JP3068430B2 - 固体電解コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサ及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体電解コンデンサ及び
その製造方法に関し、特に、固体電解質として導電性高
分子化合物を用いた固体電解コンデンサであって、高温
下における漏れ電流増大のない固体電解コンデンサ及び
その製造方法に関する。
その製造方法に関し、特に、固体電解質として導電性高
分子化合物を用いた固体電解コンデンサであって、高温
下における漏れ電流増大のない固体電解コンデンサ及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高速化、デジ
タル化に伴なって、コンデンサの分野においても小型、
大容量で、高周波領域でのインピーダンスが低いコンデ
ンサが強く要求されている。
タル化に伴なって、コンデンサの分野においても小型、
大容量で、高周波領域でのインピーダンスが低いコンデ
ンサが強く要求されている。
【０００３】高周波領域で使用されるコンデンサには、
従来、マイカコンデンサ、積層セラミックコンデンサが
あるが、これらのコンデンサは小容量のときはともか
く、大容量化しようとすると形状が大きくなるので、機
器の小型化に適してはいない。一方、大容量のコンデン
サとしてはアルミニウム電解コンデンサやタンタル固体
電解コンデンサなどの、電解コンデンサがある。しかし
これらの電解コンデンサは用いられている電解質（アル
ミニウム電解コンデンサでは電解液、タンタル電解コン
デンサでは二酸化マンガン）の抵抗が高いことから、高
周波領域でのインピーダンスが十分に低いコンデンサを
得ることが困難である。
従来、マイカコンデンサ、積層セラミックコンデンサが
あるが、これらのコンデンサは小容量のときはともか
く、大容量化しようとすると形状が大きくなるので、機
器の小型化に適してはいない。一方、大容量のコンデン
サとしてはアルミニウム電解コンデンサやタンタル固体
電解コンデンサなどの、電解コンデンサがある。しかし
これらの電解コンデンサは用いられている電解質（アル
ミニウム電解コンデンサでは電解液、タンタル電解コン
デンサでは二酸化マンガン）の抵抗が高いことから、高
周波領域でのインピーダンスが十分に低いコンデンサを
得ることが困難である。
【０００４】これに対し、抵抗が低い有機半導体７，
７′，８，８′ーテトラシアノキノジメタン錯塩（ＴＣ
ＮＱ塩）を電解質に用いることにより、高周波領域での
インピーダンスを低下せしめたコンデンサが開発され
た。このような固体電解コンデンサは、例えば、特開昭
５２ー７９２５５号公報に開示されている。
７′，８，８′ーテトラシアノキノジメタン錯塩（ＴＣ
ＮＱ塩）を電解質に用いることにより、高周波領域での
インピーダンスを低下せしめたコンデンサが開発され
た。このような固体電解コンデンサは、例えば、特開昭
５２ー７９２５５号公報に開示されている。
【０００５】その後、二酸化マンガンやＴＣＮＱ塩より
も更に抵抗が低い導電性高分子化合物を固体電解質とし
て用いることにより、高周波領域でのインピーダンスを
十分に低下せしめた固体電解コンデンサが開発された。
このような固体電解コンデンサが、例えば特公平４ー５
６４４５号公報に開示されている。この導電性高分子化
合物を用いた固体電解コンデンサは、固体電解質の抵抗
が低いという大きな特徴を持つことから、他の特性を改
善し向上させてその有用性を更に高めるベく、様々な改
良が加えられている。
も更に抵抗が低い導電性高分子化合物を固体電解質とし
て用いることにより、高周波領域でのインピーダンスを
十分に低下せしめた固体電解コンデンサが開発された。
このような固体電解コンデンサが、例えば特公平４ー５
６４４５号公報に開示されている。この導電性高分子化
合物を用いた固体電解コンデンサは、固体電解質の抵抗
が低いという大きな特徴を持つことから、他の特性を改
善し向上させてその有用性を更に高めるベく、様々な改
良が加えられている。
【０００６】例えば、特開平３ー６４０１３号公報に
は、誘電体としての酸化皮膜と固体電解質としての導電
性高分子化合物層との間に界面活性剤を介在させて、導
電性高分子化合物層形成時における酸化皮膜表面の濡れ
性を向上させて、静電容量の減少や耐電圧低下を防ぎ、
又、ｔａｎδを改善した固体電解コンデンサが開示され
ている。
は、誘電体としての酸化皮膜と固体電解質としての導電
性高分子化合物層との間に界面活性剤を介在させて、導
電性高分子化合物層形成時における酸化皮膜表面の濡れ
性を向上させて、静電容量の減少や耐電圧低下を防ぎ、
又、ｔａｎδを改善した固体電解コンデンサが開示され
ている。
【０００７】又、特開平２ー７４０２１号公報や特開平
４ー７３９２４号公報には、同じく誘電体酸化皮膜と導
電性高分子化合物層との間に、シランカップリング剤、
チタンカップリング剤あるいはアルミニウムカップリン
グ剤を介在せしめた固体電解コンデンサが開示されてい
る。このコンデンサでは、上記カップリング剤が酸化皮
膜と導電性高分子化合物層との間の密着力を向上させる
作用を持つことを利用して、高温下における静電容量の
低下および損失特性の劣化を防いでいる。
４ー７３９２４号公報には、同じく誘電体酸化皮膜と導
電性高分子化合物層との間に、シランカップリング剤、
チタンカップリング剤あるいはアルミニウムカップリン
グ剤を介在せしめた固体電解コンデンサが開示されてい
る。このコンデンサでは、上記カップリング剤が酸化皮
膜と導電性高分子化合物層との間の密着力を向上させる
作用を持つことを利用して、高温下における静電容量の
低下および損失特性の劣化を防いでいる。
【０００８】更には、コンデンサとしての漏れ電流を減
少させることを目的とした技術開発も、精力的に行われ
ている。例えば、特開平２ー２１９２１１号公報には、
酸化皮膜上に二酸化マンガンを形成しその上に導電性高
分子化合物層を形成した後、再化成を行うことにより、
漏れ電流を減少させた固体電解コンデンサが開示されて
いる。又、酸化皮膜形成のための化成を硫酸溶液中とい
う限定された条件下で行うことにより、漏れ電流を改善
する技術が特開平３ー２８５３２１号公報に記載されて
いる。
少させることを目的とした技術開発も、精力的に行われ
ている。例えば、特開平２ー２１９２１１号公報には、
酸化皮膜上に二酸化マンガンを形成しその上に導電性高
分子化合物層を形成した後、再化成を行うことにより、
漏れ電流を減少させた固体電解コンデンサが開示されて
いる。又、酸化皮膜形成のための化成を硫酸溶液中とい
う限定された条件下で行うことにより、漏れ電流を改善
する技術が特開平３ー２８５３２１号公報に記載されて
いる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、固体
電解質として導電性高分子化合物を用いた固体電解コン
デンサにおいては、コンデンサとしての電気特性改善の
ために、いろいろな技術開発が試みられている。漏れ電
流の改善もその一つである。
電解質として導電性高分子化合物を用いた固体電解コン
デンサにおいては、コンデンサとしての電気特性改善の
ために、いろいろな技術開発が試みられている。漏れ電
流の改善もその一つである。
【００１０】このような状況のもとで、発明者らは、導
電性高分子化合物を用いた固体電解コンデンサではこれ
を高温下においた場合、あるいは高温に曝した後直後に
は、漏れ電流が増大するということを見出した。これに
対し、これまで述べた従来の漏れ電流減少のための技術
はいずれも、常温における漏れ電流の改善を目的とする
ものであって、高温における漏れ電流増大に着目しこれ
を防止するための技術はこれまで知られていない。
電性高分子化合物を用いた固体電解コンデンサではこれ
を高温下においた場合、あるいは高温に曝した後直後に
は、漏れ電流が増大するということを見出した。これに
対し、これまで述べた従来の漏れ電流減少のための技術
はいずれも、常温における漏れ電流の改善を目的とする
ものであって、高温における漏れ電流増大に着目しこれ
を防止するための技術はこれまで知られていない。
【００１１】従って本発明は、導電性高分子化合物を固
体電解質として用いる固体電解コンデンサであって、こ
れを高温に曝したときの漏れ電流の増大のない固体電解
コンデンサを提供することを目的とするものである。
体電解質として用いる固体電解コンデンサであって、こ
れを高温に曝したときの漏れ電流の増大のない固体電解
コンデンサを提供することを目的とするものである。
【００１２】本発明の他の目的は、上記のような、高温
下での漏れ電流特性に優れた固体電解コンデンサを製造
する方法を提供することである。
下での漏れ電流特性に優れた固体電解コンデンサを製造
する方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の固体電解コンデ
ンサは、陽極側電極としての弁作用金属体と、前記弁作
用金属体の表面を酸化して得た誘電体酸化皮膜と、電子
供与基を有する有機化合物（但し、アニオン界面活性
剤、シランカップリング剤、アルミニウムカップリング
剤及びチタンカップリング剤を除く）からなり、前記酸
化皮膜の全面を覆う電子供与性有機化合物の層と、固体
電解質層として前記電子供与性有機化合物層の全面を覆
う導電性高分子化合物層とを少なくとも含むことを特徴
とするコンデンサである。
ンサは、陽極側電極としての弁作用金属体と、前記弁作
用金属体の表面を酸化して得た誘電体酸化皮膜と、電子
供与基を有する有機化合物（但し、アニオン界面活性
剤、シランカップリング剤、アルミニウムカップリング
剤及びチタンカップリング剤を除く）からなり、前記酸
化皮膜の全面を覆う電子供与性有機化合物の層と、固体
電解質層として前記電子供与性有機化合物層の全面を覆
う導電性高分子化合物層とを少なくとも含むことを特徴
とするコンデンサである。
【００１４】本発明の固体電解コンデンサの製造方法
は、電子供与性有機化合物層形成工程で、前記酸化皮膜
形成された後の弁作用金属体を、電子供与性有機化合物
の蒸気に暴露することにより、前記電子供与性有機化合
物層を形成することを特徴とする製造方法である。この
場合は、電子供与性有機化合物としては、電子供与性を
示すものであればどのようなものでもよく、アニオン界
面活性剤の蒸気、シランカップリング剤の蒸気、チタン
カップリング剤の蒸気及びアルミニウムカップリング剤
の蒸気を含んでも良い。
は、電子供与性有機化合物層形成工程で、前記酸化皮膜
形成された後の弁作用金属体を、電子供与性有機化合物
の蒸気に暴露することにより、前記電子供与性有機化合
物層を形成することを特徴とする製造方法である。この
場合は、電子供与性有機化合物としては、電子供与性を
示すものであればどのようなものでもよく、アニオン界
面活性剤の蒸気、シランカップリング剤の蒸気、チタン
カップリング剤の蒸気及びアルミニウムカップリング剤
の蒸気を含んでも良い。
【００１５】本発明の固体電解コンデンサの製造方法は
又、前記電子供与性有機化合物層形成工程で、前記酸化
皮膜形成後の弁作用金属体を電子供与性有機化合物の蒸
気に暴露するのに替えて、電子供与性有機化合物の溶液
に浸漬することを特徴とする固体電解コンデンサの製造
方法である。但し、その場合、電子供与性有機化合物の
溶液としてアニオン界面活性剤の溶液、シランカップリ
ング剤の中性水溶液、チタンカップリング剤の水溶液及
びアルミニウムカップリング剤の水溶液などを除き、シ
ランカップリング剤のアルコール溶液又は酸性水溶液、
チタンカップリング剤のアルコール溶液及びアルミニウ
ムカップリング剤のアルコール溶液のいずれかの溶液を
用いる。
又、前記電子供与性有機化合物層形成工程で、前記酸化
皮膜形成後の弁作用金属体を電子供与性有機化合物の蒸
気に暴露するのに替えて、電子供与性有機化合物の溶液
に浸漬することを特徴とする固体電解コンデンサの製造
方法である。但し、その場合、電子供与性有機化合物の
溶液としてアニオン界面活性剤の溶液、シランカップリ
ング剤の中性水溶液、チタンカップリング剤の水溶液及
びアルミニウムカップリング剤の水溶液などを除き、シ
ランカップリング剤のアルコール溶液又は酸性水溶液、
チタンカップリング剤のアルコール溶液及びアルミニウ
ムカップリング剤のアルコール溶液のいずれかの溶液を
用いる。
【００１６】本発明の固体電解コンデンサは又、陽極側
電極としての弁作用金属体と、前記弁作用金属体の表面
を酸化して得た誘電体酸化皮膜と、固体電解質層として
前記酸化皮膜をその一部分が露出するようにして覆う導
電性高分子化合物層と、電子供与基を有する有機化合物
からなり、前記酸化皮膜の露出部分を覆う電子供与性有
機化合物の層とを少なくとも含むことを特徴とする。こ
の固体電解コンデンサにおいて電子供与性有機化合物
