに異なる偏光状態とする変更光学素子193と、該変更光学素子193を介した戻り光束から、偏光状態の違いに基づいて複数の信号光を抽出する検光子64とを備えている。
また、本実施形態に係る光ディスク装置20では、再生信号処理回路28と、CPU40及び該CPU40によって実行されるプログラムとによって、処理装置が構成されている。なお、CPU40によるプログラムに従う処理の少なくとも一部をハードウェアによって構成することとしても良いし、あるいは全てをハードウェアによって構成することとしても良い。
以上説明したように、本実施形態に係る光ピックアップ装置23によると、光源ユニット51から出射された直線偏光(ここではP偏光)の光束は、カップリングレンズ52、グレーティング200、偏光ビームスプリッタ54、1/4波長板55、及び対物レンズ60を介して光ディスク15の対象記録層に複数の微小スポットとして集光される。光ディスク15からの戻り光束(複数の信号光+複数の迷光)は、往路と直交した直線偏光(ここではS偏光)となって偏光ビームスプリッタ54に入射する。偏光ビームスプリッタ54で−Z方向に分岐された戻り光束は、レンズ61で収束光となり、変更光学素子192に入射する。変更光学素子192では、領域192a、192c、及び192eに入射した光束に−1/4波長のリターデーションが付与され、領域192b、192d、及び192fに入射した光束に+1/4波長のリターデーションが付与される。変更光学素子192を介した戻り光束は、変更光学素子193に入射し、領域193a、193c、及び193eに入射した光束に+1/4波長のリターデーションが付与され、領域193b、193d、及び193fに入射した光束に−1/4波長のリターデーションが付与される。これにより、変更光学素子193を介した複数の信号光はP偏光となり、複数の迷光はS偏光のままとなる。変更光学素子193を介した戻り光束は、検光子64に入射し、複数の信号光のみが検光子64を透過する。すなわち、抽出光学系70により、複数の信号光と複数の迷光を含む戻り光束から複数の信号光が抽出される。そして検光子64を透過した戻り光束は、検出レンズ58を介して受光器PDで受光される。この場合には、戻り光束に含まれる複数の信号光のみが受光器PDで受光されるため、S/N比の高い複数の光電変換信号が出力されることとなる。従って、複数の記録層を有する光ディスクから所望の信号を精度良く取得することが可能となる。
また、本実施形態によると、各変更光学素子における+1/4波長のリターデーションを付与する領域と−1/4波長のリターデーションを付与する領域との境界線(分割線)がトラッキング方向に対応する方向と一致しているため、対物レンズ60がトラッキング方向にシフトしても、信号光と迷光とを精度良く分離することができる。
また、本実施形態に係る光ディスク装置20によると、S/N比の高い複数の光電変換信号が光ピックアップ装置23から出力されるため、複数の記録層を有する光ディスクへのアクセスを精度良く安定して行うことが可能となる。従って、複数の記録層を有する光ディスクからの情報の再生を精度良く行うことができる。
なお、上記実施形態では、変更光学素子192において、領域192a、領域192c及び領域192eは、いずれも入射光束に−1/4波長のリターデーションを付与し、領域192b、領域192d及び領域192fは、いずれも入射光束に+1/4波長のリターデーションを付与し、変更光学素子193において、領域193a、領域193c及び領域193eは、いずれも入射光束に+1/4波長のリターデーションを付与し、領域193b、領域193d及び領域193fは、いずれも入射光束に−1/4波長のリターデーションを付与する場合について説明したが、反対に、変更光学素子192において、領域192a、領域192c及び領域192eは、いずれも入射光束に+1/4波長のリターデーションを付与し、領域192b、領域192d及び領域192fは、いずれも入射光束に−1/4波長のリターデーションを付与し、変更光学素子193において、領域193a、領域193c及び領域193eは、いずれも入射光束に−1/4波長のリターデーションを付与し、領域193b、領域193d及び領域193fは、いずれも入射光束に+1/4波長のリターデーションを付与しても良い。この場合であっても、上記実施形態と同様に、複数の信号光のみをP偏光に変換することができる。
また、上記実施形態では、変更光学素子193において、領域193a、領域193c及び領域193eは、いずれも入射光束に+1/4波長のリターデーションを付与し、領域193b、領域193d及び領域193fは、いずれも入射光束に−1/4波長のリターデーションを付与する場合について説明したが、これに限らず、領域193a、領域193c及び領域193eは、いずれも入射光束に−1/4波長のリターデーションを付与し、領域193b、領域193d及び領域193fは、いずれも入射光束に+1/4波長のリターデーションを付与しても良い。すなわち、変更光学素子192と変更光学素子193を、全く同じものとすることが可能である。但し、この場合には、複数の信号光はS偏光のままであり、複数の迷光がP偏光に変換されるので、前記検光子64は、S偏光を透過させるように設定する必要がある。
また、上記実施形態では、変更光学素子192において、領域192a、領域192c及び領域192eは、いずれも入射光束に−1/4波長のリターデーションを付与し、領域192b、領域192d及び領域192fは、いずれも入射光束に+1/4波長のリターデーションを付与する場合について説明したが、これに限らず、領域192a、領域192c及び領域192eは、いずれも入射光束に+1/4波長のリターデーションを付与し、領域192b、領域192d及び領域192fは、いずれも入射光束に−1/4波長のリターデーションを付与しても良い。すなわち、変更光学素子192と変更光学素子193を、全く同じものとすることが可能である。但し、この場合には、複数の信号光はS偏光のままであり、複数の迷光がP偏光に変換されるので、前記検光子64は、S偏光を透過させるように設定する必要がある。
また、上記実施形態において、前記変更光学素子192に代えて、図12に示されるように、Y軸方向に延びる3本の分割線(292i、292k、292m)によって、4つの領域(292a、292b、292c、292d)に分割され、領域292a及び領域292cは、いずれも入射光束に+1/4波長のリターデーションを付与し、領域292b及び領域292dは、いずれも入射光束に−1/4波長のリターデーションを付与する変更光学素子292を用いても良い。この場合には、+1次光が領域292a及び領域292bに入射し、0次光が領域292b及び領域292cに入射し、−1次光が領域292c及び領域292dに入射する。
そして、前記変更光学素子193に代えて、図13に示されるように、Y軸方向に延びる3本の分割線(293i、293k、293m)によって、4つの領域(293a、293b、293c、293d)に分割され、領域293a及び領域293cは、いずれも入射光束に−1/4波長のリターデーションを付与し、領域293b及び領域293dは、いずれも入射光束に+1/4波長のリターデーションを付与する変更光学素子293を用いると、上記実施形態と同様に、複数の信号光のみをP偏光に変換することができる。
これにより、各変更光学素子における領域数が減り、0次光及び±1次光の間隔が互いに近接していても、光量を低減させることなく、複数の信号光のみを抽出することが可能になる。
また、上記実施形態において、前記変更光学素子192に代えて、図14に示されるように、Y軸方向に延びる5本の分割線(294i、294j、294k、294l、294m)によって、6つの領域(294a、294b、294c、294d、294e、294f)に分割され、領域294a、領域294c及び領域294eは、いずれも入射光束に1/2波長のリターデーションを付与し、領域294b、領域294d及び領域294fは、いずれも入射光束にリターデーションを付与しない変更光学素子294を用いても良い。この場合には、+1次光が領域294a及び領域294bに入射し、0次光が領域294c及び領域294dに入射し、−1次光が領域294e及び領域294fに入射する。
そして、前記変更光学素子193に代えて、図15に示されるように、Y軸方向に延びる5本の分割線(295i、295j、295k、295l、295m)によって、6つの領域(295a、295b、295c、295d、295e、295f)に分割され、領域295a、領域295c及び領域295eは、いずれも入射光束に1/2波長のリターデーションを付与し、領域295b、領域295d及び領域295fは、いずれも入射光束にリターデーションを付与しない変更光学素子295を用いると、上記実施形態と同様に、複数の信号光のみをP偏光に変換することができる。
これにより、各変更光学素子における領域構造が単純化され、生産性の高い変更光学素子とすることができる。特に、この場合の生産工程では、1/2波長のリターデーションを付与する1枚の波長板を6つの領域に分割した後、領域294b、領域294d、及び領域294fに対応する領域の表面をエッチングなどのプロセスで削りとり、リターデーション付与作用を取り去ることで、変更光学素子294を作成することが可能になる。また、同様に、1/2波長のリターデーションを付与する1枚の波長板を6つの領域に分割した後、領域295b、領域295d、及び領域295fに対応する領域の表面をエッチングなどのプロセスで削りとり、リターデーション付与作用を取り去ることで、変更光学素子295を作成することが可能になる。
また、上記実施形態において、前記変更光学素子192に代えて、図16に示されるように、Y軸方向に延びる5本の分割線(296i、296j、296k、296l、296m)によって、6つの領域(296a、296b、296c、296d、296e、296f)に分割され、領域296a、領域296c及び領域296eは、いずれも入射光束の偏光方向を+45度旋光し、領域296b、領域296d及び領域296fは、いずれも入射光束の偏光方向を−45度旋光する変更光学素子296を用いても良い。この場合には、+1次光が領域296a及び領域296bに入射し、0次光が領域296c及び領域296dに入射し、−1次光が領域296e及び領域296fに入射する。
そして、前記変更光学素子193に代えて、図17に示されるように、Y軸方向に延びる5本の分割線(297i、297j、297k、297l、297m)によって、6つの領域(297a、297b、297c、297d、297e、297f)に分割され、領域297a、領域297c及び領域297eは、いずれも入射光束の偏光方向を−45度旋光し、領域297b、領域297d及び領域297fは、いずれも入射光束の偏光方向を+45度旋光する変更光学素子297を用いると、上記実施形態と同様に、複数の信号光のみをP偏光に変換することができる。
また、上記実施形態において、一例として図18に示されるように、前記変更光学素子192と前記変更光学素子193とを屈折率が1を超える透明部材194を介して一体化しても良い。これにより、変更光学素子192と変更光学素子193の位置決めが容易となり、製造時に変更光学素子192の各分割線(192i、192j、192k、192l、192m)と変更光学素子193の各分割線(193i、193j、193k、193l、193m)とを容易に対向させることができるため、組み立て工程及び調整工程を簡略化することが可能となる。なお、この場合には、変更光学素子192の各領域(192a、192b、192c、192d、192e、192f)、及び変更光学素子193の各領域(193a、193b、193c、193d、193e、193f)は、透明部材194上に形成する必要があるため、形成が容易なサブ波長格子やフォトニック結晶を用いるのが好ましい。
また、上記実施形態では、集光光学素子が偏光子の後方に配置される構成となっているが、集光光学素子が偏光子の前方に配置される構成であっても良い。
また、一例として図19に示されるように、前記光ピックアップ装置23において、前記検出レンズ58及び受光器PDを前記偏光ビームスプリッタ54の−Z側に配置するとともに、前記変更光学素子192、前記変更光学素子193、及び前記検光子64に代えて、変更光学素子197及びミラー65を用いても良い。また、前記カップリングレンズ52が集光光学素子の役目を有するので、前記レンズ61は不要となる。この場合には、前記偏光ビームスプリッタ54とカップリングレンズ52と変更光学素子197とミラー65とから抽出光学系70´が構成されることとなる。
上記変更光学素子197は、偏光ビームスプリッタ54の−Z側であって、複数の信号光の集光面とその−Z側にある複数の迷光の集光面との間に配置されている。変更光学素子197は、一例として図20に示されるように、Y軸方向に延びる3本の分割線(197e、197f、197g)によって4つの領域(197a、197b、197c、197d)に分割されている。ここで、各分割線は複数の信号光をそれぞれ光軸を境に2分割するように設定されている。領域197a及び領域197cは、いずれも入射光束にリターデーションを与えず、領域197b及び領域197dは入射光束に1/2波長のリターデーションを与える。すなわち、各光束の光軸を境に1/2波長のリターデーションを与える領域と、リターデーションを与えない領域とが交互に縞状に配列している。なお、対物レンズ60がトラッキング方向にシフトすると、変更光学素子197に入射する戻り光束は、トラッキング方向に対応する方向(ここではY軸方向)にシフトする。ここでは、信号光の+1次光と迷光の+1次光が領域197a及び領域197bに入射し、信号光の0次光と迷光の0次光が領域197b及び領域197cに入射し、信号光の−1次光と迷光の−1次光が領域197c及び領域197dに入射する。
領域197b及び領域197dとしては、ツイストネマティック型液晶、サブ波長格子、及びフォトニック結晶などを用いることができる。
ミラー65は、複数の信号光の集光面に配置されている(図21参照)。これにより、領域197aを介した+1次光の信号光は、ミラー65によって領域197bに向けて反射され、領域197bを介した+1次光の信号光は、ミラー65によって領域197aに向けて反射される。また、領域197bを介した0次光の信号光は、ミラー65によって領域197cに向けて反射され、領域197cを介した0次光の信号光は、ミラー65によって領域197bに向けて反射される。また、領域197cを介した−1次光の信号光は、ミラー65によって領域197dに向けて反射され、領域197dを介した−1次光の信号光は、ミラー65によって領域197cに向けて反射される。
この場合の抽出光学系70´の作用について図19〜図23を用いて説明する。
光ディスク15からの複数の信号光と複数の迷光は、カップリングレンズ52によって収束されつつ偏光ビームスプリッタ54で+Z方向に分岐される。このとき、各光束はいずれもS偏光である。そして、変更光学素子197に入射する。
「信号光について」
変更光学素子197の領域197aに入射した+1次光の信号光にはリターデーションが付与されず、領域197bに入射した+1次光の信号光には、1/2波長のリターデーションが付与される。領域197aを介した+1次光の信号光はミラー65で領域197bに向けて反射され、領域197bを介した+1次光の信号光はミラー65で領域197aに向けて反射される。このため、ミラー65で反射して再び変更光学素子197を通過した+1次光の信号光は、全域に亘って1/2波長のリターデーションが付与される。
変更光学素子197の領域197bに入射した0次光の信号光には1/2波長のリターデーションが付与され、領域197cに入射した0次光の信号光には、リターデーションが付与されない。そして、図21に示されるように、領域197bを介した0次光の信号光はミラー65で領域197cに向けて反射され、領域197cを介した0次光の信号光はミラー65で領域197bに向けて反射される。このため、ミラー65で反射して再び変更光学素子197を通過した0次光の信号光は、全域に亘って1/2波長のリターデーションが付与される。
変更光学素子197の領域197cに入射した−1次光の信号光にはリターデーションが付与されず、領域197dに入射した−1次光の信号光には、1/2波長のリターデーションが付与される。領域197cを介した−1次光の信号光はミラー65で領域197dに向けて反射され、領域197dを介した−1次光の信号光はミラー65で領域197cに向けて反射される。このため、ミラー65で反射して再び変更光学素子を通過した−1次光の信号光は、全域に亘って1/2波長のリターデーションが付与される。
これにより、複数の信号光はいずれもP偏光になる。
「迷光について」
1.対象記録層の+X側の記録層からの迷光の場合
対象記録層の+X側の記録層からの複数の迷光は、図22に示されるように、いずれも偏光ビームスプリッタ54と変更光学素子197の間で集光した後、変更光学素子197に入射する。
変更光学素子197の領域197aに入射した+1次光の迷光にはリターデーションが付与されず、領域197bに入射した+1次光の迷光には、1/2波長のリターデーションが付与される。領域197aを介した+1次光の迷光はミラー65で領域197aに向けて反射され、領域197bを介した+1次光の迷光はミラー65で領域197bに向けて反射される(図22参照)。このため、ミラー65で反射して再び変更光学素子を通過した+1次光の迷光は、全域に亘ってリターデーションが付与されない。
変更光学素子197の領域197bに入射した0次光の迷光には1/2波長のリターデーションが付与され、領域197cに入射した0次光の迷光には、リターデーションが付与されない。領域197bを介した0次光の迷光はミラー65で領域197bに向けて反射され、領域197cを介した0次光の迷光はミラー65で領域197cに向けて反射される(図22参照)。このため、ミラー65で反射して再び変更光学素子を通過した0次光の迷光は、全域に亘ってリターデーションが付与されない。
変更光学素子197の領域197cに入射した−1次光の迷光にはリターデーションが付与されず、領域197dに入射した−1次光の迷光には、1/2波長のリターデーションが付与される。領域197cを介した−1次光の迷光はミラー65で領域197cに向けて反射され、領域197dを介した−1次光の迷光はミラー65で領域197dに向けて反射される(図22参照)。このため、ミラー65で反射して再び変更光学素子を通過した−1次光の迷光は、全域に渡ってリターデーションが付与されない。
これにより、光ディスク15の対象記録層の+X側の記録層からの複数の迷光はいずれもS偏光のままである。
2.対象記録層の−X側の記録層からの迷光の場合
対象記録層の−X側の記録層からの複数の迷光は、図23に示されるように、変更光学素子197を透過し、集光する前にミラー65に到達し、再び変更光学素子197を通過した後集光する。
変更光学素子197の領域197aに入射した+1次光の迷光にはリターデーションが付与されず、領域197bに入射した+1次光の迷光には、1/2波長のリターデーションが付与される。領域197aを介した+1次光の迷光はミラー65で領域197aに向けて反射され、領域197bを介した+1次光の迷光はミラー65で領域197bに向けて反射される(図23参照)。このため、ミラー65で反射して再び変更光学素子197を通過した+1次光の迷光は、全域に亘ってリターデーションが付与されない。
