JP3066952B2 - リードフレーム材 - Google Patents
リードフレーム材Info
- Publication number
- JP3066952B2 JP3066952B2 JP9020613A JP2061397A JP3066952B2 JP 3066952 B2 JP3066952 B2 JP 3066952B2 JP 9020613 A JP9020613 A JP 9020613A JP 2061397 A JP2061397 A JP 2061397A JP 3066952 B2 JP3066952 B2 JP 3066952B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- lead frame
- copper
- frame material
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 29
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 20
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 3
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VRUVRQYVUDCDMT-UHFFFAOYSA-N [Sn].[Ni].[Cu] Chemical compound [Sn].[Ni].[Cu] VRUVRQYVUDCDMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- KIEOKOFEPABQKJ-UHFFFAOYSA-N sodium dichromate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KIEOKOFEPABQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGKLFYLYWZXWPO-UHFFFAOYSA-N sulfo benzoate Chemical compound OS(=O)(=O)OC(=O)C1=CC=CC=C1 HGKLFYLYWZXWPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POWFTOSLLWLEBN-UHFFFAOYSA-N tetrasodium;silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] POWFTOSLLWLEBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のリー
ドフレームの製造に好適に用いられるリードフレーム材
に関する。
ドフレームの製造に好適に用いられるリードフレーム材
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩの高集積化に伴いピン数が
増加し、そのためリード部を微細化することが必要とさ
れている。リードフレーム材をエッチングしてリードフ
レームを製造する方法はリード部の微細化に好適な方法
であり、特開平３−１４８８５６号公報にはアルミニウ
ムからなるエッチングストップ層を厚さの異なる２層の
金属層によりサンドイッチ状に挟んだ三層構造のリード
フレーム材を用い、これをエッチングすることによりリ
ードフレームを製造する方法が記載されている。
増加し、そのためリード部を微細化することが必要とさ
れている。リードフレーム材をエッチングしてリードフ
レームを製造する方法はリード部の微細化に好適な方法
であり、特開平３−１４８８５６号公報にはアルミニウ
ムからなるエッチングストップ層を厚さの異なる２層の
金属層によりサンドイッチ状に挟んだ三層構造のリード
フレーム材を用い、これをエッチングすることによりリ
ードフレームを製造する方法が記載されている。
【０００３】この方法によれば、エッチングストップ層
を設けたことにより厚さの異なる２層の金属層を選択的
にエッチングすることができ、リードフレームの母材と
なる厚い金属層を必要な機械的強度が得られるような厚
さとし、ＩＣとの接続部となる薄い金属層を接続部に要
求される微細さに応じた厚さとすることにより、ＩＣと
の微細な接続部と十分な機械的強度を有するリードフレ
ームが製造できる。
を設けたことにより厚さの異なる２層の金属層を選択的
にエッチングすることができ、リードフレームの母材と
なる厚い金属層を必要な機械的強度が得られるような厚
さとし、ＩＣとの接続部となる薄い金属層を接続部に要
求される微細さに応じた厚さとすることにより、ＩＣと
