JP4254862B2 - 細胞電気生理測定デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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- 230000007831 electrophysiology Effects 0.000 title claims description 72
- 238000002001 electrophysiology Methods 0.000 title claims description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 52
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 84
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 11
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 claims description 7
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 179
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 95
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 64
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 ammonium monohydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000000170 cell membrane Anatomy 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 238000007877 drug screening Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
- G01N33/483—Physical analysis of biological material
- G01N33/487—Physical analysis of biological material of liquid biological material
- G01N33/48707—Physical analysis of biological material of liquid biological material by electrical means
- G01N33/48728—Investigating individual cells, e.g. by patch clamp, voltage clamp
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Biomedical Technology (AREA)
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- Hematology (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
以下、実施の形態1における細胞電気生理測定デバイスおよびその製造方法について、図面を用いて説明する。
以下、実施の形態2における細胞電気生理測定デバイスとその製造方法とについて、図面を用いて説明する。
以下、実施の形態3における細胞電気生理測定デバイスとその製造方法とについて、図面を用いて説明する。
以下、実施の形態4における細胞電気生理測定デバイスとその製造方法とについて、図面を用いて説明する。
2 基板
3 第一の材料層
3a 第一面
3b 上部外周端部
4 第二の材料層
4a 第二面
4b 薄板外周部
5 第三の材料層
6 枠体
6a 枠体外周部
6b 内壁
6c 外周端部
6d 内壁端部
6e 下部端部
6f 上部端部
7 薄板
8 窪み部
8a 第一の開口部
8b 底部
9 貫通孔
9a 第一の孔
9b 第二の孔
9c 第二の開口部
9d 第三の開口部
9e 内壁
9f 保護膜
9g,9h 端部
9j 保護層
10 容器
10a 容器上部
10b 容器下部
11 仕切り部
12 穴
13 参照電極
14 測定電極
15a,15b 測定液
16 細胞
17 第一のエッチングレジスト膜
17a 第一レジスト開口部
18 第二のエッチングレジスト膜
18a 第二レジスト開口部
21,21a 細胞電位測定装置
22 突起部
23 凹部
Claims (10)
- 第一面と第二面とを有し、前記第一面の側に開口する窪み部と前記第二面の側に開口する貫通孔とが形成された薄板と、
前記第二面の側の前記薄板の薄板外周部に当接された枠体と、を備え、
前記枠体は、内壁を有し、
前記内壁は、少なくとも一つ以上の突起部が設けられた細胞電気生理測定デバイス。 - 第一面と第二面とを有し、前記第一面の側に開口する窪み部と前記第二面の側に開口する貫通孔とが形成された薄板と、
前記第二面の側の前記薄板の薄板外周部に当接された枠体と、を備え、
前記枠体は、内壁を有し、
前記内壁は、少なくとも一つ以上の鋭角の凹部を有した星形形状である細胞電気生理測定デバイス。 - 前記薄板は、
前記第一面の側が第一の材料層によって構成され、
前記第二面の側が第二の材料層によって構成された、少なくとも二層の積層構造を有し、
前記枠体が第三の材料層から構成された請求項1または2に記載の細胞電気生理測定デバイス。 - 前記貫通孔は、前記第一の材料層と前記第二の材料層とにまたがって形成された、
請求項3に記載の細胞電気生理測定デバイス。 - 前記薄板の薄板外周部の大きさは、前記枠体の枠体外周部より小さい、
請求項1または2に記載の細胞電気生理測定デバイス。 - 前記貫通孔は、前記第二の材料層により形成された部分にのみ形成された、
請求項3に記載の細胞電気生理測定デバイス。 - 前記第一の材料層の厚みは前記第二の材料層の厚みよりも厚い、
請求項3に記載の細胞電気生理測定デバイス。 - 前記貫通孔の開口部の端部は、前記開口部の全周にわたって丸め形状を有する、
請求項1または2に記載の細胞電気生理測定デバイス。 - 前記貫通孔の開口部の端部は、前記開口部の全周にわたってテーパ状に広がったテーパ形状を有する、
請求項1または2に記載の細胞電気生理測定デバイス。 - 前記第一の材料層と前記第三の材料層とは、珪素を用いて形成され、
前記第二の材料層は、二酸化珪素を用いて形成された、
請求項3に記載の細胞電気生理測定デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005166492 | 2005-06-07 | ||
JP2005166492 | 2005-06-07 | ||
PCT/JP2006/310846 WO2006132116A1 (ja) | 2005-06-07 | 2006-05-31 | 細胞電気生理測定デバイスおよびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008310641A Division JP4748212B2 (ja) | 2005-06-07 | 2008-12-05 | 細胞電気生理測定デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006132116A1 JPWO2006132116A1 (ja) | 2009-01-08 |
JP4254862B2 true JP4254862B2 (ja) | 2009-04-15 |
Family
ID=37498318
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006536960A Expired - Fee Related JP4254862B2 (ja) | 2005-06-07 | 2006-05-31 | 細胞電気生理測定デバイスおよびその製造方法 |
JP2008310641A Expired - Fee Related JP4748212B2 (ja) | 2005-06-07 | 2008-12-05 | 細胞電気生理測定デバイス |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008310641A Expired - Fee Related JP4748212B2 (ja) | 2005-06-07 | 2008-12-05 | 細胞電気生理測定デバイス |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8318477B2 (ja) |
EP (1) | EP1767929B1 (ja) |
JP (2) | JP4254862B2 (ja) |
CN (1) | CN101031793B (ja) |
WO (1) | WO2006132116A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010101819A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Panasonic Corp | 細胞電気生理センサ |
WO2011068057A1 (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-09 | ニプロ株式会社 | 細胞電位測定容器及びその製造方法 |
CN102869823B (zh) | 2010-04-27 | 2015-09-02 | 松下电器产业株式会社 | 薄片状纤维结构体、电池、绝热材料、防水片、支架 |
US10111282B2 (en) | 2011-07-25 | 2018-10-23 | Ivoclar Vivadent Ag | Dental furnace |
TWI607796B (zh) * | 2016-07-21 | 2017-12-11 | Porous substrate and oscillating assembly | |
CN113390666B (zh) * | 2021-06-17 | 2023-01-24 | 安徽科丞智能健康科技有限责任公司 | 一种检测细胞内化学物质的性能指标方法 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2829005B2 (ja) | 1988-11-11 | 1998-11-25 | 株式会社日立製作所 | マイクロチャンバープレート、これを利用した細胞検出方法、処理方法および装置ならびに細胞 |
US5183744A (en) | 1988-10-26 | 1993-02-02 | Hitachi, Ltd. | Cell handling method for cell fusion processor |
JPH0516501A (ja) * | 1991-07-11 | 1993-01-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 粉体インク媒体、それを用いた粉体インク記録方法、及び粉体インク層再生方法 |
JPH06244257A (ja) | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Ricoh Co Ltd | 半導体基板不純物濃度の決定方法 |
EP0652308B1 (en) | 1993-10-14 | 2002-03-27 | Neuralsystems Corporation | Method of and apparatus for forming single-crystalline thin film |
US6146740A (en) * | 1994-11-28 | 2000-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method of fabricating the same |
WO1998022819A1 (de) | 1996-11-16 | 1998-05-28 | Nmi Naturwissenschaftliches Und Medizinisches Institut An Der Universität Tübingen In Reutlingen Stiftung Bürgerlichen Rechts | Mikroelementenanordnung, verfahren zum kontaktieren von in einer flüssigen umgebung befindlichen zellen und verfahren zum herstellen einer mikroelementenanordnung |
US20020144905A1 (en) | 1997-12-17 | 2002-10-10 | Christian Schmidt | Sample positioning and analysis system |
ES2163284T3 (es) | 1997-12-17 | 2002-01-16 | Ecole Polytech | Posicionamiento y caracterizacion electrofisiologica de celulas individuales y sistemas de membranas reconstituidos sobre soportes microestructurados. |
US6593241B1 (en) * | 1998-05-11 | 2003-07-15 | Applied Materials Inc. | Method of planarizing a semiconductor device using a high density plasma system |
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US6682649B1 (en) | 1999-10-01 | 2004-01-27 | Sophion Bioscience A/S | Substrate and a method for determining and/or monitoring electrophysiological properties of ion channels |
