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JP4475312B2 - 液晶表示装置及び電子機器 - Google Patents

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Description

本発明はバックライト等を有する液晶表示装置及び電子機器に関するものである。詳し
くは、液晶表示パネル内に環境光を検知する光検出部を形成してここで検出された環境光
の強さに応じて自動的に照光手段の明るさを制御する際に、光検出部に付随する各種配線
の本数を減らして配線スペースを小さくした液晶表示装置及び電子機器に関するものであ
る。
近年の情報通信機器のみならず、一般の電気機器においても液晶表示装置の適用が急速
に普及している。液晶表示パネルは自ら発光しないために、照光手段としてのバックライ
トと組み合わされた透過型液晶表示装置が多く使用されているが、携帯型のものについて
は、消費電力を減少させるために、バックライトを必要としない反射型の液晶表示装置が
多く用いられている。しかし、この反射型液晶表示装置は、環境光を照光手段として用い
るので暗い室内などでは見えにくくなってしまうために、照光手段としてフロントライト
を使用した反射型液晶表示装置や、透過型と反射型の性質を併せ持つ半透過型の液晶表示
装置の開発が進められてきている。
このような照光手段としてフロントライトを使用した反射型液晶表示装置は、暗い場所
においてはフロントライトを点灯させて画像を表示し、明るい場所ではフロントライトを
点灯することなく環境光を利用して画像を表示することができる。また、半透過型液晶表
示装置は、暗い場所においては照光手段としてバックライトを点灯して画素領域の透過部
を利用して画像を表示し、明るい場所においてはバックライト等を点灯することなく反射
部において環境光を利用して画像を表示することができる。そのため、これらの反射型な
いし半透過型液晶表示装置においては、常時フロントライトやバックライト等の照光手段
を点灯する必要がなくなるので、消費電力を大幅に低減させることができるという利点を
有している。
加えて、透過型液晶表示装置においては、暗い場所ではバックライトの明るさを落とし
ても明確に画像を確認できるが、明るい場所ではバックライトの明るさを強くしない画像
は視認し難いという特徴を有している。
上述のように、各種の液晶表示装置は、環境光の強さにより液晶表示画面の見えやすさ
が異なる。このため、光検出器を液晶表示装置に設け、この光検出器の出力によって環境
光の明暗を検出し、この光検出器による検出結果に基づいて照光手段の明るさを制御する
発明が知られている（下記特許文献１〜３参照）。
例えば、下記特許文献１には、光検出器として液晶表示パネルの基板上に光検出用のＴ
ＦＴを作成し、このＴＦＴの光リーク電流を検出するＴＦＴ光センサを用いることにより
、周囲の明るさに応じてバックライトを自動的にオン／オフさせるようにした液晶表示装
置が開示されている。また、下記特許文献２には、光検出器としてフォトダイオードを使
用し、周囲の明るさに応じてバックライトとしての発光ダイオードに温度補償した電流を
供給するようにした液晶表示装置が開示されている。さらに、下記特許文献３には、バッ
クライトないし機器の動作表示手段として使用されている発光ダイオードを光検出器とし
て兼用し、周囲の明るさに応じた発光ダイオードの起電力に基づいてバックライトの点灯
を制御するようにした携帯端末の発明が開示されている。
一方、上述のように環境光の強さによって照光手段の明るさを制御する場合、例えば手
などで一時的に遮光してしまった場合など、誤って環境光が弱くなったものと判断して誤
動作してしまうことがある。そのため、下記特許文献４には、液晶表示装置に複数個の光
検出器を設けて、これらの複数の光検出器の出力が同程度に変化した場合にのみバックラ
イト等の調光が可能となるようにした液晶表示装置のバックライト調光法の発明が開示さ
れている。また、下記特許文献５には、液晶表示装置に複数個の光検出器を設けて、これ
らの光検出器の過半数が変化した場合にのみバックライト等の調光が可能となるようにし
た液晶表示装置等の発明が開示されている。
特開２００２−１３１７１９号公報（特許請求の範囲、段落［００１０］〜［００１３］、図１） 特開２００３−２１５５３４号公報（特許請求の範囲、段落［０００７］〜［００１９］、図１〜図３） 特開２００４−００７２３７号公報（特許請求の範囲、段落［００２３］〜［００２８］、図１） 特開２００５−１２１９９７号公報（特許請求の範囲、段落［００３６］〜［００４７］、図４、図５） 特開２００７−０９４０９７号公報（特許請求の範囲、段落［００１９］〜［００２１］、［００２９］〜［００３２］、図２、図３）
上記特許文献４及び５に開示されている発明では、複数の光検出器としてフォトダイオ
ードやフォトトランジスタ等のアナログ出力型のものを使用し、これらの複数の光検出器
の出力を演算処理し、その演算結果に基づいてバックライト等の調光が可能な状態となる
ようにしている。このようなアナログ出力型の光検出器の出力は、出力電圧値ないし出力
電流値が環境光の強さと直接相関があるために、環境光の強さが所定値以上であるか否か
は容易に判断することができる。
ところで、上記特許文献１に開示されている発明で採用されているＴＦＴ光センサは、
ＴＦＴ光センサの出力電圧が所定電圧値になるまでの時間と環境光の強さとが相関関係に
ある。このようなＴＦＴ光センサを用いた場合、環境光の強さを検知するには本来デジタ
ル演算処理が必要となる。このＴＦＴ光センサの動作原理及び一般的な検知回路を図面を
用いて説明する。
なお、図１３はＴＦＴ光センサの電圧−電流曲線の一例を示す図である。図１４はＴＦ
Ｔ光センサの作動回路図である。また、図１５は明るさが異なる場合の図１４に示した回
路図におけるコンデンサの両端の電圧−時間曲線を示す図である。
ＴＦＴ光センサは、実質的にアクティブマトリクス型液晶表示パネルのスイッチング素
子として用いられているＴＦＴと同一の構成を備えている。そのために、アクティブマト