の微細な接続部と十分な機械的強度を有するリードフレ
ームが製造できる。
【０００４】しかしながら、この方法に用いられる三層
構造のリードフレーム材は、エッチングストップ層材料
が蒸着によって形成されたアルミニウムである。蒸着に
よるアルミニウム層の形成は、工程が煩雑で、リードフ
レーム材のコスト高につながるといった問題がある。
構造のリードフレーム材は、エッチングストップ層材料
が蒸着によって形成されたアルミニウムである。蒸着に
よるアルミニウム層の形成は、工程が煩雑で、リードフ
レーム材のコスト高につながるといった問題がある。
【０００５】また、この三層構造のリードフレーム材を
用いてリードフレームを製造する方法においては、リー
ドが形成された面の面上に絶縁保護膜であるポリイミド
フィルムをポリアミド酸系接着剤を用いて３５０℃以上
の温度で硬化させて接着するなど、リードフレーム材が
高温にさらされる工程が存在し、エッチングストップ層
にはこのような高温にも耐える耐熱性が要求される。電
気めっき等により容易に層形成しうるニッケル層など
は、３５０℃以上の高温にさらされると金属層の銅がニ
ッケル層に拡散し、エッチングストップ層としての役割
を果たすことができない。
用いてリードフレームを製造する方法においては、リー
ドが形成された面の面上に絶縁保護膜であるポリイミド
フィルムをポリアミド酸系接着剤を用いて３５０℃以上
の温度で硬化させて接着するなど、リードフレーム材が
高温にさらされる工程が存在し、エッチングストップ層
にはこのような高温にも耐える耐熱性が要求される。電
気めっき等により容易に層形成しうるニッケル層など
は、３５０℃以上の高温にさらされると金属層の銅がニ
ッケル層に拡散し、エッチングストップ層としての役割
を果たすことができない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、蒸着
などの煩雑な工程を必要とせず電気めっきにより容易に
形成できるとともに、耐熱性に優れたエッチングストッ
プ層を中間層として有する三層構造のリードフレーム材
を提供することにある。
などの煩雑な工程を必要とせず電気めっきにより容易に
形成できるとともに、耐熱性に優れたエッチングストッ
プ層を中間層として有する三層構造のリードフレーム材
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、三層構造のリ
ードフレーム材のエッチングストップ層として特定の厚
みの特定の合金層を採用することにより、蒸着などの煩
雑な工程を必要とせず電気めっきにより容易にエッチン
グストップ層を形成できるとともに、優れた耐熱性を有
する三層構造のリードフレーム材が得られることを見出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、三層構造のリ
ードフレーム材のエッチングストップ層として特定の厚
みの特定の合金層を採用することにより、蒸着などの煩
雑な工程を必要とせず電気めっきにより容易にエッチン
グストップ層を形成できるとともに、優れた耐熱性を有
する三層構造のリードフレーム材が得られることを見出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００８】すなわち、本発明は、厚さ３５〜３００μ
ｍの銅又は銅合金層と厚さ０．２〜３０μｍの銅層の間
に厚さ１．６〜１０μｍ、リン含有量が０．３〜１．０
重量％のニッケル−リン合金層を設けたことを特徴とす
るリードフレーム材を提供するものである。
ｍの銅又は銅合金層と厚さ０．２〜３０μｍの銅層の間
に厚さ１．６〜１０μｍ、リン含有量が０．３〜１．０
重量％のニッケル−リン合金層を設けたことを特徴とす
るリードフレーム材を提供するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のリードフレーム材におい
て、厚さ３５〜３００μｍの銅又は銅合金層はリードフ
レームのアウターリード等を形成するための部材となる
もので、厚さが３５μｍ未満であるとアウターリードと
しての機械的強度が保持できなくなり、厚さが３００μ
ｍを超えると長時間のエッチングが必要となり、生産性
が悪くなる。好ましい厚さは５０〜２００μｍである。
銅合金としては、例えば、銅と、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、
Ｐ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｇ及びＳｉから選ばれる少な
くとも１種の金属との合金であって、銅合金中、銅以外
の上記金属の含有量が０．０１〜５重量％であるものが
好適である。また、銅又は銅合金層は、表面粗さＲａが
