JP2010136202A - 圧電振動片の製造方法、圧電振動片及び圧電振動子 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェハレベルで圧電振動片の外周端（ベベル部）を中央部側よりも容易に且つ安価に加工すること。
【解決手段】圧電基板のマスクである金属膜と、この金属膜のマスクであり且つ圧電振動片を圧電基板に保持する接続支持部が形成されるようにパターニングされたフォトレジスト膜と、を基板側からこの順番で当該圧電基板上に積層し、フォトレジスト膜及び金属膜をマスクとしてエッチング処理を行って圧電基板に複数の圧電振動片の外形を形成する。そして、このエッチング処理により形成された貫通空間（側面）側から、フォトレジスト膜を剥離せずに金属膜に対してエッチング液によりエッチング処理を行ってこの金属膜の外周側を除去して圧電振動片の外周端の表面を露出させ、この露出面に対してエッチング液によりエッチング処理を行って圧電振動片の外周端が内周側よりも薄くなるように加工する。
【選択図】図４

Description

本発明は、例えば水晶等からなる圧電振動片を製造する製造方法、この製造方法により製造された圧電振動片及びこの圧電振動片を備えた圧電振動子に関する。

水晶振動子用の素子は、例えば水晶片（水晶ブランク）の上下面に励振用の電極（励振電極）が形成された構成となっており、励振電極へ電圧を印加すると生じる水晶の圧電逆効果によって、結晶振動が励起される特性を持っている。この水晶振動子用の素子は、例えば保護用のパッケージ内に収容されて水晶振動子として製造され、周波数や時間の基準源として発振器等の電子部品などに広く用いられている。
最近では、この水晶振動子のＣＩ値（クリスタルインピーダンス）をより小さくする要求が強く、そのために振動エネルギーが励振部に閉じこめられるように、水晶振動片（素子）の外周端を励振部である内周（中央）側よりも薄くする加工（ベベル加工）を施したものが用いられている。このベベル加工を行うにあたり、水晶振動片の大きさや用いられる周波数帯域などに応じて、必要な特性となるように外周端の形状（ベベル部の大きさや薄さ）が調整されることになる。

このようなベベル加工を行う手法として、例えば水晶基板を複数のチップ（圧電振動片）状に個片化した後、例えば研磨容器内にこれらのチップと研磨剤などとを投入すると共に、例えば研磨容器を鉛直軸回りに回転させてチップの自重によりチップの外周端と研磨剤とを擦り合わせることによって、チップの外周端をテーパー状に加工する手法が知られている。しかし、この方法では、チップの自重により加工しているため、チップが小さくなる（軽くなる）につれて、加工に長い時間が必要になってしまう。また、水晶振動片をチップ化してからテーパー加工を行うと、その後この水晶振動片に金属からなる電極を形成するためには、個々のチップ毎に例えばスパッタ処理を行って金属膜を成膜する必要があるため、極めて大きな労力（工数）を要してしまう。

そこで、このベベル加工をウェハレベルで行う技術が検討されており、具体的には、内周側から外周端に向かうにつれて徐々に水晶振動片が薄くなるように、水晶振動片の外周端に複数の段部を形成する方法が検討されている。この方法としては、先ず例えばチップの周囲がエッチングされてこのチップが切り出されるようにパターニングされたレジスト膜を水晶基板（ウェハ）上に形成し、このレジスト膜をマスクとして水晶基板を僅かにエッチングする。このエッチングにより、水晶基板上には、水晶振動片の外形に沿うように浅い溝が形成される。そして、このレジスト膜を剥離して、水晶基板上の溝よりも一回り外形が小さくなるようにパターニングされたレジスト膜を水晶基板上に形成する。次いで、このレジスト膜をマスクとして水晶基板を僅かにエッチングすると、初めのエッチング処理により形成された溝を含む領域が全体的に僅かに除去されるため、当該水晶基板上の水晶振動片の外周端に対応する領域（溝）には、周方向に亘って内側が外側よりも僅かに高くなる段部が形成されることになる。

その後、溝の外形よりも一回り小さなパターンのレジスト膜の形成と、このレジスト膜をマスクとした水晶基板のエッチングと、を所定の回数繰り返すことにより、水晶振動片の外周端（ベベル部）には、外周側に向かうにつれて徐々に薄く（低く）なる複数の段部が形成される。そして、この基板上の水晶振動片に金属からなる励振電極を形成した後、水晶振動片（チップ）を例えばエッチングにより個片化する。このように水晶振動片の外周端をウェハレベルで加工することにより、良好なＣＩ値を持つ水晶振動片を容易に且つ安価に得ることができる。しかし、レジスト膜の形成には例えば各々レジスト液の塗布処理、露光処理及び現像処理などの工程が必要になるので依然として工数が多いため、更に工数を減らして容易に且つ安価に水晶振動片を得る技術が求められている。

特許文献１には、端部がテーパー状に傾斜する複数層のフォトレジスト膜を水晶基板上に形成し、このフォトレジスト膜を用いてウェハレベルで水晶振動片の外周端にテーパー加工を行う技術が記載されているが、複数回に亘ってフォトレジスト膜を形成する必要があるため、工数が多くなってしまう。
特許文献２には、水晶基板上に凸面状のフォトレジスト膜を形成して水晶振動片の表面にＲ面を形成する技術が記載されているが、フォトレジスト膜に複数の凸面を精度高く形成するのは極めて困難である。

特開２００７−９７０４６（（００２３）〜（００２５）、図２） 特開２００５−２４４６７７（（００１７）〜（００２１））

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、外周端の厚さが内周側よりも薄くなるように形成された複数の圧電振動片をウェハレベルで容易に且つ安価に形成することができる圧電振動片の製造方法、この方法により製造された圧電振動片及びこの圧電振動片を備えた圧電振動子を提供することにある。

本発明の圧電振動片の製造方法は、
厚さ方向に対するエッチング速度が面方向に対するエッチング速度よりも速くなるように切断された圧電基板から、外周端の厚さが内周側よりも薄くなるように形成された複数の圧電振動片を製造する製造方法において、
圧電基板の表面に金属膜を形成する工程（ａ）と、
前記金属膜の表面に、圧電振動片の周囲の領域がエッチングされるように且つ圧電振動片を保持する接続支持部が圧電振動片と前記圧電基板との間に形成されるようにパターニングされたフォトレジスト膜を形成する工程（ｂ）と、
前記フォトレジスト膜をマスクとして前記金属膜に対してエッチング処理を行ってパターンを形成する工程（ｃ）と、
次いで、前記フォトレジスト膜及び前記金属膜をマスクとして前記圧電基板に対してエッチング処理を行うことにより、前記パターンに対応する圧電振動片の外形を前記圧電基板に形成する工程（ｄ）と、
続いて、前記圧電振動片の外形のエッチング処理により形成された貫通空間側から、前記フォトレジスト膜を剥離せずに前記金属膜に対してエッチング液によりエッチング処理を行うことによって、当該金属膜の外周側を除去して前記圧電振動片の外周端の表面を露出させる工程（ｅ）と、
しかる後、前記圧電振動片の外周端の厚さが当該圧電振動片の内周側よりも薄くなるように、前記圧電基板の前記露出面に対して当該圧電基板の厚さ方向にエッチング液によりエッチング処理を行う工程（ｆ）と、を含むことを特徴とする。

前記エッチング処理を行う工程（ｆ）の後に、前記圧電振動片の外周端の表面を露出させる工程（ｅ）と、前記エッチング処理を行う工程（ｆ）と、を少なくとも１回繰り返すことが好ましい。
前記エッチング処理を行う工程（ｆ）の後に、前記フォトレジスト膜及び前記金属膜を剥離して、前記圧電振動片の表面に電極を形成する工程と、前記接続支持部を除去することにより前記圧電基板から複数の圧電振動片を得る工程と、を行うことが好ましい。
前記圧電基板は、ＡＴカットの水晶基板であることが好ましい。

本発明の圧電振動片は、
上記の圧電振動片の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
本発明の圧電振動子は、
上記の圧電振動片と、前記圧電振動片を収納するための容器と、前記圧電振動片の電極に電気的に接続された外部電極と、を備えたことを特徴とする。

本発明では、外周端の厚さが内周側よりも薄くなるように形成された複数の圧電振動片をウェハレベルで製造するにあたり、圧電基板のマスクである金属膜と、この金属膜のマスクであり且つエッチング処理後に圧電振動片が圧電基板から脱落しないように当該圧電振動片と圧電基板とを接続する接続支持部が形成されるようにパターニングされたフォトレジスト膜と、を圧電基板側からこの順番で当該圧電基板上に積層し、フォトレジスト膜及び金属膜をマスクとしてエッチング処理を行うことによって、圧電基板に複数の圧電振動片の外形を形成している。そして、圧電振動片の外形のエッチング処理により形成された貫通空間（側面）側から、フォトレジスト膜を剥離せずに金属膜に対してエッチング液によりエッチング処理を行うことにより、金属膜の外周側を除去して圧電振動片の外周端の表面を露出させ、この露出面に対して圧電基板の外周端が内周側よりも薄くなるように、圧電基板の厚さ方向にエッチング液によりエッチング処理を行なっている。そのため、ウェハレベルで圧電振動片の外周端を内周側よりも薄くすることができるので、容易に且つ安価に複数の圧電振動片を得ることができる。

本発明の実施の形態の圧電振動片の製造方法について、図１〜図９を参照して説明する。この実施の形態では、圧電振動片である水晶振動片１を製造するにあたって、例えば圧電基板（水晶基板）であるウェハＷから、後述の電極５０〜５３が表面に形成された複数の水晶振動片１を切り出す（チップ化する）ようにしている。具体的には、図１に示すように、ＡＴカット板となるように形成（切断）されたウェハＷ上に、各々の水晶振動片１の形成領域となる区画領域５を碁盤の目状に縦横に複数箇所例えば３０箇所ずつ配置している。このＡＴカット板とは、例えばＺ軸から３０°１５′＋α（α：各々の圧電振動片の仕様により異なる）の結晶方位から切断されたウェハＷである。

この区画領域５は、例えば図２（ａ）に示すウェハＷに対して以下のようにして各々形成される。先ず、ウェハＷの表面及び裏面（上下面）にＣｒ（クロム）及び金（Ａｕ）からなる金属膜６及びレジスト膜７をウェハＷ側からこの順番で成膜し、図２（ｂ）に示すように露光処理及び現像処理によりウェハＷの表面のレジスト膜７にパターン８を形成すると共に、ヨウ化カリウム（ＫＩ）水溶液にウェハＷを浸漬して金属膜６をエッチングする。そして、図２（ｃ）に示すように、弗酸（ＨＦ）水溶液に浸漬することによりウェハＷに対してエッチングを行い、各々の区画領域５に凹部９を形成する。その後、上下面のレジスト膜７を剥離すると共に、裏面の金属膜６を除去する。尚、図２は図１（ａ）に示すＡ−Ａ線におけるウェハＷの縦断面を模式的に示したものである。

次に、図３（ａ）に示すように、例えばスパッタ法によってクロムなどの下層膜２１と金などの上層膜２２とをウェハＷ側からこの順番で上下両面に積層して、これらの膜２１、２２からなる積層膜である金属膜２３を形成する。また、このウェハＷの上下面にフォトレジスト膜２４を形成し、このフォトレジスト膜２４に対して露光処理及び現像処理を行うことにより、図６に示すように、各々の区画領域５に対して水晶振動片１に対応する例えば矩形のパターン３１が形成されるようにパターニングを行う。このパターン３１には、エッチング処理を行った時に水晶振動片１がウェハＷから脱落しないように、この水晶振動片１を囲む枠部分３２と水晶振動片１の端部との間に、当該水晶振動片１を保持する接続支持部３３が形成される領域がパターニングされている。尚、この図６では、図を見やすくするためにフォトレジスト膜２４にハッチングを付してある。

次いで、このウェハＷを金属のエッチング液である例えばヨウ化カリウム水溶液に浸漬して、図３（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜２４をマスクとして上記のパターン３１に対応した形状となるように金属膜２３をエッチングする。続いて、このウェハＷを水晶のエッチング液である例えば沸酸水溶液に浸漬して、図３（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜２４及び金属膜２３をマスクとしてパターン３１の形状に対応するようにウェハＷをエッチングする。このエッチング処理により、ウェハＷに対して上下面から各々穿たれた凹部３４、３４同士が連通して貫通空間３５が形成され、水晶振動片１の外形が形成されると共に、水晶振動片１が一端側において接続支持部３３を介してウェハＷ（枠部分３２）に保持される。尚、この図３及び図４は、一つの区画領域５を示している。

