JP4314237B2 - リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びリソグラフィ装置用の投影要素 - Google Patents
リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びリソグラフィ装置用の投影要素 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4314237B2 JP4314237B2 JP2005334342A JP2005334342A JP4314237B2 JP 4314237 B2 JP4314237 B2 JP 4314237B2 JP 2005334342 A JP2005334342 A JP 2005334342A JP 2005334342 A JP2005334342 A JP 2005334342A JP 4314237 B2 JP4314237 B2 JP 4314237B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- projection
- lithographic apparatus
- actuator
- substrate
- projection element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 89
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 44
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 5
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 2
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本明細書では、リソグラフィ装置を集積回路(IC)の製造に用いることについて特に言及することがあるが、本明細書で記載するリソグラフィ装置は、一体型光学システム、磁気ドメイン・メモリ用の誘導及び検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、薄膜磁気ヘッド、ミクロ及びマクロの流体装置その他の製造など、他の用途にも使用可能であることを理解すべきである。こうした別の用途についての文脈では、本明細書中の「ウェハ」又は「ダイ」という用語の使用はいずれも、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義であると考えられることが当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック(一般に基板にレジスト層を施し、露光されたレジストを現像する装置)や計測又は検査装置で処理することができる。適用可能であれば、本明細書の開示をこうした装置や他の基板処理装置に適用してもよい。さらに、例えば多層ICを作製するために、基板を2回以上処理することも可能であり、したがって本明細書で使用する基板という用語は、処理が施された複数の層を既に含む基板を指すこともある。
図1は、本発明の一例によるリソグラフィ投影装置100を概略的に示している。装置100は、少なくとも1つの放射システム102、個々に制御可能な要素の配列104、オブジェクト・テーブル106(例えば基板テーブル)、及び投影システム(「レンズ」)108を含んでいる。
(1)ステップ・モード
個々に制御可能な要素の配列104のパターン全体を1回(すなわち、ただ1回の「フラッシュ」)でターゲット部分120に投影する。次いで、異なるターゲット部分120をパターン付与されたビーム110によって照射されるように、基板テーブル106をx及び/又はy方向に異なる位置へ移動させる。
(2)走査モード
所与のターゲット部分120を1回の「フラッシュ」で露光しないことを除けば、本質的にステップ・モードと同じである。その代わり、個々に制御可能な要素の配列104は、速度vで所与の方向(例えばy方向など、いわゆる「走査方向」)に移動可能であり、したがってパターンの付与されたビーム110は、個々に制御可能な要素の配列104全体を走査する。それと同時に、基板テーブル106を、速度V=Mv(ただし、Mは投影システム108の倍率)で同じ方向又は反対方向に同時に移動させる。この方法では、解像度を損なうことなく、比較的大きいターゲット部分120を露光することができる。
(3)パルス・モード
個々に制御可能な要素の配列104を本質的に静止した状態に保ち、パルス式の放射システム102を用いてパターン全体を基板114のターゲット部分120に投影する。パターンの付与された投影ビーム110が基板テーブル106全体にわたってラインを走査するように、基板テーブル106を本質的に一定の速度で移動させる。連続するターゲット部分120が基板114の必要な位置で露光されるように、個々に制御可能な要素の配列104のパターンが放射システム102のパルスの合間に必要に応じて更新され、パルスのタイミングが合わせられる。したがって、パターンの付与されたビーム110は基板114全体を走査して、基板114の細長片に対して完全なパターンを露光することができる。この工程は、1ラインづつ基板114全体が露光されるまで繰り返される。
(4)連続走査モード
実質的に一定の放射システム102が用いられ、パターンの付与されたビーム110が基板114全体を走査し、それを露光するとき、個々に制御可能な要素の配列104のパターンが更新されることを除けば、本質的にパルス・モードと同じである。
図3A及び図3Bは、本発明の一例による基板314上での像の位置誤差(例えば、不一致)を示している。この例では、ウェハ314の特定のターゲット部分/ダイ320に投影された像360を、z軸に沿って上から見ている。この例では、ターゲット部分/ダイ320のレジストに露光される像360は、「P」字のパターンを有している。
図4は、本発明の一例による、可動投影レンズ要素442−2を含むリソグラフィ装置400の制御システム466を示している。例えばレンズ要素442−2などの投影システム408内の可動レンズ要素442と、ウェハ・ステージ406の投影システム408に対する移動を制御するための制御システム466との間には相互作用がある。投影システム408の空中像とウェハ・ステージ406との間で測定された不一致に基づいて、この不一致を補正するように、可動レンズ要素442−2をアクチュエータ468によって移動させる。
一例では、投影システム408に力を及ぼすアクチュエータ468、可動レンズ要素442−2、及び例えばケーブル、冷却システム、ノイズなど他のすべての部分を含む投影システム408の加速度は、約0.5mm/s2を越えるべきではない。投影システム408の加速度がそれより大きいと、例えば要素442などの投影要素の変形を引き起こす可能性がある。例えばレンズ要素442−2からの力によって生じる加速度が大きすぎる場合には、バランス・マス又はリジェクション・マスを使用して、投影システム408に及ぼされる力を低減させる。6自由度で高速移動する、例えばミラー要素やレンズ要素などの投影要素442−2も、もちろん投影システム408に大きい力を及ぼし、それによって生じる投影システム408の全体的な加速度が約0.5mm/s2を越える可能性がある。
これまで本発明の様々な例について説明してきたが、それらは例示のために示したものにすぎず、限定的なものではないことを理解すべきである。本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、その形及び細部に様々な変更を加えることができることが、関連分野の技術者には明らかであろう。したがって、本発明の広さ及び範囲は、前記の例示的な例のいずれによっても限定されるべきではなく、添付の特許請求の範囲及びそれと同等のものによってのみ定義されるべきである。
102、202 放射システム
104 個々に制御可能な要素の配列
106 基板テーブル、オブジェクト・テーブル
108、208、408 投影システム
114 基板
116 位置決め装置
118、140 ビーム・スプリッタ
120 ターゲット部分
134、234 干渉測定装置
136 ベース・プレート
204 プログラム可能ミラー・アレイ
206 ウェハ・ステージ
214、314、414 ウェハ
242、242−2 レンズ要素
244 メトロフレーム
246 ベース・フレーム
250、252 干渉計ミラー
320 ダイ
406 ウェハ・ステージ
434 干渉計