リクス型液晶表示パネルのＴＦＴ形成時に同時にＴＦＴ光センサを形成できるという利点
を有している。このＴＦＴ光センサＬＳは、図１３に示したように、遮光されている場合
にはゲートオフ領域で非常に僅かな暗電流が流れているが、チャネル部に光が当たるとそ
の光の強さ（明るさ）に応じて漏れ電流が大きくなるという特性を有している。
そこで、図１４に示したように、ＴＦＴ光センサＬＳの受光部のＴＦＴのゲート電極Ｇ
Ｌにゲートオフ領域となる一定の逆バイアス電圧（例えば−１０Ｖ）を印加し、ドレイン
電極ＤＬとソース電極ＳＬとの間にコンデンサＣを並列に接続する。そしてドレイン電極
ＤＬとコンデンサＣの一端をアース電位に接続する。この状態で一定の基準電圧Ｖｓ（例
えば＋２Ｖ）をスイッチ素子Ｓ１をオンにしてコンデンサＣの両端に印加した後、スイッ
チ素子Ｓ１をオフにすると、コンデンサＣの両端の電圧はＴＦＴ光センサＬＳの周囲の明
るさに応じて図１５に示したように時間とともに低下する。
したがって、このＴＦＴ光センサＬＳでは、スイッチ素子Ｓ１をオフにしてから予め定
めた所定電圧Ｖ０になるまでの時間が環境光の強さと反比例し、更には、予め定めた所定
時間ｔ０後のコンデンサＣの両端の電圧と環境光の強さとが反比例する。そのため、これ
らのスイッチ素子Ｓ１をオフにしてから予め定めた所定電圧Ｖ０になるまでの時間、ある
いは、予め定めた所定時間ｔ０後のコンデンサＣの両端の電圧を測定すれば、環境光の強
さを求めることができることになる。
そこで、一般的にはスイッチ素子Ｓ１のオン／オフに同期したサンプリングホールド回
路によってアナログ出力電圧に変換し、このアナログ出力電圧をＡ／Ｄ変換器によってデ
ジタル変換した後にデジタル演算処理することにより、環境光の強さが所定値以上である
か否かが判断されている。
ところで、上記特許文献４及び５に開示された発明において、環境光を検出する光検出
器を複数設けたものが開示されていることは既に述べたが、複数個の光検出器を必ずしも
同一環境・同一条件で使用するとは限らない。例えば、このようなＴＦＴ光センサを用い
る場合には、環境光の強さを判断するための基準となる電圧値を有している必要がある。
この基準電圧値は予め設定されている場合もあるが、実際にＴＦＴ光センサのいくつかを
遮光することで基準電圧を検出することも行われている。また、ＴＦＴ光センサの分光感
度特性は、人間の視感度とは必ずしも一致しないため、このＴＦＴ光センサの分光感度特
性をより人間の視感度に近い形にするために、ＴＦＴ光センサのいくつかをカラーフィル
タ層で被覆することで、環境光を複合的に判断することも行われている。
しかしながら、このように系統の異なる複数個のＴＦＴ光センサを使用する場合には、
系統毎に複数本の配線が用いられることになるため、この配線を形成する配線領域が大き
くなってしまう。このように配線領域が大きくなると、ＴＦＴ光センサの配線は液晶表示
パネルの額縁領域に形成されるため、この額縁領域の面積も比例して大きくする必要があ
る。しかし、特に携帯電話機等に使用される小型の液晶表示装置においては、液晶表示パ
ネルの狭額縁化の要求は年々高まっているため、上述のように額縁領域が大きくなること
は好ましくない。
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであって、本発明の目的は、複数系統の光セン
サを搭載した液晶表示装置であっても、この光センサに接続される各種配線を形成する領
域を小さく抑えて額縁領域の大型化を抑制した液晶表示装置及びこの液晶表示装置を備え
る電子機器を提供することである。
上記目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、液晶表示パネルと、該液晶表示パネルに組み込まれて外光を検出する薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」という）からなる複数のＴＦＴ光センサを有する光検出部と、前記液晶表示パネルを照光する照光手段と、前記光検出部に接続された検出回路と、該検出回路の出力に基づいて前記照光手段の明るさを制御する制御手段と、を備えた液晶表示装置において、前記複数のＴＦＴ光センサは異なる系統の光を検出する第１、第２ＴＦＴ光センサからなり前記第１、第２ＴＦＴ光センサはそれぞれ複数個の光センサで形成されており、前記第１ＴＦＴ光センサと前記第２ＴＦＴ光センサとは互いに隣接して平行に配列されており、前記第１ＴＦＴ光センサ及び第２ＴＦＴ光センサのソース配線またはドレイン配線のうち、前記検出回路に接続されていない配線同士は単一の配線により形成され、かつ、前記第１ＴＦＴ光センサと第２ＴＦＴ光センサとの間に引回され、前記検出回路に接続された他方の配線は、前記平行に配列された第１、第２ＴＦＴ光センサの外側に引回されていることを特徴とする。
上記発明によれば、複数の系統の光を検出する光検出部において、系統の異なる第１、
第２ＴＦＴ光センサの検出回路に接続されていない配線を、単一の引回し配線によって形
成するので、複数の系統の光を検出する際に、従来のように系統毎に別々の引回し配線を
配線する必要がなくなる。したがって、光検出部に配線される引回し配線の本数を削減す
ることが可能となり、この引回し配線を設けるためのスペースを小さくすることが可能と
なる。したがって、液晶表示パネルを狭額縁化することが可能となり、小型の電子機器に
好適な液晶表示装置を提供することが可能となる。
上記発明によれば、第１、第２ＴＦＴ光センサが隣接して配置されるので、両者間の温
度差が小さくなり、ほとんど同一の環境下で光検出を行うことができる。また、これらの
第１、第２ＴＦＴ光センサを隣接して形成するので、同特性のＴＦＴから形成することが
可能となる。
上記発明によれば、第１、第２ＴＦＴ光センサを平行に設け、検出回路に接続されてい
ない配線を第１、第２ＴＦＴ光センサの間に形成することにより、最も単純な配線構造で
検出回路に接続されていない配線の単一配線化を実現することが可能となる。
また、上記発明において、液晶表示パネルと、該液晶表示パネルに組み込まれて外光を検出する薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」という）からなる複数のＴＦＴ光センサを有する光検出部と、前記液晶表示パネルを照光する照光手段と、前記光検出部に接続された検出回路と、該検出回路の出力に基づいて前記照光手段の明るさを制御する制御手段と、を備えた液晶表示装置において、
前記複数のＴＦＴ光センサは異なる系統の光を検出する第１、第２ＴＦＴ光センサからなり、前記第１ＴＦＴ光センサ及び第２ＴＦＴ光センサのソース配線またはドレイン配線のうち、前記検出回路に接続されていない配線同士が単一の配線により形成され、前記第１、第２ＴＦＴ光センサはそれぞれ複数個の光センサで形成されており、前記第１ＴＦＴ光センサと前記第２ＴＦＴ光センサとは同列上に交互に配列されていることが好ましい。
また、上記発明において、前記交互に配列された第１、第２ＴＦＴ光センサのそれぞれ
のソース配線又はドレイン配線のうち、前記検出回路に接続された配線は、前記第１、第
２ＴＦＴ光センサの一側部に引回されており、前記検出回路に接続されていない配線は、
前記第１、第２ＴＦＴ光センサの他側部に引回されていると好ましい。
上記発明によれば、第１ＴＦＴ光センサを構成する複数の光センサと第２ＴＦＴ光セン
サを構成する複数の光センサとが一列に且つ交互に配設されるので、第１、第２ＴＦＴ光
センサを広範囲に配置することができ、障害物によって部分的に環境光が遮られたとして
も誤認識がなされ難くなる。また、光センサを一列に配設できるため、光検知部の額縁領
域の幅方向に対応する長さを短くできるので、液晶表示パネルの第１、第２ＴＦＴ光セン
サが形成される辺の幅も小さくでき、より液晶表示装置の小型化が可能となる。
また、上記発明において、前記交互に配列された第１、第２ＴＦＴ光センサのそれぞれ
のソース配線又はドレイン配線のうち、前記検出回路に接続された配線は、第１、第２配
線で構成されており、前記第１配線が前記第１、第２ＴＦＴ光センサの一側部に引回され
、前記第２配線が前記第１、第２ＴＦＴ光センサの他側部に引回されており、前記検出回
路に接続されていない配線は、前記第１、第２ＴＦＴ光センサを構成する光センサ同士の
間を蛇行するように引回されていると好ましい。
上記発明によれば、検出回路に接続されていない配線を一列に配列された各光センサ間
を蛇行するように引回しているので、検出回路に接続された第１、第２配線と検出回路に
接続されていない配線とを重畳させることなく配線することが可能となる。したがって、
光センサ毎に同一の条件で光検出を行うことができるようになり、より高精度で外光（環
境光ともいう）の検出を行うことが可能となる。
また、上記発明において、前記第１、第２ＴＦＴ光センサの少なくとも一方は遮光層又
は所定色のカラーフィルタ層で覆われていると好ましい。
上記発明によれば、例えば第２ＴＦＴ光センサを遮光層で被覆すれば、第２ＴＦＴ光セ
ンサの出力は暗基準電圧として使用することができるので、より高精度の制御が可能とな
る。また、例えば第１ＴＦＴ光センサを特定の色のカラーフィルタ層、例えばユーザの視
感度に近い分光感度特性を備えたカラーフィルタ層で被覆すれば、よりユーザフレンドリ
ーな制御を実現することが可能となる。
また、上記発明において、前記複数のＴＦＴ光センサは、前記液晶表示パネルの製造工
程においてスイッチング素子として形成されるＴＦＴと同時に形成されていると好ましい
。
上記発明によれば、光センサを形成するために別途製造工程を増加させる必要がないの
で、安価且つ簡単に製造することが可能となる
本発明の電子機器は、上述した液晶表示装置を備えたことを特徴とする。
上記発明によれば、額縁領域を小さくすることが可能な液晶表示装置を備えているので
、特に小型の携帯端末に好適な電子機器を提供することが可能となる。
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の液晶表示装置及び電子機器の技術思想を具体化するために半透過型液晶表示
装置を例示したものであって、本発明をこの半透過型液晶表示装置に特定することを意図
するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のもの、例えば透過型あ
るいは反射型の液晶表示装置であっても等しく適応し得るものである。
図１は本発明の実施例１に係る半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して
表しアレイ基板を模式的に示した平面図である。図２は図１のアレイ基板の１画素分の平
面図である。図３は図２のIII−III線で切断した断面図である。図４は本発明の光検出部
を拡大して示す平面図である。図５は図４に示す光検出部の等価回路図である。図６は図
４のVI−VI線で切断した断面図である。図７は図４のVII−VII線で切断した断面図である
。
液晶表示装置１Ａは、図１に示すように、互いに対向配置される矩形状の透明絶縁材料
、例えばガラス板からなる透明基板２上に種々の配線等を施してなるアレイ基板ＡＲと、
同様に矩形状の透明絶縁材料からなる透明基板１０上に種々の配線等を施してなるカラー
フィルタ基板ＣＦとを有し、アレイ基板ＡＲは、カラーフィルタ基板ＣＦと対向配置させ
たときに所定スペースの張出し部２Ａが形成されるようにカラーフィルタ基板ＣＦよりサ
イズが大きいものが使用され、これらアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦの外周
囲にシール材（図示省略）が貼付されて、内部に液晶１４及びスペーサが封入された構成
となっている。
アレイ基板ＡＲは、それぞれ対向する短辺２ａ、２ｂ及び長辺２ｃ、２ｄを有し、一方
の短辺２ｂ側が張出し部２Ａとなっており、この張出し部２Ａにソースドライバ及びゲー
トドライバ用の半導体チップＤｒが搭載され、他方の短辺２ａ側に光検出部ＬＤ１が配設
されている。また、アレイ基板ＡＲの背面には照光手段としてのバックライト（図示省略
）が設けられている。このバックライトは光検出部ＬＤ１の出力に基づいて、図示しない