CN1204404C (zh) | 1999-10-01 | 2005-06-01 | 索菲昂生物科学有限公司 | 电生理学性质的测定组件及其构照方法 |
DE19948473A1 (de) | 1999-10-08 | 2001-04-12 | Nmi Univ Tuebingen | Verfahren und Vorrichtung zum Messen an in einer flüssigen Umgebung befindlichen Zellen |
GB9930718D0 (en) * | 1999-12-24 | 2000-02-16 | Central Research Lab Ltd | Apparatus for and method of making electrical measurements on objects |
US6776896B1 (en) * | 2000-10-11 | 2004-08-17 | Axon Instruments, Inc. | Method of positioning cells for electrophysiological testing |
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US20050058990A1 (en) * | 2001-03-24 | 2005-03-17 | Antonio Guia | Biochip devices for ion transport measurement, methods of manufacture, and methods of use |
US7006929B2 (en) | 2001-06-05 | 2006-02-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Signal detecting sensor provided with multi-electrode |
JP2003086548A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-03-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法及びその研磨液 |
JPWO2003016555A1 (ja) | 2001-08-09 | 2004-12-02 | 松下電器産業株式会社 | 細胞診断方法、ならびにそれに用いるデバイスおよび装置 |
JP3945317B2 (ja) * | 2002-06-05 | 2007-07-18 | 松下電器産業株式会社 | 細胞外電位測定デバイスおよびその製造方法 |
US7501278B2 (en) * | 2002-06-05 | 2009-03-10 | Panasonic Corporation | Extracellular potential measuring device and method for fabricating the same |
US8257962B2 (en) | 2003-03-07 | 2012-09-04 | Panasonic Corporation | Extracellular potential measuring device and its manufacturing method |
JP4552423B2 (ja) | 2003-11-21 | 2010-09-29 | パナソニック株式会社 | 細胞外電位測定デバイスおよびこれを用いた細胞外電位の測定方法 |
JP4449519B2 (ja) | 2004-03-22 | 2010-04-14 | パナソニック株式会社 | 細胞外電位測定デバイスおよびその製造方法 |
JP3925439B2 (ja) | 2003-03-07 | 2007-06-06 | 松下電器産業株式会社 | 細胞外電位測定デバイスおよびその製造方法 |
JP3861831B2 (ja) | 2003-03-07 | 2006-12-27 | 松下電器産業株式会社 | 細胞外電位測定デバイスおよびその製造方法 |
FR2844052B1 (fr) | 2002-08-28 | 2005-07-01 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de mesure de l'activite electrique d'elements biologiques et ses applications |
WO2004038410A1 (en) | 2002-10-24 | 2004-05-06 | Sophion Bioscience A/S | Apparatus and method for determining &/or monitoring electrophysiological properties of ion channels |
-
2006
- 2006-05-31 JP JP2006536960A patent/JP4254862B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-31 CN CN2006800008897A patent/CN101031793B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-31 US US11/915,172 patent/US8318477B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-31 WO PCT/JP2006/310846 patent/WO2006132116A1/ja active Application Filing
- 2006-05-31 EP EP06756794.1A patent/EP1767929B1/en not_active Ceased
-
2008
- 2008-12-05 JP JP2008310641A patent/JP4748212B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1767929A1 (en) | 2007-03-28 |
JP2009103705A (ja) | 2009-05-14 |
EP1767929A4 (en) | 2013-02-13 |
CN101031793B (zh) | 2010-08-25 |
JP4748212B2 (ja) | 2011-08-17 |
WO2006132116A1 (ja) | 2006-12-14 |
US8318477B2 (en) | 2012-11-27 |
US20090047731A1 (en) | 2009-02-19 |
CN101031793A (zh) | 2007-09-05 |
EP1767929B1 (en) | 2014-03-05 |
JPWO2006132116A1 (ja) | 2009-01-08 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140206 Year of fee payment: 5 |
|
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