JP4571525B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Description
本発明は、被処理基板上に処理液を供給して処理を行う技術に係り、特にスピンレス方式で基板上に処理液を塗布する基板処理技術に関する。 The present invention relates to a technique for supplying a processing liquid onto a substrate to be processed, and more particularly to a substrate processing technique for applying a processing liquid on a substrate by a spinless method.
最近、フラットパネルディスプレイ(FPD)の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、被処理基板(たとえばガラス基板)の大型化に有利なレジスト塗布法として、基板に対して長尺型のレジストノズルよりレジスト液を帯状に吐出させながらレジストノズルを相対移動または走査させることにより、回転運動を要することなく基板上に所望の膜厚でレジスト液を塗布するようにしたスピンレス方式が普及している。 Recently, in a photolithography process in a flat panel display (FPD) manufacturing process, as a resist coating method that is advantageous for increasing the size of a substrate to be processed (for example, a glass substrate), a resist solution is applied to a substrate from a long resist nozzle. 2. Description of the Related Art A spinless method is widely used in which a resist solution is applied on a substrate with a desired film thickness without requiring a rotational movement by moving or scanning a resist nozzle while discharging it in a strip shape.
スピンレス方式による従来のレジスト塗布装置は、たとえば特許文献1に記載されるように、ステージ上に水平に固定載置される基板とステージ上方に設けられるレジストノズルの吐出口との間に数百μm以下の微小ギャップを設定し、レジストノズルを走査方向(一般にノズル長手方向と直交する水平方向)に移動させながら基板上にレジスト液を吐出させるようにしている。この種のレジストノズルは、ノズル本体を横長または長尺状に形成して、口径の非常に小さい微細径(たとえば100μm程度)の吐出口からレジスト液を帯状に吐出するように構成されている。このような長尺型レジストノズルの走査による塗布処理が終了すると、当該基板は搬送ロボットまたは搬送アームによりステージから取り出され、装置の外へ搬出される。直後に、後続の新たな基板が搬送ロボットにより装置に搬入され、ステージ上に載置される。そして、この新たな基板に対してレジストノズルの走査により上記と同様の塗布処理が繰り返される。
上記のようなスピンレス方式のレジスト塗布装置では、処理済の基板をステージからアンローディングないし搬出してステージ上面を完全に空状態にしない限り、後続の新たな基板をステージ上に搬入ないし載置することができない。このため、レジストノズルを走査させる動作の所要時間(Tc)に、未処理の基板をステージ上に搬入ないしローディングする動作の所要時間(Tin)と、処理済の基板をステージからアンローディングないし搬出する動作の所要時間(Tout)とを足し合わせた塗布処理1サイクルの所要時間(Tc+Tin+Tout)がそのままタクトタイムになり、タクトタイムの短縮化が難しいという問題がある。 In the spinless type resist coating apparatus as described above, unless a processed substrate is unloaded or unloaded from the stage to completely empty the upper surface of the stage, a subsequent new substrate is loaded or placed on the stage. I can't. For this reason, the time required for scanning the resist nozzle (T c ), the time required for loading or unloading an unprocessed substrate onto the stage (T in ), and the unloading of the processed substrate from the stage the time required for the operation to be carried out (T out) and the sum of the combined coating process one cycle of the required time (T c + T in + T out) is as it is now in tact time, there is a problem that it is difficult to shorten the tact time.
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、スピンレス方式で被処理基板上に処理液を供給ないし塗布する処理動作のタクトタイムを短縮する基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and a substrate processing apparatus and a substrate processing for shortening the tact time of a processing operation for supplying or applying a processing liquid onto a substrate to be processed by a spinless method. It aims to provide a method .
本発明の別の目的は、浮上搬送方式において被処理基板上に処理液の塗布膜を塗布ムラのない均一な膜厚で形成できるようにした基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of forming a coating film of a processing solution on a substrate to be processed with a uniform film thickness without coating unevenness in a levitation conveyance method. .
上記の目的を達成するために、本発明の基板処理装置は、被処理基板よりも面積の小さい第1の浮上領域を有し、前記第1の浮上領域内の各位置で前記基板にほぼ均一な浮上力を与えるステージと、前記基板を浮かせた状態で所定の基板搬送方向に前記第1の浮上領域を通過させる基板搬送部と、前記基板が前記第1の浮上領域を通過する途中でその領域のほぼ全域を覆っている間に、前記基板の被処理面に処理液を供給する動作を実行する処理液供給部とを具備し、前記処理液供給部が、前記第1の浮上領域内で前記基板の被処理面に向けて上方から前記処理液を吐出する長尺型ノズルと、前記長尺型ノズルに前記処理液を送る処理液供給源と、前記処理液の吐出を開始する第1のノズル位置から前記処理液の吐出を終了する第2のノズル位置まで前記処理液供給動作中に前記長尺型ノズルを前記搬送方向と反対の方向に移動させるノズル移動部とを有する。
In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus of the present invention has a first floating region having a smaller area than a substrate to be processed, and is substantially uniform on the substrate at each position in the first floating region. A stage that provides a high levitation force, a substrate transport unit that passes the first levitation region in a predetermined substrate transport direction in a state where the substrate is floated, and the substrate that is in the middle of passing through the first levitation region A processing liquid supply unit that performs an operation of supplying a processing liquid to the surface to be processed of the substrate while substantially covering the entire region, and the processing liquid supply unit is disposed in the first floating region. A long nozzle that discharges the processing liquid from above toward the surface to be processed of the substrate, a processing liquid supply source that sends the processing liquid to the long nozzle, and a first nozzle that starts discharging the processing liquid. A second nozzle that finishes discharging the processing liquid from the nozzle position of 1 And a nozzle moving section for moving the long-type nozzle while the process liquid supply operation to location in the opposite direction to the conveying direction.
また、本発明の基板処理方法は、ステージ上に搬送方向に沿って、被処理基板よりもサイズの大きい搬入領域と、前記基板よりもサイズの小さい塗布領域と、前記基板よりもサイズの大きい搬出領域とをこの順に一列に設定し、前記ステージの上面に設けた多数の噴出口より噴出する気体の圧力で前記基板を浮かせて、前記塗布領域ではその領域内の各位置で前記基板にほぼ均一な浮上力を与え、前記基板を前記搬入領域から前記搬出領域まで搬送する途中で前記基板が前記塗布領域のほぼ全域を覆っている間に、長尺型ノズルを用いて前記基板の被処理面に処理液を塗布する処理を実行し、前記塗布処理中に、前記基板の被処理面に前記処理液を供給する前記長尺型ノズルの位置を前記塗布領域の下流側端部の所定位置から上流側端部の所定位置まで前記搬送方向と反対の方向に第1の速度で移動させる。
In addition, the substrate processing method of the present invention includes a carrying-in area having a size larger than the substrate to be processed, a coating area having a size smaller than the substrate, and a carrying-out having a size larger than the substrate along the transport direction on the stage. The regions are set in a line in this order, and the substrate is floated by the pressure of the gas ejected from a large number of ejection ports provided on the upper surface of the stage. In the coating region, the substrate is substantially uniform at each position in the region. giving Do levitation force, substantially while covering the entire area, the treated surface of the substrate by using a long type nozzle of the substrate the coating region in the course of transporting the substrate from the carry-region to the unloading area A process of applying a processing liquid to the substrate is performed, and during the coating process, the position of the long nozzle that supplies the processing liquid to the surface to be processed of the substrate is moved from a predetermined position at the downstream end of the coating area. Upstream end Position to move at a first speed in a direction opposite to the conveying direction.
本発明では、基板がステージの第1の浮上領域(塗布領域)を通過する途中でその領域のほぼ全域を覆っている間に、基板の被処理面に処理液を供給する処理(塗布処理)を実行し、しかも塗布処理中に基板の被処理面に対する処理液の供給位置(ノズル位置)を搬送方向の下流側から上流側へ移動させるようにしたので、塗布処理の開始から終了まで全期間を通じて搬送中の基板の浮上高度を第1の浮上領域(塗布領域)内で設定値に保持し、基板上に塗布ムラを生ずることなく一定の膜厚で処理液の塗布膜を形成することができる。また、第1の浮上領域を挟んで、下流側(搬出領域)で処理済の基板をステージの外へ搬出する動作と、上流側(搬入領域)で次に処理を受ける新規の基板をステージ上に搬入する動作とを独立的または並列的に行えるので、タクトタイムを短くすることができる。
In the present invention, while the substrate passes through the first floating region (coating region) of the stage and covers almost the entire region, the processing liquid is applied to the processing surface of the substrate (coating processing). In addition, during the coating process, the processing liquid supply position (nozzle position) with respect to the surface to be processed of the substrate is moved from the downstream side to the upstream side in the transport direction. The flying height of the substrate being transferred is maintained at a set value in the first floating region (coating region), and a coating film of the processing liquid is formed on the substrate with a constant film thickness without causing coating unevenness. it can. In addition, an operation of unloading a substrate that has been processed on the downstream side (unloading region) across the first levitation region and a new substrate that is to be processed next on the upstream side (loading region) are placed on the stage. Since the operation of carrying in the battery can be performed independently or in parallel, the tact time can be shortened.
本発明の基板処理装置の好適な一態様において、処理液供給部の長尺型ノズルは、搬送方向と交差(たとえば直交)する水平方向に延びる微細径の吐出口を有する。ノズル移動部は、長尺型ノズルを搬送方向と反対の方向に第1のノズル位置から第2のノズル位置まで比較的低速の一定の速度で移動させてよい。好ましくは、第1のノズル位置は第1の浮上領域の下流側の端部付近に設定され、第2のノズル位置は第1の浮上領域の上流側の端部付近に設定されてよい。また、好ましくは、処理液供給部が長尺型ノズルを昇降移動させるノズル昇降部を有してよく、たとえば第1のノズル位置で長尺型ノズルを退避用の上方の高さ位置から基板と所定のギャップを形成する処理液吐出用の高さ位置まで降ろし、第2のノズル位置で長尺型ノズルを処理液吐出用の高さ位置から上方の高さ位置まで上昇または退避させてよい。
また、好適な一態様において、処理液供給部は、搬送方向において基板の前端部が第1の浮上領域の下流側の端部付近に位置する状態で処理液供給動作を開始し、基板の後端部が第1の浮上領域の上流側の端部付近に位置する状態で処理液供給動作を終了する。この場合、基板搬送部は、処理液供給動作の実行中に基板を搬送方向に比較的高速の一定の速度で搬送するのが好ましく、基板の前端部が第1の浮上領域の下流側端部付近の所定位置に到達した時は処理液供給動作の開始のために基板をいったん停止させるのが好ましい。
In a preferred aspect of the substrate processing apparatus of the present invention, the long nozzle of the processing liquid supply unit has a fine-diameter discharge port extending in the horizontal direction intersecting (for example, orthogonal to) the transport direction. The nozzle moving unit may move the long nozzle in a direction opposite to the transport direction from the first nozzle position to the second nozzle position at a relatively low constant speed. Preferably, the first nozzle position may be set near the end portion on the downstream side of the first floating region, and the second nozzle position may be set near the end portion on the upstream side of the first floating region. Also, preferably, may have a nozzle lifting part of the processing liquid supply unit moves up and down the long-type nozzle, and the substrate, for example, long-type nozzles in the first nozzle position from the height position of the upper for saving It may be lowered to a processing liquid discharge height position that forms a predetermined gap, and the long nozzle may be raised or retracted from the processing liquid discharge height position to an upper height position at the second nozzle position.
In a preferred aspect, the processing liquid supply unit starts the processing liquid supply operation in a state where the front end portion of the substrate is located near the end portion on the downstream side of the first floating region in the transport direction, and The processing liquid supply operation is finished in a state where the end portion is positioned near the end portion on the upstream side of the first floating region. In this case, the substrate transport unit preferably transports the substrate at a relatively high speed in the transport direction during execution of the processing liquid supply operation, and the front end of the substrate is the downstream end of the first floating region. When reaching a predetermined position in the vicinity, it is preferable to temporarily stop the substrate in order to start the processing liquid supply operation.
また、本発明の基板処理装置において、好適な一態様によれば、ステージの第1の浮上領域内に多数設けられた気体を噴出する噴出口と、ステージの第1の浮上領域内に前記噴出口と混在して多数設けられた気体を吸い込む吸引口と、第1の浮上領域を通過する基板に対して噴出口より加えられる垂直上向きの圧力と吸引口より加えられる垂直下向きの圧力とのバランスを制御する浮揚制御部とが設けられる。 Moreover, in the substrate processing apparatus of this invention, according to the suitable one aspect | mode, the jet port which ejects many gas provided in the 1st floating area | region of the stage, and the said jet in the 1st floating area | region of a stage A balance between a suction port for sucking in a large number of gases mixed with the outlet, and a vertically upward pressure applied from the ejection port to a substrate passing through the first floating region and a vertically downward pressure applied from the suction port And a levitation control unit for controlling.
さらに、好適な一態様によれば、ステージの搬送方向において第1の浮上領域の上流側に基板を浮かせる第2の浮上領域が設けられ、この第2の浮上領域に基板を搬入するための搬入部が設けられる。この第2の浮上領域における浮上高度は第1の浮上領域における浮上高度よりも高い方がよい。搬入部は、ステージ上の搬入位置で基板をピン先端で支持するための複数本の第1のリフトピンと、これらのリフトピンをステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動させる第1のリフトピン昇降部とを有する。 Furthermore, according to a preferred aspect, there is provided a second floating region for floating the substrate upstream of the first floating region in the stage conveyance direction, and loading for loading the substrate into the second floating region. Parts are provided. The flying height in the second flying region should be higher than the flying height in the first flying region. The carry-in unit moves up and down between a plurality of first lift pins for supporting the substrate with the tip of the pin at the carry-in position on the stage, and the lift pins between the original position below the stage and the forward movement position above the stage. And a first lift pin lifting / lowering section.
また、好適な一態様によれば、ステージの搬送方向において第1の浮上領域の下流側に基板を浮かせる第3の浮上領域が設けられ、この第3の浮上領域に基板を搬出するための搬出部が設けられる。この第3の浮上領域における浮上高度は第1の浮上領域における浮上高度よりも高い方がよい。搬出部は、ステージ上の搬入位置で基板をピン先端で支持するための複数本の第2のリフトピンと、これらのリフトピンをステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動させる第2のリフトピン昇降部とを有する。 According to a preferred aspect, there is provided a third levitation region for floating the substrate downstream of the first levitation region in the stage conveyance direction, and unloading for unloading the substrate to the third levitation region. Parts are provided. The flying height in the third flying region should be higher than the flying height in the first flying region. The carry-out unit moves up and down between a plurality of second lift pins for supporting the substrate with the tip of the pin at the carry-in position on the stage, and the lift pins between the original position below the stage and the forward movement position above the stage. And a second lift pin lifting / lowering section.
好適な一態様によれば、基板搬送部が、基板の移動する方向と平行に延びるようにステージの片側または両側に配置されるガイドレールと、このガイドレールに沿って移動可能なスライダと、このスライダをガイドレールに沿って移動するように駆動する搬送駆動部と、スライダからステージの中心部に向かって延在し、基板の側縁部を着脱可能に保持する保持部とを有する。 According to a preferred aspect, the substrate transport unit has a guide rail disposed on one or both sides of the stage so as to extend in parallel with the moving direction of the substrate, a slider movable along the guide rail, A conveyance drive unit that drives the slider to move along the guide rail, and a holding unit that extends from the slider toward the center of the stage and holds the side edge of the substrate in a detachable manner.
本発明の基板処理装置または基板処理方法によれば、上記のような構成と作用により、スピンレス方式で被処理基板上に処理液を供給ないし塗布する処理動作のタクトタイムを短縮できるだけでなく、浮上搬送方式において基板上に処理液の塗布膜を塗布ムラのない均一な膜厚で形成することができる。
According to the substrate processing apparatus or the substrate processing method of the present invention, the structure and operation as described above can not only shorten the tact time of the processing operation of supplying or applying the processing liquid onto the substrate to be processed by the spinless method, but also floating the substrate. In the transport method, a coating film of the treatment liquid can be formed on the substrate with a uniform film thickness without coating unevenness.
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図1に、本発明の基板処理装置が適用可能な構成例として塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置され、たとえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベークの各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置(図示せず)で行われる。 FIG. 1 shows a coating and developing processing system as a configuration example to which the substrate processing apparatus of the present invention can be applied. This coating / development processing system is installed in a clean room and uses, for example, an LCD substrate as a substrate to be processed, and performs cleaning, resist coating, pre-baking, development, and post-baking in the photolithography process in the LCD manufacturing process. is there. The exposure process is performed by an external exposure apparatus (not shown) installed adjacent to this system.
この塗布現像処理システムは、大きく分けて、カセットステーション(C/S)10と、プロセスステーション(P/S)12と、インタフェース部(I/F)14とで構成される。 This coating and developing system is roughly divided into a cassette station (C / S) 10, a process station (P / S) 12, and an interface unit (I / F) 14.
システムの一端部に設置されるカセットステーション(C/S)10は、複数の基板Gを収容するカセットCを所定数たとえば4個まで載置可能なカセットステージ16と、このカセットステージ16上の側方でかつカセットCの配列方向と平行に設けられた搬送路17と、この搬送路17上で移動自在でステージ16上のカセットCについて基板Gの出し入れを行う搬送機構20とを備えている。この搬送機構20は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アームを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、後述するプロセスステーション(P/S)12側の搬送装置38と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。
A cassette station (C / S) 10 installed at one end of the system includes a
プロセスステーション(P/S)12は、上記カセットステーション(C/S)10側から順に洗浄プロセス部22と、塗布プロセス部24と、現像プロセス部26とを基板中継部23、薬液供給ユニット25およびスペース27を介して(挟んで)横一列に設けている。
The process station (P / S) 12 includes, in order from the cassette station (C / S) 10 side, a
洗浄プロセス部22は、2つのスクラバ洗浄ユニット(SCR)28と、上下2段の紫外線照射/冷却ユニット(UV/COL)30と、加熱ユニット(HP)32と、冷却ユニット(COL)34とを含んでいる。
The
塗布プロセス部24は、スピンレス方式のレジスト塗布ユニット(CT)40と、減圧乾燥ユニット(VD)42と、上下2段型アドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)46と、上下2段型加熱/冷却ユニット(HP/COL)48と、加熱ユニット(HP)50とを含んでいる。 The coating process unit 24 includes a spinless resist coating unit (CT) 40, a vacuum drying unit (VD) 42, an upper and lower two-stage adhesion / cooling unit (AD / COL) 46, and an upper and lower two-stage heating / cooling. A unit (HP / COL) 48 and a heating unit (HP) 50 are included.
現像プロセス部26は、3つの現像ユニット(DEV)52と、2つの上下2段型加熱/冷却ユニット(HP/COL)53と、加熱ユニット(HP)55とを含んでいる。
The
各プロセス部22,24,26の中央部には長手方向に搬送路36,51,58が設けられ、搬送装置38,54,60がそれぞれ搬送路36,51,58に沿って移動して各プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Gの搬入/搬出または搬送を行うようになっている。なお、このシステムでは、各プロセス部22,24,26において、搬送路36,51,58の一方の側に液処理系のユニット(SCR,CT,DEV等)が配置され、他方の側に熱処理系のユニット(HP,COL等)が配置されている。
Conveying
システムの他端部に設置されるインタフェース部(I/F)14は、プロセスステーション12と隣接する側にイクステンション(基板受け渡し部)56およびバッファステージ57を設け、露光装置と隣接する側に搬送機構59を設けている。この搬送機構59は、Y方向に延在する搬送路19上で移動自在であり、バッファステージ57に対して基板Gの出し入れを行なうほか、イクステンション(基板受け渡し部)56や隣の露光装置と基板Gの受け渡しを行うようになっている。
The interface unit (I / F) 14 installed at the other end of the system is provided with an extension (substrate transfer unit) 56 and a
図2に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C/S)10において、搬送機構20が、ステージ16上の所定のカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、プロセスステーション(P/S)12の洗浄プロセス部22の搬送装置38に渡す(ステップS1)。
FIG. 2 shows a processing procedure in this coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 10, the
洗浄プロセス部22において、基板Gは、先ず紫外線照射/冷却ユニット(UV/COL)30に順次搬入され、最初の紫外線照射ユニット(UV)では紫外線照射による乾式洗浄を施され、次の冷却ユニット(COL)では所定温度まで冷却される(ステップS2)。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。
In the
次に、基板Gはスクラバ洗浄ユニット(SCR)28の1つでスクラビング洗浄処理を受け、基板表面から粒子状の汚れが除去される(ステップS3)。スクラビング洗浄の後、基板Gは、加熱ユニット(HP)32で加熱による脱水処理を受け(ステップS4)、次いで冷却ユニット(COL)34で一定の基板温度まで冷却される(ステップS5)。これで洗浄プロセス部22における前処理が終了し、基板Gは、搬送装置38により基板受け渡し部23を介して塗布プロセス部24へ搬送される。
Next, the substrate G is subjected to a scrubbing cleaning process by one of the scrubber cleaning units (SCR) 28 to remove particulate dirt from the substrate surface (step S3). After the scrubbing cleaning, the substrate G is subjected to dehydration treatment by heating in the heating unit (HP) 32 (step S4), and then cooled to a constant substrate temperature by the cooling unit (COL) 34 (step S5). Thus, the pretreatment in the
塗布プロセス部24において、基板Gは、先ずアドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)46に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット(AD)では疎水化処理(HMDS)を受け(ステップS6)、次の冷却ユニット(COL)で一定の基板温度まで冷却される(ステップS7)。 In the coating process unit 24, the substrate G is first sequentially loaded into an adhesion / cooling unit (AD / COL) 46, and undergoes a hydrophobic treatment (HMDS) in the first adhesion unit (AD) (step S6). The cooling unit (COL) cools to a constant substrate temperature (step S7).
その後、基板Gは、レジスト塗布ユニット(CT)40でスピンレス法によりレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥ユニット(VD)42で減圧による乾燥処理を受ける(ステップS8)。 Thereafter, the substrate G is coated with a resist solution by a spinless method in a resist coating unit (CT) 40, and then subjected to a drying process by reduced pressure in a reduced pressure drying unit (VD) 42 (step S8).
次に、基板Gは、加熱/冷却ユニット(HP/COL)48に順次搬入され、最初の加熱ユニット(HP)では塗布後のベーキング(プリベーク)が行われ(ステップS9)、次に冷却ユニット(COL)で一定の基板温度まで冷却される(ステップS10)。なお、この塗布後のベーキングに加熱ユニット(HP)50を用いることもできる。 Next, the substrate G is sequentially carried into the heating / cooling unit (HP / COL) 48, and the first heating unit (HP) performs baking after coating (pre-baking) (step S9), and then the cooling unit ( COL) to cool to a constant substrate temperature (step S10). In addition, the heating unit (HP) 50 can also be used for baking after this application | coating.