外部制御回路（制御手段）によって制御される。
このアレイ基板ＡＲは、その対向面、すなわち液晶と接触する面に、図１の行方向（横
方向）に所定間隔をあけて配列された複数本のゲート線ＧＷと、これらのゲート線ＧＷと
絶縁され列方向（縦方向）に配列された複数本のソース線ＳＷとを有し、これらのソース
線ＳＷとゲート線ＧＷとがマトリクス状に配線され、互いに交差するゲート線ＧＷとソー
ス線ＳＷとで囲まれる各領域に、ゲート線ＧＷからの走査信号によってオン状態となるス
イッチング素子としてのＴＦＴ（図２参照）及びソース線ＳＷからの映像信号がスイッチ
ング素子を介して供給される画素電極２６（図３参照）が形成されている。
これらのゲート線ＧＷとソース線ＳＷとで囲まれる各領域は、いわゆる画素を構成し、
これらの画素が形成されたエリアが表示領域ＤＡとなっている。また、スイッチング素子
には例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が使用される。
各ゲート線ＧＷ及び各ソース線ＳＷは、表示領域ＤＡの外、すなわち額縁領域へ延出さ
れて表示領域ＤＡ外の外周辺の領域に引回されてＬＳＩ等の半導体チップから構成される
ドライバＤｒに接続されている。また、アレイ基板ＡＲは、一方の長辺２ｄ側に光検出部
ＬＤ１の第１、第２ＴＦＴ光センサＬＳ１、ＬＳ２から導出された引回し配線Ｌ１〜Ｌ４
が配線されて外部制御回路が接続される端子Ｔ１〜Ｔ４に接続されている。各端子Ｔ１〜
Ｔ４には外部制御回路が接続されており、この制御回路から光検出部ＬＤ１へ基準電圧、
ゲート電圧等が供給され、さらに光検出部ＬＤ１からの出力が送出される。なお、引回し
配線Ｌ１は検出回路に接続された第１配線としての第１ソース線を、引回し配線Ｌ２は検
出回路に接続された第２配線としての第２ソース線を、引回し配線Ｌ３は検出回路に接続
されていない配線としてのドレイン線を、引回し配線Ｌ４はゲート線をそれぞれ構成して
いる。
次に各画素の具体的構成について主に図２及び図３を参照して説明する。
アレイ基板ＡＲの透明基板２上の表示領域ＤＡには、ゲート線ＧＷが等間隔に平行にな
るように形成され、更にこのゲート線ＧＷからスイッチング素子を構成するＴＦＴのゲー
ト電極Ｇが延設されている。また、この隣り合うゲート線ＧＷ間の略中央にはゲート線Ｇ
Ｗと平行になるように補助容量線１６が形成され、この補助容量線１６には補助容量線１
６よりも幅広となされた補助容量電極１７が形成されている。
また、透明基板２の全面に、ゲート線ＧＷ、補助容量線１６、補助容量電極１７及びゲ
ート電極Ｇを覆うようにして窒化ケイ素や酸化ケイ素などの透明絶縁材料からなるゲート
絶縁膜１８が積層されている。そして、ゲート電極Ｇの上にゲート絶縁膜１８を介してａ
−Ｓｉ等からなる半導体層１９が形成されている。また、ゲート絶縁膜１８上に複数のソ
ース線ＳＷがゲート線ＧＷと交差するようにして形成され、このソース線ＳＷから半導体
層１９と接触するようにＴＦＴのソース電極Ｓが延設され、更に、ソース線ＳＷ及びソー
ス電極Ｓと同一の材料からなるドレイン電極Ｄが同じく半導体層１９と接触するようにゲ
ート絶縁膜１８上に設けられている。
ここで、ゲート線ＧＷとソース線ＳＷとに囲まれた領域が１画素に相当する。そしてゲ
ート電極Ｇ、ゲート絶縁膜１８、半導体層１９、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによって
スイッチング素子となるＴＦＴが構成される。このＴＦＴはそれぞれの画素に形成される
。この場合、ドレイン電極Ｄと補助容量電極１７によって各画素の補助容量を形成するこ
とになる。
これらのソース線ＳＷ、ＴＦＴ、ゲート絶縁膜１８を覆うようにして透明基板２の全面
にわたり例えば無機絶縁材料からなる保護絶縁膜（パッシベーション膜ともいわれる）２
０が積層され、この保護絶縁膜２０上に例えばネガ型の感光材料を含むアクリル樹脂等か
らなる層間膜（平坦化膜ともいわれる）２１が透明基板２の全体にわたり積層されている
。この層間膜２１の表面は、反射部２２においては微細な凹凸が形成されており、透過部
２３においては平らになされている。なお、図２及び図３においては反射部２２における
凹凸は図示を省略している。
そして、反射部２２の層間膜２１の表面にはスパッタリング法によって例えばアルミニ
ウムないしアルミニウム合金製の反射板２４が形成されており、保護絶縁膜２０、層間膜
２１及び反射板２４にはＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２５
が形成されている。
更に、それぞれの画素において、反射板２４の表面、コンタクトホール２５内及び透過
部２３の層間膜２１の表面には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）ないしＩＺＯ（Indi
um Zinc Oxide）からなる画素電極２６が形成され、この画素電極２６の更に上層に全て
の画素を覆うように配向膜（図示せず）が積層されている。
また、カラーフィルタ基板ＣＦは、ガラス基板等からなる透明基板１０の表面に、アレ
イ基板ＡＲのゲート線ＧＷ及びソース線ＳＷに対向するように遮光層（図示省略）が形成
され、この遮光層に囲まれたそれぞれの画素に対応して例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、
青色（Ｂ）からなるカラーフィルタ層２７が設けられている。更に、反射部２２に対応す
る位置のカラーフィルタ層２７の表面にはトップコート層２８が形成されており、このト
ップコート層２８の表面及び透過部２３に対応する位置のカラーフィルタ層２７の表面に
は共通電極２９及び配向膜（図示せず）が積層されている。なお、カラーフィルタ層２７
としては、更にシアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）等のカラーフィルタ層を
適宜に組み合わせて使用する場合もあり、モノクロ表示用の場合にはカラーフィルタ層を
設けない場合もある。
そして、上述した構成を備えるアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦがシール材
（図示せず）を介して貼り合わされ、最後にこの両基板とシール材とによって囲まれた領
域に液晶１４が封入されることにより、半透過型液晶表示装置１Aを得ることができる。
なお、透明基板２の下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバ
ックライトないしはサイドライトを配置される。
この場合、反射板２４を画素電極２６の下部全体に亘って設けると反射型液晶表示パネ
ルが得られるが、この反射型液晶表示パネルを使用した反射型液晶表示装置の場合は、バ
ックライトないしはサイドライトに代えて、フロントライトが使用される。
次に光検出部ＬＤ１の構成について、図１及び図４〜図７を用いて詳細に説明する。な
お、図４及び図６においては、光センサ３０１〜３０６を合計６つのみ示しているが、こ
の光センサ３０１〜３０６の数は６つに限定されることなく、２つ以上であれば適宜その
数を変更することが可能である。
光検出部ＬＤ１は、図１及び図４に示すように、第１ＴＦＴ光センサＬＳ１と第２ＴＦ
Ｔ光センサＬＳ１とから構成されている。また、この第１、第２ＴＦＴ光センサＬＳ１、
ＬＳ２は、それぞれ複数個（図４ではそれぞれ３個）の光センサ３０１〜３０３及び３０
４〜３０６を備えている。そして、第１ＴＦＴ光センサＬＳ１を構成する光センサ３０１
〜３０３と第２ＴＦＴ光センサＬＳ２を構成する光センサ３０４〜３０６は互いに隣接し
かつ平行な状態で、それぞれ一列に設けられている。
これらの第１、第２ＴＦＴ光センサＬＳ１、ＬＳ２を構成する複数の光センサ３０１〜
３０６の回路構成は、図５に示すように、ドレイン電極ＤＬ１〜ＤＬ６とソース電極ＳＬ
１〜ＳＬ６間のそれぞれにコンデンサＣ１〜Ｃ６が並列接続され、ソース電極ＳＬ１〜Ｓ
Ｌ６とコンデンサＣ１〜Ｃ６の一方の端子が引回し配線Ｌ１及びＬ２を介して端子Ｔ１及
びＴ２に接続されており、さらに、この端子Ｔ１及びＴ２はスイッチング素子ＳＷ１及び
ＳＷ２を介して第１基準電圧源Ｖｓ（例えば＋２Ｖ）に接続されている。さらに、光セン
サ３０１〜３０６のドレイン電極ＤＬ１〜ＤＬ６及びコンデンサＣ１〜Ｃ６の他方の端子
は単一の引回し配線Ｌ３を介して端子Ｔ３に接続されており、この端子Ｔ３には所定の直
流電圧を供給する第２基準電圧源Ｖｒｅｆが接続されている。さらに、端子Ｔ１及びＴ２
には出力線がそれぞれ接続されており、この出力線に所定の出力電圧ＳＳ及びＳＲが出力
されるようになっている。さらに、光センサ３０１〜３０６のゲート電極ＧＬ１〜ＧＬ６
は引回し配線Ｌ４を介して端子Ｔ４に接続されており、この端子Ｔ４には所定の電圧供給
源ＧＶ（例えば−１０Ｖ）に接続されている。なお、端子Ｔ３は第２基準電圧源Ｖｒｅｆ
に接続されているものとしたが、これに限らず、例えば設置されていてもよい。また、図
５に示すように、本実施例１においては各光センサ３０１〜３０６毎にコンデンサ３０１
〜３０６を設けた構成を説明したが、これに限らず、例えば第１、第２ＴＦＴ光センサＬ
Ｓ１、ＬＳ２毎に比較的容量の大きなコンデンサを設けるようにしても良い。
なお、このように検出された出力電圧は、図示しない検出回路で環境光の強度の検出に
用いられ、この検出された環境光の強度に基づいて、図示しない制御手段によりバックラ
イトの制御がなされる。この検出回路としては、例えばスイッチ素子ＳＷ１、ＳＷ２のオ
ン／オフに同期した公知のサンプリングホールド回路によってアナログ出力電圧に変換し
、このアナログ出力電圧をＡ／Ｄ変換器によってデジタル変換した後にデジタル演算処理
するものである。
次に第１、第２ＴＦＴ光センサＬＳ１、ＬＳ２を構成する光センサ３０１〜３０６のう
ち、それぞれ１つの光センサ３０１及び光センサ３０４の配線構造について説明する。
先ず、第１ＴＦＴ光センサＬＳ１を構成する光センサ３０１は、図４及び図６に示すよ
うに、初めにゲート電極ＧＬ１を形成し、このゲート電極ＧＬ１上を覆うように透明絶縁
材料からなるゲート絶縁膜１８を形成する。次いで、ゲート絶縁膜ＧＬ１上に非晶質シリ
コン又は多結晶シリコンから構成され、環境光の受光部となる半導体層３１を形成する。
さらに、この半導体層３１上には、この半導体層３１の一側、詳しくは第１ＴＦＴ光セン
サＬＳ１の第２ＴＦＴ光センサＬＳ２に隣接した側部の反対に位置する側部から半導体層
３１を横切るように形成された複数本のソース電極ＳＬ１が形成される。加えて、同時に
この半導体層３１の他側、詳しくは第１ＴＦＴ光センサＬＳ１の第２ＴＦＴ光センサＬＳ
２に隣接した側部から同じく半導体層３１を横切るように形成された複数本のドレイン電
極ＤＬ１が形成される。ソース電極ＳＬ１は第１ＴＦＴ光センサＬＳ１の外側に引回され
た引回し配線Ｌ１から延設するように複数本形成されているので、このソース電極ＳＬ１
は平面視でほぼくし歯状となっている。同様に、ドレイン電極ＤＬ１は第１ＴＦＴ光セン
サＬＳ１の内側に引回された引回し配線Ｌ３から延設するように複数本形成されており、
ソース電極ＳＬ１と同様に平面視でくし歯状となっている。そして、ソース電極ＳＬ１及
びドレイン電極ＤＬ１の更に上層には、保護絶縁膜２０が形成される。
このように形成された光センサ３０１は、カラーフィルタ基板ＣＦの対向する領域に透
明樹脂からなるオーバーコート層（平坦化膜）３２が配設された窓部Ｗを介して環境光が
照射されるようになっている。また、この窓部Ｗの周囲は遮光層ＢＭによって遮光されて
いる。このように窓部Ｗの周囲を遮光層ＢＭで遮光することで、周囲からの光以外が半導
体層３１に照射されることがほとんどなく、環境光をより正確に受光することが可能とな
る。
また、第２ＴＦＴ光センサＬＳ２を構成する光センサ３０４は、図４及び図７に示すよ
うに、初めにゲート電極ＧＬ４を形成し、このゲート電極ＧＬ４上を覆うように透明絶縁
材料からなるゲート絶縁膜１８を形成する。次いで、ゲート絶縁膜ＧＬ４上に非晶質シリ
コン又は多結晶シリコンから構成され、環境光の受光部となる半導体層３１を形成する。