変更光学素子197の領域197bに入射した0次光の迷光には1/2波長のリターデーションが付与され、領域197cに入射した0次光の迷光には、リターデーションが付与されない。領域197bを介した0次光の迷光はミラー65で領域197bに向けて反射され、領域197cを介した0次光の迷光はミラー65で領域197cに向けて反射される(図23参照)。このため、ミラー65で反射して再び変更光学素子197を通過した0次光の迷光は、全域に亘ってリターデーションが付与されない。
変更光学素子197の領域197cに入射した−1次光の迷光にはリターデーションが付与されず、領域197dに入射した−1次光の迷光には、1/2波長のリターデーションが付与される。領域197cを介した−1次光の迷光はミラー65で領域197cに向けて反射され、領域197dを介した−1次光の迷光はミラー65で領域197dに向けて反射される(図23参照)。このため、ミラー65で反射して再び変更光学素子197を通過した−1次光の迷光は、全域に亘ってリターデーションが付与されない。
これにより、光ディスク15の対象記録層の−X側の記録層からの複数の迷光はいずれもS偏光のままである。
すなわち、抽出光学系70´では、複数の信号光はP偏光に変換され、複数の迷光はS偏光のままとなる。
そして、ミラー65で反射して再び変更光学素子197を通過した光束は、偏光ビームスプリッタ54に入射する。偏光ビームスプリッタ54では、P偏光のみがそのまま透過し、検出レンズ58に入射する。これにより、検出器PDに入射する光束は複数の信号光のみとなる。従って、上記実施形態と同様な効果を得ることができる。そして、部品点数が減少し、光ピックアップ装置を小型化することができる。
すなわち、抽出光学系70´は、戻り光束の光路上に配置され、戻り光束を分岐する偏光ビームスプリッタ54と、該偏光ビームスプリッタ54の前方に配置され、戻り光束を集光するカップリングレンズ52と、該カップリングレンズ52で集光された複数の信号光の各集光位置が含まれる仮想的な第1の面と、該第1の面よりもカップリングレンズ52側にある複数の迷光の各集光位置が含まれる仮想的な第2の面との間に配置され、複数の信号光及び複数の迷光をそれぞれ2分割し、2分割された光束の一方と他方の偏光状態を互いに異なる偏光状態とする複数の部分領域を有する変更光学素子197と、前記第1の面上に配置され、変更光学素子197を介した戻り光束を変更光学素子197に向けて反射するミラー65とを備え、偏光ビームスプリッタ54は更に、ミラー65で反射され再度変更光学素子197を介した戻り光束が入射し、偏光状態の違いに基づいて複数の信号光を抽出する。
抽出光学系70´では、変更光学素子197における各分割線がトラッキング方向に対応する方向と一致しているため、対物レンズ60がトラッキング方向にシフトしても、複数の信号光と複数の迷光とを精度良く分離することができる。
また、抽出光学系70´において、前記変更光学素子197と前記ミラー65を一体化しても良い。この場合に、変更光学素子197とミラー65を屈折率が1を超える透明部材を介して一体化しても良い。これにより、組み立て工程及び調整工程を簡略化することが可能となる。
ところで、グレーティング200で回折された±1次光の光軸は、0次光の光軸に対して傾斜している。
そこで、ミラー65における0次光を反射する反射面の法線方向を0次光の光軸方向と一致させ、+1次光を反射する反射面の法線方向を+1次光の光軸方向と一致させ、−1次光を反射する反射面の法線方向を−1次光の光軸方向と一致させるのが望ましい。
この場合に、一例として図24及び図25に示されるように、+1次光の反射面及び−1次光の反射面を、0次光の反射面に対して傾斜させても良い。例えば、+1次光の変更光学素子197における入射角をθとし、変更光学素子197とミラー65の間の透明部材の屈折率をnとすると、0次光の反射面に対して+1次光の反射面はφ=arcsin(nsinθ)だけ傾斜させればよい。
また、一例として図26に示されるように、ミラー65における0次光を反射する反射面の法線方向が0次光の光軸方向とほぼ一致し、+1次光を反射する反射面の法線方向が+1次光の光軸方向とほぼ一致し、−1次光を反射する反射面の法線方向が−1次光の光軸方向とほぼ一致するように、ミラー65の反射面が曲面であっても良い。この場合、図27に示されるように、反射曲面における0次光に対する+1次光の光軸の傾斜角をφ,0次光に対する+1次光の距離をaとすると、反射曲面における曲率半径RはR=a/sin(φ)とすれば良い。また、このときのサグ量bは、b=R×{1−cos(φ)}以上とすれば良い。
また、一例として図28に示されるように、ミラー65における+1次光の反射面及び−1次光の反射面に入射光と反射光のそれぞれの光軸方向が一致するように反射型回折格子が形成されていても良い。例えば、波長405nm、+1次光の角度がφ=0.505(度)、透明部材の屈折率をn=1.4714、アッベ数をνe=65.41としたときは、ピッチが23μm、深さが0.22μmの反射型回折格子を+1次光の反射面に形成すれば良い(図29参照)。
また、ミラー65における±1次光の各反射面を0次光を反射する反射面に対して傾斜させずに、一例として図30に示されるように、変更光学素子197における複数の部分領域の分割線を、0次光の光軸と交差する分割線197f、変更光学素子197に入射する+1次光の光軸と、ミラー65で反射し変更光学素子197から出射される+1次光の光軸との中間を通る分割線197e、及び変更光学素子197に入射する−1次光の光軸と、ミラー65で反射し変更光学素子197から出射される−1次光の光軸との中間を通る分割線197gとしても良い。
また、抽出光学系70´では、集光光学素子が偏光子の前方に配置される構成となっているが、集光光学素子が偏光子の後方に配置される構成であっても良い。
なお、上記説明では、光ディスクに照射される光束の数が、一般的な差動プッシュプル信号を得るための3ビームの場合について説明してきたが、本発明は、光ディスクに照射される光束の数に応じて変更光学素子の部分領域を増やすことで、5ビームや7ビームを光ディスクに照射する光ピックアップ装置に対しても同様の効果を得ることが可能である。
また、上記実施形態では、情報の記録及び再生が可能な光ディスク装置について説明したが、これに限らず、情報の記録、再生及び消去のうち、少なくとも情報の再生が可能な光ディスク装置であれば良い。
また、上記実施形態では、光ディスクが2つの記録層を有する場合について説明したが、これに限らず、3つ以上の記録層を有していてもよい。この場合に、例えば対象記録層が2つの記録層に挟まれていると、戻り光束には、複数の信号光の集光面よりも手前に集光面を有する複数の迷光と、複数の信号光の集光面よりも遠方に集光面を有する複数の迷光とが含まれることとなる。この場合であっても、複数の信号光を抽出することができる。また、上記実施形態では、光ディスクがDVD系の場合について説明したが、これに限らず、光ディスクがCD系、及び波長が405nmの光束に対応した次世代の情報記録媒体であっても良い。
また、上記実施形態では、光ピックアップ装置が1つの半導体レーザを備える場合について説明したが、これに限らず、例えば互いに異なる波長の光束を発光する複数の半導体レーザを備えていても良い。この場合に、例えば波長が約405nmの光束を発光する半導体レーザ、波長が約660nmの光束を発光する半導体レーザ及び波長が約780nmの光束を発光する半導体レーザの少なくとも1つを含んでいても良い。すなわち、光ディスク装置が互いに異なる規格に準拠した複数種類の光ディスクに対応する光ディスク装置であっても良い。この場合に、少なくともいずれかの光ディスクが複数の記録層を有する光ディスクであっても良い。
そこで、一例として図31に示されるように、従来の光学系では差動プッシュプル信号は、迷光の影響をうけて信号振幅が乱れるが、上記実施形態の抽出光学系を用いることで、良好なsin波状の差動プッシュプル信号が得られる。
以上説明したように、本発明の抽出光学系によれば、複数の信号光と迷光とを含む光束から複数の信号光を効率良く抽出するのに適している。また、本発明の光ピックアップ装置によれば、複数の記録層を有する光ディスクから所望の信号を精度良く取得するのに適している。また、本発明の光ディスク装置によれば、複数の記録層を有する光ディスクへのアクセスを精度良く安定して行うのに適している。
本発明の一実施形態に係る光ディスク装置の構成を示すブロック図である。 図1における光ディスクの構造を説明するための図である。 図1における光ピックアップ装置を説明するための図である。 図4(A)及び図4(B)は、それぞれ信号光及び迷光を説明するための図である。 図3における変更光学素子192を説明するための図である。 図3における変更光学素子193を説明するための図である。 図7(A)〜図7(C)は、それぞれ図3における抽出光学系の作用を説明するための図である。 図8(A)及び図8(B)は、それぞれ図1における再生信号処理回路で取得されるフォーカスエラー信号及び和信号を説明するための図である。 図9(A)及び図9(B)は、それぞれ従来取得されていたフォーカスエラー信号及び和信号を説明するための図である。 差動プッシュプル信号を取得する回路構成を説明するための図である。 上位装置からアクセス要求を受信したときの光ディスク装置での処理を説明するためのフローチャートである。 図3における変更光学素子192の変形例1を説明するための図である。 図3における変更光学素子193の変形例1を説明するための図である。 図3における変更光学素子192の変形例2を説明するための図である。 図3における変更光学素子193の変形例2を説明するための図である。 図3における変更光学素子192の変形例3を説明するための図である。 図3における変更光学素子193の変形例3を説明するための図である。 図3における抽出光学系の変形例を説明するための図である。 図1における光ピックアップ装置の変形例を説明するための図である。 図19における変更光学素子197を説明するための図である。 図19における抽出光学系の作用を説明するための図(その1)である。 図19における抽出光学系の作用を説明するための図(その2)である。 図19における抽出光学系の作用を説明するための図(その3)である。 図19における抽出光学系の変形例1を説明するための図である。 図19における抽出光学系の変形例2を説明するための図である。 図19における抽出光学系の変形例3を説明するための図である。 図26における反射曲面を説明するための図である。 図19における抽出光学系の変形例4を説明するための図である。 図28における反射回折面の回折格子の深さを説明するための図である。 図19における抽出光学系の変形例5を説明するための図である。 本実施形態の効果を説明するための図である。
