JP3922239B2 - ガス濃度検出装置 - Google Patents
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Description
ガスセンサとしては、特定ガス成分の濃度に応じてセンサ電流を出力するように構成したセンサが一般的である。そして、このようなガスセンサを含むガス濃度検出器では、このセンサ電流の大きさを計測することにより、被検出ガスに含まれる特定ガス成分の濃度を検出している(例えば、特許文献1参照)。
上記電気回路は、上記ガスセンサからセンサ電流を入力する入力インピーダンス500kΩ以上の接続端子と、上記検出基板上に実装された電気素子と、該電気素子を電気的に接続する導電性を有する導電パターンとを有しており、
該導電パターンとしては、少なくとも、上記信号処理回路を構成する導電パターンであって、かつ、上記接続端子との間において、該接続端子の入力インピーダンスの10%以下の直流インピーダンスを呈する導電パターンである信号入力パターンと、該信号入力パターンの電位との電位差が2V以上である異電位パターンと、上記信号入力パターンの電位との電位差が0.5V未満であって、かつ、全区間に渡って略一定の電位を呈するガードパターンとがあり、
該ガードパターンは、上記信号入力パターンと上記異電位パターンとの間の少なくとも一部に配置してあり、
上記導電パターンは、上記検出基板のグランドへの出力インピーダンスが500Ω以下の経路を構成し、かつ、上記信号処理回路を構成する信号測定パターンを含んでおり、
上記信号処理回路は、上記信号入力パターンの電位を入力し、その電位と略等しい電圧を出力する電圧計測用の演算増幅器を有してなると共に、該演算増幅器は、非反転入力端子に上記信号入力パターンを接続し、反転入力端子に上記演算増幅器の出力端子を接続してあり、
上記ガードパターンは、上記信号測定パターンのうち上記演算増幅器の出力端子を接続した信号測定パターンと電気的に接続してあることを特徴とするガス濃度検出装置にある(請求項1)。
そして、高インピーダンス部としての上記信号入力パターンには微弱なセンサ電流が流れている。
そこで、本例のガス濃度検出装置の上記検出基板においては、上記入力信号パターンと、該入力信号パターンに影響を与えるおそれがある上記異電位パターンとの間に、信号入力パターンの電位との電位差が0.5V未満である上記ガードパターンを配設してある。
特に、上記第1の発明においては、上記のごとく全区間に渡って略一定の電位を呈してなり、上記電気回路が果たすべき回路動作を実現するに当たって、回路構成上、必要以上に延長された上記ガードパターンを積極的に配設してあるのである。
そして、入力信号パターンと異電位パターンとの間に配設した上記ガードパターンによれば、入力信号パターンから異電位パターンへの漏れ電流の流出や、異電位パターンから入力信号パターンへの漏れ電流の流入を低減することができる。
上記特定のガス成分として、例えばNOx又はCO又はHCのいずれかを計測する上記ガスセンサでは、計測の結果得られる上記センサ電流が特に微弱であり、上記のガス濃度計測上の問題が顕在化するおそれがある。
この場合、隣り合うガードパターンの電位差がおよそ±1V程度の範囲にあれば、2つの上記ガードパターンを合わせた全区間に渡って略一定の電位に保持されているとみなすことができる。そのため、この場合には、実質的には上記の2つのガードパターンによって単一のガードパターンが形成されているのと等価に考えることができる。
なお、上記入力信号パターンと上記ガードパターンとの電位差が、0.5V以上であると、オームの法則により、入力信号パターンとガードパターンとの間で生じ得る漏れ電流が大きくなり、ガス濃度の測定精度に与える悪影響が顕在化するおそれがある。
また、上記第1の発明のガス濃度検出装置は、エンジンから排出される排気ガスについて上記特定のガス成分の濃度測定に使用することができる。
上記電気回路は、上記ガスセンサからセンサ電流を入力する入力インピーダンス500kΩ以上の接続端子と、上記検出基板上に実装された電気素子と、該電気素子を電気的に接続する導電性を有する導電パターンとを有しており、
該導電パターンとしては、少なくとも、上記信号処理回路を構成する導電パターンであって、かつ、上記接続端子との間において、該接続端子の入力インピーダンスの10%以下の直流インピーダンスを呈する導電パターンである信号入力パターンと、該信号入力パターンの電位との電位差が2V以上である異電位パターンと、上記信号入力パターンの電位の80%以上120%以下の電位であって、かつ、全区間に渡って略一定の電位を呈するガードパターンとがあり、
該ガードパターンは、上記信号入力パターンと上記異電位パターンとの間の少なくとも一部に配置してあり、
上記導電パターンは、上記検出基板のグランドへの出力インピーダンスが500Ω以下の経路を構成し、かつ、上記信号処理回路を構成する信号測定パターンを含んでおり、
上記信号処理回路は、上記信号入力パターンの電位を入力し、その電位と略等しい電圧を出力する電圧計測用の演算増幅器を有してなると共に、該演算増幅器は、非反転入力端子に上記信号入力パターンを接続し、反転入力端子に上記演算増幅器の出力端子を接続してあり、
上記ガードパターンは、上記信号測定パターンのうち上記演算増幅器の出力端子を接続した信号測定パターンと電気的に接続してあることを特徴とするガス濃度検出装置にある(請求項3)。
そして、高インピーダンス部としての上記信号入力パターンには、微少なセンサ電流が流れている。
また、NOx又はCO又はHCのいずれかのガス成分を計測する上記ガスセンサでは、計測の結果得られる上記センサ電流が特に微弱であり、上記のガス濃度計測上の問題が顕在化するおそれがある。
このガードパターンを上記入力信号パターンと上記異電位パターンとの間に配設すれば、上記第1の発明と同様、入力信号パターンから異電位パターンへの漏れ電流の流出や、異電位パターンから入力信号パターンへの漏れ電流の流入を低減することができる。
なお、上記ガードパターンの電位が上記入力信号パターンの80%未満であるか120%を超えると、両者間の電位差が大きくなり、入力信号パターンとガードパターンとの間で生じ得る漏れ電流が大きくなり、ガス濃度の測定精度に与える悪影響が顕在化するおそれがある。
なお、上記ガードパターンとしては、上記検出基板上に単一のガードパターンを配設しても良く、2以上の複数のガードパターンを配設しても良い。複数の上記ガードパターンを配設する場合には、該各ガードパターンが上記信号入力に対して80%以上120%以下の電位差を呈していることが必要である。
この場合、隣り合うガードパターンの電位差がおよそ±1V程度の範囲にあれば、2つの上記ガードパターンを合わせた全区間に渡って略一定の電位に保持されているとみなすことができる。そのため、この場合には、実質的には両ガードパターンによって単一のガードパターンが形成されているのと等価に考えることができる。
この場合には、上記入力信号パターンと上記ガードパターンとの間の漏れ電流をさらに抑制でき、センサ電流の測定精度を一層、向上することができる。
上記接続端子の入力インピーダンスが1MΩ以上である場合には、上記センサ電流の大きさが小さくなり、相対的に上記漏れ電流による悪影響が大きくなるおそれがあるため、上記第1及び上記第2の発明による作用効果が特に有効になる。
上記接続端子と上記信号入力パターンとの間の直流インピーダンスが2kΩ以下である場合には、上記信号入力パターンに対して出入りする上記漏れ電流が大きくなるおそれがあるため上記第1及び上記第2の発明による作用効果が特に有効になる。
なお、上記直流インピーダンスが1.5kΩ以下であると、上記の傾向がさらに拡大するおそれがあるため上記第1及び上記第2の発明による作用効果が、さらに有効になる。
上記信号入力パターンと上記異電位パターンとの電位差が4V以上である場合には、両者の間に漏れ電流を生じるおそれが高くなるため、上記第1及び上記第2の発明による作用効果が特に有効になる。
上記信号入力パターン、上記異電位パターン及び上記ガードパターンは、全て上記表面導電層に配設してあり、上記ガードパターンは、隣接して配設された上記信号入力パターンと上記異電位パターンの間に形成される隙間に配設してあることが好ましい(請求項7)。
なお、ここで、入力信号パターンと異電位パターンとの間の表面抵抗は、隙間の距離に比例して低くなる。このような表面抵抗が低い隙間においては、オームの法則により大きな漏れ電流を発生し得る。
そこで、0.7mm以下の隙間を空けて隣接する上記入力信号パターンと上記異電位パターンとの間に上記ガードパターンを配設することも良い。この場合には、上記入力信号パターンと上記異電位パターンとの間に発生するおそれの高い漏れ電流を効率良く抑制することができる。
上記信号入力パターンは、上記検出基板の表面をなす上記導電層よりなる表面導電層に配設され、上記ガードパターンは、上記検出基板における上記表面導電層及び、上記絶縁層を介して該表面導電層と隣接する上記導電層よりなる中間導電層に配設されており、
上記表面導電層の上記ガードパターンは、上記表面導電層において隣接する上記信号入力パターンと上記異電位パターンとの間に形成される隙間に配設してあり、
上記中間導電層の上記ガードパターンは、上記表面導電層に配設された上記信号入力パターンに対面する領域の少なくとも一部に配設してあることが好ましい(請求項8)。
すなわち、表面導電層以外の導電層に配設された異電位パターンから信号入力パターンに至る漏れ電流の流れるおそれのある経路を、信号入力パターンに対面するよう上記中間導電層に形成したガードパターンにより、効率良く遮断することができる。
そのため、上記検出基板を多層基板によって構成した場合にも、上記第1及び上記第2の発明の効果を確実に生じさせることができる。
そのため、上記信号入力パターンの電位に変動に追従して上記ガードパターンの電位を変動させることができ、両者間の電位差の変動を抑制できる。
それ故、例えば、外的な要因等によって上記信号入力パターンの電位が変動した場合にも上記ガードパターンと上記信号入力パターンとの間の電位差が変動するおそれが少ない。
なお、上記ガードパターンの電位は、上記信号測定パターンの電位に対して略等電位にしても良く、或いは、上記信号測定パターンの電位電圧を分圧して上記ガードパターンに印加することも可能である。
これにより、増幅率が1に近い上記演算増幅器(いわゆるOPアンプ。)に対して上記信号入力パターンの電位電圧を入力し、この入力電圧と略等電位の電圧を出力させることができる。そして、上記演算増幅器の出力端子を接続した上記信号測定パターンと、上記ガードパターンとを電気的に接続することにより、該ガードパターンと上記信号入力パターンとの電位差をさらに抑制することができる。
そのため、例えば、外的な要因や、上記センサ電流を計測するうえでの都合等によって上記信号入力パターンの電位が変動した場合にも上記ガードパターンと上記信号入力パターンとの間の電位差が大きくなるおそれが少ない。
すなわち、上記信号入力パターンの電位を積極的に変動させた場合であっても、この信号入力パターンの電位に連動して上記ガードパターンを変動させることができるため、両者間の電位差が変動するおそれが少ない。
上記異電位パターンは、上記絶縁被膜を形成していない露出部と、上記絶縁皮膜を形成した被覆部とからなり、
上記ガードパターンは、上記露出部に隣接する露出隣接部と、上記被覆部に隣接する被覆隣接部とを有しており、
上記露出隣接部には、上記絶縁皮膜を形成しておらず、上記被覆隣接部には、上記絶縁皮膜を形成してあることが好ましい(請求項9)。
それぞれの上記信号処理回路を構成する上記信号入力パターンと、上記異電位パターンとの間の少なくとも一部には、上記ガードパターンを配置してあることが好ましい(請求項10)。
NOxガス濃度を計測するガスセンサの場合には、センサ電流が特に微弱であるため、上記本発明による効果が特に有効となる。
本例のガス濃度検出装置1について、図1〜図6を用いて説明する。
本例のガス濃度検出装置1は、図1に示すごとく、被検出ガスに含まれるNOx、CO又はHCのいずれかのガス成分の濃度を検出するガスセンサ20と、該ガスセンサ20から出力されるセンサ電流を計測するための信号処理回路100を含む電気回路108を形成した検出基板10とを有する装置である。
このガードパターン120は、信号入力パターン110と異電位パターン140との間の少なくとも一部に配置してある。
以下、この内容について詳しく説明する。
本例のガスセンサ20は、同図に示すごとく、筒形状のハウジング70内に、絶縁材で外周を保持したガスセンサ素子8を収容したセンサである。そして、ハウジング70より突出するガスセンサ素子8の先端は、ハウジング70の先端に固定される排気カバー71内に収容されている。
排気カバー71は、ステンレス製の内部カバー711と外部カバー712との2重構造で、両カバー711、712の側壁と底壁には、被測定ガスである排ガスを排気カバー71内に取り込むための導入口713、714をそれぞれ形成してある。
これらメインカバー721およびサブカバー722は、側壁の対向位置に大気導入口723、724をそれぞれ有する。両大気導入口723、724より基準ガスである大気が、大気カバー72内に取り込まれるよう構成してある。
各スペーサ842、844は絶縁性のアルミナよりなり、多孔質保護層840は絶縁性のセラミックより構成してある。
第1チャンバ811は、第1拡散抵抗通路810を介して、ガスセンサ素子8外部と連通するように構成してある。また、第2チャンバ812は、第2拡散抵抗通路820を介して、第1チャンバ811と連通するように構成してある。
該センサセル82は、図3に示すごとく、第2固体電解質体843に設けた一対のセンサ電極821、822により形成してある。センサ電極821は、第2チャンバ812と対面し、センサ電極822は、基準ガスとして大気が導入される基準ガス室813と対面している。
なお、センサ電極821及び822は、検出基板10上の電源回路150及び信号処理回路100(図1参照)にそれぞれ電気的に接続してある。
なお、上記第1及び第2拡散抵抗通路810、820はピンホールや細孔より構成されるが、例えば多孔質層で構成することもできる。
また、検出基板10上には、図3に示すごとく、モニタ回路160とポンプ回路130との間に、フィードバック回路166を設けてある。
なお、ここでいうNOxに対する活性とは、NOxを酸素イオンと窒素イオンとに分解する作用を有することを表し、不活性とは、この作用を有していないことを表している。
なお、ヒータ基板851、852はアルミナ、発熱体850は白金等の貴金属より構成してある。
この検出基板10は、図1に示すごとく、センサセル82に接続された電源回路150及び信号処理回路100と、マイコン170と、ガス濃度信号をエンジンECU9に出力するI/O回路180とを有している。
また、検出基板10上には、その他の回路107として、上記のポンプ回路130(図6)、モニタ回路160(図6)、フィードバック回路166(図6)や、マイコン170の周辺回路を形成してある。
なお、本例では、センサセル82のセンサ電極821と、検出基板10上における電源回路150から延設された接続端子182とを、図示しない接続ケーブルのリード線により接続してある。また、センサセル82のセンサ電極822と、検出基板10上における信号処理回路100から延設された接続端子181とを、図示しない接続ケーブルのリード線により接続してある。
この信号処理回路100は、3個の演算増幅器(OPアンプ101〜103)、電流計測用のシャント抵抗としての抵抗112等により構成してある。
OPアンプ102は、非反転入力端子(+、以下同様)に印加された電位と、接続端子181の電位とを略一致させるよう制御するためのOPアンプである。
そして、OPアンプ103は、OPアンプ101の出力端子と、OPアンプ102の出力端子との差電圧を増幅して、後述するマイコン170に出力するためのOPアンプである。
抵抗112は、センサセル82のセンサ電流に比例して、その両端に電圧降下による電位差を生じるように構成してある。そして、OPアンプ102は、上記のごとく、非反転入力端子の電位と、接続端子181の電位とが略一致するよう制御するよう構成してある。
すなわち、OPアンプ102の出力端子には、接続端子181の電位から抵抗112による電圧降下分を減じた電圧が出力されるよう構成してある。
そのため、本例のガスセンサ20においては、センサセル82の両端に0.4Vの電位差が作用している。
さらに、マイコン170は、I/O回路180を介して、エンジンを電子制御するエンジンECU9に対してガス濃度信号を出力できるように構成してある。
それ故、該接続端子181からOPアンプ101、抵抗112又はOPアンプ103に至る経路を構成する導電パターン109は、接続端子181の入力インピーダンスに準じた高インピーダンス部を形成している。
また、抵抗112は、その抵抗値を1.5MΩに設定してある。そのため、接続端子181と、抵抗112のマイコン170側に接続された導電パターン109(図6)との間の直流インピーダンスは、およそ1.5MΩである。
そして、本例の検出基板10においては、図6に示すごとく、信号入力パターン110を取り囲むように導電パターン109としてのガードパターン120を配置してある。
なお、これに代えて、ガードパターン120の経路中に抵抗等の素子を組み込んでも良いが、ガードパターン120の電位を±1V程度以内に抑える必要がある。
なお、上記OPアンプ101の出力端子に接続した導電パターン109は、上記信号処理回路100を構成すると共に、上記検出基板10のグランドへの出力インピーダンスが500Ω以下の経路を構成する信号測定パターン111(図1)をなしている。
ここで、本例の検出基板10は、図6に示すごとく、OPアンプ101〜103を内部回路として有するIC105や、シャント抵抗としての抵抗112等を表面実装するように構成してある。
すなわち、同図に示すごとく、信号入力パターン110を構成する素子ランド部185と、異電位パターン140を構成する素子ランド部185との間にガードパターン120を配置してある。なお、絶縁皮膜188を形成していない露出部184である素子ランド部185に対しては、ガードパターン120のうち上記露出隣接部124を近接して配設してある。
まず、上記のガスセンサ素子8のNOxガス検出動作について説明する。
図示しないエンジンから排出された排気ガスは、図3に示すごとく、多孔質保護層840、第1拡散抵抗通路810を経由して、第1チャンバ811内に導入される。ここで、導入される排気ガス量は、多孔質保護層840の拡散抵抗と、第1拡散抵抗通路810の拡散抵抗とにより定まる。
また、検出基板10のフィードバック回路166は、モニタ回路160で検出した起電力に応じた信号をポンプ回路130に入力する。そして、ポンプ回路130をフィードバック制御することより、モニタセル86に生じた起電力に応じて、ポンプセル83に印加する電圧を適宜変更し、ポンプセル3による酸素ポンピング量を制御する。
したがって、上記OPアンプ102の非反転入力端子に接続した導電パターン109は、上記信号処理回路100を構成すると共に、上記検出基板10のグランドへの出力インピーダンスが500Ω以下の経路を構成する信号測定パターン111(図7)をなしている。
本例は、実施例1における検出基板を、多層基板に変更した例である。
本例の検出基板10は、図9(導電パターン109及び電気素子は省略して図示)に示すごとく、導電パターン109を形成した導電層12と、絶縁部材よりなる絶縁層11とを交互に4層積層した基板である。
10 検出基板
100 信号処理回路
101、101、103 OPアンプ
105 IC
110 信号入力パターン
112 抵抗
120 ガードパターン
124 露出隣接部
126 被覆隣接部
140 異電位パターン
150 電源回路
170 マイコン
184 露出部
186 被覆部
188 絶縁被膜
20 ガスセンサ
8 ガスセンサ素子
82 センサセル
83 ポンプセル
86 モニタセル
Claims (13)
- 被検出ガスに含まれる特定のガス成分の濃度を検出するガスセンサと、該ガスセンサから出力されるセンサ電流を計測するための信号処理回路を含む電気回路を形成した検出基板とを有するガス濃度検出装置において、
上記電気回路は、上記ガスセンサからセンサ電流を入力する入力インピーダンス500kΩ以上の接続端子と、上記検出基板上に実装された電気素子と、該電気素子を電気的に接続する導電性を有する導電パターンとを有しており、
該導電パターンとしては、少なくとも、上記信号処理回路を構成する導電パターンであって、かつ、上記接続端子との間において、該接続端子の入力インピーダンスの10%以下の直流インピーダンスを呈する導電パターンである信号入力パターンと、該信号入力パターンの電位との電位差が2V以上である異電位パターンと、上記信号入力パターンの電位との電位差が0.5V未満であって、かつ、全区間に渡って略一定の電位を呈するガードパターンとがあり、
該ガードパターンは、上記信号入力パターンと上記異電位パターンとの間の少なくとも一部に配置してあり、
上記導電パターンは、上記検出基板のグランドへの出力インピーダンスが500Ω以下の経路を構成し、かつ、上記信号処理回路を構成する信号測定パターンを含んでおり、
上記信号処理回路は、上記信号入力パターンの電位を入力し、その電位と略等しい電圧を出力する電圧計測用の演算増幅器を有してなると共に、該演算増幅器は、非反転入力端子に上記信号入力パターンを接続し、反転入力端子に上記演算増幅器の出力端子を接続してあり、
上記ガードパターンは、上記信号測定パターンのうち上記演算増幅器の出力端子を接続した信号測定パターンと電気的に接続してあることを特徴とするガス濃度検出装置。 - 請求項1において、上記ガードパターンは、上記信号入力パターンとの電位差が0.2V未満であることを特徴とするガス濃度検出装置。
- 被検出ガスに含まれるNOx、CO又はHCのいずれかのガス成分の濃度を検出するガスセンサと、該ガスセンサから出力されるセンサ電流を計測するための信号処理回路を含む電気回路を形成した検出基板とを有するガス濃度検出装置において、
上記電気回路は、上記ガスセンサからセンサ電流を入力する入力インピーダンス500kΩ以上の接続端子と、上記検出基板上に実装された電気素子と、該電気素子を電気的に接続する導電性を有する導電パターンとを有しており、
該導電パターンとしては、少なくとも、上記信号処理回路を構成する導電パターンであって、かつ、上記接続端子との間において、該接続端子の入力インピーダンスの10%以下の直流インピーダンスを呈する導電パターンである信号入力パターンと、該信号入力パターンの電位との電位差が2V以上である異電位パターンと、上記信号入力パターンの電位の80%以上120%以下の電位であって、かつ、全区間に渡って略一定の電位を呈するガードパターンとがあり、
該ガードパターンは、上記信号入力パターンと上記異電位パターンとの間の少なくとも一部に配置してあり、
上記導電パターンは、上記検出基板のグランドへの出力インピーダンスが500Ω以下の経路を構成し、かつ、上記信号処理回路を構成する信号測定パターンを含んでおり、
上記信号処理回路は、上記信号入力パターンの電位を入力し、その電位と略等しい電圧を出力する電圧計測用の演算増幅器を有してなると共に、該演算増幅器は、非反転入力端子に上記信号入力パターンを接続し、反転入力端子に上記演算増幅器の出力端子を接続してあり、
上記ガードパターンは、上記信号測定パターンのうち上記演算増幅器の出力端子を接続した信号測定パターンと電気的に接続してあることを特徴とするガス濃度検出装置。 - 請求項1〜3のいずれか1項において、上記接続端子の入力インピーダンスは1MΩ以上であることを特徴とするガス濃度検出装置。
- 請求項1〜4のいずれか1項において、上記信号入力パターンは、上記接続端子との間の直流インピーダンスが2kΩ以下であることを特徴とするガス濃度検出装置。
- 請求項1〜5のいずれか1項において、上記異電位パターンは、上記信号入力パターンとの電位差が4V以上であることを特徴とするガス濃度検出装置。
- 請求項1〜6のいずれか1項において、上記検出基板は、上記導電パターンを形成した導電層よりなる表面導電層と、該表面導電層の下層に配設された絶縁部材よりなる絶縁層とを有しており、
上記信号入力パターン、上記異電位パターン及び上記ガードパターンは、全て上記表面導電層に配設してあり、上記ガードパターンは、隣接して配設された上記信号入力パターンと上記異電位パターンの間に形成される隙間に配設してあることを特徴とするガス濃度検出装置。 - 請求項1〜6のいずれか1項において、上記検出基板は、上記導電パターンを形成した導電層と、絶縁部材よりなる絶縁層とを交互に2層以上積層してなり、
上記信号入力パターンは、上記検出基板の表面をなす上記導電層よりなる表面導電層に配設され、上記ガードパターンは、上記検出基板における上記表面導電層及び、上記絶縁層を介して該表面導電層と隣接する上記導電層よりなる中間導電層に配設されており、
上記表面導電層の上記ガードパターンは、上記表面導電層において隣接する上記信号入力パターンと上記異電位パターンとの間に形成される隙間に配設してあり、
上記中間導電層の上記ガードパターンは、上記表面導電層に配設された上記信号入力パターンに対面する領域の少なくとも一部に配設してあることを特徴とするガス濃度検出装置。 - 請求項1〜8のいずれか1項において、上記導電パターンは、上記検出基板のグランドへの出力インピーダンスが500Ω以下の経路を構成し、かつ、上記信号処理回路を構成する信号測定パターンを含んでおり、上記ガードパターンは、上記信号測定パターンと電気的に接続してあることを特徴とするガス濃度検出装置。
- 請求項9において、上記信号処理回路は、上記信号入力パターンの電位を入力し、その電位と略等しい電圧を出力する電圧計測用の演算増幅器を有してなり、上記ガードパターンは、上記信号測定パターンのうち上記演算増幅器の出力端子を接続した信号測定パターンと電気的に接続してあることを特徴とするガス濃度検出装置。
- 請求項1〜10のいずれか1項において、上記検出基板の表面の一部には、電気的絶縁性を有する絶縁被膜を形成してあり、
上記異電位パターンは、上記絶縁被膜を形成していない露出部と、上記絶縁皮膜を形成した被覆部とからなり、
上記ガードパターンは、上記露出部に隣接する露出隣接部と、上記被覆部に隣接する被覆隣接部とを有しており、
上記露出隣接部には、上記絶縁皮膜を形成しておらず、上記被覆隣接部には、上記絶縁皮膜を形成してあることを特徴とするガス濃度検出装置。 - 請求項1〜11のいずれか1項において、上記検出基板は、上記信号処理回路を2組有しており、かつ、一方の上記信号処理回路による出力信号に基づいて、他方の上記信号処理回路の出力信号を補正するように構成してあり、
それぞれの上記信号処理回路を構成する上記信号入力パターンと、上記異電位パターンとの間の少なくとも一部には、上記ガードパターンを配置してあることを特徴とするガス濃度検出装置。 - 請求項1〜12のいずれか1項において、上記ガスセンサは、被検出ガス中のNOxガス成分に応じて、上記センサ電流を出力するセンサであることを特徴とするガス濃度検出装置。
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