JP4478268B2

JP4478268B2 - 薄膜デバイスの製造方法

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Publication number: JP4478268B2
Application number: JP37581299A
Authority: JP
Inventors: 聡井上
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1999-12-28
Filing date: 1999-12-28
Publication date: 2010-06-09
Anticipated expiration: 2019-12-28
Also published as: JP2001189460A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、基板上に形成された薄膜デバイス（薄膜半導体回路）を転写基板に転写してなる転写技術に関するものである。
【従来の技術】
例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた液晶ディスプレイを製造するに際しては、基板上に薄膜トランジスタをＣＶＤ等により形成する工程を経る。薄膜トランジスタを基板上に形成する工程は高温処理を伴うため、基板は耐熱性に優れる材質のもの、すなわち、軟化点および融点が高いものを使用する必要がある。そのため、現在では、１０００℃程度の温度に耐える基板としては石英ガラスが使用され、５００℃前後の温度に耐える基板としては耐熱ガラスが使用されている。
【０００２】
上述のように、薄膜デバイスを搭載する基板は、それらの薄膜デバイスを製造するための条件を満足するものでなければならない。つまり、使用する基板は、搭載されるデバイスの製造条件を必ず満たすように決定される。
【０００３】
しかし、ＴＦＴ等の薄膜デバイスを搭載した基板が完成した後の段階のみに着目すると、上述の「基板」が必ずしも好ましくないこともある。
【０００４】
例えば、上述のように、高温処理を伴う製造プロセスを経る場合には、石英基板や耐熱ガラス基板等が用いられるが、これらは非常に高価であり、したがって製品価格の上昇を招く。
【０００５】
また、ガラス基板は重く、割れやすいという性質をもつ。パームトップコンピュータや携帯電話機等の携帯用電子機器に使用される液晶ディスプレイでは、可能な限り安価で、軽くて、多少の変形にも耐え、かつ落としても壊れにくいのが望ましいが、現実には、ガラス基板は重く、変形に弱く、かつ落下による破壊の恐れがあるのが普通である。
【０００６】
つまり、製造条件からくる制約と製品に要求される好ましい特性との間に溝があり、これら双方の条件や特性を満足させることは極めて困難であった。
【０００７】
そこで本出願人は、薄膜デバイスを含む被転写層を従来のプロセスにて基板上に形成した後に、この薄膜デバイスを含む被転写層を基板から離脱させて、転写体に転写させる技術を提案している（特願平８−２２５６４３号）。
【０００８】
このために、基板と被転写層である薄膜デバイスとの間に、分離層を形成している。この分離層に光を照射することで、分離層の層内および／または界面を剥離させて、基板と被転写層との結合力を弱めることで、被転写層を基板から離脱させることを可能としている。この結果、被転写層は転写体に転写される。ここで、薄膜デバイスを形成するのに高温処理を伴う製造プロセスを経る場合には、石英基板や耐熱ガラス基板等が用いられる。しかし、転写体はこのような高温処理に晒されることがないので、転写体として求められる制約が大幅に緩和される利点がある。
【０００９】
ここで説明した転写技術では、被転写層を製造する時に用いた第１の基板（元基板）に積層関係と、被転写層の転写先である第１の転写基板（一次１転写体）に対する積層関係とは互いに逆になってしまう。
【００１０】
そこで、第１の転写基板に転写された被転写層を第２の転写基板（二次転写体）に再転写して被転写層の積層関係を基に戻すことが行われている。さらに、１度だけの転写を行う場合では、石英基板上の被転写層をフィルム（一次転写体）にいきなり転写することは困難であるのに対して、１次転写を経た２次転写を利用することによってフィルム状の二次転写体に被転写層を好適に転写することが可能となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、二回転写を行う従来技術では次の問題がある。第１に、一回目の転写を行う際、被転写層を元基板から剥離又は分離する上で改良すべき点がある。また、従来の二度転写技術では、水溶性接着剤を介して被転写層と第１の転写基板とを接着しており、水系溶剤に前記水溶性接着剤を晒すことによりこの接着・分離層をエッチングし、この水溶性接着剤の部分で被転写層を一次転写体から剥離して二次転写体に転写するようにしているが、この剥離が十分行われない、もしくは剥離に時間がかかるという問題がある。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、従来の２度転写技術を利用した薄膜デバイスの転写・製造方法において、上記課題を解決するために、一回目の転写を行う際、被転写層を元基板から容易に剥離又は分離することができる薄膜デバイスの転写・分離技術を提供することにある。
【００１３】
さらに、他の目的は、２度転写技術において、被転写層を第１の転写基板から簡単に剥離可能な薄膜デバイスの転写・分離技術を提供することを目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る薄膜デバイスの製造方法は、元基板上に第１分離層を形成する第１工程と、前記第１分離層上に複数の薄膜から成る、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタを含む被転写層を形成する第２工程と、前記被転写層上に第１の転写基板を接合する第３工程と、前記第１分離層を境にして、前記被転写層を前記元基板から剥離する第４工程と、前記被転写層の下側に第２の転写基板を接合する第５工程と、前記第１の転写基板を特定の溶剤に溶解除去しながらこの第１の転写基板から剥離して、前記被転写層を前記第２の転写基板に転写する第６工程と、を有し、前記第１の転写基板の材料はアクリル樹脂であり、前記第２の転写基板の材料はポリエチレンであり、前記溶剤はＩＰＡであることを特徴とするものである。
これにより、第６工程において第１の転写基板ごと溶剤に溶けるので、被転写層を第１の転写基板から確実に剥離することができる。
【００１５】
また、本発明に係る薄膜デバイスの製造方法は、元基板上に第１分離層を形成する第１工程と、前記第１分離層上に複数の薄膜から成る、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタを含む被転写層を形成する第２工程と、前記被転写層上に第１の転写基板を接合する第３工程と、前記第１分離層を境にして、前記被転写層を前記元基板から剥離する第４工程と、前記被転写層の下側に第２の転写基板を接合する第５工程と、前記第１の転写基板を特定の溶剤に溶解除去しながらこの第１の転写基板から剥離して、前記被転写層を前記第２の転写基板に転写する第６工程と、を有し、前記第１の転写基板の材料は塩化ビニル樹脂またはポリエーテルスルホンであり、前記第２の転写基板の材料はフッ素樹脂であり、前記溶剤はアセトンであることを特徴とするものである。
これにより、第６工程において第１の転写基板ごと溶剤に溶けるので、被転写層を第１の転写基板から確実に剥離することができる。
【００１６】
また、前記第１の転写基板を前記第２の転写基板よりも硬いものから選択してなることが望ましい。
被転写層を元基板から剥離する際に、第１の転写基板が硬い材質、形態で形成されていることにより、剥離を容易に行うことができる。
また、前記薄膜デバイスを構成する前記複数の薄膜及び前記第１，第２分離層の少なくとも一層の薄膜を、該薄膜の構成成分を含む液体が塗布された後に固化される液相プロセスを用いて形成するようにしてもよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１〜図９は本発明の第１の実施の形態（薄膜デバイスの転写方法）を説明するための図である。第１の実施の形態は、薄膜デバイス層から構成される被転写層を２度転写して転写体に転写する方法に関する。また、各膜の成膜法のうち、液相プロセスについては、膜の種類毎に分けて後に整理して説明する。
【００１８】
図１に示すように、基板１００上に第１分離層（光吸収層）１２０を形成する。以下、基板１００および第１分離層１２０について説明する。基板１００は、光が透過し得る透光性を有するものであるのが好ましい。この場合、光の透過率は１０％以上であるのが好ましく、５０％以上であるのがより好ましい。この透過率が低過ぎると、光の減衰（ロス）が大きくなり、第１分離層１２０を剥離するのにより大きな光量を必要とする。
【００１９】
また、基板１００は、信頼性の高い材料で構成されているのが好ましい。この基板１００上に形成される被転写層１４０を構成する全ての膜が液相プロセスにて実施される場合には、耐熱性も必要とされない。
【００２０】
但し、基板１００は、被転写層１４０の形成の際の最高温度をＴmaxとしたとき、歪点がＴmax以上の材料で構成されているのものが好ましい。被転写層１４０の一部の膜を液層プロセス以外の比較的高温プロセスにて形成する場合には、基板１００の構成材料は、歪点が３５０℃以上のものが好ましく、５００℃以上のものがより好ましい。このようなものとしては、例えば、石英ガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ−２等の耐熱性ガラスが挙げられる。
【００２１】
また、基板１００の厚さは、特に限定されないが、通常は、０．１〜５．０mm程度であるのが好ましく、０．５〜１．５mm程度であるのがより好ましい。基板１００の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、厚すぎると、基板１００の透過率が低い場合に、光の減衰を生じ易くなる。なお、基板１００の光の透過率が高い場合には、その厚さは、前記上限値を超えるものであってもよい。なお、光を均一に照射できるように、基板１００の厚さは、均一であるのが好ましい。
【００２２】
第１分離層１２０は、物理的作用（光、熱など）、化学的作用（薬液との化学反応など）あるいは機械的作用（引張力、振動）のいずれか一つあるいは複数の作用を受けることで、その結合力が減少されあるいは消滅され、それによりこの第１分離層１２０を介して基板１００の分離を促すものである。
【００２３】
この第１分離層１２０として例えば、照射される光を吸収し、その層内および／または界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により、第１分離層１２０を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離および／または界面剥離に至るものがよい。
【００２４】
さらに、光の照射により、第１分離層１２０から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、第１分離層１２０に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、第１分離層１２０が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。このような第１分離層１２０の組成としては、例えば、次のＡ〜Ｅに記載されるものが挙げられる。
Ａ．アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
このアモルファスシリコン中には、水素（Ｈ）が含有されていてもよい。この場合、Ｈの含有量は、２原子％以上程度であるのが好ましく、２〜２０原子％程度であるのがより好ましい。このように、水素（Ｈ）が所定量含有されていると、光の照射によって水素が放出され、第１分離層１２０に内圧が発生し、それが上下の薄膜を剥離する力となる。アモルファスシリコン中の水素（Ｈ）の含有量は、成膜条件、例えばＣＶＤにおけるガス組成、ガス圧、ガス雰囲気、ガス流量、温度、基板温度、投入パワー等の条件を適宜設定することにより調整することができる。
Ｂ．酸化ケイ素又はケイ酸化合物、酸化チタンまたはチタン酸化合物、酸化ジルコニウムまたはジルコン酸化合物、酸化ランタンまたはランタン酸化化合物等の各種酸化物セラミックス、透電体（強誘電体）あるいは半導体
酸化ケイ素としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｏ₂が挙げられ、ケイ酸化合物としては、例えばＫ₂ＳｉＯ₃、Ｌｉ₂ＳｉＯ₃、ＣａＳｉＯ₃、ＺｒＳｉＯ₄、Ｎａ₂ＳｉＯ₃が挙げられる。
【００２５】