さらに、この半導体層３１上には、この半導体層３１の一側、詳しくは第２ＴＦＴ光セン
サＬＳ２の第１ＴＦＴ光センサＬＳ１に隣接した側部の反対に位置する側部から半導体層
３１を横切るように形成された複数本のソース電極ＳＬ４が形成される。加えて、同時に
この半導体層３１の他側、詳しくは第２ＴＦＴ光センサＬＳ２の第１ＴＦＴ光センサＬＳ
１に隣接した側部から同じく半導体層３１を横切るように形成された複数本のドレイン電
極ＤＬ４が形成される。ソース電極ＳＬ４は第２ＴＦＴ光センサＬＳ２の外側に引回され
た引回し配線Ｌ２から延設するように複数本形成されているので、このソース電極ＳＬ４
は平面視でほぼくし歯状となっている。同様に、ドレイン電極ＤＬ４は第２ＴＦＴ光セン
サＬＳ２の内側に引回された引回し配線Ｌ３から延設するように複数本形成されており、
ソース電極ＳＬ４と同様に平面視でくし歯状となっている。そして、ソース電極ＳＬ４及
びドレイン電極ＤＬ４の更に上層には、保護絶縁膜２０が形成される。
このように形成された光センサ３０４は、カラーフィルタ基板ＣＦの対向する領域に形
成された遮光層ＢＭによって遮光されている。したがって、この光センサ３０４にはほと
んど環境光が受光されることがなく、以ってこの光センサ３０４の出力は暗基準電圧とし
て用いられる。さらに、上述したように、この第２ＴＦＴ光センサＬＳ２のドレイン電極
ＤＬ４と第１ＴＦＴ光センサＬＳ１のドレイン電極ＤＬ１とは単一の引回し配線Ｌ３によ
り端子Ｔ４に接続されている。しかし、この引回し配線Ｌ３を介して供給される電圧は、
第２基準電圧源Ｖｒｅｆからの電圧であるので、第１、第２ＴＦＴ光センサＬＳ１、ＬＳ
２のいずれも正常に動作することが可能となる。
上述のような構成を備える光検出部ＬＤ１は、第１、第２ＴＦＴ光センサＬＳ１、ＬＳ
２の光センサ３０１〜３０６のゲート電極ＧＬ１〜ＧＬ６に電圧供給源ＧＶから端子Ｔ４
及び引回し配線Ｌ４を介してゲートオフ領域となる一定の逆バイアス電圧（例えば−１０
Ｖ）を印加し、ドレイン電極ＤＬ１〜ＤＬ６とソース電極ＳＬ１〜ＳＬ６との間にコンデ
ンサＣ１〜Ｃ６を接続する。そしてドレイン電極ＤＬ１〜ＤＬ６とコンデンサＣ１〜Ｃ６
の一端にスイッチ素子ＳＷ１、ＳＷ２を介して第１基準電圧源Ｖｓを接続し、スイッチ素
子ＳＷ１の何れかをオンにして所定の電圧（例えば＋２Ｖ）をコンデンサＣ１〜Ｃ３又は
Ｃ４〜Ｃ６の両端に印加した後、スイッチ素子ＳＷ１又はＳＷ２をオフする。その後所定
時間経過した段階でコンデンサＣ１〜Ｃ３又はＣ４〜Ｃ６の充電電圧を出力線に出力して
、この充電電圧を検出回路に供給することにより環境光の強度を検出することができる。
以上示したように、本発明の実施例１に係る半透過型液晶表示装置１Ａによれば、２つ
の系統の光センサを有する光検出部を形成する際に、従来のものより配線の本数を１本少
なくすることが可能となるので、アレイ基板ＡＲの額縁領域のうち、ゲート線ＧＷが引回
されるために特に高密度に配線が形成される長辺２ｄ部分の面積を小さく抑えることがで
きるので、狭額縁化の要求に合わせた液晶表示装置を提供することが可能となる。
上記実施例１の半透過型液晶表示装置１Ａにおいては、光検出部ＬＤ１を２列に配列し
た第１、第２ＴＦＴ光センサＬＳ１、ＬＳ２によって形成したものを説明したが、第１、
第２ＴＦＴ光センサＬＳ１、ＬＳ２を一列に配置することも可能である。そこで、以下に
は、本発明の実施例２として、第１、第２ＴＦＴ光センサＬＳ１、ＬＳ２を一列に配列し
た光検出部ＬＤ２を有する半透過型液晶表示装置１Ｂについて説明する。
なお、図８は本発明の実施例２に係る半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透
視して表しアレイ基板を模式的に示した平面図である。図９は本実施例２の光検出部を拡
大して示す平面図である。また、本実施例２の光検出部ＬＤ２は光センサ４０１〜４０４
及び引回し配線Ｌ１〜Ｌ３の配設構造が異なるのみで、他の構成については実施例１のも
のと同様であるので、同一の構成を備えるものについては実施例１の符号を参照して説明
するものとする。
本実施例２の半透過型液晶表示装置１Ｂの光検出部ＬＤ２は、図８及び図９に示すよう
に、複数の光センサ４０１〜４０４が一列に配列されて構成されている。また、これら複
数の光センサ４０１〜４０４のうち、光センサ４０１及び４０３が第１ＴＦＴ光センサＬ
Ｓ１を構成し、光センサ４０２及び４０４が第２ＴＦＴ光センサＬＳ２を構成している。
すなわち、第１ＴＦＴ光センサＬＳ１の光センサ４０１及び４０３と第２ＴＦＴ光センサ
ＬＳ２の光センサ４０２及び４０４とが同一直線状に交互に配設されている。
また、第１ＴＦＴ光センサＬＳ１の光センサ４０１及び４０３は、上記実施例１の図６
に示した構造と同様であって、光検出部ＬＤ２の一側に沿って配線された引回し配線Ｌ１
に接続されたソース電極ＳＬ１及びＳＬ３を有している。また、第２ＴＦＴ光センサＬＳ
２の光センサ４０２及び４０４は、上記実施例１の図７に示した構造と同様であって、光
検出部ＬＤ２の一側に沿って配線された引回し配線Ｌ２に接続されたソース電極ＳＬ２及
びＳＬ４を有している。これらのソース電極ＳＬ１〜ＳＬ４に接続された引回し配線Ｌ１
及びＬ２は、互いに平行に設けられており、これらの引回し配線Ｌ１及びＬ２が途中で分
岐して各光センサ４０１〜４０４のソース電極ＳＬ１〜ＳＬ４に接続されている。
さらに、光センサ４０１〜４０４は、光検出部ＬＤ２の他側、すなわちソース電極ＳＬ
１〜ＳＬ４に接続された引回し配線Ｌ１及びＬ２が形成された側部に対向する側部に沿っ
て配線された引回し配線Ｌ３に接続されたドレイン電極ＤＬ１〜ＤＬ４を有している。す
なわち、本実施例２の半透過型液晶表示装置１Ｂにおいても、ドレイン電極ＤＬ１〜ＤＬ
４に接続される引回し配線は１本である。
本実施例２においては、光検知部ＬＤ２を複数の光センサ４０１〜４０４を一列に配列
させて形成しても従来に比して配線を１本少なくすることが可能となるので、アレイ基板
ＡＲの短辺２ａ側の額縁領域も幅狭にすることが可能となる。また、実施例１と同数の光
センサを用いた場合、光センサの配置が実施例１のものに比して広範囲に配置されるので
、障害物等によって部分的に環境光が遮られたとしても、安定した検出を維持することが
可能となる。
上記実施例２においては、光センサ４０１〜４０４を一列に配列したことにより額縁領
域を更に小さくすることができる反面、上記のような配線構造とするとソース電極ＳＬ１
〜ＳＬ４に接続される引回し配線Ｌ１及びＬ２同士が重畳配置される領域（図９のＯＲ部
分）ができてしまう。このような重畳配置される領域ＯＲは、引回し配線Ｌ１及びＬ２に
絶縁状態とするため、ブリッジ構造等にする必要が生じる。また、この重畳配置される領
域ＯＲにおいて容量が発生する可能性もあるので、各光センサ毎の検出環境が僅かに異な
ってしまう恐れがある。そこで、本実施例３においては、実施例２の半透過型液晶表示装
置１Ｂの変形例として、重畳配置される領域ＯＲが生じることなく、複数の光センサ５０
１〜５０４を一列に配列することが可能な光検出部ＬＤ３を有する半透過型液晶表示装置
１Ｃについて説明する。
なお、図１０は本発明の実施例３に係る半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を
透視して表しアレイ基板を模式的に示した平面図である。図１１は本実施例３の光検出部
を拡大して示す平面図である。また、本実施例３の光検出部ＬＤ３は光センサ５０１〜５
０４及び引回し配線Ｌ１〜Ｌ３の配設構造が異なるのみで、他の構成については実施例１
のものと同様であるので、同一の構成を備えるものについては実施例１の符号を参照して
説明するものとする。
本実施例３の半透過型液晶表示装置１Ｃの光検出部ＬＤ３は、図１０及び図１１に示す
ように、複数の光センサ５０１〜５０４が一列に配列されて構成されている。また、これ
ら複数の光センサ５０１〜５０４のうち、光センサ５０１及び５０３が第１ＴＦＴ光セン
サＬＳ１を構成し、光センサ５０２及び５０４が第２ＴＦＴ光センサＬＳ２を構成してい
る。すなわち、第１ＴＦＴ光センサＬＳ１の光センサ５０１及び５０３と第２ＴＦＴ光セ
ンサＬＳ２の光センサ５０２及び５０４とが同一直線状に交互に配設されている。
また、第１ＴＦＴ光センサＬＳ１の光センサ５０１及び５０３は、上記実施例１の図６
に示した構造と同様であって、光検出部ＬＤ３の一側に沿って配線された引回し配線Ｌ１
に接続されたソース電極ＳＬ１及びＳＬ３を有している。また、第２ＴＦＴ光センサＬＳ
２の光センサ５０２及び５０４は、上記実施例１の図７に示した構造と同様であって、光
検出部ＬＤ３の他側、すなわちソース電極ＳＬ１及びＳＬ３に接続された引回し配線Ｌ１
が形成された側部に対向する側部に沿って配線された引回し配線Ｌ２に接続されたソース
電極ＳＬ２及びＳＬ４を有している。
さらに、光センサ５０１〜５０４は、隣接する光センサとの間に僅かに隙間が形成され
ており、この隙間に沿って蛇行するように配線された引回し配線Ｌ３に接続されたドレイ
ン電極ＤＬ１〜ＤＬ４を有している。このようにドレイン電極ＤＬ１〜ＤＬ４と接続する
引回し配線Ｌ３を各光センサ５０１〜５０４の隙間を蛇行するように形成すると、各引回
し配線Ｌ１〜Ｌ３の間で重畳部分が発生することがなくなる。また、本実施例３の半透過
型液晶表示装置１Ｂにおいても、ドレイン電極ＤＬ１〜ＤＬ４に接続される引回し配線は
１本である。
以上のように、本実施例３においては、光検知部ＬＤ３を複数の光センサ５０１〜５０
４を一列に配列させて形成しても従来に比して配線を１本少なくすることが可能となると
ともに、引回し配線Ｌ１〜Ｌ３間で重畳部分が発生しないので、各光センサ５０１〜５０
４を同一の条件化で作動させることが可能となる。したがって、アレイ基板ＡＲの短辺２
ａ側の額縁領域も幅狭にすることが可能となるとともに、正確な環境光の検出を行うこと
が可能となる。
上記実施例１〜３に示す半透過型液晶表示装置１Ａ〜１Ｃにおいては、ドレイン電極Ｄ
Ｌ１〜ＤＬ６（ＤＬ４）が第２基準電圧源Ｖｒｅｆに接続され、ソース電極ＳＬ１〜ＳＬ
６（ＳＬ４）が出力線及び第１基準電圧源Ｖｓを接続されたものについて説明したが、こ
こで述べる「ドレイン電極」及び「ソース電極」は説明上異なる名称をつけたのみであり
、ソース電極ＳＬ１〜ＳＬ６（ＳＬ４）に第２基準電圧源Ｖｒｅｆを接続し、ドレイン電
極ＤＬ１〜ＤＬ６（ＤＬ４）に出力線及び第１基準電圧源Ｖｓを接続するようにしても構
成としては全く同一のものである。
また、上記実施例１〜３においては、異なる２つの系統の第１、第２ＴＦＴ光センサＬ
Ｓ１、ＬＳ２として、第１ＴＦＴ光センサＬＳ１は環境光を直接受光し、第２ＴＦＴ光セ
ンサＬＳ２は遮光層ＢＭによって遮光されて暗基準電圧を出力するものとして説明したが
、本発明はこれに限られるものではない。詳しくは、例えば第１ＴＦＴ光センサＬＳ１と
して、窓部Ｗにカラーフィルタ層を形成した構造を採用すれば、視感度にあった分光感度
で環境光を検出できるようにすることが可能となる。
さらにまた、上記実施例１〜３の光検出部ＬＤ１〜ＬＤ３の光センサ３０１〜３０６、
４０１〜４０４、５０１〜５０４は、表示領域ＤＡ内にスイッチング素子として形成され
るＴＦＴと同一のＴＦＴから形成されるので、スイッチング素子としてのＴＦＴと同時に
形成することが可能であり、別途製造工程を増やす必要がない。
なお、図１２Ａは液晶表示装置７１を搭載したパーソナルコンピュータ７０を示す図で
あり、図１２Ｂは液晶表示装置７６を搭載した携帯電話機７５を示す図である。これらの
パーソナルコンピュータ７０及び携帯電話機７５の基本的構成は当業者に周知であるので
、詳細な説明は省略する。