符号の説明
15…光ディスク、20…光ディスク装置、23…光ピックアップ装置、28…再生信号処理回路(処理装置の一部)、40…CPU(処理装置の一部)、52…カップリングレンズ、54…偏光ビームスプリッタ(偏光子)、55…1/4波長板、60…対物レンズ、61…レンズ(集光光学素子)、64…検光子、65…ミラー(反射部材)、70…抽出光学系、70´…抽出光学系、192…変更光学素子(第1の変更光学素子)、192a、192b、192c、192d、192e、192f…領域(部分領域)、193…変更光学素子(第2の変更光学素子)、193a、193b、193c、193d、193e、193f…領域(部分領域)、194…透明部材、197…変更光学素子、197a、197b、197c、197d…領域(部分領域)、292…変更光学素子(第1の変更光学素子)、292a、292b、292c、292d…領域(部分領域)、293…変更光学素子(第2の変更光学素子)、293a、293b、293c、293d…領域(部分領域)、294…変更光学素子(第1の変更光学素子)、294a、294b、294c、294d、294e、294f…領域(部分領域)、295…変更光学素子(第2の変更光学素子)、295a、295b、295c、295d、295e、295f…領域(部分領域)、L0…記録層(複数の記録層の一部)、L1…記録層(複数の記録層の一部)、PD…受光器(光検出器)。

Claims (16)

  1. 複数の光束が照射された多層の光ディスクからの複数の信号光と迷光とを含む戻り光束から前記複数の信号光を抽出する抽出光学系であって、
    前記戻り光束の光路上に配置され、前記戻り光束を分岐する偏光子と;
    前記戻り光束の光路における前記偏光子の前方あるいは後方に配置され、前記戻り光束を集光する集光光学素子と;
    前記集光光学素子で集光された前記複数の信号光の各集光位置が含まれる仮想的な第1の面と、該第1の面よりも前記集光光学素子側にある前記迷光の集光位置が含まれる仮想的な第2の面との間に配置され、前記複数の信号光及び前記迷光をそれぞれ2分割し、2分割された光束の一方と他方の偏光状態を互いに異なる偏光状態とする複数の部分領域を有する第1の変更光学素子と;
    前記第1の面と、該第1の面よりも前記集光光学素子から離れる側にある前記迷光の集光位置が含まれる仮想的な第3の面との間に配置され、前記第1の変更光学素子の複数の部分領域に対向する複数の部分領域を有し、前記第1の変更光学素子を介した前記複数の信号光の偏光状態と前記迷光の偏光状態を互いに異なる偏光状態とする第2の変更光学素子と;
    前記第2の変更光学素子を介した前記戻り光束から、偏光状態の違いに基づいて前記複数の信号光を抽出する検光子と;を備える抽出光学系。
  2. 前記第1の変更光学素子と第2の変更光学素子は、互いに同じ光学特性を有することを特徴とする請求項1に記載の抽出光学系。
  3. 前記第1の変更光学素子は、前記2分割された光束の一方に+1/4波長のリターデーションを付与し、前記2分割された光束の他方に−1/4波長のリターデーションを付与することを特徴とする請求項1又は2に記載の抽出光学系。
  4. 前記第1の変更光学素子は、前記2分割された光束の一方に+1/2波長のリターデーションを付与し、前記2分割された光束の他方にリターデーションを付与しないことを特徴とする請求項1又は2に記載の抽出光学系。
  5. 前記第1の変更光学素子は、前記2分割された光束の一方の振動方向を+45度旋光し、前記2分割された光束の他方の振動方向を−45度旋光することを特徴とする請求項1又は2に記載の抽出光学系。
  6. 前記第1の変更光学素子と前記第2の変更光学素子は、屈折率が1よりも大きな透明部材で一体化されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の抽出光学系。
  7. 複数の光束が照射された多層の光ディスクからの複数の信号光と迷光とを含む戻り光束から前記複数の信号光を抽出する抽出光学系であって、
    前記戻り光束の光路上に配置され、前記戻り光束を分岐する偏光子と;
    前記戻り光束の光路における前記偏光子の前方あるいは後方に配置され、前記戻り光束を集光する集光光学素子と;