０．１〜２．０μｍであることが好ましく、さらに好ま
しくは０．２〜０．８μｍである。
て、厚さ３５〜３００μｍの銅又は銅合金層はリードフ
レームのアウターリード等を形成するための部材となる
もので、厚さが３５μｍ未満であるとアウターリードと
しての機械的強度が保持できなくなり、厚さが３００μ
ｍを超えると長時間のエッチングが必要となり、生産性
が悪くなる。好ましい厚さは５０〜２００μｍである。
銅合金としては、例えば、銅と、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、
Ｐ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｇ及びＳｉから選ばれる少な
くとも１種の金属との合金であって、銅合金中、銅以外
の上記金属の含有量が０．０１〜５重量％であるものが
好適である。また、銅又は銅合金層は、表面粗さＲａが
０．１〜２．０μｍであることが好ましく、さらに好ま
しくは０．２〜０．８μｍである。
【００１０】厚さ０．２〜３０μｍの銅層は微細なパタ
ーンを形成するための部材となるもので、厚さが０．２
μｍ未満であったり３０μｍを超えたりすると微細なパ
ターンが形成できない。好ましい厚さは０．５〜１０μ
ｍである。
ーンを形成するための部材となるもので、厚さが０．２
μｍ未満であったり３０μｍを超えたりすると微細なパ
ターンが形成できない。好ましい厚さは０．５〜１０μ
ｍである。
【００１１】厚さ１．６〜１０μｍ、リン含有量が０．
３〜１．０重量％のニッケル−リン合金層は銅又は銅合
金用のエッチング液にエッチングされない金属層であ
り、これを挟む金属層の一方に対するエッチングによっ
て他方がエッチングされることを阻む役割を果たす。ニ
ッケル−リン合金層は電気めっきにより容易に形成でき
るため、従来、蒸着により形成されていたアルミニウム
層と比べ、煩雑な工程なしに低コストのリードフレーム
材を得ることができるという利点がある。また、ニッケ
ル−リン合金はリンを含有していることにより高温にさ
らされても隣接する層の銅がニッケル−リン合金層に拡
散することがなく、耐熱性に優れている。ニッケル−リ
ン合金層中のリンの含有量は好ましくは０．３〜１．０
重量％、さらに好ましくは０．５〜０．８重量％であ
る。リンの含有量が０．３重量％未満では耐熱性が低下
し、銅のニッケル層への拡散が起こり、エッチングスト
ップ層としての役割を果たせなくなる。また、１．０重
量％を超えるとニッケル−リン電析効率が低下し、生産
性が低下する。
３〜１．０重量％のニッケル−リン合金層は銅又は銅合
金用のエッチング液にエッチングされない金属層であ
り、これを挟む金属層の一方に対するエッチングによっ
て他方がエッチングされることを阻む役割を果たす。ニ
ッケル−リン合金層は電気めっきにより容易に形成でき
るため、従来、蒸着により形成されていたアルミニウム
層と比べ、煩雑な工程なしに低コストのリードフレーム
材を得ることができるという利点がある。また、ニッケ
ル−リン合金はリンを含有していることにより高温にさ
らされても隣接する層の銅がニッケル−リン合金層に拡
散することがなく、耐熱性に優れている。ニッケル−リ
ン合金層中のリンの含有量は好ましくは０．３〜１．０
重量％、さらに好ましくは０．５〜０．８重量％であ
る。リンの含有量が０．３重量％未満では耐熱性が低下
し、銅のニッケル層への拡散が起こり、エッチングスト
ップ層としての役割を果たせなくなる。また、１．０重
量％を超えるとニッケル−リン電析効率が低下し、生産
性が低下する。
【００１２】ニッケル−リン合金層の厚さが０．０４μ
ｍ未満であると、エッチングストップ層としての機能、
すなわち、一方の金属層をエッチングする際に、他方の
金属層を保護する機能が十分に確保できなくなる。ま
た、７０μｍを超えると、最終的にエッチングストップ
層を除去する際に長時間を要し、リードフレーム作製時
の生産性が低下する。好ましい厚さは１．６〜１０μｍ
であり、さらに好ましくは２．０〜５．０μｍである。
ｍ未満であると、エッチングストップ層としての機能、
すなわち、一方の金属層をエッチングする際に、他方の
金属層を保護する機能が十分に確保できなくなる。ま
た、７０μｍを超えると、最終的にエッチングストップ
層を除去する際に長時間を要し、リードフレーム作製時
の生産性が低下する。好ましい厚さは１．６〜１０μｍ
であり、さらに好ましくは２．０〜５．０μｍである。
【００１３】また、防錆性を確保する点から、リードフ
レーム材の表面にはクロメート処理や亜鉛化合物を含む
クロメート処理が施されていることが好ましい。
レーム材の表面にはクロメート処理や亜鉛化合物を含む
クロメート処理が施されていることが好ましい。
【００１４】本発明のリードフレーム材は、厚さ３５〜
３００μｍの銅又は銅合金層の表面にニッケル−リンめ
っきにより厚さ１．６〜１０μｍ、リン含有量が０．３
〜１．０重量％のニッケル−リン合金層を形成し、更に
ニッケル−リン合金層の表面に銅めっきにより銅層を形
成することにより製造することができる。必要に応じ、
銅層の表面にクロメート層を形成する。ニッケル−リン
めっきに用いられる好ましいめっき液組成及びめっき条
件を下記に記載する。 （１）めっき浴組成 硫酸ニッケル ２００〜３００ｇ／ｌ ホウ酸 １０〜１００ｇ／ｌ 亜リン酸 ０．２〜２０ｇ／ｌ ｏ−スルホ安息香酸イミドナトリウム １〜５０ｇ／ｌ 硫酸マグネシウム １０〜２００ｇ／ｌ （２）電解条件 ｐＨ：１．６〜３．０、電流密度：１〜１０Ａ／ｄ
ｍ2、液温：２０〜７０℃、 本発明のリードフレーム材を用いて製造できる好ましい
半導体装置としては、ＴＢＧＡ（ｔａｐｅ ｂａｌｌ
ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（ｃｈｉｐｓｉｚｅ
ｐａｃｋａｇｅ）などが挙げられる。
３００μｍの銅又は銅合金層の表面にニッケル−リンめ
っきにより厚さ１．６〜１０μｍ、リン含有量が０．３
〜１．０重量％のニッケル−リン合金層を形成し、更に
ニッケル−リン合金層の表面に銅めっきにより銅層を形
成することにより製造することができる。必要に応じ、
銅層の表面にクロメート層を形成する。ニッケル−リン
めっきに用いられる好ましいめっき液組成及びめっき条
件を下記に記載する。 （１）めっき浴組成 硫酸ニッケル ２００〜３００ｇ／ｌ ホウ酸 １０〜１００ｇ／ｌ 亜リン酸 ０．２〜２０ｇ／ｌ ｏ−スルホ安息香酸イミドナトリウム １〜５０ｇ／ｌ 硫酸マグネシウム １０〜２００ｇ／ｌ （２）電解条件 ｐＨ：１．６〜３．０、電流密度：１〜１０Ａ／ｄ
ｍ2、液温：２０〜７０℃、 本発明のリードフレーム材を用いて製造できる好ましい
半導体装置としては、ＴＢＧＡ（ｔａｐｅ ｂａｌｌ
ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（ｃｈｉｐｓｉｚｅ
ｐａｃｋａｇｅ）などが挙げられる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例によって更
に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
【００１６】実施例１ 厚さ１５０μｍの銅合金箔（三菱伸銅（株）製、銅−ニ
ッケル−スズ系合金、商品名：ＴＡＭＡＣ１５、表面粗
さＲａ：０．２μｍ）を用意し、その非めっき面にあら
かじめプラスチック製のめっき金属析出防止被膜を施し
た。
ッケル−スズ系合金、商品名：ＴＡＭＡＣ１５、表面粗
さＲａ：０．２μｍ）を用意し、その非めっき面にあら
かじめプラスチック製のめっき金属析出防止被膜を施し
た。
【００１７】これを用いて下記の製造工程（１〜５）を
順次行い、銅合金層の上に、ニッケル−リン合金層（厚
さ２μｍ、リン含有量０．８重量％、表面粗さＲａ：
０．２μｍ）及び銅層（厚さ２μｍ、表面粗さＲａ：
０．２μｍ）を形成し、三層構造のリードフレーム材を
製造した。なお、１〜５の各工程の終了後水洗を行っ
た。 製造工程 １．脱脂処理 （１）脱脂液 オルトケイ酸ナトリウム ３０ｇ／ｌ 炭酸ナトリウム ２０ｇ／ｌ 水酸化ナトリウム ２０ｇ／ｌ （２）電解脱脂条件 電流密度：５Ａ／ｄｍ2、処理時間：３０秒、液温：４
０℃、陰極：銅合金箔、陽極：酸化イリジウム ２．酸洗処理 （１）洗浄液 硫酸：２５ｇ／ｌ （２）洗浄条件 処理時間：３０秒、液温：２０℃ ３．ニッケル−リン合金めっき層の形成 （１）めっき液 硫酸ニッケル ３００ｇ／ｌ ホウ酸 ４０ｇ／ｌ 亜リン酸 ４ｇ／ｌ ｏ−スルホ安息香酸イミドナトリウム １０ｇ／ｌ 硫酸マグネシウム ８０ｇ／ｌ （２）電解条件 電流密度：１．１Ａ／ｄｍ2、電解時間：１０分、液
温：３５℃、ｐＨ：２．５、陽極：酸化イリジウム ４．銅めっき層の形成 （１）めっき液 硫酸銅 ２８０ｇ／ｌ 硫酸 ７０ｇ／ｌ 添加剤（ゼラチン） ３ｐｐｍ 添加剤（Ｃｌ-） １０ｐｐｍ （２）電解条件 電流密度：３．５Ａ／ｄｍ2、電解時間：４分、液温：
３５℃、陽極：酸化イリジウム ５．防錆層の形成 （１）処理液 重クロム酸ナトリウム ３．５ｇ／ｌ （２）処理条件 浸漬処理時間：２５秒、液温：２０℃、ｐＨ：４．７ ６．乾燥 乾燥条件 温度：１００℃、時間：５分 上記工程により得られた三層構造のリードフレーム材を
使用して、Ｎ2ガス雰囲気中で加熱処理（２００℃、３
００℃、４００℃、５００℃）を３０分間施し、下記の
高温熱拡散試験によりリードフレーム材の耐熱性を評価
した。
順次行い、銅合金層の上に、ニッケル−リン合金層（厚
さ２μｍ、リン含有量０．８重量％、表面粗さＲａ：
０．２μｍ）及び銅層（厚さ２μｍ、表面粗さＲａ：
０．２μｍ）を形成し、三層構造のリードフレーム材を
製造した。なお、１〜５の各工程の終了後水洗を行っ
た。 製造工程 １．脱脂処理 （１）脱脂液 オルトケイ酸ナトリウム ３０ｇ／ｌ 炭酸ナトリウム ２０ｇ／ｌ 水酸化ナトリウム ２０ｇ／ｌ （２）電解脱脂条件 電流密度：５Ａ／ｄｍ2、処理時間：３０秒、液温：４
０℃、陰極：銅合金箔、陽極：酸化イリジウム ２．酸洗処理 （１）洗浄液 硫酸：２５ｇ／ｌ （２）洗浄条件 処理時間：３０秒、液温：２０℃ ３．ニッケル−リン合金めっき層の形成 （１）めっき液 硫酸ニッケル ３００ｇ／ｌ ホウ酸 ４０ｇ／ｌ 亜リン酸 ４ｇ／ｌ ｏ−スルホ安息香酸イミドナトリウム １０ｇ／ｌ 硫酸マグネシウム ８０ｇ／ｌ （２）電解条件 電流密度：１．１Ａ／ｄｍ2、電解時間：１０分、液
温：３５℃、ｐＨ：２．５、陽極：酸化イリジウム ４．銅めっき層の形成 （１）めっき液 硫酸銅 ２８０ｇ／ｌ 硫酸 ７０ｇ／ｌ 添加剤（ゼラチン） ３ｐｐｍ 添加剤（Ｃｌ-） １０ｐｐｍ （２）電解条件 電流密度：３．５Ａ／ｄｍ2、電解時間：４分、液温：
３５℃、陽極：酸化イリジウム ５．防錆層の形成 （１）処理液 重クロム酸ナトリウム ３．５ｇ／ｌ （２）処理条件 浸漬処理時間：２５秒、液温：２０℃、ｐＨ：４．７ ６．乾燥 乾燥条件 温度：１００℃、時間：５分 上記工程により得られた三層構造のリードフレーム材を
使用して、Ｎ2ガス雰囲気中で加熱処理（２００℃、３
００℃、４００℃、５００℃）を３０分間施し、下記の
高温熱拡散試験によりリードフレーム材の耐熱性を評価
した。
【００１８】高温熱拡散試験 それぞれの温度で加熱処理した試験片をＳＥＭ（走査型
電子顕微鏡）及びオージェ電子分光分析装置を用いリー
ドフレームの断面（ニッケル−リン合金層と薄い銅層の
接合部）の加熱温度による金属相互の熱拡散合金化の度
合いを分析し、熱拡散率（％）として求め、その数値を
表１に示した。熱拡散率（％）が小さい程、金属層相互
の合金化が進行していないことを意味しており、リード
フレーム材は耐熱性に優れ、選択エッチング性に優れた
ものとなる。
電子顕微鏡）及びオージェ電子分光分析装置を用いリー
ドフレームの断面（ニッケル−リン合金層と薄い銅層の
接合部）の加熱温度による金属相互の熱拡散合金化の度
合いを分析し、熱拡散率（％）として求め、その数値を
表１に示した。熱拡散率（％）が小さい程、金属層相互
の合金化が進行していないことを意味しており、リード
フレーム材は耐熱性に優れ、選択エッチング性に優れた
ものとなる。
【００１９】比較例１ 実施例１と同様の銅合金箔を使用し、上記工程３を下記
のニッケルめっき層の形成工程３′に変更して、ニッケ
ル−リン合金層をニッケル層（厚さ２μｍ、表面粗さＲ
ａ０．２μｍ）に変えた以外は実施例１と同様にして、
リードフレーム材を作製し、実施例１と同様に熱拡散試
験を行いその結果を表１に示した。 ３′．ニッケルめっき層の形成 （１）めっき液 硫酸ニッケル ２８０ｇ／ｌ ホウ酸 ４０ｇ／ｌ ｏ−スルホ安息香酸イミドナトリウム ５ｇ／ｌ （２）電解条件 電流密度：１．０Ａ／ｄｍ2、電解時間：１０分、液
温：３５℃、ｐＨ：２．５、陽極：酸化イリジウム
のニッケルめっき層の形成工程３′に変更して、ニッケ
ル−リン合金層をニッケル層（厚さ２μｍ、表面粗さＲ
ａ０．２μｍ）に変えた以外は実施例１と同様にして、
リードフレーム材を作製し、実施例１と同様に熱拡散試
験を行いその結果を表１に示した。 ３′．ニッケルめっき層の形成 （１）めっき液 硫酸ニッケル ２８０ｇ／ｌ ホウ酸 ４０ｇ／ｌ ｏ−スルホ安息香酸イミドナトリウム ５ｇ／ｌ （２）電解条件 電流密度：１．０Ａ／ｄｍ2、電解時間：１０分、液
温：３５℃、ｐＨ：２．５、陽極：酸化イリジウム
【００２０】
【表１】 表１の結果より、実施例１のリードフレーム材は、耐熱
性に優れていることがわかる。
性に優れていることがわかる。
【００２１】
【発明の効果】本発明のリードフレーム材は、ニッケル
−リン合金からなるエッチングストップ層を中間層とし
て有する三層構造を有しているため、微細なリード部の
形成に適しているのみならず、耐熱性にも優れたもので
ある。また、本発明のリードフレーム材は、エッチング
ストップ層が電気めっきにより形成できるニッケル−リ
ン合金層であることから、蒸着などの煩雑な工程を必要
とせず容易に製造することができ、生産性にも優れたも
のである。
−リン合金からなるエッチングストップ層を中間層とし
て有する三層構造を有しているため、微細なリード部の