上記塗布処理の後、基板Gは、塗布プロセス部24の搬送装置54と現像プロセス部26の搬送装置60とによってインタフェース部(I/F)14へ搬送され、そこから露光装置に渡される(ステップS11)。露光装置では基板G上のレジストに所定の回路パターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基板Gは、露光装置からインタフェース部(I/F)14に戻される。インタフェース部(I/F)14の搬送機構59は、露光装置から受け取った基板Gをイクステンション56を介してプロセスステーション(P/S)12の現像プロセス部26に渡す(ステップS11)。
After the coating process, the substrate G is transported to the interface unit (I / F) 14 by the
現像プロセス部26において、基板Gは、現像ユニット(DEV)52のいずれか1つで現像処理を受け(ステップS12)、次いで加熱/冷却ユニット(HP/COL)53の1つに順次搬入され、最初の加熱ユニット(HP)ではポストベーキングが行われ(ステップS13)、次に冷却ユニット(COL)で一定の基板温度まで冷却される(ステップS14)。このポストベーキングに加熱ユニット(HP)55を用いることもできる。
In the
現像プロセス部26での一連の処理が済んだ基板Gは、プロセスステーション(P/S)12内の搬送装置60,54,38によりカセットステーション(C/S)10まで戻され、そこで搬送機構20によりいずれか1つのカセットCに収容される(ステップS1)。
The substrate G that has undergone a series of processing in the
この塗布現像処理システムにおいては、たとえば塗布プロセス部24のレジスト塗布ユニット(CT)40に本発明を適用することができる。以下、図3〜図19につき本発明をレジスト塗布ユニット(CT)40に適用した一実施形態を説明する。 In this coating and developing system, the present invention can be applied to, for example, the resist coating unit (CT) 40 of the coating process unit 24. An embodiment in which the present invention is applied to a resist coating unit (CT) 40 will be described below with reference to FIGS.
図3に、この実施形態におけるレジスト塗布ユニット(CT)40および減圧乾燥ユニット(VD)42の全体構成を示す。 FIG. 3 shows the overall configuration of the resist coating unit (CT) 40 and the vacuum drying unit (VD) 42 in this embodiment.
図3に示すように、支持台または支持フレーム70の上にレジスト塗布ユニット(CT)40と減圧乾燥ユニット(VD)42とがX方向に横一列に配置されている。塗布処理を受けるべき新たな基板Gは、搬送路51側の搬送装置54(図1)により矢印FAで示すようにレジスト塗布ユニット(CT)40に搬入される。レジスト塗布ユニット(CT)40で塗布処理の済んだ基板Gは、支持台70上のガイドレール72に案内されるX方向に移動可能な搬送アーム74により、矢印FBで示すように減圧乾燥ユニット(VD)42に転送される。減圧乾燥ユニット(VD)42で乾燥処理を終えた基板Gは、搬送路51側の搬送装置54(図1)により矢印FCで示すように引き取られる。
As shown in FIG. 3, a resist coating unit (CT) 40 and a vacuum drying unit (VD) 42 are arranged in a horizontal row on the support base or
レジスト塗布ユニット(CT)40は、X方向に長く延びるステージ76を有し、このステージ76上で基板Gを同方向に平流しで搬送しながら、ステージ76の上方に配置された長尺型のレジストノズル78より基板G上にレジスト液を供給して、スピンレス法で基板上面(被処理面)に一定膜厚のレジスト塗布膜を形成するように構成されている。ユニット(CT)40内の各部の構成および作用は後に詳述する。
The resist coating unit (CT) 40 includes a
減圧乾燥ユニット(VD)42は、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバ80と、この下部チャンバ80の上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバ(図示せず)とを有している。下部チャンバ80はほぼ四角形で、中心部には基板Gを水平に載置して支持するためのステージ82が配設され、底面の四隅には排気口83が設けられている。各排気口83は排気管(図示せず)を介して真空ポンプ(図示せず)に通じている。下部チャンバ80に上部チャンバを被せた状態で、両チャンバ内の密閉された処理空間を該真空ポンプにより所定の真空度まで減圧できるようになっている。
The vacuum drying unit (VD) 42 includes a tray or shallow container type
図4および図5に、本発明の一実施形態におけるレジスト塗布ユニット(CT)40内のより詳細な全体構成を示す。 4 and 5 show a more detailed overall configuration in the resist coating unit (CT) 40 in one embodiment of the present invention.
この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)40においては、ステージ76が、従来のように基板Gを固定保持する載置台として機能するのではなく、基板Gを空気圧の力で空中に浮かせるための基板浮上台として機能する。そして、ステージ76の両サイドに配置されている直進運動型の基板搬送部84が、ステージ76上で浮いている基板Gの両側縁部をそれぞれ着脱可能に保持してステージ長手方向(X方向)に基板Gを搬送するようになっている。
In the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment, the
詳細には、ステージ76は、その長手方向(X方向)において5つの領域M1,M2,M3,M4,M5に分割されている(図5)。左端の領域M1は搬入領域であり、塗布処理を受けるべき新規の基板Gはこの領域M1内の所定位置に搬入される。この搬入領域M1には、搬送装置54(図1)の搬送アームから基板Gを受け取ってステージ76上にローディングするためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能なリフトピン86が所定の間隔を置いて複数本(たとえば4本)設けられている。これらのリフトピン86は、たとえばエアシリンダ(図示せず)を駆動源に用いる搬入用のリフトピン昇降部85(図13)によって昇降駆動される。
Specifically, the
この搬入領域M1は浮上式の基板搬送が開始される領域でもあり、この領域内のステージ上面には基板Gを所望の浮上高さ位置または浮上高度Haで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口88が一定の密度で多数設けられている。ここで、搬入領域M1においてステージ76の上面からみた基板Gの浮上高度Haは、特に高い精度を必要とせず、たとえば100〜150μmの範囲内に保たれればよい。また、搬送方向(X方向)において、搬入領域M1のサイズは基板Gのサイズを上回っているのが好ましい。さらに、搬入領域M1には、基板Gをステージ76上で位置合わせするためのアライメント部(図示せず)も設けられている。
The loading area M 1 is also the area substrate transfer of a floating starts, high-pressure or positive pressure to the stage upper surface of the area to float the substrate G at the desired flying height or flying height H a A number of
ステージ76の中心部に設定された領域M3はレジスト液供給領域または塗布領域であり、基板Gはこの領域M3を通過する際に所定の位置で上方のレジストノズル78からレジスト液Rの供給を受ける。この塗布領域M3のステージ上面には、たとえば図6に示すような配列または分布パターンで、基板Gを所望の浮上高度Hbで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口88と負圧で空気を吸い込む吸引口90とが一定の密度で混在して多数設けられている。
A region M 3 set at the center of the