酸化チタンとしては、ＴｉＯ、Ｔｉ₂０₃、Ｔｉ０₂が挙げられ、チタン酸化合物としては、例えば、ＢａＴｉ０₄、ＢａＴｉＯ₃、Ｂａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀、ＢａＴｉ₅Ｏ₁₁、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、ＰｂＴｉＯ₃、ＭｇＴｉＯ₃、ＺｒＴｉＯ₂、ＳｎＴｉＯ₄、Ａｌ₂ＴｉＯ₅、ＦｅＴｉＯ₃が挙げられる。
【００２６】
酸化ジルコニウムとしては、ＺｒＯ₂が挙げられ、ジルコン酸化合物としては、例えばＢａＺｒＯ₃、ＺｒＳｉＯ₄、ＰｂＺｒＯ₃、ＭｇＺｒＯ₃、Ｋ₂ＺｒＯ₃が挙げられる。
Ｃ．ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＰＬＬＺＴ、ＰＢＺＴ等のセラミックスあるいは誘電体（強誘電体）
Ｄ．窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス
Ｅ．有機高分子材料
有機高分子材料としては、−ＣＨ−、−ＣＯ−（ケトン）、−ＣＯＮＨ−（アミド）、−ＮＨ−（イミド）、−ＣＯＯ−（エステル）、−Ｎ＝Ｎ−（アゾ）、ーＣＨ＝Ｎ−（シフ）等の結合（光の照射によりこれらの結合が切断される）を有するもの、特に、これらの結合を多く有するものであればいかなるものでもよい。また、有機高分子材料は、構成式中に芳香族炭化水素（１または２以上のベンゼン環またはその縮合環）を有するものであってもよい。
【００２７】
このような有機高分子材料の具体例としては、ポリエチレン，ポリプロピレンのようなポリオレフィン，ポリイミド，ポリアミド，ポリエステル，ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ），ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ），ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ），エポキシ樹脂等があげられる。
Ｆ．金属
金属としては、例えば、Ａｌ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｓｍまたはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金が挙げられる。
【００２８】
また、第１分離層１２０の厚さは、剥離目的や第１分離層１２０の組成、層構成、形成方法等の諸条件により異なるが、通常は、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度であるのがさらに好ましい。第１分離層１２０の膜厚が小さすぎると、成膜の均一性が損なわれ、剥離にムラが生じることがあり、また、膜厚が厚すぎると、第１分離層１２０の良好な剥離性を確保するために、光のパワー（光量）を大きくする必要があるとともに、後に第１分離層１２０を除去する際に、その作業に時間がかかる。なお、第１分離層１２０の膜厚は、できるだけ均一であるのが好ましい。
【００２９】
第１分離層１２０の形成方法は、特に限定されず、膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。たとえば、ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤを含む）、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング、イオンプレーティング、ＰＶＤ等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート、スプレーコート、ロールコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等が挙げられ、これらのうちの２以上を組み合わせて形成することもできる。なお、液相プロセスについては後述する。
【００３０】
例えば、第１分離層１２０の組成がアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜することができる。
【００３１】
次に、図２に示すように、第１分離層１２０上に、被転写層（薄膜デバイス層）１４０を形成する。
【００３２】
この薄膜デバイス層１４０のＫ部分（図２において１点線鎖線で囲んで示される部分）の拡大断面図を、図２の右側に示す。図示されるように、薄膜デバイス層１４０は、例えば、ＳｉＯ₂膜（中間層）１４２上に形成されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を含んで構成され、このＴＦＴは、ポリシリコン層にｎ型不純物を導入して形成されたソース，ドレイン層１４６と、チャネル層１４４と、ゲート絶縁膜１４８と、ゲート電極１５０と、層間絶縁膜１５４と、例えばアルミニュウムからなる電極１５２とを具備する。
【００３３】
本実施の形態では、第１分離層１２０に接して設けられる中間層としてＳｉＯ₂膜を使用しているが、Ｓｉ₃Ｎ₄などのその他の絶縁膜を使用することもできる。Ｓｉ０₂膜（中間層）の厚みは、その形成目的や発揮し得る機能の程度に応じて適宜決定されるが、通常は、１０nm〜５μm程度であるのが好ましく、４０nm〜１μm程度であるのがより好ましい。中間層は、種々の目的で形成され、例えば、被転写層１４０を物理的または化学的に保護する保護層，絶縁層，導電層，レーザー光の遮光層，マイグレーション防止用のバリア層，反射層としての機能の内の少なくとも１つを発揮するものが挙げられる。
【００３４】
なお、場合によっては、Ｓｉ０₂膜等の中間層を形成せず、第１分離層１２０上に直接被転写層（薄膜デバイス層）１４０を形成してもよい。
【００３５】
被転写層１４０（薄膜デバイス層）は、図２の右側に示されるようなＴＦＴ等の薄膜デバイスを含む層である。
【００３６】
薄膜デバイスとしては、ＴＦＴの他に、例えば、薄膜ダイオードや、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子（光センサ、太陽電池）やシリコン抵抗素子、その他の薄膜半導体デバイス、電極（例：ＩＴＯ、メサ膜のような透明電極）、スイッチング素子、メモリー、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス）、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー等がある。上記の例示に限らず、本発明の趣旨に反しない種々の薄膜デバイスに適用できる。
【００３７】
このような薄膜デバイスは、その形成方法との関係で、通常、比較的高いプロセス温度を経て形成される。したがって、この場合、前述したように、基板１００としては、そのプロセス温度に耐え得る信頼性の高いものが必要となる。
【００３８】
次に、図３に示すように、薄膜デバイス層１４０上に、第２分離層として例えば熱溶融性接着層１６０を形成する。なお、第２分離層は、第１分離層と同様にアブレーション層で構成することもできる。また、一度転写の場合には、この第２分離層は不要である。
【００３９】
この熱溶融性接着層１６０として、薄膜デバイスへの不純物（ナトリウム、カリウムなど）汚染の虞が少ない、例えばプルーフワックス（商品名）などのエレクトロンワックスを挙げることができる。
【００４０】
なお、この種の熱溶融性接着層１６０は液相プロセスである塗布法、例えばスピンコート法により形成することができる。
【００４１】
第２分離層として、水溶性接着剤を用いることもできる。この種の水溶性接着剤として、例えばケミテック株式会社製のケミシールＵ−４５１Ｄ（商品名）、株式会社スリーボンド製のスリーボンド３０４６（商品名）などを挙げることができる。
【００４２】
このように、第２分離層１６０は薄膜デバイス層１４０の形成時には存在しないので、第１分離層１２０の材質よりも制約は少なく、耐熱性などは要求されない。
【００４３】
さらに、図３に示すように、第２分離層である例えば接着層１６０の上に、一次転写体（第１の転写基板）１８０を接着する。この一次転写体１８０は、薄膜デバイス層１４０の製造後に接着されるものであるので、薄膜デバイス層１４０の製造時のプロセス温度などに対する制約はなく、常温時に保型性さえあればよい。本実施の形態ではガラス基板、合成樹脂など、比較的安価で保型性のある材料を用いている。この一次転写体１８０は、詳細を後述する二次転写体（第２の転写基板）２００よりも硬い材料で形成され、薄膜デバイス層１４０を元基板１００から剥離し易い構成となっている。
【００４４】
次に、図４に示すように、基板１００の裏面側から光を照射する。この光は、基板１００を透過した後に第１分離層１２０に照射される。これにより、第１分離層１２０に層内剥離および／または界面剥離が生じ、結合力が減少または消滅する。
【００４５】
第１分離層１２０の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、第１分離層１２０の構成材料にアブレーションが生じること、また、第１分離層１２０に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものであることが推定される。
【００４６】
ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（第１分離層１２０の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、第１分離層１２０の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。
【００４７】
第１分離層１２０が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、第１分離層１２０の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。
【００４８】
照射する光としては、第１分離層１２０に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等が挙げられる。そのなかでも、第１分離層１２０の剥離（アブレーション）を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましい。
【００４９】
このレーザ光を発生させるレーザ装置としては、各種気体レーザ、固体レーザ（半導体レーザ）等が挙げられるが、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ₂レーザ、ＣＯレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が好適に用いられ、その中でもエキシマレーザが特に好ましい。
【００５０】
エキシマレーザは、短波長域で高エネルギーを出力するため、極めて短時間で第１分離層２にアブレーションを生じさせることができ、よって隣接する転写体１８０や基板１００等に温度上昇をほとんど生じさせることなく、すなわち劣化、損傷を生じさせることなく、第１分離層１２０を剥離することができる。
【００５１】
また、第１分離層１２０にアブレーションを生じさせるに際して、光の波長依存性がある場合、照射されるレーザ光の波長は、１００ｎｍ〜３５０ｎｍ程度であるのが好ましい。
【００５２】
図１０に、基板１００の、光の波長に対する透過率の一例を示す。図示されるように、２００ｎｍの波長に対して透過率が急峻に増大する特性をもつ。このような場合には、２１０ｎｍ以上の波長の光例えば、Ｘｅ−Ｃｌエキシマレーザー光（波長３０８ｎｍ）、ＫｒＦレーザ光（波長２４８ｎｍ）などを照射する。
【００５３】
また、第１分離層１２０に、例えばガス放出、気化、昇華等の相変化を起こさせて分離特性を与える場合、照射されるレーザ光の波長は、３５０から１２００ｎｍ程度であるのが好ましい。
【００５４】
また、照射されるレーザ光のエネルギー密度、特に、エキシマレーザの場合のエネルギー密度は、１０〜５０００ｍＪ／ｃｍ²程度とするのが好ましく、１００〜５００ｍＪ／ｃｍ²程度とするのがより好ましい。また、照射時間は、１〜１０００ｎｓｅｃ程度とするのが好ましく、１０〜１００ｎｓｅｃ程度とするのがより好ましい。エネルギー密度が低いかまたは照射時間が短いと、十分なアブレーション等が生じず、また、エネルギー密度が高いかまたは照射時間が長いと、第１分離層１２０を透過した照射光により被転写層１４０に悪影響を及ぼすおそれがある。
【００５５】
なお、第１分離層１２０を透過した照射光が被転写層１４０にまで達して悪影響を及ぼす場合の対策としては、例えば、第１分離層（レーザー吸収層）１２０上にタンタル（Ｔａ）等の金属膜を形成する方法がある。これにより、第１分離層１２０を透過したレーザー光は、金属膜１２４の界面で完全に反射され、それよりの上の薄膜デバイスに悪影響を与えない。あるいは、第１分離層１２０上にシリコン系介在層例えばＳｉＯ₂を介して、シリコン系レーザー吸収層であるアモルファスシリコン層を形成することもできる。こうすると、第１分離層１２０を透過した光は、その上のアモルファスシリコン層にて吸収される。ただしその透過光は、上層のアモルファスシリコン層にて再度アブレーションを生ずるほどの光エネルギーがない。また、金属とは異なり、アモルファスシリコン層上に薄膜デバイス層を形成できるので、既に確立された薄膜形成技術により品質の優れた薄膜デバイス層を形成できる。
【００５６】
レーザ光に代表される照射光は、その強度が均一となるように照射されるのが好ましい。照射光の照射方向は、第１分離層１２０に対し垂直な方向に限らず、第１分離層１２０に対し所定角度傾斜した方向であってもよい。
【００５７】
また、第１分離層１２０の面積が照射光の１回の照射面積より大きい場合には、第１分離層１２０の全領域に対し、複数回に分けて照射光を照射することもできる。また、同一箇所に２回以上照射してもよい。また、異なる種類、異なる波長（波長域）の照射光（レーザ光）を同一領域または異なる領域に２回以上照射してもよい。
【００５８】
次に、図５に示すように、基板１００に力を加えて、この基板１００を第１分離層１２０から離脱させる。図５では図示されないが、この離脱後、基板１００上に第１分離層１２０が付着することもある。
【００５９】
次に、図６に示すように、残存している第１分離層１２０を、例えば洗浄、エッチング、アッシング、研磨等の方法またはこれらを組み合わせた方法により除去する。これにより、被転写層（薄膜デバイス層）１４０が、一次転写体１８０に転写されたことになる。
【００６０】
なお、離脱した基板１００にも第１分離層１２０の一部が付着している場合には同様に除去する。なお、基板１００が石英ガラスのような高価な材料、希少な材料で構成されている場合等には、基板１００は、好ましくは再利用（リサイクル）に供される。すなわち、再利用したい基板１００に対し、本発明を適用することができ、有用性が高い。ここで、一度転写の場合には、本工程が最終工程となり、被転写層１４０の最終転写体１８０への転写が終了する。
【００６１】
次に、図７に示すように、薄膜デバイス層１４０の下面（露出面）に、接着層１９０を介して、二次転写層２００を接着する。
【００６２】
接着層１９０を構成する接着剤の好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤が挙げられる。接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等、いかなるものでもよい。このような接着層１９０の形成は、例えば、塗布法によりなされる。なお、この接着層１９０の材料は、一度転写の場合の被転写層１４０と最終転写層１８０との接着に使用することができる。
【００６３】
前記硬化型接着剤を用いる場合、例えば被転写層（薄膜デバイス層）１４０の下面に硬化型接着剤を塗布し、さらに二次転写体２００を接合した後、硬化型接着剤の特性に応じた硬化方法により前記硬化型接着剤を硬化させて、被転写層（薄膜デバイス層）１４０と二次転写体２００とを接着し、固定する。
【００６４】
接着剤が光硬化型の場合、好ましくは光透過性の二次転写体２００の外側から光を照射する。接着剤としては、薄膜デバイス層に影響を与えにくい紫外線硬化型などの光硬化型接着剤を用いれば、光透過性の一次転写体１８０側から、あるいは光透過性の一次、二次転写体１８０，２００の両側から光照射しても良い。なお、二次転写体２００としては、平板あるいは湾曲板の透明基板が使用される。
【００６５】
二次転写体２００は、前記基板１００に比べ、耐熱性、耐食性等の特性が劣るものであってもよい。その理由は、本発明では、基板１００側に被転写層（薄膜デバイス層）１４０を形成し、その後、被転写層（薄膜デバイス層）１４０を二次転写体２００に転写するため、二次転写体２００に要求される特性、特に耐熱性は、被転写層（薄膜デバイス層）１４０の形成の際の温度条件等に依存しないからである。この点は、一次転写体１８０についても同様である。
【００６６】
したがって、被転写層１４０の形成の際の最高温度をＴmaxとしたとき、一次、二次転写体１８０，２００の構成材料として、ガラス転移点（Ｔｇ）または軟化点がＴmax以下のものを用いることができる。例えば、一次、二次転写体１８０，２００は、ガラス転移点（Ｔｇ）または軟化点が好ましくは８００℃以下、より好ましくは５００℃以下、さらに好ましくは３２０℃以下の材料で構成することができる。
【００６７】
また、一次、二次転写体１８０，２００の機械的特性としては、ある程度の硬さ（剛性、強度）を有するものが好ましいが、可撓性、弾性を有するものであってもよい。また、前述のように二次転写体２００は一次転写体１８０よりも柔らかい、又は剛性が低いものから選択される。
【００６８】
一次転写体と二次転写体との組合せは次のとおりである。一次転写体がガラス（又は石英）であり、二次転写体がプラスチック。両方と合成樹脂である場合には、一次転写体の厚さが二次転写体の厚さより大きい、または一次転写体の材料が二次転写体の材料より硬いか、あるいは剛性が高い。ここで、「硬い」とは、例えば、薄膜デバイスを一次転写体に転写する際、元基板から薄膜デバイスを剥がすことになるが、この時、一次転写体が薄膜デバイスから剥離することなく、元基板と薄膜デバイスとを剥離できる程度の強度、剛性、厚み、材質などを有していることを指す。
【００６９】
なお、この実施形態において、薄膜デバイスを二次転写体に転写する際に、一次転写体及び第２分離層１６０が共に特定の溶剤に溶解することが好ましい。すなわち、一次転写体（第１転写基板）ごと溶剤に溶けるようにすることにより、第２分離層において、薄膜デバイスを一次転写体から確実に分離することが可能となる。従来分離層として水溶性接着剤を使用することがあるが、一次転写体自体は水溶性ではないために、水に臨んでいる水溶性接着剤の端面から徐々にエッチングされるだけである。これでは一次転写体を十分剥離するのにかなりの時間を要するが、転写体自体も分離層と同様に特定溶剤に溶解するものにすれば、分離層の端面ばかりでなくほぼ全面において一次転写体を薄膜デバイスから分離することができる。この時、二次転写基板２００及び接着層１９０を特定溶剤に溶けないようにする。
【００７０】
上記観点から、一次転写体１８０、二次転写体２００の材料、および二次転写時の特定溶剤の好適な組合せは次の表１に示すとおりである。
【００７１】
表１一次転写体、二次転写体、二次転写時溶剤

一次、二次転写体１８０，２００の構成材料としては、両者に硬さの差があれば、各種合成樹脂または各種ガラス材が挙げられ、特に、各種合成樹脂や通常の（低融点の）安価なガラス材が好ましく、これらの材料から一次転写体１８０が二次転写体２００より硬くなる組合せを選択すべきである。
【００７２】
合成樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれでもよく、例えば、ポリエチレン、ポロプロピレン、エチレン−プレピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エボキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば２層以上の積層体として）用いることができる。
【００７３】
ガラス材としては、例えば、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラス等が挙げられる。このうち、ケイ酸ガラス以外のものは、ケイ酸ガラスに比べて融点が低く、また、成形、加工も比較的容易であり、しかも安価であり、好ましい。
【００７４】
二次転写体２００として合成樹脂で構成されたものを用いる場合には、大型の二次転写体２００を一体的に成形することができるとともに、湾曲面や凹凸を有するもの等の複雑な形状であっても容易に製造することができ、また、材料コスト、製造コストも安価であるという種々の利点が享受できる。したがって、合成樹脂の使用は、大型で安価なデバイス（例えば、液晶ディスプレイ）を製造する上で有利である。
【００７５】
なお、二次転写体２００は、例えば、液晶セルのように、それ自体独立したデバイスを構成するものや、例えばカラーフィルター、電極層、誘電体層、絶縁層、半導体素子のように、デバイスの一部を構成するものであってもよい。
【００７６】
さらに、一次、二次転写体１８０，２００は、金属、セラミックス、石材、木材紙等の物質であってもよいし、ある品物を構成する任意の面上（時計の面上、エアコンの表面上、プリント基板の上等）、さらには壁、柱、天井、窓ガラス等の構造物の表面上であってもよい。
【００７７】
次に、図８に示すように、一次転写体、被転写層、及び二次転写体を備えた転写後構造物を特定溶剤に浸すことによって、一次転写体を溶剤に溶かしながら分離層１６０において被転写層を一次転写体から剥離する。第２分離層１６０として上述した水溶性接着剤を用いた場合には、少なくとも第２分離層１６０を含む領域を純水に浸せばよい。
【００７８】
最後に、薄膜デバイス層１４０の表面に付着した第２分離層１６０を除去することで、図９に示すように、二次転写体２００に転写された薄膜デバイス層１４０を得ることができる。ここで、この二次転写体２００に対する薄膜デバイス層１４０の積層関係は、図２に示すように当初の基板１００に対する薄膜デバイス層１４０の積層関係と同じとなる。
【００７９】
以上のような各工程を経て、被転写層（薄膜デバイス層）１４０の二次転写体２００への転写が完了する。その後、被転写層（薄膜デバイス層）１４０に隣接するＳｉＯ₂膜の除去や、被転写層１４０上への配線等の導電層や所望の保護膜の形成等を行うこともできる。
【００８０】
本発明では、被剥離物である被転写層（薄膜デバイス層）１４０自体を直接に剥離するのではなく、第１分離層１２０及び第２分離層１６０において分離して二次転写体２００に転写するため、被分離物（被転写層１４０）の特性、条件等にかかわらず、容易かつ確実に、しかも均一に転写することができ、分離操作に伴う被分離物（被転写層１４０）へのダメージもなく、被転写層１４０の高い信頼性を維持することができる。
【００８１】
次に、図２〜図９の具体的な製造プロセスの例を図１１〜図２１を用いて説明する。
（工程１）
図１１に示すように、基板（例えば石英基板）１００上に、第１分離層（例えば、ＬＰＣＶＤ法により形成されたアモルファスシリコン層））１２０と、中間層（例えば、ＳｉＯ₂膜）１４２と、アモルファスシリコン層（例えばＬＰＣＶＤ法により形成される）１４３とを順次に積層形成し、続いて、アモルファスシリコン層１４３の全面に上方からレーザー光を照射し、アニールを施す。これにより、アモルファスシリコン層１４３は再結晶化してポリシリコン層となる。
（工程２）
続いて、図１２に示すように、レーザーアニールにより得られたポリシリコン層をパターニングして、アイランド１４４ａ，１４４ｂを形成する。
（工程３）
図１３に示されるように、ＣＶＤ法により、アイランド１４４ａ，１４４ｂを含む全面をゲート絶縁膜１４８によって覆う。
（工程４）
図１４に示されるように、ポリシリコンあるいはメタル等からなるゲート電極１５０ａ，１５０ｂを形成する。
（工程５）
図１５に示すように、ポリイミド等からなるマスク層１７０を形成し、ゲート電極１５０ｂおよびマスク層１７０をマスクとして用い、セルフアラインで、例えばボロン（Ｂ）のイオン注入を行う。これによって、ｐ+層１７２ａ，１７２ｂが形成される。
（工程６）
図１６に示すように、ポリイミド等からなるマスク層１７４を形成し、ゲート電極１５０ａおよびマスク層１７４をマスクとして用い、セルフアラインで、例えばリン（Ｐ）のイオン注入を行う。これによって、ｎ+層１４６ａ，１４６ｂが形成される。
（工程７）
図１７に示すように、層間絶縁膜１５４を形成し、選択的にコンタクトホール形成後、電極１５２ａ〜１５２ｄを形成する。
【００８２】
このようにして形成されたＣＭＯＳ構造のＴＦＴが、図２〜図９における被転写層（薄膜デバイス層）１４０に該当する。なお、層間絶縁膜１５４上に保護膜を形成してもよい。
（工程８）
図１８に示すように、ＣＭＯＳ構成のＴＦＴ上に、第２分離層としての熱溶融性接着層１６０を形成する。このとき、ＴＦＴの表層に生じていた段差が、熱溶融性接着剤１６０により平坦化される。なお、第２分離層は、第１分離層と同様にアブレーション層で構成することもでき、あるいは水溶性接着剤を用いることもできる。
【００８３】
ここで、薄膜デバイスであるＴＦＴ上にまず絶縁層などの保護層を形成し、その保護層上に第２分離層を設けることが好ましい。特に、第２分離層をアブレーション層とした場合に、アブレーション時に保護層により薄膜デバイス層を保護することができる。
【００８４】
また、特に第２分離層をアブレーション層にて形成する場合には、その第２分離層自体を第１分離層と同様に多層にて形成することもできる。さらに、この第２分離層と薄膜デバイス層との間に、金属層等の遮光層を設けるとさらに良い。アブレーション時に、薄膜デバイス層に光が入射することを防止できるからである。
【００８５】
この第２分離層形成後に、第２分離層である熱溶融性接着層１６０を介して、ＴＦＴを一次転写体（例えば、ソーダガラス基板）１８０に貼り付ける。
（工程９）
図１９に示すように、基板１００の裏面から、例えば、Ｘｅ−Ｃｌエキシマレーザー光を照射する。これにより、第１分離層１２０の層内および／または界面において剥離を生じせしめる。
（工程１０）
図２０に示すように、基板１００を引き剥がす。
（工程１１）
さらに、第１分離層１２０をエッチングにより除去する。これにより、図２１に示すように、ＣＭＯＳ構成のＴＦＴが、一次転写体１８０に転写されたことになる。
（工程１２）
次に、図２２に示すように、ＣＭＯＳ構成のＴＦＴの下面に、熱溶融性樹脂層１６０よりも硬化点が低い接着層として、例えばエポキシ樹脂層１９０を形成する。次に、そのエポキシ樹脂層１９０を介して、ＴＦＴを合成樹脂からなる二次転写体２００に貼り付ける。続いて、熱を加えてエポキシ樹脂層１９０を硬化させ、二次転写体２００とＴＦＴとを接着（接合）する。
（工程１３）
次に、図２３に示すように例えばオーブン２１０を用いて熱溶融性樹脂層１６０を熱により溶融させ、この熱溶融性樹脂層１６０を境にして、ＴＦＴを一次転写体１８０より引き剥がす。さらに、ＴＦＴの下面に残存している熱溶融性樹脂層１６０を、例えばキシレンなどにより除去する。これにより、図２４に示すように、ＴＦＴが二次転写体２００に転写される。この図２４の状態は、図１７に示す基板１００及び第１分離層１２０を、二次転写体２００及び接着層１９０に置き換えたものと同じとなる。従って、ＴＦＴの製造工程に用いた基板１００に対する積層関係が、二次転写体２００上にて確保される。このため、電極１５２ａ〜１５２ｄが露出され、それへのコンタクトあるいは配線を容易に行うことができる。なお、図２４の状態とした後に、その表層に保護層を形成しても良い。
【００８６】
図２５は本発明に係る薄膜デバイスの転写方法の第２の実施の形態を示す図であり、第１の実施の形態における工程８（図８）に対応した図である。
【００８７】
図２５において、一次転写体１８０上に第２分離層１６０、薄膜デバイス層１４０、接着層１９０、二次転写体２００が形成された状態において、一次転写体１８０を溶剤によって溶融除去する。この溶融除去を可能とするための、一次転写体１８０、二次転写体２００の材料、および二次転写時の溶剤の組合せ例は既述の表に示すとおりである。なお一次転写体１８０を溶融除去する場合には第２分離層１６０を省略することも可能である。
【００８８】
第１実施形態の一次転写体剥離は、一次転写体の面積が大きくなると剥離が容易でなくなるが、第２実施形態のように溶融除去ではこのような問題はない。
【００８９】
【実施例】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
（実施例１）
縦５０mm×横５０mm×厚さ１．１mmの石英基板（軟化点：１６３０℃、歪点：１０７０℃、エキシマレーザの透過率：ほぼ１００％）を用意し、この石英基板の片面に、第１分離層（レーザ光吸収層）として非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を低圧ＣＶＤ法（Ｓｉ_２Ｈ₆ ガス、４２５℃）により形成した。第１分離層の膜厚は、１００nmであった。
【００９０】
次に、第１分離層上に、中間層としてＳｉＯ₂ 膜を形成した。このＳｉＯ₂ 膜の形成に液相プロセスを用いた。すなわち、東燃株式会社のポリシラザン（商品名）をキシレンに混合して、基板上にスピン塗布し、この塗布膜を、水蒸気を含む雰囲気で熱処理することでＳｉＯ₂膜に転化させた。この中間層の膜厚は、２００nmであった。
【００９１】
次に、中間層上に、被転写層として膜厚５０nmの非晶質シリコン膜を低圧ＣＶＤ法（Ｓｉ₂ Ｈ₆ ガス、４２５℃）により形成し、この非晶質シリコン膜にレーザ光（波長３０８nm）を照射して、結晶化させ、ポリシリコン膜とした。その後、このポリシリコン膜に対し、所定のパターンニングを施し、薄膜トランジスタのソース・ドレイン・チャネルとなる領域を形成した。この後、中間層ＳｉＯ₂と同様の液相プロセスを用いて上記ポリシラザンからなるゲート絶縁膜ＳｉＯ₂を形成した。その後、ゲート絶縁膜上にゲート電極を液相プロセスにて形成した。このために、旭電化工業株式会社製の商品名：アデカＩＴＯ塗布膜／ＩＴＯ−１０３Ｌを液状とした塗布液をスピンコートし、これを上述の第１，第２の熱処理部６０３Ａ，６０３Ｂにて熱処理して塗布ＩＴＯ膜を形成した。
その後、塗布ＩＴＯ膜上に金属メッキ層を形成した。そして、塗布ＩＴＯ膜及び金属メッキ層をパターニングしてゲート電極を形成した。このゲート電極をマスクとしてイオン注入することによって、自己整合的（セルファライン）にソース・ドレイン領域を形成し、薄膜トランジスタを形成した。この後、必要に応じて、ソース・ドレイン領域に接続される電極及び配線、ゲート電極につながる配線が形成される。これらの電極や配線も、ゲート電極と同様にして同一材料により液相プロセスを用いて形成した。
【００９２】
次に、前記薄膜トランジスタの上に、アセトン溶解性接着剤を塗布し、一次転写体として縦２００mm×横３００mm×厚さ１．１mmの大型の透明な塩化ビニル樹脂基板を接合した。
【００９３】
次に、Ｘｅ−Ｃｌエキシマレーザ（波長：３０８nm）を石英基板側から照射し、第１分離層に剥離（層内剥離および界面剥離）を生じさせた。照射したＸｅ−Ｃｌエキシマレーザのエネルギー密度は、２５０mJ/cm²、照射時間は、２０nsecであった。なお、エキシマレーザの照射は、スポットビーム照射とラインビーム照射とがあり、スポットビーム照射の場合は、所定の単位領域（例えば８mm×８mm）にスポット照射し、このスポット照射を単位領域の１／１０程度ずつずらしながら照射していく。また、ラインビーム照射の場合は、所定の単位領域（例えば３７８mm×０．１mmや３７８mm×０．３mm（これらはエネルギーの９０％以上が得られる領域））を同じく１／１０程度ずつずらしながら照射していく。これにより、第１分離層の各点は少なくとも１０回の照射を受ける。このレーザ照射は、石英基板全面に対して、照射領域をずらしながら実施される。
【００９４】
この後、石英基板と一次転写体とを第１分離層において引き剥がし、石英基板上に形成された薄膜トランジスタおよび中間層を、一次転写体に一次転写した。
【００９５】
その後、中間層の表面に付着した第１分離層を、エッチングや洗浄またはそれらの組み合わせにより除去した。また、石英基板についても同様の処理を行い、再使用に供した。
【００９６】
さらに、露出した中間層の下面に、紫外線硬化型接着剤を塗布し（膜厚：１００μm ）、さらにその塗膜に、二次転写体として縦２００mm×横３００mm×厚さ１．１mmの大型の透明なフッ素樹脂基板を接合した後、紫外線を照射して接着剤を硬化させ、これらを接着固定した。
【００９７】
その後、アセトンに浸して、一次転写体を除去した。これにより、薄膜トランジスタおよび中間層を、二次転写体であるフッ素樹脂基板側に二次転写した。なお、一次転写体の硬度は二次転写体の硬度より高くなるように、両者の厚さに差を設けた。
【００９８】
ここで、一次転写体が石英基板より大きな基板であれば、本実施例のような石英基板からの一次転写を、平面的に異なる領域に繰り返して実施し、一次転写体上に、石英基板に形成可能な薄膜トランジスタの数より多くの薄膜トランジスタを形成することができる。さらに、一次転写体上に繰り返し積層し、同様により多くの薄膜トランジスタを形成することができる。あるいは、二次転写体となる基板を、一次転写体及び石英基板よりも大型基板とし、二次転写を繰り返し実施して、石英基板に形成可能な薄膜トランジスタの数より多くの薄膜トランジスタを形成することもできる。
【００９９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、２度転写技術を利用した薄膜デバイスの転写・製造方法において、第２の転写基板に優先させて第１の転写基板から被転写層を剥離又は分離することができる薄膜デバイスの転写・分離技術を提供することができる。
【０１００】
さらに、本発明によれば、２度転写技術において、剥離層で転写体が被転写層から十分に剥離可能な薄膜デバイスの転写・分離技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の薄膜デバイスの製造方法の第１の実施の形態における第１の工程を示す断面図である。
【図２】本発明の薄膜デバイスの製造方法の第１の実施の形態における第２の工程を示す断面図である。
【図３】本発明の薄膜デバイスの製造方法の第１の実施の形態における第３の工程を示す断面図である。
【図４】本発明の薄膜デバイスの製造方法の第１の実施の形態における第４の工程を示す断面図である。
【図５】本発明の薄膜デバイスの製造方法の第１の実施の形態における第５の工程を示す断面図である。
【図６】本発明の薄膜デバイスの製造方法の第１の実施の形態における第６の工程を示す断面図である。
【図７】本発明の薄膜デバイスの製造方法の第１の実施の形態における第７の工程を示す断面図である。
【図８】本発明の薄膜デバイスの製造方法の第１の実施の形態における第８の工程を示す断面図である。
【図９】本発明の薄膜デバイスの製造方法の第１の実施の形態における第９の工程を示す断面図である。
【図１０】第１の基板（図１の基板１００）のレーザー光の波長に対する透過率の変化を示す図である。
【図１１】図２の薄膜デバイスを形成するための第１の工程を示す断面図である。
【図１２】図２の薄膜デバイスを形成するための第２の実施の形態における第２の工程を示す断面図である。
【図１３】図２の薄膜デバイスを形成するための第３の工程を示す断面図である。
【図１４】図２の薄膜デバイスを形成するための第４の工程を示す断面図である。
【図１５】図２の薄膜デバイスを形成するための第５の工程を示す断面図である。
【図１６】図２の薄膜デバイスを形成するための第６の工程を示す断面図である。
【図１７】図２の薄膜デバイスを形成するための第７の工程を示す断面図である。
【図１８】図３の工程を具体的構造にて説明する第８の工程の断面図である。
【図１９】図４の工程を具体的構造にて説明する第９の工程の断面図である。
【図２０】図５の工程を具体的構造にて説明する第１０の工程の断面図である。
【図２１】図６の工程を具体的構造にて説明する第１１の工程の断面図である。
【図２２】図７の工程を具体的構造にて説明する第１２の工程の断面図である。
【図２３】図８の工程を具体的構造にて説明する第１３の工程の断面図である。
【図２４】図９の工程を具体的構造にて説明する第１４の工程の断面図である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜デバイスの製造方法における二次転写（第一実施形態の工程８（図８）に対応）の状態を示す断面図である。

Claims

元基板上に第１分離層を形成する第１工程と、前記第１分離層上に複数の薄膜から成る、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタを含む被転写層を形成する第２工程と、前記被転写層上に第１の転写基板を接合する第３工程と、前記第１分離層を境にして、前記被転写層を前記元基板から剥離する第４工程と、前記被転写層の下側に第２の転写基板を接合する第５工程と、前記第１の転写基板を特定の溶剤に溶解除去しながらこの第１の転写基板から剥離して、前記被転写層を前記第２の転写基板に転写する第６工程と、を有し、
前記第１の転写基板の材料はアクリル樹脂であり、前記第２の転写基板の材料はポリエチレンであり、前記溶剤はＩＰＡであることを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
元基板上に第１分離層を形成する第１工程と、前記第１分離層上に複数の薄膜から成る、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタを含む被転写層を形成する第２工程と、前記被転写層上に第１の転写基板を接合する第３工程と、前記第１分離層を境にして、前記被転写層を前記元基板から剥離する第４工程と、前記被転写層の下側に第２の転写基板を接合する第５工程と、前記第１の転写基板を特定の溶剤に溶解除去しながらこの第１の転写基板から剥離して、前記被転写層を前記第２の転写基板に転写する第６工程と、を有し、
前記第１の転写基板の材料は塩化ビニル樹脂またはポリエーテルスルホンであり、前記第２の転写基板の材料はフッ素樹脂であり、前記溶剤はアセトンであることを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
前記第１の転写基板を前記第２の転写基板よりも硬いものから選択してなる請求項１または請求項２のいずれかに記載の薄膜デバイスの製造方法。
前記薄膜デバイスを構成する前記複数の薄膜及び前記第１，第２分離層の少なくとも一層の薄膜を、該薄膜の構成成分を含む液体が塗布された後に固化される液相プロセスを用いて形成する請求項１から請求項３のいずれかに記載の薄膜デバイスの製造方法。