図１は本発明の実施例１に係る半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表しアレイ基板を模式的に示した平面図である。 図２は図１のアレイ基板の１画素分の平面図である。 図３は図２のIII−III線で切断した断面図である。 図４は本実施例１の光検出部を拡大して示す平面図である。 図５は図４に示す光検出部の等価回路図である。 図６は図４のVI−VI線で切断した断面図である。 図７は図４のVII−VII線で切断した断面図である。 図８は本発明の実施例２に係る半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表しアレイ基板を模式的に示した平面図である。 図９は本実施例２の光検出部を拡大して示す平面図である。 図１０は本発明の実施例３に係る半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表しアレイ基板を模式的に示した平面図である。 図１１は本実施例３の光検出部を拡大して示す平面図である。 図１２Ａは液晶表示装置を搭載したパーソナルコンピュータを示す図であり、図１２Ｂは液晶表示装置を搭載した携帯電話機を示す図である。 図１３はＴＦＴ光センサの電圧−電流曲線の一例を示す図である。 図１４はＴＦＴ光センサの作動回路図である。 図１５は明るさが異なる場合の図１４に示した回路図におけるコンデンサの両端の電圧−時間曲線を示す図である。
符号の説明
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ：半透過型液晶表示装置 ２、１０：透明基板 １４：液晶 １８：ゲ
ート絶縁膜 １９、３１：半導体層 ２０：保護絶縁膜 ２１：層間膜 ２２：反射部
２３：透過部 ２４：反射板 ２５：コンタクトホール ２６：画素電極 ２７：カラー
フィルタ層 ２８：トップコート層 ３０１〜３０６、４０１〜４０４、５０１〜５０４
：光センサ ３２：オーバーコート層 ＡＲ：アレイ基板 ＣＦ：カラーフィルタ基板
ＧＷ：ゲート線 ＳＷ：ソース線 ＤＡ：表示領域 ＬＤ１〜ＬＤ３：光検出部 ＬＳ１
：第１ＴＦＴ光センサ ＬＳ２：第２ＴＦＴ光センサ ＳＬ１〜ＳＬ６：ソース電極 Ｄ
Ｌ１〜ＤＬ６：ドレイン電極 ＧＬ１〜ＧＬ６：ゲート電極 Ｃ１〜Ｃ６：コンデンサ
Ｖｓ：第１基準電圧源 Ｖｒｅｆ：第２基準電圧源 ＳＷ１、ＳＷ２：スイッチ素子 Ｄ
ｒ：ドライバ Ｌ１：引回し配線（検出回路に接続された第１配線） Ｌ２：引回し配線
（検出回路に接続された第２配線） Ｌ３：引回し配線（検出回路に接続されていない配
線） Ｌ４：引回し配線（ゲート線） Ｔ１〜Ｔ４：端子 ＢＭ：遮光層 Ｗ：窓部

Claims (7)

  1. 液晶表示パネルと、該液晶表示パネルに組み込まれて外光を検出する薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」という）からなる複数のＴＦＴ光センサを有する光検出部と、前記液晶表示パネルを照光する照光手段と、前記光検出部に接続された検出回路と、該検出回路の出力に基づいて前記照光手段の明るさを制御する制御手段と、を備えた液晶表示装置において、
    前記複数のＴＦＴ光センサは異なる系統の光を検出する第１、第２ＴＦＴ光センサからなり、前記第１、第２ＴＦＴ光センサはそれぞれ複数個の光センサで形成されており、前記第１ＴＦＴ光センサと前記第２ＴＦＴ光センサとは互いに隣接して平行に配列されており、前記第１ＴＦＴ光センサ及び第２ＴＦＴ光センサのソース配線またはドレイン配線のうち、前記検出回路に接続されていない配線同士は単一の配線により形成され、かつ、前記第１ＴＦＴ光センサと第２ＴＦＴ光センサとの間に引回され、前記検出回路に接続された他方の配線は、前記平行に配列された第１、第２ＴＦＴ光センサの外側に引回されていることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 液晶表示パネルと、該液晶表示パネルに組み込まれて外光を検出する薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」という）からなる複数のＴＦＴ光センサを有する光検出部と、前記液晶表示パネルを照光する照光手段と、前記光検出部に接続された検出回路と、該検出回路の出力に基づいて前記照光手段の明るさを制御する制御手段と、を備えた液晶表示装置において、
    前記複数のＴＦＴ光センサは異なる系統の光を検出する第１、第２ＴＦＴ光センサからなり、前記第１ＴＦＴ光センサ及び第２ＴＦＴ光センサのソース配線またはドレイン配線のうち、前記検出回路に接続されていない配線同士が単一の配線により形成され、前記第１、第２ＴＦＴ光センサはそれぞれ複数個の光センサで形成されており、前記第１ＴＦＴ光センサと前記第２ＴＦＴ光センサとは同列上に交互に配列されていることを特徴とする液晶表示装置。
  3. 前記交互に配列された第１、第２ＴＦＴ光センサのそれぞれのソース配線又はドレイン配線のうち、前記検出回路に接続された配線は、前記第１、第２ＴＦＴ光センサの一側部に引回されており、前記検出回路に接続されていない配線は、前記第１、第２ＴＦＴ光センサの他側部に引回されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
  4. 前記交互に配列された第１、第２ＴＦＴ光センサのそれぞれのソース配線又はドレイン配線のうち、前記検出回路に接続された配線は、第１、第２配線で構成されており、前記第１配線が前記第１、第２ＴＦＴ光センサの一側部に引回され、前記第２配線が前記第１、第２ＴＦＴ光センサの他側部に引回されており、前記検出回路に接続されていない配線は、前記第１、第２ＴＦＴ光センサを構成する光センサ同士の間を蛇行するように引回されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
  5. 前記第１、第２ＴＦＴ光センサの少なくとも一方は遮光層又は所定色のカラーフィルタ層で覆われていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
  6. 前記複数のＴＦＴ光センサは、前記液晶表示パネルの製造工程においてスイッチング素子として形成されるＴＦＴと同時に形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
  7. 請求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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