ここで、正圧の噴出口88と負圧の吸引口90とを混在させているのは、浮上高度Hbを高い精度で設定値(たとえば50μm)に保持するためである。つまり、塗布領域M3における浮上高度Hbは、ノズル下端(吐出口)と基板上面(被処理面)との間のギャップS(たとえば100μm)を規定する。このギャップSはレジスト塗布膜やレジスト消費量を左右する重要なパラメータであり、高い精度で一定に維持される必要がある。この実施形態では、基板Gの塗布領域M3を通過している部位に対しては、噴出口88から圧縮空気による垂直上向きの力を加えると同時に、吸引口90より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、双方向の合成された圧力のバランスを制御することで、塗布用の浮上高度Hbを設定値(50μm)に維持するようにしている。この浮上高度制御のために、基板Gの高さ位置を検出する高度検出センサ(図示せず)等を含むフィードバック制御機構が設けられてよい。なお、搬送方向(X方向)における塗布領域M3のサイズは、レジストノズル78の直下に上記のような狭いギャップSを安定に形成できるほどの余裕があればよく、通常は基板Gのサイズよりも小さくてよく、たとえば1/3〜1/4程度でよい。
Here, the reason why the
搬入領域M1と塗布領域M3との間に設定された中間の領域M2は、搬送中に基板Gの浮上高さ位置を搬入領域M1における浮上高度Ha(100〜150μm)から塗布領域M3における浮上高度Hb(50μm)へ変化または遷移させるための遷移領域である。この遷移領域M2内でもステージ76の上面には噴出口88と吸引口90とを混在させて配置している。ただし、吸引口90の密度を搬送方向に沿って次第に大きくしており、これによって搬送中に基板Gの浮上高度が漸次的にHaからHbに移るようになっている。
Middle area M 2 that is set between the loading area M 1 and the application area M 3 are, floating coating of highly H a (100-150 .mu.m) the flying height of the substrate G during conveyance in the carrying region M 1 This is a transition region for changing or transitioning to the flying height H b (50 μm) in the region M 3 . Even in the transition region M 2 , the
塗布領域M3の下流側隣の領域M4は、搬送中に基板Gの浮上高さ位置を塗布用の浮上高度Hb(50μm)から搬出用の浮上高度Hc(たとえば100〜150μm)に変えるための遷移領域である。この遷移領域M4のステージ上面には、搬送方向において上記した上流側の遷移領域M2と対称的な分布パターンで噴出口88と吸引口90とが混在して配置されている。
In the region M 4 adjacent to the downstream side of the coating region M 3 , the flying height position of the substrate G during transportation is changed from the flying height H b (50 μm) for coating to the flying height H c (for example, 100 to 150 μm) for unloading. It is a transition area for changing. On the upper surface of the stage of the transition region M 4 , the
ステージ76の下流端(右端)の領域M5は搬出領域である。レジスト塗布ユニット(CT)40で塗布処理を受けた基板Gは、この搬出領域M5内の所定位置または搬出位置から搬送アーム74(図3)によって下流側隣の減圧乾燥ユニット(VD)42(図3)へ搬出される。この搬出領域M5は上記した搬入領域M1と空間的に対称的な構成になっており、基板Gをステージ76上からアンローディングして搬送アーム74(図3)へ受け渡すためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能なリフトピン92が所定の間隔を置いて複数本(たとえば4本)設けられるとともに、基板Gを上記浮上高度Hcに浮かせるための噴出口88がステージ上面に一定の密度で多数設けられている。リフトピン92は、たとえばエアシリンダ(図示せず)を駆動源に用いる搬出用のリフトピン昇降部91(図13)によって昇降駆動される。
A region M 5 at the downstream end (right end) of the
レジストノズル78は、レジスト液供給部に含まれ、ステージ76上の基板Gを一端から他端までカバーできる長さでY方向に延びる長尺状のノズル本体を有し、レジスト液供給源93(図13)からのレジスト液供給管94に接続されている。ノズル移動機構75(図3,図13)は、図3に示すように、レジストノズル78を水平に支持する逆さコ字状または門形の支持体77と、この支持体77をX方向で双方向に直進移動させる直進駆動部79とを有する。この直進駆動部79は、たとえばガイド付きのリニアモータ機構またはボールネジ機構で構成されてよい。また、レジストノズル78の高さ位置を変更または調整するためのガイド付きのノズル昇降機構81(図13)が、たとえば支持体77とレジストノズル78とを接続するジョイント部83に設けられている。
The resist
図4、図7および図8に示すように、基板搬送部84は、ステージ76の左右両サイドに平行に配置された一対のガイドレール96と、各ガイドレール96上に軸方向(X方向)に移動可能に取り付けられたスライダ98と、各ガイドレール96上でスライダ98を直進移動させる搬送駆動部100と、各スライダ98からステージ76の中心部に向かって延びて基板Gの左右両側縁部を着脱可能に保持する保持部102とをそれぞれ有している。
As shown in FIGS. 4, 7, and 8, the
ここで、搬送駆動部100は、直進型の駆動機構たとえばリニアモータによって構成されている。また、保持部102は、基板Gの左右両側縁部の下面に真空吸着力で結合する吸着パッド104と、先端部で吸着パッド104を支持し、スライダ98側の基端部を支点として先端部の高さ位置を変えられるように弾性変形可能な板バネ型のパッド支持部106とをそれぞれ有している。吸着パッド104は一定のピッチで一列に配置され、パッド支持部106は各々の吸着パッド104を独立に支持している。これにより、個々の吸着パッド104およびパッド支持部106が独立した高さ位置で(異なる高さ位置でも)基板Gを安定に保持できるようになっている。
Here, the
図7および図8に示すように、この実施形態におけるパッド支持部106は、スライダ98の内側面に昇降可能に取り付けられた板状のパッド昇降部材108に取り付けられている。スライダ98に搭載されているたとえばエアシリンダ(図示せず)からなるパッドアクチエータ109(図13)が、パッド昇降部材108を基板Gの浮上高さ位置よりも低い原位置(退避位置)と基板Gの浮上高さ位置に対応する往動位置(結合位置)との間で昇降移動させるようになっている。
As shown in FIGS. 7 and 8, the
図9に示すように、各々の吸着パッド104は、たとえば合成ゴム製で直方体形状のパッド本体110の上面に複数個の吸引口112を設けている。これらの吸引口112はスリット状の長穴であるが、丸や矩形の小孔でもよい。吸着パッド104には、たとえば合成ゴムからなる帯状のバキューム管114が接続されている。これらのバキューム管114の管路116はパッド吸着制御部115(図13)の真空源にそれぞれ通じている。
As shown in FIG. 9, each
パッド吸着制御部115(図13)は、バキューム管114の管路116(図9)を切替弁(図示せず)を介して圧縮空気源(図示せず)にも接続しており、吸着パッド104を基板Gの側縁部から分離させるときは、該切替弁を該圧縮空気源側に切り替えて、吸着パッド104に正圧または高圧の圧縮空気を供給するようになっている。
The pad adsorption control unit 115 (FIG. 13) also connects the conduit 116 (FIG. 9) of the
保持部102においては、図4に示すように、片側一列の真空吸着パッド104およびパッド支持部106が1組毎に分離している分離型または完全独立型の構成が好ましい。しかし、図10に示すように、切欠き部118を設けた一枚の板バネで片側一列分のパッド支持部120を形成してその上に片側一列の真空吸着パッド104を配置する一体型の構成も可能である。
As shown in FIG. 4, the holding
上記のように、ステージ76の上面には多数の噴出口88が設けられている。この実施形態では、ステージ76の搬入領域M1および搬出領域M5に属する各噴出口88について、空気の噴出流量を基板Gとの相対的な位置関係で個別的かつ自動的に切り換える噴出制御部122を流量切換弁の形態でステージ76の内部に設けている。
