JP3356041B2 - リン化ガリウム緑色発光素子 - Google Patents
リン化ガリウム緑色発光素子Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリン化ガリウム（Ｇ
ａＰ）緑色発光素子に係わり、特に電気特性の改良され
た、および／または高輝度を得るために改良されたＧａ
Ｐ緑色発光ダイオードに関する。
ａＰ）緑色発光素子に係わり、特に電気特性の改良され
た、および／または高輝度を得るために改良されたＧａ
Ｐ緑色発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】緑色発光するＧａＰ発光ダイオードは、
現在様々な表示装置等に広く用いられている。また、近
年ＧａＰ緑色発光ダイオードの進歩は目覚ましく、年々
高輝度のものが開発されている。そして、そのような高
輝度化に伴いＧａＰ緑色発光ダイオードの応用範囲は極
めて広範囲にわたるに至ったが、その応用範囲の一層の
拡大を図るためには、さらなる高輝度発光ダイオードの
開発が望まれている。また、市場の需要を満たし安価な
ＧａＰ緑色発光ダイオードを安定して供給するために、
特性不良が発生する割合を極力低減させた構造の発光ダ
イオードの開発が望まれている。
現在様々な表示装置等に広く用いられている。また、近
年ＧａＰ緑色発光ダイオードの進歩は目覚ましく、年々
高輝度のものが開発されている。そして、そのような高
輝度化に伴いＧａＰ緑色発光ダイオードの応用範囲は極
めて広範囲にわたるに至ったが、その応用範囲の一層の
拡大を図るためには、さらなる高輝度発光ダイオードの
開発が望まれている。また、市場の需要を満たし安価な
ＧａＰ緑色発光ダイオードを安定して供給するために、
特性不良が発生する割合を極力低減させた構造の発光ダ
イオードの開発が望まれている。
【０００３】従来用いられているＧａＰ緑色発光ダイオ
ードの一般的な構造を図２（ａ）に示す。図２（ａ）に
おいて１１はｎ型ＧａＰ単結晶基板、１２は窒素（Ｎ）
をドープしないｎ型ＧａＰ層（ｎ１層）、１３は窒素を
ドープしたｎ型ＧａＰ層（ｎ２層）、１４はｐ型ＧａＰ
層である。また、１５はｐ電極、１６はｎ電極である。
ードの一般的な構造を図２（ａ）に示す。図２（ａ）に
おいて１１はｎ型ＧａＰ単結晶基板、１２は窒素（Ｎ）
をドープしないｎ型ＧａＰ層（ｎ１層）、１３は窒素を
ドープしたｎ型ＧａＰ層（ｎ２層）、１４はｐ型ＧａＰ
層である。また、１５はｐ電極、１６はｎ電極である。
【０００４】図２（ａ）に示したＧａＰ緑色発光ダイオ
ードにおいて、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１１は、液体封止
チョクラルスキー法で製造され、Ｓ、Ｔｅ、Ｓｉ等のｎ
型ドーパントが添加されて、およそ１〜２０×１０17ｃ
ｍ-3のドナー濃度を有しているものが一般に用いられ
る。
ードにおいて、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１１は、液体封止
チョクラルスキー法で製造され、Ｓ、Ｔｅ、Ｓｉ等のｎ
型ドーパントが添加されて、およそ１〜２０×１０17ｃ
ｍ-3のドナー濃度を有しているものが一般に用いられ
る。
【０００５】また、ＧａＰ層１２、１３、１４は、通
常、液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ法）により積層
される。窒素（Ｎ）をドープしないｎ型ＧａＰ層（ｎ１
層）１２は、通常ｎ型ドーパントとしてＳｉが添加され
て、およそ０．５〜１０×１０17ｃｍ-3のドナー濃度を
有するものとなっている。ｎ１層１２は、基板の結晶欠
陥が発光層である窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層１３の
結晶性に悪影響を及ぼすのを緩和する目的で設けられ
る。窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層（ｎ２層）１３は、
発光層となる。ＧａＰ緑色発光ダイオードの輝度を高く
するためには、このｎ２層１３のドナー濃度は低くする
ことが望ましいため、およそ１〜５×１０16ｃｍ-3のド
ナー濃度に設定されるのが普通である。ｎ２層１３の主
なｎ型ドーパントは通常Ｓｉである。また、ｎ２層１３
には、液相エピタキシャル成長の過程で系にアンモニア
ガスを供給することにより、２×１０18ｃｍ-3程度の窒
素が添加される。ｐ型ＧａＰ層１４は、Ｚｎ等のｐ型ド
ーパントが添加され、およそ５〜２０×１０17ｃｍ-3の
アクセプタ濃度に設定されるのが普通である。またｐ型
ＧａＰ層１４は、通常ｎ２層１３に引き続き積層される
ため、２×１０18ｃｍ-3程度の窒素が添加されている。
常、液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ法）により積層
される。窒素（Ｎ）をドープしないｎ型ＧａＰ層（ｎ１
層）１２は、通常ｎ型ドーパントとしてＳｉが添加され
て、およそ０．５〜１０×１０17ｃｍ-3のドナー濃度を
有するものとなっている。ｎ１層１２は、基板の結晶欠
陥が発光層である窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層１３の
結晶性に悪影響を及ぼすのを緩和する目的で設けられ
る。窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層（ｎ２層）１３は、
発光層となる。ＧａＰ緑色発光ダイオードの輝度を高く
するためには、このｎ２層１３のドナー濃度は低くする
ことが望ましいため、およそ１〜５×１０16ｃｍ-3のド
ナー濃度に設定されるのが普通である。ｎ２層１３の主
なｎ型ドーパントは通常Ｓｉである。また、ｎ２層１３
には、液相エピタキシャル成長の過程で系にアンモニア
ガスを供給することにより、２×１０18ｃｍ-3程度の窒
素が添加される。ｐ型ＧａＰ層１４は、Ｚｎ等のｐ型ド
ーパントが添加され、およそ５〜２０×１０17ｃｍ-3の
アクセプタ濃度に設定されるのが普通である。またｐ型
ＧａＰ層１４は、通常ｎ２層１３に引き続き積層される
ため、２×１０18ｃｍ-3程度の窒素が添加されている。
【０００６】上記の構造のＧａＰ緑色発光ダイオードに
おける代表的な不純物濃度の分布を図２（ｂ）に示し
た。なお、上記のようなＧａＰ緑色発光ダイオードの構
成は、例えば特公昭５７−５４９５１に開示されてい
る。
おける代表的な不純物濃度の分布を図２（ｂ）に示し
た。なお、上記のようなＧａＰ緑色発光ダイオードの構
成は、例えば特公昭５７−５４９５１に開示されてい
る。
【０００７】ＧａＰ緑色発光ダイオードは、ｎ型ＧａＰ
単結晶基板上にＬＰＥ法により上記のようなＧａＰエピ
タキシャル層を積層した後、該エピタキシャルウエハの
ｎ型面とｐ型面にそれぞれ、ＡｕＧｅまたはＡｕＳｉ、
ＡｕＢｅまたはＡｕＺｎのＡｕ合金を蒸着し、熱処理を
施し、写真蝕刻によって図２（ａ）に示したｐ電極１
５、ｎ電極１６を形成し、その後素子に分離することに
より得られる。
単結晶基板上にＬＰＥ法により上記のようなＧａＰエピ
タキシャル層を積層した後、該エピタキシャルウエハの
ｎ型面とｐ型面にそれぞれ、ＡｕＧｅまたはＡｕＳｉ、
ＡｕＢｅまたはＡｕＺｎのＡｕ合金を蒸着し、熱処理を
施し、写真蝕刻によって図２（ａ）に示したｐ電極１
５、ｎ電極１６を形成し、その後素子に分離することに
より得られる。
【０００８】上述のようなＧａＰ緑色発光ダイオードに
おいて、高輝度を得るために窒素をドープしたｎ型Ｇａ
Ｐ層のドナー濃度を低くする必要がある理由としては、
特公昭５７−５４９５１には、ｎ型ＧａＰ層中のドナー
濃度と窒素原子濃度との間に逆相関があり、ドナー濃度
を下げることによりｎ型ＧａＰ層中の窒素原子濃度を高
くすることができるためであると説明されている。すな
わち、ＧａＰ緑色発光ダイオードにおいては、ＧａＰ層
中の窒素が発光中心として働く。また、ＧａＰ緑色発光
ダイオードにおいて、発光層はｎ２層である。そのた
め、発光層であるｎ２層中のドナー濃度を低くし窒素原
子の濃度を高くすることにより、発光ダイオードの輝度
を高くすることができるのである。
おいて、高輝度を得るために窒素をドープしたｎ型Ｇａ
Ｐ層のドナー濃度を低くする必要がある理由としては、
特公昭５７−５４９５１には、ｎ型ＧａＰ層中のドナー
濃度と窒素原子濃度との間に逆相関があり、ドナー濃度
を下げることによりｎ型ＧａＰ層中の窒素原子濃度を高
くすることができるためであると説明されている。すな
わち、ＧａＰ緑色発光ダイオードにおいては、ＧａＰ層
中の窒素が発光中心として働く。また、ＧａＰ緑色発光
ダイオードにおいて、発光層はｎ２層である。そのた
め、発光層であるｎ２層中のドナー濃度を低くし窒素原
子の濃度を高くすることにより、発光ダイオードの輝度
を高くすることができるのである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、特性不
良、特に電気特性の不良が発生する割合を極力低減させ
た構造のＧａＰ緑色発光ダイオードを開発するために、
様々な試験、検討を行ってきた。従来のＧａＰ緑色発光
ダイオードで問題になっていた電気特性の不良のひとつ
に、サイリスタの発生がある。すなわち従来は、ＬＰＥ
法で製造したＧａＰ緑色発光ダイオードにある割合で何
らかの原因によりｐｎｐｎ構造（サイリスタ構造）が生
じ、電気特性において負性抵抗を示すようになるため不
良となっていた。
良、特に電気特性の不良が発生する割合を極力低減させ
た構造のＧａＰ緑色発光ダイオードを開発するために、
様々な試験、検討を行ってきた。従来のＧａＰ緑色発光
ダイオードで問題になっていた電気特性の不良のひとつ
に、サイリスタの発生がある。すなわち従来は、ＬＰＥ
法で製造したＧａＰ緑色発光ダイオードにある割合で何
らかの原因によりｐｎｐｎ構造（サイリスタ構造）が生
じ、電気特性において負性抵抗を示すようになるため不
良となっていた。
【００１０】本発明者らは、ＬＰＥ法により製造された
ＧａＰ緑色発光ダイオードにある割合でサイリスタが発
生する原因の解明を行った。まず、サイリスタとなった
素子の構造について解析を行った。その結果、サイリス
タとなった素子の構造は図３（ａ）のようになってい
た。図３（ａ）において、３１、３２、３３、３４、３
５、３６は、それぞれ図２（ａ）の１１、１２、１３、
１４、１５、１６に対応する部分である。図３（ａ）に
示したサイリスタとなった素子は、窒素（Ｎ）をドープ
しないｎ型ＧａＰ層（ｎ１層）３２と窒素をドープした
ｎ型ＧａＰ層（ｎ２層）３３の界面付近のｎ２層の部分
にｐ型ＧａＰ反転層３７が形成されている点が、図２
（ａ）に示した通常のＧａＰ緑色発光ダイオードと相違
していた。この結果から、サイリスタとなった素子がｐ
ｎｐｎ構造となっていることがわかる。
ＧａＰ緑色発光ダイオードにある割合でサイリスタが発
生する原因の解明を行った。まず、サイリスタとなった
素子の構造について解析を行った。その結果、サイリス
タとなった素子の構造は図３（ａ）のようになってい
た。図３（ａ）において、３１、３２、３３、３４、３
５、３６は、それぞれ図２（ａ）の１１、１２、１３、
１４、１５、１６に対応する部分である。図３（ａ）に
示したサイリスタとなった素子は、窒素（Ｎ）をドープ
しないｎ型ＧａＰ層（ｎ１層）３２と窒素をドープした
ｎ型ＧａＰ層（ｎ２層）３３の界面付近のｎ２層の部分
にｐ型ＧａＰ反転層３７が形成されている点が、図２
（ａ）に示した通常のＧａＰ緑色発光ダイオードと相違
していた。この結果から、サイリスタとなった素子がｐ
ｎｐｎ構造となっていることがわかる。
【００１１】次に本発明者らは、ｐ型ＧａＰ反転層３７
が形成される原因を解析するため、二次イオン質量分析
（ＳＩＭＳ）によりサイリスタとなった素子の深さ方向
の不純物濃度分布を調べた。サイリスタとなった素子の
不純物濃度の代表的な分布は図３（ｂ）のようになって
いた。すなわち、ｐ型ＧａＰ反転層３７では、アクセプ
ター不純物である炭素（Ｃ）の濃度がドナー不純物であ
るシリコン（Ｓｉ）の濃度より過剰となっていた。この
結果から、サイリスタとなった素子においては、ｎ１層
とｎ２層との界面付近のｎ２層の部分で炭素（Ｃ）濃度
がシリコン（Ｓｉ）濃度より過剰になる結果、ｐ型Ｇａ
Ｐ反転層が形成され、ｐｎｐｎ構造となることが判明し
た。
が形成される原因を解析するため、二次イオン質量分析
（ＳＩＭＳ）によりサイリスタとなった素子の深さ方向
の不純物濃度分布を調べた。サイリスタとなった素子の
不純物濃度の代表的な分布は図３（ｂ）のようになって
いた。すなわち、ｐ型ＧａＰ反転層３７では、アクセプ
ター不純物である炭素（Ｃ）の濃度がドナー不純物であ
るシリコン（Ｓｉ）の濃度より過剰となっていた。この
結果から、サイリスタとなった素子においては、ｎ１層
とｎ２層との界面付近のｎ２層の部分で炭素（Ｃ）濃度
がシリコン（Ｓｉ）濃度より過剰になる結果、ｐ型Ｇａ
Ｐ反転層が形成され、ｐｎｐｎ構造となることが判明し
た。
【００１２】ＧａＰ緑色発光ダイオードの輝度を向上さ
せるために、ｎ２層のドナー濃度は通常ｎ１層と比較し
て低く設定される。また、ｎ２層の主なドナー不純物で
あるＳｉの偏析係数は負の温度依存性があるため、Ｇａ
Ｐエピタキシャル層中に含まれるＳｉの濃度は高温で成
長した部分で低くなり、低温で成長した部分で高くな
る。そのため、ｎ２層内でもＳｉ不純物濃度はｎ１層と
の界面近傍では低く、またｐ型ＧａＰ層との界面近傍で
は高くなる。通常のＧａＰ緑色発光素子では、ｎ２層の
ドナー不純物濃度は、ｎ１層との界面近傍で１〜３×１
０16ｃｍ-3程度であり、ｐ型ＧａＰ層との界面近傍では
２〜５×１０16ｃｍ-3程度である。そのため、従来のよ
うにＧａＰ層内にバックグラウンドレベルとして８〜２
０×１０15ｃｍ-3程度の炭素が含まれる場合、ｎ２層内
のｎ１層との界面近傍でｐ反転層が形成される場合があ
り、その結果サイリスタが発生していた。
せるために、ｎ２層のドナー濃度は通常ｎ１層と比較し
て低く設定される。また、ｎ２層の主なドナー不純物で
あるＳｉの偏析係数は負の温度依存性があるため、Ｇａ
Ｐエピタキシャル層中に含まれるＳｉの濃度は高温で成
長した部分で低くなり、低温で成長した部分で高くな
る。そのため、ｎ２層内でもＳｉ不純物濃度はｎ１層と
の界面近傍では低く、またｐ型ＧａＰ層との界面近傍で
は高くなる。通常のＧａＰ緑色発光素子では、ｎ２層の
ドナー不純物濃度は、ｎ１層との界面近傍で１〜３×１
０16ｃｍ-3程度であり、ｐ型ＧａＰ層との界面近傍では
２〜５×１０16ｃｍ-3程度である。そのため、従来のよ
うにＧａＰ層内にバックグラウンドレベルとして８〜２
０×１０15ｃｍ-3程度の炭素が含まれる場合、ｎ２層内
のｎ１層との界面近傍でｐ反転層が形成される場合があ
り、その結果サイリスタが発生していた。
【００１３】本発明は、サイリスタによる電気特性の不
良が発生する割合を極力低減させた構造のＧａＰ緑色発
光ダイオードを提供することを第１の目的とする。
良が発生する割合を極力低減させた構造のＧａＰ緑色発
光ダイオードを提供することを第１の目的とする。
【００１４】また本発明者らは、ＧａＰ緑色発光ダイオ
ードに対する更なる高輝度化の要求に答えるため、様々
な試験、検討を行ってきた。従来ドナー濃度が１×１０
16ｃｍ-3以上の領域では、発光層であるｎ２層のドナー
濃度と発光ダイオードの輝度との間には相関があり、ｎ
２層中のドナー濃度を下げることにより発光ダイオード
の高輝度化が果たせることがわかっていた。
ードに対する更なる高輝度化の要求に答えるため、様々
な試験、検討を行ってきた。従来ドナー濃度が１×１０
16ｃｍ-3以上の領域では、発光層であるｎ２層のドナー
濃度と発光ダイオードの輝度との間には相関があり、ｎ
２層中のドナー濃度を下げることにより発光ダイオード
の高輝度化が果たせることがわかっていた。
【００１５】窒素を添加したｎ型ＧａＰ層のドナー濃度
を下げる手段としては、従来は該層にドナー不純物を故
意に添加しない方法が用いられていた。ｎ２層にドナー
不純物を故意に添加しない場合、該層のドナー濃度は主
に、（１）基板からエピタキシャル成長用のＧａ溶液中
に溶け出したドナー不純物、（２）エピタキシャル成長
炉の反応管である石英ガラス（ＳｉＯ2 ）がＨ2 ガスに
より還元されて生成し、Ｇａ溶液中に混入したＳｉ、の
量によって決まる。
を下げる手段としては、従来は該層にドナー不純物を故
意に添加しない方法が用いられていた。ｎ２層にドナー
不純物を故意に添加しない場合、該層のドナー濃度は主
に、（１）基板からエピタキシャル成長用のＧａ溶液中
に溶け出したドナー不純物、（２）エピタキシャル成長
炉の反応管である石英ガラス（ＳｉＯ2 ）がＨ2 ガスに
より還元されて生成し、Ｇａ溶液中に混入したＳｉ、の
量によって決まる。
【００１６】反応管である石英ガラスがＨ2 ガスに還元
されてＧａ溶液中に混入したＳｉは、ｎ２層の成長の際
には、窒素とシリコンの反応によりＳｉ3 Ｎ4 を形成
し、大部分がＧａ溶液より除外される。そのため、ｎ２
層中に取り込まれるＳｉの濃度はおよそ１〜２×１０16
ｃｍ-3となる。また、基板のｎ型ドーパントがイオウ
（Ｓ）の場合、基板から溶け出したＳによるｎ２層中の
Ｓの濃度はおよそ１〜３×１０16ｃｍ-3となる。
されてＧａ溶液中に混入したＳｉは、ｎ２層の成長の際
には、窒素とシリコンの反応によりＳｉ3 Ｎ4 を形成
し、大部分がＧａ溶液より除外される。そのため、ｎ２
層中に取り込まれるＳｉの濃度はおよそ１〜２×１０16
ｃｍ-3となる。また、基板のｎ型ドーパントがイオウ
（Ｓ）の場合、基板から溶け出したＳによるｎ２層中の
Ｓの濃度はおよそ１〜３×１０16ｃｍ-3となる。
【００１７】従来は一般に、基板から溶け出すＳがｎ２
層のドナー濃度を下げられない主な要因であった。その
ため、特開平６−１２０５６１には、基板とｎ１層との
間にＴｅ等をドーパントとするｎ型ＧａＰバッファ層を
積層し、該バッファ層中のＳの濃度を下げることによ
り、基板からｎ２層に混入するＳの量を極力減少させる
方法が記載されている。このようにして得られたＧａＰ
緑色発光ダイオードでは、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ
層の主要なドナー不純物はＳｉであり、その濃度は１〜
２×１０16ｃｍ-3程度である。また、このようにして得
られたＧａＰ緑色発光ダイオードのｎ２層中にはＳがお
よそ１×１０16ｃｍ-3程度含まれていた。
層のドナー濃度を下げられない主な要因であった。その
ため、特開平６−１２０５６１には、基板とｎ１層との
間にＴｅ等をドーパントとするｎ型ＧａＰバッファ層を
積層し、該バッファ層中のＳの濃度を下げることによ
り、基板からｎ２層に混入するＳの量を極力減少させる
方法が記載されている。このようにして得られたＧａＰ
緑色発光ダイオードでは、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ
層の主要なドナー不純物はＳｉであり、その濃度は１〜
２×１０16ｃｍ-3程度である。また、このようにして得
られたＧａＰ緑色発光ダイオードのｎ２層中にはＳがお
よそ１×１０16ｃｍ-3程度含まれていた。
【００１８】本発明者らは、ＧａＰ緑色発光ダイオード
を高輝度化するため、更なる検討を行った。その結果、
本発明者らは、特開平６−１２０５６１に記載された方
法により窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層中のＳ濃度を下
げることにより、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層中にＳ
ｉとＳが共に存在するが、Ｓｉが主なドナー不純物とな
っている場合でも、該層中のＳが発光ダイオードの輝度
に影響を与えていることを見出した。すなわち、窒素を
ドープしたｎ型ＧａＰ層中にＳｉが１〜２×１０16ｃｍ
-3程度存在し、これに対して、該層中にＳが１×１０16
ｃｍ-3程度存在するような場合でも、Ｓの濃度によって
ＧａＰ緑色発光素子の輝度が変化し、Ｓ濃度が低いほど
輝度が向上することを見出した。
を高輝度化するため、更なる検討を行った。その結果、
本発明者らは、特開平６−１２０５６１に記載された方
法により窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層中のＳ濃度を下
げることにより、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層中にＳ
ｉとＳが共に存在するが、Ｓｉが主なドナー不純物とな
っている場合でも、該層中のＳが発光ダイオードの輝度
に影響を与えていることを見出した。すなわち、窒素を
ドープしたｎ型ＧａＰ層中にＳｉが１〜２×１０16ｃｍ
-3程度存在し、これに対して、該層中にＳが１×１０16
ｃｍ-3程度存在するような場合でも、Ｓの濃度によって
ＧａＰ緑色発光素子の輝度が変化し、Ｓ濃度が低いほど
輝度が向上することを見出した。
【００１９】本発明は、ＧａＰ緑色発光素子において、
Ｓ不純物が窒素を添加したｎ型ＧａＰ層（ｎ２層）に混
入するのを防止し、Ｓ不純物濃度が６×１０15ｃｍ-3以
下に制御されたｎ２層を得ることにより、ｎ２層中のＳ
濃度が１×１０16ｃｍ-3以下の領域でｎ２層中のＳ濃度
と発光ダイオードの輝度との相関を明確にし、輝度の向
上したＧａＰ緑色発光素子を提供することを第２の目的
とする。
Ｓ不純物が窒素を添加したｎ型ＧａＰ層（ｎ２層）に混
入するのを防止し、Ｓ不純物濃度が６×１０15ｃｍ-3以
下に制御されたｎ２層を得ることにより、ｎ２層中のＳ
濃度が１×１０16ｃｍ-3以下の領域でｎ２層中のＳ濃度
と発光ダイオードの輝度との相関を明確にし、輝度の向
上したＧａＰ緑色発光素子を提供することを第２の目的
とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、ｎ型ＧａＰ単
結晶基板上に、少なくとも、窒素（Ｎ）をドープしない
ｎ型ＧａＰ層、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層およびｐ
型ＧａＰ層が順次積層されてなるリン化ガリウム（Ｇａ
Ｐ）緑色発光素子において、窒素をドープしたｎ型Ｇａ
Ｐ層中の炭素（Ｃ）濃度が６×１０15ｃｍ-3以下である
ことを特徴とする。また本発明は、ｎ型ＧａＰ単結晶基
板上に、少なくとも、窒素（Ｎ）をドープしないｎ型Ｇ
ａＰ層、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層およびｐ型Ｇａ
Ｐ層が順次積層されてなるリン化ガリウム（ＧａＰ）緑
色発光素子において、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層中
のイオウ（Ｓ）濃度が６×１０15ｃｍ-3以下であること
を特徴とする。また本発明は、上記のリン化ガリウム緑
色発光素子において、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層中
の炭素（Ｃ）濃度が６×１０15ｃｍ-3以下であり、かつ
イオウ（Ｓ）濃度が６×１０15ｃｍ-3以下であることを
特徴とする。また、本発明の実施に当たっては、窒素を
ドープしたｎ型ＧａＰ層中のＳｉ濃度は１〜２×１０16
ｃｍ-3であることが望ましい。
結晶基板上に、少なくとも、窒素（Ｎ）をドープしない
ｎ型ＧａＰ層、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層およびｐ
型ＧａＰ層が順次積層されてなるリン化ガリウム（Ｇａ
Ｐ）緑色発光素子において、窒素をドープしたｎ型Ｇａ
Ｐ層中の炭素（Ｃ）濃度が６×１０15ｃｍ-3以下である
ことを特徴とする。また本発明は、ｎ型ＧａＰ単結晶基
板上に、少なくとも、窒素（Ｎ）をドープしないｎ型Ｇ
ａＰ層、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層およびｐ型Ｇａ
Ｐ層が順次積層されてなるリン化ガリウム（ＧａＰ）緑
色発光素子において、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層中
のイオウ（Ｓ）濃度が６×１０15ｃｍ-3以下であること
を特徴とする。また本発明は、上記のリン化ガリウム緑
色発光素子において、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層中
の炭素（Ｃ）濃度が６×１０15ｃｍ-3以下であり、かつ
イオウ（Ｓ）濃度が６×１０15ｃｍ-3以下であることを
特徴とする。また、本発明の実施に当たっては、窒素を
ドープしたｎ型ＧａＰ層中のＳｉ濃度は１〜２×１０16
ｃｍ-3であることが望ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】第１の目的を達成するために、本
発明者らはｎ２層に混入する炭素の混入源の解明を行っ
た。炭素の混入源としては、エピタキシャル成長装置の
材料である黒鉛や原材料中に不純物として含まれる炭素
などが考えられる。
発明者らはｎ２層に混入する炭素の混入源の解明を行っ
た。炭素の混入源としては、エピタキシャル成長装置の
材料である黒鉛や原材料中に不純物として含まれる炭素
などが考えられる。
【００２２】本発明者らは、まずエピタキシャル成長装
置の材料を黒鉛から石英（ＳｉＯ2）或いは窒化ホウ素
（ＢＮ）に変更して、ＧａＰエピタキシャル層中の炭素
濃度が変化するか調べた。しかし、エピタキシャル成長
装置の材料を石英或いは窒化ホウ素に変更して成長した
ＧａＰエピタキシャル層中の炭素濃度は、成長装置が黒
鉛の場合とほぼ同じであった。この結果から、エピタキ
シャル成長装置の黒鉛はＧａＰエピタキシャル層に炭素
が混入する主な原因ではないと考えられた。
置の材料を黒鉛から石英（ＳｉＯ2）或いは窒化ホウ素
（ＢＮ）に変更して、ＧａＰエピタキシャル層中の炭素
濃度が変化するか調べた。しかし、エピタキシャル成長
装置の材料を石英或いは窒化ホウ素に変更して成長した
ＧａＰエピタキシャル層中の炭素濃度は、成長装置が黒
鉛の場合とほぼ同じであった。この結果から、エピタキ
シャル成長装置の黒鉛はＧａＰエピタキシャル層に炭素
が混入する主な原因ではないと考えられた。
【００２３】次に本発明者らは、ＧａＰのエピタキシャ
ル成長に用いる原料中に含まれる炭素不純物に着目し、
調査を行った。その結果、原料として用いられるＧａＰ
多結晶中に含まれる炭素不純物の濃度とＧａＰエピタキ
シャル層中の炭素濃度の間には図１に黒丸●で示したよ
うな相関があることを見出した。図１に黒丸●で示した
結果から、ＧａＰ多結晶中の炭素濃度を下げることによ
りＧａＰエピタキシャル層中の炭素濃度を低減すること
が出来ることが判明した。
ル成長に用いる原料中に含まれる炭素不純物に着目し、
調査を行った。その結果、原料として用いられるＧａＰ
多結晶中に含まれる炭素不純物の濃度とＧａＰエピタキ
シャル層中の炭素濃度の間には図１に黒丸●で示したよ
うな相関があることを見出した。図１に黒丸●で示した
結果から、ＧａＰ多結晶中の炭素濃度を下げることによ
りＧａＰエピタキシャル層中の炭素濃度を低減すること
が出来ることが判明した。
【００２４】そこで本発明者らは、ＧａＰのエピタキシ
ャル成長の原料に用いるＧａＰ多結晶の製造方法から検
討を行った。通常ＧａＰの液相エピタキシャル成長が実
施される８００〜１０００℃の温度では、エピタキシャ
ル成長装置の黒鉛がエピタキシャル成長用のＧａ溶液に
溶解することはほとんど無い。ところがＧａＰ多結晶の
製造は１５００℃程度の高い温度で行われるため、多結
晶成長用の黒鉛製容器から炭素がＧａＰ融液に溶け込む
ものと考えられる。その結果、従来はＧａＰ多結晶中に
は炭素が５〜３０×１０17ｃｍ-3程度存在していた。
ャル成長の原料に用いるＧａＰ多結晶の製造方法から検
討を行った。通常ＧａＰの液相エピタキシャル成長が実
施される８００〜１０００℃の温度では、エピタキシャ
ル成長装置の黒鉛がエピタキシャル成長用のＧａ溶液に
溶解することはほとんど無い。ところがＧａＰ多結晶の
製造は１５００℃程度の高い温度で行われるため、多結
晶成長用の黒鉛製容器から炭素がＧａＰ融液に溶け込む
ものと考えられる。その結果、従来はＧａＰ多結晶中に
は炭素が５〜３０×１０17ｃｍ-3程度存在していた。
【００２５】そこで本発明者らは、ＧａＰ多結晶の合成
を熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）製の容器で行うよう変更
し、ＧａＰ多結晶中の炭素濃度を従来の５〜３０×１０
17ｃｍ-3から１×１０17ｃｍ-3以下に大幅に低減した。
このように炭素不純物濃度を低減したＧａＰ多結晶をエ
ピタキシャル成長の原料として用いることにより、図１
に白丸○で示したようにｎ２層中の炭素濃度を従来の８
〜２０×１０15ｃｍ-3程度から６×１０15ｃｍ-3以下に
低減することが出来た。
を熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）製の容器で行うよう変更
し、ＧａＰ多結晶中の炭素濃度を従来の５〜３０×１０
17ｃｍ-3から１×１０17ｃｍ-3以下に大幅に低減した。
このように炭素不純物濃度を低減したＧａＰ多結晶をエ
ピタキシャル成長の原料として用いることにより、図１
に白丸○で示したようにｎ２層中の炭素濃度を従来の８
〜２０×１０15ｃｍ-3程度から６×１０15ｃｍ-3以下に
低減することが出来た。
【００２６】図１はＧａＰ多結晶中の炭素濃度とそのＧ
ａＰ多結晶を使ったＧａＰエピタキシャル層中の炭素濃
度の関係を示した図であり、黒丸●は、従来のＧａＰ多
結晶の製造を黒鉛製容器で行った場合のＧａＰ多結晶中
の炭素濃度とそのＧａＰ多結晶を使ったＧａＰエピタキ
シャル層中の炭素濃度を示し、白丸○は、本発明者の改
良によるＧａＰ多結晶の製造をＰＢＮ製容器で行った場
合のＧａＰ多結晶中の炭素濃度とそのＧａＰ多結晶を使
ったＧａＰエピタキシャル層中の炭素濃度を示してい
る。
ａＰ多結晶を使ったＧａＰエピタキシャル層中の炭素濃
度の関係を示した図であり、黒丸●は、従来のＧａＰ多
結晶の製造を黒鉛製容器で行った場合のＧａＰ多結晶中
の炭素濃度とそのＧａＰ多結晶を使ったＧａＰエピタキ
シャル層中の炭素濃度を示し、白丸○は、本発明者の改
良によるＧａＰ多結晶の製造をＰＢＮ製容器で行った場
合のＧａＰ多結晶中の炭素濃度とそのＧａＰ多結晶を使
ったＧａＰエピタキシャル層中の炭素濃度を示してい
る。
【００２７】本発明者らは以上の知見に基づき、ｎ２層
中に含まれる炭素不純物の濃度を６×１０15ｃｍ-3以下
とすることにより、ｎ２層内のｎ１層との界面近傍でｐ
反転層が形成されるのを防止し、ＧａＰ緑色発光ダイオ
ードにおいてサイリスタの発生する割合をほとんど０に
することができた。
中に含まれる炭素不純物の濃度を６×１０15ｃｍ-3以下
とすることにより、ｎ２層内のｎ１層との界面近傍でｐ
反転層が形成されるのを防止し、ＧａＰ緑色発光ダイオ
ードにおいてサイリスタの発生する割合をほとんど０に
することができた。
【００２８】また本発明者らは、第２の目的を達成する
ために、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層のＳ濃度を下げ
るための研究を行った。ところが、従来の方法では、Ｓ
濃度を６×１０15ｃｍ-3以下にすることが不可能であっ
た。すなわち、従来のようにバッファ層により基板から
Ｓがｎ２層に混入するのを防止し、ｎ２層のＳ不純物の
濃度を下げても、得られるｎ２層中のＳ不純物の最低レ
ベルは０．７〜１×１０16ｃｍ-3程度が限界であり、Ｓ
濃度を６×１０15ｃｍ-3以下に制御することは不可能で
あった。
ために、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層のＳ濃度を下げ
るための研究を行った。ところが、従来の方法では、Ｓ
濃度を６×１０15ｃｍ-3以下にすることが不可能であっ
た。すなわち、従来のようにバッファ層により基板から
Ｓがｎ２層に混入するのを防止し、ｎ２層のＳ不純物の
濃度を下げても、得られるｎ２層中のＳ不純物の最低レ
ベルは０．７〜１×１０16ｃｍ-3程度が限界であり、Ｓ
濃度を６×１０15ｃｍ-3以下に制御することは不可能で
あった。
【００２９】本発明者らは、窒素をドープしたｎ型Ｇａ
Ｐ層のＳ濃度が６×１０15ｃｍ-3以下に下がらない原因
について、様々なＳの混入源を想定し、その解明を行っ
た。その結果、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層への主な
Ｓの混入源は、ＧａＰ層のエピタキシャル成長に用いる
原材料であった。
Ｐ層のＳ濃度が６×１０15ｃｍ-3以下に下がらない原因
について、様々なＳの混入源を想定し、その解明を行っ
た。その結果、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層への主な
Ｓの混入源は、ＧａＰ層のエピタキシャル成長に用いる
原材料であった。
【００３０】そこで本発明者らは、ＧａＰ層のエピタキ
シャル成長に用いられる原料、特にＧａ金属について
は、純度を９９．９９９９％以上とし、さらにエピタキ
シャル成長工程に用いる前におよそ１０５０℃程度の温
度で減圧雰囲気下あるいはＨ2雰囲気下で空焼き処理を
することにした。また、エピタキシャル成長の雰囲気を
形成するＨ2 ないしはアルゴン等の雰囲気ガスは、市販
されている高純度ガスについてさらに使用前に精製装置
を用いて純化処理し、反応炉に供給することにした。ま
た、エピタキシャル成長装置の材料となる黒鉛について
も、高純度のものを使用し、さらに実際にエピタキシャ
ル成長に使用する前に、１２００℃程度の高温で例えば
塩化水素（ＨＣｌ）ガス雰囲気中で空焼きを行い、純化
処理することにした。また、エピタキシャル成長に用い
るＧａＰ単結晶基板の使用前の洗浄等についても、高純
度の薬品を用いてエッチング等の処理を行い、さらに超
純水により十分に洗浄を行うことにした。
シャル成長に用いられる原料、特にＧａ金属について
は、純度を９９．９９９９％以上とし、さらにエピタキ
シャル成長工程に用いる前におよそ１０５０℃程度の温
度で減圧雰囲気下あるいはＨ2雰囲気下で空焼き処理を
することにした。また、エピタキシャル成長の雰囲気を
形成するＨ2 ないしはアルゴン等の雰囲気ガスは、市販
されている高純度ガスについてさらに使用前に精製装置
を用いて純化処理し、反応炉に供給することにした。ま
た、エピタキシャル成長装置の材料となる黒鉛について
も、高純度のものを使用し、さらに実際にエピタキシャ
ル成長に使用する前に、１２００℃程度の高温で例えば
塩化水素（ＨＣｌ）ガス雰囲気中で空焼きを行い、純化
処理することにした。また、エピタキシャル成長に用い
るＧａＰ単結晶基板の使用前の洗浄等についても、高純
度の薬品を用いてエッチング等の処理を行い、さらに超
純水により十分に洗浄を行うことにした。
【００３１】本発明者らは、上記の方法を総合的に行う
ことにより、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層のＳ濃度を
６×１０15ｃｍ-3以下に制御することを初めて可能にし
た。上述の方法により得られた窒素をドープしたｎ型Ｇ
ａＰ層中のイオウ（Ｓ）濃度が６×１０15ｃｍ-3以下で
あるＧａＰ緑色発光ダイオードの、窒素をドープしたｎ
型ＧａＰ層中のＳ濃度と輝度との関係を図４に白丸○で
示す。また同時に、従来の方法により得られた窒素をド
ープしたｎ型ＧａＰ層中のＳ濃度が７×１０15ｃｍ-3以
上であるＧａＰ緑色発光ダイオードの、窒素をドープし
たｎ型ＧａＰ層中のＳ濃度と輝度との関係も図４に黒丸
●で示す。
ことにより、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層のＳ濃度を
６×１０15ｃｍ-3以下に制御することを初めて可能にし
た。上述の方法により得られた窒素をドープしたｎ型Ｇ
ａＰ層中のイオウ（Ｓ）濃度が６×１０15ｃｍ-3以下で
あるＧａＰ緑色発光ダイオードの、窒素をドープしたｎ
型ＧａＰ層中のＳ濃度と輝度との関係を図４に白丸○で
示す。また同時に、従来の方法により得られた窒素をド
ープしたｎ型ＧａＰ層中のＳ濃度が７×１０15ｃｍ-3以
上であるＧａＰ緑色発光ダイオードの、窒素をドープし
たｎ型ＧａＰ層中のＳ濃度と輝度との関係も図４に黒丸
●で示す。
【００３２】図４に示すように、窒素をドープしたｎ型
ＧａＰ層中のＳ濃度と輝度との間には、Ｓ濃度が２〜２
０×１０15ｃｍ-3の範囲で相関が見られ、Ｓ濃度を６×
１０15ｃｍ-3以下に制御することにより、Ｓ濃度が７〜
２０×１０15ｃｍ-3のＧａＰ緑色発光ダイオードに比較
して、発光ダイオードの輝度を２０〜５０％向上するこ
とが出来た。本発明は、上記の方法を用いることにより
初めて作製することが出来た窒素をドープしたｎ型Ｇａ
Ｐ層のＳ濃度を６×１０15ｃｍ-3以下とするＧａＰ緑色
発光素子である。
ＧａＰ層中のＳ濃度と輝度との間には、Ｓ濃度が２〜２
０×１０15ｃｍ-3の範囲で相関が見られ、Ｓ濃度を６×
１０15ｃｍ-3以下に制御することにより、Ｓ濃度が７〜
２０×１０15ｃｍ-3のＧａＰ緑色発光ダイオードに比較
して、発光ダイオードの輝度を２０〜５０％向上するこ
とが出来た。本発明は、上記の方法を用いることにより
初めて作製することが出来た窒素をドープしたｎ型Ｇａ
Ｐ層のＳ濃度を６×１０15ｃｍ-3以下とするＧａＰ緑色
発光素子である。
【００３３】さらに上記の結果より、窒素をドープした
ｎ型ＧａＰ層中のＣ濃度を６×１０15ｃｍ-3以下としか
つＳ濃度を６×１０15ｃｍ-3以下とすることにより、サ
イリスタが発生する割合を大幅に低減し、かつ輝度を従
来より高くすることができるＧａＰ緑色発光ダイオード
を得ることが出来た。
ｎ型ＧａＰ層中のＣ濃度を６×１０15ｃｍ-3以下としか
つＳ濃度を６×１０15ｃｍ-3以下とすることにより、サ
イリスタが発生する割合を大幅に低減し、かつ輝度を従
来より高くすることができるＧａＰ緑色発光ダイオード
を得ることが出来た。
【００３４】また、本発明の実施に当たっては、窒素を
ドープしたｎ型ＧａＰ層中のＳｉ濃度は１〜２×１０16
ｃｍ-3であることが望ましい。すなわち、窒素をドープ
したｎ型ＧａＰ層中のＳｉ濃度が２×１０16ｃｍ-3以上
であると、該ｎ型ＧａＰ層のドナー濃度が高いため、得
られるＧａＰ緑色発光ダイオードの輝度が低下する傾向
がある。逆に、本発明の実施に当たって、窒素をドープ
したｎ型ＧａＰ層中のＳｉ濃度を１×１０16ｃｍ-3以下
に下げると、該ｎ型ＧａＰ層中のＳ濃度を６×１０15ｃ
ｍ-3以下に制御することとあいまって、該ｎ型ＧａＰ層
のドナー濃度が低くなり過ぎ、該ｎ型ＧａＰ層中にｐ型
反転層が生成する可能性が生じる。
ドープしたｎ型ＧａＰ層中のＳｉ濃度は１〜２×１０16
ｃｍ-3であることが望ましい。すなわち、窒素をドープ
したｎ型ＧａＰ層中のＳｉ濃度が２×１０16ｃｍ-3以上
であると、該ｎ型ＧａＰ層のドナー濃度が高いため、得
られるＧａＰ緑色発光ダイオードの輝度が低下する傾向
がある。逆に、本発明の実施に当たって、窒素をドープ
したｎ型ＧａＰ層中のＳｉ濃度を１×１０16ｃｍ-3以下
に下げると、該ｎ型ＧａＰ層中のＳ濃度を６×１０15ｃ
ｍ-3以下に制御することとあいまって、該ｎ型ＧａＰ層
のドナー濃度が低くなり過ぎ、該ｎ型ＧａＰ層中にｐ型
反転層が生成する可能性が生じる。
【００３５】なお、上述のようにｎ２層中のＳ濃度によ
りＧａＰ緑色発光ダイオードの輝度が左右される機構に
ついては、現状ではわかっていない。また、ＧａＰ層中
のＳ等の不純物濃度の測定は、例えば二次イオン質量分
析（ＳＩＭＳ）により行うことが出来る。
りＧａＰ緑色発光ダイオードの輝度が左右される機構に
ついては、現状ではわかっていない。また、ＧａＰ層中
のＳ等の不純物濃度の測定は、例えば二次イオン質量分
析（ＳＩＭＳ）により行うことが出来る。
【００３６】
（実施例１）本発明に係わるＧａＰ緑色発光ダイオード
は、一例として以下のような方法で、ｎ型ＧａＰ単結晶
基板上に窒素をドープしないｎ型ＧａＰ層、窒素をドー
プしたｎ型ＧａＰ層およびｐ型ＧａＰ層を順次積層し形
成した。
は、一例として以下のような方法で、ｎ型ＧａＰ単結晶
基板上に窒素をドープしないｎ型ＧａＰ層、窒素をドー
プしたｎ型ＧａＰ層およびｐ型ＧａＰ層を順次積層し形
成した。
【００３７】図５は、このＧａＰエピタキシャル層の成
長に用いたスライドボート式成長装置を示す概略図であ
る。図５で、２１は基板収納用ボート、２２は基板を収
納する凹部、２３はｎ型ＧａＰ単結晶基板、２４はＧａ
溶液を収納したスライダー、２５は溶液溜、２６はＧａ
溶液、２７は小孔、２８は蓋である。また、スライドボ
ート式成長装置は黒鉛で出来ている。
長に用いたスライドボート式成長装置を示す概略図であ
る。図５で、２１は基板収納用ボート、２２は基板を収
納する凹部、２３はｎ型ＧａＰ単結晶基板、２４はＧａ
溶液を収納したスライダー、２５は溶液溜、２６はＧａ
溶液、２７は小孔、２８は蓋である。また、スライドボ
ート式成長装置は黒鉛で出来ている。
【００３８】まず、スライドボート式成長装置の凹部２
２にＧａＰ単結晶基板２３を、また溶液溜２５に原料と
なるＧａＰ多結晶を加えたＧａ溶液２６を、図５のよう
に両者が接触しない状態でセットし、成長装置を反応炉
内に載置した。反応炉の反応管は石英ガラス（ＳｉＯ
2 ）で出来ている。またＧａＰ多結晶は、製造する際に
ＰＢＮ製の容器を用い炭素濃度を１×１０17ｃｍ-3以下
に下げたものを使用した。
２にＧａＰ単結晶基板２３を、また溶液溜２５に原料と
なるＧａＰ多結晶を加えたＧａ溶液２６を、図５のよう
に両者が接触しない状態でセットし、成長装置を反応炉
内に載置した。反応炉の反応管は石英ガラス（ＳｉＯ
2 ）で出来ている。またＧａＰ多結晶は、製造する際に
ＰＢＮ製の容器を用い炭素濃度を１×１０17ｃｍ-3以下
に下げたものを使用した。
【００３９】この状態で反応炉内の雰囲気をＨ2 に置換
し、反応炉の温度を１０５０℃に昇温した。そして、１
０５０℃で約１時間成長装置のベーキングを行った。こ
の間に、ＧａＰ多結晶がＧａ溶液に溶解し、ＧａＰの飽
和したＧａ溶液が形成された。ベーキングの後、反応炉
の温度を１０００℃に下げ、温度が安定した後、スライ
ダー２４を摺動させてＧａＰ単結晶基板２３とＧａ溶液
２６を接触させ、さらに基板２３の上にＧａ溶液２６の
一部を乗せた状態で、基板上に多数の小孔２７を有する
部分が来るように、スライダー２４を移動した。この状
態で約５分間保持した後１．５℃／分の速度で反応炉の
温度を９５０℃まで冷却した。この冷却過程で、ＧａＰ
単結晶基板上に窒素をドープしないｎ型ＧａＰ層（ｎ１
層）が積層された。該層のドーパントは、反応炉の反応
管を構成する石英ガラスがＨ2 により還元されて、Ｇａ
溶液中に取り込まれたシリコン（Ｓｉ）である。ｎ１層
の厚さはおよそ１０μｍでドナー濃度は１〜２×１０17
ｃｍ-3であった。９５０℃に達した後、反応炉の温度を
約６０分間一定に保持した。保持開始と同時に反応炉内
の雰囲気ガスをアンモニア（ＮＨ3 ）を添加したアルゴ
ンガスに置換した。このようにするとアンモニアガスが
小孔２７を介してＧａ溶液２６と反応し、Ｇａ溶液中に
窒素が取り込まれる。このＧａ溶液中に取り込まれた窒
素の一部は、Ｇａ溶液中に溶存していたＳｉと反応しＳ
ｉ3 Ｎ4 を作る。この結果、Ｇａ溶液中のＳｉの濃度は
大きく減少することになる。９５０℃で６０分保持後、
反応炉の温度を１．５℃／分の速度で９００℃まで冷却
した。この冷却過程で窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層
（ｎ２層）が形成された。この窒素をドープしたｎ型Ｇ
ａＰ層のドナー濃度は、上記のようにＧａ溶液中のＳｉ
の濃度が大きく減少した結果、１〜５×１０16ｃｍ-3程
度の低い値となった。ｎ２層の厚さはおよそ１０μｍで
あった。引き続き９００℃に達してから、反応炉の温度
を約３０分間一定に保った。保持開始と同時に、雰囲気
ガスを介して亜鉛（Ｚｎ）の蒸気を反応炉内に供給し
た。供給されたＺｎは多数の小孔２７を介してＧａ溶液
と接触し、Ｇａ溶液中にＺｎが溶け込む。この後再び、
反応炉の温度を１．５℃／分の速度で８００℃まで冷却
した。この過程により、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層
の上に窒素をドープしたｐ型ＧａＰ層が形成された。こ
のｐ型ＧａＰ層のアクセプター濃度はおよそ５〜２０×
１０17ｃｍ-3程度であった。ｐ型ＧａＰ層の厚さはおよ
そ２０μｍであった。
し、反応炉の温度を１０５０℃に昇温した。そして、１
０５０℃で約１時間成長装置のベーキングを行った。こ
の間に、ＧａＰ多結晶がＧａ溶液に溶解し、ＧａＰの飽
和したＧａ溶液が形成された。ベーキングの後、反応炉
の温度を１０００℃に下げ、温度が安定した後、スライ
ダー２４を摺動させてＧａＰ単結晶基板２３とＧａ溶液
２６を接触させ、さらに基板２３の上にＧａ溶液２６の
一部を乗せた状態で、基板上に多数の小孔２７を有する
部分が来るように、スライダー２４を移動した。この状
態で約５分間保持した後１．５℃／分の速度で反応炉の
温度を９５０℃まで冷却した。この冷却過程で、ＧａＰ
単結晶基板上に窒素をドープしないｎ型ＧａＰ層（ｎ１
層）が積層された。該層のドーパントは、反応炉の反応
管を構成する石英ガラスがＨ2 により還元されて、Ｇａ
溶液中に取り込まれたシリコン（Ｓｉ）である。ｎ１層
の厚さはおよそ１０μｍでドナー濃度は１〜２×１０17
ｃｍ-3であった。９５０℃に達した後、反応炉の温度を
約６０分間一定に保持した。保持開始と同時に反応炉内
の雰囲気ガスをアンモニア（ＮＨ3 ）を添加したアルゴ
ンガスに置換した。このようにするとアンモニアガスが
小孔２７を介してＧａ溶液２６と反応し、Ｇａ溶液中に
窒素が取り込まれる。このＧａ溶液中に取り込まれた窒
素の一部は、Ｇａ溶液中に溶存していたＳｉと反応しＳ
ｉ3 Ｎ4 を作る。この結果、Ｇａ溶液中のＳｉの濃度は
大きく減少することになる。９５０℃で６０分保持後、
反応炉の温度を１．５℃／分の速度で９００℃まで冷却
した。この冷却過程で窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層
（ｎ２層）が形成された。この窒素をドープしたｎ型Ｇ
ａＰ層のドナー濃度は、上記のようにＧａ溶液中のＳｉ
の濃度が大きく減少した結果、１〜５×１０16ｃｍ-3程
度の低い値となった。ｎ２層の厚さはおよそ１０μｍで
あった。引き続き９００℃に達してから、反応炉の温度
を約３０分間一定に保った。保持開始と同時に、雰囲気
ガスを介して亜鉛（Ｚｎ）の蒸気を反応炉内に供給し
た。供給されたＺｎは多数の小孔２７を介してＧａ溶液
と接触し、Ｇａ溶液中にＺｎが溶け込む。この後再び、
反応炉の温度を１．５℃／分の速度で８００℃まで冷却
した。この過程により、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層
の上に窒素をドープしたｐ型ＧａＰ層が形成された。こ
のｐ型ＧａＰ層のアクセプター濃度はおよそ５〜２０×
１０17ｃｍ-3程度であった。ｐ型ＧａＰ層の厚さはおよ
そ２０μｍであった。
【００４０】この後は、反応炉の加熱装置の電源を切
り、反応炉の温度を室温まで自然冷却した。基板の温度
が下がった後、製造されたエピタキシャルウエハを反応
炉より取り出し、エピタキシャルウエハのｎ型面とｐ型
面にそれぞれ、ＡｕＧｅおよびＡｕＢｅを蒸着し、熱処
理を施し、写真蝕刻によってｐ電極、ｎ電極を形成し、
その後素子に分離した。作製されたＧａＰ緑色発光ダイ
オードの構造は図２（ａ）に示したものと同じである。
り、反応炉の温度を室温まで自然冷却した。基板の温度
が下がった後、製造されたエピタキシャルウエハを反応
炉より取り出し、エピタキシャルウエハのｎ型面とｐ型
面にそれぞれ、ＡｕＧｅおよびＡｕＢｅを蒸着し、熱処
理を施し、写真蝕刻によってｐ電極、ｎ電極を形成し、
その後素子に分離した。作製されたＧａＰ緑色発光ダイ
オードの構造は図２（ａ）に示したものと同じである。
【００４１】本実施例１によって得られたＧａＰ緑色発
光ダイオードのｎ２層中のドナー不純物濃度は、ｎ１層
との界面近傍でおよそ１〜３×１０16ｃｍ-3程度、また
ｐ型ＧａＰ層との界面近傍でおよそ２〜５×１０16ｃｍ
-3程度であった。これに対して、ｎ２層中の炭素濃度は
およそ３〜６×１０15ｃｍ-3程度であった。この結果、
本実施例１によって得られたＧａＰ緑色発光ダイオード
１００万個中でサイリスタの発生は０であった。
光ダイオードのｎ２層中のドナー不純物濃度は、ｎ１層
との界面近傍でおよそ１〜３×１０16ｃｍ-3程度、また
ｐ型ＧａＰ層との界面近傍でおよそ２〜５×１０16ｃｍ
-3程度であった。これに対して、ｎ２層中の炭素濃度は
およそ３〜６×１０15ｃｍ-3程度であった。この結果、
本実施例１によって得られたＧａＰ緑色発光ダイオード
１００万個中でサイリスタの発生は０であった。
【００４２】（比較例１）上記実施例１と同様の方法に
より、ＧａＰ緑色発光ダイオードを作製した。但し、比
較例１に係わるＧａＰエピタキシャル層の成長には、従
来の黒鉛製の容器で製造した炭素濃度がおよそ５〜３０
×１０17ｃｍ-3程度のＧａＰ多結晶を原料として使用し
た。
より、ＧａＰ緑色発光ダイオードを作製した。但し、比
較例１に係わるＧａＰエピタキシャル層の成長には、従
来の黒鉛製の容器で製造した炭素濃度がおよそ５〜３０
×１０17ｃｍ-3程度のＧａＰ多結晶を原料として使用し
た。
【００４３】本比較例１によって得られたＧａＰ緑色発
光ダイオードのｎ２層中のドナー不純物濃度は、ｎ１層
との界面近傍でおよそ１〜３×１０16ｃｍ-3程度、また
ｐ型ＧａＰ層との界面近傍でおよそ２〜５×１０16ｃｍ
-3程度であった。これに対して、ｎ２層中の炭素濃度は
およそ８〜２０×１０15ｃｍ-3程度であった。この結
果、本比較例１によって得られたＧａＰ緑色発光ダイオ
ード１００万個中でサイリスタの発生は３００個であっ
た。
光ダイオードのｎ２層中のドナー不純物濃度は、ｎ１層
との界面近傍でおよそ１〜３×１０16ｃｍ-3程度、また
ｐ型ＧａＰ層との界面近傍でおよそ２〜５×１０16ｃｍ
-3程度であった。これに対して、ｎ２層中の炭素濃度は
およそ８〜２０×１０15ｃｍ-3程度であった。この結
果、本比較例１によって得られたＧａＰ緑色発光ダイオ
ード１００万個中でサイリスタの発生は３００個であっ
た。
【００４４】（実施例２）本発明に係わる別のＧａＰ緑
色発光ダイオードは、一例として以下のような方法で形
成した。
色発光ダイオードは、一例として以下のような方法で形
成した。
【００４５】まず、ドナー不純物としてＴｅを添加し、
ドナー濃度がおよそ２〜１０×１０17ｃｍ-3のｎ型Ｇａ
Ｐ単結晶基板上にｎ型ＧａＰバッファ層を積層した。バ
ッファ層の積層は次のように行った。１０６０℃でＧａ
Ｐ多結晶およびｎ型ドーパントとなるＴｅを溶解させた
Ｇａ溶液をｎ型ＧａＰ単結晶基板上に配置した。このＧ
ａ溶液はｎ型ＧａＰバッファ層のドナー濃度が０．５〜
１０×１０17ｃｍ-3になるようにＴｅが添加されている
１０６０℃におけるＧａＰの飽和溶液である。成長の雰
囲気ガスを水素（Ｈ2 ）として、前記Ｇａ溶液を含む系
の温度を徐々に降温させ、Ｇａ溶液に溶解しているＧａ
Ｐをｎ型ＧａＰ単結晶基板上に析出させた。このように
してＴｅがドープされたｎ型ＧａＰバッファ層がｎ型Ｇ
ａＰ単結晶基板上に積層された。ｎ型ＧａＰバッファ層
の厚さはおよそ７０μｍであった。
ドナー濃度がおよそ２〜１０×１０17ｃｍ-3のｎ型Ｇａ
Ｐ単結晶基板上にｎ型ＧａＰバッファ層を積層した。バ
ッファ層の積層は次のように行った。１０６０℃でＧａ
Ｐ多結晶およびｎ型ドーパントとなるＴｅを溶解させた
Ｇａ溶液をｎ型ＧａＰ単結晶基板上に配置した。このＧ
ａ溶液はｎ型ＧａＰバッファ層のドナー濃度が０．５〜
１０×１０17ｃｍ-3になるようにＴｅが添加されている
１０６０℃におけるＧａＰの飽和溶液である。成長の雰
囲気ガスを水素（Ｈ2 ）として、前記Ｇａ溶液を含む系
の温度を徐々に降温させ、Ｇａ溶液に溶解しているＧａ
Ｐをｎ型ＧａＰ単結晶基板上に析出させた。このように
してＴｅがドープされたｎ型ＧａＰバッファ層がｎ型Ｇ
ａＰ単結晶基板上に積層された。ｎ型ＧａＰバッファ層
の厚さはおよそ７０μｍであった。
【００４６】このようにして作製したｎ型ＧａＰバッフ
ァ層を有するｎ型ＧａＰ単結晶基板上に、窒素をドープ
しないｎ型ＧａＰ層、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層お
よびｐ型ＧａＰ層を、実施例１と同様の方法により順次
積層した。但し、本実施例２に係わる窒素をドープしな
いｎ型ＧａＰ層、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層および
ｐ型ＧａＰ層の成長には、従来の黒鉛製の容器で製造し
た炭素濃度がおよそ５〜３０×１０17ｃｍ-3程度のＧａ
Ｐ多結晶を原料として使用した。製造されたエピタキシ
ャルウエハのｎ型面とｐ型面にそれぞれ、ＡｕＧｅおよ
びＡｕＢｅを蒸着し、熱処理を施し、写真蝕刻によって
ｐ電極、ｎ電極を形成し、その後一辺が３００μｍの正
方形の素子に分離した。
ァ層を有するｎ型ＧａＰ単結晶基板上に、窒素をドープ
しないｎ型ＧａＰ層、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層お
よびｐ型ＧａＰ層を、実施例１と同様の方法により順次
積層した。但し、本実施例２に係わる窒素をドープしな
いｎ型ＧａＰ層、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層および
ｐ型ＧａＰ層の成長には、従来の黒鉛製の容器で製造し
た炭素濃度がおよそ５〜３０×１０17ｃｍ-3程度のＧａ
Ｐ多結晶を原料として使用した。製造されたエピタキシ
ャルウエハのｎ型面とｐ型面にそれぞれ、ＡｕＧｅおよ
びＡｕＢｅを蒸着し、熱処理を施し、写真蝕刻によって
ｐ電極、ｎ電極を形成し、その後一辺が３００μｍの正
方形の素子に分離した。
【００４７】作製されたＧａＰ緑色発光ダイオードの構
造を図６に示す。図６において符号１１〜１６は図２
（ａ）において示したものと同一である。また、１７は
ｎ型ＧａＰバッファ層である。
造を図６に示す。図６において符号１１〜１６は図２
（ａ）において示したものと同一である。また、１７は
ｎ型ＧａＰバッファ層である。
【００４８】なお、上記実施例２の実施に当たっては、
前述した窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層（ｎ２層）中の
Ｓの濃度を下げるための手段はすべて行った。すなわ
ち、高純度原材料の使用、雰囲気ガスに使用するガスの
精製、高純度薬品および超純水による基板の洗浄、成長
装置の純化処理はすべて総合的に実施した。
前述した窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層（ｎ２層）中の
Ｓの濃度を下げるための手段はすべて行った。すなわ
ち、高純度原材料の使用、雰囲気ガスに使用するガスの
精製、高純度薬品および超純水による基板の洗浄、成長
装置の純化処理はすべて総合的に実施した。
【００４９】本実施例２によって得られたＧａＰ緑色発
光ダイオードのｎ２層中のドナー不純物濃度は、Ｓｉ濃
度が１〜２×１０16ｃｍ-3、Ｓ濃度が２〜６×１０15ｃ
ｍ-3であった。また該発光ダイオードの輝度は順方向電
流２０ｍＡのとき１０〜２０ｍｃｄ（平均１５ｍｃｄ）
であった。
光ダイオードのｎ２層中のドナー不純物濃度は、Ｓｉ濃
度が１〜２×１０16ｃｍ-3、Ｓ濃度が２〜６×１０15ｃ
ｍ-3であった。また該発光ダイオードの輝度は順方向電
流２０ｍＡのとき１０〜２０ｍｃｄ（平均１５ｍｃｄ）
であった。
【００５０】（比較例２）上記実施例２と同様の方法に
より、ＧａＰ緑色発光ダイオードを作製した。但し、本
比較例２に係わるＧａＰエピタキシャル層の成長では、
前述したｎ２層中のＳの濃度を下げるための手段は従来
と同様特に行わなかった。
より、ＧａＰ緑色発光ダイオードを作製した。但し、本
比較例２に係わるＧａＰエピタキシャル層の成長では、
前述したｎ２層中のＳの濃度を下げるための手段は従来
と同様特に行わなかった。
【００５１】本比較例２によって得られたＧａＰ緑色発
光ダイオードのｎ２層中のドナー不純物濃度はＳｉ濃度
が１〜２×１０16ｃｍ-3、Ｓ濃度がおよそ１×１０16ｃ
ｍ-3で、該発光ダイオードの輝度は順方向電流２０ｍＡ
のとき７〜１５ｍｃｄ（平均１０ｍｃｄ）であった。
光ダイオードのｎ２層中のドナー不純物濃度はＳｉ濃度
が１〜２×１０16ｃｍ-3、Ｓ濃度がおよそ１×１０16ｃ
ｍ-3で、該発光ダイオードの輝度は順方向電流２０ｍＡ
のとき７〜１５ｍｃｄ（平均１０ｍｃｄ）であった。
【００５２】（実施例３）本実施例３では、上記実施例
２と同様の方法によりＧａＰ緑色発光ダイオードを作製
した。但し、本実施例３に係わる窒素をドープしないｎ
型ＧａＰ層、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層およびｐ型
ＧａＰ層の成長には、製造する際にＰＢＮ製の容器を用
い炭素濃度を１×１０17ｃｍ-3以下に下げたＧａＰ多結
晶を原料として使用した。
２と同様の方法によりＧａＰ緑色発光ダイオードを作製
した。但し、本実施例３に係わる窒素をドープしないｎ
型ＧａＰ層、窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層およびｐ型
ＧａＰ層の成長には、製造する際にＰＢＮ製の容器を用
い炭素濃度を１×１０17ｃｍ-3以下に下げたＧａＰ多結
晶を原料として使用した。
【００５３】本実施例３によって得られたＧａＰ緑色発
光ダイオードのｎ２層中のドナー不純物濃度は、Ｓｉ濃
度が１〜２×１０16ｃｍ-3、Ｓ濃度が２〜６×１０15ｃ
ｍ-3であった。これに対して、ｎ２層中の炭素濃度はお
よそ３〜６×１０15ｃｍ-3程度であった。この結果、本
実施例３によって得られたＧａＰ緑色発光ダイオード１
００万個中でサイリスタの発生は０であった。また該発
光ダイオードの輝度は順方向電流２０ｍＡのとき１０〜
２０ｍｃｄ（平均１５ｍｃｄ）であった。
光ダイオードのｎ２層中のドナー不純物濃度は、Ｓｉ濃
度が１〜２×１０16ｃｍ-3、Ｓ濃度が２〜６×１０15ｃ
ｍ-3であった。これに対して、ｎ２層中の炭素濃度はお
よそ３〜６×１０15ｃｍ-3程度であった。この結果、本
実施例３によって得られたＧａＰ緑色発光ダイオード１
００万個中でサイリスタの発生は０であった。また該発
光ダイオードの輝度は順方向電流２０ｍＡのとき１０〜
２０ｍｃｄ（平均１５ｍｃｄ）であった。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、炭素濃度を低減したＧ
ａＰ多結晶をエピタキシャル成長の原料として用い、窒
素をドープしたｎ型ＧａＰ層（ｎ２層）中の炭素濃度を
従来の８〜２０×１０15ｃｍ-3程度から６×１０15ｃｍ
-3以下に低減することにより、ｎ２層内のｎ１層との界
面近傍でｐ反転層が形成されるのを防止し、ＧａＰ緑色
発光ダイオードにおいてサイリスタの発生する割合をほ
とんど０にすることができた。その結果、ＧａＰ緑色発
光ダイオードの製造において、不良品の割合を大幅に低
減することが出来たことに加えて、製品のサイリスタ不
良を検査する工程を省略することが可能となり、その効
果は多大であった。
ａＰ多結晶をエピタキシャル成長の原料として用い、窒
素をドープしたｎ型ＧａＰ層（ｎ２層）中の炭素濃度を
従来の８〜２０×１０15ｃｍ-3程度から６×１０15ｃｍ
-3以下に低減することにより、ｎ２層内のｎ１層との界
面近傍でｐ反転層が形成されるのを防止し、ＧａＰ緑色
発光ダイオードにおいてサイリスタの発生する割合をほ
とんど０にすることができた。その結果、ＧａＰ緑色発
光ダイオードの製造において、不良品の割合を大幅に低
減することが出来たことに加えて、製品のサイリスタ不
良を検査する工程を省略することが可能となり、その効
果は多大であった。
【００５５】また本発明により、窒素をドープしたｎ型
ＧａＰ層（ｎ２層）中のＳ濃度を６×１０15ｃｍ-3以下
に制御したＧａＰ緑色発光ダイオードが得られた結果、
従来の窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層中のＳ濃度がおよ
そ１×１０16ｃｍ-3程度のＧａＰ緑色発光ダイオードに
比較して、発光ダイオードの輝度を２０〜５０％向上す
ることが出来た。
ＧａＰ層（ｎ２層）中のＳ濃度を６×１０15ｃｍ-3以下
に制御したＧａＰ緑色発光ダイオードが得られた結果、
従来の窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層中のＳ濃度がおよ
そ１×１０16ｃｍ-3程度のＧａＰ緑色発光ダイオードに
比較して、発光ダイオードの輝度を２０〜５０％向上す
ることが出来た。
【００５６】さらに、ｎ２層中の炭素濃度を６×１０15
ｃｍ-3以下に低減し、かつｎ２層中のＳ濃度を６×１０
15ｃｍ-3以下に制御することにより、サイリスタがほと
んど発生せず、かつ高輝度のＧａＰ緑色発光ダイオード
が得られた。
ｃｍ-3以下に低減し、かつｎ２層中のＳ濃度を６×１０
15ｃｍ-3以下に制御することにより、サイリスタがほと
んど発生せず、かつ高輝度のＧａＰ緑色発光ダイオード
が得られた。
【図１】ＧａＰ多結晶中の炭素濃度とそのＧａＰ多結晶
を使ったＧａＰエピタキシャル層中の炭素濃度の関係を
示した図。
を使ったＧａＰエピタキシャル層中の炭素濃度の関係を
示した図。
【図２】（ａ） 従来のＧａＰ緑色発光ダイオードの構
造または実施例１と比較例１に係わるＧａＰ緑色発光ダ
イオードの構造を示す図。 （ｂ） 従来のＧａＰ緑色発光ダイオードの不純物濃度
の分布を示す図。
造または実施例１と比較例１に係わるＧａＰ緑色発光ダ
イオードの構造を示す図。 （ｂ） 従来のＧａＰ緑色発光ダイオードの不純物濃度
の分布を示す図。
【図３】（ａ） サイリスタとなった素子の構造を示す
図。 （ｂ） サイリスタとなった素子の不純物濃度の分布を
示す図。
図。 （ｂ） サイリスタとなった素子の不純物濃度の分布を
示す図。
【図４】ＧａＰ緑色発光ダイオードの、窒素をドープし
たｎ型ＧａＰ層中のＳ濃度と輝度との関係を示す図。
たｎ型ＧａＰ層中のＳ濃度と輝度との関係を示す図。
【図５】ＧａＰエピタキシャル層の成長に用いたスライ
ドボート式成長装置を示す図。
ドボート式成長装置を示す図。
【図６】実施例２、３および比較例２に係わるＧａＰ緑
色発光ダイオードの構造を示す図。
色発光ダイオードの構造を示す図。
１１：ｎ型ＧａＰ単結晶基板 １２：窒素（Ｎ）をドープしないｎ型ＧａＰ層（ｎ１
層） １３：窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層（ｎ２層） １４：ｐ型ＧａＰ層 １５：ｐ電極 １６：ｎ電極 １７：ｎ型ＧａＰバッファ層 ２１：基板収納用ボート ２２：基板を収納する凹部 ２３：ｎ型ＧａＰ単結晶基板 ２４：Ｇａ溶液を収納したスライダー ２５：溶液溜 ２６：Ｇａ溶液 ２７：小孔 ２８：蓋 ３１：ｎ型ＧａＰ単結晶基板 ３２：窒素（Ｎ）をドープしないｎ型ＧａＰ層（ｎ１
層） ３３：窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層（ｎ２層） ３４：ｐ型ＧａＰ層 ３５：ｐ電極 ３６：ｎ電極 ３７：ｐ型ＧａＰ反転層
層） １３：窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層（ｎ２層） １４：ｐ型ＧａＰ層 １５：ｐ電極 １６：ｎ電極 １７：ｎ型ＧａＰバッファ層 ２１：基板収納用ボート ２２：基板を収納する凹部 ２３：ｎ型ＧａＰ単結晶基板 ２４：Ｇａ溶液を収納したスライダー ２５：溶液溜 ２６：Ｇａ溶液 ２７：小孔 ２８：蓋 ３１：ｎ型ＧａＰ単結晶基板 ３２：窒素（Ｎ）をドープしないｎ型ＧａＰ層（ｎ１
層） ３３：窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層（ｎ２層） ３４：ｐ型ＧａＰ層 ３５：ｐ電極 ３６：ｎ電極 ３７：ｐ型ＧａＰ反転層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−120561（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−342935（ＪＰ，Ａ) 特公 昭57−53993（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭57−54951（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】ｎ型ＧａＰ単結晶基板上に、少なくとも、
窒素（Ｎ）をドープしないｎ型ＧａＰ層、窒素をドープ
したｎ型ＧａＰ層およびｐ型ＧａＰ層が順次積層されて
なるリン化ガリウム（ＧａＰ）緑色発光素子において、
窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層中のイオウ（Ｓ）濃度が
６×１０15ｃｍ-3以下であり、かつシリコン（Ｓｉ）濃
度が１〜２×１０16ｃｍ-3であることを特徴とするリン
化ガリウム緑色発光素子。 - 【請求項２】前記窒素をドープしたｎ型ＧａＰ層中の炭
素（Ｃ）濃度が６×１０15ｃｍ-3以下であることを特徴
とする請求項１記載のリン化ガリウム緑色発光素子。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35536397A JP3356041B2 (ja) | 1997-02-17 | 1997-12-24 | リン化ガリウム緑色発光素子 |
| TW087100787A TW409433B (en) | 1997-02-17 | 1998-01-21 | Gallium phosphide green-emitting component |
| TW088115806A TW494587B (en) | 1997-02-17 | 1998-01-21 | Gallium phosphide green- emitting component |
| US09/024,558 US6144044A (en) | 1997-02-17 | 1998-02-17 | Gallium phosphide green light-emitting device |
| KR1019980004708A KR100296094B1 (ko) | 1997-02-17 | 1998-02-17 | 갈륨인화물녹색발광장치 |
| DE19806536A DE19806536A1 (de) | 1997-02-17 | 1998-02-17 | Grünes Licht emittierendes Galliumphosphid-Bauteil |
| CNB98106924XA CN1134075C (zh) | 1997-02-17 | 1998-02-17 | 磷化镓绿色发光器件 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212597 | 1997-02-17 | ||
| JP3904597 | 1997-02-24 | ||
| JP9-32125 | 1997-02-24 | ||
| JP9-39045 | 1997-02-24 | ||
| JP35536397A JP3356041B2 (ja) | 1997-02-17 | 1997-12-24 | リン化ガリウム緑色発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294489A JPH10294489A (ja) | 1998-11-04 |
| JP3356041B2 true JP3356041B2 (ja) | 2002-12-09 |
Family
ID=27287591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35536397A Expired - Fee Related JP3356041B2 (ja) | 1997-02-17 | 1997-12-24 | リン化ガリウム緑色発光素子 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6144044A (ja) |
| JP (1) | JP3356041B2 (ja) |
| KR (1) | KR100296094B1 (ja) |
| CN (1) | CN1134075C (ja) |
| DE (1) | DE19806536A1 (ja) |
| TW (2) | TW409433B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| TW498560B (en) * | 1999-04-27 | 2002-08-11 | Showa Denko Kk | Epitaxial wafer for infrared light-emitting device and light-emitting device using the same |
| KR100761929B1 (ko) * | 1999-10-29 | 2007-09-28 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 인화갈륨 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP4570728B2 (ja) * | 2000-04-24 | 2010-10-27 | 昭和電工株式会社 | 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ |
| JP2001339099A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Showa Denko Kk | 赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハ、およびこれを用いた発光ダイオード |
| EP1664238B1 (de) | 2003-09-24 | 2015-11-18 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Grün emittierende led |
| US7965031B2 (en) | 2003-09-24 | 2011-06-21 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | White-emitting LED having a defined color temperature |
| US7757863B2 (en) | 2003-11-17 | 2010-07-20 | Casella Waste Systems, Inc. | Systems and methods for glass recycling at a beneficiator and/or a material recovery facility |
| US7264124B2 (en) | 2003-11-17 | 2007-09-04 | Casella Waste Systems, Inc. | Systems and methods for sorting recyclables at a material recovery facility |
| US7341156B2 (en) | 2003-11-17 | 2008-03-11 | Casella Waste Systems, Inc. | Systems and methods for sorting, collecting data pertaining to and certifying recyclables at a material recovery facility |
| WO2006055238A2 (en) | 2004-11-12 | 2006-05-26 | Casella Waste Systems, Inc. | Method of providing contaminant-free, uniformly colored mixed-color cullet |
| US8459466B2 (en) | 2007-05-23 | 2013-06-11 | Re Community Energy, Llc | Systems and methods for optimizing a single-stream materials recovery facility |
| JP2009026798A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに発光素子 |
| DE102017104719A1 (de) * | 2017-03-07 | 2018-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterkörper und Halbleiterchip |
| JP7351241B2 (ja) * | 2020-03-02 | 2023-09-27 | 信越半導体株式会社 | 化合物半導体エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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