JP4066127B2 - 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器。 - Google Patents

Description

［技術分野］
本発明は、配線基板、接続基板、半導体装置及びこれらの製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
［背景技術］
小型の半導体装置のうち、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）やＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型パッケージのように、ハンダボールが外部端子として使用されるものがある。
ハンダボールは、配線基板基板に位置合わせして搭載され、リフロー工程で溶融されて配線パターンに接合され、その後洗浄されていた。そのため、高額なボールマウンタ設備、リフロー設備及び洗浄設備が必要であった。しかも、リフロー工程で熱ストレスが加わり、洗浄工程で溶剤のストレスが加わるので、パッケージへのダメージがあった。
［発明の開示］
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくす配線基板、接続基板、半導体装置及びこれらの製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
（１）本発明に係る配線基板は、開口部が形成された基板と、
屈曲部を有する配線パターンと、
を有し、
前記開口部と前記屈曲部とが平面的に重なるように、前記基板の一方の面に前記配線パターンが形成されてなり、
前記屈曲部の内部には応力吸収材料が充填されてなる。
本発明によれば、配線パターンの一部が開口部に入り込む。この屈曲部は、半導体装置などの外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。また、本発明では、応力吸収材料によって、屈曲部に加えられた応力が吸収される。
（２）この配線基板において、
前記屈曲部は、前記基板の前記他方の面から突出しない高さで形成されていてもよい。
（３）この配線基板において、
前記屈曲部は、前記基板の前記他方の面から突出して突起部を構成してもよい。
本発明によれば、配線パターンの一部が開口部に入り込んで、屈曲部が、基板の反対側の面から突出する。この屈曲部は、半導体装置などの外部端子として使用することができるので、ハンダボールななくすことができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。
（４）この配線基板において、
前記基板の前記他方の面に、前記突起部の突出高さよりも厚い保護部材が設けられていてもよい。
これによれば、保護部材によって屈曲部が保護されて変形が防止される。この配線基板を使用した半導体装置などは、保護部材を剥離してから、回路基板に実装することができる。
（５）この配線基板において、
前記基板と前記配線パターンとの間に接着剤が介在してもよい。
これによれば、屈曲部に加えられた応力を、接着剤によって吸収することができる。
（６）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部は、前記開口部の直径よりも幅が小さくて屈曲した配線からなるものであってもよい。
（７）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部は、前記開口部よりも大きいランド部の一部が屈曲してなるものであってもよい。
（８）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部の先端部は、破断されて形成されていてもよい。
このように、屈曲部は、先端部が破断されていても、配線パターンと電気的に接続されているので、外部端子として使用することができる。
（９）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部の先端部は、前記基板の表面を避けて終端してもよい。
このように、屈曲部の先端部は、基板に支持されていなくても、配線パターンと電気的に接続されているので、外部端子として使用することができる。
（１０）この配線基板において、
前記開口部はスリットであり、それぞれの前記開口部内に複数の前記屈曲部が形成されていてもよい。
（１１）本発明に係る配線基板は、開口部が形成された基板と、
前記基板の一方の面に形成され、前記一方の面から前記開口部の上方に突出して曲がっている屈曲部を有する配線パターンと、
を含む。
本発明によれば、配線パターンの一部が突出してなる屈曲部は、半導体装置などの外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。
（１２）この配線基板において、
前記基板と前記配線パターンとの間に接着剤が介在してもよい。
これによれば、屈曲部に加えられた応力を、接着剤によって吸収することができる。
（１３）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部の凹面にて形成される凹部に樹脂が充填されてもよい。
これによれば、凹部に充填される樹脂によって屈曲部の形状が維持されるとともに、屈曲部に加えられる応力を樹脂によって吸収することができる。
（１４）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部は、前記開口部の直径よりも幅が小さくて屈曲した配線からなるものであってもよい。
（１５）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部は、前記開口部よりも大きいランド部の一部が屈曲してなるものであってもよい。
（１６）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部の先端部は、破断されて形成されてもよい。
このように、屈曲部は、先端部が破断されていても、配線パターンと電気的に接続されているので、外部端子として使用することができる。
（１７）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部の先端部は、前記基板の表面を避けて終端してもよい。
このように、屈曲部の先端部は、基板に支持されていなくても、配線パターンと電気的に接続されているので、外部端子として使用することができる。
（１８）この配線基板において、
前記開口部はスリットであり、それぞれの前記開口部内に複数の前記屈曲部が形成されてもよい。
（１９）本発明に係る配線基板は、開口部が形成された基板と、
屈曲部を有する配線パターンと、
を有し、
前記開口部と前記屈曲部とが平面的に重なるように、前記基板の一方の面に前記配線パターンが形成されてなり、
前記屈曲部の凹部側に、前記開口部を封止する封止材が設けられてなる。
本発明によれば、屈曲部の凹部側も、封止材を介して電気的な接続領域として使用することができる。
（２０）この配線基板において、
前記封止材は、導電性物質からなり、前記屈曲部の内部に充填されていてもよい。
これによれば、屈曲部の内面に対して、導電性物質を介して電気的な接続を図ることができる。
（２１）この配線基板において、
前記屈曲部の内部に絶縁性樹脂が充填され、
前記封止材は、導電性物質からなり、前記絶縁性樹脂上に設けられていてもよい。
これによれば、絶縁性樹脂上において、導電性物質を介して配線パターンとの電気的な接続を図ることができる。
（２２）この配線基板において、
前記封止材は、前記屈曲部の内部を中空にして、前記凹部上から前記配線パターンに至るように設けられていてもよい。
これによれば、屈曲部が変形しやすいので、屈曲部による応力の吸収が可能である。
（２３）本発明に係る配線基板は、開口部が形成された基板と、
前記基板の一方の面に形成され、前記一方の面から前記開口部の上方に突出して曲がっている屈曲部を有する配線パターンと、
を有し、
前記基板の前記開口部及び前記屈曲部の内部に、前記開口部を封止する封止材が充填されてなる。
本発明によれば、屈曲部の凹部側も、封止材を介して電気的な接続領域として使用することができる。
（２４）本発明に係る接続基板は、基板に配線パターンが形成されてなる複数の配線基板を含み、
前記複数の配線基板のうち少なくとも１つの配線基板の前記配線パターンには屈曲部が形成されてなり、
前記屈曲部が形成された配線基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とが接続されてなる。
本発明によれば、複数の配線基板の配線パターンを、屈曲部の高さを利用して、ショートが生じることなく接続できる。
（２５）この接続基板において、
前記屈曲部が形成された前記配線基板の前記基板は、開口部が形成されてなり、
前記屈曲部は、前記開口部と平面的に重なる位置に形成されてもよい。
（２６）この接続基板において、
前記屈曲部が形成された前記配線パターンは、前記基板の一方の面に形成され、
前記屈曲部は、前記一方の面から前記開口部の上方に突出して形成されてもよい。
（２７）この接続基板において、
前記屈曲部が形成された前記配線パターンは、前記基板の一方の面に形成され、
前記屈曲部は、前記基板の他方の面に向けて前記開口部内に形成されてもよい。
（２８）この接続基板において、
前記配線パターンと前記屈曲部とは、それぞれの材料の拡散によって接続されてもよい。
（２９）この接続基板において、
前記配線パターンと前記屈曲部とは、導電性部材によって接続されてもよい。
（３０）本発明に係る接続基板は、基板に配線パターンが形成されてなる複数の配線基板を含み、
前記複数の配線基板のうち少なくとも１つの配線基板において、前記基板には開口部が形成され、前記配線パターンには屈曲部が形成され、前記開口部と前記屈曲部とが平面的に重なるように、前記基板の一方の面に前記配線パターンが形成され、前記屈曲部の凹部側に導電性物質が設けられてなり、
前記屈曲部が形成された配線基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とが接続されてなる。
本発明によれば、複数の配線基板の配線パターンを、屈曲部の高さを利用して、ショートが生じることなく接続できる。また、本発明によれば、屈曲部の凹部側も、導電性物質を介して電気的な接続領域として使用することができる。
（３１）この接続基板において、
前記導電性物質は、前記屈曲部の内部に充填されていてもよい。
これによれば、屈曲部の内面に対して、導電性物質を介して電気的な接続を図ることができる。
（３２）この接続基板において、
前記屈曲部の内部に絶縁性樹脂が充填され、
前記導電性物質は、前記絶縁性樹脂上から前記配線パターンに至るように設けられていてもよい。
これによれば、絶縁性樹脂上において、導電性物質を介して配線パターンとの電気的な接続を図ることができる。
（３３）この接続基板において、
前記導電性物質は、前記屈曲部の内部を中空にして、前記凹部上から前記配線パターンに至るように設けられていてもよい。
これによれば、屈曲部が変形しやすいので、屈曲部による応力の吸収が可能である。
（３４）本発明に係る接続基板は、基板に配線パターンが形成されてなる複数の配線基板を含み、
前記複数の配線基板のうち少なくとも１つの配線基板において、前記基板には開口部が形成され、前記配線パターンは前記基板の一方の面に形成されているとともに、前記一方の面から前記開口部の上方に突出して曲がっている屈曲部を有し、前記基板の前記開口部及び前記屈曲部の内部に、導電性物質が充填されてなり、
前記屈曲部が形成された配線基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とが接続されてなる。
本発明によれば、複数の配線基板の配線パターンを、屈曲部の高さを利用して、ショートが生じることなく接続できる。また、本発明によれば、屈曲部の凹部側も、導電性物質を介して電気的な接続領域として使用することができる。
（３５）本発明に係る半導体装置は、上記配線基板と、
前記配線基板の前記基板に搭載された少なくとも一つの半導体チップと、
を含む。
本発明によれば、配線パターンの一部が開口部に入り込む。この屈曲部は、半導体装置の外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。
（３６）この半導体装置において、
前記半導体チップは、接着剤に導電粒子が分散されてなる異方性導電材料を介して前記基板にボンディングされてもよい。
（３７）この半導体装置において、
前記異方性導電材料の一部が、請求項１記載の前記屈曲部に充填された前記応力吸収材料であってもよい。
これによれば、異方性導電材料によって屈曲部の変形を許容するので、屈曲部に加えられた応力が吸収される。
（３８）この半導体装置において、
前記開口部は、前記基板における前記半導体チップの搭載領域内及び搭載領域外の少なくともいずれか一方に形成されてもよい。
この半導体装置は、基板における半導体チップの搭載領域内に外部端子としての屈曲部が形成されるときには、Ｆａｎ−Ｉｎ型の半導体装置となり、基板における半導体チップの搭載領域内及び搭載領域外に外部端子としての屈曲部が形成されるときには、Ｆａｎ−Ｉｎ／Ｏｕｔ型の半導体装置となり、基板における半導体チップの搭載領域外に外部端子としての屈曲部が形成されるときには、Ｆａｎ−Ｏｕｔ型の半導体装置となる。
（３９）この半導体装置において、
複数の前記半導体チップを有し、
前記基板は、一部が曲げられて、前記複数の半導体チップが積み重ねられてもよい。
これは、マルチチップパッケージの半導体装置である。
（４０）この半導体装置において、
前記開口部は、前記基板における前記半導体チップの搭載領域外に形成され、
前記基板は一部が曲げられ、前記基板における前記半導体チップの搭載領域を除く部分と前記半導体チップとが接着されてもよい。
本発明によれば、配線パターンの一部が突出してなる屈曲部は、半導体装置の外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。
これによれば、外部端子となる屈曲部が、半導体チップの搭載領域外に形成されるので、半導体チップと基板との熱膨張係数の差によって生じる応力の影響を、屈曲部が受けないようになっている。また、基板が曲げられるので半導体装置が小型化される。
（４１）本発明に係る半導体装置は、上記配線基板と、
前記配線基板に搭載された少なくとも一つの半導体チップと、
を含む。
本発明によれば、上述した配線基板の効果を達成する。
（４２）この半導体装置において、
前記半導体チップは、接着剤に導電粒子が分散されてなる異方性導電材料を介して前記基板にボンディングされてもよい。
（４３）この半導体装置において、
前記異方性導電材料の一部が、前記屈曲部に充填されてもよい。
（４４）この半導体装置において、
前記開口部は、前記基板における前記半導体チップの搭載領域内及び搭載領域外の少なくともいずれか一方に形成されてもよい。
この半導体装置は、基板における半導体チップの搭載領域内に外部端子としての屈曲部が形成されるときには、Ｆａｎ−Ｉｎ型の半導体装置となり、基板における半導体チップの搭載領域内及び搭載領域外に外部端子としての屈曲部が形成されるときには、Ｆａｎ−Ｉｎ／Ｏｕｔ型の半導体装置となり、基板における半導体チップの搭載領域外に外部端子としての屈曲部が形成されるときには、Ｆａｎ−Ｏｕｔ型の半導体装置となる。
（４５）この半導体装置において、
複数の前記半導体チップを有し、
前記基板は、一部が曲げられて、前記複数の半導体チップが積み重ねられてもよい。
これは、マルチチップパッケージの半導体装置である。
（４６）この半導体装置において、
前記開口部は、前記基板における前記半導体チップの搭載領域外に形成され、
前記基板は一部が曲げられ、前記基板における前記半導体チップの搭載領域を除く部分と前記半導体チップとが接着されてもよい。
これによれば、外部端子となる屈曲部が、半導体チップの搭載領域外に形成されるので、半導体チップと基板との熱膨張係数の差によって生じる応力の影響を、屈曲部が受けないようになっている。また、基板が曲げられるので半導体装置が小型化される。
（４７）本発明に係る半導体装置は、上記配線基板と、
前記配線基板の前記基板に搭載された少なくとも一つの半導体チップと、
を含む。
本発明によれば、屈曲部は、半導体装置の外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。また、本発明によれば、配線基板の屈曲部の凹部側も、導電性物質を介して電気的な接続領域として使用することができる。
（４８）本発明に係る半導体装置は、上記配線基板と、
前記配線基板の前記基板に搭載された少なくとも一つの半導体チップと、
を含む半導体装置。
本発明によれば、屈曲部は、半導体装置の外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。また、本発明によれば、配線基板の屈曲部の凹部側も、導電性物質を介して電気的な接続領域として使用することができる。
（４９）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が搭載されている。
（５０）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が搭載されている。
（５１）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が搭載されている。
（５２）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が搭載されている。
（５３）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を備える。
（５４）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を備える。
（５５）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を備える。
（５６）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を備える。
（５７）本発明に係る配線基板の製造方法は、基板の開口部上を通って一方の面に形成された導電箔の一部を、他方の面の方向に向けて前記開口部内に曲げて屈曲部を形成する工程と、
前記屈曲部内に、応力吸収材料を充填する工程と、
を含む。
本発明によれば、導電箔の一部が開口部に入り込む。屈曲部は、半導体装置などの外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。また、本発明では、応力吸収材料によって、屈曲部に加えられた応力が吸収される。
（５８）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を、前記基板の前記他方の面から突出させない高さで形成してもよい。
（５９）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を、前記基板の前記他方の面から突出させて、突起部を形成してもよい。
本発明によれば、導電箔の一部が開口部に入り込み、屈曲部が、基板の反対側の面から突出する。屈曲部は、半導体装置などの外部端子として使用することができるので、ハンダボールをなくすことができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。
（６０）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程で、前記屈曲部に対応する凹型上に、前記開口部を位置合わせして前記基板の前記他方の面を載せて、前記基板の前記一方の面から、前記屈曲部に対応する凸型を前記導電箔に対してプレスしてもよい。
（６１）この配線基板の製造方法において、
前記基板の前記他方の面に、前記突起部の突出高さよりも厚い保護部材を設ける工程を含んでもよい。
これによれば、保護部材によって屈曲部が保護されて変形が防止される。この配線基板を使用した半導体装置などは、保護部材を剥離してから、回路基板に実装することができる。
（６２）この配線基板の製造方法において、
前記基板と前記導電箔との間に接着剤が介在し、
前記屈曲部を形成する工程を、前記接着剤を前記開口部に引き込みながら行ってもよい。
これによれば、基板と導電箔との間に接着剤が介在しているので、導電箔が移動できるようになっており、導電箔の一部を開口部に引き込む工程を行いやすい。
（６３）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程で、前記屈曲部を、先端部において破断しながら形成してもよい。
このように、導電箔との電気的な導通が確保されていれば、屈曲部の一部が破断されていてもよい。
（６４）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程で、前記屈曲部の先端部を、前記基板の表面を避けて終端させてもよい。
このように、導電箔との電気的な導通が確保されていれば、屈曲部の先端部が基板に支持されていなくてもよい。
（６５）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程の後に、前記導電箔をパターニングして配線パターンを形成する工程を含んでもよい。
これは、屈曲部を形成してから配線パターンを形成する方法である。
（６６）この配線基板の製造方法において、
前記基板に導電箔を貼り付ける工程と、前記導電箔をパターニングして配線パターンを形成する工程と、を含み、
前記屈曲部を形成する工程を、前記配線パターンとしての前記導電箔に対して行ってもよい。
これは、配線パターンを形成してから屈曲部を形成する方法である。
（６７）この配線基板の製造方法において、
前記配線パターンの形成後に、前記屈曲部の凸面にメッキを施す工程をさらに含んでもよい。
（６８）本発明に係る配線基板の製造方法は、基板の開口部上を通って一方の面に形成された導電箔の一部を、前記一方の面から前記開口部の上方に突出させて曲げて屈曲部を形成する工程を含む。
本発明によれば、導電箔の一部が突出してなる屈曲部は、半導体装置などの外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。
（６９）この配線基板の製造方法において、
前記基板と前記導電箔との間に接着剤が介在し、
前記屈曲部を形成する工程を、前記接着剤を前記開口部に引き込みながら行ってもよい。
これによれば、基板と導電箔との間に接着剤が介在しているので、導電箔が移動できるようになっており、導電箔の一部を開口部に引き込む工程を行いやすい。
（７０）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程で、前記屈曲部を、先端部において破断しながら形成してもよい。
このように、導電箔との電気的な導通が確保されていれば、屈曲部の一部が破断されていてもよい。
（７１）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程で、前記屈曲部の先端部を、前記基板の表面を避けて終端させてもよい。
このように、導電箔との電気的な導通が確保されていれば、屈曲部の先端部が基板に支持されていなくてもよい。
（７２）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程後に、前記導電箔の前記屈曲部の凹面にて形成される凹部に樹脂を充填する工程を含んでもよい。
これによれば、凹部に充填される樹脂によって屈曲部の形状が維持されるとともに、屈曲部に加えられる応力を樹脂によって吸収することができる。
（７３）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程の後に、前記導電箔をパターニングして配線パターンを形成する工程を含んでもよい。
これは、屈曲部を形成してから配線パターンを形成する方法である。
（７４）この配線基板の製造方法において、
前記基板に導電箔を貼り付ける工程と、前記導電箔をパターニングして配線パターンを形成する工程と、を含み、
前記屈曲部を形成する工程を、前記配線パターンとしての前記導電箔に対して行ってもよい。
これは、配線パターンを形成してから屈曲部を形成する方法である。
（７５）この配線基板の製造方法において、
前記配線パターンの形成後に、前記屈曲部の凸面にメッキを施す工程をさらに含んでもよい。
（７６）本発明に係る配線基板の製造方法は、基板の開口部上を通って一方の面に形成された導電箔の一部を、他方の面の方向に向けて前記開口部内に曲げて屈曲部を形成する工程と、
前記屈曲部の凹部側に、導電性物質を設ける工程と、
を含む。
本発明によれば、導電箔の一部から形成される屈曲部は、半導体装置などの外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。また、本発明では、屈曲部の凹部側も、導電性物質を介して電気的な接続領域として使用することができる。
（７７）この配線基板の製造方法において、
前記導電性物質を、前記屈曲部の内部に充填してもよい。
これによれば、屈曲部の内面に対して、導電性物質を介して電気的な接続を図ることができる。
（７８）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部の内部に絶縁性樹脂を充填し、
前記導電性物質を、前記絶縁性樹脂上から前記配線パターンに至るように設けてもよい。
これによれば、絶縁性樹脂上において、導電性物質を介して配線パターンとの電気的な接続を図ることができる。
（７９）この配線基板の製造方法において、
前記導電性物質を、前記屈曲部の内部を中空にして、前記凹部上から前記配線パターンに至るように設けてもよい。
これによれば、屈曲部が変形しやすいので、屈曲部による応力の吸収が可能である。
（８０）本発明に係る配線基板の製造方法は、基板の開口部上を通って一方の面に形成された導電箔の一部を、前記一方の面から前記開口部の上方に突出させて曲げて屈曲部を形成する工程と、
前記基板の前記開口部及び前記屈曲部の内部に、導電性物質を充填する工程と、
を含む。
本発明によれば、導電箔の一部から形成される屈曲部は、半導体装置などの外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。また、本発明では、屈曲部の凹部側も、導電性物質を介して電気的な接続領域として使用することができる。
（８１）本発明に係る接続基板の製造方法は、基板に配線パターンが形成されてなる複数の配線基板が接続されてなる接続基板の製造方法であって、
前記複数の配線基板のうち少なくとも１つの配線基板の前記配線パターンに屈曲部を形成する工程と、
前記屈曲部が形成された配線基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とを接続する工程と、
を少なくとも有する。
本発明によれば、屈曲部は、複数の配線基板の配線パターン同士を接続する。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。
（８２）この接続基板の製造方法において、
前記屈曲部が形成された前記配線基板の前記基板は、開口部が形成されてなり、
前記屈曲部を、前記開口部と平面的に重なる位置に形成してもよい。
（８３）この接続基板の製造方法において、
前記屈曲部が形成された前記配線パターンを前記基板の一方の面に形成し、
前記屈曲部を、前記一方の面から前記開口部の上方に突出させて形成してもよい。
（８４）この接続基板の製造方法において、
前記屈曲部が形成された前記配線パターンを前記基板の一方の面に形成し、
前記屈曲部を、前記基板の他方の面に向けて前記開口部内に形成してもよい。
（８５）この接続基板の製造方法において、
前記屈曲部が形成された前記配線基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とを、それぞれの材料を拡散させて接続してもよい。
（８６）この接続基板の製造方法において、
前記屈曲部が形成された前記基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とを、導電性部材によって接続してもよい。
（８７）本発明に係る接続基板の製造方法は、基板に配線パターンが形成されてなる複数の配線基板が接続されてなる接続基板の製造方法であって、
前記複数の配線基板のうち少なくとも１つの配線基板において、前記基板には開口部が形成され、
前記開口部が形成された前記基板の前記配線パターンに、前記開口部と平面的に重なるように屈曲部を形成する工程と、
前記屈曲部の凹部側に導電性物質を設ける工程と、
前記屈曲部が形成された配線基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とを接続する工程と、
を含む。
本発明によれば、屈曲部は、複数の配線基板の配線パターン同士を接続する。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。また、本発明では、屈曲部の凹部側も、導電性物質を介して電気的な接続領域として使用することができる。
（８８）この接続基板の製造方法において、
前記導電性物質を、前記屈曲部の内部に充填してもよい。
これによれば、屈曲部の内面に対して、導電性物質を介して電気的な接続を図ることができる。
（８９）この接続基板の製造方法において、
前記屈曲部の内部に絶縁性樹脂を充填し、
前記導電性物質を、前記絶縁性樹脂上から前記配線パターンに至るように設けてもよい。
これによれば、絶縁性樹脂上において、導電性物質を介して配線パターンとの電気的な接続を図ることができる。
（９０）この接続基板の製造方法において、
前記導電性物質を、前記屈曲部の内部を中空にして、前記凹部上から前記配線パターンに至るように設けてもよい。
これによれば、屈曲部が変形しやすいので、屈曲部による応力の吸収が可能である。
（９１）本発明に係る接続基板の製造方法は、基板に配線パターンが形成されてなる複数の配線基板が接続されてなる接続基板の製造方法であって、
前記複数の配線基板のうち少なくとも１つの配線基板において、前記基板には開口部が形成され、前記配線パターンは前記基板の一方の面に形成され、
前記開口部が形成された前記基板の前記配線パターンに、前記一方の面から前記開口部の上方に突出して曲げて、屈曲部を形成する工程と、
前記基板の前記開口部及び前記屈曲部の内部に、導電性物質を充填する工程と、
前記屈曲部が形成された配線基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とを接続する工程と、
を含む。
本発明によれば、屈曲部は、複数の配線基板の配線パターン同士を接続する。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。また、本発明では、屈曲部の凹部側も、導電性物質を介して電気的な接続領域として使用することができる。
（９２）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記方法により製造された配線基板の前記基板に少なくとも一つの半導体チップを搭載する工程を含む。
本発明によれば、配線パターンの一部が開口部に入り込む。屈曲部は、半導体装置の外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで半導体装置の製造工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。
（９３）この半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップを搭載する工程で、前記半導体チップを、接着剤に導電粒子が分散されてなる異方性導電材料を介して前記基板にボンディングしてもよい。
（９４）この半導体装置の製造方法において、
複数の前記半導体チップが前記基板に搭載され、
前記基板は、フレキシブル基板であり、
前記基板の一部を曲げて前記複数の半導体チップを積み重ねてもよい。
これによって、マルチチップパッケージの半導体装置を得ることができる。
（９５）この半導体装置の製造方法において、
前記基板は、フレキシブル基板であり、
前記基板の一部を曲げて前記半導体チップの上面を前記基板に貼り付けてもよい。
これによれば、外部端子となる屈曲部が、半導体チップの搭載領域外に形成される。したがって、半導体チップと基板との熱膨張係数の差によって生じる応力の影響を屈曲部が受けない半導体装置を得ることができる。また、基板が曲げられるので小型化された半導体装置が得られる。
（９６）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記方法により製造された配線基板の前記基板に少なくとも一つの半導体チップを搭載する工程を含む。
本発明によれば、配線パターンの一部が開口部に入り込む。屈曲部は、半導体装置の外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで半導体装置の製造工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。
（９７）この半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップを搭載する工程で、前記半導体チップを、接着剤に導電粒子が分散されてなる異方性導電材料を介して前記基板にボンディングしてもよい。
（９８）この半導体装置の製造方法において、
複数の前記半導体チップが前記基板に搭載され、
前記基板は、フレキシブル基板であり、
前記基板の一部を曲げて前記複数の半導体チップを積み重ねてもよい。
これによって、マルチチップパッケージの半導体装置を得ることができる。
（９９）この半導体装置の製造方法において、
前記基板は、フレキシブル基板であり、
前記基板の一部を曲げて前記半導体チップの上面を前記基板に貼り付けてもよい。
これによれば、外部端子となる屈曲部が、半導体チップの搭載領域外に形成される。したがって、半導体チップと基板との熱膨張係数の差によって生じる応力の影響を屈曲部が受けない半導体装置を得ることができる。また、基板が曲げられるので小型化された半導体装置が得られる。
（１００）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記方法により製造された配線基板の前記基板に少なくとも一つの半導体チップを搭載する工程を含む。
本発明によれば、屈曲部は、半導体装置の外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで半導体装置の製造工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。
（１０１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記方法により製造された配線基板の前記基板に少なくとも一つの半導体チップを搭載する工程を含む。
本発明によれば、屈曲部は、半導体装置の外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで半導体装置の製造工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。
［発明を実施するための最良の形態］
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板を示す図である。図１に示す配線基板は、基板１０と、配線パターン２０と、を含むもので、例えば半導体装置のインターポーザとして使用することができる。
基板１０は、有機系又は無機系のいずれの材料から形成されたものであってもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。有機系の材料から形成された基板１０として、例えばポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板が挙げられる。フレキシブル基板として、ＴＡＢ技術で使用されるテープを使用してもよい。また、無機系の材料から形成された基板１０として、例えばセラミック基板やガラス基板が挙げられる。有機系及び無機系の材料の複合構造として、例えばガラスエポキシ基板が挙げられる。
基板１０には、配線パターン２０が形成されている。配線パターン２０は、銅などで形成することができる。配線パターン２０は、搭載される半導体チップなどの電子素子の電極に対応したパターンを有し、電極との接続のためにランド部が形成されてもよい。配線パターン２０が接着剤１２を介して基板１０に貼り付けられて、３層基板を構成してもよい。あるいは、配線パターン２０を、接着剤なしで基板１０に形成して２層基板を構成してもよい。２層基板では、スパッタリングなどで薄い膜を形成し、メッキを施して、配線パターン２０を形成する。したがって、２層基板であっても、配線パターン２０は、塑性加工が可能な程度の厚みを有する。あるいは、基板に絶縁樹脂と配線パターンを積層して構成されるビルドアップ型の基板や、複数の基板が積層された多層基板を使用や、両面基板などを、基板１０として用いることができる。
基板１０には、複数の開口部１４が形成されている。各開口部１４の形状は円形であって、一般的な外部端子の直径にほぼ等しくてもよい。あるいは、各開口部１４を矩形に形成してもよい。
配線パターン２０の一部は、開口部１４に入り込んでいる。詳しくは、配線パターン２０は、基板１０の一方の面に形成されており、その一部が開口部１４に入り込んで屈曲部２２を形成している。配線パターン２０の一部は、図示するように、基板１０の他方の面から突出する屈曲部２２を有してもよい。あるいは、基板１０及び基板２８を一枚の基板として捉えた場合のように、基板１０の他方の面のつら位置を超えない位置まで入り込んで屈曲部２２を形成してもよい。屈曲部２２は、半導体装置などの電子部品の外部端子となるもので、外部端子としての高さ及び直径を有することが好ましい。屈曲部２２は、ドーム状の先端部と、筒状の側部と、で構成される形状であってもよい。例えば、開口部１４よりも大きいランド部を屈曲させて屈曲部２２（ディンプル）を形成してもよい。屈曲部２２は、変形しやすくて、応力を吸収できることが好ましい。配線パターン２０を引き延ばして屈曲部２２を形成すれば、薄くて変形しやすい導電箔で屈曲部２２を形成することができる。
屈曲部２２と、開口部１４の壁面との間には、接着剤１２が介在していても、介在していなくてもよい。
変形例として、図２に示すように、屈曲部２２の先端部には、破断２４が形成されていてもよい。ただし、配線パターン２０における基板１０上の部分と屈曲部２２との電気的な導通が確保されるように、破断２４が形成されていることが要求される。この電気的な導通が確保されていれば、破断２４が屈曲部２２の先端部のみならず、側部に至るまで形成されていてもよい。あるいは、図３に示すように、屈曲部２２は、開口部１４の直径よりも幅の狭い配線が屈曲されて形成されてもよい。詳しくは、１つの開口部１４に１つの屈曲部２２が形成されている。これによれば、隣同士の屈曲部２２の接触、特に屈曲部２２の成形時の接触を防止することができる。
または、図４に示すように、開口部５１４がスリット（長穴）であり、１つの開口部５１４に複数の屈曲部５２２が形成されていてもよい。
屈曲部２２の凸面の裏面にて形成される凹部には、樹脂２６を充填することが好ましい。樹脂２６として、例えばポリイミド樹脂を使用することができる。樹脂２６は、応力を吸収する程度に変形するが、一定の形状を維持できる性質であることが好ましい。例えば、ポリイミド樹脂等を使用してもよく、中でもヤング率が低いもの（例えばオレフィン系のポリイミド樹脂や、ポリイミド樹脂以外としてはダウケミカル社製のＢＣＢ等）を用いることが好ましい。特にヤング率が３００ｋｇ／ｍｍ^２以下程度であることが好ましい。あるいは、樹脂２６として、例えばシリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂やシリコーン変性エポキシ樹脂等を用いてもよい。樹脂２６が充填されることで、屈曲部２２の大きな変形を防止することができるとともに、屈曲部２２に加えられた応力を吸収することができる。屈曲部２２が、半導体装置の外部端子となったときには、屈曲部２２に加えられた熱ストレスを、樹脂２６が吸収することができる。この効果は、接着剤１２が、屈曲部２２と開口部１４の壁面との間に介在するときに一層高められる。
屈曲部２２の凸面には、メッキが施されていることが好ましい。また、屈曲部２２の裏面にもメッキが施されていてもよく、配線パターン２０における基板１０とは反対側を向く面の少なくとも一部又は全部にメッキが施されていてもよい。メッキとして、スズやハンダ等を適用してもよいが、酸化しにくい金を適用することが好ましい。金をメッキすることで鉛の使用をなくすこともできる。
基板１０には、保護部材２８が貼り付けられていてもよい。保護部材２８は、屈曲部２２を保護するものであり、屈曲部２２における基板１０からの突出高さよりも厚いことが好ましい。保護部材２８は、屈曲部２２を避けて、剥離できる状態で基板１０に貼り付けられる。例えば、粘着剤を介して保護部材２８を基板１０に貼り付けることができる。保護部材２８における屈曲部２２に対応する領域に穴を形成して、屈曲部２２を避けることができる。保護部材２８は、ＰＥＴ樹脂やポリイミド樹脂などの樹脂で形成してもよいし、金属やセラミックなどで形成してもよい。こうすることで、屈曲部２２の形成後の工程中も、屈曲部２２の大きな変形を防止することができ、さらに、基板１０の平坦性も保たれることから、その後の半導体チップ実装時にも基板１０が平行、平坦なので特殊な治具加工もいらず実装しやすい。
本実施の形態に係る配線基板は、上記のように構成されており、以下その製造方法を説明する。図５及び図６は、本発明を適用した配線基板を製造する方法を示す図である。
図５に示すように、導電箔３０が設けられた基板１０を用意する。基板１０には、複数の開口部１４が形成されている。導電箔３０は、エッチングなどによって、配線パターン２０（図１参照）の形状にパターニングされていてもよいが、パターニングされる前の状態であってもよい。パターニングされる前の導電箔３０が使用される場合は、全ての開口部１４の上方を覆って導電箔３０が貼り付けられる。パターニング後の導電箔３０が使用される場合は、導電箔３０の一部をなす配線が開口部１４の上方を通るか、あるいは、導電箔３０の一部をなすランド部が開口部１４の上方を覆う。導電箔３０は、接着剤１２を介して基板１０に貼り付けられてもよいが、基板１０に直接的に配線パターンの形状で導電箔３０を形成してから、開口部１４を形成してもよい。
上記基板１０を、図５に示すように、凹型３２上に載せる。凹型３２には、上述した屈曲部２２の形状に対応した複数の凹部３４が形成されており、各凹部３４を屈曲部２２の形成領域に位置合わせする。すなわち、凹部３４上に開口部１４が位置する。なお、基板１０における導電箔３０が形成された面とは反対側の面が凹型３２上に載せられる。
また、基板１０における導電箔３０が形成された面に向けて、凸型３６を配置する。凸型３６は、屈曲部２２又は凹部３４に対応する複数の凸部３８が形成されている。凸型３６は、導電箔３０における各開口部１４の上方に位置する部分に、各凸部３８を向けて配置される。また、基板１０の、開口部１４の周辺部を、保持具３７で押さえる。
そして、図６に示すように、凹型３２と凸型３６との間で、導電箔３０をプレス加工して屈曲部２２を形成する。詳しくは、凸型３６の凸部３８が、導電箔３０における各開口部１４の上方に位置する部分を、プレスして凹型３２の凹部３４内に屈曲させる。基本的には銅箔の張り出し加工となるが、ここで、さらに３層基板が使用されている場合は、接着剤１２を介して基板１０上で導電箔３０が移動できるので、導電箔３０を屈曲させやすい。また、開口部１４内に接着剤１２の一部を引き込みながら、導電箔３０を屈曲させてもよい。こうして、導電箔３０の一部は、基板１０の開口部１４に引き込まれて屈曲部２２となる。
なお、導電箔３０の一部を開口部１４内に引き込むときに、導電箔３０の一部に破断２４（図２参照）が生じてもよい。ただし、破断２４が生じても、導電箔３０の電気的な導通が確保されていることが必要である。例えば、導電箔３０における屈曲部２２の先端部となる部分に破断２４が生じてもよい。
導電箔３０が既に配線パターンの形状にパターニングされている場合には、上記工程で、配線基板を得ることができる。また、導電箔３０が配線パターンの形状にパターニングされていない場合には、上記工程の後に、導電箔３０を配線パターンの形状にパターニングして配線基板を得ることができる。パターニングの方法として、エッチングを適用することができ、リソグラフィを適用することが好ましい。
屈曲部２２が形成された後には、必要があれば、屈曲部２２の裏面の凹部に樹脂２６（図１参照）を充填してもよい。例えば、印刷にてポリイミドやエポキシ等のソルダーレジストなどの樹脂２６を凹部に充填してもよい。充填後、樹脂硬化させれば、その後の工程では、たとえ保護部材を付けなくても屈曲部２２の大きな変形を防止することができる。さらにポリイミドなどの軟らかい樹脂を用いれば、半導体チップとマザーボードとの熱応力を充分に吸収できる。屈曲部２２の形成の前後を問わず、基板１０における導電箔３０が形成された面とは反対側の面に、図１に示す保護部材２８を、剥離できる状態で貼り付けてもよい。屈曲部２２の形成後に、屈曲部２２の凸面にメッキを施してもよい。メッキを施す工程は、屈曲部２２が形成され、かつ、導電箔３０が配線パターンの形状にパターニングされた後に行えばよい。これにより、屈曲部２２のみならず、配線パターン全体に対してメッキを施すことができる。メッキとして金メッキを適用することが好ましい。
本実施の形態によれば、導電箔３０の一部をなす屈曲部２２が、半導体装置などの外部端子として使用することができるので、ハンダボールをなくすことができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。
（第２の実施の形態）
図７は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態では、図１に示す配線基板が使用されている。なお、図７では、基板１０と配線パターン２０との間の接着剤１２（図１参照）が省略されている。また、図１に示す保護部材２８は、図７では剥離された状態となっているが、接着されたままの状態であってもよい。本実施の形態では、第１の実施の形態で説明した構成を適用することができ、基板１０から突出する屈曲部２２が半導体装置の外部端子となる。
図７に示す半導体装置は、配線パターン２０が形成された基板１０に、半導体チップ４０が搭載されている。基板１０における半導体チップ４０の搭載領域内に、外部端子としての屈曲部２２が位置している。すなわち、この半導体装置は、Ｆａｎ−Ｉｎ型の半導体装置である。このため、基板１０における半導体チップ４０の搭載領域内に開口部１４が形成されている。
半導体チップ４０の一つの面には、アルミニウムなどで形成された複数の電極４２が形成されている。電極４２は、半導体チップ４０が矩形をなす場合には、平行な２辺に沿って配列されてもよいし、４辺に沿って配列されてもよいし、半導体チップ４０の中央部又はその付近に配列されてもよい。電極４２を避けて、能動面には、パッシベーション膜を形成してもよい。電極４２には、バンプ４４を設けることが好ましい。バンプ４４は、Ａｕ、Ｎｉ−Ａｕ、Ｉｎ、Ａｕ−Ｓｎなどが多く用いられるが、ハンダボールでもよく、導電樹脂を用いた突起でもよい。あるいは、電極４２を凸状にすることでバンプを設けてもよい。バンプ１４の代わりに、あるいはバンプ１４とともに配線パターン２０にもバンプを形成してもよい。
半導体チップ４０は、基板１０における配線パターン２０が形成された面に搭載され、例えば、フェースアップ実装やフェースダウン実装を適用することができる。フェースダウン実装が適用される場合には、異方性導電材料４６を使用することができる。異方性導電材料４６は、接着剤に導電粒子が分散されてなるもので、異方性導電膜であってもよい。半導体チップ４０における電極１２が形成された面と、基板１０における配線パターン２０が形成された面と、の間に異方性導電材料４６が介在する。半導体チップ４０のバンプ１４と配線パターン２０との間が、異方性導電材料４６の導電粒子によって電気的に導通する。
異方性導電材料４６の代わりに、光や熱などで硬化収縮性を有する絶縁樹脂を使用して、機械的にバンプ１４を配線パターン２０に圧接させてもよい。
異方性導電材料４６を、配線パターン２０の全てを覆うように設ければ、異方性導電材料４６は配線パターン２０の保護膜となる。あるいは、異方性導電材料４６を、半導体チップ４０の搭載領域のみに設けてもよい。この場合には、フォトレジストやソルダレジストなどのレジストを、基板１０における配線パターン２０が形成された面であって、半導体チップ４０の搭載領域外に形成してもよい。すなわち、配線パターン２０における半導体チップ４０に覆われずに露出した部分をレジストで覆ってもよい。
本実施の形態では、屈曲部２２の突出面の裏面には樹脂２６が充填されており、屈曲部２２の大きな変形が防止される。異方性導電材料４６が応力吸収材料であれば、樹脂２６は、半導体チップ実装時に屈曲部２２に充填される異方性導電材料４６であってもよい。この場合には、前述したように基板１０への半導体チップ４０のボンディングを行うときの屈曲部２２の大きな変形を防止し、特殊な治具を用いずに、配線基板の平坦性を確保しやすくするために、ボンディング工程前に基板１０に保護部材２８を貼り付けておくことが好ましい。
本実施の形態は、上記のように構成されており、以下その製造方法を説明する。まず、第１の実施の形態で説明した配線基板を用意し、その後、基板１０に半導体チップ４０を搭載する。なお、基板１０に半導体チップ４０を搭載する直前に、上述した突起２２を形成して配線基板を完成してもよい。
半導体チップ４０の搭載には異方性導電材料４６を使用することができる。例えば、基板１０における配線パターン２０が形成された面と、半導体チップ４０における電極１２又はバンプ１４が形成された面と、の少なくとも一方に異方性導電材料４６を設ける。異方性導電材料４６が異方性導電膜である場合には、これを貼り付ける。続いて、半導体チップ４０及び基板１０の少なくとも一方を押圧して、両者を接着するとともに、配線パターン２０と電極１２とを電気的に導通させる。
配線基板に既に屈曲部２２が外部端子として設けられているので、上記工程で、図７に示す半導体装置を得ることができる。
フェースアップで半導体チップが実装される場合は、半導体チップの電極と配線パターンは、ワイヤーボンディングで接続され、その後半導体チップの実装部は樹脂で覆われることが多い。フェースダウンで実装される場合は、前述してきた異方性導電膜による接合の他に、導電樹脂ペーストによるもの、Ａｕ−Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ、ハンダなどによる金属接合によるもの、絶縁樹脂の収縮力によるものなどの方法があり、そのいずれの方法を用いても良い。これは以下の実施の形態でも同様である。
（第３の実施の形態）
図８は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態では、第２の実施の形態で説明した半導体チップ４０が使用され、屈曲部５４が半導体チップ４０の搭載領域外に形成されている。すなわち、本実施の形態に係る半導体装置は、Ｆａｎ−Ｏｕｔ型の半導体装置である。そのため、基板５０における半導体チップ４０の搭載領域外に開口部５６が形成されている。これ以外の構成及び製造方法は、第２の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
（第４の実施の形態）
図９は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態では、第２の実施の形態で説明した半導体チップ４０が使用され、屈曲部６４が半導体チップ４０の搭載領域内及び搭載領域外に形成されている。すなわち、本実施の形態に係る半導体装置は、Ｆａｎ−Ｉｎ／Ｏｕｔ型の半導体装置である。そのため、基板６０における半導体チップ４０の搭載領域内及び搭載領域外に開口部６６が形成されている。半導体チップ４０の搭載領域外の平坦性を確保し、マザーボードへの二次実装性を向上させるために、その領域に、平坦化部材（スティフナープレート）を貼り付けた構造にしてもよい（図示せず）。これ以外の構成及び製造方法は、第２の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
（第５の実施の形態）
図１０は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態では、複数の半導体チップ４０が使用されており、それぞれの半導体チップ４０として第２の実施の形態で説明したものを使用することができ、同一の大きさの半導体チップ４０を使用しても、異なる大きさの複数の半導体チップ４０を使用してもよい。この半導体装置には、マルチチップパッケージが適用されている。本実施の形態では、屈曲部７４は、それぞれの半導体チップ４０の搭載領域内に設けられても、搭載領域外に設けられても、両方に設けられてもよい。すなわち、基板７０における半導体チップ４０の搭載領域内及び搭載領域外の少なくとも一方に開口部７６が形成されている。また、屈曲部７４は、複数の半導体チップ４０間の領域に設けられていてもよいが、この領域を避けて設けられてもよい。すなわち、基板７０における複数の半導体チップ４０間の領域に開口部７６が形成されていても、この領域を避けて開口部７６が形成されていてもよい。これ以外の構成及び製造方法は、第２の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
（第６の実施の形態）
図１１は、本発明を適用した第６の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態では、複数の半導体チップ４０が使用されており、それぞれの半導体チップ４０として第２の実施の形態で説明したものを使用することができ、同一の大きさの半導体チップ４０を使用しても、異なる大きさの複数の半導体チップ４０を使用してもよい。この半導体装置には、マルチチップパッケージが適用されている。本実施の形態では、基板８０の一部が曲げられて、複数の半導体チップ４０が積み重ねられている。図１１では、２チップの例が記載されているが、さらに同様に基板を折り曲げて多数の半導体チップを積層してもよい。
基板８０は、曲げることができる材質から形成されており、特にフレキシブル基板、あるいは配線密度を一層高めることが必要な場合にはビルドアップ形のフレキシブル基板が好ましい。また、基板８０は、一方向に長い長方形をなしている。この基板８０の長手方向の両端部に、複数の半導体チップ４０が搭載されている。
本実施の形態では、基板８０における半導体チップが搭載された面を谷として、この基板８０における複数の半導体チップ４０の間の領域が曲げられている。なお、図には、折り目を付けずに基板８０が屈曲した状態が示されているが、基板８０は折り曲げてもよい。基板８０には、屈曲する領域に、少なくとも一つ又は複数の穴が形成されてもよい。これによって、基板８０の弾力が小さくなって曲げやすくなるとともに、屈曲した状態を維持しやすくなる。なお、穴を避けて、配線パターン８２を形成することが好ましいが、穴上に配線パターン８２を形成してもよい。
基板８０が曲げられて、複数の半導体チップ４０における電極４２とは反対側の面同士が、接着剤８８を介して接着されている。接着剤８８の接着力によって、基板８０の曲げられた状態が維持されている。また、複数の半導体チップ４０のそれぞれの面は平坦になっているので接着がしやすい。接着剤８８が導電性の接着剤であれば、接着される複数の半導体チップ４０の接着面の電位を同じにすることができる。接着剤８８が、熱伝導性の接着剤であれば、複数の半導体チップ４０間で熱の伝達が可能になる。例えば、複数の半導体チップ４０のうち一方の発熱量が大きく他方の発熱量が小さい場合には、一方から他方へと熱を伝えることで冷却が可能になる。接着剤８８は、粘着剤でもよい。シート状もしくは液状の接着剤８８を、基板８０が未だ平坦な状態のときに、複数の半導体チップ４０のそれぞれの裏面に貼り付け、その後両方の半導体チップ４０の裏面同士を貼り付けてもよい。もしくは、半導体チップ４０の裏面同士を位置合わせした状態で液状の接着剤８８を充填してもよい。
本実施の形態では、２つの半導体チップ４０が使用されているが、２つを超える複数の半導体チップ４０を使用してもよい。その場合、１つの半導体チップ４０における電極４２が形成された面とは反対側の面に、残りの複数の半導体チップ４０のうちの少なくとも一つの半導体チップ４０における電極４２が形成された面とは反対側の面を貼り付けてもよい。このように形成することで、複数特に多数の半導体チップ４０を狭い面積上に積層することができる。
本実施の形態では、一部において屈曲した基板８０における平坦な部分に屈曲部８４が設けられている。すなわち、基板８０の屈曲部分を避けた部分に、開口部８６が形成されている。屈曲部８４は、半導体チップ４０の搭載領域内に設けられても、搭載領域外に設けられても、両方に設けられてもよい。すなわち、基板８０における半導体チップ４０の搭載領域内及び搭載領域外の少なくとも一方に開口部８６が形成されている。また、屈曲部８４は、複数の半導体チップ４０間の領域に設けられていてもよいが、この領域を避けて設けられてもよい。すなわち、基板８０における複数の半導体チップ４０間の領域に開口部８６が形成されていても、この領域を避けて開口部８６が形成されていてもよい。
違う大きさの複数の半導体チップ４０が用いられた場合は、大きい方の半導体チップ４０が、基板８０における外部端子（屈曲部８４）の形成側に配置された方が、幾何学的に安定する。
以上の構成以外の構成及び製造方法は、第２の実施の形態で説明した内容を適用することができる。本実施の形態に係る半導体装置は、複数の半導体チップ４０が積層されているので、上述した第５の実施の形態よりも一層小型化されている。
なお、複数の半導体チップを基板に搭載することは、他の実施の形態でも適用することができる。
（第７の実施の形態）
図１２は、本発明を適用した第７の実施の形態に係る配線基板を示す図である。本実施の形態に係る配線基板は、基板１００及び配線パターン１０２を含む。基板１００には複数の開口部１０４が形成されている。配線パターン１０２は、基板１００の一方の面に形成され、その一部が開口部１０４内に入り込んでいる。配線パターン１０２の一部は、開口部１０４の内側で曲がって屈曲部１０６となっている。屈曲部１０６の先端部１０８は、基板１００の表面を避けて終端している。例えば、屈曲部１０６は、開口部１０４から突出して突起部を構成していてもよいし、あるいは、基板１００の他方の面から突出しなくてもよい。また、屈曲部１０６の先端部１０８は、開口部１０４の内壁に接触して支持されていてもよい。
本実施の形態に係る配線基板には、特別な事情がない限り、上述した実施の形態で説明した内容を適用することができる。
また、本実施の形態に係る配線基板に少なくとも１つの半導体チップを搭載して半導体装置を製造することができる。本実施の形態に係る配線基板を使用した半導体装置は、基板１００における半導体チップの搭載領域内に外部端子となる屈曲部１０６が形成されたＦａｎ−Ｉｎ型であってもよいし、半導体チップの搭載領域外に外部端子となる屈曲部１０６が形成されたＦａｎ−Ｏｕｔ型であってもよいし、半導体チップの搭載領域内及び搭載領域外に外部端子となる屈曲部１０６が形成されたＦａｎ−Ｉｎ／Ｏｕｔ型であってもよい。また、本実施の形態に係る配線基板には、複数の半導体チップが搭載されてもよい。
（第８の実施の形態）
図１３は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態に係る半導体装置は、複数の半導体チップ４０が積み重ねられていない点で、図１１に示す半導体装置（第６の実施の形態）と異なる。それ以外の点に関して第６の実施の形態で説明した内容は、特別な事情がない限り、本実施の形態に適用することができる。
すなわち、図１３において、基板８０には、屈曲部８４が形成された領域を除いた領域に、半導体チップ４０が搭載されている。したがって、半導体チップ４０と基板８０との熱膨張係数差によって生じる応力の影響を、屈曲部８４が受けない。また、基板８０が曲げられて、半導体チップ４０における基板８０への搭載面とは反対側の面（上面）が、基板８０に接着剤１１０を介して接着されている。例えば、半導体チップ４０の上面は、基板８０における屈曲部８４が形成された領域に接着されている。こうすることで、小型化された半導体装置を得ることができる。
なお、本実施の形態のように基板の一部を曲げることは、他の実施の形態でも適用することができる。
（第９の実施の形態）
図１４は、本発明を適用した第９の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態で使用される配線基板は、基板１２０と、基板１２０の一方の面に形成された（第１の）配線パターン１２２と、を含む。基板１２０には複数の開口部１２４が形成されている。配線パターン１２２の一部は、開口部１２４上で、基板１２０から離れる方向に突出する屈曲部１２６となっている。
基板１２０の他方の面には、別の（第２の）配線パターン１２８が形成されていてもよい。第１の配線パターン１２２と、第２の配線パターン１２８とは、基板１２０に形成されたスルーホール１３０等によって電気的に接続されている。
基板１２０の他方の面に半導体チップ４０が搭載される。例えば、フェースダウンボンディングによって、半導体チップ４０と第２の配線パターン１２８とが電気的に接続される。また、基板１２０の一方の面に形成された配線パターン１２２には、屈曲部１２６を避けて、ソルダレジストなどの保護膜１３２が設けられることが好ましい。
本実施の形態によれば、基板１２０の一方の面に形成された配線パターン１２２の一部で構成される屈曲部１２６は外部端子となる。屈曲部１２６は、第１の配線パターン１２２、スルーホール１３０及び第２の配線パターン１２８を介して、半導体チップ４０と電気的に接続される。
本実施の形態で使用される配線基板の製造方法は、基板１２０の開口部１２４に凸型を挿入して、配線パターン１２２を形成するための金属箔の一部を曲げて屈曲部１２６を形成する工程を含む。詳しくは、導電箔（配線パターン１２２）が形成された面とは反対側の面から、開口部１２４内に凸型を挿入して、導電箔（配線パターン１２２）の一部を基板１２０から離れる方向に突出させて屈曲部１２６を形成する。
そして、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、上述した配線基板に半導体チップ４０を搭載する工程を含む。
上記以外の点に関して、特別な事情がない限り、本実施の形態に、他の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
（第１０の実施の形態）
図１５は、本発明を適用した第１０の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態に係る半導体装置は、基板１２０における屈曲部１２６が形成された面に半導体チップ１３４が搭載されている。詳しくは、基板１２０の一方の面に配線パターン１２２が形成されており、配線パターン１２２が形成された面に半導体チップ１３４が搭載され、半導体チップ１３４と配線パターン１２２とが電気的に接続されている。したがって、基板１２０において、半導体チップ１３４の搭載面と、外部端子となる屈曲部１２６が突出する面が同じである。この場合、外部端子としての機能を確保するには、屈曲部１２６の突出高さが、半導体チップ１３４を超えていることが好ましい。そのためには、屈曲部１２６を高く形成するか、薄型の半導体チップ１３４を使用する。
上記以外の点に関して第９の実施の形態で説明した内容は、特別な事情がない限り、本実施の形態に適用することができる。
（第１１の実施の形態）
図１６は、本発明を適用した第１１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態に係る半導体装置は、屈曲部１４６において、第１０の実施の形態と異なり、これ以外の点に関して第１０の実施の形態で説明した内容は、特別な事情がない限り、本実施の形態に適用することができる。
図１６において、基板１２０の一方の面に配線パターン１４２が形成されており、開口部１２４上で、その一部が曲がって屈曲部１４６となっている。屈曲部１４６の先端部１４８は、基板１２０の表面を避けて終端している。例えば、屈曲部１４６の先端部１４８は、開口部１２４の上方で終端していてもよいし、あるいは、開口部１２４の内壁に接触して支持されていてもよい。
（第１２の実施の形態）
図１７は、本発明を適用した第１２の実施の形態に係る接続基板を示す図である。図１７に示すように、本実施の形態に係る接続基板２００は、配線パターン２１２が基板２１０に形成されてなる一般的な配線基板に電気的に接続されてもよい。なお、配線基板２１０は、半導体装置の構成要素として半導体チップを搭載するインターポーザであってもよい。
接続基板２００は、基板２０２と、基板２０２の一方の面に形成された配線パターン２０４とを有する。基板２０２には、開口部２０６が形成されており、基板２０２における配線パターン２０４が形成された面から開口部２０６の上方に、配線パターン２０４の一部が突出して曲がって、屈曲部２０８が形成されている。
接続基板２００は、屈曲部２０８を介して、基板２００の配線パターン２１２に電気的に接続されている。両者の電気的な接続には、導電性部材を使用したり、超音波や熱などによって材料を拡散させる方法を適用することができる。導電性部材として、ハンダ、異方性導電膜、異方性導電接着剤、導電ペースト又は導電性接着剤等を使用することができる。導電性部材を使用した電気的な接続の態様として、ハンダ付け等のロウ付けを例に挙げることができる。
本実施の形態によれば、屈曲部２０８の高さを利用して、接続基板２００の配線パターン２０４と、基板２１０の配線パターン２１２とのショートの発生を防止することができる。
なお、上述した実施の形態で説明したいずれの配線基板も、本実施の形態のように他の配線基板に接続することができる。
（第１３の実施の形態）
図１８は、本発明を適用した第１３の実施の形態に係る配線基板を示す図である。図１８に示すように、本実施の形態に係る接続基板３００は、配線パターン２１２が基板２１０に形成されてなる一般的な配線基板に電気的に接続されてもよい。なお、基板２１０は、半導体装置の構成要素として半導体チップを搭載するインターポーザであってもよい。
接続基板３００は、基板３０２と、基板３０２の一方の面に形成された配線パターン３０４とを有する。基板３０２には、開口部３０６が形成されており、開口部３０６内に配線パターン３０４の一部が曲がって入り込んでいる。そして、基板３０２における配線パターン３０４が形成された面とは反対側の方向に向けて突出する屈曲部３０８が形成されている。
本実施の形態では、開口部３０６の内壁面と屈曲部３０８との間に隙間が形成されて、両者が少なくとも部分的に接触しないようになっている。この構成によれば、開口部３０６内で屈曲部３０８が動くことができる。したがって、屈曲部３０８に加えられた応力を効果的に吸収することができる。このことは、他の実施の形態でも同様に適用することができる。
または、図１９に示すように、開口部３１６は、基板３１２の厚みの中心の径が大きく、開口端部の径がそれよりも小さい形状であってもよい。これによれば、基板３１２の厚みの中心において、屈曲部３１８が変形して応力を吸収することができる。このことも、他の実施の形態に適用することができる。
接続基板３００は、屈曲部３０８を介して、基板２００の配線パターン２１２に電気的に接続されている。両者の電気的な接続には、ハンダ、異方性導電膜、異方性導電接着剤又は導電ペーストなどを使用したり、超音波や熱などによる金属接合を適用してもよい。
本実施の形態によれば、屈曲部３０８の高さを利用して、接続基板３００の配線パターン３０４と、基板２１０の配線パターン２１２とのショートの発生を防止することができる。
なお、上述した実施の形態で説明したいずれの配線基板も、本実施の形態のように基板に接続することができる。
（第１４の実施の形態）
図２０は、本発明を適用した第１４の実施の形態に係る配線基板を示す図である。図２０に示すように、本発明に係る配線基板４００では、屈曲部４０２を千鳥状に配置してもよい。こうすることで、屈曲部４０２のピッチを大きくすることができ、屈曲部４０２間に複数（多数）の配線パターンを形成することができる。
なお、上述した実施の形態で説明したいずれの配線基板でも、本実施の形態のように千鳥状に屈曲部を配置してもよい。
（第１５の実施の形態）
図２１は、本発明を適用した第１５の実施の形態に係る配線基板を示す図である。本実施の形態に係る配線基板は、図１を参照して説明した配線基板が使用される。そして、屈曲部２２の凹部側に、導電性物質６００が設けられている。
詳しくは、導電性物質６００は、屈曲部２２の内部に充填されている。導電性物質６００は、例えば、導電ペースト、ハンダ等のろう材、あるいはメッキによって形成された金属等である。なお、導電性物質６００が応力吸収性を有していれば、より好ましい。応力吸収性については、第１の実施の形態で樹脂２６に関連して説明した内容が当てはまる。
これによれば、屈曲部２２の凹部側も、導電性物質６００を介して電気的な接続領域として使用することができる。また、屈曲部２２の内面に対して、導電性物質６００を介して電気的な接続を図ることができる。
本実施の形態には、上述した実施の形態で説明した内容を適用することができる。また、本実施の形態で説明した内容は、以下の実施の形態に適用することができる。
（第１６の実施の形態）
図２２は、本発明を適用した第１６の実施の形態に係る配線基板を示す図である。本実施の形態に係る配線基板は、図１を参照して説明した配線基板が使用される。そして、屈曲部２２の凹部側に、導電性物質６０４が設けられている。詳しくは、屈曲部２２の内部に絶縁性樹脂６０２が充填され、導電性物質６０４が、絶縁性樹脂６０４上から配線パターン２０に至るように設けられている。
これによれば、屈曲部２２の凹部側も、絶縁性樹脂６０２上において、導電性物質６０４を介して配線パターン２０との電気的な接続を図ることができる。
（第１７の実施の形態）
図２３は、本発明を適用した第１７の実施の形態に係る配線基板を示す図である。本実施の形態に係る配線基板は、図１を参照して説明した配線基板が使用される。そして、屈曲部２２の凹部側に、導電性物質６０６が設けられている。詳しくは、導電性物質６０６は、屈曲部２２の内部を中空にして、凹部上から配線パターン２０に至るように設けられている。
これによれば、屈曲部２２の凹部側も、導電性物質６０６を介して配線パターン２０との電気的な接続を図ることができる。また、屈曲部２２の凹部側が中空になっているので、屈曲部２２が変形しやすく、応力の吸収が可能である。
（第１８の実施の形態）
図２４は、本発明を適用した第１８の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。この半導体装置は、図２１に示す配線基板と、その配線基板に搭載された半導体チップ４０と、を含む。半導体チップ４０は、図７を参照して説明したものである。半導体チップ４０の電極４２（バンプ４４）は、配線基板の屈曲部２２の凹部側に設けられた導電性物質６００上に接合されている。
なお、本実施の形態の変形例として、図２２又は図２３に示す配線基板を使用して、導電性物質６０４、６０６上に、電極４２（バンプ４４）を接合してもよい。その他の構成については、図７を参照して説明した内容が当てはまる。
（第１９の実施の形態）
図２５は、本発明を適用した第１９の実施の形態に係る配線基板及び半導体装置を示す図である。
本実施の形態に係る配線基板は、図１５に示す配線基板を含む。すなわち、この配線基板は、開口部１２４が形成された基板１２０と、基板１２０の一方の面に形成された配線パターン１２２と、を有する。配線パターン１２２は、基板１２０の一方の面から開口部１２４の上方に突出して曲がっている屈曲部１２６を有する。そして、開口部１２４及び屈曲部１２６の内部に、導電性物質６０８が充填されている。これによれば、屈曲部１２６の凹部側も、導電性物質６０８を介して電気的な接続領域として使用することができる。
本実施の形態に係る半導体装置は、上述した配線基板と、基板１２０に搭載された半導体チップ１３４と、を有する。詳しくは、図１５を参照して説明した内容が該当する。あるいは、導電性物質６０８を介して、屈曲部１２６の凹部側に、半導体チップ１３４の電極（バンプ）を接合してもよい。
（第２０の実施の形態）
図２６は、本発明を適用した第２０の実施の形態に係る接続基板を示す図である。
本実施の形態に係る接続基板は、図１７に示す接続基板を含む。すなわち、この接続基板は、基板２０２、２１０に配線パターン２０４、２１２が形成されてなる複数の配線基板を含む。一方の配線基板において、基板２０２には開口部２０６が形成され、配線パターン２０４には屈曲部２０８が形成されている。屈曲部２０８は、開口部２０６の上方に突出して形成されている。開口部２０６と屈曲部２０８とが平面的に重なるようになっている。そして、屈曲部２０６の凹部側に導電性物質６１０が設けられている。詳しくは、屈曲部２０６の内部に導電性物質６１０が充填されている。
その他の構成は、図１７に示す接続基板と同じであるため、説明を省略する。本実施の形態によれば、図１７を参照して説明した内容に加えて、屈曲部２０８の凹部側も、導電性物質６１０を介して電気的な接続領域として使用することができる。詳しくは、屈曲部２０６の内面に対して、導電性物質６１０を介して電気的な接続を図ることができる。
（第２１の実施の形態）
図２７は、本発明を適用した第２１の実施の形態に係る接続基板を示す図である。
本実施の形態に係る接続基板は、図１８に示す接続基板を含む。すなわち、この接続基板は、基板３０２、２１０に配線パターン３０４、２１２が形成されてなる複数の配線基板を含む。一方の配線基板において、基板３０２には開口部３０６が形成され、配線パターン３０４には屈曲部３０８が形成されている。また、開口部３０６と屈曲部３０８とが平面的に重なるようになって、基板３０２の一方の面に配線パターン３０４が形成されている。そして、屈曲部３０８の凹部側に導電性物質６１２が設けられている。詳しくは、屈曲部３０８の内部に導電性物質６１２が充填されている。
その他の構成は、図１８に示す接続基板と同じであるため、説明を省略する。本実施の形態によれば、図１８を参照して説明した内容に加えて、屈曲部３０８の凹部側も、導電性物質６１２を介して電気的な接続領域として使用することができる。詳しくは、屈曲部３０８の内面に対して、導電性物質６１２を介して電気的な接続を図ることができる。
（第２２の実施の形態）
図２８は、本発明を適用した第２２の実施の形態に係る接続基板を示す図である。
本実施の形態に係る接続基板は、図１８に示す接続基板を含む。そして、屈曲部３０８の凹部側に導電性物質６１４が設けられている。詳しくは、屈曲部３０８の内部に絶縁性樹脂６１６が充填され、導電性物質６１４は、絶縁性樹脂６１６上から配線パターン３０４に至るように設けられている。
その他の構成は、図１８に示す接続基板と同じであるため、説明を省略する。本実施の形態によれば、図１８を参照して説明した内容に加えて、屈曲部３０８の凹部側も、導電性物質６１４を介して電気的な接続領域として使用することができる。詳しくは、絶縁性樹脂６１６上において、導電性物質６１４を介して配線パターン３０４との電気的な接続を図ることができる。
（第２３の実施の形態）
図２９は、本発明を適用した第２３の実施の形態に係る接続基板を示す図である。
本実施の形態に係る接続基板は、図１８に示す接続基板を含む。本実施の形態では、第２２の実施の形態の絶縁性樹脂６１６を設けずに、屈曲部３０８の内部が中空になっている。そして、屈曲部３０８の凹部上から配線パターン３０４に至るように、導電性物質６１８が設けられている。
その他の構成は、図１８に示す接続基板と同じであるため、説明を省略する。本実施の形態によれば、第２２の実施の形態で説明した内容に加えて、屈曲部３０８が変形しやすいので、屈曲部３０８による応力の吸収が可能である。
（その他の変形例）
次に、本発明に係る半導体装置の形態の変形例を説明する。
（１）本発明に係る半導体装置の他の形態は、
少なくとも一つの半導体チップと、
前記半導体チップが搭載され、開口部が形成された基板と、
前記基板の一方の面に形成され、他方の面の方向に向けて前記開口部内に曲がっている屈曲部を有する配線パターンと、を含み、
前記半導体チップ（の電極）と前記配線パターンとがワイヤで接続されている。
これは、ワイヤボンディング型の半導体装置であって、例えばＣＳＰの一形態である場合もある。
その製造方法は、
上記方法により製造された配線基板を用意し、前記基板に少なくとも一つの半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップ（の電極）と前記配線パターンとをワイヤで接続する工程と、
を含む。
（２）本発明に係る半導体装置の他の形態は、
少なくとも一つの半導体チップと、
前記半導体チップが搭載され、開口部が形成された基板と、
前記基板の一方の面に形成され、他方の面の方向に向けて前記開口部内に曲がっている屈曲部を有する配線パターンと、を含み、
前記配線パターンは、前記基板から突出（オーバーハング）するリードをさらに含み、前記半導体チップ（の電極）と前記リードとが接続されている。
この半導体装置もＣＳＰの一形態である場合もある。なお、前記基板と前記半導体チップとの間には、隙間をあけて、樹脂を充填してもよい。
その製造方法は、
上記方法により製造された配線基板を用意し、前記基板に少なくとも一つの半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップ（の電極）と前記リードと接続する工程と、を含む。
なお、リードの接続は、シングルポイントボンディングを適用してもよい。
（３）本発明に係る半導体装置の他の形態は、
少なくとも一つの半導体チップと、
前記半導体チップが搭載され、開口部が形成された基板と、
前記基板の一方の面に形成され、他方の面の方向に向けて前記開口部内に曲がっている屈曲部を有する配線パターンと、を含み、
前記基板にはデバイスホールが形成され、
前記配線パターンは、前記基板から前記デバイスホール内に突出（オーバーハング）するインナーリードをさらに含み、前記半導体チップ（の電極）と前記インナーリードとが接続されている。
この半導体装置は、Ｔ−ＢＧＡ（Ｔａｐｅ−Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）の一形態である場合もある。
その製造方法は、
上記方法により製造された配線基板を用意し、前記基板に少なくとも一つの半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップ（の電極）と前記インナーリードと接続する工程と、を含む。
この製造方法には、ＴＡＢ技術を適用することができる。
図３０には、図７に示す半導体装置を実装した回路基板１０００が示されている。回路基板１０００には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板１０００には例えば銅からなる配線パターン１１００が所望の回路となるように形成されていて、それらの配線パターン１１００と半導体装置の外部端子（屈曲部２２）とを機械的に接続することでそれらの電気的導通を図る。屈曲部２２と配線パターン１１００とは、ハンダを使用して接続してもよいが、鉛を含有しない材料で接続してもよい。
そして、本発明を適用した半導体装置を有する電子機器２０００として、図３１には、ノート型パーソナルコンピュータが示されている。
なお、上記本発明の構成要件「半導体チップ」を［電子素子］に置き換えて、半導体チップと同様に電子素子（能動素子か受動素子かを問わない）を、基板に実装して電子部品を製造することもできる。このような電子素子を使用して製造される電子部品として、例えば、光素子、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム又はヒューズなどがある。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の変形例を示す図である。
図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の変形例を示す図である。
図４は、本発明を適用した実施の形態の変形例を示す図である。
図５は、本発明を適用した配線基板を製造する方法を示す図である。
図６は、本発明を適用した配線基板を製造する方法を示す図である。
図７は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
図８は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
図９は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
図１０は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
図１１は、本発明を適用した第６の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
図１２は、本発明を適用した第７の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
図１３は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
図１４は、本発明を適用した第９の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
図１５は、本発明を適用した第１０の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
図１６は、本発明を適用した第１１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
図１７は、本発明を適用した第１２の実施の形態に係る接続基板を示す図である。
図１８は、本発明を適用した第１３の実施の形態に係る接続基板を示す図である。
図１９は、本発明を適用した実施の形態の変形例を示す図である。
図２０は、本発明を適用した第１４の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
図２１は、本発明を適用した第１５の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
図２２は、本発明を適用した第１６の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
図２３は、本発明を適用した第１７の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
図２４は、本発明を適用した第１８の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
図２５は、本発明を適用した第１９の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
図２６は、本発明を適用した第２０の実施の形態に係る接続基板を示す図である。
図２７は、本発明を適用した第２１の実施の形態に係る接続基板を示す図である。
図２８は、本発明を適用した第２２の実施の形態に係る接続基板を示す図である。
図２９は、本発明を適用した第２３の実施の形態に係る接続基板を示す図である。
図３０は、本実施の形態に係る回路基板を示す図である。
図３１は、本発明に係る方法を適用して製造された半導体装置を備える電子機器を示す図である。

Claims (25)

1. 開口部が形成された基板と、
   前記基板の一方の面に形成された配線パターンであって、前記配線パターンの一部が前記開口部内に位置するように屈曲する屈曲部を有する前記配線パターンと、
   接着剤に導電粒子が分散されてなる異方性導電材料を介して前記基板にボンディングされた少なくとも一つの半導体チップと、
   を有し、
   前記屈曲部の内部には応力吸収材料が充填され、
   前記異方性導電材料の一部が、前記応力吸収材料である半導体装置。
2. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記屈曲部は、前記基板の他方の面から突出して突起部を構成する半導体装置。
3. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記基板と前記配線パターンとの間に接着剤が介在する半導体装置。
4. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記配線パターンの前記屈曲部は、前記開口部の直径よりも幅が小さくて屈曲した配線からなる半導体装置。
5. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記配線パターンの前記屈曲部は、前記開口部よりも大きいランド部の一部が屈曲してなる半導体装置。
6. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記配線パターンの前記屈曲部の先端部は、破断されて形成されている半導体装置。
7. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記配線パターンの前記屈曲部の先端部は、前記基板の表面を避けて終端している半導体装置。
8. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記開口部はスリットであり、それぞれの前記開口部内に複数の前記屈曲部が形成されてなる半導体装置。
9. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記応力吸収材料のヤング率が３００ｋｇ／ｍｍ^２以下である半導体装置。
10. 請求項１から９のいずれか１項に記載の半導体装置において、
    前記開口部は、前記基板における前記半導体チップの搭載領域内及び搭載領域外の少なくともいずれか一方に形成されている半導体装置。
11. 請求項１から９のいずれか１項に記載の半導体装置において、
    複数の前記半導体チップを有し、
    前記基板は、一部が曲げられて、前記複数の半導体チップが積み重ねられている半導体装置。
12. 請求項１から９のいずれか１項に記載の半導体装置において、
    請求項１記載の前記開口部は、前記基板における前記半導体チップの搭載領域外に形成され、
    前記基板は一部が曲げられ、前記基板における前記半導体チップの搭載領域を除く部分と前記半導体チップとが接着されている半導体装置。
13. 請求項１から９のいずれか１項に記載の半導体装置が搭載された回路基板。
14. 請求項１から９のいずれか１項に記載の半導体装置を備える電子機器。
15. 基板の開口部上を通って一方の面に形成された導電箔の一部を、他方の面の方向に向けて前記開口部内に曲げて屈曲部を形成する工程と、
    接着剤に導電粒子が分散されてなる異方性導電材料を介して、半導体チップを前記基板にボンディングする工程と、
    前記屈曲部内に、応力吸収材料を充填する工程と、
    を含み、
    前記応力吸収材料は前記異方性導電材料の一部である半導体装置の製造方法。
16. 請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
    前記屈曲部を、前記基板の前記他方の面から突出させて、突起部を形成する半導体装置の製造方法。
17. 請求項１６記載の半導体装置の製造方法において、
    前記屈曲部を形成する工程で、前記屈曲部に対応する凹型上に、前記開口部を位置合わせして前記基板の前記他方の面を載せて、前記基板の前記一方の面から、前記屈曲部に対応する凸型を前記導電箔に対してプレスする半導体装置の製造方法。
18. 請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
    前記基板と前記導電箔との間に接着剤が介在し、
    前記屈曲部を形成する工程を、前記接着剤を前記開口部に引き込みながら行う半導体装置の製造方法。
19. 請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
    前記屈曲部を形成する工程で、前記屈曲部を、先端部において破断しながら形成する半導体装置の製造方法。
20. 請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
    前記屈曲部を形成する工程で、前記屈曲部の先端部を、前記基板の表面を避けて終端させる半導体装置の製造方法。
21. 請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
    前記屈曲部を形成する工程の後に、前記導電箔をパターニングして配線パターンを形成する工程を含む半導体装置の製造方法。
22. 請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
    前記基板に導電箔を貼り付ける工程と、前記導電箔をパターニングして配線パターンを形成する工程と、を含み、
    前記屈曲部を形成する工程を、前記配線パターンとしての前記導電箔に対して行う半導体装置の製造方法。
23. 請求項２１記載の半導体装置の製造方法において、
    前記配線パターンの形成後に、前記屈曲部の凸面にメッキを施す工程をさらに含む半導体装置の製造方法。
24. 請求項１５から２３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    複数の前記半導体チップが前記基板に搭載され、
    前記基板は、フレキシブル基板であり、
    前記基板の一部を曲げて前記複数の半導体チップを積み重ねる半導体装置の製造方法。
25. 請求項１５から２３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記基板は、フレキシブル基板であり、
    前記基板の一部を曲げて前記半導体チップの上面を前記基板に貼り付ける半導体装置の製造方法。

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