JP4437663B2 - プロトン伝導性高分子電解質、プロトン伝導性高分子電解質膜及び膜−電極接合体、並びに固体高分子形燃料電池 - Google Patents
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Description
[式中、Arは下記式(2)〜(4)で表される2価の芳香族単位、nは1以上の整数]
(1)芳香族単位の水素原子の一部がアルキル基、フェニル基、アルコキシル基、ニトロ基およびハロゲン基からなる群から選択される少なくとも1つの置換基で置換されたもの。
(2)3官能フェニルスルフィド単位。
(3)架橋または分岐単位。
<芳香族高分子化合物と非芳香族高分子化合物とからなる高分子フィルムの調製>
芳香族高分子化合物と非芳香族高分子化合物とからなる樹脂組成物として、ポリフェニレンサルファイドとポリテトラフルオロエチレンからなる樹脂組成物(大日本インキ工業株式会社製、DIC−PPS ZL−130、ポリテトラフルオロエチレン含有量:30重量%)を使用した。
<プロトン伝導性高分子電解質膜の調製>
ガラス容器に、1−クロロブタン267g、クロロスルホン酸3.3gを秤量し、クロロスルホン酸溶液を調製した。前記高分子フィルムを0.88g秤量し、クロロスルホン酸溶液に浸漬し、室温で20時間、放置した(クロロスルホン酸添加量は、ポリフェニレンサルファイドの芳香族単位に対して5当量)。室温で20時間放置後に、高分子フィルムを回収し、イオン交換水で中性になるまで洗浄した。
プロトン伝導性高分子電解質膜(約10mm×40mm)を25℃での塩化ナトリウム飽和水溶液20mLに浸漬し、ウォーターバス中で60℃、3時間反応させた。25℃まで冷却し、次いで膜をイオン交換水で充分に洗浄し、塩化ナトリウム飽和水溶液および洗浄水をすべて回収した。この回収した溶液に、指示薬としてフェノールフタレイン溶液加え、0.01Nの水酸化ナトリウム水溶液で中和滴定し、イオン交換容量を算出した。
イオン交換水中に保管した高分子電解質膜(約10mm×40mm)を取り出し、膜表面の水をろ紙で拭き取った。2極非密閉系のテフロン(登録商標)製のセルに膜を設置し、さらに白金電極を電極間距離30mmとなるように、膜表面(同一側)に設置した。23℃での膜抵抗を、交流インピーダンス法(周波数:42Hz〜5MHz、印可電圧:0.2V)により測定し、プロトン伝導度を算出した。
25℃の環境下で、ビードレックス社製膜透過実験装置を使用した。高分子電解質膜でイオン交換水と所定濃度のメタノール水溶液を隔離し、所定時間経過後にイオン交換水側に透過したメタノールを含む溶液を採取し、ガスクロマトグラフで透過したメタノール量を定量した。この定量結果から、メタノール透過速度を求め、メタノール透過係数およびメタノール遮断係数を算出した。メタノール透過係数およびメタノール遮断係数は、以下の数式1及び数式2にしたがって算出した。
1−クロロブタン量を237g、クロロスルホン酸量を3.6g、高分子フィルム量を0.78gとした以外は、実施例1と同様にしてプロトン伝導性高分子電解質膜を得た(クロロスルホン酸添加量は、ポリフェニレンサルファイドの芳香族単位に対して6当量)。
1−クロロブタン量を259g、クロロスルホン酸量を5.2g、高分子フィルム量を0.85gとした以外は、実施例1と同様にしてプロトン伝導性高分子電解質膜を得た(クロロスルホン酸添加量は、ポリフェニレンサルファイドの芳香族単位に対して8当量)。
プロトン伝導性高分子電解質膜として、非炭化水素系高分子電解質膜であるデュポン社製ナフィオン(登録商標)115を使用した以外は、実施例1と同様にした。
プロトン伝導性高分子電解質膜を下記の方法に従って調製した以外は、実施例1と同様にした。
<プロトン伝導性高分子電解質膜の調製>
ガラス容器に、ジクロロメタン431g、クロロスルホン酸2.2gを秤量し、クロロスルホン酸溶液を調製した。高分子フィルムとして、ポリフェニレンサルファイドフィルム(東レ(株)製、商品名:トレリナ、厚さ:50μm)を1.0g秤量し、クロロスルホン酸溶液に浸漬し、室温で20時間、放置した(クロロスルホン酸添加量は、ポリフェニレンサルファイドの芳香族単位に対して2当量)。室温で20時間放置後に、高分子フィルムを回収し、イオン交換水で中性になるまで洗浄した。
2,3 結着剤
4,5 触媒層
6,7 拡散層
8,9 触媒担持ガス拡散電極
10 膜−電極接合体
11,12 セパレーター
13 燃料流路
14 酸化剤流路
15 固体高分子形燃料電池(直接メタノール形燃料電池)
16 燃料タンク
17 酸化剤流路
18 支持体
Claims (8)
- (1)芳香族高分子化合物と、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−1−ブテン、ポリイソブチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリビニルフルオライドから選択される少なくとも一種の非芳香族高分子化合物とを含有する樹脂組成物を成形して高分子フィルムを製造する工程、および
(2)高分子フィルムをプロトン伝導性置換基導入剤と接触させて、芳香族高分子化合物中の芳香族単位にプロトン伝導性置換基を導入する工程、
を含む、
プロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法。 - 前記高分子フィルムが熱プレス成形法または溶融押し出し法により成形される、
請求項1に記載のプロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法。 - プロトン伝導性高分子電解質中の非芳香族高分子化合物含有量が、0.01〜30重量%であることを特徴とする請求項1または2に記載のプロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法。
- 前記芳香族高分子化合物が、ポリフェニレンサルファイドであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のプロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法。
- 前記非芳香族高分子化合物が、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリビニルフルオライドからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のプロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法。
- 前記非芳香族高分子化合物が、前記芳香族高分子化合物との混合および/または混練時の剪断力により繊維化したことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のプロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法。
- 前記非芳香族高分子化合物が、繊維化したポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のプロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法。
- 前記プロトン伝導性置換基が、スルホン酸基であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のプロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法。
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