形成に適しているのみならず、耐熱性にも優れたもので
ある。また、本発明のリードフレーム材は、エッチング
ストップ層が電気めっきにより形成できるニッケル−リ
ン合金層であることから、蒸着などの煩雑な工程を必要
とせず容易に製造することができ、生産性にも優れたも
のである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿曽 和義 茨城県下館市下江連1226番地 日本電解 株式会社下館工場内 (56)参考文献 特開 昭61−80844（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−308115（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (1)
- 【請求項１】厚さ３５〜３００μｍの銅又は銅合金層と
厚さ０．２〜３０μｍの銅層の間に厚さ１．６〜１０μ
ｍ、リン含有量が０．３〜１．０重量％のニッケル−リ
ン合金層を設けたことを特徴とするリードフレーム材。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9020613A JP3066952B2 (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | リードフレーム材 |
| PCT/JP1998/000210 WO1998034278A1 (fr) | 1997-02-03 | 1998-01-21 | Materiau pour cadre de montage |
| US09/341,950 US6117566A (en) | 1997-02-03 | 1998-01-21 | Lead frame material |
| KR1019997003963A KR100322975B1 (ko) | 1997-02-03 | 1998-01-21 | 리드 프레임재 |
| TW087101182A TW391042B (en) | 1997-02-03 | 1998-02-02 | Lead frame material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9020613A JP3066952B2 (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | リードフレーム材 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000064728A Division JP2000232196A (ja) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223827A JPH10223827A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3066952B2 true JP3066952B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=12032117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9020613A Expired - Fee Related JP3066952B2 (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | リードフレーム材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3066952B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW446627B (en) * | 1998-09-30 | 2001-07-21 | Toyo Kohan Co Ltd | A clad sheet for lead frame, a lead frame using thereof and a manufacturing method thereof |
| JP2013041950A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Sharp Corp | 発光装置 |
-
1997
- 1997-02-03 JP JP9020613A patent/JP3066952B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10223827A (ja) | 1998-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3880877B2 (ja) | めっきを施した銅または銅合金およびその製造方法 | |
| JP4538813B2 (ja) | 銅基合金材を用いたコネクタ及び充電用ソケット | |
| EP2351875B1 (en) | Conductive member and method for producing the same | |
| JP4940081B2 (ja) | リフローＳｎめっき材及びそれを用いた電子部品 | |
| JP2004068026A (ja) | 接続部品用導電材料及びその製造方法 | |
| EP1086807A2 (en) | Metal article coated with multilayer surface finish for porosity reduction | |
| JP4397245B2 (ja) | 電気・電子部品用錫めっき銅合金材及びその製造方法 | |
| JP2007291457A (ja) | ウィスカーが抑制されたＣｕ−Ｚｎ合金耐熱Ｓｎめっき条 | |
| US20060016694A1 (en) | Tin-plated film and method for producing the same | |
| JP2005350774A (ja) | 皮膜、その製造方法および電気電子部品 | |
| WO2018164127A1 (ja) | 防食端子材及び防食端子並びに電線端末部構造 | |
| JP3903326B2 (ja) | 銅基合金およびその製造法 | |
| KR100322975B1 (ko) | 리드 프레임재 | |
| US20090045506A1 (en) | Cu-Mo SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME | |
| JP3026485B2 (ja) | リードフレーム材とその製法 | |
| JP3066952B2 (ja) | リードフレーム材 | |
| CN1397657A (zh) | 层叠板用铜合金箔 | |
| TW201245499A (en) | Rolled copper or copper-alloy foil provided with roughened surface | |
| JP3734961B2 (ja) | コンタクト材料とその製造方法 | |
| JP4090488B2 (ja) | 接続部品成形加工用導電材料板及びその製造方法 | |
| JP2000232196A (ja) | リードフレーム | |
| JP4570948B2 (ja) | ウィスカー発生を抑制したＣｕ−Ｚｎ系合金のＳｎめっき条及びその製造方法 | |
| KR20000064451A (ko) | 주석피복된전기커넥터 | |
| JPS61198507A (ja) | 電子部品用複合材料及びその製造方法 | |
| JP4128715B2 (ja) | 多層銅合金材料の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080519 Year of fee payment: 8 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313118 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080519 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080519 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080519 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100519 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100519 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120519 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120519 Year of fee payment: 12 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120519 Year of fee payment: 12 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130519 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |