JPH0473683A - 表示メモリ回路 - Google Patents
表示メモリ回路Info
- Publication number
- JPH0473683A JPH0473683A JP2183979A JP18397990A JPH0473683A JP H0473683 A JPH0473683 A JP H0473683A JP 2183979 A JP2183979 A JP 2183979A JP 18397990 A JP18397990 A JP 18397990A JP H0473683 A JPH0473683 A JP H0473683A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display
- display memory
- pixel
- memory
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Controls And Circuits For Display Device (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ディジタルオシロスコープ等9表示器を用い
た計測装置の表示制御回路の改良に関するものである。
た計測装置の表示制御回路の改良に関するものである。
ディジタルオシロスコープ等電気信号の測定を行う計測
装置において、瞬間的に発生する突発信号の形状等をも
wt測可能とするため、これをある所定時間以上表示器
管面上に残像として表示することが重要である。また、
既に表示器の信号よりも新たに生じた信号をより鮮明に
表示し9時間がたつとともにその表示像の輝度が低くな
っていく表示を行うことが2時々刻々新たに発生する信
号をモニターするうえで最も分りやすい表示法を呈する
。このような特性を持つ表示機能をここでは残光表示と
呼ぶことにする。
装置において、瞬間的に発生する突発信号の形状等をも
wt測可能とするため、これをある所定時間以上表示器
管面上に残像として表示することが重要である。また、
既に表示器の信号よりも新たに生じた信号をより鮮明に
表示し9時間がたつとともにその表示像の輝度が低くな
っていく表示を行うことが2時々刻々新たに発生する信
号をモニターするうえで最も分りやすい表示法を呈する
。このような特性を持つ表示機能をここでは残光表示と
呼ぶことにする。
本発明は、ラスタースキャン形等輝度制御可能な表示器
を用いた装置において、管面上の各画素の輝度情報を持
つ輝度メモリに対し、新たに表示指令が出た際にある指
定された。輝度値を書き込み、その後再び表示指令が出
るまでは、ある特定の規則に従って輝度値を減少させる
ことができる手段を設けることにより、残光表示機能を
果すものである。
を用いた装置において、管面上の各画素の輝度情報を持
つ輝度メモリに対し、新たに表示指令が出た際にある指
定された。輝度値を書き込み、その後再び表示指令が出
るまでは、ある特定の規則に従って輝度値を減少させる
ことができる手段を設けることにより、残光表示機能を
果すものである。
従来ラスタスキャン形表示器を用いた装置の表示は、第
3図に示す如く表示メモリ回路を用いたものが多い。
3図に示す如く表示メモリ回路を用いたものが多い。
第3図において、1は表示器、2〜5は表示器の表示管
面を構成する画素(便宜的に4画素のみについて規定し
ているが、実際には個々の表示器で規定されるだけの表
示画素を持つ)、6は表示メモリで7〜10はこの表示
メモリの構成要素を示しており、7は画素2用の輝度デ
ータ、8は画素3用の輝度データ、9は画素4用、10
は画素5用の輝度データを各々持つ、11はこの表示メ
モリ6への書込みラインであり、従来はマイクロプロセ
ッサ等によりこのラインにデータを出力し。
面を構成する画素(便宜的に4画素のみについて規定し
ているが、実際には個々の表示器で規定されるだけの表
示画素を持つ)、6は表示メモリで7〜10はこの表示
メモリの構成要素を示しており、7は画素2用の輝度デ
ータ、8は画素3用の輝度データ、9は画素4用、10
は画素5用の輝度データを各々持つ、11はこの表示メ
モリ6への書込みラインであり、従来はマイクロプロセ
ッサ等によりこのラインにデータを出力し。
表示する必要がある画素(例えば2〜5)に対応する表
示メモリのアドレス(例えば7〜10)に輝度データを
書き込みすることにより該当する。
示メモリのアドレス(例えば7〜10)に輝度データを
書き込みすることにより該当する。
画素を設定した輝度で光らせ2表示画を発生している。
この従来技術においては1表示メモリに輝度データを書
けば対応する画素が当該の輝度で光り。
けば対応する画素が当該の輝度で光り。
表示メモリを消さない限りその映像は残るので。
いくつもの映像(例えば計測器でいうと、複数個の信号
)を管面上に重ねて書くには非常に有利な方式であった
。
)を管面上に重ねて書くには非常に有利な方式であった
。
前述の従来技術には2表示メモリ内の輝度データはライ
ン11から書き換えないかぎり、変化しないため、いく
つもの信号波形を重ね書いた場合にそれらの信号波形の
表示した順序等を識別する手段がないこと、また敢えて
これを行おうとするには前回までに書いた輝度データを
より低い輝度データに書き換えるとともに、新たに表示
する映像分については規定の輝度データを書く操作が必
要となりこれをマイクロプロセッサで行うには多大の処
理のため長時間を要しスムーズな残光表示を行えないと
いう欠点があった。
ン11から書き換えないかぎり、変化しないため、いく
つもの信号波形を重ね書いた場合にそれらの信号波形の
表示した順序等を識別する手段がないこと、また敢えて
これを行おうとするには前回までに書いた輝度データを
より低い輝度データに書き換えるとともに、新たに表示
する映像分については規定の輝度データを書く操作が必
要となりこれをマイクロプロセッサで行うには多大の処
理のため長時間を要しスムーズな残光表示を行えないと
いう欠点があった。
本発明は、これらの欠点を解決するため9表示メモリ内
輝度データを時間経過とともに減少する手段を設け、残
光表示を可能にすることを目的とする。
輝度データを時間経過とともに減少する手段を設け、残
光表示を可能にすることを目的とする。
本発明は、上記の目的を達成するため2表示器の走査に
同期して表示メモリを読み出す際に同時に書き込み可能
とする表示メモリ構造とし、当該の画素を新たに表示さ
せようとする場合には対応する表示メモリアドレスに所
定の輝度データを書き込み、その画素を新たに表示させ
ない場合は対応する表示メモリアドレスの既格納データ
を規定量減少させて再書き込みを行うようにしたもので
ある。
同期して表示メモリを読み出す際に同時に書き込み可能
とする表示メモリ構造とし、当該の画素を新たに表示さ
せようとする場合には対応する表示メモリアドレスに所
定の輝度データを書き込み、その画素を新たに表示させ
ない場合は対応する表示メモリアドレスの既格納データ
を規定量減少させて再書き込みを行うようにしたもので
ある。
第1図は本方式を実現するための構成を示すブロック図
である。第1図において1〜11の各構成要素は第3図
の従来技術と同一である。但し表示メモリ6は表示器1
の走査に同期して読み出すと同時に書き込みも行えるよ
うなメモリで構成した表示メモリとする。12は新たに
表示すべき画素のみのデータをセットするバッファメモ
リであり、13〜16は各々画素2〜5に対応して表示
情報を持つ構成要素である。17は減算回路、18はス
イッチ回路である。
である。第1図において1〜11の各構成要素は第3図
の従来技術と同一である。但し表示メモリ6は表示器1
の走査に同期して読み出すと同時に書き込みも行えるよ
うなメモリで構成した表示メモリとする。12は新たに
表示すべき画素のみのデータをセットするバッファメモ
リであり、13〜16は各々画素2〜5に対応して表示
情報を持つ構成要素である。17は減算回路、18はス
イッチ回路である。
本発明の動作について説明すると、バッファメモリ12
と表示メモリ6は共に表示器1の走査に同期してアドレ
スを更新しながら読み出され1表示メモリ6から読み出
された輝度データで表示器1の対応する画素の輝度をコ
ントロールし1画像を表示する。その時、減算回路17
はメモリ6からのデータから所定のデータNだけ減算し
スイッチ18の端子Bに出力する。一方、バッファメモ
リ12の当該画素に対応するデータが、新たに表示する
画素であることを示すものであれば(例えば1にセット
されておれば)スイッチ18を端子Aに接続し表示メモ
リ6の当該アドレスに所定の輝度値Mを書き込む。また
、新たに表示する画素でないことを示す(例えば6にリ
セット)ものであればスイッチ18を端子Bに接続し1
表示メモリ6の当該アドレスに今回の輝度データよりN
だけ少ないデータを当該アドレスに書き込みする。
と表示メモリ6は共に表示器1の走査に同期してアドレ
スを更新しながら読み出され1表示メモリ6から読み出
された輝度データで表示器1の対応する画素の輝度をコ
ントロールし1画像を表示する。その時、減算回路17
はメモリ6からのデータから所定のデータNだけ減算し
スイッチ18の端子Bに出力する。一方、バッファメモ
リ12の当該画素に対応するデータが、新たに表示する
画素であることを示すものであれば(例えば1にセット
されておれば)スイッチ18を端子Aに接続し表示メモ
リ6の当該アドレスに所定の輝度値Mを書き込む。また
、新たに表示する画素でないことを示す(例えば6にリ
セット)ものであればスイッチ18を端子Bに接続し1
表示メモリ6の当該アドレスに今回の輝度データよりN
だけ少ないデータを当該アドレスに書き込みする。
以上の構成と動作により今回新たに表示する画素に対し
ては輝度データMが表示メモリ6の当該アドレスに格納
され、また今回新たに表示する画素でないものに対して
は7表示メモリ6の当該アドレスの今回格納されていた
輝度データよりNだけ小さいデータが次回の表示のため
に格納される。
ては輝度データMが表示メモリ6の当該アドレスに格納
され、また今回新たに表示する画素でないものに対して
は7表示メモリ6の当該アドレスの今回格納されていた
輝度データよりNだけ小さいデータが次回の表示のため
に格納される。
この結果2表示器1には新たに表示すべき画像が輝度M
で表示され2表示器1の画面の1垂直走査に相当する時
間毎に輝度がNずつ減少していく画像を呈示することが
できる。上記Nの値を必要な残光特性に適合する値に定
めれば、新しい画像はど鮮明で時間がたつにつれて輝度
が薄くなる残光特性をもった画像の表示が可能となる。
で表示され2表示器1の画面の1垂直走査に相当する時
間毎に輝度がNずつ減少していく画像を呈示することが
できる。上記Nの値を必要な残光特性に適合する値に定
めれば、新しい画像はど鮮明で時間がたつにつれて輝度
が薄くなる残光特性をもった画像の表示が可能となる。
以下この発明の一実施例を第2図により説明する。本図
は第1図の表示器1を除く部分についてよりハードを具
体化するために書いたブロック図である。6は表示メモ
リ、12はバッファメモリでいずれも書き込み/読み出
しを非同期にできる2ボ一トRAMを使用したことを想
定して書いている。RDは読み出しクロック、WRは書
込みクロックを示す、17は減算回路、18はスイッチ
回路(セレクタ)、19〜20はラッチ回路である。ま
た21はDA変換器であり6からの輝度データをアナロ
グ信号に変換して表示器1に輝度コントロール信号とし
て出力する。クロック22は。
は第1図の表示器1を除く部分についてよりハードを具
体化するために書いたブロック図である。6は表示メモ
リ、12はバッファメモリでいずれも書き込み/読み出
しを非同期にできる2ボ一トRAMを使用したことを想
定して書いている。RDは読み出しクロック、WRは書
込みクロックを示す、17は減算回路、18はスイッチ
回路(セレクタ)、19〜20はラッチ回路である。ま
た21はDA変換器であり6からの輝度データをアナロ
グ信号に変換して表示器1に輝度コントロール信号とし
て出力する。クロック22は。
表示器1の走査信号に同期し、1画素の表示走査ごとに
出力されるクロックであり、23は1クロック分のみ2
2のクロックをデイレ−させる1クロックデイレ−回路
である。
出力されるクロックであり、23は1クロック分のみ2
2のクロックをデイレ−させる1クロックデイレ−回路
である。
以下この動作について説明するが2本図は第1図をより
具体化したものであるので当該分野の有識者には第1図
を用いて説明した動作が具現できることは自明であろう
、ラッチ19.20およびメモリ12にはそれぞれマイ
クロプロセッサ等を用いてデータN、M、および各画素
のオン/オフデータを書き込み可能である。バッファメ
モリ12および表示メモリ6はクロック22によって表
示器の画素走査に同期して同一のアドレス(即ち表示画
素に対するアドレス)のデータが順次読み出される。表
示メモリ6からの出力データはDA変換器21によって
DAされ表示器1へ輝度信号を与えるとともにラッチ1
9に保持された値Nだけ減算回路17で減算される。こ
の結果はスイッチ回路18に供給されるが、バッファメ
モリ12から読み出されたデータのオン/オフデータに
よって、このデータかラッチ20からのデータかを選択
されてメモリ6の入力ポートに供給される。
具体化したものであるので当該分野の有識者には第1図
を用いて説明した動作が具現できることは自明であろう
、ラッチ19.20およびメモリ12にはそれぞれマイ
クロプロセッサ等を用いてデータN、M、および各画素
のオン/オフデータを書き込み可能である。バッファメ
モリ12および表示メモリ6はクロック22によって表
示器の画素走査に同期して同一のアドレス(即ち表示画
素に対するアドレス)のデータが順次読み出される。表
示メモリ6からの出力データはDA変換器21によって
DAされ表示器1へ輝度信号を与えるとともにラッチ1
9に保持された値Nだけ減算回路17で減算される。こ
の結果はスイッチ回路18に供給されるが、バッファメ
モリ12から読み出されたデータのオン/オフデータに
よって、このデータかラッチ20からのデータかを選択
されてメモリ6の入力ポートに供給される。
このデータはメモリ6のWRRDックによって書込まれ
るが、WRRDックをRDクロックより1クロック遅ら
せることにより、メモリ6の読み出しアドレスより書込
みアドレスを1クロック分のみ遅らせてアクセスするの
で、メモリ6から読み出したと同じアドレスにスイッチ
回路18で選択されたデータを格納することが可能であ
る。
るが、WRRDックをRDクロックより1クロック遅ら
せることにより、メモリ6の読み出しアドレスより書込
みアドレスを1クロック分のみ遅らせてアクセスするの
で、メモリ6から読み出したと同じアドレスにスイッチ
回路18で選択されたデータを格納することが可能であ
る。
Nで残光速度を2Mで表示画像の輝度を制御することが
できるのは自明であろう、N=0と設定することにより
従来技術と同じく1時間がたっても輝度が変化せず画面
上に古い画像から最新の画像まで同一輝度で残る重ね書
き画像を表示することができる。またM=O,N=Oに
設定すればバッファメモリにオン情報をセットされた画
素に対してのみ輝度を0(すなわち当該画素のみ消す)
にすることも可能であり非常に適応性にすぐれた表示回
路を提供できる。
できるのは自明であろう、N=0と設定することにより
従来技術と同じく1時間がたっても輝度が変化せず画面
上に古い画像から最新の画像まで同一輝度で残る重ね書
き画像を表示することができる。またM=O,N=Oに
設定すればバッファメモリにオン情報をセットされた画
素に対してのみ輝度を0(すなわち当該画素のみ消す)
にすることも可能であり非常に適応性にすぐれた表示回
路を提供できる。
本発明によれば、新しい画像に古い画像を重ね書きし、
かつ古くなるにしたがって輝度が低くなるような残光性
のある表示画像を呈すことができ。
かつ古くなるにしたがって輝度が低くなるような残光性
のある表示画像を呈すことができ。
ディジタルオシロスコープ等に適用することによって、
瞬発的に発生する信号をもある特定時間管面上に残像と
して残す表示機能が容易に実現可能となる。
瞬発的に発生する信号をもある特定時間管面上に残像と
して残す表示機能が容易に実現可能となる。
第1図は本発明を示すブロック図、第2図は本発明の一
実施例を示すブロック図、第3図は従来技術を説明する
ブロック図である。 1:表示器、6:表示メモリ、12:バッファメモリ、
17:減算回路、18:スイッチ回路。 第1 第2図
実施例を示すブロック図、第3図は従来技術を説明する
ブロック図である。 1:表示器、6:表示メモリ、12:バッファメモリ、
17:減算回路、18:スイッチ回路。 第1 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、スキャン形等の表示回路において、表示器の走査に
同期して表示メモリを読み出す際に同時に書き込み可能
とする表示メモリ構造とし、特定画素を新たに表示させ
ようとする場合には対応する表示メモリアドレスに所定
の輝度データを書き込み、当該画素を新たに表示させな
い場合は対応する表示メモリアドレスの既格納データを
規定量減少させて再書き込みを行うことを特徴とする表
示メモリ回路。 2、スキャン形等の表示器用の表示回路において、表示
器の各画素の表示輝度を表わすデータを持つ表示メモリ
と、この表示メモリを画素の走査に同期して読み出す手
段と、この読み出した輝度データから別途指定された第
1の値だけ減じて得られる値を前記読み出した画素に対
応するアドレスに再格納する手段を備えた表示メモリ回
路。 3、請求の範囲第2項の表示メモリからの読み出し輝度
データから別途指定された値だけ減じた第1の輝度デー
タと別途指定された第2の輝度データを選択して表示メ
モリに格納することを可能としたことを特徴とする表示
メモリ回路。 4、請求の範囲第2項記載の第1の値と、請求の範囲第
3項記載の第2の輝度データを適宜に設定できるように
したことを特徴とする請求の範囲、第3項記載の表示メ
モリ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2183979A JPH0473683A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 表示メモリ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2183979A JPH0473683A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 表示メモリ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0473683A true JPH0473683A (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=16145189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2183979A Pending JPH0473683A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 表示メモリ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0473683A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06317609A (ja) * | 1992-04-23 | 1994-11-15 | Iwatsu Electric Co Ltd | 表示回路装置 |
JP2007098756A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Bridgestone Corp | 加硫制御方法及び制御システム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61264425A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-22 | Hitachi Ltd | 記憶回路 |
JP3128862B2 (ja) * | 1991-07-03 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | アルカリ金属をドープしたフラーレン系超伝導物質の作製法 |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP2183979A patent/JPH0473683A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61264425A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-22 | Hitachi Ltd | 記憶回路 |
JP3128862B2 (ja) * | 1991-07-03 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | アルカリ金属をドープしたフラーレン系超伝導物質の作製法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06317609A (ja) * | 1992-04-23 | 1994-11-15 | Iwatsu Electric Co Ltd | 表示回路装置 |
JP2007098756A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Bridgestone Corp | 加硫制御方法及び制御システム |
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