は、電子供与性を示すものであればどのようなものでも
よく、アニオン界面活性剤、シランカップリング剤加水
分解物、チタンカップリング剤加水分解物及びアルミニ
ウムカップリング剤加水分解物を含んでも良い。
電極としての弁作用金属体と、前記弁作用金属体の表面
を酸化して得た誘電体酸化皮膜と、固体電解質層として
前記酸化皮膜をその一部分が露出するようにして覆う導
電性高分子化合物層と、電子供与基を有する有機化合物
からなり、前記酸化皮膜の露出部分を覆う電子供与性有
機化合物の層とを少なくとも含むことを特徴とする。こ
の固体電解コンデンサにおいて電子供与性有機化合物
は、電子供与性を示すものであればどのようなものでも
よく、アニオン界面活性剤、シランカップリング剤加水
分解物、チタンカップリング剤加水分解物及びアルミニ
ウムカップリング剤加水分解物を含んでも良い。
【００１７】上記構造の固体電解コンデンサを製造する
方法は、前記酸化皮膜を形成する工程と、前記酸化皮膜
上にその一部分が露出するようにして前記導電性高分子
化合物層を形成する工程とを含む固体電解コンデンサの
製造方法において、前記電子供与性有機化合物層形成工
程では、前記導電性高分子化合物層が形成された後の弁
作用金属体を電子供与性有機化合物の蒸気に暴露するこ
とにより、前記電子供与性有機化合物層を形成すること
を特徴とする。
方法は、前記酸化皮膜を形成する工程と、前記酸化皮膜
上にその一部分が露出するようにして前記導電性高分子
化合物層を形成する工程とを含む固体電解コンデンサの
製造方法において、前記電子供与性有機化合物層形成工
程では、前記導電性高分子化合物層が形成された後の弁
作用金属体を電子供与性有機化合物の蒸気に暴露するこ
とにより、前記電子供与性有機化合物層を形成すること
を特徴とする。
【００１８】上記構造の固体電解コンデンサの製造方法
は又、前記導電性高分子化合物層形成後の弁作用金属体
を前記電子供与性有機化合物の蒸気に暴露するのに替え
て、電子供与性有機化合物の溶液に浸漬することを特徴
とする。但しこの場合は、シランカップリング剤の中性
水溶液、チタンカップリング剤の水溶液及びアルミニウ
ムカップリング剤の水溶液を除く。
は又、前記導電性高分子化合物層形成後の弁作用金属体
を前記電子供与性有機化合物の蒸気に暴露するのに替え
て、電子供与性有機化合物の溶液に浸漬することを特徴
とする。但しこの場合は、シランカップリング剤の中性
水溶液、チタンカップリング剤の水溶液及びアルミニウ
ムカップリング剤の水溶液を除く。
【００１９】本発明の固体電解コンデンサの製造方法
は、これまでの固体電解コンデンサの製造方法におい
て、酸化皮膜形成済み又は導電性高分子化合物層形成済
みの弁作用金属体を電子供与性有機化合物の溶液に浸漬
する場合、前記電子供与性有機化合物の溶液として、シ
ランカップリング剤、アルミニウムカップリング剤或い
はチタンカップリング剤の溶液を用いるとき、それらい
ずれかのカップリング剤のアルコール溶液を用いること
を特徴とする。
は、これまでの固体電解コンデンサの製造方法におい
て、酸化皮膜形成済み又は導電性高分子化合物層形成済
みの弁作用金属体を電子供与性有機化合物の溶液に浸漬
する場合、前記電子供与性有機化合物の溶液として、シ
ランカップリング剤、アルミニウムカップリング剤或い
はチタンカップリング剤の溶液を用いるとき、それらい
ずれかのカップリング剤のアルコール溶液を用いること
を特徴とする。
【００２０】又、シランカップリング剤の溶液を用いる
とき、その溶液として酸性水溶液を用いることを特徴と
する。
とき、その溶液として酸性水溶液を用いることを特徴と
する。
【００２１】本発明は、これを弁作用金属がタンタルで
ある固体電解コンデンサに適用したとき、特に効果が顕
著である。
ある固体電解コンデンサに適用したとき、特に効果が顕
著である。
【００２２】
【作用】一般に、固体電解コンデンサの漏れ電流Ｉは、
下記の式で表されるように、三つの電流からなる。
下記の式で表されるように、三つの電流からなる。
【００２３】 Ｉ＝ＩA ＋ＩB ＋ＩC ここで、ＩA は充電電流、ＩB は吸収電流、ＩC は真の
漏れ電流といわれるものである。式において、右辺第
１項の充電電流ＩA は、固体電解コンデンサに電圧を印
加したときに流れる電流であって、瞬時的に減衰する電
流成分である。第２項の吸収電流ＩB とは、比較的緩慢
な電気分極等に基づく電流成分であり、時間の−ｎ乗に
比例する。つまり、ＩB ＝ｋｔ-n（但し、ｋは比例係
数、ｔは時間）である。又、第３項の真の漏れ電流ＩC
とは、誘電体酸化皮膜を突き抜けて流れる定常的な電流
成分であり、時間依存性を示さない。
漏れ電流といわれるものである。式において、右辺第
１項の充電電流ＩA は、固体電解コンデンサに電圧を印
加したときに流れる電流であって、瞬時的に減衰する電
流成分である。第２項の吸収電流ＩB とは、比較的緩慢
な電気分極等に基づく電流成分であり、時間の−ｎ乗に
比例する。つまり、ＩB ＝ｋｔ-n（但し、ｋは比例係
数、ｔは時間）である。又、第３項の真の漏れ電流ＩC
とは、誘電体酸化皮膜を突き抜けて流れる定常的な電流
成分であり、時間依存性を示さない。
【００２４】導電性高分子化合物を固体電解質とするコ
ンデンサにおいて、誘電体酸化皮膜と導電性高分子化合
物層とが直接接触するという従来よく知られている構造
の場合、コンデンサとしての漏れ電流がそれ以前の二酸
化マンガンを固体電解質とするコンデンサに比べて大き
いという問題は、上述の吸収電流ＩB が大きいからであ
る。その原因は、導電性高分子化合物が酸化皮膜から電
子を引き抜くことにより酸化皮膜に電子が不足する領域
が生じ、その結果、固体電解コンデンサに正バイアス電
圧を掛けたとき、注入電子に対する電位障壁が導電性高
分子化合物層形成前に比べて低い状態にあるためであ
る、と言われている。
ンデンサにおいて、誘電体酸化皮膜と導電性高分子化合
物層とが直接接触するという従来よく知られている構造
の場合、コンデンサとしての漏れ電流がそれ以前の二酸
化マンガンを固体電解質とするコンデンサに比べて大き
いという問題は、上述の吸収電流ＩB が大きいからであ
る。その原因は、導電性高分子化合物が酸化皮膜から電
子を引き抜くことにより酸化皮膜に電子が不足する領域
が生じ、その結果、固体電解コンデンサに正バイアス電
圧を掛けたとき、注入電子に対する電位障壁が導電性高
分子化合物層形成前に比べて低い状態にあるためであ
る、と言われている。
【００２５】このことから、導電性高分子化合物を固体
電解質とするコンデンサにおいて漏れ電流の大きさは、
導電性高分子化合物層が形成されたことにより低下した
電位障壁を元のレベルにまで回復させる度合によって変
化する電流成分の影響を、強く受ける。この電流成分
が、上述の吸収電流ＩB である。つまり、導電性高分子
化合物を固体電解質とするコンデンサでは、漏れ電流Ｉ
は吸収電流ＩB に依存する。
電解質とするコンデンサにおいて漏れ電流の大きさは、
導電性高分子化合物層が形成されたことにより低下した
電位障壁を元のレベルにまで回復させる度合によって変
化する電流成分の影響を、強く受ける。この電流成分
が、上述の吸収電流ＩB である。つまり、導電性高分子
化合物を固体電解質とするコンデンサでは、漏れ電流Ｉ
は吸収電流ＩB に依存する。
【００２６】一方、低下した電位障壁を元のレベルまで
回復させるものは、酸化皮膜表面に吸着した水である。
つまり、酸化皮膜上に水が吸着している状態で固体電解
コンデンサに正バイアス電圧を掛けると、吸着水は瞬時
に水素イオンと水酸化物イオンに解離する。解離した水
酸化物イオンは、注入電子に対して電位障壁として作用
するので、結果的に、電位障壁が水酸化物イオンの存在
量の分だけ回復することになる。従って、低下した電位
障壁の回復レベルは酸化皮膜上に吸着する水酸化物イオ
ンの存在量、換言すれば水の量に依存することになる。
このことから、導電性高分子化合物を固体電解質とする
コンデンサにおいては、脱離によって水の存在量が著し
く減少する高温下では電位障壁の回復が十分でないの
で、漏れ電流が大きくなるという問題が生じる。特に、
弁作用金属がタンタルであるタンタル固体電解コンデン
サでは、タンタルの酸化皮膜（Ｔａ2 Ｏ5 ）が化学的に
安定なことから、アルミニウムの酸化皮膜（Ａl2Ｏ3 ）
で生じるような水酸基との化学的結合が起らず高温下で
の漏れ電流増加現象が顕在化しやすい。
回復させるものは、酸化皮膜表面に吸着した水である。
つまり、酸化皮膜上に水が吸着している状態で固体電解
コンデンサに正バイアス電圧を掛けると、吸着水は瞬時
に水素イオンと水酸化物イオンに解離する。解離した水
酸化物イオンは、注入電子に対して電位障壁として作用
するので、結果的に、電位障壁が水酸化物イオンの存在
量の分だけ回復することになる。従って、低下した電位
障壁の回復レベルは酸化皮膜上に吸着する水酸化物イオ
ンの存在量、換言すれば水の量に依存することになる。
このことから、導電性高分子化合物を固体電解質とする
コンデンサにおいては、脱離によって水の存在量が著し
く減少する高温下では電位障壁の回復が十分でないの
で、漏れ電流が大きくなるという問題が生じる。特に、
弁作用金属がタンタルであるタンタル固体電解コンデン
サでは、タンタルの酸化皮膜（Ｔａ2 Ｏ5 ）が化学的に
安定なことから、アルミニウムの酸化皮膜（Ａl2Ｏ3 ）
で生じるような水酸基との化学的結合が起らず高温下で
の漏れ電流増加現象が顕在化しやすい。
【００２７】そこで本発明者らは、高温下でも脱離しな
いもので且つ、水酸化物イオンのように注入電子に対し
て電位障壁を形成するようなものを酸化皮膜上に存在せ
しめることにより、上記高温下における漏れ電流増大の
問題を解決できると考えた。この考えに基づいて見出し
たものが電子供与基を有する有機化合物（電子供与性有
機化合物）である。
いもので且つ、水酸化物イオンのように注入電子に対し
て電位障壁を形成するようなものを酸化皮膜上に存在せ
しめることにより、上記高温下における漏れ電流増大の
問題を解決できると考えた。この考えに基づいて見出し
たものが電子供与基を有する有機化合物（電子供与性有
機化合物）である。
【００２８】その電子供与性有機化合物としては、カル
ボキシル基、スルホ基およびフェノキシル基のうちの少
なくとも一つを有する有機化合物が適していることが判
明した。カルボキシル基を有する有機化合物としては、
脂肪酸、芳香族カルボン酸等がある。カルボキシル基あ
るいはスルホ基を有する有機化合物としては、アニオン
界面活性剤等がある。フェノキシル基を有する有機化合
物としては、フェノール及びその誘導体がある。
ボキシル基、スルホ基およびフェノキシル基のうちの少
なくとも一つを有する有機化合物が適していることが判
明した。カルボキシル基を有する有機化合物としては、
脂肪酸、芳香族カルボン酸等がある。カルボキシル基あ
るいはスルホ基を有する有機化合物としては、アニオン
界面活性剤等がある。フェノキシル基を有する有機化合
物としては、フェノール及びその誘導体がある。
【００２９】又、電子供与性有機化合物として、シラン
カップリング剤の加水分解物、チタンカップリング剤の
加水分解物およびアルミニウムカップリング剤の加水分
解物も有効であることを確認した。
カップリング剤の加水分解物、チタンカップリング剤の
加水分解物およびアルミニウムカップリング剤の加水分
解物も有効であることを確認した。
【００３０】上述のいくつかの電子供与性有機化合物に
共通していることは、いずれも、電子供与基として酸素
原子を含む基をもっていることである。電子供与基はそ
の酸素原子の電子対を、例えば酸化タンタル皮膜中のタ
ンタル原子のような、弁作用金属原子と共有して共有結
合を形成することにより、酸化タンタルに電子を供給し
てその電位障壁を回復させると共に、酸化皮膜上に電子
供与性有機化合物を安定に存在せしめるものと考えられ
る。
共通していることは、いずれも、電子供与基として酸素
原子を含む基をもっていることである。電子供与基はそ
の酸素原子の電子対を、例えば酸化タンタル皮膜中のタ
ンタル原子のような、弁作用金属原子と共有して共有結
合を形成することにより、酸化タンタルに電子を供給し
てその電位障壁を回復させると共に、酸化皮膜上に電子
供与性有機化合物を安定に存在せしめるものと考えられ
る。
【００３１】以下に、電子供与性有機化合物の具体例
を、示す。 （ａ）脂肪酸 ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン
酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチ
ン酸、ステアリン酸、オレイン酸、ベヘニン酸 （ｂ）芳香族カルボン酸 安息香酸、シュウ酸、アクリル酸、トルイル酸、フタル
酸 （ｃ）アニオン界面活性剤（カルボン酸塩） ラウリン酸ナトリウム、ポロピオン酸ナトリウム （ｄ）アニオン界面活性剤（スルホン酸塩） イソプロピルナフタレンスルホン酸ナトリウム、ブチル
ナフタレンスルホン酸ナトリウム （ｅ）フェノール及びその誘導体 フェノール、ｐーフェノールスルホン酸 （ｆ）シランカップリング剤 γーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γーグ
リシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γーグリ
シドキシプロピルトリエトキシシラン、γーメタクリロ
キシプロピルメチルジメトキシシラン、γーメタクリロ
キシプロピルトリメトキシシラン、γーメタクリロキシ
プロピルメチルジエトキシシラン、γーメタクリロキシ
プロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（βメト
キシエトキシ）シラン、βー（３，４エポキシシクロヘ
キシル）エチルトリメトキシシラン、γーメルカプトプ
ロピルトリメトキシシラン （ｇ）チタンカップリング剤 イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプ
ロピルトリデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソ
プロピルトリス（ジオクチルピロホスフェート）チタネ
ート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイ
ト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホ
スファイト）チタネート、テトラ（２，２ージアリルオ
キシメチルー１ーブチル）ビス（ジートリデシル）ホス
ファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェ
ート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチル
パイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピ
ルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタク
リルイソステアロイルチタネート、イソプロピルイソス
テアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ
（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピル
トリクミルフェニルチタネート （ｈ）アルミニウムカップリング剤 アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート 上記の電子供与性有機化合物のうちアニオン界面活性剤
は、導電性高分子化合物層形成時における誘電体酸化皮
膜表面の濡れ性を向上させて、静電容量の減少や耐電圧
低下を防ぎ、又、ｔａｎδを改善させるためのものとし
て、前述の特開平３ー６４０１３号公報に開示されたも
のである。又、シランカップリング剤、チタンカップリ
ング剤およびアルミニウムカップリング剤は、それらが
酸化皮膜と導電性高分子化合物層との間の密着力を向上
させる作用を持つことを利用して、高温下における静電
容量低下および損失特性劣化を防ぐためのものとして、
特開平２ー７４０２１号公報あるいは特開平４ー７３９
２４号公報に開示されたものである。これらアニオン界
面活性剤や各カップリング剤はいずれも、高温化におけ
るコンデンサの漏れ電流増大防止を直接の目的とするも
のではないが、電子供与性をも有し、本発明が目的とす
る、高温下でのコンデンサの漏れ電流増大防止に有効で
ある。
を、示す。 （ａ）脂肪酸 ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン
酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチ
ン酸、ステアリン酸、オレイン酸、ベヘニン酸 （ｂ）芳香族カルボン酸 安息香酸、シュウ酸、アクリル酸、トルイル酸、フタル
酸 （ｃ）アニオン界面活性剤（カルボン酸塩） ラウリン酸ナトリウム、ポロピオン酸ナトリウム （ｄ）アニオン界面活性剤（スルホン酸塩） イソプロピルナフタレンスルホン酸ナトリウム、ブチル
ナフタレンスルホン酸ナトリウム （ｅ）フェノール及びその誘導体 フェノール、ｐーフェノールスルホン酸 （ｆ）シランカップリング剤 γーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γーグ
リシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γーグリ
シドキシプロピルトリエトキシシラン、γーメタクリロ
キシプロピルメチルジメトキシシラン、γーメタクリロ
キシプロピルトリメトキシシラン、γーメタクリロキシ
プロピルメチルジエトキシシラン、γーメタクリロキシ
プロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（βメト
キシエトキシ）シラン、βー（３，４エポキシシクロヘ
キシル）エチルトリメトキシシラン、γーメルカプトプ
ロピルトリメトキシシラン （ｇ）チタンカップリング剤 イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプ
ロピルトリデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソ
プロピルトリス（ジオクチルピロホスフェート）チタネ
ート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイ
ト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホ
スファイト）チタネート、テトラ（２，２ージアリルオ
キシメチルー１ーブチル）ビス（ジートリデシル）ホス
ファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェ
ート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチル
パイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピ
ルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタク
リルイソステアロイルチタネート、イソプロピルイソス
テアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ
（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピル
トリクミルフェニルチタネート （ｈ）アルミニウムカップリング剤 アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート 上記の電子供与性有機化合物のうちアニオン界面活性剤
は、導電性高分子化合物層形成時における誘電体酸化皮
膜表面の濡れ性を向上させて、静電容量の減少や耐電圧
低下を防ぎ、又、ｔａｎδを改善させるためのものとし
て、前述の特開平３ー６４０１３号公報に開示されたも
のである。又、シランカップリング剤、チタンカップリ
ング剤およびアルミニウムカップリング剤は、それらが
酸化皮膜と導電性高分子化合物層との間の密着力を向上
させる作用を持つことを利用して、高温下における静電
容量低下および損失特性劣化を防ぐためのものとして、
特開平２ー７４０２１号公報あるいは特開平４ー７３９
２４号公報に開示されたものである。これらアニオン界
面活性剤や各カップリング剤はいずれも、高温化におけ
るコンデンサの漏れ電流増大防止を直接の目的とするも
のではないが、電子供与性をも有し、本発明が目的とす
る、高温下でのコンデンサの漏れ電流増大防止に有効で
ある。
【００３２】次に、電子供与性有機化合物層は、モノレ
イヤー或いは数レイヤー程度の厚さで十分である。厚す
ぎる場合はむしろ、等価直列抵抗の増加あるいは静電容
量の減少というような、好ましくない副作用が生じる。
従って、電子供与性有機化合物の薄い層を再現性良く均
一に形成することが重要である。そのような方法とし
て、酸化皮膜形成済みの陽極体を、電子供与性有機化合
物の蒸気に曝す方法が有効である。
イヤー或いは数レイヤー程度の厚さで十分である。厚す
ぎる場合はむしろ、等価直列抵抗の増加あるいは静電容
量の減少というような、好ましくない副作用が生じる。
従って、電子供与性有機化合物の薄い層を再現性良く均
一に形成することが重要である。そのような方法とし
て、酸化皮膜形成済みの陽極体を、電子供与性有機化合
物の蒸気に曝す方法が有効である。
【００３３】或いは、電子供与性有機化合物の溶液に浸
す方法も効果的である。但し、その場合、各カップリン
グ剤は、これを水溶液の状態でよりもアルコール溶液の
状態で用いる方が、誘電体酸化皮膜上に薄く均一な層を
形成しやすい。カップリング剤の水溶液は酸化皮膜上で
部分的な塊となり易いからである。これは、カップリン
グ剤の水に対する溶解度が小さいことによる。つまり、
本来酸化皮膜表面で脱水作用を起して酸化皮膜と共有結
合を形成する例えばシラノール基が、溶媒である水によ
って縮合してしまう。その結果、酸化皮膜と結合できな
くなりカップリング剤どうしで結合して水玉状の塊とな
ってしまい、酸化皮膜上に安定に存在できなくなると共
に酸化皮膜に対する電子供与性を失うからであると考え
られる。従って、カップリング剤の溶液としては、これ
に対する溶解度の大きいアルコールで希釈することが、
薄い均一層の形成に有効である。
す方法も効果的である。但し、その場合、各カップリン
グ剤は、これを水溶液の状態でよりもアルコール溶液の
状態で用いる方が、誘電体酸化皮膜上に薄く均一な層を
形成しやすい。カップリング剤の水溶液は酸化皮膜上で
部分的な塊となり易いからである。これは、カップリン
グ剤の水に対する溶解度が小さいことによる。つまり、
本来酸化皮膜表面で脱水作用を起して酸化皮膜と共有結
合を形成する例えばシラノール基が、溶媒である水によ
って縮合してしまう。その結果、酸化皮膜と結合できな
くなりカップリング剤どうしで結合して水玉状の塊とな
ってしまい、酸化皮膜上に安定に存在できなくなると共
に酸化皮膜に対する電子供与性を失うからであると考え
られる。従って、カップリング剤の溶液としては、これ
に対する溶解度の大きいアルコールで希釈することが、
薄い均一層の形成に有効である。
【００３４】但し、カップリング剤のうちシランカップ
リング剤に限って、酸性の水溶液を用いても薄く均一な
層を形成できる。これは、シラノール基が「中性」の水
に対しては不安定で縮合して塊を作るのに対し、「酸
性」の水溶液では安定に存在し得て塊を作らないからで
ある。尚、その場合、酸性の水溶液として電子供与基を
有する有機化合物、例えば、脂肪酸の一つとして例示し
た酢酸を用いると、カップリング剤加水分解物の電子供
与性と酢酸の電子供与性とが重畳されるので、高温下で
の漏れ電流増大防止効果はより大きい。
リング剤に限って、酸性の水溶液を用いても薄く均一な
層を形成できる。これは、シラノール基が「中性」の水
に対しては不安定で縮合して塊を作るのに対し、「酸
性」の水溶液では安定に存在し得て塊を作らないからで
ある。尚、その場合、酸性の水溶液として電子供与基を
有する有機化合物、例えば、脂肪酸の一つとして例示し
た酢酸を用いると、カップリング剤加水分解物の電子供
与性と酢酸の電子供与性とが重畳されるので、高温下で
の漏れ電流増大防止効果はより大きい。
【００３５】
【実施例】次に、本発明のいくつかの好適な実施例につ
いて、従来の技術による固体電解コンデンサと比較し
て、説明する。
いて、従来の技術による固体電解コンデンサと比較し
て、説明する。
【００３６】（実施例１）図１に示すように、縦３．５
ｍｍ、横３．０ｍｍ、厚さ１．５ｍｍの直方体のタンタ
ル微粉末の焼結体を作製した。これをリン酸水溶液中で
９０Ｖで陽極酸化して、タンタル微粉末表面が酸化皮膜
２で被覆されたペレットを得た。
ｍｍ、横３．０ｍｍ、厚さ１．５ｍｍの直方体のタンタ
ル微粉末の焼結体を作製した。これをリン酸水溶液中で
９０Ｖで陽極酸化して、タンタル微粉末表面が酸化皮膜
２で被覆されたペレットを得た。
【００３７】次いで、この酸化皮膜２形成済みのペレッ
トを２重量％ラウリン酸のアルコール溶液中に１０分間
浸漬し、室温で３０分間、自然乾燥を行った。このよう
にして、電子供与基性有機化合物すなわち脂肪酸の一つ
であるラウリン酸の層３を、酸化皮膜上２の全面に形成
した。
トを２重量％ラウリン酸のアルコール溶液中に１０分間
浸漬し、室温で３０分間、自然乾燥を行った。このよう
にして、電子供与基性有機化合物すなわち脂肪酸の一つ
であるラウリン酸の層３を、酸化皮膜上２の全面に形成
した。
【００３８】その後、公知の技術によって、導電性高分
子化合物層４と陰極側導体層５とを順次形成した。すな
わち、ラウリン酸層３形成済みのペレットを、ピロール
２ｍｏｌ／リットルを含むエタノール溶液に１０分間浸
漬した後、過硫酸アンモニウム０．５ｍｏｌ／リット
ル、βーナフタレンスルホン酸、αーナフチル燐酸０．
０５ｍｏｌ／リットルを含む水溶液に浸漬した。このよ
うにして化学重合法でポリピロール層を形成したペレッ
トを、ピロール２ｍｏｌ／リットル、βーナフタレンス
ルホン酸、αーナフチル燐酸０．０５ｍｏｌ／リットル
を含むアセトニトリル溶液で１ｍＡの電流を５時間通電
して、電解重合法によるポリピロール層を化学重合法に
よるポリピロール層の上に形成した。その後、グラファ
イト及び銀ペーストを用いて導体層５を形成し、外部電
極６を取り出し、外装樹脂７で外装して、図１に示す構
造をもつ実施例１の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にラウリン酸の層３が形成
され、更にそのラウリン酸の層３の全面に、ポリピロー
ルの層４が形成されていることになる。尚、タンタル焼
結体は本来、内部に多数の非常に微小な空孔を持つ多孔
体であって、これを微視的に見れば空孔が内部に複雑に
入り込んで表面状態は凹凸に富むものであるが、図１は
これを簡潔化して理解を容易にするために、表面を平坦
面で表してある。
子化合物層４と陰極側導体層５とを順次形成した。すな
わち、ラウリン酸層３形成済みのペレットを、ピロール
２ｍｏｌ／リットルを含むエタノール溶液に１０分間浸
漬した後、過硫酸アンモニウム０．５ｍｏｌ／リット
ル、βーナフタレンスルホン酸、αーナフチル燐酸０．
０５ｍｏｌ／リットルを含む水溶液に浸漬した。このよ
うにして化学重合法でポリピロール層を形成したペレッ
トを、ピロール２ｍｏｌ／リットル、βーナフタレンス
ルホン酸、αーナフチル燐酸０．０５ｍｏｌ／リットル
を含むアセトニトリル溶液で１ｍＡの電流を５時間通電
して、電解重合法によるポリピロール層を化学重合法に
よるポリピロール層の上に形成した。その後、グラファ
イト及び銀ペーストを用いて導体層５を形成し、外部電
極６を取り出し、外装樹脂７で外装して、図１に示す構
造をもつ実施例１の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にラウリン酸の層３が形成
され、更にそのラウリン酸の層３の全面に、ポリピロー
ルの層４が形成されていることになる。尚、タンタル焼
結体は本来、内部に多数の非常に微小な空孔を持つ多孔
体であって、これを微視的に見れば空孔が内部に複雑に
入り込んで表面状態は凹凸に富むものであるが、図１は
これを簡潔化して理解を容易にするために、表面を平坦
面で表してある。
【００３９】（実施例２）実施例１におけると同じ焼結
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
【００４０】次いで、２重量％フタル酸のアルコール溶
液中に１０分間浸漬し、室温で３０分間、自然乾燥を行
った。このようにして、図１に示すように、電子供与性
有機化合物すなわち芳香族カルボン酸の一つであるフタ
ル酸の層３を、酸化皮膜２上に形成した。
液中に１０分間浸漬し、室温で３０分間、自然乾燥を行
った。このようにして、図１に示すように、電子供与性
有機化合物すなわち芳香族カルボン酸の一つであるフタ
ル酸の層３を、酸化皮膜２上に形成した。
【００４１】その後、実施例１と同様にして、図１に示
す構造の実施例２の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にフタル酸の層３が形成さ
れ、更にそのフタル酸の層３の全面に、ポリピロールの
層４が形成されていることになる。
す構造の実施例２の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にフタル酸の層３が形成さ
れ、更にそのフタル酸の層３の全面に、ポリピロールの
層４が形成されていることになる。
【００４２】（実施例３）実施例１におけると同じ焼結
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
【００４３】次に、２重量％ラウリン酸ナトリウムのア
ルコール溶液中に１０分間浸漬し、室温で３０分間、自
然乾燥を行った。このようにして、図１に示すように、
電子供与性有機化合物すなわちアニオン界面活性剤（カ
ルボン酸塩）の一つであるラウリン酸ナトリウムの層３
を、酸化皮膜２上に形成した。
ルコール溶液中に１０分間浸漬し、室温で３０分間、自
然乾燥を行った。このようにして、図１に示すように、
電子供与性有機化合物すなわちアニオン界面活性剤（カ
ルボン酸塩）の一つであるラウリン酸ナトリウムの層３
を、酸化皮膜２上に形成した。
【００４４】その後、実施例１と同様にして、図１に示
す構造の実施例３の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にラウリン酸ナトリウムの
層３が形成され、更にそのラウリン酸ナトリウムの層３
の全面に、ポリピロールの層４が形成されていることに
なる。
す構造の実施例３の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にラウリン酸ナトリウムの
層３が形成され、更にそのラウリン酸ナトリウムの層３
の全面に、ポリピロールの層４が形成されていることに
なる。
【００４５】（実施例４）実施例１におけると同じ焼結
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
【００４６】次に、２重量％ブチルナフタレンスルホン
酸ナトリウムのアルコール溶液の中に１０分間浸漬し、
室温で３０分間、自然乾燥を行った。このようにして、
図１に示すように、電子供与性有機化合物すなわちアニ
オン界面活性剤（スルホン酸塩）の一つであるブチルナ
フタレンスルホン酸ナトリウムの層３を、酸化皮膜２上
に形成した。
酸ナトリウムのアルコール溶液の中に１０分間浸漬し、
室温で３０分間、自然乾燥を行った。このようにして、
図１に示すように、電子供与性有機化合物すなわちアニ
オン界面活性剤（スルホン酸塩）の一つであるブチルナ
フタレンスルホン酸ナトリウムの層３を、酸化皮膜２上
に形成した。
【００４７】その後、実施例１と同様にして、図１に示
す構造の実施例４の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にブチルナフタレンスルホ
ン酸ナトリウムの層３が形成され、更にそのブチルナフ
タレンスルホン酸ナトリウムの層３の全面に、ポリピロ
ールの層４が形成されていることになる。
す構造の実施例４の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にブチルナフタレンスルホ
ン酸ナトリウムの層３が形成され、更にそのブチルナフ
タレンスルホン酸ナトリウムの層３の全面に、ポリピロ
ールの層４が形成されていることになる。
【００４８】（実施例５）実施例１におけると同じ焼結
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
【００４９】次に、２重量％ｐーフェノールスルホン酸
のアルコール溶液中に１０分間浸漬し、室温で３０分
間、自然乾燥を行った。このようにして、図１に示すよ
うに、電子供与性有機化合物すなわちフェノール誘導体
の一つであるｐーフェノールスルホン酸の層３を、酸化
皮膜２上に形成した。
のアルコール溶液中に１０分間浸漬し、室温で３０分
間、自然乾燥を行った。このようにして、図１に示すよ
うに、電子供与性有機化合物すなわちフェノール誘導体
の一つであるｐーフェノールスルホン酸の層３を、酸化
皮膜２上に形成した。
【００５０】その後、実施例１と同様にして、図１に示
す構造の実施例５の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にｐーフェノールスルホン
酸の層３が形成され、更にそのｐーフェノールスルホン
酸の層３の全面に、ポリピロールの層４が形成されてい
ることになる。
す構造の実施例５の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にｐーフェノールスルホン
酸の層３が形成され、更にそのｐーフェノールスルホン
酸の層３の全面に、ポリピロールの層４が形成されてい
ることになる。
【００５１】（実施例６）実施例１におけると同じ焼結
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
【００５２】次に、２重量％γーグリシドキシプロピル
トリメトキシシランのメタノール溶液中に１０分間浸漬
し、室温で２４時間、自然乾燥を行った。このようにし
て、図１に示すように、電子供与性有機化合物すなわち
シランカップリング剤の加水分解物の一つであるγーグ
リシドキシプロピルトリメトキシシランの加水分解物の
層３を、酸化皮膜２上に形成した。
トリメトキシシランのメタノール溶液中に１０分間浸漬
し、室温で２４時間、自然乾燥を行った。このようにし
て、図１に示すように、電子供与性有機化合物すなわち
シランカップリング剤の加水分解物の一つであるγーグ
リシドキシプロピルトリメトキシシランの加水分解物の
層３を、酸化皮膜２上に形成した。
【００５３】その後、実施例１と同様にして、図１に示
す構造の実施例６の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にγーグリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランの加水分解物の層３が形成され、
更にそのγーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン
の加水分解物の層３の全面に、ポリピロールの層４が形
成されていることになる。
す構造の実施例６の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にγーグリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランの加水分解物の層３が形成され、
更にそのγーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン
の加水分解物の層３の全面に、ポリピロールの層４が形
成されていることになる。
【００５４】（実施例７）実施例１におけると同じ焼結
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
【００５５】次に、γーグリシドキシプロピルトリメト
キシシランの蒸気中に１時間曝し、室温で２４時間、自
然乾燥を行った。このようにして、図１に示すように、
電子供与性有機化合物すなわちシランカップリング剤の
加水分解物の一つであるγーグリシドキシプロピルトリ
メトキシシランの加水分解物の層３を、酸化皮膜２上に
存在せしめた。
キシシランの蒸気中に１時間曝し、室温で２４時間、自
然乾燥を行った。このようにして、図１に示すように、
電子供与性有機化合物すなわちシランカップリング剤の
加水分解物の一つであるγーグリシドキシプロピルトリ
メトキシシランの加水分解物の層３を、酸化皮膜２上に
存在せしめた。
【００５６】その後、実施例１と同様にして、図１に示
す構造の実施例７の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にγーグリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランの加水分解物の層３が形成され、
更にそのγーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン
の加水分解物の層３の全面に、ポリピロールの層４が形
成されていることになる。
す構造の実施例７の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にγーグリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランの加水分解物の層３が形成され、
更にそのγーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン
の加水分解物の層３の全面に、ポリピロールの層４が形
成されていることになる。
【００５７】（実施例８）実施例１におけると同じ焼結
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
【００５８】次に、実施例６で用いたγーグリシドキシ
プロピルトリメトキシシランのメタノール溶液中に１０
分間浸漬し、室温で２４時間、自然乾燥を行った。この
浸漬と乾燥の操作を２回繰り返して、図１に示すよう
に、電子供与性有機化合物すなわちシランカップリング
剤の加水分解物の一つであるγーグリシドキシプロピル
トリメトキシシランの加水分解物の層３を、酸化皮膜２
上に形成した。
プロピルトリメトキシシランのメタノール溶液中に１０
分間浸漬し、室温で２４時間、自然乾燥を行った。この
浸漬と乾燥の操作を２回繰り返して、図１に示すよう
に、電子供与性有機化合物すなわちシランカップリング
剤の加水分解物の一つであるγーグリシドキシプロピル
トリメトキシシランの加水分解物の層３を、酸化皮膜２
上に形成した。
【００５９】その後、実施例１と同様にして、図１に示
す構造の実施例８の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にγーグリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランの加水分解物の層３が形成され、
更にそのγーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン
の加水分解物の層３の全面に、ポリピロールの層４が形
成されていることになる。
す構造の実施例８の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にγーグリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランの加水分解物の層３が形成され、
更にそのγーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン
の加水分解物の層３の全面に、ポリピロールの層４が形
成されていることになる。
【００６０】（実施例９）実施例１におけると同じ焼結
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
【００６１】次に、２重量％アセトアルコキシアルミニ
ウムジイソプロピレートのアルコール溶液中に１０分間
浸漬し、室温で２４時間、自然乾燥を行った。このよう
にして、図１に示すように、電子供与性有機化合物すな
わちアルミニウムカップリング剤の加水分解物の一つで
あるアセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート
の加水分解物の層３を、酸化皮膜２上に形成した。
ウムジイソプロピレートのアルコール溶液中に１０分間
浸漬し、室温で２４時間、自然乾燥を行った。このよう
にして、図１に示すように、電子供与性有機化合物すな
わちアルミニウムカップリング剤の加水分解物の一つで
あるアセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート
の加水分解物の層３を、酸化皮膜２上に形成した。
【００６２】その後、実施例１と同様にして、図１に示
す構造の実施例９の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にアセトアルコキシアルミ
ニウムジイソプロピレートの加水分解物の層３が形成さ
れ、更にそのアセトアルコキシアルミニウムジイソプロ
ピレートの加水分解物の層３の全面に、ポリピロールの
層４が形成されていることになる。
す構造の実施例９の固体電解コンデンサを完成させた。
このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に示すよう
に、誘電体酸化皮膜２の全面にアセトアルコキシアルミ
ニウムジイソプロピレートの加水分解物の層３が形成さ
れ、更にそのアセトアルコキシアルミニウムジイソプロ
ピレートの加水分解物の層３の全面に、ポリピロールの
層４が形成されていることになる。
【００６３】（実施例１０）実施例１におけると同じ焼
結体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形
成した。
結体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形
成した。
【００６４】次に、２重量％アセトアルコキシアルミニ
ウムジイソプロピレートのアルコール溶液中に１０分間
浸漬し、室温で２４時間、自然乾燥を行った。このよう
にして、図１に示すように、電子供与性有機化合物すな
わちアルミニウムカップリング剤の加水分解物の一つで
あるアセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート
の加水分解物の層３を、酸化皮膜２上に存在せしめた。
ウムジイソプロピレートのアルコール溶液中に１０分間
浸漬し、室温で２４時間、自然乾燥を行った。このよう
にして、図１に示すように、電子供与性有機化合物すな
わちアルミニウムカップリング剤の加水分解物の一つで
あるアセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート
の加水分解物の層３を、酸化皮膜２上に存在せしめた。
【００６５】その後、公知の技術で導電性高分子化合物
であるポリアニリンの層４を形成した。すなわち、３０
重量％の重クロム酸カリウムの水溶液に５分間浸漬し、
次いで室温でアニリンとｐートルエンスルホン酸とを５
重量％含む溶液に５分間浸漬した後、空気中で３０分間
保持して重合を行わせた。これら一連の操作である酸化
剤の充填とアニリンモノマー及びｐートルエンスルホン
酸とを含む溶液との接触、重合の操作を５回繰り返し
て、黒色のポリアニリン層を形成した。
であるポリアニリンの層４を形成した。すなわち、３０
重量％の重クロム酸カリウムの水溶液に５分間浸漬し、
次いで室温でアニリンとｐートルエンスルホン酸とを５
重量％含む溶液に５分間浸漬した後、空気中で３０分間
保持して重合を行わせた。これら一連の操作である酸化
剤の充填とアニリンモノマー及びｐートルエンスルホン
酸とを含む溶液との接触、重合の操作を５回繰り返し
て、黒色のポリアニリン層を形成した。
【００６６】この後、実施例１と同様にして、導体層５
を形成し外部電極６を取り出した後外装樹脂７で外装し
て、図１に示す実施例１０の固体電解コンデンサを完成
させた。このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に
示すように、誘電体酸化皮膜２の全面にアセトアルコキ
シアルミニウムジイソプロピレートの加水分解物の層３
が形成され、更にそのアセトアルコキシアルミニウムジ
イソプロピレートの加水分解物の層３の全面に、ポリア
ニリンの層４が形成されていることになる。
を形成し外部電極６を取り出した後外装樹脂７で外装し
て、図１に示す実施例１０の固体電解コンデンサを完成
させた。このコンデンサでは、図１中の模式的拡大図に
示すように、誘電体酸化皮膜２の全面にアセトアルコキ
シアルミニウムジイソプロピレートの加水分解物の層３
が形成され、更にそのアセトアルコキシアルミニウムジ
イソプロピレートの加水分解物の層３の全面に、ポリア
ニリンの層４が形成されていることになる。
【００６７】（実施例１１）実施例１におけると同じ焼
結体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形
成した。
結体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形
成した。
【００６８】次に、実施例１におけると同様な化学重合
法により、導電性高分子化合物層としてのポリピロール
層４Ａを、酸化皮膜２の上に形成した（図２（ａ）参
照）。このとき、形成されるポリピロール層４Ａの厚さ
が薄くなるようにして、酸化皮膜２が一部分、ポリピロ
ール層４Ａから露出するようにした。尚、図２（ａ）も
図１と同様に、タンタル焼結体の表面を平坦な形状で表
してある。
法により、導電性高分子化合物層としてのポリピロール
層４Ａを、酸化皮膜２の上に形成した（図２（ａ）参
照）。このとき、形成されるポリピロール層４Ａの厚さ
が薄くなるようにして、酸化皮膜２が一部分、ポリピロ
ール層４Ａから露出するようにした。尚、図２（ａ）も
図１と同様に、タンタル焼結体の表面を平坦な形状で表
してある。
【００６９】次いで、実施例１と同様に、ポリピロール
層４Ａ形成済みのペレットを２重量％ラウリン酸のアル
コール溶液に１０分間浸漬し、室温で３０分間、自然乾
燥した。このようにして、電子供与性有機化合物すなわ
ち脂肪酸の一つであるラウリン酸の層３を、酸化皮膜２
のポリピロール層４Ａに覆われていない部分の上に形成
した。この場合、ラウリン酸の層３は、酸化皮膜２の露
出部の上にだけ形成された。これは、電子供与性有機化
合物であるラウリン酸も、導電性高分子化合物であるポ
リピロールも共に電子を放出することから、互いの間で
共有結合を形成せず接着力が弱いからであると考えられ
る。
層４Ａ形成済みのペレットを２重量％ラウリン酸のアル
コール溶液に１０分間浸漬し、室温で３０分間、自然乾
燥した。このようにして、電子供与性有機化合物すなわ
ち脂肪酸の一つであるラウリン酸の層３を、酸化皮膜２
のポリピロール層４Ａに覆われていない部分の上に形成
した。この場合、ラウリン酸の層３は、酸化皮膜２の露
出部の上にだけ形成された。これは、電子供与性有機化
合物であるラウリン酸も、導電性高分子化合物であるポ
リピロールも共に電子を放出することから、互いの間で
共有結合を形成せず接着力が弱いからであると考えられ
る。
【００７０】更に、実施例１におけると同様な電解重合
法により、化学重合ポリピロール層４Ａ及びラウリン酸
の層３の上に電解重合ポリピロール層４Ｂを形成し、下
層のポリピロール層４Ａと併せて、固体電解質としての
導電性高分子化合物層４とした。このとき、上層のポリ
ピロール層４Ｂは、下層のポリピロール層４Ａの上のみ
ならず、電子供与性有機化合物であるラウリン酸の層３
の上にも形成された。これは、ラウリン酸の層３は一方
では誘電体酸化皮膜２と共有結合を形成しており、従っ
て、他方の導電性ポリピロール層４Ｂと接する側では電
子不足となり、ポリピロール層４Ｂと共有結合を形成す
るからであると考えられる。
法により、化学重合ポリピロール層４Ａ及びラウリン酸
の層３の上に電解重合ポリピロール層４Ｂを形成し、下
層のポリピロール層４Ａと併せて、固体電解質としての
導電性高分子化合物層４とした。このとき、上層のポリ
ピロール層４Ｂは、下層のポリピロール層４Ａの上のみ
ならず、電子供与性有機化合物であるラウリン酸の層３
の上にも形成された。これは、ラウリン酸の層３は一方
では誘電体酸化皮膜２と共有結合を形成しており、従っ
て、他方の導電性ポリピロール層４Ｂと接する側では電
子不足となり、ポリピロール層４Ｂと共有結合を形成す
るからであると考えられる。
【００７１】この後、実施例１と同様にして、導体層５
を形成し、外部電極６を取り出し、外装樹脂７で外装し
て、図１に示す実施例１１の固体電解コンデンサを完成
させた。このコンデンサでは、図２（ａ）に示す模式的
拡大図のように、誘電体酸化皮膜２の一部分には化学重
合のポリピロール層４Ａに覆われない部分があり、その
部分は電子供与性有機化合物であるラウリン酸の層３を
介して、電解重合のポリピロール層４Ｂが形成されてい
ることになる。
を形成し、外部電極６を取り出し、外装樹脂７で外装し
て、図１に示す実施例１１の固体電解コンデンサを完成
させた。このコンデンサでは、図２（ａ）に示す模式的
拡大図のように、誘電体酸化皮膜２の一部分には化学重
合のポリピロール層４Ａに覆われない部分があり、その
部分は電子供与性有機化合物であるラウリン酸の層３を
介して、電解重合のポリピロール層４Ｂが形成されてい
ることになる。
【００７２】（実施例１２）実施例１におけると同じ焼
結体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形
成した。
結体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形
成した。
【００７３】次に、実施例１におけると同様な化学重合
法および電解重合法により、導電性高分子化合物層とし
て、化学重合ポリピロール層４Ａ及び電解重合ポリピロ
ール層４Ｂを、酸化皮膜２の上に形成した（図２（ｂ）
参照）。このとき、形成されるポリピロール層４Ａの厚
さが薄くなるようにして、酸化皮膜２が一部分ポリピロ
ール層４Ａ，４Ｂから露出するようにした。尚、図２
（ｂ）も図１と同様に、タンタル焼結体の表面を平坦な
形状で表してある。