As described above, a number of
図11に、一実施例による噴出制御部122の構成を示す。この噴出制御部122は、ステージ76の内部に形成された球面体形状の壁面を有する弁室124と、この弁室124の中で移動可能に設けられた球状の弁体126とを有している。弁室124の頂部および底部には、鉛直方向で互いに対向する出口124aおよび入口124bがそれぞれ形成されている。出口124aは、当該噴出制御部122と対応する噴出口88に連通している。入口124bは、ステージ76の下部を走っている圧縮空気供給路128に連通している。
In FIG. 11, the structure of the
図12に、ステージ76内における圧縮空気供給路128の配管パターンの一例を示す。たとえばコンプレッサ等の圧縮空気源(図示せず)からの圧縮空気は、外部配管130の中を流れてきてステージ76内の圧縮空気導入部132に導入される。圧縮空気導入部132に導入された圧縮空気は、そこからステージ76内に張り巡らされている多数の圧縮空気供給路128に分配される。
FIG. 12 shows an example of a piping pattern of the compressed
図11において、弁室124の出口124aの周りは弁座を構成する。この弁座には、出口124aから放射状に延びる溝部124cが周回方向に所定の間隔(たとえば90°間隔)を置いて複数個(4個)形成されている。これにより、弁体126が弁座に密着または着座して出口124aを塞いでも弁室124から圧縮空気が溝部124cを通って噴出口88側に漏出するようになっている。弁体126は、弁室124の内径よりも一回りないし二回り小さな直径を有するたとえば樹脂製の球体であり、球面の下半部に入口124b側の空気圧に応じた垂直上向きの力PUを受けるとともに、球面の上半部に出口124a側の空気圧に応じた垂直下向きの力(反作用)PDを受ける。また、弁体126にはその質量に応じた重力PG(一定値)が常時垂直下向きに作用する。弁体126は、上記のような垂直上向きの力PUと垂直下向きの力(PD+PG)との差に応じて弁室124内で鉛直方向の位置(高さ位置)を変える。
In FIG. 11, a valve seat is formed around the
この実施形態では、図11に示すように、各噴出口88の上方に基板Gが在るか否かに応じて、当該噴出口88直下の噴出制御部122では、弁室124内の弁体126の高さ位置が出口124a側の弁座に密着する第1の位置、もしくは該弁座から離間して弁室124内で浮いた状態になる第2の位置のいずれかに切り換わるようになっている。
In this embodiment, as shown in FIG. 11, depending on whether or not the substrate G is present above each
すなわち、各噴出口88の上方に(厳密には設定浮上高度Ha以下の接近距離で)基板Gが在るときは、基板Gからの反作用で当該噴出口88付近やその直下の弁室124の出口124a付近の空気圧が高くなって、弁体126に作用する垂直下向きの力(特にPD)が垂直上向きの力PUと互角かそれを少し上回る程に増大し、弁体126が出口124a側の弁座から離間する。これにより、出口124aが開状態となり、入口124bより弁室124に導入された圧縮空気は大きな流量で出口124aを通り抜けて噴出口88より噴き出る。
In other words, upward (in the strict sense approach distance below the set flying height H a is) of the
上記のようにステージ76の上面に形成された多数の噴出口88およびそれらに浮上力発生用の圧縮空気を供給するための圧縮供給源、外部配管130、圧縮空気供給路128、噴出制御部122、さらにはステージ76の領域M2,M 3 ,M4内に噴出口88と混在して形成された吸引口90およびそれらに負圧吸引力を与えるためのバキューム機構等により、搬入領域M1および搬出領域M5では基板Gを効率よく所望の高さで浮かせ、塗布領域M3では基板Gを高い精度で設定高さ位置に浮かせるためのステージ基板浮上部134(図13)が構成されている。
As described above, the
図13に、この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)40における制御系の構成を示す。コントローラ136は、マイクロコンピュータからなり、ユニット内の各部、特にレジスト液供給源93、ノズル移動機構75、ノズル昇降機構81、ステージ基板浮上部134、搬送駆動部100、パッド吸着制御部115、パッドアクチエータ109、搬入用リフトピン昇降部85、搬出用リフトピン昇降部91等の個々の動作と全体の動作(シーケンス)を制御する。
FIG. 13 shows the configuration of the control system in the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment. The
次に、この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)40における塗布処理動作を説明する。図14〜図19に、塗布領域M3回りでの塗布処理動作の各段階を示す。 Next, the coating processing operation in the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment will be described. In FIGS. 14 to 19 show the stages of the coating operation in the coating area M 3 around.
コントローラ136は、たとえば光ディスク等の記憶媒体に格納されているレジスト塗布処理プログラムを主メモリに取り込んで実行し、プログラムされた一連の塗布処理動作を制御する。
The
搬送装置54(図1)より未処理の新たな基板Gがステージ76の搬入領域M1に搬入されると、リフトピン86が往動位置で該基板Gを受け取る。搬送装置54が退出した後、リフトピン86が下降して基板Gを搬送用の高さ位置つまり浮上高度Ha(図5)まで降ろす。次いで、アライメント部(図示せず)が作動し、浮上状態の基板Gに四方から押圧部材(図示せず)を押し付けて、基板Gをステージ76上で位置合わせする。アライメント動作が完了すると、その直後に基板搬送部84においてパッドアクチエータ109が作動し、吸着パッド104を原位置(退避位置)から往動位置(結合位置)へ上昇(UP)させる。吸着パッド104は、その前からバキュームがオンしており、浮上状態の基板Gの側縁部に接触するや否や真空吸着力で結合する。吸着パッド104が基板Gの側縁部に結合した直後に、アライメント部は押圧部材を所定位置へ退避させる。
When the
次に、基板搬送部84は、保持部102で基板Gの側縁部を保持したままスライダ98を搬送始点位置から搬送方向(X方向)へ比較的高速の一定速度Vaで直進移動させる。この第1段階(塗布処理前)の基板搬送において、基板Gの前部が搬入領域M1から遷移領域M2を通って塗布領域M3に入ると、図14に示すように基板Gの浮上高度が漸次的に下がる。これは、塗布領域M3内の吸引口90からの吸引力が基板Gに作用し、基板Gが塗布領域M3に進入するにつれて基板全体に作用する吸引力が増大するためである。かかる基板Gの浮上高度の変化は塗布処理前のことなので、塗布処理に影響することはない。
Next, the
こうして、搬送方向において、基板Gの前端が塗布領域M3の下流側の端部付近の設定位置に着いたところで、塗布領域M3内における基板Gの浮上高度が最小値つまり塗布用の設定浮上高度Hb(たとえば50μm)に達し、ここで基板搬送部84が第1段階の基板搬送を停止する(図15)。この時、レジストノズル78は、塗布領域M3の下流側端部の真上で待機している。
Thus, when the front end of the substrate G reaches the set position near the end on the downstream side of the coating region M 3 in the transport direction, the flying height of the substrate G in the coating region M 3 is the minimum value, that is, the set flying height for coating. The altitude H b (for example, 50 μm) is reached, and the
基板Gが止まると、直ちにノズル昇降機構81が作動して、レジストノズル78を垂直下方に降ろし、ノズルの吐出口と基板Gとの距離間隔またはギャップSが設定値(たとえば100μm)に達したところでノズル下降動作を止める。次いで、レジスト液供給部においてレジストノズル78より基板Gの上面に向けてレジスト液の吐出を開始させる。この際、最初に微量のレジスト液を出してノズル吐出口と基板GとのギャップSを完全に塞いでから、正規の流量で吐出を開始するのが好ましい。一方で、ノズル移動機構75においてレジストノズル78の走査も開始される。このノズル走査は、搬送方向とは反対の方向に一定速度Vnで行われる。さらに、基板搬送部84が第2段階の基板搬送を開始する。この第2段階つまり塗布時の基板搬送は、比較的低速の一定速度V b で行われる。
As soon as the substrate G stops, the nozzle raising / lowering
こうして、塗布領域M3内では、図17に示すように、基板Gが水平姿勢で搬送方向(X方向)に一定速度V b で移動すると同時に、それと逆方向に長尺型レジストノズル78がレジスト液Rを一定の流量で帯状に吐出しながら一定速度Vnで移動することにより、基板Gの前端側から後端側に向かってレジスト液の塗布膜RMが形成されていく。この塗布処理中、基板Gは、塗布領域M3の全域を覆ったままX方向に移動するので、噴出口88からの垂直上向きの揚力と吸引口90からの垂直下向きの吸引力とが均衡した一定の浮上力を領域内の各位置で均一に受け、塗布領域M3およびその付近では上下にぶれたりせずに設定浮上高度Hbでの水平姿勢を安定に維持する。このことにより、レジストノズル78の吐出口と基板GとのギャップSが高い精度で設定値(100μm)に始終保持された状態の下で、基板G上へのレジスト液の塗布が実行される。
Thus, in the coating region M 3 , as shown in FIG. 17, the substrate G moves in the horizontal posture at a constant speed V b in the transport direction (X direction), and at the same time, the long resist
この実施形態では、塗布処理中の基板搬送速度V b とノズル移動速度Vnとは一定の関係、つまり図18に示すように基板Gの後端が塗布領域M3の上流端付近の所定位置に着くと同時にレジストノズル78も同所定位置に着くように設定される。すなわち、塗布開始(図16)の状態から、基板Gの後端が上記所定位置に到達するまでに要する時間TGとレジストノズル78が同所定位置まで到達するのに要する時間T78とが等しくなるように両速度Vb,Vnが設定される。ここで、搬送方向における基板Gおよび塗布領域M3のサイズをそれぞれLG,LM3とすると、次の式(1)を満たすようにV b とVnの比を選定すればよい。
TG=(LG−LM3)/Va, T78=LM3/Vn
TG=T78 ∴(LG−LM3)/Va=LM3/Vn
∴ Vn=V b *LM3/(LG−LM3) ・・・・(1)
In this embodiment, a constant related to the substrate transport velocity V b and the nozzle moving speed V n in the coating process, that is a predetermined position near the upstream end the rear end of the substrate G is applied area M 3 as shown in FIG. 18 At the same time, the
T G = (L G −L M3 ) / V a , T 78 = L M3 / V n
T G = T 78 ∴ (L G −L M3 ) / V a = L M3 / V n
∴ V n = V b * L M3 / (L G -L M3) ···· (1)
こうして基板Gの後端とレジストノズル78とが同時に塗布領域M3の上流端付近の所定位置に着くと、レジスト液供給部側では、ノズル移動機構75がレジストノズル78の走査を停止し、レジスト液供給源93がレジストノズル78からのレジスト液Rの吐出を終了させる。次いで、図19に示すように、ノズル昇降機構81がレジストノズル78を垂直上方に持ち上げて基板Gから退避させる。
Thus, when the rear end of the substrate G and the resist
一方、基板搬送部84は、基板Gの後端が上記所定位置に到達した後は、第2段階の基板搬送から第3段階(塗布後)の基板搬送に移行し、基板搬送速度をそれまでの低速度Vbから高速度Vcに切り替える。この第3段階の基板搬送で、基板Gは搬出部M5まで一気に搬送される。この際、図19に示すように、基板Gの後端部が塗布領域M3内を上記所定位置(塗布終点位置)から搬送方向(X方向)に移動または通過する際に浮上高度がHbからHaに向かって漸次的に上昇する。これは、塗布領域M3内で吸引口90から基板Gに作用する垂直下向きの吸引力が基板Gの移動につれて次第に減少するためである。かかる基板Gの浮上高度の変化は塗布処理後のことなので、塗布処理に影響を及ぼすことはない。
On the other hand, after the rear end of the substrate G reaches the predetermined position, the
こうして基板Gが塗布領域M3から遷移領域M 4 を通って搬出領域M5内に搬送され搬送終点位置に着くと、基板搬送部84は第3段階の基板搬送を停止する。この直後に、パッド吸着制御部115が吸着パッド104に対するバキュームの供給を止め、これと同時にパッドアクチエータ109が吸着パッド104を往動位置(結合位置)から原位置(退避位置)へ下ろし、基板Gの両側端部から吸着パッド104を分離させる。この時、パッド吸着制御部115は吸着パッド104に正圧(圧縮空気)を供給し、基板Gからの分離を速める。代わって、リフトピン92が基板Gをアンローディングするためにステージ下方の原位置からステージ上方の往動位置へ上昇する。
Thus when the substrate G is conveyed from the coating area M 3 to the transition area M 4 of the through and out region M 5 arrive in the conveying end position, the
しかる後、搬出領域M5に搬出機つまり搬送アーム74がアクセスし、リフトピン92から基板Gを受け取ってステージ76の外へ搬出する。基板搬送部84は、基板Gをリフトピン92に渡したなら直ちに搬入領域M1へ高速度で引き返す。搬出領域M5で上記のように処理済の基板Gが搬出される頃に、搬入領域M1では次に塗布処理を受けるべき新たな基板Gについて搬入、アライメントないし搬送開始が行われる。
Thereafter, the unloader, that is, the
上記のように、この実施形態においては、ステージ76上に搬入領域M1、塗布領域M3、搬出領域M5を別々に設け、それらの各領域に基板を順次転送して基板搬入動作、レジスト液供給動作、基板搬出動作を各領域で独立または並列的に行うようにしており、これによって、1枚の基板Gについてステージ76上に搬入する動作に要する時間(TIN)と、ステージ76上で搬入領域M1から搬出領域M5まで搬送するのに要する時間(TC)と、搬出領域M5から搬出するのに要する時間(TOUT)とを足し合わせた塗布処理1サイクルの所要時間(TC+TIN+TOUT)よりも、タクトタイムを短縮することができる。
As described above, in this embodiment, the carry-in area M 1 , the coating area M 3 , and the carry-out area M 5 are separately provided on the
しかも、ステージ76の上面に設けた噴出口88より噴出する気体の圧力を利用して基板Gを空中に浮かせ、浮いている基板Gをステージ76上で搬送しながら長尺型レジストノズル78より基板G上にレジスト液を供給して塗布するようにしたので、塗布処理時に長尺型レジストノズル78を走査させる距離を基板Gの全長よりも大幅に短くすることができる。しかも、レジストノズル78の走査は基板Gの搬送と逆方向に行われるので、低い走査速度に設定することができる。これは、基板が大型化するほど、つまり長尺型レジストノズルが重厚長大になるほど有利になる。
In addition, the substrate G is floated in the air by using the pressure of the gas ejected from the
そして、基板Gがステージ76の塗布領域M3を通過する途中でその領域のほぼ全域を覆っている間に、基板Gの上面(被処理面)にレジスト液を供給する処理(塗布処理)を塗布領域M3内で実行するようにしたので、塗布処理の開始から終了までの全処理時間を通じて搬送中の基板Gの浮上高度Hbを塗布領域M3内で設定値に保持し(それによって、レジストノズル78の吐出口と基板GとのギャップSを設定値に保持し)、基板G上に塗布ムラのない一定膜厚のレジスト塗布膜を形成することができる。
Then, while the substrate G passes through the coating region M 3 of the
以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。 The preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the technical idea.
たとえば、上記した実施形態における基板搬送部84の保持部102は真空吸着式のパッド104を有するものであったが、基板Gの側縁部をメカニカルに(たとえば狭着して)保持するパッド等も可能である。また、パッド104を基板Gの側縁部に着脱自在に結合するための機構(パッド支持部106、パッド昇降部108、パッドアクチエータ109)にも種々の方式、構成を採用することができる。また、上記実施形態における基板搬送部84は基板Gの左右両側縁部を保持して搬送したが、基板Gの片側の側縁部のみを保持して基板搬送を行うことも可能である。上記実施形態は1本の長尺型レジストノズル78を走査して基板Gの上面全体にレジスト液を均一に供給(塗布)した。しかし、基板G上の被処理面を複数のエリアに分割して各エリアに個別のノズルを充てたり、各エリア毎に処理液や膜厚を独立に設定するなどの変形も可能である。
For example, the holding
上記した実施形態はLCD製造の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を供給する任意の処理装置やアプリケーションに適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はLCD基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。 The above-described embodiment relates to a resist coating apparatus in a coating / development processing system for LCD manufacturing. However, the present invention is applicable to any processing apparatus or application that supplies a processing liquid onto a substrate to be processed. Therefore, as the processing liquid in the present invention, in addition to the resist liquid, for example, a coating liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, and a wiring material can be used, and a developing liquid or a rinsing liquid can also be used. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, and other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates, and the like are also possible.
40 レジスト塗布ユニット(CT)
75 ノズル移動機構
76 ステージ
78 レジストノズル
81 ノズル昇降機構
84 基板搬送部
85 搬入用リフトピン昇降部
86 搬入用リフトピン
87 アライメント部
88 噴出口
90 吸引口
91 搬出用リフトピン昇降部
92 搬出用リフトピン
93 レジスト液供給源
100 搬送駆動部
102 保持部
104 吸着パッド
134 ステージ基板浮上部
136 コントローラ
M1 搬入領域
M3 塗布領域
M5 搬出領域
40 resist coating unit (CT)
75
Claims (20)
前記基板を浮かせた状態で所定の搬送方向に前記第1の浮上領域を通過させる基板搬送部と、
前記基板が前記第1の浮上領域を通過する途中でその領域のほぼ全域を覆っている間に、前記基板の被処理面に処理液を供給する動作を実行する処理液供給部と
を具備し、
前記処理液供給部が、
前記第1の浮上領域内で前記基板の被処理面に向けて上方から前記処理液を吐出する長尺型ノズルと、
前記長尺型ノズルに前記処理液を送る処理液供給源と、
前記処理液の吐出を開始する第1のノズル位置から前記処理液の吐出を終了する第2のノズル位置まで前記処理液供給動作中に前記長尺型ノズルを前記搬送方向と反対の方向に移動させるノズル移動部と
を有する、基板処理装置。 A stage having a first floating region smaller in area than the substrate to be processed, and providing a substantially uniform flying force to the substrate at each position in the first floating region;
A substrate transport unit that passes the first floating region in a predetermined transport direction in a state where the substrate is floated;
A processing liquid supply unit that performs an operation of supplying a processing liquid to a surface to be processed of the substrate while the substrate covers substantially the whole area of the first floating region while passing through the first floating region. ,
The treatment liquid supply unit is
An elongated type nozzles ejecting the treatment liquid from the upper toward the target surface of the substrate in the first floating region,
A treatment liquid supply source for sending the treatment liquid to the long nozzle,
During the processing liquid supply operation, the long nozzle is moved in the direction opposite to the transport direction from the first nozzle position at which the processing liquid discharge starts to the second nozzle position at which the processing liquid discharge ends. A substrate processing apparatus, comprising: a nozzle moving unit.
前記ノズル移動部が、前記長尺型ノズルを前記搬送方向と反対の方向に前記第1のノズル位置から前記第2のノズル位置まで一定の速度で移動させる、
請求項1に記載の基板処理装置。 The long nozzle has a fine-diameter discharge port extending in a horizontal direction intersecting the transport direction;
The nozzle moving unit moves the long nozzle in a direction opposite to the transport direction from the first nozzle position to the second nozzle position at a constant speed;
The substrate processing apparatus according to claim 1.
前記ステージの第1の浮上領域内に前記噴出口と混在して多数設けられた気体を吸い込む吸引口と、
前記第1の浮上領域を通過する前記基板に対して前記噴出口より加えられる垂直上向きの圧力と前記吸引口より加えられる垂直下向きの圧力とのバランスを制御する浮揚制御部と
を有する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 A spout for ejecting a number of gases provided in the first floating region of the stage;
A suction port for sucking in a large number of gases mixed with the jet ports in the first floating region of the stage;
A levitation control unit that controls a balance between a vertical upward pressure applied from the jet port and a vertical downward pressure applied from the suction port to the substrate passing through the first floating region. The substrate processing apparatus as described in any one of 1-7.
前記ステージ上の搬入位置で前記基板をピン先端で支持するための複数本の第1のリフトピンと、
前記第1のリフトピンを前記ステージ下方の原位置と前記ステージ上方の往動位置との間で昇降移動させる第1のリフトピン昇降部と
を有する、請求項11に記載の基板処理装置。 The carrying-in part is
A plurality of first lift pins for supporting the substrate by a pin tip at a loading position on the stage;
The substrate processing apparatus according to claim 11, further comprising: a first lift pin lifting / lowering unit that moves the first lift pin up and down between an original position below the stage and a forward movement position above the stage.
前記ステージ上の搬入位置で前記基板をピン先端で支持するための複数本の第2のリフトピンと、
前記第2のリフトピンを前記ステージ下方の原位置と前記ステージ上方の往動位置との間で昇降移動させる第2のリフトピン昇降部と
を有する、請求項15に記載の基板処理装置。 The unloading part is
A plurality of second lift pins for supporting the substrate by a pin tip at a loading position on the stage;
The substrate processing apparatus according to claim 15, further comprising: a second lift pin raising / lowering unit that moves the second lift pin up and down between an original position below the stage and a forward movement position above the stage.
前記基板の移動する方向と平行に延びるように前記ステージの片側または両側に配置されるガイドレールと、
前記ガイドレールに沿って移動可能なスライダと、
前記スライダを前記ガイドレールに沿って移動するように駆動する搬送駆動部と、
前記スライダから前記ステージの中心部に向かって延在し、前記基板の側縁部を着脱可能に保持する保持部と
を有する、請求項1〜16のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate transport unit is
A guide rail disposed on one or both sides of the stage so as to extend in parallel with the direction of movement of the substrate;
A slider movable along the guide rail;
A transport driving unit that drives the slider to move along the guide rail;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a holding portion that extends from the slider toward a center portion of the stage and detachably holds a side edge portion of the substrate.
前記ステージの上面に設けた多数の噴出口より噴出する気体の圧力で前記基板を浮かせて、前記塗布領域ではその領域内の各位置で前記基板にほぼ均一な浮上力を与え、
前記基板を前記搬入領域から前記搬出領域まで搬送する途中で前記基板が前記塗布領域のほぼ全域を覆っている間に、長尺型ノズルを用いて前記基板の被処理面に処理液を塗布する処理を実行し、
前記塗布処理中に、前記基板の被処理面に前記処理液を供給する前記長尺型ノズルの位置を前記塗布領域の下流側端部の所定位置から上流側端部の所定位置まで前記搬送方向と反対の方向に第1の速度で移動させる、
基板処理方法。 Along the transport direction on the stage, set the loading area larger than the substrate to be processed, the coating area smaller than the substrate, and the unloading area larger than the substrate in this order in a row,
The substrate is floated by the pressure of gas ejected from a large number of ejection ports provided on the upper surface of the stage, and in the coating region, a substantially uniform levitation force is given to the substrate at each position in the region,
During the transfer of the substrate from the carry-in area to the carry-out area, the processing liquid is applied to the surface to be processed of the substrate using a long nozzle while the substrate covers almost the entire area of the application area. Execute the process,
Wherein in the coating process, the transport direction of the long position of the long-shaped nozzle for supplying the processing liquid to the processing surface to a predetermined position of the upstream end portion from a predetermined position of the downstream end of the coating area of said substrate moving at a first speed in the opposite direction,
Substrate processing method.
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