JP3530692B2 - 走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents
走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法Info
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- JP3530692B2 JP3530692B2 JP31002496A JP31002496A JP3530692B2 JP 3530692 B2 JP3530692 B2 JP 3530692B2 JP 31002496 A JP31002496 A JP 31002496A JP 31002496 A JP31002496 A JP 31002496A JP 3530692 B2 JP3530692 B2 JP 3530692B2
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は走査型露光装置及び
それを用いたデバイス製造方法に関し、ＩＣ，ＬＳＩ，
ＣＣＤ，磁気ヘッド，液晶パネル等のデバイスを製造す
る為のリソグラフィー工程において、第１物体としての
レチクル（マスク）と第２物体としてのウエハとの位置
合わせを行った後に双方を同期して走査することによっ
てレチクル面上のパターンをウエハ面上に順次走査投影
露光して高集積度のデバイスを製造する際に好適なもの
である。
それを用いたデバイス製造方法に関し、ＩＣ，ＬＳＩ，
ＣＣＤ，磁気ヘッド，液晶パネル等のデバイスを製造す
る為のリソグラフィー工程において、第１物体としての
レチクル（マスク）と第２物体としてのウエハとの位置
合わせを行った後に双方を同期して走査することによっ
てレチクル面上のパターンをウエハ面上に順次走査投影
露光して高集積度のデバイスを製造する際に好適なもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体ウエハの微細加工技術の中
心をなす投影露光装置としてマスクのパターン像を屈折
光学系により感光基板上に形成し、感光基板をステップ
アンドリピート方式で露光する縮小投影露光装置（ステ
ッパー）や高解像力が得られ、且つ画面サイズを拡大で
きるステップアンドスキャン方式の走査型露光装置（露
光装置）等が種々と提案されている。
心をなす投影露光装置としてマスクのパターン像を屈折
光学系により感光基板上に形成し、感光基板をステップ
アンドリピート方式で露光する縮小投影露光装置（ステ
ッパー）や高解像力が得られ、且つ画面サイズを拡大で
きるステップアンドスキャン方式の走査型露光装置（露
光装置）等が種々と提案されている。
【０００３】この走査型露光装置では、レクチル面上の
パターンをスリット状光束により照明し、該スリット状
光束により照明されたパターンを投影系（投影光学系）
を介し、スキャン動作によりウエハ上に露光転写してい
る。
パターンをスリット状光束により照明し、該スリット状
光束により照明されたパターンを投影系（投影光学系）
を介し、スキャン動作によりウエハ上に露光転写してい
る。
【０００４】又投影露光装置においてはレチクルとウエ
ハとの相対的な位置合わせを行った後にレチクル面上の
パターンをウエハ面上に投影しており、このときの位置
合わせ精度は投影パターン像の高集積比を図るときの重
要な要素になっている。
ハとの相対的な位置合わせを行った後にレチクル面上の
パターンをウエハ面上に投影しており、このときの位置
合わせ精度は投影パターン像の高集積比を図るときの重
要な要素になっている。
【０００５】図１４は従来の走査型露光装置（ステッ
パ）の要部概略図である。同図において、露光パターン
の形成されたレチクル１はレーザー干渉計１３Ｘ，１３
Ｙと駆動制御手段１０３によってＸ方向，Ｙ方向に駆動
制御されるレチクルステージ（第１可動ステージ）１２
に載置されている。レチクルステージ１２はＺ方向の位
置を投影光学系２に対して一定に保った状態でＸ方向，
Ｙ方向に駆動する。感光基板であるウエハ３はレーザー
干渉計３３Ｘ，３３Ｙと駆動制御手段１０３によって載
置されている。
パ）の要部概略図である。同図において、露光パターン
の形成されたレチクル１はレーザー干渉計１３Ｘ，１３
Ｙと駆動制御手段１０３によってＸ方向，Ｙ方向に駆動
制御されるレチクルステージ（第１可動ステージ）１２
に載置されている。レチクルステージ１２はＺ方向の位
置を投影光学系２に対して一定に保った状態でＸ方向，
Ｙ方向に駆動する。感光基板であるウエハ３はレーザー
干渉計３３Ｘ，３３Ｙと駆動制御手段１０３によって載
置されている。
【０００６】更にウエハステージ３２はＺ方向の位置及
び傾きが投影光学系２に対して駆動制御可能となってい
る。このレチクル１とウエハ３は投影光学系２を介して
光学的に共役な位置に置かれており、不図示の照明系か
らＸ方向に長いスリット上の露光光束１４がレチクル１
上に形成されている。このレチクル１上の露光光束１４
は投影光学系２の投影倍率に比した大きさのスリット状
の露光光束１４ａをウエハ３上に形成するものである。
び傾きが投影光学系２に対して駆動制御可能となってい
る。このレチクル１とウエハ３は投影光学系２を介して
光学的に共役な位置に置かれており、不図示の照明系か
らＸ方向に長いスリット上の露光光束１４がレチクル１
上に形成されている。このレチクル１上の露光光束１４
は投影光学系２の投影倍率に比した大きさのスリット状
の露光光束１４ａをウエハ３上に形成するものである。
【０００７】走査型露光装置は、このスリット状の露光
光束１４及び１４ａに対してレチクルステージ１２とウ
エハステージ３２の双方を光学倍率に応じた速度比でＹ
方向に動かし、スリット状の露光光束１４及び１４ａが
レチクル１上のパターン転写領域１５とウエハ３上のパ
ターン転写領域１５ａを走査することによって投影露光
を行っている。１１Ａ，１１Ｂはレチクルアライメント
マーク、３１Ａ，３１Ｂはウエハアライメントマークで
ある。
光束１４及び１４ａに対してレチクルステージ１２とウ
エハステージ３２の双方を光学倍率に応じた速度比でＹ
方向に動かし、スリット状の露光光束１４及び１４ａが
レチクル１上のパターン転写領域１５とウエハ３上のパ
ターン転写領域１５ａを走査することによって投影露光
を行っている。１１Ａ，１１Ｂはレチクルアライメント
マーク、３１Ａ，３１Ｂはウエハアライメントマークで
ある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の走査型露光装置
においてレチクルとウエハとの位置合わせはレチクルス
テージとウエハステージを静止させてからレチクル上ア
ライメントマークとウエハ上アライメントマークを検出
して行っていた。このため、実際にステージが駆動して
いる時のスキャン露光位置とは位置合わせ精度が異なっ
てしまうという欠点があった。
においてレチクルとウエハとの位置合わせはレチクルス
テージとウエハステージを静止させてからレチクル上ア
ライメントマークとウエハ上アライメントマークを検出
して行っていた。このため、実際にステージが駆動して
いる時のスキャン露光位置とは位置合わせ精度が異なっ
てしまうという欠点があった。
【０００９】本発明は、第１物体としてのレチクル面上
のパターンを投影光学系で第２物体としてのウエハ面上
に走査投影露光する際、適切に設定した予めアライメン
トマークを形成した基準基板や走査露光機構によって走
査方向に複数のマークを形成した第２物体等を利用する
ことにより第１物体と第２物体との位置合わせを高精度
に行い、高集積度の半導体デバイスを容易に製造するこ
とができる走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの
製造方法の提供を目的とする。
のパターンを投影光学系で第２物体としてのウエハ面上
に走査投影露光する際、適切に設定した予めアライメン
トマークを形成した基準基板や走査露光機構によって走
査方向に複数のマークを形成した第２物体等を利用する
ことにより第１物体と第２物体との位置合わせを高精度
に行い、高集積度の半導体デバイスを容易に製造するこ
とができる走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの
製造方法の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の走査型露光装置
は、 (1-1).照明系からの照明光束で第１可動ステージに載置
した第１物体面上のパターンを照明し、該第１物体面上
のパターンを投影光学系により第２可動ステージに載置
した第２物体面上に該第１可動ステージと第２可動ステ
ージを該投影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同
期させて相対的に走査させながら走査投影露光する走査
露光機構を有する走査型露光装置において、該走査露光
機構は走査投影露光前に予め走査方向に複数の基準マー
クを形成した基準基板に該第１物体面上に設けた位置合
わせマークを潜像マークとして形成し、該基準基板上の
基準マークと潜像マークとの位置情報を検出して双方の
ずれ量を計測し、該ずれ量を補正して該第１物体面上の
パターンを該第２物体面上に走査投影露光していること
を特徴としている。
は、 (1-1).照明系からの照明光束で第１可動ステージに載置
した第１物体面上のパターンを照明し、該第１物体面上
のパターンを投影光学系により第２可動ステージに載置
した第２物体面上に該第１可動ステージと第２可動ステ
ージを該投影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同
期させて相対的に走査させながら走査投影露光する走査
露光機構を有する走査型露光装置において、該走査露光
機構は走査投影露光前に予め走査方向に複数の基準マー
クを形成した基準基板に該第１物体面上に設けた位置合
わせマークを潜像マークとして形成し、該基準基板上の
基準マークと潜像マークとの位置情報を検出して双方の
ずれ量を計測し、該ずれ量を補正して該第１物体面上の
パターンを該第２物体面上に走査投影露光していること
を特徴としている。
【００１１】特に、
(1-1-1).前記走査露光機構による前記ずれ量の補正項目
は、投影露光位置，走査方向の走査倍率，第１物体と第
２物体の走査方向の速度むら，第１物体と第２物体の走
査方向に直交方向の位置ずれ変化，第１物体に対する第
２物体の回転角，のうちの少なくとも１つであること。
は、投影露光位置，走査方向の走査倍率，第１物体と第
２物体の走査方向の速度むら，第１物体と第２物体の走
査方向に直交方向の位置ずれ変化，第１物体に対する第
２物体の回転角，のうちの少なくとも１つであること。
【００１２】(1-1-2).前記走査露光機構による前記ずれ
量の補正項目は、２つの走査方向で別々の補正値を持つ
こと。
量の補正項目は、２つの走査方向で別々の補正値を持つ
こと。
【００１３】(1-1-3).前記走査露光機構は前記基準基板
上の基準マークと潜像マークととの位置情報の検出を非
露光光を用いた顕微鏡で行っていること。
上の基準マークと潜像マークととの位置情報の検出を非
露光光を用いた顕微鏡で行っていること。
【００１４】(1-1-4).前記走査露光機構による前記ずれ
量の補正手段は、前記第１物体又は第２物体の露光位置
を移動させること，該第１物体と第２物体の走査速度比
を前記投影光学系の投影倍率に基づいて変えること，該
第１物体と第２物体の走査速度比を走査露光中に変える
こと，該第１物体と第２物体の走査方向に直交方向の位
置を走査露光中に変えること，該第１物体又は第２物体
をその面内において走査露光中に回転させること，のう
ち少なくとも１つであること。等を特徴としている。
量の補正手段は、前記第１物体又は第２物体の露光位置
を移動させること，該第１物体と第２物体の走査速度比
を前記投影光学系の投影倍率に基づいて変えること，該
第１物体と第２物体の走査速度比を走査露光中に変える
こと，該第１物体と第２物体の走査方向に直交方向の位
置を走査露光中に変えること，該第１物体又は第２物体
をその面内において走査露光中に回転させること，のう
ち少なくとも１つであること。等を特徴としている。
【００１５】(1-2).照明系からの照明光束で第１可動ス
テージに載置した第１物体面上のパターンを照明し、該
第１物体面上のパターンを投影光学系により第２可動ス
テージに載置した第２物体面上に該第１可動ステージと
第２可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応させ
た速度比で同期させて相対的に走査させながら走査投影
露光する走査露光機構を有する走査型露光装置におい
て、該走査露光機構は走査投影露光前に該第１物体上の
複数のマークを該第２物体面上に走査投影露光し、該第
２物体面上に形成した複数の潜像マークの相対位置情報
を検出して相互のずれ量を計測し、該ずれ量を補正して
該第１物体面上のパターンを第２物体面上に走査投影露
光していることを特徴としている。
テージに載置した第１物体面上のパターンを照明し、該
第１物体面上のパターンを投影光学系により第２可動ス
テージに載置した第２物体面上に該第１可動ステージと
第２可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応させ
た速度比で同期させて相対的に走査させながら走査投影
露光する走査露光機構を有する走査型露光装置におい
て、該走査露光機構は走査投影露光前に該第１物体上の
複数のマークを該第２物体面上に走査投影露光し、該第
２物体面上に形成した複数の潜像マークの相対位置情報
を検出して相互のずれ量を計測し、該ずれ量を補正して
該第１物体面上のパターンを第２物体面上に走査投影露
光していることを特徴としている。
【００１６】(1-3).照明系からの照明光束で第１可動ス
テージに載置した第１物体面上のパターンを照明し、該
第１物体面上のパターンを投影光学系により第２可動ス
テージに載置した第２物体面上に該第１可動ステージと
第２可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応させ
た速度比で同期させて相対的に走査させながら走査投影
露光する走査露光機構を有する走査型露光装置におい
て、該走査露光機構は走査投影露光前に予め走査方向に
複数のマークを形成した基準基板にフォトクロミックを
塗布し、該基準基板上に該第１物体面上に設けた位置合
わせマークをフォトクロマークとして形成し、該基準マ
ークとフォトクロマークとの位置情報を検出して双方の
ずれ量を計測し、該ずれ量を補正して該第１物体面上の
パターンを第２物体面上に走査投影露光していることを
特徴としている。
テージに載置した第１物体面上のパターンを照明し、該
第１物体面上のパターンを投影光学系により第２可動ス
テージに載置した第２物体面上に該第１可動ステージと
第２可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応させ
た速度比で同期させて相対的に走査させながら走査投影
露光する走査露光機構を有する走査型露光装置におい
て、該走査露光機構は走査投影露光前に予め走査方向に
複数のマークを形成した基準基板にフォトクロミックを
塗布し、該基準基板上に該第１物体面上に設けた位置合
わせマークをフォトクロマークとして形成し、該基準マ
ークとフォトクロマークとの位置情報を検出して双方の
ずれ量を計測し、該ずれ量を補正して該第１物体面上の
パターンを第２物体面上に走査投影露光していることを
特徴としている。
【００１７】(1-4).照明系からの照明光束で第１可動ス
テージに載置した第１物体面上のパターンを照明し、該
第１物体面上のパターンを投影光学系により第２可動ス
テージに載置した第２物体面上に該第１可動ステージと
第２可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応させ
た速度比で同期させて相対的に走査させながら走査投影
露光する走査露光機構を有する走査型露光装置におい
て、該走査露光装置は走査投影露光前に第１物体面上の
複数のマークをフォトクロミックが塗布された第２物体
面上に走査投影露光し、該第２物体面に形成した複数の
フォトクロマークの相対位置情報を検出して相互のずれ
量を計測し、該ずれ量を補正して該第１物体面上のパタ
ーンを第２物体面上に走査投影露光していることを特徴
としている。
テージに載置した第１物体面上のパターンを照明し、該
第１物体面上のパターンを投影光学系により第２可動ス
テージに載置した第２物体面上に該第１可動ステージと
第２可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応させ
た速度比で同期させて相対的に走査させながら走査投影
露光する走査露光機構を有する走査型露光装置におい
て、該走査露光装置は走査投影露光前に第１物体面上の
複数のマークをフォトクロミックが塗布された第２物体
面上に走査投影露光し、該第２物体面に形成した複数の
フォトクロマークの相対位置情報を検出して相互のずれ
量を計測し、該ずれ量を補正して該第１物体面上のパタ
ーンを第２物体面上に走査投影露光していることを特徴
としている。
【００１８】本発明の投影露光システムは、
(2-1).第１物体面上のパターンを投影光学系により第２
物体面上に投影露光する露光装置と、照明系からの照明
光束で第１可動ステージに載置した第１物体面上のパタ
ーンを照明し、該第１物体面上のパターンを投影光学系
により第２可動ステージに載置した第２物体面上に該第
１可動ステージと第２可動ステージを該投影光学系の投
影倍率に対応させた速度比で同期させて相対的に走査さ
せながら走査投影露光する走査露光機構を有する走査型
露光装置とを有し、該露光装置を用いて該第１物体面上
の複数のマークに基づく第１潜像マークを第２物体面に
形成して基準基板を作成し、該走査型露光装置を用いて
第１物体面上の複数のマークを該基準基板の第１潜像マ
ークに対して位置合わせを行った後、該基準基板に該複
数のマークに基づく第２潜像を形成し、該第１潜像と第
２潜像との位置情報を検出して双方の相対的なずれ量を
計測し、該ずれ量を補正して走査投影露光していること
を特徴としている。
物体面上に投影露光する露光装置と、照明系からの照明
光束で第１可動ステージに載置した第１物体面上のパタ
ーンを照明し、該第１物体面上のパターンを投影光学系
により第２可動ステージに載置した第２物体面上に該第
１可動ステージと第２可動ステージを該投影光学系の投
影倍率に対応させた速度比で同期させて相対的に走査さ
せながら走査投影露光する走査露光機構を有する走査型
露光装置とを有し、該露光装置を用いて該第１物体面上
の複数のマークに基づく第１潜像マークを第２物体面に
形成して基準基板を作成し、該走査型露光装置を用いて
第１物体面上の複数のマークを該基準基板の第１潜像マ
ークに対して位置合わせを行った後、該基準基板に該複
数のマークに基づく第２潜像を形成し、該第１潜像と第
２潜像との位置情報を検出して双方の相対的なずれ量を
計測し、該ずれ量を補正して走査投影露光していること
を特徴としている。
【００１９】(2-2).第１物体面上のパターンを投影光学
系により第２物体面上に投影露光する露光装置と、照明
系からの照明光束で第１可動ステージに載置した第１物
体面上のパターンを照明し、該第１物体面上のパターン
を投影光学系により第２可動ステージに載置した第２物
体面上に該第１可動ステージと第２可動ステージを該投
影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同期させて相
対的に走査させながら走査投影露光する走査露光機構を
有する走査型露光装置とを有し、該露光装置を用いて該
第１物体面上の複数のマークをフォトクロミックを塗布
した第２物体面に第１フォトクロマークとして形成して
基準基板を作成し、該走査型露光装置を用いて第１物体
面上の複数のマークを該基準基板の第１フォトクロマー
クに対して位置合わせを行った後、該基準基板に該複数
のマークに基づく第２フォトクロマークを形成し、該第
１フォトクロマークと第２フォトクロマークとの位置情
報を検出して双方の相対的なずれ量を計測し、該ずれ量
を補正して走査投影露光していることを特徴としてい
る。
系により第２物体面上に投影露光する露光装置と、照明
系からの照明光束で第１可動ステージに載置した第１物
体面上のパターンを照明し、該第１物体面上のパターン
を投影光学系により第２可動ステージに載置した第２物
体面上に該第１可動ステージと第２可動ステージを該投
影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同期させて相
対的に走査させながら走査投影露光する走査露光機構を
有する走査型露光装置とを有し、該露光装置を用いて該
第１物体面上の複数のマークをフォトクロミックを塗布
した第２物体面に第１フォトクロマークとして形成して
基準基板を作成し、該走査型露光装置を用いて第１物体
面上の複数のマークを該基準基板の第１フォトクロマー
クに対して位置合わせを行った後、該基準基板に該複数
のマークに基づく第２フォトクロマークを形成し、該第
１フォトクロマークと第２フォトクロマークとの位置情
報を検出して双方の相対的なずれ量を計測し、該ずれ量
を補正して走査投影露光していることを特徴としてい
る。
【００２０】本発明のデバイスの製造方法は、
(3-1).構成(1-1)〜(1-4)のいずれかの走査型露光装置を
用いてレチクル面上のパターンをウエハ面上に投影露光
する工程を介してデバイスを製造していることを特徴と
している。
用いてレチクル面上のパターンをウエハ面上に投影露光
する工程を介してデバイスを製造していることを特徴と
している。
【００２１】(3-2).構成(2-1)又は(2-2)の投影露光シス
テムを用いてレチクル面上のパターンをウエハ面上に投
影露光する工程を介してデバイスを製造していることを
特徴としている。
テムを用いてレチクル面上のパターンをウエハ面上に投
影露光する工程を介してデバイスを製造していることを
特徴としている。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の走査型の露光装置
（ステッパ）の実施形態１の要部概略図である。本実施
形態では第１物体としてのレチクル１と第２物体として
のウエハ３とを投影光学系２の結像倍率に応じて同期を
とりながら所定の速度比でＹ方向に走査（スキャン）さ
せながら投影露光を行っている。
（ステッパ）の実施形態１の要部概略図である。本実施
形態では第１物体としてのレチクル１と第２物体として
のウエハ３とを投影光学系２の結像倍率に応じて同期を
とりながら所定の速度比でＹ方向に走査（スキャン）さ
せながら投影露光を行っている。
【００２３】図１において、露光パターンの形成された
レチクル１はレーザー干渉計１３Ｘ，１３Ｙと駆動制御
手段１０３によってＸ方向，Ｙ方向に駆動制御されるレ
チクルステージ（第１可動ステージ）１２に載置されて
いる。レチクルステージ１２はＺ方向の位置を投影光学
系２に対して一定に保った状態でＸ方向，Ｙ方向に駆動
する。感光基板であるウエハ３はレーザー干渉計３３
Ｘ，３３Ｙと駆動制御手段１０３によってＸＹ方向に駆
動制御されるウエハステージ（第２可動ステージ）３２
に載置されている。更にウエハステージ３２はＺ方向の
位置及び傾きが投影光学系２に対して駆動制御可能とな
っている。
レチクル１はレーザー干渉計１３Ｘ，１３Ｙと駆動制御
手段１０３によってＸ方向，Ｙ方向に駆動制御されるレ
チクルステージ（第１可動ステージ）１２に載置されて
いる。レチクルステージ１２はＺ方向の位置を投影光学
系２に対して一定に保った状態でＸ方向，Ｙ方向に駆動
する。感光基板であるウエハ３はレーザー干渉計３３
Ｘ，３３Ｙと駆動制御手段１０３によってＸＹ方向に駆
動制御されるウエハステージ（第２可動ステージ）３２
に載置されている。更にウエハステージ３２はＺ方向の
位置及び傾きが投影光学系２に対して駆動制御可能とな
っている。
【００２４】このレチクル１とウエハ３は投影光学系２
を介して光学的に共役な位置に置かれており、不図示の
照明系からＸ方向に長いスリット上の露光光束１４がレ
チクル１上に形成されている。このレチクル１上の露光
光束１４は投影光学系２の投影倍率に比した大きさのス
リット状の露光光束１４ａをウエハ３上に形成するもの
である。
を介して光学的に共役な位置に置かれており、不図示の
照明系からＸ方向に長いスリット上の露光光束１４がレ
チクル１上に形成されている。このレチクル１上の露光
光束１４は投影光学系２の投影倍率に比した大きさのス
リット状の露光光束１４ａをウエハ３上に形成するもの
である。
【００２５】走査型の露光装置は、このスリット状の露
光光束１４及び１４ａに対してレチクルステージ１２と
ウエハステージ３２の双方を光学倍率に応じた速度比で
Ｙ方向に動かし、スリット状の露光光束１４及び１４ａ
がレチクル１上のパターンで転写領域１５とウエハ３上
のパターン転写領域１５ａを走査することによって投影
露光を行っている。１１Ａ，１１Ｂはレチクルアライメ
ントマーク、３１Ａ，３１Ｂはウエハアライメントマー
クである。
光光束１４及び１４ａに対してレチクルステージ１２と
ウエハステージ３２の双方を光学倍率に応じた速度比で
Ｙ方向に動かし、スリット状の露光光束１４及び１４ａ
がレチクル１上のパターンで転写領域１５とウエハ３上
のパターン転写領域１５ａを走査することによって投影
露光を行っている。１１Ａ，１１Ｂはレチクルアライメ
ントマーク、３１Ａ，３１Ｂはウエハアライメントマー
クである。
【００２６】本発明におけるレチクルとウエハとの位置
合わせ方法としては、予めアライメントマークが形成さ
れている基準ウエハ（基準基板）を用いることを特徴と
している。そして基準基板にレジストを塗布し、そのア
ライメントマーク近傍にレチクル上のマークを潜像マー
クとして実素子パターン露光と同様にスキャンしながら
焼きつけている。
合わせ方法としては、予めアライメントマークが形成さ
れている基準ウエハ（基準基板）を用いることを特徴と
している。そして基準基板にレジストを塗布し、そのア
ライメントマーク近傍にレチクル上のマークを潜像マー
クとして実素子パターン露光と同様にスキャンしながら
焼きつけている。
【００２７】ここで潜像マークとは、レジストが感光し
た時に発生するレジストの屈折率変化を元に検出するマ
ークである。そして、その後ウエハを現像せずに位置合
わせ用顕微鏡によって両マークを検出し、そのずれ量を
求めている。これよりレチクルステージとウエハステー
ジが駆動している時の、即ち実素子パターン露光時と全
く同じ状態で重ね合わせ補正をしている。
た時に発生するレジストの屈折率変化を元に検出するマ
ークである。そして、その後ウエハを現像せずに位置合
わせ用顕微鏡によって両マークを検出し、そのずれ量を
求めている。これよりレチクルステージとウエハステー
ジが駆動している時の、即ち実素子パターン露光時と全
く同じ状態で重ね合わせ補正をしている。
【００２８】又本発明においてはレジストが塗布された
ウエハに実素子パターン露光と同様なスリットスキャン
露光によって複数の潜像マークを形成し、その潜像マー
ク相互の位置を計測している。そして本来転写すべき位
置からのずれ量をスキャン方向の各位置で計測し、これ
を補正してレチクル上のパターンを正確にウエハ上に重
ね合わせている。
ウエハに実素子パターン露光と同様なスリットスキャン
露光によって複数の潜像マークを形成し、その潜像マー
ク相互の位置を計測している。そして本来転写すべき位
置からのずれ量をスキャン方向の各位置で計測し、これ
を補正してレチクル上のパターンを正確にウエハ上に重
ね合わせている。
【００２９】この他本発明においては投影露光装置間の
重ね合わせ精度を向上させる方策として、第１の露光装
置でウエハに潜像マークを作成し、このウエハを第２の
露光装置でスリットスキャン露光する。そして、第１の
露光装置で作成した潜像マークと第２の露光装置で作成
した潜像マークとの位置ずれ量を計測し、そのずれ量を
第２の露光装置での実素子パターン露光時に補正してい
る。
重ね合わせ精度を向上させる方策として、第１の露光装
置でウエハに潜像マークを作成し、このウエハを第２の
露光装置でスリットスキャン露光する。そして、第１の
露光装置で作成した潜像マークと第２の露光装置で作成
した潜像マークとの位置ずれ量を計測し、そのずれ量を
第２の露光装置での実素子パターン露光時に補正してい
る。
【００３０】これによって第１の露光装置と第２の露光
装置の間の重ね合わせ精度を向上させている。又潜像マ
ークの代わりにフォトクロマークを用いている。フォト
クロミックは、元々透明なものだが光を当てる不透明に
なる性質がある。従って以上述べたような解決手段にお
いて、レジストの代わりにフォトクロを使用して同様な
重ね合わせ補正を行っている。
装置の間の重ね合わせ精度を向上させている。又潜像マ
ークの代わりにフォトクロマークを用いている。フォト
クロミックは、元々透明なものだが光を当てる不透明に
なる性質がある。従って以上述べたような解決手段にお
いて、レジストの代わりにフォトクロを使用して同様な
重ね合わせ補正を行っている。
【００３１】次に本発明の構成上の特徴を順次説明す
る。まず図１の実施形態においてレチクル１とウエハ３
との位置合わせ方法の具体例について説明する。
る。まず図１の実施形態においてレチクル１とウエハ３
との位置合わせ方法の具体例について説明する。
【００３２】図２は本実施形態においてレチクル１とウ
エハ３とを位置合わせする時の走査むら補正シーケンス
のフローチャートである。第１ステップとしては基準ウ
エハの作成を行う。このときの作成方法としては２種類
あり、 ［ａ１］．ＥＢ等で直接ガラス基板上にＣｒパターンを
形成する。
エハ３とを位置合わせする時の走査むら補正シーケンス
のフローチャートである。第１ステップとしては基準ウ
エハの作成を行う。このときの作成方法としては２種類
あり、 ［ａ１］．ＥＢ等で直接ガラス基板上にＣｒパターンを
形成する。
【００３３】［ａ２］．通常のＳｉ基板上に、レジスト
像又はＳｉ段差等のパターンを形成する。
像又はＳｉ段差等のパターンを形成する。
【００３４】本実施形態ではこの２つの方法のうちどち
らの方法を用いても良い。
らの方法を用いても良い。
【００３５】図３は基準ウエハ３の説明図である。図３
において４，３０１〜３２６は各ショット（パターン転
写領域）を示している。基準ウエハ３のショットレイア
ウトは実素子ウエハと同一であることが望ましいが、そ
うでなくとも良い。
において４，３０１〜３２６は各ショット（パターン転
写領域）を示している。基準ウエハ３のショットレイア
ウトは実素子ウエハと同一であることが望ましいが、そ
うでなくとも良い。
【００３６】作成方法［ａ２］の場合の露光スキャン方
向については、図３において矢印として示しているが、
実素子パターンと同一である必要はない。これは後で述
べるように、基準マークの絶対位置を計測するので、ス
キャン方向別のくせを見てはいないからである。必要な
パターンは基準位置となるマーク（基準マークと呼ぶ）
だけである。
向については、図３において矢印として示しているが、
実素子パターンと同一である必要はない。これは後で述
べるように、基準マークの絶対位置を計測するので、ス
キャン方向別のくせを見てはいないからである。必要な
パターンは基準位置となるマーク（基準マークと呼ぶ）
だけである。
【００３７】図４，図５は図３のウエハ３面上の１つの
ショット４中のの基準マークの説明図である。図中、
《ｌai，ｒai》がウエハ３上の基準マークであり、スリ
ット１４の長手方向（Ｘ方向）に２箇所とスキャン全域
に渡って複数箇所に配置されている。
ショット４中のの基準マークの説明図である。図中、
《ｌai，ｒai》がウエハ３上の基準マークであり、スリ
ット１４の長手方向（Ｘ方向）に２箇所とスキャン全域
に渡って複数箇所に配置されている。
【００３８】第２ステップとしては、基準ウエハ３の基
準マーク《ｌai，ｒai》の位置検出を行う。検出方法と
しては２種類あり、 ［ｂ１］．別置きの絶対座標測定器による。
準マーク《ｌai，ｒai》の位置検出を行う。検出方法と
しては２種類あり、 ［ｂ１］．別置きの絶対座標測定器による。
【００３９】［ｂ２］．ステッパの位置合わせ用顕微鏡
５Ａ，５又は６によって干渉計３３Ｘ，３３Ｙを利用
し、測定。
５Ａ，５又は６によって干渉計３３Ｘ，３３Ｙを利用
し、測定。
【００４０】本実施形態では２つの方法のうちどちらの
方法を用いても良い。今、基準マークの設計座標を（Ｘ
ｌai，Ｙｌai，Ｘｒai，Ｙｒai）、検出座標を（Ｘ
ｌai’，Ｙｌai’，Ｘｒai’，Ｙｒai’）とすると、 Ｘｌai’＝Ｘｌai＋ΔＸｌai Ｙｌai’＝Ｙｌai＋ΔＹｌai Ｘｒai’＝Ｘｒai＋ΔＸｒai Ｙｒai’＝Ｙｒai＋ΔＹｒai となる。ここに、ΔＸｌai，ΔＹｌai，ΔＸｒai，ΔＹ
ｒaiは基準マークの検出座標の設計座標からのずれを意
味する。
方法を用いても良い。今、基準マークの設計座標を（Ｘ
ｌai，Ｙｌai，Ｘｒai，Ｙｒai）、検出座標を（Ｘ
ｌai’，Ｙｌai’，Ｘｒai’，Ｙｒai’）とすると、 Ｘｌai’＝Ｘｌai＋ΔＸｌai Ｙｌai’＝Ｙｌai＋ΔＹｌai Ｘｒai’＝Ｘｒai＋ΔＸｒai Ｙｒai’＝Ｙｒai＋ΔＹｒai となる。ここに、ΔＸｌai，ΔＹｌai，ΔＸｒai，ΔＹ
ｒaiは基準マークの検出座標の設計座標からのずれを意
味する。
【００４１】第３ステップとしては、基準ウエハ３にレ
ジストを塗布し、潜像マークを形成する。潜像マーク露
光のための位置合わせシーケンスは後述する第５ステッ
プの実素子パターン露光と同様のグローバルアライメン
トによっている。例えばスキャン始まりのウエハ３上の
基準マーク《ｌa1，ｒa1》とレチクル１上のマーク１１
Ａ，１１Ｂを顕微鏡５Ａ，５Ｂによりレチクルステージ
１２とウエハステージ３２が静止した状態で計測し位置
ずれ量を求め、位置合わせを行い第１ステップで既に形
成してある基準マーク《ｌai，ｒai》近傍にレチクルと
ウエハを走査させながらレチクル上のマーク１１Ａ，１
１Ｂを顕微鏡５Ａ，５Ｂを使って転写する。
ジストを塗布し、潜像マークを形成する。潜像マーク露
光のための位置合わせシーケンスは後述する第５ステッ
プの実素子パターン露光と同様のグローバルアライメン
トによっている。例えばスキャン始まりのウエハ３上の
基準マーク《ｌa1，ｒa1》とレチクル１上のマーク１１
Ａ，１１Ｂを顕微鏡５Ａ，５Ｂによりレチクルステージ
１２とウエハステージ３２が静止した状態で計測し位置
ずれ量を求め、位置合わせを行い第１ステップで既に形
成してある基準マーク《ｌai，ｒai》近傍にレチクルと
ウエハを走査させながらレチクル上のマーク１１Ａ，１
１Ｂを顕微鏡５Ａ，５Ｂを使って転写する。
【００４２】図５において《ｌbi，ｒbi》がウエハ３上
に形成されたレチクルマーク１１Ａ，１１Ｂに基づく潜
像マークである。顕微鏡５Ａ，５Ｂは露光波長を使用し
ており、不図示の視野絞りとシャッターによって潜像マ
ーク近傍付近の露光が可能となっている。又、その時の
露光量は潜像マークの露光に必要十分な量に予め決定さ
れている。さらにこの時の露光光は、潜像マーク領域だ
けの露光が可能な不図示の露光用照明系を用いたもので
も良い。
に形成されたレチクルマーク１１Ａ，１１Ｂに基づく潜
像マークである。顕微鏡５Ａ，５Ｂは露光波長を使用し
ており、不図示の視野絞りとシャッターによって潜像マ
ーク近傍付近の露光が可能となっている。又、その時の
露光量は潜像マークの露光に必要十分な量に予め決定さ
れている。さらにこの時の露光光は、潜像マーク領域だ
けの露光が可能な不図示の露光用照明系を用いたもので
も良い。
【００４３】第４ステップとしては、顕微鏡６によって
基準ウエハ３上の基準マーク《ｌai，ｒai》と、潜像マ
ーク《ｌbi，ｒbi》の位置を検出する。
基準ウエハ３上の基準マーク《ｌai，ｒai》と、潜像マ
ーク《ｌbi，ｒbi》の位置を検出する。
【００４４】スリットスキャン型露光装置内の顕微鏡を
使うことで、計測値を即座に補正して実素子パターンの
露光ができ、スループット向上が期待できる。特に露光
光源にエキシマレーザーが使われている場合、多用され
る化学増巾型レジストでは露光後の像劣化が早いのです
ぐに計測する必要があり、本方式が有用である。
使うことで、計測値を即座に補正して実素子パターンの
露光ができ、スループット向上が期待できる。特に露光
光源にエキシマレーザーが使われている場合、多用され
る化学増巾型レジストでは露光後の像劣化が早いのです
ぐに計測する必要があり、本方式が有用である。
【００４５】顕微鏡６の光源としてはハロゲンランプ等
でレジストを感光しない波長域が選択されている。又、
ＨｅＮｅレーザー等の単色光であっても良い。検出原理
は画像認識、レーザービームによる散乱光検出等の任意
の方法で良い。
でレジストを感光しない波長域が選択されている。又、
ＨｅＮｅレーザー等の単色光であっても良い。検出原理
は画像認識、レーザービームによる散乱光検出等の任意
の方法で良い。
【００４６】本実施形態では以上のようにして各基準マ
ークの検出座標（Ｘｌai”，Ｙｌai”，Ｘｒai”，Ｙｒ
ai”）及び潜像マークの検出座標（Ｘｌbi”，Ｙ
ｌbi”，Ｘｒbi”，Ｙｒbi”）を求めている。
ークの検出座標（Ｘｌai”，Ｙｌai”，Ｘｒai”，Ｙｒ
ai”）及び潜像マークの検出座標（Ｘｌbi”，Ｙ
ｌbi”，Ｘｒbi”，Ｙｒbi”）を求めている。
【００４７】第５ステップとしては、基準マークに対す
る潜像マークの検出座標のずれ、 ΔＸｌi ”＝ Ｘｌbi”−Ｘｌai” ＝（Ｘｌbi＋ΔＸｌbi）−（Ｘｌai＋ΔＸｌai）， ΔＹｌi ”＝ Ｙｌbi”−Ｙｌai” ＝（Ｙｌbi＋ΔＹｌbi）−（Ｙｌai＋ΔＹｌai）， ΔＸｒi ”＝ Ｘｒbi”−Ｘｒai” ＝（Ｘｒbi＋ΔＸｒbi）−（Ｘｒai＋ΔＸｒai）， ΔＹｒi ”＝ Ｙｒbi”−Ｙｒai” ＝（Ｙｒbi＋ΔＹｒbi）−（Ｙｒai＋ΔＹｒai）， を元に、検出された潜像マークの設計座標からのずれ量
ΔＸｌbi，ΔＹｌbi，ΔＸｒbi ，ΔＹｒbiを求めてい
る。
る潜像マークの検出座標のずれ、 ΔＸｌi ”＝ Ｘｌbi”−Ｘｌai” ＝（Ｘｌbi＋ΔＸｌbi）−（Ｘｌai＋ΔＸｌai）， ΔＹｌi ”＝ Ｙｌbi”−Ｙｌai” ＝（Ｙｌbi＋ΔＹｌbi）−（Ｙｌai＋ΔＹｌai）， ΔＸｒi ”＝ Ｘｒbi”−Ｘｒai” ＝（Ｘｒbi＋ΔＸｒbi）−（Ｘｒai＋ΔＸｒai）， ΔＹｒi ”＝ Ｙｒbi”−Ｙｒai” ＝（Ｙｒbi＋ΔＹｒbi）−（Ｙｒai＋ΔＹｒai）， を元に、検出された潜像マークの設計座標からのずれ量
ΔＸｌbi，ΔＹｌbi，ΔＸｒbi ，ΔＹｒbiを求めてい
る。
【００４８】その後、以下に説明するスキャンむらオフ
セットを算出し、実素子パターンの本露光時に、ウエハ
ステージ又はレチクルステージの走査速度及び走査方
向、並びに前記原板又は前記基板の回転角に反映させ、
図１に示す駆動制御手段１０３によって補正している。
セットを算出し、実素子パターンの本露光時に、ウエハ
ステージ又はレチクルステージの走査速度及び走査方
向、並びに前記原板又は前記基板の回転角に反映させ、
図１に示す駆動制御手段１０３によって補正している。
【００４９】以下、具体的に補正方法を説明する。
【００５０】［ｃ１］．投影露光位置（ΔＸ，ΔＹ）
計測されるＸＹ方向別オフセットは、
【００５１】
【数１】
と表される。但し、ｎはスキャン方向の計測点数とす
る。これを予めスキャン露光前にレチクルの位置又はウ
エハの位置を−ΔＸ，−ΔＹだけずらし、その状態でス
キャン露光する。
る。これを予めスキャン露光前にレチクルの位置又はウ
エハの位置を−ΔＸ，−ΔＹだけずらし、その状態でス
キャン露光する。
【００５２】［ｃ２］．スキャン方向の倍率オフセット
（Δβy ） 計測されるスキャン方向の倍率オフセットは、
（Δβy ） 計測されるスキャン方向の倍率オフセットは、
【００５３】
【数２】
と表される。これを、スキャン露光時にレチクルステー
ジ、又はウエハステージの移動速度をスキャン方向の倍
率オフセットΔβy 分変えることによって補正する。即
ち、倍率補正前のレチクルステージとウエハステージの
スキャン露光時のスキャン方向の速さをそれぞれ
Ｖ12 ，Ｖ32、又、投影光学系の縮小倍率をｍとする
と、 Ｖ12＝−ｍＶ32 なる関係がある。倍率補正後のレチクルステージとウエ
ハステージのスキャン露光時のスキャン方向の速さ
Ｖ12’，Ｖ32’は、 Ｖ12＝−ｍＶ32’／Δβy なる関係で、レチクルステージ一方又はウエハステージ
一方又は両方のステージのスキャン露光時のスキャン方
向の速さを補正すれば良い。
ジ、又はウエハステージの移動速度をスキャン方向の倍
率オフセットΔβy 分変えることによって補正する。即
ち、倍率補正前のレチクルステージとウエハステージの
スキャン露光時のスキャン方向の速さをそれぞれ
Ｖ12 ，Ｖ32、又、投影光学系の縮小倍率をｍとする
と、 Ｖ12＝−ｍＶ32 なる関係がある。倍率補正後のレチクルステージとウエ
ハステージのスキャン露光時のスキャン方向の速さ
Ｖ12’，Ｖ32’は、 Ｖ12＝−ｍＶ32’／Δβy なる関係で、レチクルステージ一方又はウエハステージ
一方又は両方のステージのスキャン露光時のスキャン方
向の速さを補正すれば良い。
【００５４】［ｃ３］．スキャン方向の速度むらオフセ
ット 計測されるスキャン方向の速度むらオフセットは、（ｃ
２）と同様に各位置ｉに対して、
ット 計測されるスキャン方向の速度むらオフセットは、（ｃ
２）と同様に各位置ｉに対して、
【００５５】
【数３】
と表される。これを、スキャン露光時にレチクルステー
ジ、又はウエハステージの移動速度を各位置ｉに対し
て、スキャン方向の倍率オフセットΔβyi分変えること
によって補正する。
ジ、又はウエハステージの移動速度を各位置ｉに対し
て、スキャン方向の倍率オフセットΔβyi分変えること
によって補正する。
【００５６】即ち、スキャンむら補正後のレチクルステ
ージとウエハステージのスキャン露光時のスキャン方向
の位置ｉにおける速さＶ12i ’，Ｖ32i ’が、 Ｖ12i ’＝−ｍＶ32i ’／Δβyi を満足するようにすれば良い。位置ｉと位置ｉ＋１の間
の速度は適宜補間して速度を変化させれば良い。
ージとウエハステージのスキャン露光時のスキャン方向
の位置ｉにおける速さＶ12i ’，Ｖ32i ’が、 Ｖ12i ’＝−ｍＶ32i ’／Δβyi を満足するようにすれば良い。位置ｉと位置ｉ＋１の間
の速度は適宜補間して速度を変化させれば良い。
【００５７】［ｃ４］．走査中のスキャンと直交方向の
ヨーイング成分オフセット変化ΔＸi 計測される走査中のスキャンと直交方向のヨーイング成
分オフセット変化は、各位置ｉに対して、 ΔＸi ＝（ΔＸｌbi+1＋ΔＸｒbi+1）−（ΔＸｌbi＋Δ
Ｘｒbi） と表される。これを補正するには、各位置ｉに対して、
レチクルステージ又はウエハステージの位置が、−ΔＸ
i となるよう、Ｙ方向にスキャンしながらＸ方向にも移
動すれば良い。位置ｉと位置ｉ＋１の間は適宜補間す
る。
ヨーイング成分オフセット変化ΔＸi 計測される走査中のスキャンと直交方向のヨーイング成
分オフセット変化は、各位置ｉに対して、 ΔＸi ＝（ΔＸｌbi+1＋ΔＸｒbi+1）−（ΔＸｌbi＋Δ
Ｘｒbi） と表される。これを補正するには、各位置ｉに対して、
レチクルステージ又はウエハステージの位置が、−ΔＸ
i となるよう、Ｙ方向にスキャンしながらＸ方向にも移
動すれば良い。位置ｉと位置ｉ＋１の間は適宜補間す
る。
【００５８】（ｃ５）走査中のチップローテーション変
化ΔＲＯＴi 計測される走査中のチップローテーション変化ΔＲＯＴ
i は、各位置ｉに対して、
化ΔＲＯＴi 計測される走査中のチップローテーション変化ΔＲＯＴ
i は、各位置ｉに対して、
【００５９】
【数４】
と表せる。これを補正するには、各位置ｉに対して、レ
チクルステージ又はウエハステージの回転角が−ΔＲＯ
Ｔi となるよう、Ｙ方向にスキャンしながら回転角も変
化させれば良い。位置ｉと位置ｉ＋１の間は適宜補間す
る。
チクルステージ又はウエハステージの回転角が−ΔＲＯ
Ｔi となるよう、Ｙ方向にスキャンしながら回転角も変
化させれば良い。位置ｉと位置ｉ＋１の間は適宜補間す
る。
【００６０】以上（ｃ１）〜（ｃ５）までの補正をすれ
ば、スキャン全域の重ね合わせを良くすることができ
る。
ば、スキャン全域の重ね合わせを良くすることができ
る。
【００６１】これらのスキャンむらオフセットを基準ウ
エハにより定期的に求めて、実素子パターン露光時に反
映させてスキャン全域に渡って良い重ね合わせ状態を保
っている。
エハにより定期的に求めて、実素子パターン露光時に反
映させてスキャン全域に渡って良い重ね合わせ状態を保
っている。
【００６２】次に、基準ウエハへの潜像マークの露光及
び基準マークと潜像マークの検出について例をあげる
と、 ［ｄ１］．１つのショットに限定して、例えばＦｉｇ．
３の基準ウエハ３の中心近傍のショット３１３で潜像マ
ークを露光検出し、その時の補正値を全ショットに反映
する方法。
び基準マークと潜像マークの検出について例をあげる
と、 ［ｄ１］．１つのショットに限定して、例えばＦｉｇ．
３の基準ウエハ３の中心近傍のショット３１３で潜像マ
ークを露光検出し、その時の補正値を全ショットに反映
する方法。
【００６３】［ｄ２］．２つのスキャン方向に対応し
て、例えば基準ウエハ中心近傍の２ショット３１３，３
１４に対して潜像マークを露光検出し、スキャン方向で
別々の補正値を持つ方法。
て、例えば基準ウエハ中心近傍の２ショット３１３，３
１４に対して潜像マークを露光検出し、スキャン方向で
別々の補正値を持つ方法。
【００６４】［ｄ３］．２つのスキャン方向に対応して
各数ショットで潜像マークを露光検出し、各スキャン方
向で補正値の平均を算出し、スキャン方向で別々の補正
値を持つ方法。
各数ショットで潜像マークを露光検出し、各スキャン方
向で補正値の平均を算出し、スキャン方向で別々の補正
値を持つ方法。
【００６５】［ｄ４］．全ショットで潜像マークを露光
検出し、各スキャン方向で補正値の平均を算出し、スキ
ャン方向で別々の補正値を持つ方法。
検出し、各スキャン方向で補正値の平均を算出し、スキ
ャン方向で別々の補正値を持つ方法。
【００６６】［ｄ５］．全ショットで潜像マークを露光
検出し、補正値の平均を算出し、全ショット同一の補正
値を持つ方法。という様々な方法がある。
検出し、補正値の平均を算出し、全ショット同一の補正
値を持つ方法。という様々な方法がある。
【００６７】補正値の適用方法に関しては、前述した方
法以外でも良い。例えばウエハステージがローラガイド
ステージの場合、図６のようにスキャンの軌跡４１がヨ
ーガイドの湾曲によって、ウエハ３上の各行で等しくな
る場合が考えられる。よってグローバルアライメントで
のショット選択は例えば、各行で１又は２ショットずつ
計測し、各行の平均値を各行個別に反映させてヨー補正
をすれば良い。各行でスキャンの軌跡が同じになる現象
は、スキャン方向と平行なＸバーミラー３３Ｘの平面形
状によっても起こると考えられる。
法以外でも良い。例えばウエハステージがローラガイド
ステージの場合、図６のようにスキャンの軌跡４１がヨ
ーガイドの湾曲によって、ウエハ３上の各行で等しくな
る場合が考えられる。よってグローバルアライメントで
のショット選択は例えば、各行で１又は２ショットずつ
計測し、各行の平均値を各行個別に反映させてヨー補正
をすれば良い。各行でスキャンの軌跡が同じになる現象
は、スキャン方向と平行なＸバーミラー３３Ｘの平面形
状によっても起こると考えられる。
【００６８】又スキャン方向の速度むら補正について
は、ウエハステージ３２のＹ方向の位置に依存してＹ方
向の干渉読み値が影響を受ける場合がある。これはＹ方
向のバーミラー３３Ｙとウエハステージ３２の間の空気
の温度変化によって空気の屈折率が変わり、ステージの
Ｙ座標位置に誤差を与え、引いてはスキャン速度が一定
でなくなるためである。
は、ウエハステージ３２のＹ方向の位置に依存してＹ方
向の干渉読み値が影響を受ける場合がある。これはＹ方
向のバーミラー３３Ｙとウエハステージ３２の間の空気
の温度変化によって空気の屈折率が変わり、ステージの
Ｙ座標位置に誤差を与え、引いてはスキャン速度が一定
でなくなるためである。
【００６９】図７はウエハ上各ショット４内のスキャン
方向の５点での位置ずれ量を矢印４２の大きさで表した
もので、各行での挙動が一致する。グローバルアライメ
ントでのショット選択は前記と同様な方法で良い。
方向の５点での位置ずれ量を矢印４２の大きさで表した
もので、各行での挙動が一致する。グローバルアライメ
ントでのショット選択は前記と同様な方法で良い。
【００７０】更に本実施形態において、第１の露光装置
で基準ウエハを作成し、第２のスリットスキャン型露光
装置でそのウエハにレジストを塗布し、潜像マークを作
成する。この場合、第１の装置における基準ウエハの作
成プロセスはレジスト段差、Ｓｉ段差等で良い。そして
基準マークに対する潜像マークの位置ずれ量を計測すれ
ば、第１の露光装置を基準とした第２のスリットスキャ
ン型露光装置のスキャンむらが測定できる。このスキャ
ンむらを第２のスリットスキャン型露光装置における実
素子パターン露光時に反映させれば第１の露光装置と第
２のスリットスキャン型露光装置の間の重ね合わせ精度
を向上することができる。
で基準ウエハを作成し、第２のスリットスキャン型露光
装置でそのウエハにレジストを塗布し、潜像マークを作
成する。この場合、第１の装置における基準ウエハの作
成プロセスはレジスト段差、Ｓｉ段差等で良い。そして
基準マークに対する潜像マークの位置ずれ量を計測すれ
ば、第１の露光装置を基準とした第２のスリットスキャ
ン型露光装置のスキャンむらが測定できる。このスキャ
ンむらを第２のスリットスキャン型露光装置における実
素子パターン露光時に反映させれば第１の露光装置と第
２のスリットスキャン型露光装置の間の重ね合わせ精度
を向上することができる。
【００７１】次に本発明の実施形態２について説明す
る。実施形態１では基準ウエハを用いたが、本実施形態
では基準ウエハを使用せず、直接レジストを塗布したウ
エハにスリットスキャン型露光装置で潜像マークを露光
し、その位置をその装置のウエハステージ干渉計基準で
検出しスキャンに関係したオフセットを求め、実素子パ
ターン露光時に反映させている。
る。実施形態１では基準ウエハを用いたが、本実施形態
では基準ウエハを使用せず、直接レジストを塗布したウ
エハにスリットスキャン型露光装置で潜像マークを露光
し、その位置をその装置のウエハステージ干渉計基準で
検出しスキャンに関係したオフセットを求め、実素子パ
ターン露光時に反映させている。
【００７２】図８にスキャンむら補正シーケンスを示
す。まず、レジストが塗布されたウエハにスキャン露光
によって潜像マークを露光する。スキャンの方向は２種
類あるので、それに合わせて最低限２方向焼きつけるの
が良い。又は、実施形態１のように実素子パターンと同
様なレイアウトで焼き付けても良い。
す。まず、レジストが塗布されたウエハにスキャン露光
によって潜像マークを露光する。スキャンの方向は２種
類あるので、それに合わせて最低限２方向焼きつけるの
が良い。又は、実施形態１のように実素子パターンと同
様なレイアウトで焼き付けても良い。
【００７３】次に、その潜像マークを顕微鏡５Ａ，５Ｂ
又は６によってウエハステージだけを駆動して各マーク
位置で静止させ、位置検出を行いスキャン方向の倍率速
度むら、走査中のスキャンと直交方向のヨーイング成分
のオフセット変化、走査中のチップローテーション変化
を求める。次にこれらのオフセットを元に、補正して実
素子パターンの露光を行っている。
又は６によってウエハステージだけを駆動して各マーク
位置で静止させ、位置検出を行いスキャン方向の倍率速
度むら、走査中のスキャンと直交方向のヨーイング成分
のオフセット変化、走査中のチップローテーション変化
を求める。次にこれらのオフセットを元に、補正して実
素子パターンの露光を行っている。
【００７４】次に本発明の実施形態３について説明す
る。本実施形態は装置間のキャリブレーションを行うこ
とを特徴としている。即ち、第１の露光装置で潜像マー
クが形成された基準ウエハを作成し、第２のスリットス
キャン型露光装置でその基準ウエハ上に更に潜像マーク
を露光し、両マーク間の位置を測定することで、第１の
装置を基準とした第２のスリットスキャン型露光装置の
スキャンむらを測定している。
る。本実施形態は装置間のキャリブレーションを行うこ
とを特徴としている。即ち、第１の露光装置で潜像マー
クが形成された基準ウエハを作成し、第２のスリットス
キャン型露光装置でその基準ウエハ上に更に潜像マーク
を露光し、両マーク間の位置を測定することで、第１の
装置を基準とした第２のスリットスキャン型露光装置の
スキャンむらを測定している。
【００７５】図９に本実施形態のスキャンむら補正シー
ケンスを示す。まず始めに第１の露光装置でウエハに潜
像マークを形成し、基準ウエハを作成する。基準ウエハ
上には図４の基準マーク《ｌai，ｒai》が形成されてい
る。
ケンスを示す。まず始めに第１の露光装置でウエハに潜
像マークを形成し、基準ウエハを作成する。基準ウエハ
上には図４の基準マーク《ｌai，ｒai》が形成されてい
る。
【００７６】次に第２のスリットスキャン型露光装置で
この基準ウエハに対して実施形態１と同様な位置合わせ
を行い、潜像マークを更に露光する。そして両潜像マー
クの位置検出を別の座標測定機又は第１又は第２の装置
で検出する。検出方法は、実施形態１と同様な方法で良
い。これによってスキャン方向の倍率、速度むら、走査
中のスキャンと直交方向のヨーイング成分のオフセット
変化、走査中のチップローテーション変化を求めてい
る。
この基準ウエハに対して実施形態１と同様な位置合わせ
を行い、潜像マークを更に露光する。そして両潜像マー
クの位置検出を別の座標測定機又は第１又は第２の装置
で検出する。検出方法は、実施形態１と同様な方法で良
い。これによってスキャン方向の倍率、速度むら、走査
中のスキャンと直交方向のヨーイング成分のオフセット
変化、走査中のチップローテーション変化を求めてい
る。
【００７７】次にこれらの補正項目を第２のスリットス
キャン型露光装置での実素子パターン露光時に反映さ
せ、これによって第１の露光装置と第２のスリットスキ
ャン型露光装置の間の重ね合わせ精度を向上させてい
る。
キャン型露光装置での実素子パターン露光時に反映さ
せ、これによって第１の露光装置と第２のスリットスキ
ャン型露光装置の間の重ね合わせ精度を向上させてい
る。
【００７８】次に本発明の実施形態４について説明す
る。本実施形態は先の実施形態１における潜像マークの
代わりにフォトクロマークを使用していることを特徴と
している。
る。本実施形態は先の実施形態１における潜像マークの
代わりにフォトクロマークを使用していることを特徴と
している。
【００７９】図１０に本実施形態におけるスキャンむら
補正シーケンスを示す。本実施形態が実施形態１と異な
るのは、レジストの代わりにフォトクロを用いること
と、その結果潜像マークでなくフォトクロマークになる
ことであり、その他は基本的に同じである。
補正シーケンスを示す。本実施形態が実施形態１と異な
るのは、レジストの代わりにフォトクロを用いること
と、その結果潜像マークでなくフォトクロマークになる
ことであり、その他は基本的に同じである。
【００８０】次に本発明の実施形態５について図１１を
用いて説明する。図１１は本実施形態の要部概略図であ
る。同図において図１で示した要素と同一要素には同符
号を付している。
用いて説明する。図１１は本実施形態の要部概略図であ
る。同図において図１で示した要素と同一要素には同符
号を付している。
【００８１】本実施形態は先の実施形態２における潜像
マークを使った基準ウエハ３の代わりにウエハステージ
３２に設けたフォトクロウエハ３４を使用していること
を特徴としている。
マークを使った基準ウエハ３の代わりにウエハステージ
３２に設けたフォトクロウエハ３４を使用していること
を特徴としている。
【００８２】図１２は本実施形態におけるスキャンむら
補正シーケンスの説明図である。本実施形態ではまず、
ウエハステージ３２上に載置されたフォトクロウエハ３
４に、レチクルステージ１２とウエハステージ３２を駆
動させながらアライメントマーク《ｌai，ｒai》を位置
合わせ用顕微鏡５Ａ，５Ｂ又は露光光を使って潜像マー
クの時と同様に露光する。
補正シーケンスの説明図である。本実施形態ではまず、
ウエハステージ３２上に載置されたフォトクロウエハ３
４に、レチクルステージ１２とウエハステージ３２を駆
動させながらアライメントマーク《ｌai，ｒai》を位置
合わせ用顕微鏡５Ａ，５Ｂ又は露光光を使って潜像マー
クの時と同様に露光する。
【００８３】次に、このアライメントマークを位置合わ
せ用顕微鏡５Ａ，５Ｂ又は６によって検出し、スキャン
方向の倍率、速度むら、スキャン直交方向のヨーイング
成分の変化、レチクルに対するウエハの回転角の変化を
算出し、実素子パターンの露光時に反映させている。こ
れによって良好な重ね合わせ精度を達成している。
せ用顕微鏡５Ａ，５Ｂ又は６によって検出し、スキャン
方向の倍率、速度むら、スキャン直交方向のヨーイング
成分の変化、レチクルに対するウエハの回転角の変化を
算出し、実素子パターンの露光時に反映させている。こ
れによって良好な重ね合わせ精度を達成している。
【００８４】スキャンの方向は一方向だけでなく、実素
子パターンの露光と同様に、二方向とし別々のオフセッ
トを持たせても良い。
子パターンの露光と同様に、二方向とし別々のオフセッ
トを持たせても良い。
【００８５】次に本発明の実施形態６を説明する。図１
３は本実施形態におけるスキャンむら補正シーケンスの
説明図である。本実施形態は実施形態３におけるレジス
トによる潜像マークの代わりにフォトクロマークを使用
している点が異なっているだけでその他の構成は基本的
に同じである。
３は本実施形態におけるスキャンむら補正シーケンスの
説明図である。本実施形態は実施形態３におけるレジス
トによる潜像マークの代わりにフォトクロマークを使用
している点が異なっているだけでその他の構成は基本的
に同じである。
【００８６】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イスの製造方法の実施例を説明する。
イスの製造方法の実施例を説明する。
【００８７】図１５は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローを示す。
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローを示す。
【００８８】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【００８９】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００９０】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
【００９１】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００９２】図１６は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。
【００９３】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００９４】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００９５】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
【００９６】
【発明の効果】本発明によれば以上のように各要素を設
定することにより、第１物体としてのレチクル面上のパ
ターンを投影光学系で第２物体としてのウエハ面上に走
査投影露光する際、適切に設定した予めアライメントマ
ークを形成した基準基板や走査露光機構によって走査方
向に複数のマークを形成した第２物体等を利用すること
により第１物体と第２物体との位置合わせを高精度に行
い、高集積度の半導体デバイスを容易に製造することが
できる走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの製造
方法を達成することができる。
定することにより、第１物体としてのレチクル面上のパ
ターンを投影光学系で第２物体としてのウエハ面上に走
査投影露光する際、適切に設定した予めアライメントマ
ークを形成した基準基板や走査露光機構によって走査方
向に複数のマークを形成した第２物体等を利用すること
により第１物体と第２物体との位置合わせを高精度に行
い、高集積度の半導体デバイスを容易に製造することが
できる走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの製造
方法を達成することができる。
【図１】本発明の実施形態１における要部概略図
【図２】本発明の実施形態１におけるスキャンむら補正
シーケンス説明図
シーケンス説明図
【図３】本発明の実施形態１における基準ウエハ説明図
【図４】本発明の実施形態１における基準ウエハ上のア
ライメントマーク説明図
ライメントマーク説明図
【図５】本発明の実施形態１における基準ウエハ上のア
ライメントマークと潜像マーク説明図
ライメントマークと潜像マーク説明図
【図６】本発明の実施形態１におけるＹ方向のヨーガイ
ドの湾曲によって影響を受ける場合のスキャン方向説明
図
ドの湾曲によって影響を受ける場合のスキャン方向説明
図
【図７】本発明の実施形態１における空気温度環境に影
響を受ける場合のスキャン速度変化説明図
響を受ける場合のスキャン速度変化説明図
【図８】本発明の実施形態２におけるスキャンむら補正
シーケンス説明図
シーケンス説明図
【図９】本発明の実施形態３におけるスキャンむら補正
シーケンス説明図
シーケンス説明図
【図１０】本発明の実施形態４におけるスキャンむら補
正シーケンス説明図
正シーケンス説明図
【図１１】本発明の実施形態５における要部概略図
【図１２】本発明の実施形態５におけるスキャンむら補
正シーケンス説明図
正シーケンス説明図
【図１３】本発明の実施形態６におけるスキャンむら補
正シーケンス説明図
正シーケンス説明図
【図１４】従来例の走査型露光装置における要部概略図
【図１５】本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
ト
ト
【図１６】本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
ト
ト
１ レチクル
２ 投影光学系
３ ウエハ
４ ショット
５Ａ，５Ｂ 位置合わせ用顕微鏡
６ 位置合わせ用顕微鏡
１１Ａ，１１Ｂ レチクル上アライメントマーク
１２ レチクルステージ
１４ スリット状露光光
１５ 実素子パターン
３１Ａ，３１Ｂ ウエハ上アライメントマーク
３２ ウエハステージ
３４ フォトクロウエハ
１０１ マーク検出手段
１０２ 演算処理回路
１０３ 駆動制御手段
３０１，３０２〜３２６ ウエハ上ショット
ｒa1〜ｒa5，ｌa1〜ｌa5 基準ウエハ上のアライメン
トマーク又は潜像マーク又はフォトクロマーク ｒb1〜ｒb5，ｌb1〜ｌb5 潜像マーク又はフォトクロ
マーク
トマーク又は潜像マーク又はフォトクロマーク ｒb1〜ｒb5，ｌb1〜ｌb5 潜像マーク又はフォトクロ
マーク
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(56)参考文献 特開 平８−293453（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−241845（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−227847（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−227845（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−227839（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−335529（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−183214（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−176468（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−142325（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−291019（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−13304（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/20
G03F 9/00
Claims (12)
- 【請求項１】 照明系からの照明光束で第１可動ステー
ジに載置した第１物体面上のパターンを照明し、該第１
物体面上のパターンを投影光学系により第２可動ステー
ジに載置した第２物体面上に該第１可動ステージと第２
可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応させた速
度比で同期させて相対的に走査させながら走査投影露光
する走査露光機構を有する走査型露光装置において、該
走査露光機構は走査投影露光前に予め走査方向に複数の
基準マークを形成した基準基板に該第１物体面上に設け
た位置合わせマークを潜像マークとして形成し、該基準
基板上の基準マークと潜像マークとの位置情報を検出し
て双方のずれ量を計測し、該ずれ量を補正して該第１物
体面上のパターンを該第２物体面上に走査投影露光して
いることを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項２】 前記走査露光機構による前記ずれ量の補
正項目は、 投影露光位置，走査方向の走査倍率，第１物体と第２物
体の走査方向の速度むら，第１物体と第２物体の走査方
向に直交方向の位置ずれ変化，第１物体に対する第２物
体の回転角，のうちの少なくとも１つであることを特徴
とする請求項１の走査型露光装置。 - 【請求項３】 前記走査露光機構による前記ずれ量の補
正項目は、２つの走査方向で別々の補正値を持つことを
特徴とする請求項１の走査型露光装置。 - 【請求項４】 前記走査露光機構は前記基準基板上の基
準マークと潜像マークととの位置情報の検出を非露光光
を用いた顕微鏡で行っていることを特徴とする請求項１
の走査型露光装置。 - 【請求項５】 前記走査露光機構による前記ずれ量の補
正手段は、 前記第１物体又は第２物体の露光位置を移動させるこ
と，該第１物体と第２物体の走査速度比を前記投影光学
系の投影倍率に基づいて変えること，該第１物体と第２
物体の走査速度比を走査露光中に変えること，該第１物
体と第２物体の走査方向に直交方向の位置を走査露光中
に変えること，該第１物体又は第２物体をその面内にお
いて走査露光中に回転させること，のうち少なくとも１
つであることを特徴とする請求項１の走査型露光装置。 - 【請求項６】 照明系からの照明光束で第１可動ステー
ジに載置した第１物体面上のパターンを照明し、該第１
物体面上のパターンを投影光学系により第２可動ステー
ジに載置した第２物体面上に該第１可動ステージと第２
可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応させた速
度比で同期させて相対的に走査させながら走査投影露光
する走査露光機構を有する走査型露光装置において、該
走査露光機構は走査投影露光前に該第１物体上の複数の
マークを該第２物体面上に走査投影露光し、該第２物体
面上に形成した複数の潜像マークの相対位置情報を検出
して相互のずれ量を計測し、該ずれ量を補正して該第１
物体面上のパターンを第２物体面上に走査投影露光して
いることを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項７】 第１物体面上のパターンを投影光学系に
より第２物体面上に投影露光する露光装置と、照明系か
らの照明光束で第１可動ステージに載置した第１物体面
上のパターンを照明し、該第１物体面上のパターンを投
影光学系により第２可動ステージに載置した第２物体面
上に該第１可動ステージと第２可動ステージを該投影光
学系の投影倍率に対応させた速度比で同期させて相対的
に走査させながら走査投影露光する走査露光機構を有す
る走査型露光装置とを有し、該露光装置を用いて該第１
物体面上の複数のマークに基づく第１潜像マークを第２
物体面に形成して基準基板を作成し、該走査型露光装置
を用いて第１物体面上の複数のマークを該基準基板の第
１潜像マークに対して位置合わせを行った後、該基準基
板に該複数のマークに基づく第２潜像を形成し、該第１
潜像と第２潜像との位置情報を検出して双方の相対的な
ずれ量を計測し、該ずれ量を補正して走査投影露光して
いることを特徴とする投影露光システム。 - 【請求項８】 照明系からの照明光束で第１可動ステー
ジに載置した第１物体面上のパターンを照明し、該第１
物体面上のパターンを投影光学系により第２可動ステー
ジに載置した第２物体面上に該第１可動ステージと第２
可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応させた速
度比で同期させて相対的に走査させながら走査投影露光
する走査露光機構を有する走査型露光装置において、該
走査露光機構は走査投影露光前に予め走査方向に複数の
マークを形成した基準基板にフォトクロミックを塗布
し、該基準基板上に該第１物体面上に設けた位置合わせ
マークをフォトクロマークとして形成し、該基準マーク
とフォトクロマークとの位置情報を検出して双方のずれ
量を計測し、該ずれ量を補正して該第１物体面上のパタ
ーンを第２物体面上に走査投影露光していることを特徴
とする走査型露光装置。 - 【請求項９】 照明系からの照明光束で第１可動ステー
ジに載置した第１物体面上のパターンを照明し、該第１
物体面上のパターンを投影光学系により第２可動ステー
ジに載置した第２物体面上に該第１可動ステージと第２
可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応させた速
度比で同期させて相対的に走査させながら走査投影露光
する走査露光機構を有する走査型露光装置において、該
走査露光装置は走査投影露光前に第１物体面上の複数の
マークをフォトクロミックが塗布された第２物体面上に
走査投影露光し、該第２物体面に形成した複数のフォト
クロマークの相対位置情報を検出して相互のずれ量を計
測し、該ずれ量を補正して該第１物体面上のパターンを
第２物体面上に走査投影露光していることを特徴とする
走査型露光装置。 - 【請求項１０】 第１物体面上のパターンを投影光学系
により第２物体面上に投影露光する露光装置と、照明系
からの照明光束で第１可動ステージに載置した第１物体
面上のパターンを照明し、該第１物体面上のパターンを
投影光学系により第２可動ステージに載置した第２物体
面上に該第１可動ステージと第２可動ステージを該投影
光学系の投影倍率に対応させた速度比で同期させて相対
的に走査させながら走査投影露光する走査露光機構を有
する走査型露光装置とを有し、該露光装置を用いて該第
１物体面上の複数のマークをフォトクロミックを塗布し
た第２物体面に第１フォトクロマークとして形成して基
準基板を作成し、該走査型露光装置を用いて第１物体面
上の複数のマークを該基準基板の第１フォトクロマーク
に対して位置合わせを行った後、該基準基板に該複数の
マークに基づく第２フォトクロマークを形成し、該第１
フォトクロマークと第２フォトクロマークとの位置情報
を検出して双方の相対的なずれ量を計測し、該ずれ量を
補正して走査投影露光していることを特徴とする投影露
光システム。 - 【請求項１１】 請求項１〜６，８，９のいずれか１項
記載の走査型露光装置を用いてレチクル面上のパターン
をウエハ面上に投影露光する工程を介してデバイスを製
造していることを特徴とするデバイスの製造方法。 - 【請求項１２】 請求項７又は１０の投影露光システム
を用いてレチクル面上のパターンをウエハ面上に投影露
光する工程を介してデバイスを製造していることを特徴
とするデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31002496A JP3530692B2 (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31002496A JP3530692B2 (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144598A JPH10144598A (ja) | 1998-05-29 |
| JP3530692B2 true JP3530692B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=18000248
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31002496A Expired - Fee Related JP3530692B2 (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
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1996
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