そして、このウェハＷを再度既述のヨウ化カリウム水溶液に所定の時間浸漬すると、図４（ａ）に示すように、貫通空間３５（側面）側から見たときの金属膜２３がこの水溶液に接触し、一方金属膜２３の表面にはフォトレジスト膜２４が剥離されずに残っているので、この金属膜２３が側方側から浸食されて、当該金属膜２３の外周側が所定の寸法だけ除去（エッチング）される。この時、既述の接続支持部３３との接続部における金属膜２３はこのエッチング液にほとんど接触しないので、当該接続部では金属膜２３が残ることとなる。そのため、このエッチング処理により水晶振動片１の外周端の上下面は、接続支持部３３との接続部以外の全周に亘って露出することになる。

次に、このウェハＷを沸酸水溶液に所定の時間浸漬すると、上記の金属膜２３のエッチングにより水晶振動片１の外周端の上下面が露出しているので、この露出した領域を露出領域４２と呼ぶと、露出領域４２が沸酸水溶液に接触することになる。そのため、図４（ｂ）に示すように、この水晶振動片１の外周端が厚さ方向に所定の寸法だけエッチングされて、例えば内側から外側に向かって徐々に薄くなるテーパー面４１が形成される。この時、水晶振動片１の側面も沸酸水溶液に接触するが、ウェハＷがＡＴカット基板であり長さ方向（面方向）に対するエッチング速度よりも厚さ方向に対するエッチング速度が速いことから、このエッチングは側方側（内側）にはほとんど進行しない。以上の水晶振動片１にテーパー面４１が形成される様子について、図１のＢ−Ｂ線における縦断面を図５に示す。図５（ａ）、（ｂ）は、既述の図４（ａ）、（ｂ）に夫々対応している。
そして、図４（ｃ）に示すように、ウェハＷの上下面のフォトレジスト膜２４を剥離すると共に、金属膜６、２３を除去する。

次に、励振電極５０、５１及び引き出し電極５２、５３の形成工程について図７を参照して説明する。先ず、図７（ａ）に示すように、水晶振動片１の全面に金属膜６４及びレジスト膜６５をウェハＷ側からこの順番で成膜すると共に、図７（ｂ）に示すように、露光処理及び現像処理によりレジスト膜６５を電極５０〜５３に対応する形状となるようにパターニングする。次いで、図７（ｃ）に示すように、このウェハＷをヨウ化カリウム水溶液に浸漬して金属膜６４をエッチングする。このエッチングにより、水晶振動片１の上下面には夫々励振電極５０、５１が形成されると共に、これらの励振電極５０、５１の夫々から、水晶振動片１の一端側（この例では右側）の側面を介して他面側の励振電極５０、５１の近傍領域へ配線が夫々引き回されるように、引き出し電極５２、５３が形成される。その後、図７（ｄ）に示すように、レジスト膜６５を剥離する。こうして図８に示すように、ウェハＷ上の区画領域５の各々に、接続支持部３３に接続支持された複数の水晶振動片１が形成される。そして、図７（ｅ）に示すように、例えばレーザーダイシングなどにより接続支持部３３を切削して、個片（チップ）状の水晶振動片１を製造する。尚、図８では、区画領域５の一つについてのみ水晶振動片１を描画し、他の区画領域５については水晶振動片１の描画を省略している。

上記のようにしてウェハＷから切り出された（チップ化された）大きさが例えば１．０００ｍｍ×０．７００ｍｍ×５０μｍ（厚さ）で重さが例えば０．１ｍｇ程度の水晶振動片１には、図９に示すように、接続支持部３３により支持されていた領域を除いて全周に亘って上下面に外周端が内周側よりも薄いベベル部４４（テーパー面４１）が形成される。この図９において、５０、５１は、既述の励振電極であり、５２、５３はこれらの励振電極５０、５１から水晶振動片１の長辺側の側面を介して他方側の励振電極５０、５１の近傍領域まで夫々伸びる引き出し電極である。尚、この図９（ａ）、（ｂ）は、夫々水晶振動片１の上面及び下面を示している。

上述の実施の形態によれば、金属膜２３と、接続支持部３３が形成されるようにパターニングされたフォトレジスト膜２４と、をウェハＷ側からこの順番で当該ウェハＷ上に積層し、フォトレジスト膜２４及び金属膜２３をマスクとしてエッチング処理を行うことによって、ウェハＷに複数の水晶振動片１の外形を形成している。そして、水晶振動片１の外形のエッチング処理により形成された貫通空間３５（側面）側から、フォトレジスト膜２４を剥離せずに残したまま金属膜２３に対してエッチング液によりエッチング処理を行うことによって、金属膜２３の外周側を除去して水晶振動片１の外周端の表面を露出させ、この露出領域４２に対してウェハＷの外周端が内周側よりも薄くなるように、ウェハＷの厚さ方向にエッチング液によりエッチング処理を行なっている。そのため、ウェハレベルで複数の水晶振動片１の外周端を内周側よりも薄くすることができるし、この水晶振動片１の外形加工に続く電極５０〜５３の形成工程についてもウェハレベルで行うことができる。従って、良好なＣＩ値を持つ複数の水晶振動片１を容易に且つ安価に得ることができる。

また、水晶振動片１の加工をウェハレベルで行うことができることから、この加工速度が当該水晶振動片１の重さによって変化しないので、例えば水晶振動片１が既述のように軽い（小さい）場合であっても、水晶振動片１を個片化してから加工するよりも短時間でベベル部４４を加工できる。更に、露光処理及び現像処理などが必要なレジスト膜（フォトレジスト膜２４）の形成工程を少なく抑えてエッチング液によるエッチング処理という簡単な処理でベベル部４４の加工を行うことができるので、少ない工数で加工を容易に行うことができる。更にまた、ベベル部４４の加工をエッチング処理により行っていることから、既述の特許文献１、２のようにフォトレジスト膜の特性に頼って加工するよりも高い精度で加工を行うことができる。

尚、既述の図４及び図５などについては、金属膜２３や水晶振動片１の外周端がエッチングされる寸法については模式的に大きく描画してあり、実際にエッチングされるこれらの金属膜２３や水晶振動片１の寸法は極めて小さい。従って、金属膜２３の外周側がエッチングされてフォトレジスト膜２４の端部がウェハＷ側から支持されなくなっても、例えば当該フォトレジスト膜２４の剥離や欠損などが起こらない。

上記の例では、金属膜２３の側方側からのエッチングと、水晶振動片１の外周端における露出領域４２のエッチングと、を夫々１回ずつ行うようにしたが、例えばこれらの工程を複数回例えば２回繰り返すようにしても良い。
その場合には、既述の図４（ｂ）（図５（ｂ））において水晶振動片１の露出領域４２にテーパー面４１を形成した後、以下の工程を行う。先ず、ウェハＷを再度ヨウ化カリウム水溶液に所定の時間浸漬すると、図１０（ａ）及び図１１（ａ）に示すように、金属膜２３が側方側から所定の寸法だけエッチングされて、テーパー面４１よりも所定の寸法だけ内側における水晶振動片１の表面が接続支持部３３との接続部以外の全周に亘って露出する。そして、同様にこのウェハＷを沸酸水溶液に所定の時間浸漬して、図１０（ｂ）及び図１１（ｂ）に示すように、水晶振動片１の外周端における既述のテーパー面４１を含む露出領域４２をエッチングする。この処理により、水晶振動片１の露出領域４２はテーパー面４１を含めて厚さ方向に均等にエッチングされてベベル部４４が形成されることとなる。従って、金属膜２３及び水晶振動片１の接触面と露出領域４２との間には、例えば段部４３が形成される。

このように金属膜２３の側方側からのエッチングと、水晶振動片１の外周端における露出領域４２のエッチングと、をフォトレジスト膜２４を剥離せずに２回繰り返すことにより、水晶振動片１の外周端を更に薄くすることができる。
この時、これらのエッチングを２回以上繰り返すようにしても良く、このエッチングの繰り返し回数（ベベル部４４の形状）は、例えば水晶振動片１の寸法（厚さ寸法や外形寸法）あるいはこの水晶振動片１が用いられる周波数に応じて適宜設定される。尚、図１０は図１におけるＡ−Ａ線における縦断面、図１１は図１のＢ−Ｂ線における縦断面を示している。

上記の例においては、水晶振動片１の外周端（ベベル部４４）にテーパー面４１や段部４３が形成される様子について説明したが、この外周端の形状はエッチング条件や用いるウェハＷの面方位などによって異なる場合があり、当該外周端が内側よりも薄くなるベベル部４４が形成されれば良く、傾斜面（テーパー面４１）や垂直面（段部４３）以外にも例えばＲ面などであっても良い。

次に、上記の水晶振動片１を備えた水晶振動子２について図１２を参照して説明する。この図１２（ａ）、（ｂ）中８０はこの水晶振動片１を収納するための外装体（容器）、８１はこの外装体８０内の一端側に設けられた一対の電極であり、この外装体８０内には、例えば導電性接着剤８２により電極８１、８１と引き出し電極５２、５３とが夫々電気的に接続するように記述の水晶振動片１が固定されている。そして、外装体８０の下面に形成された外部電極８３は、電極８１と電気的に接続されており、例えば図示しない電子機器（電子部品）の電極と接続されことになる。

本発明の実施の形態に係る水晶振動片が形成される圧電基板の一例を示す平面図である。 上記の水晶振動片の製造方法の一例を示す模式図である。 上記の水晶振動片の製造方法の一例を示す模式図である。 上記の水晶振動片の製造方法の一例を示す模式図である。 上記の水晶振動片の製造方法の一例を示す模式図である。 上記の水晶振動片を形成するためのフォトレジスト膜のパターンの一例を示す平面図である。 上記の水晶振動片の製造方法の一例を示す模式図である。 上記の基板に形成された圧電振動片を示す平面図である。 上記の圧電振動片を示す斜視図である。 上記の圧電振動片の製造方法の他の例を示す模式図である。 上記の圧電振動片の製造方法の他の例を示す模式図である。 上記の圧電振動片を備えた水晶振動子を示す模式図である。

符号の説明

Ｗ ウェハ
１ 圧電振動片
２ 水晶振動子
２３ 金属膜
２４ フォトレジスト膜
３１ パターン
３３ 接続支持部
３４ 凹部
４４ ベベル部

Claims (6)

1. 厚さ方向に対するエッチング速度が面方向に対するエッチング速度よりも速くなるように切断された圧電基板から、外周端の厚さが内周側よりも薄くなるように形成された複数の圧電振動片を製造する製造方法において、
   圧電基板の表面に金属膜を形成する工程（ａ）と、
   前記金属膜の表面に、圧電振動片の周囲の領域がエッチングされるように且つ圧電振動片を保持する接続支持部が圧電振動片と前記圧電基板との間に形成されるようにパターニングされたフォトレジスト膜を形成する工程（ｂ）と、
   前記フォトレジスト膜をマスクとして前記金属膜に対してエッチング処理を行ってパターンを形成する工程（ｃ）と、
   次いで、前記フォトレジスト膜及び前記金属膜をマスクとして前記圧電基板に対してエッチング処理を行うことにより、前記パターンに対応する圧電振動片の外形を前記圧電基板に形成する工程（ｄ）と、
   続いて、前記圧電振動片の外形のエッチング処理により形成された貫通空間側から、前記フォトレジスト膜を剥離せずに前記金属膜に対してエッチング液によりエッチング処理を行うことによって、当該金属膜の外周側を除去して前記圧電振動片の外周端の表面を露出させる工程（ｅ）と、
   しかる後、前記圧電振動片の外周端の厚さが当該圧電振動片の内周側よりも薄くなるように、前記圧電基板の前記露出面に対して当該圧電基板の厚さ方向にエッチング液によりエッチング処理を行う工程（ｆ）と、を含むことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
2. 前記エッチング処理を行う工程（ｆ）の後に、前記圧電振動片の外周端の表面を露出させる工程（ｅ）と、前記エッチング処理を行う工程（ｆ）と、を少なくとも１回繰り返すことを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片の製造方法。
3. 前記エッチング処理を行う工程（ｆ）の後に、前記フォトレジスト膜及び前記金属膜を剥離して、前記圧電振動片の表面に電極を形成する工程と、前記接続支持部を除去することにより前記圧電基板から複数の圧電振動片を得る工程と、を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の圧電振動片の製造方法。
4. 前記圧電基板は、ＡＴカットの水晶基板であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の圧電振動片の製造方法。
5. 請求項１ないし４のいずれか一つに記載の圧電振動片の製造方法によって製造されたことを特徴とする圧電振動片。
6. 請求項５に記載された圧電振動片と、前記圧電振動片を収納するための容器と、前記圧電振動片の電極に電気的に接続された外部電極と、を備えたことを特徴とする圧電振動子。

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