JP4225736B2 - フルオロエタンの製造方法およびその用途 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ペンタフルオロエタンの製造方法および該方法により得られるペンタフルオロエタンを用いてヘキサフルオロエタンを製造する方法、並びにペンタフルオロエタンの用途に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ペンタフルオロエタン（「ＣＦ₃ＣＨＦ₂」ということがある。）は、例えば低温用冷媒やエッチングガスとして用いられ、またヘキサフルオロエタン（「ＣＦ₃ＣＦ₃」ということがある。）製造用原料としても用いられる。
【０００３】
ペンタフルオロエタンの製造方法としては、従来から次のような方法が知られている。
例えば、
（１）テトラクロロエチレン（「ＣＣｌ₂＝ＣＣｌ₂」ということがある。）またはそのフッ素化物を、フッ化水素でフッ素化する方法（特開平８−２６８９３２号公報、特表平９−５１１５１５号公報）、
（２）クロロペンタフルオロエタン（「ＣＦ₃ＣＦ₂Ｃｌ」ということがある。）を水素化分解する方法（特許２５４０４０９号公報）、
（３）ハロゲン含有エチレンにフッ素ガスを反応させる方法（特開平１−３８０３４号公報）、
等が挙げられる。
【０００４】
これらの製造方法を用いると、クロロフルオロカーボン（ＣＦＣ）類、ハイドロクロロフルオロカーボン（ＨＣＦＣ）類、ハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）類などの種々の不純物が目的物質であるペンタフルオロエタン中に含まれる。
純度の高いペンタフルオロエタンを得るためには、これらの不純物をできる限り除去する必要がある。これらの不純物のうち、クロロフルオロカーボン類については高純度化するという目的以外に、オゾン層の破壊を防止するという観点から種々の精製方法が提案されている。特にクロロペンタフルオロエタンはペンタフルオロエタンと沸点が近く、通常の蒸留では分離が困難なため以下のような精製方法が提案されている。
【０００５】
例えば、
（１）抽出蒸留による方法（特表平９−５０８６２６号公報）、
（２）クロロペンタフルオロエタンを水素化分解する方法（特開平８−３０１８０１号公報）、
（３）クロロペンタフルオロエタンをフッ化水素（ＨＦ）によりフッ素化した後に除去する方法。（特開２００１−４８８１６公報）、
等が挙げられる。
【０００６】
これに対し、ハイドロクロロフルオロカーボン類やハイドロフルオロカーボン類からなる不純物を分離して精製する方法については、ごく少数しか提案がなされていないが、例えば、特表平９−５０８６２７号公報には抽出蒸留による精製方法が記載されている。ハイドロクロロフルオロカーボン類やハイドロフルオロカーボン類のうち、ジフルオロメタン（「ＣＨ₂Ｆ₂」ということがある。）と１，１，１−トリフルオロエタン（「ＣＦ₃ＣＨ₃）ということがある。）はペンタフルオロエタンと共沸混合物を形成することが知られており、ペンタフルオロエタンと分離することが非常に困難な化合物である。
【０００７】
水素化分解を含む方法によってペンタフルオロエタンを製造した場合、過剰水添脱ハロゲン反応の結果、１，１，１−トリフルオロエタンが副生物として生成する可能性が高く、ペンタフルオロエタン中に比較的多量に含まれる。ペンタフルオロエタン中に含まれる１，１，１−トリフルオロエタンを除去する方法としては抽出蒸留による方法が知られている。しかしながら、この方法では蒸留塔など高価な設備を複数必要とするため、設備費が膨大となるという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような背景の下、低温用冷媒やエッチングガスとして、あるいは高純度ヘキサフルオロエタン製造用原料として使用することができる、高純度のペンタフルオロエタンを工業的に有利に製造する方法および該方法により得られるペンタフルオロエタンを用いてヘキサフルオロエタンを製造する方法、並びにペンタフルオロエタンの用途を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、ペンタフルオロエタンを製造する方法において、テトラクロロエチレンをフッ素化して不純物を含有する粗ペンタフルオロエタンを得る工程（１）と、触媒の存在下、前記不純物を含有する粗ペンタフルオロエタンと酸素および／または含酸素化合物を接触させる工程（２）を含む製造方法を用いることにより、前記の課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
本発明のペンタフルオロエタンの製造方法は以下の工程を含むことを特徴とする。
（１）テトラクロロエチレンをフッ素化して粗ペンタフルオロエタンを得る工程
（２）触媒の存在下、前記粗ペンタフルオロエタンと酸素および／または含酸素化合物を接触させる工程
工程（２）で用いられる粗ペンタフルオロエタンが、水素と接触させる工程を経て得られたものであることが好ましい。
工程（２）の温度が１５０〜４００℃であることが好ましい。
【００１１】
触媒が三価の酸化クロムを主成分とする坦持型または塊状型触媒であることが好ましい。
触媒が、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、レニウム、白金および金からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を主成分とする坦持型触媒であることが好ましい。
坦持型触媒に用いる坦体が、アルミナ、フッ化アルミナまたはゼオライトであることが好ましい。
【００１２】
粗ペンタフルオロエタンが、フルオロメタン、ジフルオロメタン、フルオロエタン、１，１−ジフルオロエタン、１，２−ジフルオロエタン、１，１，１−トリフルオロエタンおよび１，１，２−トリフルオロエタンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含んでいてもよい。
粗ペンタフルオロエタン中に含まれる不純物の総量が２ｖｏｌ％以下であることが好ましい。
【００１３】
本発明のペンタフルオロエタンの製造方法は、三価の酸化クロムを主成分とする触媒の存在下、粗ペンタフルオロエタンと酸素および／または含酸素化合物を、１５０〜４００℃で接触させ、次いで蒸留によって不純物を分離することを特徴とする。
また、本発明のペンタフルオロエタンの製造方法は、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、レニウム、白金および金からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を主成分とする坦持型触媒の存在下、粗ペンタフルオロエタンと酸素および／または含酸素化合物を、１５０〜４００℃で接触させ、次いで蒸留によって不純物を分離することを特徴とする。
【００１４】
粗ペンタフルオロエタンが少なくともトリフルオロエタンを含んでいてもよい。
酸素および／または含酸素化合物の濃度が、０．１〜２０ｖｏｌ％であることが好ましい。
本発明は、前記のいずれかの製造方法によって得られ、不純物の総量が５００ｖｏｌｐｐｍ以下であるペンタフルオロエタンである。
ペンタフルオロエタン中に不純物として含まれるトリフルオロエタンの含有量が１００ｖｏｌｐｐｍ以下であることが好ましい。
本発明は前記のペンタフルオロエタンを含むことを特徴とする冷媒である。
【００１５】
本発明のヘキサフルオロエタンの製造方法は以下の工程を含むことを特徴とする。
（１）テトラクロロエチレンをフッ素化して粗ペンタフルオロエタンを得る工程
（２）触媒の存在下、前記粗ペンタフルオロエタンと酸素および／または含酸素化合物を接触させる工程
（３）工程（２）を経て得られるペンタフルオロエタンをフッ素ガスと反応させる工程
工程（２）で用いられる粗ペンタフルオロエタンが、水素と接触させる工程を経て得られたものであることが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳しく説明する。
前述したように、ペンタフルオロエタンは、テトラクロロエチレンまたはそのフッ素化物をフッ化水素（ＨＦ）でフッ素化する方法、または、クロロペンタフルオロエタンを水素化分解する方法等により製造することができる。いずれの方法を用いて製造した場合でも、一般的に行われる蒸留操作などの精製工程を経て得られるペンタフルオロエタン中には、ペンタフルオロエタンと分離することが困難な不純物であるクロロペンタフルオロエタンが含まれる。ペンタフルオロエタンを高純度化するためにはこのクロロペンタフルオロエタンを分離することが必要であり、また、オゾン層の破壊を防止するという観点からもクロロペンタフルオロエタンを含まないことが要求されている。
【００１７】
ペンタフルオロエタン中に含まれるクロロペンタフルオロエタンを分離する方法としては、前述したように、水素化分解による方法、抽出蒸留による方法、吸着による方法などが提案されている。これらの方法のうち、設備コストなどを考えたうえでより安価にペンタフルオロエタンを製造することができるのは水素化分解による方法である。ここで、ペンタフルオロエタンを製造する方法または精製する方法として、水素化分解工程を含む方法を選択した場合の問題点としては、過剰水添反応の結果、１，１，１−トリフルオロエタン等の難分離性のハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）類が生成することが挙げられる。特にジフルオロメタンと１，１，１−トリフルオロエタンはペンタフルオロエタンと沸点が非常に近く、また共沸混合物を形成することが知られており、蒸留などの一般的な精製方法では分離が困難な物質である。ペンタフルオロエタン中に含まれるハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）類を分離する方法としては、前述の抽出蒸留による方法が提案されているが、蒸留塔などの高価な設備が複数必要であり、設備コストが膨大となるという問題がある。
【００１８】
本発明のペンタフルオロエタンの製造方法は、（１）テトラクロロエチレンをフッ素化して不純物を含有する粗ペンタフルオロエタンを得る工程、および（２）触媒の存在下、前記粗ペンタフルオロエタンと酸素および／または含酸素化合物を接触させる工程、を含むことを特徴とする。工程（１）の方法は特に制限はなく、触媒の存在下、テトラクロロエチレンをフッ化水素（ＨＦ）を用いて２段階でフッ素化して粗ペンタフルオロエタンを得ることができる。
【００１９】
本発明は、ペンタフルオロエタン中に含まれるハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）のような不純物を、触媒の存在下、酸素および／または含酸素化合物と気相において１５０〜４００℃に高められた温度で接触させることにより、不純物として含まれるハイドロフルオロカーボン類を酸化してＣＯ₂などに転化する。例えば、ペンタフルオロエタン中に含まれるジフルオロメタンと１，１，１−トリフルオロエタンは、酸素で酸化すると下記の式（ａ）や式（ｂ）で示されるような反応が進行すると推定される。
ＣＨ₂Ｆ₂ ＋ Ｏ₂ → ＣＯ₂ ＋ ２ＨＦ 式（ａ）
ＣＦ₃ＣＨ₃ ＋ ２Ｏ₂ → ２ＣＯ₂ ＋ ３ＨＦ 式（ｂ）
【００２０】
主な酸化生成物はＣＯ₂であり、副生物としてＨＦが生成する。
この反応でＣＯ₂に転化する化合物は、前記のフルオロメタン、ジフルオロメタン、フルオロエタン、１，１−ジフルオロエタン、１，２−ジフルオロエタン、１，１，１−トリフルオロエタン、１，１，２−トリフルオロエタンなどである。これらの化合物は、水素化分解工程を含む製造方法または精製方法を用いた場合、ペンタフルオロエタン中には、総量で通常数千ｖｏｌｐｐｍ程度含まれている。これらの不純物はペンタフルオロエタンを高純度化するという観点から除去することが要求されている。
【００２１】
本発明のペンタフルオロエタンの製造方法において、粗ペンタフルオロエタン中に含まれるハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）等の不純物の総量は２ｖｏｌ％以下であることが好ましく、０．５ｖｏｌ％以下がより好ましく、０．３ｖｏｌ％以下がさらに好ましい。ハイドロフルオロカーボン類等の不純物の含有量が２ｖｏｌ％を超えると、反応温度を高くする必要があり、触媒の寿命が短くなることがある。
【００２２】
反応に用いられる触媒としては、（i）三価の酸化クロムを主成分とする坦持型または塊状型触媒、または（ii）パラジウム、ロジウム、ルテニウム、レニウム、白金および金からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を主成分とする坦持型触媒であることが好ましい。原料としては、これらの金属、金属酸化物または塩などを用いることができる。また、担持型触媒に使用できる坦体としては、アルミナ、フッ化アルミナまたはゼオライトを用いることができる。
【００２３】
三価の酸化クロムを主成分とする触媒（i）の調製方法としては、例えばクロムの金属塩の水溶液中にアンモニア等の塩基性物質を滴下して水酸化クロムを沈殿させた後、沈殿を洗浄、濾過、乾燥して得られる水酸化クロムを成型した後、さらに窒素等の不活性ガスの存在下で加熱処理をすることにより調製することができる。また、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、レニウム、白金および／または金を主成分とする坦持型触媒（ii）の調製方法としては、例えば前記の金属塩を水溶性溶媒、例えば水、メタノールまたはアセトン等に溶解し、坦体を浸漬して必要な元素を吸着させる。次いで溶媒を留去してさらに水素等で加熱還元処理することにより調製することができる。
【００２４】
工程（２）の温度は１５０〜４００℃が好ましく、１８０〜３７０℃がさらに好ましい。反応温度が４００℃より高いと触媒寿命が短くなる傾向が見られ、主反応に起因しない副生物の種類や量が増加することがある。
反応基質ガス中に含まれる酸素および／または含酸素化合物の濃度は０．１〜２０ｖｏｌ％が好ましい。酸素は高純度の酸素または空気を用いることができ、高純度の酸素を用いることが好ましい。酸素の濃度が０．１ｖｏｌ％未満となった場合、ペンタフルオロエタン中に不純物として含まれるハイドロフルオロカーボン類の種類、量により異なるが、反応に必要な酸素が充分でないため、転化率が低下するので好ましくない。また酸素の濃度が２０ｖｏｌ％より高くなると、過剰の反応が進行して、反応基質ガスの主成分であるペンタフルオロエタンの分解反応が起こり、ペンタフルオロエタンのロス量が増大するため経済的観点等から好ましくない。また、含酸素化合物としては、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ₂）またはオゾン（Ｏ₃）を用いることができる。
【００２５】
本発明のペンタフルオロエタンの製造方法は、前述のような反応条件の下に実施することができるが、反応生成物にはペンタフルオロエタンの他に、ＣＯ₂や主反応に起因しないハイドロフルオロカーボン類等の副生物、ＨＦ等の酸分が含まれ、ＣＯ₂や酸分は除去することが好ましい。
酸分の除去方法としては、例えば精製剤と接触させる方法、水やアルカリ水溶液等と接触させる方法等を用いることができる。酸分を除去したガスは、例えばゼオライト等の脱水剤を用いて脱水を行い、その後蒸留を行ってＣＯ₂を除去することが好ましく、それと同時に前述した主反応に起因しない副生物を除去することが好ましい。
【００２６】
また本発明は、三価の酸化クロムを主成分とする触媒の存在下、粗ペンタフルオロエタンと酸素および／または含酸素化合物を、１５０〜４００℃で接触させ、次いで蒸留によって不純物を分離することを特徴とするペンタフルオロエタンの製造方法である。
また、本発明は、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、レニウム、白金および金からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を主成分とする坦持型触媒の存在下、粗ペンタフルオロエタンと酸素および／または含酸素化合物を、１５０〜４００℃で接触させ、次いで蒸留によって不純物を分離することを特徴とするペンタフルオロエタンの製造方法である。
【００２７】
反応後に精製する方法としては特に制限はなく、一般的に用いられている蒸留によって精製することができる。蒸留の方法としては例えば以下の方法を用いることができる。
反応器において粗ペンタフルオロエタンと酸素および／または含酸素化合物を、１５０〜４００℃で接触させたガスは蒸留塔に導入される。蒸留塔の塔内圧力は、大気圧から２ＭＰａの範囲内とすることが好ましい。大気圧より低くするためには減圧系の設備が必要となり、２ＭＰａを超えると、高圧系の設備が必要となるので好ましくない。例えば酸素を用いて前記の接触反応を行った場合には、蒸留塔の塔頂から酸素を含む低沸分が抜き出され、蒸留塔のボトムから高沸分が抜き出される。この時、塔頂およびボトムから抜き出される成分の中に、目的成分であるペンタフルオロエタンが含まれることがあるが、その際にはそれぞれ別の蒸留塔に導入して精製してペンタフルオロエタンを回収してもよい。その時分離された成分がペンタフルオロエタンの製造中間体である場合には反応工程に戻して再利用してもよい。
【００２８】
このようにして精製することにより、より純度の高いペンタフルオロエタンを得ることができる。含まれる不純物の含有量は５００ｖｏｌｐｐｍ以下である。純度が９９．９５ｖｏｌ％以上であるペンタフルオロエタンの分析方法としては、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）法のＴＣＤ法、ＦＩＤ法あるいはガスクロマトグラフィー−質量分析（ＧＣ−ＭＳ）法等により実施することができる。
【００２９】
次に、本発明の製造方法を用いて得られるペンタフルオロエタンの用途について説明する。
高純度のペンタフルオロエタンは、低温用冷凍機の作動流体として現在用いられているクロロジフルオロメタン（ＣＨＦ₂Ｃｌ）の代替品として用いることができる。また他のクロロジフルオロメタン代替品である、ジフルオロメタン／ペンタフルオロエタン／１，１，１，２−テトラフルオロエタンやジフルオロメタン／ペンタフルオロエタン等の混合冷媒の原料としても用いることができる。
【００３０】
また、高純度のペンタフルオロエタンは高純度のヘキサフルオロエタン製造用原料としても用いることができる。特に、ペンタフルオロエタンとフッ素ガス（Ｆ₂）との反応によりヘキサフルオロエタンを製造する方法においては、高純度のペンタフルオロエタンを原料として用いることにより、ヘキサフルオロエタンと難分離性の不純物の生成を抑制したり、フッ素化反応条件の設定し得る範囲が広がり、安定的に制御することができ、精製工程を簡略化できる。
【００３１】
従って本発明は、（１）テトラクロロエチレンをフッ素化して不純物を含有する粗ペンタフルオロエタンを得る工程、（２）触媒の存在下、前記粗ペンタフルオロエタンと酸素および／または含酸素化合物を接触させる工程、および（３）工程（２）を経て得られるペンタフルオロエタンをフッ素ガスと反応させる工程、をを含むことを特徴とするヘキサフルオロエタンの製造方法である。
工程（２）の粗ペンタフルオロエタンが、水素と接触させる工程を経て得られたものであることが好ましい。
【００３２】
さらに、高純度のペンタフルオロエタン、あるいはＨｅ、Ｎ₂、Ａｒ等の不活性ガス、ＨＣｌ、Ｏ₂、Ｈ₂等との混合ガスは、半導体デバイス製造工程の中のエッチング工程におけるエッチングガスとして用いることができる。ＬＳＩやＴＦＴ、有機ＥＬ等の半導体デバイスの製造プロセスでは、ＣＶＤ法、スパッタリング法、あるいは蒸着法などを用いて薄膜や厚膜を形成し、回路パターンを形成するためにエッチングを行う際に、前述のペンタフルオロエタンを含む混合ガスをエッチングガスとして用いることができる。ペンタフルオロエタンを用いるエッチング方法は、プラズマエッチング、マイクロ波エッチング等の各種ドライエッチング条件で実施することができる。
【００３３】
【実施例】
以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（ペンタフルオロエタンの原料例）
触媒が充填された第１反応器にテトラクロロエチレンとフッ化水素を導入し、中間体である１，１，１−トリフルオロ−２，２−ジクロロエタンおよび１，１，１、２−テトラフルオロ−２−クロロエタンを主成分とするガスを生成させ、これをＨＦと共に第２反応器に導入してペンタフルオロエタンを製造した。このペンタフルオロエタンを蒸留し、不純物としてクロロペンタフルオロエタンを０．５％含有するペンタフルオロエタンを得た。
上記ペンタフルオロエタンを、市販の水素化触媒の存在下、水素と反応させた（反応圧力０．３５ＭＰａ、反応器温度２８０℃、Ｈ₂／クロロペンタフルオロエタンモル比＝５）。得られた混合ガスから、公知の方法を用いて酸分を除去した後、蒸留精製を行いペンタフルオロエタンを主成分とする留出物を得た。この留出物をガスクロマトグラフィーにて分析したところ、表１に示した組成を有する混合ガスであった。
【００３４】
【表１】

【００３５】
（触媒の製造例）（触媒１）
硝酸クロム９水和物を水に溶解し、２８重量％のアンモニア水と攪拌しながら混合して、水酸化クロムのスラリーを得た。これを濾別し、水でよく洗浄した後、１２０℃で乾燥した。得られた固まりを粉砕、黒鉛と混合し、打錠成型機によってペレット化した。このペレットをＮ₂気流下４００℃で４時間焼成し、三価の酸化クロムを主成分とする触媒１を得た。
【００３６】
（触媒の製造例）（触媒２）
塩化第二白金酸を水に溶解し、これに３ｍｍφの球状アルミナ坦体を浸漬し、白金塩を吸着させた。その後、１００℃の温度で溶媒を留去し、３００℃で空気焼成を行った後、３５０℃で水素還元した。得られた白金触媒２の白金坦持率は０．２５％であった。
【００３７】
（実施例１）
内径１インチ、長さ１ｍのインコネル６００製反応器に触媒（触媒１）１００ｍｌを充填し、窒素ガスを流しながら温度を３００℃に保持した。次に、酸素を２．０ＮＬ／ｈｒの流速で供給し、表１に示した組成を有するガスを３８．０ＮＬ／ｈｒの流速で供給し、その後窒素ガスの供給を停止して反応を開始した。２時間後、反応器からの出口ガスを水酸化カリウム水溶液で洗浄して酸分を除去した後、モレキュラーシーブス３Ａ（ユニオン昭和株式会社製）と接触させて乾燥した。この乾燥したペンタフルオロエタンを主成分とするガスを冷却捕集し、蒸留により精製を行った。精製後のガスをガスクロマトグラフィーにて分析したところ、表２に示した組成を有するガスであった。
【００３８】
【表２】

【００３９】
（実施例２）
触媒２を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、ペンタフルオロエタンを得た。精製後のガスをガスクロマトグラフィーにて分析したところ、表３に示した組成を有していた。
【００４０】
【表３】

【００４１】
（実施例３）
内径１インチ、長さ５０ｃｍのニッケル製反応器（電気ヒーター加熱、反応器は温度５００℃でフッ素ガスによる不動態化処理を実施）に、２つのガス導入口から合計３０ＮＬ／ｈｒの流速で窒素ガスを供給し、反応器の温度を４２０℃に保持した。次に、前記の２つのガス導入口から合計５０ＮＬ／ｈｒの流速でＨＦを流し、一方のガス導入口から実施例１で得たペンタフルオロエタンを主成分とする混合ガスを３．５ＮＬ／ｈｒの流速で導入した。また他方のガス導入口から３．８５ＮＬ／ｈｒの流速でフッ素ガスを導入して反応を行った。３時間後、反応器からの出口ガスを水酸化カリウム水溶液およびヨウ化カリウム水溶液と接触させ、ＨＦおよび未反応フッ素ガスを除去した。次いで脱水剤と接触させて乾燥し、乾燥したガスを冷却捕集した後に蒸留による精製を行った。精製後のガスをガスクロマトグラフィーのＴＣＤ法、ＦＩＤ法、ＥＣＤ法およびＧＣ−ＭＳ法により分析したところ、表４に示した結果であった。
【００４２】
【表４】

表４に示した分析結果から明らかなように、ヘキサフルオロエタン中には他の不純物はほとんど含まれず、高純度のヘキサフルオロエタンが得られた。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の精製方法を用いれば、高純度のペンタフルオロエタンを得ることができる。本発明で得られたペンタフルオロエタンは低温用冷媒、高純度ヘキサフルオロエタン製造用原料として用いることができる。

Claims (9)

1. 以下の工程を含むことを特徴とするペンタフルオロエタンの製造方法。
   （１）テトラクロロエチレンをフッ素化して粗ペンタフルオロエタンを得る工程
   （２）パラジウム、ロジウム、ルテニウム、レニウム、白金および金からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を主成分とする坦持型触媒の存在下、前記粗ペンタフルオロエタンと酸素および／または含酸素化合物を接触させる工程
2. 工程（２）で用いられる粗ペンタフルオロエタンが、水素と接触させる工程を経て得られたものである請求項１に記載の製造方法。
3. 工程（２）の温度が１５０〜４００℃である請求項１または２に記載の製造方法。
4. 坦持型触媒に用いる坦体が、アルミナ、フッ化アルミナまたはゼオライトである請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
5. 粗ペンタフルオロエタンが、フルオロメタン、ジフルオロメタン、フルオロエタン、１，１−ジフルオロエタン、１，２−ジフルオロエタン、１，１，１−トリフルオロエタンおよび１，１，２−トリフルオロエタンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含む請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
6. 粗ペンタフルオロエタン中に含まれる不純物の総量が２ｖｏｌ％以下である請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
7. パラジウム、ロジウム、ルテニウム、レニウム、白金および金からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を主成分とする坦持型触媒の存在下、粗ペンタフルオロエタンと酸素および／または含酸素化合物を、１５０〜４００℃で接触させ、次いで蒸留によって不純物を分離することを特徴とするペンタフルオロエタンの製造方法。
8. 粗ペンタフルオロエタンが少なくともトリフルオロエタンを含むものである請求項７に記載の製造方法。
9. 酸素および／または含酸素化合物の濃度が、０．１〜２０ｖｏｌ％である請求項７または８に記載の製造方法。