    前記集光光学素子で集光された前記複数の信号光の各集光位置が含まれる仮想的な第1の面と、該第1の面よりも前記集光光学素子側にある前記迷光の集光位置が含まれる仮想的な第2の面との間に配置され、前記複数の信号光及び前記迷光をそれぞれ2分割し、2分割された光束の一方と他方の偏光状態を互いに異なる偏光状態とする複数の部分領域を有する変更光学素子と;
    前記第1の面上に配置され、前記変更光学素子を介した前記戻り光束を前記変更光学素子に向けて反射する反射部材と;を備え、
    前記偏光子は更に、前記反射部材で反射され再度前記変更光学素子を介した前記戻り光束が入射し、偏光状態の違いに基づいて前記複数の信号光を抽出することを特徴とする抽出光学系。
  8. 前記変更光学素子は、前記2分割された光束の一方に1/2波長のリターデーションを付与し、前記2分割された光束の他方にリターデーションを付与しないことを特徴とする請求項7に記載の抽出光学系。
  9. 前記変更光学素子と前記反射部材は、屈折率が1よりも大きな透明部材で一体化されていることを特徴とする請求項7又は8に記載の抽出光学系。
  10. 前記戻り光束は、0次光と±n次光(nは1以上の整数)を含み、
    前記変更光学素子における複数の部分領域の分割線は、前記0次光の光軸と交差する分割線、前記変更光学素子に入射する前記+n次光の光軸と、前記反射部材で反射し前記変更光学素子から出射される前記+n次光の光軸との中間を通る分割線、及び前記変更光学素子に入射する前記−n次光の光軸と、前記反射部材で反射し前記変更光学素子から出射される前記−n次光の光軸との中間を通る分割線を含むことを特徴とする請求項7〜9のいずれか一項に記載の抽出光学系。
  11. 前記戻り光束は、0次光と±n次光(nは1以上の整数)を含み、
    前記反射部材は、前記0次光を反射する反射面、前記+n次光を反射する反射面、及び前記−n次光を反射する反射面を有し、
    前記0次光を反射する反射面の法線方向は前記0次光の光軸方向と一致し、前記+n次光を反射する反射面の法線方向は前記+n次光の光軸方向と一致し、前記−n次光を反射する反射面の法線方向は前記−n次光の光軸方向と一致していることを特徴とする請求項7〜9のいずれか一項に記載の抽出光学系。
  12. 前記戻り光束は、0次光と±n次光(nは1以上の整数)を含み、
    前記反射部材の反射面は、前記0次光を反射する部分の法線方向が前記0次光の光軸方向とほぼ一致し、前記+n次光を反射する部分の法線方向が前記+n次光の光軸方向とほぼ一致し、前記−n次光を反射する部分の法線方向が前記−n次光の光軸方向とほぼ一致するような曲面であることを特徴とする請求項7〜9のいずれか一項に記載の抽出光学系。
  13. 前記戻り光束は、0次光と±n次光(nは1以上の整数)を含み、
    前記反射部材は、前記0次光を反射する反射面、前記+n次光を反射する反射面、及び前記−n次光を反射する反射面を有し、
    前記0次光を反射する反射面の法線方向は前記0次光の光軸方向と一致し、前記+n次光を反射する反射面には入射光と反射光のそれぞれの光軸方向が一致するように反射型回折格子が形成され、前記−n次光を反射する反射面には入射光と反射光のそれぞれの光軸方向が一致するように反射型回折格子が形成されていることを特徴とする請求項7〜9のいずれか一項に記載の抽出光学系。
  14. 複数の記録層を有する光ディスクに光束を照射し、前記光ディスクからの戻り光束を受光する光ピックアップ装置であって、
    直線偏光の光を出射する光源と;
    前記光源から出射された光を複数の光束とするグレーティングと;
    前記複数の光束を前記複数の記録層のうちアクセス対象の記録層に集光する対物レンズと;
    前記グレーティングと前記対物レンズとの間の光路上に配置され、入射光に1/4波長の光学的位相差を付与する1/4波長板と、
    前記光ディスクで反射され前記対物レンズ及び前記1/4波長板を介した戻り光束の光路上に配置された請求項1〜13のいずれか一項に記載の抽出光学系と;
    前記抽出光学系からの光を受光し、受光量に応じた信号を生成する光検出器と;を備える光ピックアップ装置。
  15. 前記抽出光学系の変更光学素子における複数の部分領域の境界線は、トラッキング方向に対応する方向に延びていることを特徴とする請求項14に記載の光ピックアップ装置。
  16. 複数の記録層を有する光ディスクに対して、情報の記録、再生及び消去のうち少なくとも再生が可能な光ディスク装置であって、
    請求項14又は15に記載の光ピックアップ装置と;
    前記光ピックアップ装置の光検出器の出力信号を用いて、前記光ディスクに記録されている情報の再生を行なう処理装置と;を備える光ディスク装置。
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