442、442−2 可動レンズ要素
444 メトロフレーム
466 制御システム
468 アクチュエータ
908 投影システム
942−2 可動投影要素、レンズ要素
980 バランス・マス
980’ リジェクション・マス
981 支持構造体
982 磁石
983 コイル
986 ばねの配列
1008 投影システム
1042 可動ミラー要素
Claims (25)
- パルス式の放射ビームを提供する放射システムと、
前記ビームにパターンを与えて、パターンの付与された放射ビームを生成するパターン形成装置と、
投影要素を有する投影システムであって、前記パターンの付与されたビームを基板テーブルの基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
前記基板テーブルと前記投影システムの空中像との間の位置誤差を補正するために、前記放射システムのパルスとパルスの間の時間に、前記投影要素を移動させて、前記基板に投影される前記パターンの付与されたビームを移動させるアクチュエータと
を有するリソグラフィ装置。 - 前記基板テーブルと前記投影システムの空中像との間の位置誤差に関する情報をモニターし、該情報を位置誤差信号として前記アクチュエータに提供するアクチュエータ制御装置であって、前記アクチュエータが提供された情報に応答して前記投影要素を移動させるようになっているアクチュエータ制御装置をさらに有する請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記アクチュエータ制御装置が、次の位置誤差信号の値を決定し、該値を前記アクチュエータへ送る請求項2に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記アクチュエータ制御装置が、位置誤差信号の以前の値及び時間遅れを用いて、前記投影要素を移動させる前記アクチュエータへ送られる次の位置誤差の値を決定する請求項3に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記アクチュエータが、圧電型装置又はローレンツ型装置の1つを含む請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記投影要素に結合された重量マスであって、前記投影要素の移動によって生じた加速力を吸収する重量マスをさらに有する請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記重量マスが、前記アクチュエータの一部を形成する請求項6に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記重量マスが、バランス・マス又はリジェクション・マスを含む請求項6に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記投影要素がレンズ要素である請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記レンズ要素が、Z軸周りの回転移動を行う請求項9に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記投影要素がミラー要素である請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記ミラー要素がx軸に沿った並進移動を行う請求項11に記載されたリソグラフィ装置。
- 複数の投影要素が用いられ、該投影要素がレンズ要素又はミラー要素、或いはその組み合わせを含む請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記パターン形成装置が、個々に制御可能な要素の配列を含む請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記個々に制御可能な要素の配列が、空間光変調器又はプログラム可能ミラー・アレイである請求項14に記載されたリソグラフィ装置。
- パターン形成装置を用いて放射ビームにパターンを付与する段階と、
投影システムの投影要素を用いて、基板テーブルの基板のターゲット部分にパターンの付与されたビームを投影する段階と、
前記放射ビームのパルスとパルスの間の時間に、前記投影要素を移動させて前記パターンの付与されたビームを移動させることにより、基板テーブルと前記投影システムの空中像との位置誤差を補正する段階と
を含むデバイス製造方法。 - 前記基板テーブルと前記投影システムとの位置誤差に対応する情報をモニターする段階と、
前記情報を前記投影要素の移動に関連付ける段階とをさらに含む請求項16に記載されたデバイス製造方法。 - 位置誤差信号の将来の挙動を予測する段階と、
前記位置誤差信号の前記将来の挙動を、アクチュエータに向けて順方向に送る段階と、
前記位置誤差信号の前記将来の挙動を、前記投影要素の移動に対応させる段階とをさらに含む請求項16に記載されたデバイス製造方法。 - 前記位置誤差信号の以前のサンプル値及び時間遅れの値を用いて、前記位置誤差信号の将来の挙動を予測する段階をさらに含む請求項16に記載されたデバイス製造方法。
- フレーム・システムの振動によって、前記基板テーブルと前記投影システムの空中像との位置誤差が生じる請求項16に記載されたデバイス製造方法。
- リソグラフィ装置用の投影システムに配置される投影要素であって、該リソグラフィ装置が、
パルス式の放射ビームを提供する放射システムと、
前記ビームにパターンを与えて、パターンの付与された放射ビームを生成するパターン形成装置とを有し、
前記放射システムのパルスとパルスの間の時間に、前記基板に投影される前記パターンの付与されたビームを移動させるために、前記投影システム内を移動できるように配置される投影要素。 - 前記投影要素がリジェクション・マス又はバランス・マスに取り付けられ、前記投影要素の移動によって生じた加速力が、該リジェクション・マス又はバランス・マスに吸収される請求項21に記載された投影要素。
- 前記投影要素がミラー要素又はレンズ要素を含む請求項22に記載された投影要素。
- 前記ミラー要素がx軸に沿って並進する請求項23に記載された投影要素。
- 前記レンズ要素がZ軸の周りを回転する請求項23に記載された投影要素。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/994,201 US7474384B2 (en) | 2004-11-22 | 2004-11-22 | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and a projection element for use in the lithographic apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006148119A JP2006148119A (ja) | 2006-06-08 |
JP4314237B2 true JP4314237B2 (ja) | 2009-08-12 |
Family
ID=35788265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005334342A Expired - Fee Related JP4314237B2 (ja) | 2004-11-22 | 2005-11-18 | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びリソグラフィ装置用の投影要素 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7474384B2 (ja) |
EP (1) | EP1659451A3 (ja) |
JP (1) | JP4314237B2 (ja) |
KR (1) | KR100674244B1 (ja) |
CN (1) | CN100526989C (ja) |
SG (1) | SG122902A1 (ja) |
TW (1) | TWI305608B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5100636B2 (ja) * | 2005-05-02 | 2012-12-19 | ラドーフ ゲーエムベーハー | 光応答性基板上へのマスクレスパターン転写のためのリソグラフィ方法 |
US7626181B2 (en) * | 2005-12-09 | 2009-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7508491B2 (en) * | 2006-04-12 | 2009-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilized to reduce quantization influence of datapath SLM interface to dose uniformity |
US7502103B2 (en) * | 2006-05-31 | 2009-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Metrology tool, system comprising a lithographic apparatus and a metrology tool, and a method for determining a parameter of a substrate |
US7697115B2 (en) * | 2006-06-23 | 2010-04-13 | Asml Holding N.V. | Resonant scanning mirror |
DE102006038455A1 (de) | 2006-08-16 | 2008-02-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System für die Halbleiterlithographie |
US8044373B2 (en) * | 2007-06-14 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2002925A1 (nl) * | 2008-05-29 | 2009-12-01 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
WO2011104176A1 (en) * | 2010-02-23 | 2011-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2008083A (nl) * | 2011-03-02 | 2012-09-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
US9268216B2 (en) | 2011-09-09 | 2016-02-23 | Mapper Lithography Ip B.V. | Projection system with flexible coupling |
KR102492603B1 (ko) * | 2014-12-01 | 2023-01-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 투영 시스템 |
US20240393761A1 (en) * | 2023-05-25 | 2024-11-28 | Applied Materials, Inc. | Vibration determination in substrate processing systems |
DE102023205571A1 (de) * | 2023-06-14 | 2024-12-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum vermindern von schwingungsbasierten störungen |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
ATE123885T1 (de) | 1990-05-02 | 1995-06-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US6219015B1 (en) | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
JP3224041B2 (ja) | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5729331A (en) | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JP3339149B2 (ja) | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
US5677703A (en) | 1995-01-06 | 1997-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Data loading circuit for digital micro-mirror device |
US5530482A (en) | 1995-03-21 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels |
DE69729659T2 (de) | 1996-02-28 | 2005-06-23 | Johnson, Kenneth C., Santa Clara | Mikrolinsen-rastereinrichtung für mikrolithografie und für konfokale mikroskopie mit grossem aufnahmefeld |
ATE216091T1 (de) | 1997-01-29 | 2002-04-15 | Micronic Laser Systems Ab | Verfahren und gerät zur erzeugung eines musters auf einem mit fotoresist beschichteten substrat mittels fokusiertem laserstrahl |
US6177980B1 (en) | 1997-02-20 | 2001-01-23 | Kenneth C. Johnson | High-throughput, maskless lithography system |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
US5982553A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
SE9800665D0 (sv) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
TW490598B (en) * | 1999-11-30 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus |
KR100827874B1 (ko) | 2000-05-22 | 2008-05-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 장치의 제조 방법, 노광 방법, 마이크로 장치의 제조 방법, 및 디바이스의 제조 방법 |
EP1246014A1 (en) | 2001-03-30 | 2002-10-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
EP1231513A1 (en) | 2001-02-08 | 2002-08-14 | Asm Lithography B.V. | Lithographic projection apparatus with adjustable focal surface |
EP1251402B1 (en) | 2001-03-30 | 2007-10-24 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2003068622A (ja) | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Canon Inc | 露光装置及びその制御方法並びにデバイスの製造方法 |
JP4191923B2 (ja) | 2001-11-02 | 2008-12-03 | 株式会社東芝 | 露光方法および露光装置 |
EP1446703A2 (en) | 2001-11-07 | 2004-08-18 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
JP3563384B2 (ja) | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
EP1321822A1 (en) | 2001-12-21 | 2003-06-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2003075328A1 (fr) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Nikon Corporation | Procede de reglage d'un systeme optique de projection, procede de prediction, procede d'evaluation, procede de reglage, procede d'exposition, dispositif d'exposition, programme et procede de fabrication dudit dispositif |
SG130007A1 (en) | 2002-06-12 | 2007-03-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2004022945A (ja) | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
EP1424598B1 (en) | 2002-11-27 | 2008-04-09 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
SG111171A1 (en) | 2002-11-27 | 2005-05-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US6870554B2 (en) | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
EP1469348B1 (en) | 2003-04-14 | 2012-01-18 | ASML Netherlands B.V. | Projection system and method of use thereof |
EP1482373A1 (en) | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-11-22 US US10/994,201 patent/US7474384B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-11-07 EP EP05256871A patent/EP1659451A3/en not_active Withdrawn
- 2005-11-07 TW TW094139029A patent/TWI305608B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-11-18 KR KR1020050110799A patent/KR100674244B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-11-18 JP JP2005334342A patent/JP4314237B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-18 SG SG200507115A patent/SG122902A1/en unknown
- 2005-11-18 CN CNB2005101267720A patent/CN100526989C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7474384B2 (en) | 2009-01-06 |
SG122902A1 (en) | 2006-06-29 |
TW200628996A (en) | 2006-08-16 |
EP1659451A2 (en) | 2006-05-24 |
US20060110665A1 (en) | 2006-05-25 |
EP1659451A3 (en) | 2007-02-14 |
KR20060056863A (ko) | 2006-05-25 |
CN100526989C (zh) | 2009-08-12 |
KR100674244B1 (ko) | 2007-01-25 |
TWI305608B (en) | 2009-01-21 |
JP2006148119A (ja) | 2006-06-08 |
CN1782883A (zh) | 2006-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5044514B2 (ja) | リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法 | |
JP4782820B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
US7714305B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4246692B2 (ja) | リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法 | |
JP4386886B2 (ja) | リソグラフィ機器及びデバイスの製作方法 | |
JP4314237B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びリソグラフィ装置用の投影要素 | |
JP2006229235A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP4279795B2 (ja) | リソグラフィー装置及びデバイス製造方法 | |
JP3955837B2 (ja) | リソグラフィ機器およびデバイスの製造方法 | |
JP2004343075A (ja) | 投影システム及びその使用方法 | |
JP2006191119A (ja) | マルチslmマスクレスリソグラフィにおける散乱光を最小化する方法および装置 | |
KR100730060B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP3708075B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2005244239A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP4237727B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP4791179B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2010002915A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス、即ち集積回路、フラット・パネル・ディスプレイの製造方法及びカッピングの補償方法 | |
JP2006261667A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス、即ち集積回路、フラット・パネル・ディスプレイの製造方法及びカッピングの補償方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060919 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080812 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090428 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090518 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120522 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120522 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120522 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130522 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |