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Die Erfindung bezieht sich auf ein
Gaskonzentrationsmessgerät
zur Messung der Konzentration eines in einem Gas enthaltenen spezifischen
Gasbestandteils.
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In jüngerer Zeit werden Gassensoren
zunehmend zur Erzielung einer geeigneten Regelung der Brennkraftmaschinen
von Kraftfahrzeugen eingesetzt. Diese Gassensoren sind zur Messung
der Konzentration eines spezifizierten Gasbestandteils, wie Stickoxiden
(NOx), Kohlenmonoxid (CO), Kohlenwasserstoff (HC), Sauerstoff (O2) oder dergleichen ausgestaltet, die in
den Abgasen der Brennkraftmaschinen enthalten sind.
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Hierbei hat ein Gassensor breite
Anwendung gefunden, der zur Erzeugung eines Sensorstroms in Abhängigkeit
von der Konzentration des spezifizierten Gasbestandteils ausgestaltet
ist.
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Ein Beispiel für ein Gaskonzentrationsmessgerät mit einem
solchen Gassensor, das zur Messung des Betrags des Sensorstroms
zur Messung der Konzentration eines in dem Abgas einer Brennkraftmaschine
enthaltenen spezifischen Gasbestandteils ausgestaltet ist, ist z.B.
aus der US-Patentschrift
6 547 955 (der japanischen Patentschrift 2000-171 435) bekannt.
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Bei dieser Art von bekannten Gaskonzentrationsmessgeräten mit
einem Gassensor, der zur Abgabe eines Sensorstroms in Abhängigkeit
von der Konzentration eines spezifischen Gasbestandteils ausgestaltet
ist, ist der von dem Gassensor abgegebene Sensorstrom jedoch derart
schwach, dass er leicht von elektrischen Störungen oder dergleichen beeinflusst
wird.
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So kann z.B. von einem die Konzentration von
NOx als spezifiziertem Gasbestandteil messenden Gassensor der Sensorstrom
in Form eines schwachen Stroms von nur einigen Nanoampere (nA) abgegeben
werden, was eine hohe Messgenauigkeit in der Größenordnung von 1 Nanoampere
(nA) erfordert.
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Weiterhin kann als Material für Schaltungssubstrate,
auf denen elektrische Schaltungsanordnungen ausgebildet werden,
ein Isoliermaterial wie Glas-Epoxydharz Verwendung finden. Bei einem Schaltungssubstrat
aus einem Isoliermaterial kann wiederum ein schwacher Leckstrom
zwischen darauf ausgebildeten Kupfermustern bzw. Kupferleiterbahnen
fließen,
die elektrische Bauelemente miteinander verbinden. Der Oberflächenwiderstand
des Schaltungssubstrats verringert sich insbesondere unter ungünstigen
Umgebungsbedingungen, wie z.B. hohen Temperaturen, hoher Luftfeuchtigkeit
oder dergleichen, was zu einem übermäßigen Anstieg
des Leckstroms führt.
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Wenn z.B. ein aus Glas-Epoxydharz
als Isoliermaterial bestehendes Schaltungssubstrat hohen Temperaturen
und einer hohen Luftfeuchtigkeit ausgesetzt ist, kann der Substratwiderstand
zwischen Kupfermustern oder Kupferleiterbahnen, die in Abständen von
ungefähr
0,5 mm angeordnet sind, auf bis zu 1010 Ohm
(Ω) abfallen.
In diesem Falle können Leckströme in der
Größenordnung
von ungefähr
1 nA (Nanoampere) auf Grund einer zwischen benachbarten Kupferleiterbahnen
bestehenden Potentialdifferenz von nur wenigen Volt auftreten.
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Bei dem bekannten Gaskonzentrationsmessgerät führt somit
der in dem zur Messung des von dem Gassensor abgegebenen Sensorstroms dienenden
Schaltungssubstrat auftretende Leckstrom zu Schwankungen des Sensorstroms,
sodass durch den Leckstrom eine ausreichende Verbesserung der Messgenauigkeit
des bekannten Gaskonzentrationsmessgeräts verhindert wird.
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Der Erfindung liegt daher die Aufgabe
zu Grunde, ein Gaskonzentrationsmessgerät mit einem Gassensor anzugeben,
bei dem die Messung eines von dem Gassensor abgegebenen Sensorstroms
mit hoher Genauigkeit erfolgen kann.
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Diese Aufgabe wird mit den in den
Patentansprüchen
angegebenen Mitteln gelöst.
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Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung umfasst
das Gaskonzentrationsmessgerät
einen Gassensor, der zur Messung der Konzentration eines in einem
Gas enthaltenen spezifischen Gasbestandteils und Abgabe eines der
gemessenen Konzentration des spezifischen Gasbestandteils entsprechenden
Sensorstroms ausgestaltet ist, und ein Messsubstrat, auf dem eine
elektrische Schaltungsanordnung ausgebildet ist, die mit dem Gassensor
elektrisch verbunden ist und eine zur Messung des von dem Gassensor
abgegebenen Sensorstroms ausgestaltete Signalverarbeitungsschaltung
aufweist, wobei die elektrische Schaltungsanordnung einen mit dem Gassensor
elektrisch verbundenen Verbindungsanschluss, der zur Zuführung des
Sensorstroms von dem Gassensor ausgestaltet ist und eine Eingangsimpedanz
von 500 kΩ oder
mehr aufweist, einen in dem Messsubstrat ausgebildeten Leiterbahnmusterbereich
und ein in dem Leiterbahnmusterbereich angeordnetes elektrisches
Bauteil aufweist und der Leiterbahnmusterbereich ein mit dem Verbindungsanschluss elektrisch
verbundenes und einen Teil der Signalverarbeitungsschaltung bildendes
Signaleingabemuster, das in Bezug auf den Verbindungsanschluss eine
Gleichstromimpedanz aufweist, die 10% oder weniger als die Eingangsimpedanz
des Verbindungsanschlusses beträgt,
ein Differenzpotentialmuster mit einer Potentialdifferenz von 2
V oder mehr in Bezug auf das Potential des Signaleingabemusters
und ein Schutzmuster mit einem im wesentlichen konstanten Potential
und einer Potentialdifferenz von weniger als 0,5 V in Bezug auf
das Potential des Signaleingabemusters aufweist, wobei das Schutzmuster
in zumindest einem Teil des Messsubstrats angeordnet ist, der zwischen
dem Signaleingabemuster und dem Differenzpotentialmuster liegt.
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Gemäß einer weiteren Ausgestaltung
der Erfindung umfasst das Gaskonzentrationsmessgerät einen
Gassensor, der zur Messung der Konzentration eines in einem Gas
enthaltenen spezifischen Gasbestandteils und Abgabe eines der gemessenen Konzentration
des spezifischen Gasbestandteils entsprechenden Sensorstroms ausgestaltet
ist, und ein Messsubstrat, auf dem eine elektrische Schaltungsanordnung
ausgebildet ist, die mit dem Gassensor elektrisch verbunden ist
und eine zur Messung des von dem Gassensor abgegebenen Sensorstroms ausgestaltete
Signalverarbeitungsschaltung aufweist, wobei die elektrische Schaltungsanordnung
einen mit dem Gassensor elektrisch verbundenen Verbindungsanschluss,
der zur Zuführung
des Sensorstroms von dem Gassensor ausgestaltet ist und eine Eingangsimpedanz
von 500 kΩ oder
mehr aufweist, einen in dem Messsubstrat ausgebildeten Leiterbahnmusterbereich
und ein in dem Leiterbahnmusterbereich angeordnetes elektrisches
Bauteil aufweist und der Leiterbahnmusterbereich ein mit dem Verbindungsanschluss
elektrisch verbundenes und einen Teil der Signalverarbeitungsschaltung
bildendes Signaleingabemuster, das in Bezug auf den Verbindungsanschluss
eine Gleichstromimpedanz aufweist, die 10% oder weniger als die
Eingangsimpedanz des Verbindungsanschlusses beträgt, ein Differenzpotentialmuster
mit einer Potentialdifferenz von 2 V oder mehr in Bezug auf das
Potential des Signaleingabemusters und ein Schutzmuster mit einem
im wesentlichen konstanten, im Bereich von 80% bis 120% des Potentials
des Signaleingabemusters liegenden Potential aufweist, wobei das
Schutzmuster in zumindest einem Teil des Messsubstrats angeordnet
ist, der zwischen dem Signaleingabemuster und dem Differenzpotentialmuster
liegt.
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Die Erfindung wird nachstehend anhand
von Ausführungsbeispielen
unter Bezugnahme auf die zugehörigen
Zeichnungen näher
beschrieben. Es zeigen:
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1 ein
Schaltbild eines Gaskonzentrationsmessgeräts gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel
der Erfindung,
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2 eine
Längsschnittansicht
des Gesamtaufbaus eines in 1 gezeigten
Gassensors gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel,
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3 eine
Querschnittansicht des inneren Aufbaus eines in 2 gezeigten Gassensorelements gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel,
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4 eine
auseinandergezogene perspektivische Darstellung des laminierten
Aufbaus des in 3 gezeigten
Gassensorelements gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel,
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5 eine
perspektivische Darstellung eines in 1 gezeigten
Messsubstrats gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel,
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6 Leiterbahnmuster,
die auf dem in 5 gezeigten
Messsubstrat gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel
angeordnet sind,
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7 eine
vergrößerte Ansicht
der Peripherie eines in 6 gezeigten
integrierten Schaltkreises gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel,
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8 ein
Schaltbild eines Gaskonzentrationsmessgeräts gemäß einer Modifikation des ersten Ausführungsbeispiels,
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9 ein
Schaltbild eines Gaskonzentrationsmessgeräts gemäß einer weiteren Modifikation des
ersten Ausführungsbeispiels,
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10 eine
perspektivische Darstellung eines Messsubstrats eines Gaskonzentrationsmessgeräts gemäß einem
zweiten Ausführungsbeispiel
der Erfindung,
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11 eine
schematische Querschnittsansicht des Aufbaus des Messsubstrats gemäß dem zweiten
Ausführungsbeispiel,
und
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12 Leiterbahnen,
die auf dem in 11 dargestellten
Messsubstrat gemäß dem zweiten
Ausführungsbeispiel
angeordnet sind.
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Erstes Ausführungsbeispiel
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1 zeigt
in Form eines Blockschaltbilds den Gesamtaufbau eines Gaskonzentrationsmessgeräts 1 gemäß einem
ersten Ausführungsbeispiel der
Erfindung.
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Das Gaskonzentrationsmessgerät 1 umfasst einen
Gassensor 20 mit einem Gassensorelement 8, der
zur Messung der Konzentration eines in einem Messgas enthaltenen
spezifizierten Gasbestandteils, wie Stickoxiden (NOx), Kohlenstoff
(CO), Kohlenwasserstoff (HC), Sauerstoff (O2)
oder dergleichen, ausgestaltet ist, sowie ein Messsubstrat 10,
auf dem eine Schaltungseinheit 107 und eine elektrische
Schaltungsanordnung 108 ausgebildet sind.
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Die elektrische Schaltungsanordnung 108 umfasst
eine Signalverarbeitungsschaltung 100 zur Messung eines
von dem Gassensor 20 abgegebenen Sensorstroms.
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Wie in den 1 und 6 veranschaulicht
ist, umfasst die elektrische Schaltungsanordnung 108 einen
auf der Oberfläche
des Messsubstrats 10 angeordneten integrierten Schaltkreis 105,
einen Verbindungsanschluss 181 mit einer Eingangsimpedanz von
500 Kiloohm (kΩ)
oder mehr, eine Vielzahl von auf der Oberfläche des Messsubstrats 10 angebrachten
und nachstehend noch näher
beschriebenen elektrischen Bauelementen, sowie einen auf der Oberfläche ausgebildeten
Leiterbahnmusterbereich 109 zur elektrischen Verbindung
der elektrischen Bauelemente.
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Der Leiterbahnmusterbereich 109 umfasst Leiterbahnmuster 109a, 109b, 109c, 109d und 109e.
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Die Leiterbahnmuster 109a stellen
Signaleingabemuster 110 dar, die Bestandteile der Signalverarbeitungsschaltung 100 und
mit dem Verbindungsanschluss 181 elektrisch verbunden sind.
Jedes der Signaleingabemuster 110 besitzt in Bezug auf
den Verbindungsanschluss 181 eine Gleichstromimpedanz von
etwa 2 kΩ oder
weniger.
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Die Leiterbahnmuster 109b stellen
Differenzpotentialmuster 140 dar, die jeweils in Bezug
auf die Signaleingabemuster 110 eine Potentialdifferenz
von nicht weniger als etwa 2 Volt (V) aufweisen.
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Das Leiterbahnmuster 109c stellt
ein Schutz- oder Abschirmmuster 120 dar, das in seinen
Bereichen ein im wesentlichen konstantes Potential aufweist, wobei
dieses konstante Potential des Leiterbahnmusters 109c dahingehend
eingestellt ist, dass es im wesentlichen innerhalb eines Bereiches
von 80% oder mehr bis 120 oder weniger des Potentials eines
jeden der Signaleingabemuster 110 liegt.
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Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Potentialdifferenz
zwischen dem Leiterbahnmuster 109c und jedem der Signaleingabemuster 110 auf
einen annähernd
unter 0,5 Volt (V) liegenden Wert eingestellt.
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Das Leiterbahnmuster 109d stellt
einen Teil eines Signalmessmusters 111 dar, das einen Leitungsweg
mit einer Ausgangsimpedanz von 500 Ω oder weniger in Bezug auf
die Masseverbindung des Messsubstrats 10 bildet.
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Das Schutz- oder Abschirmmuster 120 ist
in einem zwischen den Signaleingabemustern 110 und den
Differenzpotentialmustern 140 gelegenen Oberflächenbereich
des Messsubstrats 10 angeordnet.
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Die elektrische Schaltungsanordnung 108 umfasst
außerdem
als elektrische Bauelemente eine Stromversorgungsschaltung
150 sowie
einen Verbindungsanschluss 182, die elektrisch miteinander
verbunden sind.
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Die Schaltungseinheit 107 umfasst
eine Pumpschaltung 130 mit einer Strom- oder Spannungsquelle 135,
wie dies in 3 veranschaulicht ist.
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Der in 2 dargestellte
Gassensor 20 mit dem Gassensorelement 8 ist an
einem (nicht dargestellten) Abgasrohr der Brennkraftmaschine eines Kraftfahrzeugs
angebracht und dient zur Regelung des Verbrennungsvorgangs in der
Brennkraftmaschine, Überwachung
eines Katalysators zur Abgasreinigung oder dergleichen. Hierbei
ist der Gassensor 20 zur Messung der Konzentration von
NOx ausgestaltet, das bei diesem ersten Ausführungsbeispiel ein Beispiel
für den
in dem über
das Abgasrohr ausgestoßenen
Gas enthaltenen spezifischen Gasbestandteil darstellt.
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Der in 2 dargestellte
Gassensor 20 gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel
umfasst ein zylindrisches Gehäuse 70 und
das Gassensorelement 8, dessen Außenbereich von einem Isolierelement gehalten
wird. Das Gassensorelement 8 ist in dem zylindrischen Gehäuse 70 angeordnet,
wobei ein Endteil 8a des Gassensorelements 8,
das sich durch einen Endbereich 70a des Gehäuses 70 hindurch nach
außen
erstreckt, in einer an diesem einen Endbereich befestigten zylindrischen
Abgasschutzkappe 71 angeordnet ist.
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Die Abgasschutzkappe 71 besitzt
eine Doppelstruktur aus einer Innenverkleidung 711 und
einer Außenverkleidung 712,
bei der die Außenverkleidung 712 die
Außenseite
der Innenverkleidung 711 umgibt. Die Innenverkleidung 711 und
die Außenverkleidung 712 bestehen
jeweils z.B. aus rostfreiem Stahl.
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Die Innenverkleidung 711 und
die Außenverkleidung 712 besitzen
im seitlichen und unteren Bereich jeweils Abgas-Einlassöffnungen 713, 714, über die
das Abgas in einen inneren Hohlbereich der Abgasschutzkappe 71 eintreten
kann.
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Der Gassensor 20 ist außerdem in
der in 2 dargestellten
Weise am anderen Endbereich 70b des Gehäuses 70 mit einer
Luftverkleidung 72 versehen. Die Luftverkleidung 72 ist
an diesem anderen Endbereich 70b des Gehäuses 70 befestigt
und umfasst eine zylindrische Hauptverkleidung 721 sowie
eine zylindrische Teilverkleidung 722. Hierbei ist ein
Endteil 721a der Hauptverkleidung 721 an dem anderen
Endbereich 70b des Gehäuses 70 befestigt, wobei
die Teilverkleidung 722 das andere Endteil 721b der
Hauptverkleidung 721 umgibt.
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Die Hauptverkleidung 721 ist
an vorgegebenen Positionen mit seitlichen Lufteinlassöffnungen 723 versehen,
während
die Teilverkleidung 722 an vorgegebenen Positionen mit
seitlichen Lufteinlassöffnungen 724 versehen
ist. Hierbei sind die jeweiligen Positionen der Lufteinlassöffnungen 723 der Hauptverkleidung 721 gegenüberliegend
zu den jeweiligen Positionen der Lufteinlassöffnungen 724 der Teilverkleidung 722 angeordnet,
sodass Luft, die ein Referenzgas darstellt, in einen inneren Hohlbereich der
Luftverkleidung 72 eintreten kann.
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Gemäß 2 umfasst der Gassensor 20 außerdem ein
wasserabweisendes Filter 725 zur Abdichtung des inneren
Hohlbereichs der Luftverkleidung 72. Das wasserabweisende
Filter 725 ist zwischen der Hauptverkleidung 721 und
der Teilverkleidung 722 zur Abdeckung der Lufteinlassöffnungen 723 und 724 angeordnet.
In dem anderen Endbereich der Luftverkleidung 72 ist ein Öffnungsabschnitt 72a ausgebildet, über den
mit dem anderen Endteil 8b des Gassensorelements 8 verbundene
Zuleitungen 73 aus der Luftverkleidung 72 herausgeführt werden
können.
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Wie in den 3 und 4 im
einzelnen dargestellt ist, umfasst das Gassensorelement 8 ein
erstes Festelektrolytelement 841 und ein zweites Festelektrolytelement 843,
die jeweils plättchenförmig ausgebildet
und parallel zueinander angeordnet sind. Außerdem umfasst das Gassensorelement 8 ein
zwischen dem ersten Festelektrolytelement 841 und dem zweiten
Festelektrolytelement 843 angeordnetes Distanzstück 842.
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Das Distanzstück 842 ist mit einer
ersten Ausnehmung 811a und einer zweiten Ausnehmung 812a versehen
und zwischen dem ersten Festelektrolytelement 841 und dem
zweiten Festelektrolytelement 843 derart angeordnet, dass
von dem ersten Festelektrolytelement 841 und dem zweiten
Festelektrolytelement 843 sowie der ersten Ausnehmung 811a und
der zweiten Ausnehmung 812a eine erste Kammer 811 und
eine zweite Kammer 812 gebildet werden.
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In die erste Kammer 811 und
die zweite Kammer 812 kann dann das Messgas eingeleitet werden.
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Das Gassensorelement 8 umfasst
außerdem eine
auf dem ersten Festelektrolytelement 841 angebrachte plättchenförmige poröse Schutzschicht 840, eine
plättchenförmige Heizeinrichtung 815 sowie
ein mit einer Ausnehmung 813a versehenes Distanzstück 844,
das zwischen der plättchenförmigen Heizeinrichtung 815 und
dem zweiten Festelektrolytelement 843 derart angeordnet
ist, dass von der Heizeinrichtung 815, der Ausnehmung 813a und
dem zweiten Festelektrolytelement 843 eine Referenzgaskammer 813 gebildet
wird. Das Gassensorelement 8 ist in Form einer Schichtanordnung
aufgebaut, bei der das Heizelement 815, das Distanzstück 844,
das zweite Festelektrolytelement 843, das Distanzstück 842,
das erste Festelektrolytelement 841 und die poröse Schutzschicht 840 in
dieser Reihenfolge als Laminat angeordnet sind.
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Die Distanzstücke 842 und 844 bestehen z.B.
jeweils aus einem isolierenden Aluminiumoxid, während die poröse Schutzschicht 840 z.B.
aus einem isolierenden Keramikwerkstoff besteht.
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Das Gassensorelement 8 umfasst
außerdem eine
Sensorzelle 82, die von einem Teil des zweiten Festelektrolytelements 843 sowie
einer ersten Sensorelektrode 821 und einer zweiten Sensorelektrode 822 gebildet
wird, die jeweils an Oberflächen
dieses Teils des zweiten Festelektrolytelements 843 angebracht
sind.
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Die erste Sensorelektrode 821 liegt
der zweiten Kammer 812 gegenüber, während die zweite Sensorelektrode 822 der
Referenzgaskammer 813 gegenüberliegt, in die Luft als Referenzgas
eingeführt
werden kann.
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Die erste Sensorelektrode 821 ist
mit dem Verbindungsanschluss 182 elektrisch verbunden. Der
Verbindungsanschluss 182 ist an dem Messsubstrat 10 angeordnet
und mit der Stromversorgungsschaltung 150 über eine
Zuleitung bzw. Leiterbahn einer Verbindungsleitung verbunden. Die
zweite Sensorelektrode 822 ist mit dem an dem Messsubstrat 10 angeordneten
Verbindungsanschluss 181 elektrisch verbunden. Der Verbindungsanschluss 181 ist
wiederum mit der Signalverarbeitungsschaltung 100 über eine
Zuleitung bzw. Leiterbahn einer Verbindungsleitung verbunden.
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Wie in 1 veranschaulicht,
ist somit die erste Sensorelektrode 821 über den
Verbindungsanschluss 182 mit der Stromversorgungsschaltung 150 elektrisch
verbunden, während
die zweite Sensorelektrode 822 über den Verbindungsanschluss 181 mit der
Signalverarbeitungsschaltung 100 elektrisch verbunden ist.
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Die Sensorzelle 82 ist dahingehend
ausgestaltet, dass in Abhängigkeit
von einer an die erste Sensorelektrode 821 und die zweite
Sensorelektrode 822 angelegten, vorgegebenen Spannung ein
der Konzentration des in dem Messgas enthaltenen spezifischen bzw.
spezifizierten Gasbestandteils entsprechender Sensorstrom abgegeben
wird.
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Das Gassensorelement 8 umfasst
außerdem eine
Pumpzelle 83, die von einem Teil des ersten Festelektrolytelements 841 sowie
von einer ersten Pumpelektrode 831 und einer zweiten Pumpelektrode 832 gebildet
wird, die jeweils auf Oberflächen
dieses Teils des ersten Festelektrolytelements 841 angeordnet
sind.
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Die erste Pumpelektrode 831 und
die zweite Pumpelektrode 832 sind mit der Pumpschaltung 130 (Strom-
bzw. Spannungsquelle 135) elektrisch verbunden.
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Wie 3 zu
entnehmen ist, ist die erste Pumpelektrode 831 über die
poröse
Schutzschicht 840 dem Außenbereich des Gassensorelements 8 ausgesetzt,
während
die zweite Pumpelektrode 832 der ersten Kammer 811 gegenüberliegt.
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Ein zwischen der ersten Pumpelektrode 831 und
der zweiten Pumpelektrode 832 angeordneter Endbereich des
ersten "'Festelektrolytelements 841 ist
mit einem durch das Element hindurch verlaufenden ersten Diffusionswiderstandskanal 810,
wie einem Nadelloch oder einer feinen Pore versehen.
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Die erste Kammer 811 steht über diesen
ersten Diffusionswiderstandskanal 810 mit dem Außenbereich
des Gassensorelements 8 in Verbindung.
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Ein zweiter Diffusionswiderstandskanal 820 in
Form z.B. eines Nadellochs oder einer feinen Pore ist in dem zwischen
der ersten Kammer 811 und der zweiten Kammer 812 befindlichen
Distanzstück 842 ausgebildet,
sodass eine Verbindung zwischen der ersten Kammer 811 und
der zweiten Kammer 812 über
diesen zweiten Diffusionswiderstandskanal 820 hergestellt
werden kann.
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Hierbei können auch der erste Diffusionswiderstandskanal 810 und
der zweite Diffusionswiderstandskanal 820 jeweils z.B.
aus einer porösen Schicht
bestehen.
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Die Pumpzelle 83 dient zum
Pumpen von Sauerstoffionen in Abhängigkeit von der an die erste Pumpelektrode 831 und
die zweite Pumpelektrode 832 angelegten Spannung.
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Das Gassensorelement 8 umfasst
außerdem eine Überwachungszelle 86,
die von einem weiteren Bereich des zweiten Festelektrolytelements 843 sowie
einer ersten Überwachungselektrode 861 und
einer zweiten Überwachungselektrode 862 gebildet wird,
die an Oberflächen
dieses anderen Bereichs des zweiten Festelektrolytelements 843 angebracht sind.
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Die erste Überwachungselektrode 861 und die
zweite Überwachungselektrode 862 sind
mit einer ein Voltmeter 165 aufweisenden Überwachungsschaltung 160 elektrisch
verbunden, die von der elektrischen Schaltungsanordnung 108 auf
dem Messsubstrat 10 gebildet wird.
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Wie 3 zu
entnehmen ist, liegt die erste Überwachungselektrode 861 der
zweiten Kammer 812 gegenüber, während die zweite Überwachungselektrode 862 der
Referenzgaskammer 813 gegenüberliegt.
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Die Schaltungseinheit 107 umfasst
außerdem
einen Rückkopplungskreis 166,
der eine elektrische Verbindung zwischen der Pumpschaltung 130 und
der Überwachungsschaltung 160 herstellt.
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Das erste Festelektrolytelement 841 und
das zweite Festelektrolytelement 843 gemäß den 3 und 4 bestehen jeweils z.B. aus Sauerstoffionen
leitendem Zirkondioxid. Die erste Pumpelektrode 831, die
zweite Sensorelektrode 822 sowie die zweite Überwachungselektrode 862 bestehen
jeweils aus einem Edelmetall wie Platin (Pt). Die zweite Pumpelektrode 832 und
die erste Überwachungselektrode 861 bestehen
jeweils aus einem Edelmetall wie Platin (Pt) – Gold (Au), das in Bezug auf
Stickoxide (NOx) inaktiv bzw. nicht reaktionsfähig ist. Die erste Sensorelektrode 821 besteht
aus einem Edelmetall wie Rhodium (Rh) oder Pt-Ph (Phenyl), das in
Bezug auf NOx reaktionsfähig
ist.
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Im Rahmen dieser Beschreibung beinhaltet die
Bezeichnung "Material
wie ein Edelmetall, das in Bezug auf NOx reaktionsfähig ist", dass es sich hierbei
um ein Material handelt, das eine aufspaltende Wirkung bei NOx entfaltet
und eine Aufspaltung von NOx in Sauerstoffionen und Wasserstoffionen
herbeiführt,
während
die Bezeichnung "Material
wie ein Edelmetall, das in Bezug auf NOx inaktiv bzw. nicht reaktionsfähig ist" beinhaltet, dass
dieses Material keine aufspaltende Wirkung entfaltet.
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Wie in den 3 und 4 veranschaulicht
ist, umfasst die Heizeinrichtung 815 isolierende Heizsubstrate 851 und 852 sowie
ein zwischen den isolierenden Heizsubstraten 851 und 852 angeordnetes
Heizelement 850, die in Form eines Laminats angeordnet sind.
Das Heizelement 850 wird zur Wärmeerzeugung mit elektrischer
Energie beaufschlagt, die aus dem Außenbereich des Heizelements 815 zugeführt wird.
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Die Heizsubstrate 851 und 852 bestehen
jeweils z.B. aus Aluminiumoxid, während das Heizelement 850 aus
einem Edelmetall wie Platin besteht.
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Nachstehend wird das Messsubstrat 10 zur Steuerung
des Gassensorelements 8 des Gassensors 20 näher beschrieben.
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Auf dem Messsubstrat 10 ist
die elektrische Schaltungsanordnung 108 angebracht. Diese
elektrische Schaltungsanordnung 108 umfasst die mit der Sensorzelle 82 elektrisch
verbundene Schaltungsanordnung 150, die Signalverarbeitungsschaltung 100, einen
Mikrocomputer 170 (der in 1 mit "MC" bezeichnet ist)
und eine mit dem Mikrocomputer 170 elektrisch verbundene
Ein-Ausgabeschaltung 180 (die
in 1 mit "I/O" bezeichnet ist),
wobei mit der Ein-Ausgabeschaltung 180 über einen Ausgangsanschluss
OT eine Motorsteuereinheit ECU 9 elektrisch verbunden ist.
Die Motorsteuereinheit ECU 9 ist außerhalb des Gaskonzentrationsmessgeräts 1 angeordnet
und dient zur elektronischen Steuerung der (nicht dargestellten)
Brennkraftmaschine.
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Außerdem sind auf dem Messsubstrat 10 jeweils
die Pumpschaltung 130, der Rückkopplungskreis 166 sowie
mit dem Mikrocomputer 170 elektrisch verbundene (nicht
dargestellte) periphere Elemente in Form der Schaltungseinheit 107 angeordnet.
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Wie in 1 veranschaulicht
ist, ist die Stromversorgungsschaltung 150 als Schaltungsanordnung
zum Anlegen einer Spannung an die Sensorzelle 82 (die in 1 in Form eines Ersatzschaltbilds
dargestellt ist) des Gassensors 20 ausgestaltet. Die Signalverarbeitungsschaltung 100 stellt
eine Schaltungsanordnung zur Umsetzung des Sensorstroms in ein Spannungssignal
dar.
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Das in 5 ohne
die zugehörigen
Leiterbahnen und die elektrischen Bauelemente dargestellte Messsubstrat 10 gemäß diesem
Ausführungsbeispiel
besteht aus einem Glas-Epoxidsubstrat
mit einer Einzelschichtenstruktur, die aus einer einzigen Isolierschicht 11 und
einer leitfähigen
Oberflächenschicht 12 als
einzige leitfähige
Schicht besteht, die auf eine Oberfläche der einzigen Isolierschicht 11 aufgebracht
ist.
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Der Leiterbahnmusterbereich 109 (109a bis 109c)
ist in der leitfähigen
Oberflächenschicht 12 ausgebildet,
wobei die elektrischen Bauelemente und Bauteile darauf angeordnet
sind, sodass die Schaltungseinheit 107 und die elektrische
Schaltungsanordnung 108 mit der Stromversorgungsschaltung 150,
der Signalverarbeitungsschaltung 100 usw. in bzw. auf der
leitfähigen
Oberflächenschicht 12 ausgebildet
sind.
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Wie in 1 dargestellt
ist, umfasst die Signalverarbeitungsschaltung 100 drei
Operationsverstärker 101 bis 103,
einen Widerstand 112 als Nebenschlusswiderstand usw. Die
Signalverarbeitungsschaltung 100 ist zur Eingabe des von
der zweiten Sensorelektrode 822 in das Messsubstrat 10 fließenden Sensorstroms
und Umsetzung des zugeführten Sensorstroms
in ein Spannungssignal ausgestaltet.
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Gemäß 1 besitzt der Operationsverstärker 101 einen
Ausgang 101a, einen nichtinvertierenden Eingang 101b sowie
einen invertierenden Eingang 101c. Der Operationsverstärker 101 besitzt
einen Verstärkungsfaktor
von annähernd 1,
sodass er als Spannungssignal-Messpufferverstärker wirkt, der über seinen
Ausgang 101a ein Potential abgibt, das dem Potential am
Verbindungsanschluss 181 entspricht.
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Der Operationsverstärker 102 ist
dahingehend ausgestaltet, dass das an seinem nichtinvertierenden
Eingang 102a (+) auftretende Potential im wesentlichen
Koinzidenz mit dem Potential am Verbindungsanschluss 181 annimmt.
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Der Operationsverstärker 103 weist
einen mit dem Ausgang 101a des Operationsverstärkers 101 elektrisch
verbundenen nichtinvertierenden Eingang 103a, einen mit
dem Ausgang 102b des Operationsverstärkers 102 elektrisch
verbundenen invertierenden Eingang 103b sowie einen Ausgang 103c auf.
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Der Operationsverstärker 103 ist
somit zur Verstärkung
der Spannungsdifferenz zwischen der am Ausgang 101a des
Operationsverstärkers 101 und
der am Ausgang 102b des Operationsverstärkers 102 auftretenden
Spannung ausgestaltet und führt
diese Spannungsdifferenz über
seinen Ausgang 103c dem Mikrocomputer 107 zu.
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Der nichtinvertierende Eingang 101b (+)
des Operationsverstärkers 101 ist über einen
Widerstand R1 mit einer Gleichstromimpedanz von 2 kΩ oder weniger
mit dem Verbindungsanschluss 181 elektrisch verbunden.
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Wie in 1 veranschaulicht
ist, ist der Ausgang 102b des Operationsverstärkers 102 über den einen
hohen Widerstandswert von annähernd
1,5 MΩ aufweisenden Widerstand 112 mit
seinem invertierenden Eingang 102c (-) elektrisch verbunden.
-
Der invertierende Eingang 102c des
Operationsverstärkers 102 ist über einen
Widerstand R2 mit einer Gleichstromimpedanz von 2 kΩ oder weniger mit
dem Verbindungsanschluss 181 elektrisch verbunden.
-
Der nichtinvertierende Eingang 102a des Operationsverstärkers 102 ist über das
Leiterbahnmuster 109e mit einer zwei Widerstände R3 und
R4 aufweisenden Spannungsteilerschaltung 115 elektrisch
verbunden, die eine Versorgungsspannung des Messsubstrats 10 durch
die beiden Widerstände R3
und R4 zur Bildung einer Referenzspannung von 4,4 V teilt, sodass
an dem nichtinvertierenden Eingang 102a eine Referenzspannung
von 4,4 V anliegt.
-
Wie ferner in 1 veranschaulicht ist, umfasst die Stromversorgungsschaltung 150 eine
zwei Widerstände
R5 und R6 aufweisende Spannungsteilerschaltung 153, die
eine Versorgungsspannung des Messsubstrats 10 durch die
beiden Widerstände
R5 und R6 teilt, sowie einen Operationsverstärker 155, der die
von der Spannungsteilerschaltung 153 geteilte Spannung
verstärkt
und die verstärkte
Spannung über
den Verbindungsanschluss 182 der Sensorzelle 82 zuführt. Bei
diesem ersten Ausführungsbeispiel wird
eine Spannung von 4,4 Volt (V) an die erste Sensorelektrode 821 der
Sensorzelle 82 über
den Verbindungsanschluss 182 angelegt.
-
Der Widerstand 112 erzeugt
zwischen seinen beiden Endanschlüssen
eine Potentialdifferenz in Abhängigkeit
vom Sensorstrom der Sensorzelle 82. Der Operationsverstärker 102 ist
dahingehend ausgestaltet, dass das an seinem nichtinvertierenden Eingang 102a auftretende
Potential im wesentlichen Koinzidenz mit dem Potential des Verbindungsanschlusses 181 annimmt.
-
Das Potential des Verbindungsanschlusses 181 fällt somit
am Widerstand 112 ab, sodass dem Ausgang 102b des
Operationsverstärkers 102 die durch
Subtraktion des Spannungsabfalls am Widerstand 112 vom
Potential des Verbindungsanschlusses 181 erhaltene Spannung
zugeführt
wird.
-
Bei dem Messsubstrat 10 gemäß diesem ersten
Ausführungsbeispiel
wird hierbei das Potential des mit der zweiten Sensorelektrode 822 elektrisch verbundenen
Verbindungsanschlusses 181 dahingehend gesteuert, dass
es einen Wert von 4,0 V annimmt. Ferner liegt an dem mit der ersten
Sensorelektrode 821 elektrisch verbundenen Verbindungsanschluss 182 eine
Spannung von 4,4 V an.
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Wie vorstehend beschrieben, liegt
somit bei dem Gassensor 20 gemäß diesem ersten Ausführungsbeispiel
eine Potentialdifferenz von 0,4 V an der Sensorzelle 82 an.
-
Wie in 1 veranschaulicht
ist, dient der Mikrocomputer 170 zur Umsetzung der über den Ausgang 103c des
Operationsverstärkers 103 abgegebenen
Analogspannung in digitale Spannungsdaten und zur Teilung der digitalen
Spannungsdaten durch den Widerstandswert des Widerstands 112, wodurch
der Wert des Sensorstroms erhalten wird.
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Der Mikrocomputer 170 dient
außerdem
zur Zuführung
eines Gaskonzentrationssignals über
die Ein-Ausgabeschaltung 180 und den Ausgangsanschluss
OT zu der Motorsteuereinheit ECU 9 für die elektronische Regelung
der Brennkraftmaschine.
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Bei der Signalverarbeitungsschaltung 100 ist auf
dem Messsubstrat 10 gemäß 1 die Eingangsimpedanz des
Verbindungsanschlusses 181 auf einen nicht unter 500 kΩ liegenden
Wert eingestellt.
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Die Gleichstromimpedanz zwischen
dem Verbindungsanschluss 181 und den jeweiligen Leiterbahnmustern 109a,
die die Leitungswege von dem Verbindungsanschluss 181 über den
Widerstand R1 zu dem Operationsverstärker 101 und über den
Widerstand 112 und den Widerstand R2 zu dem Operationsverstärker 102 bilden,
ist dagegen auf einen niedrigen Wert wie z.B. 2 kΩ oder weniger
eingestellt.
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Die Leiterbahnmuster 109a,
die die Leitungswege von dem Verbindungsanschluss 181 zu
dem nichtinvertierenden Eingang 101b des Operationsverstärkers 101,
dem Widerstand 112 und dem invertierenden Eingang 102c des
Operationsverstärkers 102 bilden,
stellen entsprechend der Eingangsimpedanz des Verbindungsanschlusses 181 einen
Abschnitt hoher Impedanz dar.
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Demgegenüber besitzen die Operationsverstärker 101 und 102 Idealerweise
jeweils eine unendlich große
Gleichstromimpedanz, sodass eine hohe Gleichstromimpedanz zwischen
dem Verbindungsanschluss 181 und den jeweiligen Leiterbahnmustern 109b vorliegt,
die mit den Ausgängen 101a und 102b der
Operationsverstärker 101 und 102 elektrisch
verbunden sind.
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Der Widerstandswert des Widerstands 112 ist
auf 1,5 MΩ eingestellt,
sodass die Gleichstromimpedanz zwischen dem Verbindungsanschluss 181 und
den jeweiligen Leiterbahnen 109b, die mikrocomputerseitig
mit dem Widerstand 112 elektrisch verbunden sind, auf im
wesentlichen 1,5 MΩ eingestellt
ist.
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Bei der auf dem Messsubstrat 10 angeordneten
Signalverarbeitungsschaltung 100 bilden daher die in den 1, 6 und 7 veranschaulichten
Leiterbahnmuster 109a, die Leitungswege zu dem nichtinvertierenden
Eingang 101b des Operationsverstärkers 101, dem Widerstand 112 und
dem invertierenden Eingang 102c des Operationsverstärkers 102 darstellen,
die Signaleingabemuster 110.
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Weiterhin bilden die in den 1, 6 und 7 dargestellten
Leiterbahnmuster 109b, die mit den Ausgängen 101a, 102b der
Operationsverstärker 101, 102 sowie
mikrocomputerseitig mit dem Widerstand 112 elektrisch verbunden
sind, die Differenzpotentialmuster 140, die in Bezug auf
die Signaleingabemuster 110 jeweils ein Differenzpotential
aufweisen.
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Das Schutz- oder Abschirmmuster 120 ist
in Form des Leiterbahnmusters 109c in der in den 1, 6 und 7 veranschaulichten
Weise derart angeordnet, dass es die Signaleingabemuster 110 umgibt, wobei
das Schutz- oder Abschirmmuster 120 außerdem mit dem Leiterbahnmuster 109d elektrisch
verbunden ist, das wiederum mit dem Ausgang 101a des Operationsverstärkers 101 elektrisch
verbunden ist, der auf einem in Bezug auf den Verbindungsanschluss 181 im
wesentlichen äquivalenten
Potentialwert gehalten wird.
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Bei diesem ersten Ausführungsbeispiel
sind in dem Schutz- oder
Abschirmmuster 120 keine elektrischen Bauelemente enthalten,
sodass das Schutz- oder Abschirmmuster 120 auf dem Messsubstrat 10 lediglich
aus einer Metallfolie besteht.
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Hierbei können jedoch auch elektrische
Bauelemente, wie Widerstände
oder Überbrückungs- bzw.
Verbindungsleitungen, in dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 enthalten
sein. In diesem Fall ist es erforderlich, das Potential des Schutz- oder Abschirmmusters 120 auf
annähernd
plus oder minus 1 V zu begrenzen.
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Wenn das Potential des Schutz- oder
Abschirmmusters 120 auf annähernd plus oder minus 1 V begrenzt
wird, kann davon ausgegangen werden, dass bei dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 im wesentlichen
ein konstantes Potential aufrecht erhalten wird.
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Bei diesem ersten Ausführungsbeispiel
wird zur Unterdrückung
nachteiliger Einwirkungen der Differenzpotentialmuster 140 im
Betrieb der elektrischen Schaltungsanordnung 108 auf die
Signaleingabemuster 110 das Schutz- oder Abschirmmuster 120 mehr
als erforderlich verlängert,
sodass das Schutz- oder Abschirmmuster 120 zwischen den
Signaleingabemustern 110 und den Differenzpotentialmustern 140 angeordnet
ist.
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Durch das Schutz- oder Abschirmmuster 120 wird
daher verhindert, dass Leckströme
von den Differenzpotentialmustern 140 in die Signaleingabemuster 110 und/oder
von den Signaleingabemustern 110 in die Differenzpotentialmuster 140 fließen.
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Weiterhin bildet das Leiterbahnmuster 109d, das
den Ausgang 101a des Operationsverstärkers 101 mit seinem
invertierenden Eingang 101c elektrisch verbindet, einen
Teil der Signalverarbeitungsschaltung 100 und des Signalmessmusters 111,
das den Leitungsweg mit einer Ausgangsimpedanz von 500 Ω und weniger
in Bezug auf die Masseverbindung des Messsubstrats 10 bildet.
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Das Signalmessmuster 111 ist
mit dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 elektrisch verbunden.
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6 zeigt
die Peripherie der Signalverarbeitungsschaltung 100 in
der auf dem Messsubstrat 10 angeordneten elektrischen Schaltungsanordnung 108.
Außerdem
zeigt 6 die Anordnung
der Leiterbahnmuster 109a bis 109c auf dem Messsubstrat 10 vor
der Anbringung der elektrischen Bauelemente. 7 zeigt eine vergrößerte Ansicht der Peripherie
des integrierten Schaltkreises 105 gemäß 6.
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Bei diesem ersten Ausführungsbeispiel
ist der integrierte Schaltkreis 105, der eine interne Schaltungsanordnung
mit den Operationsverstärkern 101 bis 103 und
dem Widerstand 112 als Nebenschlusswiderstand enthält, auf
der Oberfläche
des Messsubstrats 10 angebracht.
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Wie in 6 veranschaulicht
ist, umfassen die Differenzpotentialmuster 140 jeweils
freiliegende Abschnitte 184, auf denen keine Isolationsbeschichtung
ausgebildet ist, sowie beschichtete Abschnitte 186, die
durch Aufbringen einer Isolationsbeschichtung 188 z.B.
in Form von Grünschichten
auf die freiliegenden Abschnitte 184 ausgebildet sind.
Die freiliegenden Abschnitte bilden z.B. Anschluss- oder Kontaktabschnitte 185b,
die mit den elektrischen Bauelementen, Zuleitungen und dergleichen
elektrisch verbunden werden können.
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Das in den 6 und 7 dargestellte
Schutz- oder Abschirmmuster 120 umfasst freiliegende Nachbarabschnitte 124,
die in der Nähe
der freiliegenden Abschnitte 184 angeordnet und als querschraffierte
Bereiche dargestellt sind, sowie beschichtete Nachbarabschnitte 126,
die in der Nähe der
beschichteten Abschnitte 186 angeordnet und als punktschraffierte
Bereiche dargestellt sind.
-
Der Beschichtungszustand des Schutz-
oder Abschirmmusters 120 und der Beschichtungszustand des
Differenzpotentialmusters 140 stimmen somit bei diesem
ersten Ausführungsbeispiel
auf dem Messsubstrat 10 im wesentlichen überein,
sodass Leckströme
nur zwischen den freiliegenden Abschnitten 124 des Schutz-
oder Abschirmmusters 120 und den jeweiligen freiliegenden
Abschnitten 184 des Differenzpotentialmusters 140 auftreten
können.
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Das Auftreten von Leckströmen zwischen den
beschichteten Nachbarabschnitten 126 des Schutz- oder Abschirmmusters 120 und
den jeweiligen beschichteten Abschnitten 186 des Differenzpotentialmusters 140 kann
dagegen verhindert werden.
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Im einzelnen umfassen hierbei die
Anschluss- oder Kontaktabschnitte 185a des Signaleingabemusters 110 Kontaktabschnitte 185a1,
während die
Anschluss- oder Kontaktabschnitte 185b des Differenzpotentialmusters 140 Kontaktabschnitte 185b1 umfassen.
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Wie in den 6 und 7 veranschaulicht
ist, sind die Kontaktabschnitte 185a1 und 185b1 auf
dem Messsubstrat 10 derart angeordnet, dass sie jeweils den
Anschlüssen
des integrierten Schaltkreises 105 entsprechen, sodass
die Kontaktabschnitte 185a1 und 185b1 jeweils
mit den Anschlüssen
des integrierten Schaltkreises 105 elektrisch verbunden
sind.
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Entsprechend einem jeweiligen Abstand
von z.B. 1,27 mm bei jedem Anschluss des integrierten Schaltkreises 105 beträgt der jeweilige
Abstand zwischen den benachbarten Kontaktabschnitten 185a1 und 185b1 annähernd 0,6
mm.
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Bei diesem ersten Ausführungsbeispiel
ist daher das Schutz- oder
Abschirmmuster 120 auf dem Messsubstrat 10 in
den Zwischenräumen
zwischen den Kontaktabschnitten 185a1 der Signaleingabemuster 110 und
den Kontaktabschnitten 185b1 der Differenzpotentialmuster 140 angeordnet,
d.h., die Kontaktabschnitte 185b1 der Differenzpotentialmuster 140 bilden
die freiliegenden Abschnitte 184, die nicht mit der Isolierschicht 188 versehen
sind, sodass in der in den 6 und 7 veranschaulichten Weise die
freiliegenden Nachbarabschnitte 124 des Schutz- oder Abschirmmusters 120 in
der Nähe
der freiliegenden Abschnitte 184 und zwischen den Kontaktabschnitten 185b1 und
den Kontaktabschnitten 185a1 angeordnet sind.
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Ferner ist die dem invertierenden
Eingang 101c des Operationsverstärkers 101 entsprechende Elektrode
des integrierten Schaltkreises 105 mit einem Kontaktabschnitt 185c des
Schutz- oder Abschirmmusters 120 elektrisch verbunden.
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Nachstehend wird der Messvorgang
bei dem den Gassensor 20 und das Messsubstrat 10 aufweisenden
Gaskonzentrationsmessgerät 1 näher beschrieben.
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Zunächst wird näher auf den Vorgang der Messung
des NOx-Gases eingegangen.
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Das durch das Abgasrohr der (nicht
dargestellten) Brennkraftmaschine strömende Abgas wird in der in 3 veranschaulichten Weise über die
poröse
Schutzschicht 840 und den ersten Diffusionswiderstandskanal 810 in
die erste Kammer 811 geführt. Die eingeführte Menge
an Abgas wird hierbei von dem Diffusionswiderstand der porösen Schutzschicht 840 sowie
dem Diffusionswiderstand des ersten Diffusionswiderstandskanals 810 bestimmt.
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Durch die Wirkung der Pumpzelle 83 gemäß 3 entstehen Sauerstoffionen
aus dem in dem in die erste Kammer 811 geführten Abgas
enthaltenen Sauerstoff, sodass eine Bewegung von Sauerstoffionen
zwischen der ersten Kammer 811 und dem Außenbereich
des Gassensorelements 8 durch die Pumpzelle 83 herbeigeführt wird,
d.h., in der ersten Kammer 811 findet ein Pumpvorgang von
Sauerstoffionen statt.
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Wie 3 zu
entnehmen ist, wird die von der als Sauerstoffkonzentrationszelle
dienenden Überwachungszelle 86 in
der zweiten Kammer 812 erzeugte Quellenspannung (EMK) von
dem Voltmeter 165 der auf dem Messsubstrat 10 angeordneten Überwachungsschaltung 160 gemessen.
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Über
den Rückkopplungskreis 166 des Messsubstrats 10 wird
die von der Überwachungsschaltung 160 gemessene
Quellenspannung (EMK) auf die Pumpschaltung 130 zur Regelung
der Pumpzelle 83 rückgekoppelt,
d.h., über
den Rückkopplungskreis 166 wird
die an die Pumpzelle 83 angelegte Spannung in Abhängigkeit
von der durch die Überwachungszelle 86 erzeugten
Quellenspannung (EMK) zur Regelung der von der Pumpzelle 83 gepumpten
Sauerstoffmenge eingestellt.
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Bei diesem ersten Ausführungsbeispiel
stellt die Rückkopplungsschaltung 161 gemäß 3 die an die Pumpzelle 83 angelegte
Spannung in Abhängigkeit
von der durch die Überwachungszelle 86 erzeugten
Quellenspannung (EMK) derart ein, dass die Sauerstoffkonzentration
in der zweiten Kammer 812 nicht mehr als 1 ppm beträgt. Wenn
bei dem Gassensorelement 8 die Sauerstoffkonzentration
in der zweiten Kammer 812 auf einem 1 ppm entsprechenden oder
einem geringeren Wert gehalten wird, kann die Konzentration von
NOx in dem in die zweite Kammer 812 geführten Abgas mit einem hohen
Genauigkeitsgrad gemessen werden.
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Wie in 3 veranschaulicht
ist, wird die die der zweiten Kammer 812 gegenüberliegende
erste Sensorelektrode 821 und die der Referenzgaskammer 813 gegenüberliegende
zweite Sensorelektrode 822 aufweisende Sensorzelle 82 über die
erste Sensorelektrode 821 und die zweite Sensorelektrode 822 mit
einer vorgegebenen Spannung beaufschlagt, sodass die Sensorzelle 82 das
Abgas zur Aufspaltung des darin enthaltenen NOx reduziert. Bei diesem
ersten Ausführungsbeispiel
erzeugt die Sensorzelle 82, die über ihre erste Sensorelektrode 821 und
ihre zweite Sensorelektrode 822 mit der Potentialdifferenz
von 0,4 V beaufschlagt wird, bei der Reduzierung des NOx einen Sensorstrom
mit einem der Konzentration von NOx in den Abgasen entsprechenden Betrag.
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Gemäß 1 wird der Sensorstrom über den
Verbindungsanschluss 181 der Signalverarbeitungsschaltung 100 zugeführt. Die
Signalverarbeitungsschaltung 100 setzt den Spannungsabfall
am Widerstand 112 in ein Spannungssignal um, wobei dieser
Spannungsabfall durch den über
den Widerstand 112 fließenden Sensorstrom herbeigeführt wird.
Die Signalverarbeitungsschaltung 100 führt sodann dieses Spannungssignal
dem Mikrocomputer 170 zu.
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Der Mikrocomputer 170 berechnet
sodann einen Sensorstromwert des Gassensors 20 auf der Basis
des Spannungssignals und des Widerstandswertes des Widerstands 112 und
setzt diesen Sensorstromwert in eine NOx-Konzentration um, woraufhin der umgesetzte Konzentrationswert
von NOx über
den Ausgang OT der Motorsteuereinheit ECU 9 zugeführt wird.
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Wie vorstehend beschrieben, ist bei
diesem ersten Ausführungsbeispiel
das in Bezug auf den Verbindungsanschluss 181 im wesentlichen
auf gleichem Potential gehaltene Schutz- oder Abschirmmuster 120 an
der Peripherie der Signaleingabemuster 110 angeordnet,
die jeweils eine Gleichstromimpedanz von 2 kΩ oder weniger in Bezug auf
den Verbindungsanschluss 181 aufweisen, sodass durch das
Schutz- oder Abschirmmuster 120 verhindert wird, dass Leckströme in das
Signaleingabemuster 110 hineinfließen und/oder aus dem Signaleingabemuster 110 herausfließen, über das
der Sensorstrom in Form eines schwachen Stroms von annähernd einigen
wenigen nA fließt.
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Bei der Messung von NOx als spezifizierter Gasbestandteil
ist nämlich
der von dem Gassensor 20 erhaltene Sensorstrom derart schwach,
dass bei der Vergrößerung und/oder
Verkleinerung des Sensorstroms durch Leckströme eine genaue Messung des
Sensorstroms mit Schwierigkeiten verbunden sein kann.
-
Außerdem nimmt der Oberflächenwiderstand
des Messsubstrats 10 zwischen den jeweiligen Differenzpotentialmustern 140 und
den jeweiligen Signaleingabemustern 110 in proportionaler
Abhängigkeit
von ihrem Abstand zueinander ab, sodass bei einem geringen jeweiligen
Abstand zwischen den Differenzpotentialmustern 140 und
den Signaleingabemustern 110 gemäß dem Ohm'schen Gesetzt zwischen ihnen große Leckströme fließen können.
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Bei diesem ersten Ausführungsbeispiel
wird jedoch durch das Schutz- oder Abschirmmuster 120 verhindert,
dass Leckströme
in die jeweiligen Signalmuster 110 hineinfließen und/oder aus
ihnen herausfließen,
sodass bei dem Messsubstrat 10 der Betrag des von dem Verbindungsanschluss 181 zu
den Signaleingabemustern 110 fließenden Sensorstroms nahezu
unbeeinflusst von Einwirkungen der Differenzpotentialmuster 140 bleibt.
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Das Gaskonzentrationsmessgerät 1 mit
dem Messsubstrat 10, bei dem die Signaleingabemuster 110 von
dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 umgeben sind, ist somit
in der Lage, den Sensorstrom mit einem hohen Genauigkeitsgrad zu
messen und ermöglicht
somit eine genaue Messung der Konzentration von NOx im Abgas.
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Insbesondere ist das Schutz- oder
Abschirmmuster 120 bei dem Messsubstrat 10 gemäß diesem ersten
Ausführungsbeispiel
in den Zwischenräumen zwischen
den Kontaktabschnitten 185a1 und 185b1 des integrierten
Schaltkreises 105 angeordnet.
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Die jeweiligen Abstände zwischen
den benachbarten Kontaktabschnitten 185a1, 185b1 des
integrierten Schaltkreises 105 sind nämlich gering und betragen z.B.
nur annähernd
0,6 mm, da der integrierte Schaltkreis 105 jeweilige geringe
Anschlussabstände
von 1,27 mm aufweist, was zum Fließen von Leckströmen führen kann.
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Das Messsubstrat 10 ist
jedoch mit dem in den Zwischenräumen
zwischen den Kontaktabschnitten 185a1 und 185b1 des
integrierten Schaltkreises 105 angeordneten Schutz- oder
Abschirmmuster 120 versehen, sodass eine Beeinträchtigung des
Sensorstroms durch Leckströme
wirksam verhindert werden kann.
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Ferner bildet bei diesem ersten Ausführungsbeispiel
das Signalmessmuster 111 einen Leitungsweg mit einer Ausgangsimpedanz
von 500 Ω und
weniger in Bezug auf die Masseverbindung des Messsubstrats 10 und
ist mit dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 elektrisch
verbunden, d.h., da das Signalmessmuster 111 einen Leitungsweg
mit einer Ausgangsimpedanz von 500 Ω und weniger in Bezug auf die
Masseverbindung des Messsubstrats 10 darstellt, steht das
Potential des Signalmessmusters 111 in engem Zusammenhang
mit den Potentialen der Signaleingabemuster 110.
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Das Schutz- oder Abschirmmuster 120 ist daher
mit dem Signalmessmuster 111 elektrisch verbunden, sodass
das Potential des Schutz- oder Abschirmmusters 120 in gleichem
Maße wie
die Schwankungen der Potentiale der Signaleingabemuster 110 schwanken
kann, wodurch Schwankungen der Potentialdifferenz zwischen dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 und
den jeweiligen Potentialen der Signaleingabemuster 110 verhindert
werden.
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Wenn externe Bedingungen eine Schwankung
der Potentiale der Signaleingabemuster 110 verursachen,
können
daher Schwankungen der Potentialdifferenz zwischen dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 und
den jeweiligen Signaleingabemustern 110 verhindert werden.
-
Da ferner das mit dem Ausgang 101a des Operationsverstärkers 101 zur
Abgabe eines dem Potential des Verbindungsanschlusses 181 entsprechenden
Potentials über
den Ausgang 101a elektrisch verbundene Signalmessmuster 111 auch
mit dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 elektrisch verbunden
ist, können
Potentialdifferenzen zwischen dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 und
den jeweiligen Signaleingabemustern 110 umso mehr verhindert
werden.
-
Darüber hinaus kann bei diesem
ersten Ausführungsbeispiel
das Potential des Schutz- oder Abschirmmusters 120 dem Potential
des Signalmessmusters 111 im wesentlichen entsprechen.
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Als Modifikation dieses ersten Ausführungsbeispiels
können
anstelle des die Signaleingabemuster 110 umgebenden Schutz- oder Abschirmmusters 120 auch
Schutzmuster in entsprechend ausgewählten, erforderlichen Zwischenräumen zwischen
den benachbarten Kontaktabschnitten 185a1, 185b1 des integrierten
Schaltkreises 105 angeordnet werden.
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Bei dieser Modifikation müssen die
jeweiligen Schutzmuster eine Potentialdifferenz von 0,5 V oder weniger
in Bezug auf die Signaleingabemuster 110 aufweisen.
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Durch diese Modifikation kann das
Auftreten von Leckströmen
in Proportion zu dem Verhältnis
der erforderlichen Abstände
zu sämtlichen
Abständen zwischen
den benachbarten Kontaktabschnitten 185a1, 185b1 des
integrierten Schaltkreises 105 verhindert werden.
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Ferner können bei dieser Modifikation
jeweilige benachbarte Schutzmuster mit elektrischen Bauelementen,
wie Verbindungsleitungen, Widerständen oder dergleichen verbunden
werden, wenn die strukturelle Anordnung der Leiterbahnmuster auf
dem Messsubstrat dies erlaubt.
-
Bei dieser Modifikation ist es erforderlich,
die Potentiale der jeweiligen benachbarten Schutzmuster auf annähernd plus
oder minus 1 V zu begrenzen.
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Da die Potentiale der jeweiligen
benachbarten Schutzmuster auf annähernd plus oder minus 1 V begrenzt
sind, kann davon ausgegangen werden, dass bei diesen Schutzmustern
im wesentlichen ein konstantes Potential aufrecht erhalten wird,
sodass ein Austausch des einzelnen Schutz- oder Abschirmmusters 120 durch
diese Schutzmuster möglich
ist.
-
Als weitere Modifikation des ersten
Ausführungsbeispiels
kann in Betracht gezogen werden, die Schutzmuster nur in einigen,
jeweils nicht mehr als 0,7 mm betragenden Zwischenräumen zwischen
den benachbarten Kontaktabschnitten 185a1, 185b1 des integrierten
Schaltkreises 105 anzuordnen. Durch diese Anordnung kann
das Auftreten von Leckströmen
in Zwischenräumen
mit einem jeweiligen Abstand von 0,7 mm oder weniger wirksam verhindert werden,
in denen im Vergleich zu den restlichen Zwischenräumen mit
nicht unter 0,7 mm liegenden Abständen Leckströme mit hoher
Wahrscheinlichkeit auftreten.
-
Als weitere Modifikation des ersten
Ausführungsbeispiels
kann in Betracht gezogen werden, die Schutzmuster nur in einigen
Zwischenräumen
zwischen einigen Paaren benachbarter Kontaktabschnitte 185a1, 185b1 des
integrierten Schaltkreises 105 anzuordnen, wobei einige
Signaleingabemuster 110 und einige Differenzpotentialmuster 140,
die den Paaren der benachbarten Kontaktabschnitte 185a1, 185b1 des
integrierten Schaltkreises 105 entsprechen, jeweils Potentialdifferenzen
von 2 V oder mehr aufweisen.
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Durch diese Anordnung kann das Auftreten von
Leckströmen
in einigen Zwischenräumen
verhindert werden, bei denen im Vergleich zu den restlichen Zwischenräumen, die
den restlichen Signaleingabemustern 110 und den restlichen
Differenzpotentialmustern 140 mit jeweiligen Potentialdifferenzen
von weniger als 2 V entsprechen, Leckströme mit hoher Wahrscheinlichkeit
auftreten.
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Bei einem in 8 dargestellten Gaskonzentrationsmessgerät 1A gemäß einer
weiteren Modifikation dieses ersten Ausführungsbeispiels kann ein Schutzmuster 120a elektrisch
mit einem Leiterbahnmuster 109e verbunden sein, das zwischen
den nichtinvertierenden Eingang 102a des Operationsverstärkers 102 und
die Spannungsteilerschaltung 115 geschaltet ist.
-
Da der Operationsverstärker 102 dahingehend
ausgestaltet ist, dass das Potential seines nichtinvertierenden
Eingangs 102a im wesentlichen das Potential des Verbindungsanschlusses 181 annimmt,
ermöglicht
die elektrische Verbindung des Schutzmusters 120a mit dem
nichtinvertierenden Eingang 102a des Operationsverstärkers 102,
dass das Potential des Schutzmusters 120a den jeweiligen
Potentialen der Signaleingabemuster 110 entspricht.
-
Bei diesem modifizierten Ausführungsbeispiel
wird die an den nichtinvertierenden Eingang 102a des Operationsverstärkers 102 angelegte Spannung
durch Teilung der Versorgungsspannung des Messsubstrats 10 durch
die beiden Widerstände R3
und R4 der Spannungsteilerschaltung 115 erhalten.
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Das mit dem nichtinvertierenden Eingang 102a des
Operationsverstärkers 102 elektrisch
verbundene Leiterbahnmuster 109e bildet somit in der in 8 dargestellten Weise einen
Teil der Signalverarbeitungsschaltung 100 sowie einen Teil
des Signalmessmusters 111, das einen Leitungsweg mit einer Ausgangsimpedanz
von nicht mehr als 500 Ω in
Bezug auf die Masseverbindung des Messsubstrats 10 bildet.
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Da nämlich die Versorgungsspannung
des Messsubstrats 10 in Bezug auf die Signaleingabemuster 110 ein
unterschiedliches Potential aufweist, das mit dem Potential der
Signaleingabemuster 110 schwankt, steht das Potential des
Signalmessmusters 111 in engem Zusammenhang mit den Potentialen
der Signaleingabemuster 110.
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Das Schutzmuster 120a ist
daher mit dem Signalmessmuster 111 elektrisch verbunden,
sodass das Potential des Schutzmusters 120a in gleichem Maße wie die
Schwankungen der Potentiale der Signaleingabemuster 110 schwanken
kann, wodurch Schwankungen der Potentialdifferenz zwischen dem Schutzmuster 120a und
den jeweiligen Potentialen der Signaleingabemuster 110 verhindert
werden.
-
Wenn externe Bedingungen Schwankungen der
Potentiale der Signaleingabemuster 110 hervorrufen, können daher
Schwankungen der Potentialdifferenz zwischen dem Schutzmuster 120a und
den jeweiligen Signaleingabemustern 110 verhindert werden.
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Weiterhin kann bei diesem modifizierten Ausführungsbeispiel
das Potential des Schutzmusters 120a im wesentlichen dem
Potential des Signalmessmusters 111 entsprechen.
-
In 9 ist
ein Gaskonzentrationsmessgerät 1B gemäß einer
weiteren Modifikation des ersten Ausführungsbeispiels dargestellt,
das einen Gassensor 20B und außerdem eine Korrekturzelle 92 mit den
gleichen Eigenschaften und dem gleichen Aufbau wie die Sensorzelle 82 aufweist.
-
Außerdem umfasst das Gaskonzentrationsmessgerät 1B eine
elektrische Schaltungsanordnung 108B mit einer Signalverarbeitungsschaltung 900 und
einer Stromversorgungsschaltung 950, die auf der Oberfläche des Messsubstrats 10 zusätzlich zu der
Signalverarbeitungsschaltung 100 und der Stromversorgungsschaltung 150 angeordnet
sind. Die Signalverarbeitungsschaltung 900 besitzt die gleichen
Eigenschaften und den gleichen Aufbau wie die Signalverarbeitungsschaltung 100,
während
die Stromversorgungsschaltung 950 die gleichen Eigenschaften
und den gleichen Aufbau wie die Stromversorgungsschaltung 150 aufweist.
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Die Signalverarbeitungsschaltung 900 umfasst
somit Operationsverstärker 901 bis 903,
die den Operationsverstärkern 101 bis 103 entsprechen,
einen Widerstand 912, der dem Widerstand 112 entspricht,
Signaleingabemuster 910 (909a), die den Signaleingabemustern 110 entsprechen,
Differenzpotentialmustern 940 (909b), die den
Differenzpotentialmustern 140 (109b) entsprechen,
ein Schutzmuster 920 (909c), das dem Schutz- oder
Abschirmmuster 120 (109c) entspricht, sowie ein
Signalmessmuster 911, das dem Signalmessmuster 111 entspricht.
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Auch bei dieser Modifikation ist
somit das dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 entsprechende
Schutzmuster 920 auf dem Messsubstrat 10B derart
angeordnet, dass es die den Signaleingabemustern 110 entsprechenden
Signaleingabemuster 910 umgibt.
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In ähnlicher Weise umfasst die
Stromversorgungsschaltung 950 eine der Spannungsteilerschaltung 153 entsprechende
Spannungsteilerschaltung 953 sowie einen dem Operationsverstärker 155 entsprechenden
Operationsverstärker 955.
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Die Signaleingabemuster 910 (910a)
sind mit einem dem Verbindungsanschluss 181 entsprechenden
Verbindungsanschluss 981 elektrisch verbunden, während die
Stromversorgungsschaltung 950 mit einem dem Verbindungsanschluss 182 entsprechenden
Verbindungsanschluss 982 elektrisch verbunden ist.
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Die Korrekturzelle 92 ist
zur Messung der Konzentration von in der zweiten Kammer 812 verbliebenem
Sauerstoff ausgestaltet.
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Bei diesem modifizierten Ausführungsbeispiel
berechnet der Mikrocomputer 170B somit den Wert des von
der Sensorzelle 82 erzeugten Sensorstroms auf der Basis
des von der Signalverarbeitungsschaltung 100 erhaltenen
Spannungssignals und des Widerstandswerts des Widerstands 112 und korrigiert
den berechneten Sensorstromwert der Sensorzelle 82 auf
der Basis des von der Sensorzelle 92 erhaltenen Sensorstromwertes.
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Durch diese Modifikation lässt sich
somit die Messgenauigkeit bei der Bestimmung des Sensorstroms verbessern,
da der gemessene Sensorstrom von der verbliebenen Sauerstoffkonzentration
im wesentlichen nicht beeinflusst wird.
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Im Rahmen dieser Korrekturverarbeitung kann
der Mikrocomputer 170B auch einen Mittelwert des der Sensorzelle 82 entsprechenden
berechneten Sensorstromwerts und des von der Sensorzelle 92 erhaltenen
Sensorstromwerts berechnen.
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Zweites Ausführungsbeispiel
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10 veranschaulicht
ein Messsubstrat 10C eines Gaskonzentrationsmessgeräts 1C gemäß einem
zweiten Ausführungsbeispiel
der Erfindung.
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Bei diesem Ausführungsbeispiel ist das Messsubstrat 10 des
Gaskonzentrationsmessgeräts 1 durch
das eine vielschichtige Struktur aufweisende Messsubstrat lOC ersetzt.
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Das in 10 ohne
die Leiterbahnmuster und die elektrischen Bauelemente dargestellte
Messsubstrat 10C gemäß diesem
zweiten Ausführungsbeispiel
umfasst eine Anzahl von z.B. drei Isolierschichten 211a1 bis 211a3 sowie
eine Anzahl von z.B. vier leitfähigen
Schichten 212a1 bis 212a4 mit einer jeweiligen
Oberfläche,
auf der die Leiterbahnmuster 109a bis 109c ausgebildet
sind. Die leitfähigen
Schichten 212a1 bis 212a4 und die Isolierschichten 211a1 bis 211a3 sind
zur Bildung des Messsubstrats lOC abwechselnd derart laminiert,
dass die Isolierschicht 211a1 zwischen den leitfähigen Schichten 212a1 und 212a2,
die Isolierschicht 211a2 zwischen den leitfähigen Schichten 212a2 und 212a3 und
die Isolierschicht 211a3 zwischen den leitfähigen Schichten 212a3 und 212a4 angeordnet
sind.
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Wie in den 11 und 12 veranschaulicht ist,
sind die den Signaleingabemustern 110 des ersten Ausführungsbeispiels
entsprechenden Signaleingabemuster 110a in der leitfähigen Schicht 212a1 ausgebildet,
die einen Oberflächenbereich
des Messsubstrats 10C darstellt. Die leitfähige Schicht 212a1 wird
nachstehend auch als "leitfähige Oberflächenschicht 212a1'' bezeichnet.
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Die den Differenzpotentialmustern 140 entsprechenden
Differenzpotentialmuster 140a1 sind in der leitfähigen Oberflächenschicht 212a1 ausgebildet,
wobei auch das dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 des
ersten Ausführungsbeispiels
entsprechende Schutzmuster 120a1 in der leitfähigen Oberflächenschicht 212a1 angeordnet
ist, sodass diese Muster in der gleichen Weise wie im Falle des
ersten Ausführungsbeispiels
ausgebildet sind.
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Wie in 11 veranschaulicht
ist, sind jeweilige Differenzpotentialmuster 140a2, 140a3 und 140a4 auch
in den leitfähigen
Schichten 212a2, 212a3 bzw. 212a4 ausgebildet.
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Wie in den 11 und 12 veranschaulicht ist,
ist ein Schutzmuster 120a2 in der der leitfähigen Oberflächenschicht 212a1 benachbarten
leitfähigen Schicht 212a2 derart
ausgebildet, dass es in zumindest einem Teil eines Bereichs AR der
leitfähigen Schicht 212a2 angeordnet
ist, der den Signaleingabemustern 110a der leitfähigen Oberflächenschicht 212a1 gegenüberliegt.
Die leitfähige
Schicht 212a2 wird nachstehend auch als "leitfähige Zwischenschicht 212a2'' bezeichnet.
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Bei dem Messsubstrat 10C gemäß diesem zweiten
Ausführungsbeispiel
wird zusätzlich
zu der von dem Schutzmuster 120a1 bewirkten Verhinderung
des Auftretens von Leckströmen
zwischen den in der leitfähigen
Oberflächenschicht 212a1 ausgebildeten
Signaleingabemustern 110a und Differenzpotentialmustern 140a1 durch
das Schutzmuster 120a2 das Auftreten von Leckströmen zwischen
den Signaleingabemustern 110a und den in den leitfähigen Schichten 212a2 bis 212a4 außer der
leitfähigen Oberflächenschicht 212a1 ausgebildeten
Differenzpotentialmustern 140a2 bis 140a4 wirksam
verhindert.
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Wie in 12 veranschaulicht
ist, können durch
das in der leitfähigen
Zwischenschicht 212a2 ausgebildete Schutzmuster 120a2 die
Leitungswege, über
die Leckströme
von den anderen leitfähigen Schichten 212a2 bis 212a4 außer der
leitfähigen Oberflächenschicht 212a1 zu
den Signaleingabemustern 110a fließen, wirksam unterbrochen werden.
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Mit Hilfe des Messsubstrats 10C mit
der vorstehend beschriebenen mehrschichtigen Struktur können die
Packungsdichte des Messsubstrats 10C verbessert und kompakte
Abmessungen erhalten werden, während
in der vorstehend beschriebenen Weise weiterhin nachteilige Einwirkungen
von Leckströmen
auf die Signaleingabemuster 110 verhindert werden.
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Bei jedem der vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele
und deren Modifikationen ist das konstante Potential der Leiterbahnmuster 109c im
wesentlichen auf einen Bereich von 80% bis 120% des Potentials eines
jeden der Signaleingabemuster 110 eingestellt, sodass die
Potentialdifferenz zwischen den jeweiligen Signaleingabemustern 110 und dem
Schutz- oder Abschirmmuster 120 unter 0,5 V liegt.
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Wenn angenommen wird, dass das Potential des
Schutz- oder Abschirmmusters 120 auf weniger als 80% des
jeweiligen Potentials der Signaleingabemuster 110 oder
auf mehr als 120% dieses Potentials eingestellt ist, ergibt sich
eine höhere
Potentialdifferenz zwischen den jeweiligen Signaleingabemustern 110 und
dem Schutz- oder Abschirmmuster 120, was gemäß dem Ohm'schen Gesetz zu höheren Leckströmen führt, die
die Messgenauigkeit des Gaskonzentrationsmessgeräts 1 bei der Messung
der Gaskonzentration beeinträchtigen
können.
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Vorzugsweise wird daher das Potential
des Schutz- oder Abschirmmusters 120 innerhalb eines Bereiches
von 80% bis 120% des Potentials der jeweiligen Signaleingabemuster 110 festgelegt.
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Wenn in ähnlicher Weise angenommen wird, dass
die Potentialdifferenz zwischen jedem Signaleingabemuster 110 und
dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 nicht unter 0,5 V liegt,
ergeben sich gemäß dem Ohm'schen Gesetz höhere Leckströme, die
die Messgenauigkeit des Gaskonzentrationsmessgeräts 1 bei der Messung
der Gaskonzentration beeinträchtigen
können.
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Zweckmäßiger Weise wird daher die
Potentialdifferenz zwischen dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 und
den jeweiligen Signaleingabemustern 110 auf einen annähernd unter
0,5 V liegenden Wert eingestellt.
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Es ist jedoch vorzuziehen, die Potentialdifferenz
zwischen dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 und den jeweiligen
Signaleingabemustern 110 auf einen annähernd unter 0,2 V liegenden
Wert einzustellen.
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Wenn eine Einstellung der Potentialdifferenz zwischen
dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 und den jeweiligen
Signaleingabemustern 110 auf einen annähernd unter 0,2 V liegenden
Wert erfolgt, kann das Fließen
eines Leckstroms zwischen dem Schutz- oder Abschirmmuster 120 und
den jeweiligen Signaleingabemustern 110 in noch höherem Maße verhindert
werden, wodurch sich eine weitere Verbesserung der Messgenauigkeit
des Sensorstroms erzielen lässt.
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Darüber hinaus ist es bei jedem
der vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele und deren Modifikationen zweckmäßig, die
Eingangsimpedanz des Verbindungsanschlusses 181 auf annähernd 1
Megaohm (MΩ)
oder mehr einzustellen.
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Bei Einstellung der Eingangsimpedanz
des Verbindungsanschlusses 181 auf annähernd 1 MΩ oder mehr nimmt der Sensorstrom
ab, sodass diese Maßnahme
zur Verhinderung des Auftretens von Leckströmen zwischen den Signaleingabemustern 110 und
den Differenzpotentialmustern 140 insbesondere effektiv
ist.
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Darüber hinaus ist es bei jedem
der vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele und deren Modifikationen
zweckmäßig, die
Gleichstromimpedanz der jeweiligen Signaleingabemuster 110 in Bezug
auf den Verbindungsanschluss 181 auf annähernd 2
kΩ oder
weniger einzustellen.
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Wenn nämlich eine Einstellung der
Gleichstromimpedanz eines jeden der Signalmuster 110 in Bezug
auf den Verbindungsanschluss 181 auf annähernd 2
kΩ oder
weniger erfolgt, nimmt der Sensorstrom ab, sodass diese Maßnahme zur
Verhinderung des Auftretens von Leckströmen zwischen den Signaleingabemustern 110 und
den Differenzpotentialmustern 140 insbesondere effektiv
ist.
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Darüber hinaus ist es bei jedem
der vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele und deren Modifikationen
akzeptabel, die Potentialdifferenzen zwischen den Differenzpotentialmustern 140 und den
Signaleingabemustern 110 jeweils auf 4 V oder mehr einzustellen.
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Wenn nämlich die Potentialdifferenzen
zwischen den Differenzpotentialmustern 140 und den Signaleingabemustern 110 jeweils
auf 4 V oder mehr eingestellt werden, nimmt der Sensorstrom ab,
sodass dies eine exzellente Maßnahme
zur Verhinderung des Auftretens von Leckströmen zwischen den Signaleingabemustern 110 und
den Differenzpotentialmustern 140 darstellt.
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Obwohl bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen
und deren Modifikationen die Signalverarbeitungsschaltung 100 jeweils
drei Operationsverstärker
und den Widerstand aufweist, ist die Erfindung natürlich nicht
auf einen solchen Aufbau beschränkt,
sondern es kann eine beliebige Signalverarbeitungsschaltung mit
unterschiedlichem Schaltungsaufbau als Signalverarbeitungsschaltung 100 Verwendung
finden, solange sie die Funktion der Messung des von dem Gassensor
abgegebenen Sensorstroms erfüllt.
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Obwohl bei den jeweiligen vorstehend
beschriebenen Ausführungsbeispielen
und deren Modifikationen die Messung der Konzentration von NOx durch
den Gassensor in Betracht gezogen worden ist, kann durch den Gassensor
auch die Messung von CO, HC oder anderen ähnlichen Gasbestandteilen erfolgen.
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Die vorliegende Patentanmeldung basiert auf
der am 26. Dezember 2002 eingereichten japanischen Patentanmeldung
2002-377 918 sowie der am 29. Oktober 2003 eingereichten japanischen
Patentanmeldung 2003-369 493, deren Prioritäten in Anspruch genommen worden
sind und auf deren Offenbarung im Rahmen der vorstehenden Beschreibung Bezug
genommen wird.
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Bei dem vorstehend beschriebenen
Gaskonzentrationsmessgerät
ist somit ein Messsubstrat vorgesehen, in dem ein Leiterbahnmusterbereich
ausgebildet ist. Dieser Leiterbahnmusterbereich umfasst ein mit
einem Verbindungsanschluss elektrisch verbundenes und eine Signalverarbeitungsschaltung
bildendes Signaleingabemuster, das in Bezug auf den Verbindungsanschluss
eine Gleichstromimpedanz aufweist, die 10% oder weniger der Eingangsimpedanz
des Verbindungsanschlusses beträgt,
ein Differenzpotentialmuster mit einer Potentialdifferenz von 2 V
oder mehr in Bezug auf das Potential des Signaleingabemusters sowie
ein Schutz- oder Abschirmmuster mit einem im wesentlichen konstanten
Potential und einer Potentialdifferenz von weniger als 0,5 V in
Bezug auf das Potential des Signaleingabemusters, wobei dieses Schutz- oder Abschirmmuster
auf zumindest einem Teil des Messsubstrats angeordnet ist, der zwischen
dem Signaleingabemuster und dem Differenzpotentialmuster liegt.