法および電解重合法により、導電性高分子化合物層とし
て、化学重合ポリピロール層４Ａ及び電解重合ポリピロ
ール層４Ｂを、酸化皮膜２の上に形成した（図２（ｂ）
参照）。このとき、形成されるポリピロール層４Ａの厚
さが薄くなるようにして、酸化皮膜２が一部分ポリピロ
ール層４Ａ，４Ｂから露出するようにした。尚、図２
（ｂ）も図１と同様に、タンタル焼結体の表面を平坦な
形状で表してある。
【００７４】次いで、実施例１と同様に、ポリピロール
層４Ａ，４Ｂ形成済みのペレットを２重量％ラウリン酸
のアルコール溶液に１０分間浸漬し、室温で３０分間、
自然乾燥した。このようにして、電子供与性有機化合物
すなわち脂肪酸の一つであるラウリン酸の層３を、酸化
皮膜２のポリピロール層４Ａ，４Ｂに覆われていない部
分の上に形成した。本実施例においても実施例１１にお
けると同様に、ラウリン酸の層３は、酸化皮膜２がポリ
ピロール４Ａ，４Ｂから露出している部分の上にだけ形
成された。
層４Ａ，４Ｂ形成済みのペレットを２重量％ラウリン酸
のアルコール溶液に１０分間浸漬し、室温で３０分間、
自然乾燥した。このようにして、電子供与性有機化合物
すなわち脂肪酸の一つであるラウリン酸の層３を、酸化
皮膜２のポリピロール層４Ａ，４Ｂに覆われていない部
分の上に形成した。本実施例においても実施例１１にお
けると同様に、ラウリン酸の層３は、酸化皮膜２がポリ
ピロール４Ａ，４Ｂから露出している部分の上にだけ形
成された。
【００７５】この後、実施例１と同様にして、導体層５
を形成し、外部電極６を取り出し、外装樹脂７で外装し
て、図１に示す実施例１２の固体電解コンデンサを完成
させた。このコンデンサでは、図２（ｂ）に示す模式的
拡大図のように、誘電体酸化皮膜２の一部分にはポリピ
ロール層４Ａ，４Ｂに覆われない部分があり、その部分
は電子供与性有機化合物であるラウリン酸の層３を介し
て、陰極側導体層５が直接形成されていることになる。
を形成し、外部電極６を取り出し、外装樹脂７で外装し
て、図１に示す実施例１２の固体電解コンデンサを完成
させた。このコンデンサでは、図２（ｂ）に示す模式的
拡大図のように、誘電体酸化皮膜２の一部分にはポリピ
ロール層４Ａ，４Ｂに覆われない部分があり、その部分
は電子供与性有機化合物であるラウリン酸の層３を介し
て、陰極側導体層５が直接形成されていることになる。
【００７６】（比較例１）実施例１におけると同じ焼結
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
体を用いて、実施例１と同様の方法で酸化皮膜２を形成
した。
【００７７】次に、実施例１におけると同様にして、導
電性高分子化合物層（ポリピロール層）４、導体層５を
順次形成した後、外部電極６を取り出し外装樹脂７で外
装して、比較例１の固体電解コンデンサを完成させた。
この比較例１のコンデンサでは、図１に示す実施例のコ
ンデンサに対して、電子供与性有機化合物層３が存在せ
ず、酸化皮膜２とポリピロール層４とが直接接触してい
る点が異る。
電性高分子化合物層（ポリピロール層）４、導体層５を
順次形成した後、外部電極６を取り出し外装樹脂７で外
装して、比較例１の固体電解コンデンサを完成させた。
この比較例１のコンデンサでは、図１に示す実施例のコ
ンデンサに対して、電子供与性有機化合物層３が存在せ
ず、酸化皮膜２とポリピロール層４とが直接接触してい
る点が異る。
【００７８】（比較例２）比較例２は、電子供与性有機
化合物層３（図４参照）形成の際に、シランカップリン
グ剤の水溶液を用いてこれを形成したコンデンサであっ
て、下記のようにして作製した。すなわち、実施例１に
おけると同じ焼結体を用いて、実施例１と同様の方法で
酸化皮膜２を形成した。
化合物層３（図４参照）形成の際に、シランカップリン
グ剤の水溶液を用いてこれを形成したコンデンサであっ
て、下記のようにして作製した。すなわち、実施例１に
おけると同じ焼結体を用いて、実施例１と同様の方法で
酸化皮膜２を形成した。
【００７９】次に、２重量％γーグリシドキシプロピル
トリメトキシシランの水溶液に１０分間浸漬し、室温で
２４時間、自然乾燥を行った。
トリメトキシシランの水溶液に１０分間浸漬し、室温で
２４時間、自然乾燥を行った。
【００８０】その後、実施例１におけると同様にして、
固体電解質としてのポリピロール層４、陰極側導体層５
を順次形成した。更に、外部電極６を取り出し外装樹脂
７で外装して、比較例２の固体電解コンデンサを完成さ
せた。この比較例２のコンデンサでは、図４に示すよう
に、酸化皮膜２と導電性高分子化合物層（ポリピロール
層）４との間に電子供与性有機化合物層（γーグリシド
キシプロピルトリメトキシシランの加水分解物層）が、
水玉状に部分的に散在していることになる（後述す
る）。
固体電解質としてのポリピロール層４、陰極側導体層５
を順次形成した。更に、外部電極６を取り出し外装樹脂
７で外装して、比較例２の固体電解コンデンサを完成さ
せた。この比較例２のコンデンサでは、図４に示すよう
に、酸化皮膜２と導電性高分子化合物層（ポリピロール
層）４との間に電子供与性有機化合物層（γーグリシド
キシプロピルトリメトキシシランの加水分解物層）が、
水玉状に部分的に散在していることになる（後述す
る）。
【００８１】これまで述べた実施例１〜１２および比較
例１〜２に対して高温放置試験を行った結果を図３に示
す。試験は相対湿度５％ＲＨ以下、温度８５℃の環境下
に５００時間放置した後、コンデンサの漏れ電流を試験
前後で比較するものである。試料は、各実施例、比較例
とも、それぞれ５個ずつである。尚、これまでの実施例
１〜１２及び比較例１〜２のうち、実施例１〜１０およ
び比較例１〜２の構造（導電性高分子化合物層４が誘電
体酸化皮膜２上に、全面に渡って形成されている構造。
図１参照）のものを、便宜上、「全面被覆型」と呼び、
一方、実施例１１，１２の構造（酸化皮膜２に、一部、
導電性高分子化合物層４Ａ（二層構造の導電性高分子化
合物層のうちの下層の高分子化合物層）から露出する部
分がある構造。図２（ａ）、（ｂ）参照）のものを、
「部分被覆型」と呼ぶこととする。
例１〜２に対して高温放置試験を行った結果を図３に示
す。試験は相対湿度５％ＲＨ以下、温度８５℃の環境下
に５００時間放置した後、コンデンサの漏れ電流を試験
前後で比較するものである。試料は、各実施例、比較例
とも、それぞれ５個ずつである。尚、これまでの実施例
１〜１２及び比較例１〜２のうち、実施例１〜１０およ
び比較例１〜２の構造（導電性高分子化合物層４が誘電
体酸化皮膜２上に、全面に渡って形成されている構造。
図１参照）のものを、便宜上、「全面被覆型」と呼び、
一方、実施例１１，１２の構造（酸化皮膜２に、一部、
導電性高分子化合物層４Ａ（二層構造の導電性高分子化
合物層のうちの下層の高分子化合物層）から露出する部
分がある構造。図２（ａ）、（ｂ）参照）のものを、
「部分被覆型」と呼ぶこととする。
【００８２】図３を参照して、比較例１（全面被覆型
で、電子供与性有機化合物層３を持たないコンデンサ）
と実施例１〜９（全面被覆型で、電子供与性有機化合物
層３を有するコンデンサ）とを比較すると、比較例１で
は試験前後で漏れ電流が約１００倍に増加しているのに
対し、実施例１〜９ではいずれの場合も、たかだか２倍
程度の増加でしかない。このことから、各実施例で酸化
皮膜２と導電性高分子化合物層４との間に介在させた、
脂肪酸、芳香族カルボン酸、アニオン界面活性剤（カル
ボン酸塩およびスルホン酸塩）、フェノール誘導体、シ
ランカップリング剤加水分解物、アルミニウムカップリ
ング剤加水分解物の層３がいずれも電子供与性を持ち、
高温下での漏れ電流増加防止に有効であることが分る。
で、電子供与性有機化合物層３を持たないコンデンサ）
と実施例１〜９（全面被覆型で、電子供与性有機化合物
層３を有するコンデンサ）とを比較すると、比較例１で
は試験前後で漏れ電流が約１００倍に増加しているのに
対し、実施例１〜９ではいずれの場合も、たかだか２倍
程度の増加でしかない。このことから、各実施例で酸化
皮膜２と導電性高分子化合物層４との間に介在させた、
脂肪酸、芳香族カルボン酸、アニオン界面活性剤（カル
ボン酸塩およびスルホン酸塩）、フェノール誘導体、シ
ランカップリング剤加水分解物、アルミニウムカップリ
ング剤加水分解物の層３がいずれも電子供与性を持ち、
高温下での漏れ電流増加防止に有効であることが分る。
【００８３】次に、実施例６と実施例７の結果から、電
子供与性有機化合物層４の形成に際して、ペレットを電
子供与性有機化合物の溶液に浸漬する方法および、その
蒸気に曝す方法のいずれを採っても、同一の効果が得ら
れることが分る。又、実施例６と実施例８の結果から、
浸漬する方法を採用したとき、その浸漬回数は、一回だ
けでなく繰り返しても良いことが分る。
子供与性有機化合物層４の形成に際して、ペレットを電
子供与性有機化合物の溶液に浸漬する方法および、その
蒸気に曝す方法のいずれを採っても、同一の効果が得ら
れることが分る。又、実施例６と実施例８の結果から、
浸漬する方法を採用したとき、その浸漬回数は、一回だ
けでなく繰り返しても良いことが分る。
【００８４】更に、実施例９と実施例１０とから、電子
供与性有機化合物の作用効果は、ポリピロールに限らず
ポリアニリンの場合でも得られる、つまり、特定の導電
性高分子化合物に限定されないことが言える。
供与性有機化合物の作用効果は、ポリピロールに限らず
ポリアニリンの場合でも得られる、つまり、特定の導電
性高分子化合物に限定されないことが言える。
【００８５】次に、比較例２（電子供与性有機化合物形
成用溶液としてシランカップリング剤の中性水溶液を用
いたもの）と実施例６（シランカップリング剤のメタノ
ール溶液を用いたもの）とを比較すると、比較例２では
試験前後で漏れ電流が約１００倍に増加しているのに対
して、実施例６ではたかだか１．２倍程度の増加でしか
ない。このことから、シランカップリング剤加水分解物
の層を浸漬法で形成するに当っては、カップリング剤の
中性水溶液ではなくアルコール溶液を用いることが重要
であることが分る。上記の効果上の差異は、前述したよ
うに、カップリング剤の水に対する溶解度が小さいのに
対し、アルコールに対する溶解度は大きいという、溶媒
に対する溶解度の違いによるものと考えられる。すなわ
ち、溶媒として水を用いた比較例２ではカップリング剤
が縮合し、図４に示すように、酸化皮膜２上に水玉状の
塊となってしまう。その結果、酸化皮膜がカップリング
剤加水分解物に覆われない部分が生じてしまう。しか
も、塊となったカップリング剤そのものも酸化皮膜２と
共有結合を形成しているわけではないので、実質的には
酸化皮膜２上には電子供与性有機物層が存在しないこと
になる。これが、比較例２における漏れ電流増大の原因
である。一方、実施例６では、カップリング剤の溶媒と
して溶解度の大きいメタノールを用いているので、酸化
皮膜２上には、図１に示すように、カップリング剤加水
分解物の薄い均一な層３が形成され、この層が酸化皮膜
２と共有結合を形成して、電子供与性を示す。実施例６
と比較例２とにおける効果の違いは、上記のような原因
によるものと考えられる。
成用溶液としてシランカップリング剤の中性水溶液を用
いたもの）と実施例６（シランカップリング剤のメタノ
ール溶液を用いたもの）とを比較すると、比較例２では
試験前後で漏れ電流が約１００倍に増加しているのに対
して、実施例６ではたかだか１．２倍程度の増加でしか
ない。このことから、シランカップリング剤加水分解物
の層を浸漬法で形成するに当っては、カップリング剤の
中性水溶液ではなくアルコール溶液を用いることが重要
であることが分る。上記の効果上の差異は、前述したよ
うに、カップリング剤の水に対する溶解度が小さいのに
対し、アルコールに対する溶解度は大きいという、溶媒
に対する溶解度の違いによるものと考えられる。すなわ
ち、溶媒として水を用いた比較例２ではカップリング剤
が縮合し、図４に示すように、酸化皮膜２上に水玉状の
塊となってしまう。その結果、酸化皮膜がカップリング
剤加水分解物に覆われない部分が生じてしまう。しか
も、塊となったカップリング剤そのものも酸化皮膜２と
共有結合を形成しているわけではないので、実質的には
酸化皮膜２上には電子供与性有機物層が存在しないこと
になる。これが、比較例２における漏れ電流増大の原因
である。一方、実施例６では、カップリング剤の溶媒と
して溶解度の大きいメタノールを用いているので、酸化
皮膜２上には、図１に示すように、カップリング剤加水
分解物の薄い均一な層３が形成され、この層が酸化皮膜
２と共有結合を形成して、電子供与性を示す。実施例６
と比較例２とにおける効果の違いは、上記のような原因
によるものと考えられる。
【００８６】次に、実施例１と実施例１１，１２とか
ら、コンデンサが全面被覆型のものであっても或いは部
分被覆型のものであってもいずれの場合でも、高温下で
の漏れ電流増加防止効果が同様に得られることが分る。
これは、以下のように考えられる。いま図２（ａ），
（ｂ）に示す部分被覆型のコンデンサにおいて、導電性
高分子化合物（実施例１１，１２の場合は、ポリピロー
ル）の層４Ａの途切れた部分（図中に、下向きの矢印Ａ
で示す）の酸化皮膜２上に、電子供与性有機化合物
（同、ラウリン酸）の層３が無いものとする。このよう
な構造の場合、酸化皮膜２のうち導電性高分子化合物層
４Ａで覆われている部分（図中に、下向きの矢印Ｂで示
す）では、酸化皮膜から電子が引き抜かれ電子欠乏とな
る。一方、導電性高分子化合物層４Ａで覆われていない
矢印Ａの部分では、酸化皮膜からの電子の引抜きはな
い。従って、酸化皮膜２には矢印Ａの部分と矢印Ｂの部
分との間に電子濃度に勾配ができる。その結果、電子濃
度の高い矢印Ａの部分から濃度の低い矢印Ｂの部分に電
子が移動し、導電性高分子化合物層４Ａの下での酸化皮
膜からの電子引抜きを補償しようとする。ところがその
場合、矢印Ａの部分には電子の供給源となる電子供与性
有機化合物層が存在しないので、結局、酸化皮膜２は電
子の引抜きを完全には補償され切れず、全体的に電子に
対する電位障壁が低い状態になっている。これに対し実
施例１１，１２の場合は、矢印Ａの部分の酸化皮膜上に
電子供与性有機化合物層３が形成されており、この層３
が矢印Ａの部分の酸化皮膜に対する電子の供給源として
作用する。従って、矢印Ｂの部分における電子引抜きに
対する補償が十分に行われ、酸化皮膜２全体として電子
に対する電位障壁高さの回復が完全に行われる。このよ
うにして、高温下での漏れ電流増大が防止される。ここ
で、実施例１１と実施例１２との間に効果上の差異がな
いことから、矢印Ａの部分の電子供与性有機化合物層３
の上に導電性高分子化合物層４Ｂを設けても（実施例１
１。図２（ａ））、設けなくても（実施例１２。図２
（ｂ））、高温下での漏れ電流増加防止という点ではど
ちらでも同じであると言える。
ら、コンデンサが全面被覆型のものであっても或いは部
分被覆型のものであってもいずれの場合でも、高温下で
の漏れ電流増加防止効果が同様に得られることが分る。
これは、以下のように考えられる。いま図２（ａ），
（ｂ）に示す部分被覆型のコンデンサにおいて、導電性
高分子化合物（実施例１１，１２の場合は、ポリピロー
ル）の層４Ａの途切れた部分（図中に、下向きの矢印Ａ
で示す）の酸化皮膜２上に、電子供与性有機化合物
（同、ラウリン酸）の層３が無いものとする。このよう
な構造の場合、酸化皮膜２のうち導電性高分子化合物層
４Ａで覆われている部分（図中に、下向きの矢印Ｂで示
す）では、酸化皮膜から電子が引き抜かれ電子欠乏とな
る。一方、導電性高分子化合物層４Ａで覆われていない
矢印Ａの部分では、酸化皮膜からの電子の引抜きはな
い。従って、酸化皮膜２には矢印Ａの部分と矢印Ｂの部
分との間に電子濃度に勾配ができる。その結果、電子濃
度の高い矢印Ａの部分から濃度の低い矢印Ｂの部分に電
子が移動し、導電性高分子化合物層４Ａの下での酸化皮
膜からの電子引抜きを補償しようとする。ところがその
場合、矢印Ａの部分には電子の供給源となる電子供与性
有機化合物層が存在しないので、結局、酸化皮膜２は電
子の引抜きを完全には補償され切れず、全体的に電子に
対する電位障壁が低い状態になっている。これに対し実
施例１１，１２の場合は、矢印Ａの部分の酸化皮膜上に
電子供与性有機化合物層３が形成されており、この層３
が矢印Ａの部分の酸化皮膜に対する電子の供給源として
作用する。従って、矢印Ｂの部分における電子引抜きに
対する補償が十分に行われ、酸化皮膜２全体として電子
に対する電位障壁高さの回復が完全に行われる。このよ
うにして、高温下での漏れ電流増大が防止される。ここ
で、実施例１１と実施例１２との間に効果上の差異がな
いことから、矢印Ａの部分の電子供与性有機化合物層３
の上に導電性高分子化合物層４Ｂを設けても（実施例１
１。図２（ａ））、設けなくても（実施例１２。図２
（ｂ））、高温下での漏れ電流増加防止という点ではど
ちらでも同じであると言える。
【００８７】実施例１１，１２のように部分被覆型のコ
ンデンサは、次のような利点を有する。すなわち、例え
ば実施例１に見られるような全面被覆型のコンデンサで
は酸化皮膜２形成後、導電性高分子化合物層４形成に先
立って、電子供与性有機化合物層３を形成する。ところ
が、電子供与性有機化合物層３はその形成条件によって
は、厚さの再現性に乏しかったり、均一にならず部分的
に厚く付着したり或いは、前述のカップリング剤水溶液
におけるように電子供与性を示さなかったりすることが
ある。その場合、全面被覆型のものでは、そのような電
子供与性有機化合物層の構造的欠陥の影響を直接受け
て、静電容量の減少、等価直列抵抗の増大などが起る。
これに対し、部分被覆型のコンデンサでは、電子供与性
有機化合物層の形成前に、導電性高分子化合物層４Ａを
先に形成してしまうので、上記のような電子供与性有機
化合物層３の影響を受けにくい。
ンデンサは、次のような利点を有する。すなわち、例え
ば実施例１に見られるような全面被覆型のコンデンサで
は酸化皮膜２形成後、導電性高分子化合物層４形成に先
立って、電子供与性有機化合物層３を形成する。ところ
が、電子供与性有機化合物層３はその形成条件によって
は、厚さの再現性に乏しかったり、均一にならず部分的
に厚く付着したり或いは、前述のカップリング剤水溶液
におけるように電子供与性を示さなかったりすることが
ある。その場合、全面被覆型のものでは、そのような電
子供与性有機化合物層の構造的欠陥の影響を直接受け
て、静電容量の減少、等価直列抵抗の増大などが起る。
これに対し、部分被覆型のコンデンサでは、電子供与性
有機化合物層の形成前に、導電性高分子化合物層４Ａを
先に形成してしまうので、上記のような電子供与性有機
化合物層３の影響を受けにくい。
【００８８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体電解
コンデンサは導電性高分子化合物を固体電解質として用
いた固体電解コンデンサに対し、誘電体酸化皮膜と導電
性高分子化合物層との間に、電子供与性有機化合物（但
し、アニオン界面活性剤、シランカップリング剤、アル
ミニウムカップリング剤及びチタンカップリング剤を除
く）を介在させたことを特徴とする。これにより本発明
によれば、高温下における漏れ電流増大のない固体電解
コンデンサを提供できる。
コンデンサは導電性高分子化合物を固体電解質として用
いた固体電解コンデンサに対し、誘電体酸化皮膜と導電
性高分子化合物層との間に、電子供与性有機化合物（但
し、アニオン界面活性剤、シランカップリング剤、アル
ミニウムカップリング剤及びチタンカップリング剤を除
く）を介在させたことを特徴とする。これにより本発明
によれば、高温下における漏れ電流増大のない固体電解
コンデンサを提供できる。
【００８９】本発明の固体電解コンデンサの製造方法
は、電子供与性有機化合物層（アニオン界面活性剤、シ
ランカップリング剤、アルミニウムカップリング剤及び
チタンカップリング剤を含む）を備える固体電解コンデ
ンサの製造方法であって、電子供与性有機化合物層形成
工程で、酸化皮膜が形成された後の弁作用金属体を、電
子供与性有機化合物の蒸気に暴露することを特徴とす
る。これにより本発明によれば、電子供与性有機化合物
がどのようなものであれ、酸化皮膜上に薄くしかも均一
に形成できる。従って、静電容量の減少や等価直列抵抗
の増大がなく、しかも高温下での漏れ電流増大のない固
体電解コンデンサを提供できる。
は、電子供与性有機化合物層（アニオン界面活性剤、シ
ランカップリング剤、アルミニウムカップリング剤及び
チタンカップリング剤を含む）を備える固体電解コンデ
ンサの製造方法であって、電子供与性有機化合物層形成
工程で、酸化皮膜が形成された後の弁作用金属体を、電
子供与性有機化合物の蒸気に暴露することを特徴とす
る。これにより本発明によれば、電子供与性有機化合物
がどのようなものであれ、酸化皮膜上に薄くしかも均一
に形成できる。従って、静電容量の減少や等価直列抵抗
の増大がなく、しかも高温下での漏れ電流増大のない固
体電解コンデンサを提供できる。
【００９０】本発明の固体電解コンデンサの製造方法は
又、電子供与性有機化合物層を持つ固体電解コンデンサ
の製造方法において、電子供与性有機化合物層形成工程
で、電子供与性有機化合物の溶液（但し、アニオン界面
活性剤の溶液、シランカップリング剤の中性水溶液、チ
タンカップリング剤の水溶液及びアルミニウムカップリ
ングン剤の水溶液を除く）に浸漬することを特徴とす
る。これにより本発明によれば、所望の電子供与性有機
化合物の層を、酸化皮膜上に薄くしかも均一に形成でき
る。従って、静電容量の減少や等価直列抵抗の増大がな
く、しかも高温下での漏れ電流増大のない固体電解コン
デンサを提供できる。
又、電子供与性有機化合物層を持つ固体電解コンデンサ
の製造方法において、電子供与性有機化合物層形成工程
で、電子供与性有機化合物の溶液（但し、アニオン界面
活性剤の溶液、シランカップリング剤の中性水溶液、チ
タンカップリング剤の水溶液及びアルミニウムカップリ
ングン剤の水溶液を除く）に浸漬することを特徴とす
る。これにより本発明によれば、所望の電子供与性有機
化合物の層を、酸化皮膜上に薄くしかも均一に形成でき
る。従って、静電容量の減少や等価直列抵抗の増大がな
く、しかも高温下での漏れ電流増大のない固体電解コン
デンサを提供できる。
【００９１】本発明の固体電解コンデンサは、導電性高
分子化合物を固体電解質とする固体電解コンデンサに対
し、誘電体酸化皮膜に、導電性高分子化合物層に直接覆
われない部分を一部設け、その酸化皮膜の露出部分上に
電子供与性有機化合物の層を形成してことを特徴とす
る。これにより本発明によれば、高温下における漏れ電
流増大のない固体電解コンデンサを提供できる。この固
体電解コンデンサにおいて電子供与性有機化合物は、ア
ニオン界面活性剤、シランカップリング剤加水分解物、
チタンカップリング剤加水分解物及びアルミニウムカッ
プリング剤加水分解物を含んでも良い。
分子化合物を固体電解質とする固体電解コンデンサに対
し、誘電体酸化皮膜に、導電性高分子化合物層に直接覆
われない部分を一部設け、その酸化皮膜の露出部分上に
電子供与性有機化合物の層を形成してことを特徴とす
る。これにより本発明によれば、高温下における漏れ電
流増大のない固体電解コンデンサを提供できる。この固
体電解コンデンサにおいて電子供与性有機化合物は、ア
ニオン界面活性剤、シランカップリング剤加水分解物、
チタンカップリング剤加水分解物及びアルミニウムカッ
プリング剤加水分解物を含んでも良い。
【００９２】本発明の固体電解コンデンサの製造方法
は、上記構造の固体電解コンデンサを製造する方法であ
って、電子供与性有機化合物層形成工程で、導電性高分
子化合物層が形成された後の弁作用金属体を電子供与性
有機化合物の蒸気に暴露することを特徴とする。これに
より本発明によれば、電子供与性有機化合物がどのよう
なものであれ、酸化皮膜上に薄くしかも均一に形成でき
る。従って、静電容量の減少や等価直列抵抗の増大がな
く、しかも高温下での漏れ電流増大のない固体電解コン
デンサを提供できる。
は、上記構造の固体電解コンデンサを製造する方法であ
って、電子供与性有機化合物層形成工程で、導電性高分
子化合物層が形成された後の弁作用金属体を電子供与性
有機化合物の蒸気に暴露することを特徴とする。これに
より本発明によれば、電子供与性有機化合物がどのよう
なものであれ、酸化皮膜上に薄くしかも均一に形成でき
る。従って、静電容量の減少や等価直列抵抗の増大がな
く、しかも高温下での漏れ電流増大のない固体電解コン
デンサを提供できる。
【００９３】本発明の固体電解コンデンサの製造方法は
又、上記構造の固体電解コンデンサを製造する際、導電
性高分子化合物層が形成された後の弁作用金属体を電子
供与性有機化合物の溶液（但し、シランカップリング剤
の中性水溶液、チタンカップリング剤の水溶液及びアル
ミニウムカップリング剤の水溶液を除く）に浸漬するこ
とを特徴とする。これにより本発明によれば、所望の電
子供与性有機化合物の層を、酸化皮膜上に薄くしかも均
一に形成できる。従って、静電容量の減少や等価直列抵
抗の増大がなく、しかも高温下での漏れ電流増大のない
固体電解コンデンサを提供できる。
又、上記構造の固体電解コンデンサを製造する際、導電
性高分子化合物層が形成された後の弁作用金属体を電子
供与性有機化合物の溶液（但し、シランカップリング剤
の中性水溶液、チタンカップリング剤の水溶液及びアル
ミニウムカップリング剤の水溶液を除く）に浸漬するこ
とを特徴とする。これにより本発明によれば、所望の電
子供与性有機化合物の層を、酸化皮膜上に薄くしかも均
一に形成できる。従って、静電容量の減少や等価直列抵
抗の増大がなく、しかも高温下での漏れ電流増大のない
固体電解コンデンサを提供できる。
【００９４】本発明の固体電解コンデンサの製造方法
は、これまで述べた固体電解コンデンサの製造方法にお
いて、酸化皮膜形成済み又は導電性高分子化合形成済み
の弁作用金属体を電子供与性有機化合物の溶液に浸漬す
る場合、電子供与性有機化合物の溶液としてシランカッ
プリング剤、アルミニウムカップリング剤或いはチタン
カップリング剤の溶液を用いるときは、それらカップリ
ング剤のアルコール溶液を用いる。これにより本発明に
よれば、電子与性有機化合物がカップリング剤の加水分
解物である場合それがどのようなものであれ、酸化皮膜
上に薄くしかも均一に形成できる。従って、シランカッ
プリング剤、チタンカップリング剤あるいはアルミニウ
ムクカップリング剤の加水分解物を電子供与性有機化合
物とする固体電解コンデンサであって、静電容量の減少
や等価直列抵抗の増大がなく、しかも高温下での漏れ電
流増大のない固体電解コンデンサを提供できる。
は、これまで述べた固体電解コンデンサの製造方法にお
いて、酸化皮膜形成済み又は導電性高分子化合形成済み
の弁作用金属体を電子供与性有機化合物の溶液に浸漬す
る場合、電子供与性有機化合物の溶液としてシランカッ
プリング剤、アルミニウムカップリング剤或いはチタン
カップリング剤の溶液を用いるときは、それらカップリ
ング剤のアルコール溶液を用いる。これにより本発明に
よれば、電子与性有機化合物がカップリング剤の加水分
解物である場合それがどのようなものであれ、酸化皮膜
上に薄くしかも均一に形成できる。従って、シランカッ
プリング剤、チタンカップリング剤あるいはアルミニウ
ムクカップリング剤の加水分解物を電子供与性有機化合
物とする固体電解コンデンサであって、静電容量の減少
や等価直列抵抗の増大がなく、しかも高温下での漏れ電
流増大のない固体電解コンデンサを提供できる。
【００９５】本発明によれば、上記それぞれのカップリ
ング剤の溶液として、酸性溶液のものを用いることによ
り、アルコール溶液を用いる場合と同様の効果を得るこ
とができる。
ング剤の溶液として、酸性溶液のものを用いることによ
り、アルコール溶液を用いる場合と同様の効果を得るこ
とができる。
【００９６】本発明は、これを弁作用金属としてタンタ
ルを用いる固体電解コンデンサに適用すると、特に効果
が顕著である。
ルを用いる固体電解コンデンサに適用すると、特に効果
が顕著である。
【図１】本発明の実施例１〜１０による固体電解コンデ
ンサ及び従来の技術による比較例１の固体電解コンデン
サの、断面図である。
ンサ及び従来の技術による比較例１の固体電解コンデン
サの、断面図である。
【図２】本発明の実施例１１，１２による固体電解コン
デンサの断面図である。
デンサの断面図である。
【図３】実施例および比較例による固体電解コンデンサ
について、高温放置試験前後での漏れ電流の変化の様子
を比較して示す図である。
について、高温放置試験前後での漏れ電流の変化の様子
を比較して示す図である。
【図４】従来の技術による比較例２の断面図である。
１ 弁作用金属 ２ 酸化皮膜 ３ 電子供与性有機化合物層 ４ 導電性高分子化合物層 ５ 導体層 ６ 外部電極 ７ 外装樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒井 智次 富山県下新川郡入善町入膳560番地 富 山日本電気株式会社内 (72)発明者 長島 修一 富山県下新川郡入善町入膳560番地 富 山日本電気株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−74021（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 9/028
Claims (13)
- 【請求項１】 陽極側電極としての弁作用金属体と、 前記弁作用金属体の表面を酸化して得た誘電体酸化皮膜
と、 電子供与基を有する有機化合物（但し、アニオン界面活
性剤、シランカップリング剤加水分解物、チタンカップ
リング剤加水分解物及びアルミニウムカップリング剤加
水分解物を除く）からなり、前記酸化皮膜の全面を覆う
電子供与性有機化合物の層と、 固体電解質層として前記電子供与性有機化合物層の全面
を覆う導電性高分子化合物層とを少なくとも含むことを
特徴とする固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】 請求項１記載の固体電解コンデンサにお
いて、 前記電子供与性有機化合物が、カルボキシル基及びフェ
ノキシル基の少なくとも一つを有する有機化合物である
ことを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 【請求項３】 請求項２記載の固体電解コンデンサにお
いて、 前記電子供与性有機化合物が、脂肪酸、芳香族カルボン
酸及びフェノール又はフェノール誘導体のいずれかであ
ることを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 【請求項４】 陽極側電極としての弁作用金属体と、前
記弁作用金属体の表面を酸化して得た誘電体酸化皮膜
と、電子供与基を有する有機化合物からなり前記酸化皮
膜の全面を覆う電子供与性有機化合物の層と、固体電解
質層として前記電子供与性有機化合物層の全面を覆う導
電性高分子化合物層とを少なくとも含む固体電解コンデ
ンサを製造する方法であって、前記酸化皮膜を形成する
工程と、前記電子供与性有機化合物層を形成する工程
と、前記導電性高分子化合物層を形成する工程とを含む
固体電解コンデンサの製造方法において、 前記電子供与性有機化合物層形成工程では、前記酸化皮
膜が形成された後の弁作用金属体を、電子供与性有機化
合物の蒸気に暴露することにより、前記電子供与性有機
化合物層を形成することを特徴とする固体電解コンデン
サの製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の固体電解コンデンサの製
造方法において、 前記電子供与性有機化合物層形成工程では、前記電子供
与性有機化合物の溶液として、シランカップリング剤の
アルコール溶液又は酸性水溶液、チタンカップリング剤
のアルコール溶液及びアルミニウムカップリング剤のア
ルコール溶液のいずれかの溶液を用いると共に、 前記酸化皮膜形成後の弁作用金属体を電子供与性有機化
合物の蒸気に暴露するのに替えて、前記シランカップリ
ング剤のアルコール溶液又は酸性水溶液、チタンカップ
リング剤のアルコール溶液及びアルミニウムカップリン
グ剤のアルコール溶液のいずれかの溶液に浸漬すること
を特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項６】 陽極側電極としての弁作用金属体と、 前記弁作用金属体の表面を酸化して得た誘電体酸化皮膜
と、 固体電解質層として前記酸化皮膜をその一部分が露出す
るようにして覆う導電性高分子化合物層と、 電子供与基を有する有機化合物からなり、前記酸化皮膜
の前記導電性高分子化合物層からの露出部分を覆う電子
供与性有機化合物の層とを少なくとも含むことを特徴と
する固体電解コンデンサ。 - 【請求項７】 請求項６記載の固体電解コンデンサにお
いて、 前記酸化皮膜上の導電性高分子化合物層と前記酸化皮膜
の露出部分上の電子供与性有機化合物層とを覆う第２の
導電性高分子化合物層を備えることを特徴とする固体電
解コンデンサ。 - 【請求項８】 請求項６又は請求項７記載の固体電解コ
ンデンサを製造する方法であって、前記酸化皮膜を形成
する工程と、前記酸化皮膜上にその一部分が露出するよ
うにして前記導電性高分子化合物層を形成する工程とを
含むことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の固体電解コンデンサの製
造方法において、 前記電子供与性有機化合物層形成工程では、前記導電性
高分子化合物層が形成された後の弁作用金属体を電子供
与性有機化合物の蒸気に暴露することにより、前記電子
供与性有機化合物層を形成することを特徴とする固体電
解コンデンサの製造方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の固体電解コンデンサの
製造方法において、 前記電子供与性有機化合物層形成工程で、前記導電性高
分子化合物層形成後の弁作用金属体を前記電子供与性有
機化合物の蒸気に暴露するのに替えて、電子供与性有機
化合物の溶液（但し、シランカップリング剤の中性水溶
液、チタンカップリングの水溶液及びアルミニウムカッ
プリング剤の水溶液を除く）に浸漬することを特徴とす
る固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の固体電解コンデン
サの製造方法において、 前記電子供与性有機化合物の溶液として、シランカップ
リング剤のアルコール溶液、チタンカップリング剤のア
ルコール溶液及びアルミニウムカップリング剤のアルコ
ール溶液のいずれかを用いることを特徴とする固体電解
コンデンサの製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１０に記載の固体電解コンデン
サの製造方法において、 前記電子供与性有機化合物の溶液として、シランカップ
リング剤の酸性水溶液を用いることを特徴とする固体電
解コンデンサの製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１乃至請求項１２のいずれかに
記載の固体電解コンデンサ又は固体電解コンデンサの製
造方法において、前記弁作用金属体を構成する金属とし
てタンタルを用いることを特徴とする固体電解コンデン
サ又は固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7100958A JP3068430B2 (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| DE19616200A DE19616200C2 (de) | 1995-04-25 | 1996-04-23 | Festkörperelektrolytkondensator mit einem leitfähigen Polymer als Festkörperelektrolyt und ein Verfahren zu seiner Herstellung |
| US08/639,111 US5729428A (en) | 1995-04-25 | 1996-04-24 | Solid electrolytic capacitor with conductive polymer as solid electrolyte and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7100958A JP3068430B2 (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08293436A JPH08293436A (ja) | 1996-11-05 |
| JP3068430B2 true JP3068430B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=14287871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7100958A Expired - Lifetime JP3068430B2 (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5729428A (ja) |
| JP (1) | JP3068430B2 (ja) |
| DE (1) | DE19616200C2 (ja) |
Families Citing this family (250)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5812367A (en) * | 1996-04-04 | 1998-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitors comprising a conductive layer made of a polymer of pyrrole or its derivative |
| JP3235475B2 (ja) | 1996-07-16 | 2001-12-04 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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