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JP4106061B2 - パワーユニット装置及び電力変換装置 - Google Patents

パワーユニット装置及び電力変換装置 Download PDF

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Description

この発明は、例えば燃料電池式自動車、ハイブリッド式自動車などに搭載される交流モータの制御装置などとして好ましく用いることができるパワーユニット装置及び電力変換装置に関するものである。
例えば内燃機関と蓄電池を併用するハイブリッド車など、蓄電池や燃料電池等の直流電源を用いる電気自動車におけるモータを駆動制御するためのインバータ装置は、電力を変換するパワー半導体素子と、これを制御する制御基板、平滑コンデンサ、及びヒートシンクが主な構成要素であり、これら各要素の組立体を小型化するために、電力を変換するパワー半導体素子を内部に包含するパワーモジュールを、モータ軸と直交する面に複数並べて配置し、この面をヒートシンクとし、パワーモジュールから発生する熱を奪熱し冷却しているものがある(例えば特許文献1参照。)。
特開2004−297847号公報(第1頁、図1)
上記従来技術では、複数のパワーモジュールを一つのヒートシンクに搭載するために、ヒートシンクが大型化し、比較的小型のパワーモジュールや周辺構成部材と比較すると、ヒートシンクは過大なサイズと重量となり、組立て時にヒートシンクだけのために製造ラインを長尺化したり、耐荷重を増強させなければならないといった非標準的な特別の対応が必要となり、空間制限が厳しく、かつ軽作業を対象とした電子機器の製造現場では対応が困難になる場合もあるという課題があった。
この発明は上記のような従来技術の課題を解消するためになされたもので、小型化が可能で組立て時の設備や労力に特別の対応が不要となり、組立てが容易で製造面での汎用性に優れたパワーユニット装置を提供することを目的としている。
この発明によるパワーユニット装置は、第1の受熱部及びこの第1の受熱部と反対側に形成された第2の受熱部を有するヒートシンクと、上記第1の受熱部に密着された1相分の直交変換及び/または交直変換を担うパワー半導体素子を内包するパワーモジュールと、上記第2の受熱部に密着された上記半導体素子のリップル電流を抑制する平滑コンデンサと、これらパワーモジュール、ヒートシンク、及び平滑コンデンサを一体化する固定手段、上記パワー半導体素子を制御するゲート制御回路基板と、このゲート制御回路基板を保持するホルダとを備え、上記固定手段は、上記パワーモジュール、ヒートシンク、及び平滑コンデンサの略中央部を貫通して挿通された1本の貫通ボルトからなり、上記貫通ボルトによって、上記パワーモジュール、ヒートシンク、及び平滑コンデンサを圧接状態で一体化するとともに、上記ホルダを上記パワーモジュールの上記ヒートシンクとは反対側の面に、上記固定手段により一体化してなるものである。
この発明においては、パワーモジュール、ヒートシンク、及び平滑コンデンサを一体化する固定手段は、上記パワーモジュール、ヒートシンク、及び平滑コンデンサの略中央部を貫通して挿通された1本の貫通ボルトからなり、上記貫通ボルトによって、上記パワーモジュール、ヒートシンク、及び平滑コンデンサを圧接状態で一体化したので、組立が容易で、放熱効果を高めることができる。また、ヒートシンクを発熱源のパワーモジュールに個別に密着したことで、相間の冷却性能が均質化される。そして、ゲート制御基板を保持するホルダを上記パワーモジュールの上記ヒートシンクとは反対側の面に、上記固定手段により一体化することにより、構成を簡素化し小型化することができる。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1によるパワーユニット装置の外観を概略的に示すもので、図1(a)は平面図、図1(b)は正面図、図1(c)は側面図である。図2は図1に示すパワーユニット装置の内部構成と、該パワーユニット装置を6台用いて2台の3相交流回転電機(以下、単にモータと呼ぶ)を制御するように構成された電力変換装置を示す概略系統図である。なお、各図を通じて同一符号は同一もしくは相当部分を示すものとする。
図において、パワーユニット装置100は、第1の受熱部61及びその反対側に形成された第2の受熱部62を有するヒートシンク6と、上記第1の受熱部61に密着された1相分の直交変換(力行時)及び交直変換(回生時)を担うパワー半導体素子50を内包するパワーモジュール5と、上記第2の受熱部62に密着された上記パワーモジュールのリップル電流を抑制する平滑コンデンサ7と、ゲート制御回路基板8を保持するホルダ14と、これら平滑コンデンサ7、ヒートシンク6、パワーモジュール5、及びホルダ14を貫通して一体化するための固定手段16を構成する貫通ボルト16a及びナット16bを備えている。
上記ヒートシンク6は、箱型状の例えば銅、アルミニウムなど熱伝導率に優れた材料を用いた密閉容器により形成され、この例では外部から容器内に、作動流体、例えば水、水溶液などの冷却液を流入、流出させるためのニップル63、64が設けられている。平滑コンデンサ7の図1(c)の上下両面部には絶縁部材13が配設され、ヒートシンク6に対して絶縁部材13を介して密着させている。ゲート制御回路基板8はホルダ14に固定ネジ15を用いて固定されている。なお、図1(a)では、固定ネジ及び、回路パターン、回路部品などの図示を省略している。
上記パワーモジュール5、ヒートシンク6、平滑コンデンサ7、絶縁部材13、及びホルダ14には貫通ボルト16aを通すために略中央部に図示省略している挿通穴が設けられている。そして貫通ボルト16aは、ホルダ14に埋め込まれたナット16bに対してねじ締結され、パワーモジュール5、ヒートシンク6、平滑コンデンサ7、絶縁部材13、及びホルダ14を挟み込み、密着(圧接)した状態で一体化して一相分のパワーユニット装置100を構成している。なお、ホルダ14が金属の場合、該ホルダ14に貫通ボルト16aに螺合するめねじを螺設することでナット16bを省くこともできる。
なお、上記パワーモジュール5に内包されたパワー半導体素子50は、図2の破線で囲んで示すように、力行時に機能するIGBT1、及びフライホイールダイオード2からなる一対のパワー半導体素子50A、並びに回生時に機能するIGBT3、及びフライホイールダイオード4からなる他の一対のパワー半導体素子50Bからなり、これらの2対のパワー半導体素子50A、50Bが一体化されて、力行と回生の機能の最小単位を構成している。
そして、電源電池11のP極あるいはN極に接続する導電部材181、182と接続する主端子の接続部51、52、及びモータ9に接続するための接続部53、ゲート制御回路基板8に接続するためのゲート制御信号端子54が外部に導出されている。なお、図2では、ゲート制御信号端子54、及び該ゲート制御信号端子54とゲート制御回路基板8を結ぶ配線は図示を省略している。また、以下パワー半導体素子50A、50Bを区別する必要がないときは便宜上単にパワー半導体素子50と呼ぶこととする。
この実施の形態1においては、1つのパワーモジュール5毎に、必要な平滑コンデンサ7、及びIGBT1、3のゲートを制御するゲート制御回路基板8を、共に1つのヒートシンク6にユニット状に一体構成し、1相分のパワーユニット装置100を構成し、2台のモータ9、10に対しパワーユニット装置100を各相毎に3基並列に接続して構成された電力変換装置200を2台用いて制御するように構成されている。なお、図2に例示した電力変換装置200の回路構成は従来公知のものであり、公知技術を特別な制限なく用いることができる。
そして、電源電池11と電力変換装置200との間には電源電池11の電圧を昇圧するDCDCコンバータ12が設けられている。DCDCコンバータ12は、インダクタ121、2つの高周波スイッチ123、及び転流ダイオード124を用いて構成されている。上記高周波スイッチ123と転流ダイオード124は一つのパッケージで形成されたパワーモジュール122の形態で実装されており、DCDCコンバータ12を構成するこれらインダクタ121、及びパワーモジュール122も電力変換部と同様にそれぞれヒートシンク6により個別に冷却される。
上記平滑コンデンサ7の二つの電極にそれぞれ接続された接続部71、72はパワーモジュール5の主端子の接続部51、52と共に導電部材181、182に共締めされて接合され、図示しない別の導体により電源電池11のP極、N極と並列に接続される。なお、図2中の黒い丸印(●)部はパワーモジュール5と平滑コンデンサ7の電極部と、導電部材181、182との接続部を示しており、例えばネジ締結により電気的な導通が図られている。導電部材181、182は一部モールド樹脂により絶縁保持されて一体化された伝導部材18を構成しており、ヒートシンク6の側面部にモールド樹脂の部分で固定されている(図示省略)。パワーモジュール5のモータ9または10側と電力を導通させる主端子の接続部53はパワーモジュール5の側面から突出されている。
次に、上記のように構成された実施の形態1の動作について説明する。電源電池11と接続されるDCDCコンバータ12では、高周波スイッチ123をONとしてインダクタ121に電流を流しエネルギを蓄える。この高周波スイッチ123のゲート駆動は図示しない制御回路によりON/OFFを制御される。さらに高周波スイッチ123をOFFとし、インダクタ121に蓄えられたエネルギを転流ダイオード124を通して所望の電圧まで昇圧させる。昇圧するのは、同じ電力であれば、電圧を昇圧すれば、電流を抑制でき、発熱ロスを低減することが可能で、電力供給系統の効率を向上させることができるためである。
昇圧された電圧は二つのモータ9、10を駆動制御する電力変換装置200に接続される。IGBT1、3のゲートを制御するゲート制御回路基板8により、例えばPWM制御信号としてIGBT1、3に伝達され、モータ9と10に必要な正負のトルクあるいは正逆の回転数を発生させる。このPWM制御により各相のIGBT1、3がON/OFFを繰り返す際に、電源電池11側の電力伝導系統に電流の偏流が生じ、電源電池11の寿命の低下を招くことになる。この偏流成分を抑制するために、パワーモジュール5のPN電極間に平滑コンデンサ7を並列に接続して電源電池11の寿命の延伸が図られている。
上記動作に伴い、特にパワーモジュール5のパワー半導体素子50からは相当の熱を発生するが、パワーモジュール5自体をヒートシンク6の第1の受熱面61に密着ないしは圧接させ、同じく発熱する平滑コンデンサ7をヒートシンク6の反対側の第2の受熱面62に密着させているので、奪熱され、パワー半導体素子50、平滑コンデンサ7共に所定の許容温度以下に保持される。
上記のように、実施の形態1によれば、パワーユニット装置100は、1相毎に平滑コンデンサ7、ヒートシンク6、パワーモジュール5、及びゲート制御回路基板8を保持するホルダ14が1本の貫通ボルト16aで一体化してユニット化されているので、必要な相数のパワーユニット装置100をスペースに応じて組み立てればよく、組立が容易で、放熱効果も高めることができる。また、ヒートシンク6をパワーモジュール5毎に搭載するようにしたので、小型化でき、組立て時の設備や労力に特別の対応が不要となり、従来の電子機器の組立ての内容を踏襲することができ、製造面での汎用性に優れる。
実施の形態2.
図3はこの発明の実施の形態2による電力変換装置の要部を概念的に示す構成図である。なお、この実施の形態2は、上記実施の形態1による図1に示す1相分のパワーユニット装置100を3基用いて、1台の3相モータを駆動制御するときの一台分の電力変換装置を構成したものである。図において、電力変換装置200は、3台のパワーユニット装置100を放射状に略等角度間隔に配置され、円環状の伝導体211、212により、各パワーユニット装置100の導電部材(図1の181、182)と図示しないネジ締結により接続され、伝導体211、212の端子部211a、212aと図示しない電源電池のP極とN極とが導通される。
また、各パワーユニット装置100のモータ側と電力を導通させる主端子の接続部(図1の53)も円弧状の伝導体213U、213V、213Wにより図示しないネジ締結でそれぞれ接続され、端子部213Ua、213Va、213Waが図2に示すモータ9または10のコイルと導通される。上記伝導体211、212、213U、213V、213Wは、モールド樹脂により一体的に絶縁保持され一点鎖線で示す電力伝導部材210を構成しており、端子部211a、212a、213Ua、213Va、213Waが露出されている。さらにパワーユニット装置100のヒートシンク(図1の6)のニップル(同63、64)には、隣り合うパワーユニット装置100のニップルと冷却液を通水するホース220により順次直列に接続され、その端部が外部の図示しないポンプ、放熱器が介装された冷却水経路とループ状に接続され、ヒートシンク6の内部を図示しない冷却液が循環される。
上記のように構成された実施の形態2においては、上記実施の形態1の効果のほか、さらにヒートシンクと発熱源のパワーモジュールとが1相毎に個別に密着・圧接されていることで、相間の冷却性能が均質化されるとともに、パワーユニット装置100を円周上に等角度で配置したことで、電力変換装置200をコンパクトにできる他、サージ電圧の発生も相間で均等にできる効果が得られる。また、相数に応じて必要なパワーユニット装置100を組み付ければよいので、レイアウトの自由度が高まる。
実施の形態3.
図4はこの発明の実施の形態3による電力変換装置の要部を概念的に示す構成図である。なお、この実施の形態3は、上記実施の形態2の電力変換装置が図1に示すパワーユニット装置を円周上に等角度で3基配置したのに対し、直線上に3基配置したものに相当する。図において、パワーユニット装置100は直線状に略等間隔に配置され、電源電池と導通する真直状のP極とN極の伝導体211、212により、パワーユニット装置100の一部である導電部材(図1の181、182)と図示しないネジ締結により接続される。またパワーモジュールのモータ側と電力を導通させる主端子の接続部(図1の53)も電力伝導部材210の内部に一体的に埋設し、図示しないネジ締結で接続されモータ9または10のコイルと導通される。
また、パワーユニット装置100のヒートシンク6に設けられたニップル(図1の63、64)には、隣り合うパワーユニット装置100のニップルと冷却液を通水するホース220が順次直列に接続され、その端部が外部に設けられた図示省略しているポンプ、放熱器が介装された冷却水経路とループ状に接続され、ヒートシンク6の内部を図示しない冷却液が循環される。
上記のように構成された実施の形態3においては、ヒートシンク6がパワーモジュール5毎に搭載されているので、小型化でき、組立て時の設備や労力に特別の対応が不要となり、従来の電子機器の組立てラインなどの方式を踏襲することができ、製造面での汎用性に優れる。また複数のパワーユニット装置100を必要な相数に応じて搭載でき、許容できる空間に沿った配置が可能となり、レイアウトの自由度が高まる。さらにヒートシンク6を発熱源のパワーモジュール5に個別に圧接することで、相間の冷却性能が均質化されるとともに等間隔でパワーユニット装置100を配置することで、サージ電圧の発生も相間で均等にできる。
ところで、上記実施の形態の説明では、平滑コンデンサ7、ヒートシンク6、パワーモジュール5の固定手段16として1本の貫通ボルト16aとナット16bを用いたが、これに限定されるものではなく、中心部を貫通させることが困難な場合など、例えば外周部で固定するなど、要するにこれらを一体的に密着ないしは圧接状態で固定できるものであればよい。また、ゲート制御回路基板8を平滑コンデンサ7、ヒートシンク6、パワーモジュール5と共にホルダ14を用いて一体的に固定したが、例えばゲート制御回路基板8は別体構成でもよい。
さらに、上記実施の形態2及び3は、この発明のパワーユニット装置100を用いて構成した電力変換装置の一例に過ぎず、構成方法はこれらの形態に限定されるものではないことは言うまでもない。また、ヒートシンク6は、蒸発潜熱により冷却するヒートパイプを構成するものでも差し支えない。その場合には、ニップル63、64やポンプ(図示省略)などは不要にできる。また、パワー半導体素子50として、力行時に機能するIGBT1、及びフライホイールダイオード2からなる一対のパワー半導体素子50A、並びに回生時に機能するIGBT3、及びフライホイールダイオード4からなる他の一対のパワー半導体素子50Bを内包した合計2対のパワー半導体素子を備えたものについて説明したが、パワー半導体素子の種類や数はこれに限定されるものではなく、例えば用途によって、何れか一対のパワー半導体素子を内包したものでも同様の効果が期待できる。その他、この発明の精神の範囲内で種々の変形や変更ができることは当然である。
この発明の実施の形態1によるパワーユニット装置の外観を概略的に示すもので、図1(a)は平面図、図1(b)は正面図、図1(c)は側面図である。 図1に示すパワーユニット装置の内部構成と、該パワーユニット装置を6台用いて2台のモータを制御するように構成した電力変換装置を示す概略系統図である。 この発明の実施の形態2による電力変換装置の要部を概念的に示す構成図である。 この発明の実施の形態3による電力変換装置の要部を概念的に示す構成図である。
符号の説明
1 IGBT(力行)、 2 フライホイールダイオード(力行)、 3 IGBT(回生)、 4 フライホイールダイオード(回生)、 5 パワーモジュール、 50(50A、50B) パワー半導体素子、 51、52、53 接続部、 54 ゲート制御信号端子、 6 ヒートシンク、 61 第1の受熱部、 62 第2の受熱部、 63、64 ニップル、 7 平滑コンデンサ、 71、72 接続部、 8 ゲート制御回路基板、 9、10 モータ、 11 電源電池、 12 DCDCコンバータ、 121 インダクタ、 122 パワーモジュール、 123 高周波スイッチ、 124 転流ダイオード、 13 絶縁部材、 14 ホルダ、 15 固定ネジ、 16 固定手段、 16a 貫通ボルト、 16b ナット、 18 伝導部材、 181、182 導電部材、 100 パワーユニット装置、 200 電力変換装置、 210 電力伝導部材、 211、212 伝導体、 211a、212a 端子部、 213U、213V、213W 伝導体、 213Ua、213Va、213Wa 端子部、 220 ホース。

Claims (4)

  1. 第1の受熱部及びこの第1の受熱部とは反対側に形成された第2の受熱部を有するヒートシンクと、上記第1の受熱部に密着された1相分の直交変換及び/または交直変換を担うパワー半導体素子を内包するパワーモジュールと、上記第2の受熱部に密着された上記パワー半導体素子のリップル電流を抑制する平滑コンデンサと、これらパワーモジュール、ヒートシンク、及び平滑コンデンサを一体化する固定手段と、上記パワー半導体素子を制御するゲート制御回路基板と、このゲート制御回路基板を保持するホルダとを備え、上記固定手段は、上記パワーモジュール、ヒートシンク、及び平滑コンデンサの略中央部を貫通して挿通された1本の貫通ボルトからなり、上記貫通ボルトによって、上記パワーモジュール、ヒートシンク、及び平滑コンデンサを圧接状態で一体化するとともに、上記ホルダを上記パワーモジュールの上記ヒートシンクとは反対側の面に、上記固定手段により一体化してなることを特徴とするパワーユニット装置。
  2. 上記ヒートシンクは、内部に作動流体を通流するように形成された箱型の容器からなることを特徴とする請求項に記載のパワーユニット装置。
  3. 上記請求項1または請求項2に記載のパワーユニット装置を制御対象に応じて複数個用い、それらを円周上に略等角度で配設してなることを特徴とする電力変換装置。
  4. 上記請求項1または請求項2に記載のパワーユニット装置を制御対象に応じて複数個用い、それらを直線上に略等間隔で配設してなることを特徴とする電力変換装置。
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