[go: up one dir, main page]

JP3128862B2 - アルカリ金属をドープしたフラーレン系超伝導物質の作製法 - Google Patents

アルカリ金属をドープしたフラーレン系超伝導物質の作製法

Info

Publication number
JP3128862B2
JP3128862B2 JP03163058A JP16305891A JP3128862B2 JP 3128862 B2 JP3128862 B2 JP 3128862B2 JP 03163058 A JP03163058 A JP 03163058A JP 16305891 A JP16305891 A JP 16305891A JP 3128862 B2 JP3128862 B2 JP 3128862B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fullerene
alkali metal
superconducting material
mixture
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP03163058A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0517114A (ja
Inventor
勝巳 谷垣
トーマス・エブソン
貞則 黒島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP03163058A priority Critical patent/JP3128862B2/ja
Priority to US07/907,627 priority patent/US5294600A/en
Priority to DE69214032T priority patent/DE69214032T2/de
Priority to EP92306169A priority patent/EP0522807B1/en
Publication of JPH0517114A publication Critical patent/JPH0517114A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3128862B2 publication Critical patent/JP3128862B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、炭素化合物の一種であ
るフラーレン系物質とアルカリ金属の混合体より構成さ
れる超伝導体の作製方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】1985年にクロト(Kuroto)に
より、炭素からなるサッカーボール状のクラスタ分子C
6 0 およびC7 0 等の一連のCn 系物質の存在が確認さ
れた。この物質は、1990年になってスモーリ(Sm
alley)等の研究者によって合成技術が報告され
て、単離合成への道が開かれた。最近、フラーレンをア
ルカリ金属と混合して熱により混合すると18Kで超伝
導物質性が現れることがヘバード(Hebard)等に
より報告されるに至り[ネイチャー(Nature)1
991年、350巻、18号、p660]、一躍フラー
レン系物質の重要性が認識されるようになった。さら
に、ルビシウム(Rb)を混合すると28Kの超伝導転
移温度が観測されることが報告されている[フィジカル
・レビュー・レター(physical Review
Letter)1991年、66巻、21号、p23
08]。これらの超伝導体の作製方法は、フラーレンを
アルカリ金属と混合して炉の中で熱により電子がアルカ
リ金属からフラーレンへドープされた構造のものを作製
するものであった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この作製方法
では、混合したフラーレンとアルカリ金属が十分には均
一に混合しないという欠点があった。従って、超伝導体
になる部分の割合(超伝導体積比)が非常に少ないとい
う欠点があった。
【0004】本発明はこのような状況から生まれたもの
で、フラーレンとアルカリ金属が均一に混合して、超伝
導体積比が多い超伝導体の作製方法を提供するものであ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者は、このような
混合時に生じる不均一性を解決するために鋭意研究を進
めた結果、下記の3種類の方法が有効であることを見い
だした。
【0006】(1)アルカリ金属とフラーレン(Cn
分子化合物)との混合体より構成される一連の超伝導物
質の作製法において、これらの混合物を熱によりアニー
リングする前に超音波を用いて混合する工程を有するこ
とを特徴とする作製方法。
【0007】(2)アルカリ金属とフラーレン(Cn
分子化合物)との混合体より構成される一連の超伝導物
質の作製法において、これらの混合物を混ぜ合わせる前
にあらかじめフラーレンを細かく粉砕する工程を有する
ことを特徴とする作製方法。
【0008】(3)アルカリ金属とフラーレン(Cn
分子化合物)との混合体より構成される一連の超伝導物
質の作製法において、これらの混合物を熱によりアニー
リングした後に、温度を段階的にゆっくりと下げていく
工程を有することを特徴とする作製方法。
【0009】
【作用】まず、我々はフラーレンとアルカリ金属を混合
する実験を繰り返すうちに、これらの混合物に熱を与え
ることによる均一性が、フラーレンとアルカリ金属を混
合した後で、熱処理前に超音波を用いて混合すると、熱
処理時に非常に良く均一に混合して、電子がアルカリ金
属からフラーレンに移動した超伝導体構造が多く生成す
ることを見いだし本発明にいたった。超音波処理をする
時間は、10分から60分程度が適当であった。また、
超音波処理中に少し温度を上げると(約50℃)より効
果的であることがわかった。これは、超音波処理によっ
て、熱処理時にアルカリ金属が入り難い格子スペースに
も入ることができるようになるためと考えられる。
【0010】またあらかじめ混合する前にフラーレンを
乳鉢等で細かく粉砕しておくことにより均一性が著しく
向上することを見いだした。これは、通常の方法で約3
50〜400℃で混合しようとすると、フラーレンは微
結晶化しているために、アルカリ金属が不均一にフラー
レン中に熱拡散していくが、本方法によるとフラーレン
が混合前に細かくアモルファス状になるので、熱拡散時
にアルカリ金属が容易に均一性良く拡散することができ
るためと考えられる。
【0011】また、本発明者は熱処理が終了した後に、
温度を急激に下げないでゆっくりと下げると、生成する
超伝導体の割合が増加することを見いだした。これは、
温度をゆっくりと下げることにより超伝導体になる構造
がより大きく安定に生成するためであると考えられる。
温度を急激に下げると熱処理時に激しく運動していた状
態がそのまま固定されるので超伝導体部分の割合が減少
すると理解される。
【0012】(実施例1)炭素棒のアーク放電により炭
素粉末として生成したフラーレンをベンゼン溶液より抽
出してC6 0 とC7 0 の混合物を取りだした。これを、
エーテル処理した後にアルミナカラムによりトルエン/
ヘキサン混合溶媒を用いてC6 0 を99.9%以上の高
純度で得た。得られたC6 0 の粉末8.8mgを石英管
にいれて4mgのRbをこれに加えた。その後石英管を
700mTorrのヘリウム雰囲気で封管して、1時間
の超音波処理をしたのち、390℃で74時間の熱処理
を加えた。これを冷却後SQUIDにより測定したとこ
ろ、マイスナー効果が確認され超伝導転移温度29Kが
確認された。反磁性帯磁率より、超伝導になっている部
分の割合を求めると、30%であることが確認され、通
常の工程で作製したときの割合約10%程度を上まわっ
ていた。
【0013】(実施例2)実施例1で用いたC6 0 を乳
鉢で十分に粉砕したのち、8.5mgをRb4mgと混
合して、石英管にいれて700mTorrのヘリウム雰
囲気で封管して、390℃で74時間の熱処理を加え
た。これを冷却後SQUIDにより測定したところ、マ
イスナー効果が確認され超伝導転移温度29Kが確認さ
れた。反磁性帯磁率より、超伝導になっている部分の割
合をもとめると、20%であることが確認され、通常の
工程で作製したときの割合約10%程度を上まわってい
た。
【0014】(実施例3)実施例1で用いた8.5mg
のC6 0 をRb4mgと混合して、石英管にいれて70
0mTorrのヘリウム雰囲気で封管して、390℃で
74時間の熱処理を加えた。これを温度を制御しなが
ら、毎分1度の速度で冷却後、SQUIDにより測定し
たところ、マイスナー効果が確認され超伝導転移温度2
9Kが確認された。反磁性帯磁率より、超伝導になって
いる部分の割合をもとめると、20%であることが確認
され、通常の工程で作製したときの割合約10%程度を
上まわっていた。
【0015】(実施例4)実施例1で用いたC6 0 を乳
鉢で十分に粉砕して8.5mg石英管にいれRb1mg
とCs3mgを入れて700mtorrのヘリウム雰囲
気で封管した。その後、50℃で超音波処理を1時間お
こない十分に混合した後、390℃で74時間の熱処理
をした。それを毎分1℃でゆっくりと冷却してSQUI
Dによりマイスナー効果を測定して、超伝導転移温度を
測定したところ33Kであった。また、超伝導体部分の
割合は、60%であった。
【0016】従来、Csをドープしようとする研究がな
されていた[ホルツァー(Holczer)、サイエン
ス(Science)1991、vol.252、pp
1154〜1157]が、この報告では超伝導は現れな
かった。これはCsはC6 0 中にドープされにくいため
と考えられる。この実施例のようにRbとCsを共にド
ープするとCsをうまくドープできしかも超伝導転位温
度をRbのみドープした場合より上げることができる。
【0017】
【発明の効果】このように、本発明の作製工程を用いれ
ば、フラーレンとアルカリ金属の混合物からなる超伝導
体を高濃度に作製できるのでその意義は大きい。なお実
施例ではC6 0 を用いたが、C7 0 等でもよい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 Nature 350(1991−4−18) p600−601 Physical Review L etters 66[21](1991−5− 27)p2830−2832 Science 252(1991−5−24) p1154−1157 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C01B 31/02 101 C01B 31/02 ZAA CA(STN)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルカリ金属とフラーレン(Cn 群分子
    化合物)との混合体より構成される超伝導物質を熱処理
    により作る作製法において、これらの混合物を熱により
    アニーリングする前に超音波を用いて混合する工程を有
    することを特徴とする作製方法。
  2. 【請求項2】 アルカリ金属とフラーレン(Cn 群分子
    化合物)との混合体より構成される超伝導物質を熱処理
    により作る作製法において、これらの混合物を混ぜ合わ
    せる前にあらかじめフラーレンを細かく粉砕する工程を
    有することを特徴とする作製方法。
JP03163058A 1991-07-03 1991-07-03 アルカリ金属をドープしたフラーレン系超伝導物質の作製法 Expired - Fee Related JP3128862B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03163058A JP3128862B2 (ja) 1991-07-03 1991-07-03 アルカリ金属をドープしたフラーレン系超伝導物質の作製法
US07/907,627 US5294600A (en) 1991-07-03 1992-07-02 Superconducting material comprising Rbx Csy C60.
DE69214032T DE69214032T2 (de) 1991-07-03 1992-07-03 Supraleitendes Material und Verfahren zu dessen Herstellung
EP92306169A EP0522807B1 (en) 1991-07-03 1992-07-03 Superconducting material and production method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03163058A JP3128862B2 (ja) 1991-07-03 1991-07-03 アルカリ金属をドープしたフラーレン系超伝導物質の作製法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0517114A JPH0517114A (ja) 1993-01-26
JP3128862B2 true JP3128862B2 (ja) 2001-01-29

Family

ID=15766377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03163058A Expired - Fee Related JP3128862B2 (ja) 1991-07-03 1991-07-03 アルカリ金属をドープしたフラーレン系超伝導物質の作製法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3128862B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0473683A (ja) * 1990-07-13 1992-03-09 Hitachi Denshi Ltd 表示メモリ回路

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2522469B2 (ja) * 1993-02-01 1996-08-07 日本電気株式会社 カ―ボン・ナノチュ―ブの精製法
US5332723A (en) * 1993-07-28 1994-07-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Superconducting thin film with fullerenes and method of making
JP2002193606A (ja) 2000-12-22 2002-07-10 Nec Corp 超伝導材料及びその製造方法
JPWO2010010764A1 (ja) * 2008-07-25 2012-01-05 川島 康 常温超伝導体、完全導体、プロトン伝導体、強磁性体、及び、電磁コイル、並びに、これらの製造方法
JP5804598B2 (ja) * 2011-12-21 2015-11-04 国立研究開発法人物質・材料研究機構 超伝導フラーレンナノ材料及びその製造方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Nature 350(1991−4−18)p600−601
Physical Review Letters 66[21](1991−5−27)p2830−2832
Science 252(1991−5−24)p1154−1157

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0473683A (ja) * 1990-07-13 1992-03-09 Hitachi Denshi Ltd 表示メモリ回路

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0517114A (ja) 1993-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3074753B2 (ja) ビスマス系酸化物超電導体の製造方法
JP3128862B2 (ja) アルカリ金属をドープしたフラーレン系超伝導物質の作製法
JP2567505B2 (ja) ビスマス系酸化物超電導体の製造方法
El-Ghor et al. Structural characterization of damage in Si (100) produced by MeV Si+ ion implantation and annealing
US5294600A (en) Superconducting material comprising Rbx Csy C60.
JPH05270827A (ja) 酸化物超電導体およびその製造方法
Taylor et al. Creep and recovery of silicon single crystals
Prins Improved activation of boron-dopant atoms implanted into diamond
Von Bardeleben et al. Arsenic anti-site formation by electron irradiation of n-type GaAs
JPH0523494B2 (ja)
JP3155333B2 (ja) 臨界電流密度の高い酸化物超電導体の製造方法
JP2550253B2 (ja) 酸化物高温超電導体の製造方法
Williams et al. Effect of heat treatment on the superconducting properties of cold-worked niobium
JPH10102107A (ja) 白金ロジウム合金粉末の製造方法
JPH11503711A (ja) 高温超伝導体YBa▲下2▼Cu▲下3▼O▲下7▼(YBCO)を基礎とする溶融テクスチャード加工されたボリュームプローブの製造方法
KR100493764B1 (ko) 자전연소합성법을 이용한 초전도성 이붕화마그네슘의제조방법
CN105236952A (zh) 纳米铁酸镍掺杂的钇钡铜氧超导块材的制备方法
DE102016114940B4 (de) Thermisches Verarbeitungsverfahren für einen Wafer
JPS63274652A (ja) セラミツクス超電導体の高純化方法
JPS6412428A (en) Manufacture of superconducting film
EP0214421A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Dünnoxidschichten auf durch Tiegelziehen hergestellten Siliziumsubstraten
JP3115357B2 (ja) 酸化物超電導材料の製造方法
Hennig Electron microscopy of graphite containing boron
JP3008440B2 (ja) ビスマス系酸化物超電導体の製造方法
JPS63225524A (ja) 化合物超電導体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20000418

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20001017

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees