JPS61198507A - 電子部品用複合材料及びその製造方法 - Google Patents
電子部品用複合材料及びその製造方法Info
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- JPS61198507A JPS61198507A JP3744285A JP3744285A JPS61198507A JP S61198507 A JPS61198507 A JP S61198507A JP 3744285 A JP3744285 A JP 3744285A JP 3744285 A JP3744285 A JP 3744285A JP S61198507 A JPS61198507 A JP S61198507A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は、IC等の半導体デバイス用のリードフレーム
材、端子、コネクタ等用のバネ材等に代表される銅−錫
系電子部品用複合材料の改善に関するものであシ、特に
はそうした目的用の銅−ニッケルーニッケル/錫金属間
化合物から成る複合材料及びその製造方法に関する。
材、端子、コネクタ等用のバネ材等に代表される銅−錫
系電子部品用複合材料の改善に関するものであシ、特に
はそうした目的用の銅−ニッケルーニッケル/錫金属間
化合物から成る複合材料及びその製造方法に関する。
発明の背景
従来、リードフレーム材としてセラミックと封止性の良
好な高ニッケル合金(re−N1合金、Fe−Ni−C
o合金)′が使用されてきたが、近年半導体回路の高密
度化に伴い、IC,LSI化による半導体素子の小型化
は封止コストの低減化を指向し、更にセラミック封止型
パッケージ以外に、樹脂封止型パッケージの増加を招い
ている。熱放散性の向上も一層求められている。こうし
た理由で、リードフレーム材として銅及び銅合金の使用
が急増しつつある。リードフレーム材として銅及び銅合
金が使用される場合、その耐候性を向上させる為また牛
用付性を向上させる為そのアウターリード部表面に錫或
いは錫合金の層を形成するのが一般である。
好な高ニッケル合金(re−N1合金、Fe−Ni−C
o合金)′が使用されてきたが、近年半導体回路の高密
度化に伴い、IC,LSI化による半導体素子の小型化
は封止コストの低減化を指向し、更にセラミック封止型
パッケージ以外に、樹脂封止型パッケージの増加を招い
ている。熱放散性の向上も一層求められている。こうし
た理由で、リードフレーム材として銅及び銅合金の使用
が急増しつつある。リードフレーム材として銅及び銅合
金が使用される場合、その耐候性を向上させる為また牛
用付性を向上させる為そのアウターリード部表面に錫或
いは錫合金の層を形成するのが一般である。
また、端子、コネクター等のi触子用バネ材として岐近
では、銅或いは銅合金−調成いは錫合金複合飼料が用い
られている。例えば、自動車電装用ジヨイントボックス
においては、熱放散性及び耐食性に優れたバネ材として
の銅合金母材に接触抵抗を減少させる表面接点金属とし
て錫または錫合金をめっきしたものが主として用いられ
ている。
では、銅或いは銅合金−調成いは錫合金複合飼料が用い
られている。例えば、自動車電装用ジヨイントボックス
においては、熱放散性及び耐食性に優れたバネ材として
の銅合金母材に接触抵抗を減少させる表面接点金属とし
て錫または錫合金をめっきしたものが主として用いられ
ている。
斯様に、電子部品用材料として、銅或いは銅合金並びに
調成いは錫合金の持つ特性を利用した銅(合金)−錫(
合金)糸接合材料に対する需要が急増しつつある。
調成いは錫合金の持つ特性を利用した銅(合金)−錫(
合金)糸接合材料に対する需要が急増しつつある。
しかしながら、この銅−錫系複合材料の使用下において
幾つかの欠点が認められた。それは、調成いII′i細
合金めつき層の□剥離と表面酸化の問題である。詳しく
は、リードフレーム材の場合、無酸素銅、シん青銅、組
入ヤ銅、鉄人シ銅のような銅或いは銅合金が使用されて
いるがIC等の半導体の製造工程において、加熱される
と、銅或いは銅合金の表面が酸化し、樹脂封止性等の品
質を低下させていた。また前記銅或いは銅合金のアウタ
ーリード部分には調成いは錫合金がめつきされるがこう
した材料が電子機器内部に使用されると通電によシ長時
間加熱され、銅と錫の熱拡散の結果、錫(合金)被覆層
が銅(合金)母料よシ剥離する。
幾つかの欠点が認められた。それは、調成いII′i細
合金めつき層の□剥離と表面酸化の問題である。詳しく
は、リードフレーム材の場合、無酸素銅、シん青銅、組
入ヤ銅、鉄人シ銅のような銅或いは銅合金が使用されて
いるがIC等の半導体の製造工程において、加熱される
と、銅或いは銅合金の表面が酸化し、樹脂封止性等の品
質を低下させていた。また前記銅或いは銅合金のアウタ
ーリード部分には調成いは錫合金がめつきされるがこう
した材料が電子機器内部に使用されると通電によシ長時
間加熱され、銅と錫の熱拡散の結果、錫(合金)被覆層
が銅(合金)母料よシ剥離する。
従って IJ )l’フレーム材として信頼性の高い
半導体デバイス製造の為には、細(合金)めっき密着性
と耐酸化性を向上させることが必要である。
半導体デバイス製造の為には、細(合金)めっき密着性
と耐酸化性を向上させることが必要である。
同様の状況は、接触子等用のバネ材として上記複合材料
を使用する場合にも生じる。例え壷ず、自動車のジヨイ
ントボックスに接触子を組込んで使用する場合、接触子
は約150°C程度に昇渇し、また長期に□わたる振動
を受け、更には腐食性の雰囲気に曝される。従って、接
点金属としてのfi!!(合金)被覆層が母材から剥離
しやすく、表面腐食も起シやすい。こうした剥離や腐食
は接触子にとって致命的障害である。従って、ここでも
、錫(合金)めっき密着性と耐食性とが強く求められる
のである。
を使用する場合にも生じる。例え壷ず、自動車のジヨイ
ントボックスに接触子を組込んで使用する場合、接触子
は約150°C程度に昇渇し、また長期に□わたる振動
を受け、更には腐食性の雰囲気に曝される。従って、接
点金属としてのfi!!(合金)被覆層が母材から剥離
しやすく、表面腐食も起シやすい。こうした剥離や腐食
は接触子にとって致命的障害である。従って、ここでも
、錫(合金)めっき密着性と耐食性とが強く求められる
のである。
発明の目的
上記欠点に艦み、本発明は、従来からの銅或いは銅合金
の、リードフレーム材、バネ材等の電子部品用材料とし
ての優れた特長を維持しつつ、上記調成いは錫合金密着
性及び耐酸化性を向上させることを目的とする。
の、リードフレーム材、バネ材等の電子部品用材料とし
ての優れた特長を維持しつつ、上記調成いは錫合金密着
性及び耐酸化性を向上させることを目的とする。
発明の概要
本発明者は、銅或いは銅合金母材上にニッケル中間層と
錫−ニッケル金属間化合物上被層とを有する形態の複合
材料が、上記目的に好適であることを見出した。錫−ニ
ッケル金属間化合物層はきわめて耐酸化性が強くそして
所定厚のニッケル中間層を介在させることによって錫−
ニッケル金属間化合物上被層はもちろんのこと、その上
に錫あるいは半田層を形成し長時間加熱しても剥離は生
じない。上記形態の複合材料は、ニッケル中間層とその
土に錫表層とを形成した後、加熱処理によシニッケル中
間層の一部を残したまま錫−ニッケル金属間化合物上被
層を形成することによシ好都合に作製しうることも判明
した。
錫−ニッケル金属間化合物上被層とを有する形態の複合
材料が、上記目的に好適であることを見出した。錫−ニ
ッケル金属間化合物層はきわめて耐酸化性が強くそして
所定厚のニッケル中間層を介在させることによって錫−
ニッケル金属間化合物上被層はもちろんのこと、その上
に錫あるいは半田層を形成し長時間加熱しても剥離は生
じない。上記形態の複合材料は、ニッケル中間層とその
土に錫表層とを形成した後、加熱処理によシニッケル中
間層の一部を残したまま錫−ニッケル金属間化合物上被
層を形成することによシ好都合に作製しうることも判明
した。
斯くして、本発明は、銅或いは銅合金母材の表面にニッ
ケルの中間層と細−ニッケル金属間化合物上被層とを具
備することを特徴とする電子部品用複合材料を提供する
。更に、本発明は上記複合材料を製造する効果的な方法
として、銅或いは銅合金母材の表面にニッケルの中間層
と錫の表層との2層から成る被覆層を形成した後、加熱
処理を施すことによル該被覆層をニッケル中間層と錫−
ニッケル金属間化合物上被層から成る被覆層に変化させ
ることを特徴とする電子部品用複合材料の製造方法をも
提供する。
ケルの中間層と細−ニッケル金属間化合物上被層とを具
備することを特徴とする電子部品用複合材料を提供する
。更に、本発明は上記複合材料を製造する効果的な方法
として、銅或いは銅合金母材の表面にニッケルの中間層
と錫の表層との2層から成る被覆層を形成した後、加熱
処理を施すことによル該被覆層をニッケル中間層と錫−
ニッケル金属間化合物上被層から成る被覆層に変化させ
ることを特徴とする電子部品用複合材料の製造方法をも
提供する。
具体的説明
本発明の複合材料は、銅或いは銅合金を母材とするもの
であシ、銅或いは銅合金の持つ優れた電気伝導性、熱伝
導性、バネ性等を利用する電子部品用途、特にIC等の
半導体デバイス用リードフレーム材、端子、コネクタの
ような接触子用のバネ材において使用するどとを意図す
るものである。
であシ、銅或いは銅合金の持つ優れた電気伝導性、熱伝
導性、バネ性等を利用する電子部品用途、特にIC等の
半導体デバイス用リードフレーム材、端子、コネクタの
ような接触子用のバネ材において使用するどとを意図す
るものである。
母材は、用途に応じて選択されるが、例えばリードフレ
ームの場合、無酸素銅、ルん青銅、錫人ル銅、鉄人シ銅
等が多く使用される。バネ材の場合、には、青銅、錫入
シ銅、チタン鋼等が多く使用される。
ームの場合、無酸素銅、ルん青銅、錫人ル銅、鉄人シ銅
等が多く使用される。バネ材の場合、には、青銅、錫入
シ銅、チタン鋼等が多く使用される。
本発明に従えば、銅或いは銅合金母材上にニッケル中間
Jmが形成される。ニッケル中間層の形成は、電気めっ
き或いは無電解めっきいずれでもよい。例えば、標準ワ
ット浴に有機化合物光沢剤を添加した光沢浴を用いて液
温、流速及び電流密度を適正に選択することによシ光沢
連続高速めつきを行う技術が最近確立されている。
Jmが形成される。ニッケル中間層の形成は、電気めっ
き或いは無電解めっきいずれでもよい。例えば、標準ワ
ット浴に有機化合物光沢剤を添加した光沢浴を用いて液
温、流速及び電流密度を適正に選択することによシ光沢
連続高速めつきを行う技術が最近確立されている。
次に、ニッケル中間層の土に上被層として錫−ニッケル
金糾問化合物が被覆される。該上被層は電気めっきによ
って形成しうるが、錫−ニッケル金属間化合物を形成す
る一つの効果的な方法は、ニッケル中間層の上に電気め
っき或いは無電解めっきによシ錫表層を形成し、その後
、加熱処理によって錫−ニッケル間に拡散反応を生ゼし
ぬ、ニッケル中ntt層を一部残したまま錫−ニッケル
金属間化合物上被層を形成することである。
金糾問化合物が被覆される。該上被層は電気めっきによ
って形成しうるが、錫−ニッケル金属間化合物を形成す
る一つの効果的な方法は、ニッケル中間層の上に電気め
っき或いは無電解めっきによシ錫表層を形成し、その後
、加熱処理によって錫−ニッケル間に拡散反応を生ゼし
ぬ、ニッケル中ntt層を一部残したまま錫−ニッケル
金属間化合物上被層を形成することである。
ニッケル中間層は、錨−ニッケル金属間化合物上被層の
上に形成される錫あるいは半田被覆層の密着性すなわち
半田耐熱剥離性を向上させる機能があシ、充分なる密着
性を保証する為にはニッケル中間層の厚みが05μm以
上であることが好ましい。、従って、上記拡散法による
場合には、加熱処理後によシ金属間化合物を形成しfc
後に残るニッケル層の厚さが05μm以上となるよう初
期ニッケル被覆厚を余剰に形成しておく必要がある。
上に形成される錫あるいは半田被覆層の密着性すなわち
半田耐熱剥離性を向上させる機能があシ、充分なる密着
性を保証する為にはニッケル中間層の厚みが05μm以
上であることが好ましい。、従って、上記拡散法による
場合には、加熱処理後によシ金属間化合物を形成しfc
後に残るニッケル層の厚さが05μm以上となるよう初
期ニッケル被覆厚を余剰に形成しておく必要がある。
ニッケル価格に伴う経済性を考慮してニッケル中間層の
厚さはα5〜2μmとするのが望ましい。
厚さはα5〜2μmとするのが望ましい。
S−ニッケル金糾問化合物は極めて耐酸化性が高く、0
.01μm程度の化合物層の厚さで、460℃において
5分間の大気加熱によっても有害な酸化膜を生成しない
。一般に、α01〜1.0μmの厚さで充分である。
.01μm程度の化合物層の厚さで、460℃において
5分間の大気加熱によっても有害な酸化膜を生成しない
。一般に、α01〜1.0μmの厚さで充分である。
加熱拡散法により金属間化合物を生成する場合、錫表層
が厚いと加熱に際しての金属間化合物形成の点で生産性
が低下する。この点からは、Q、01〜0.5μm程度
の錫表層を最初に形成し、これを加熱処理するのが良い
。ニッケル上の0.01〜G、5μmの錫層は、細の融
点直上まで加熱する、所謂加熱溶融処理(リフロー)に
よυ数秒で金属間化合物を形成するので、きわめて効率
的である。
が厚いと加熱に際しての金属間化合物形成の点で生産性
が低下する。この点からは、Q、01〜0.5μm程度
の錫表層を最初に形成し、これを加熱処理するのが良い
。ニッケル上の0.01〜G、5μmの錫層は、細の融
点直上まで加熱する、所謂加熱溶融処理(リフロー)に
よυ数秒で金属間化合物を形成するので、きわめて効率
的である。
こうして得られた複合材料は、用途に応じて、適宜の形
状に容易に加工されうる。
状に容易に加工されうる。
発明の効果
耐酸化性とはんだ耐熱剥離性に優れた錫−ニッケル金属
間化合物を銅或いは銅合金母祠に形成することが出来る
ので、本複合材から作られた電子部品(リードフレーム
、接触子)は、厳しい条件においても適正動作し、部品
の信頼性を著しく高める。
間化合物を銅或いは銅合金母祠に形成することが出来る
ので、本複合材から作られた電子部品(リードフレーム
、接触子)は、厳しい条件においても適正動作し、部品
の信頼性を著しく高める。
実施例
各種電子部品用の銅及び銅合金条にNl中間層と錫層を
下記条件で電気めっきした。
下記条件で電気めっきした。
N1めつき条件
組成N180461bO2409/l
N1Ch 6H20459/I
Ha BOs 5
09/ノ温度50℃ 電流密度 5 A/ d m雪 細めつき条件 組成 8nSO4709/1 H2BO38(Jl/1 クレゾールスルホン酸 8011/1ゼ
ラチン 29/1βナフ
トール 111/l温度1
5℃ 電流密度 3A/dm” こうしてめっきされた条を電気炉において600℃の炉
内温度で10秒間保持した後冷却しmニラ ・ケル金属
間化合物層を形成した。各被覆層の厚さを表1に示す。
09/ノ温度50℃ 電流密度 5 A/ d m雪 細めつき条件 組成 8nSO4709/1 H2BO38(Jl/1 クレゾールスルホン酸 8011/1ゼ
ラチン 29/1βナフ
トール 111/l温度1
5℃ 電流密度 3A/dm” こうしてめっきされた条を電気炉において600℃の炉
内温度で10秒間保持した後冷却しmニラ ・ケル金属
間化合物層を形成した。各被覆層の厚さを表1に示す。
これらの複合材の試験片について、大気中460□ ℃
5分間加熱し、これによル得られた各試験片をセロテー
プによシビーりングテストを行い、該セロテープに付着
した酸化膜の存否によシ、酸化膜□ の形成の有無を調
べた。
5分間加熱し、これによル得られた各試験片をセロテー
プによシビーりングテストを行い、該セロテープに付着
した酸化膜の存否によシ、酸化膜□ の形成の有無を調
べた。
また表面に錫−ニッケル金属間化合物層が形成された前
記複声材の表、面にはんだを被覆し、これをさらに大気
中150℃で1000時間加熱した後、それら試験片を
90°曲げ試験に供し前記はんだ被覆層の剥離を目視判
定することによって、はんだ層の耐熱剥離性を計測した
。これらの結果を表1に示す。
記複声材の表、面にはんだを被覆し、これをさらに大気
中150℃で1000時間加熱した後、それら試験片を
90°曲げ試験に供し前記はんだ被覆層の剥離を目視判
定することによって、はんだ層の耐熱剥離性を計測した
。これらの結果を表1に示す。
尚、はんだを被覆した条件は次の通シである〇フラック
ス 40°Be塩化亜鉛水浴液はんだ 8n60/
Pb40 はんだ浴温 230°C 比較例 実施例で用いた電子部品用銅合金に、ニッケルとニッケ
ルー錫金属間化合物の被覆層を形成させずに、前記実施
例と同様の酸化膜形成の有無の試験とはんだ層の耐熱剥
離性の試験を行った。その結果を同じく表1に示す。
ス 40°Be塩化亜鉛水浴液はんだ 8n60/
Pb40 はんだ浴温 230°C 比較例 実施例で用いた電子部品用銅合金に、ニッケルとニッケ
ルー錫金属間化合物の被覆層を形成させずに、前記実施
例と同様の酸化膜形成の有無の試験とはんだ層の耐熱剥
離性の試験を行った。その結果を同じく表1に示す。
以上の本発明品は実施例および比較例から明らかなよう
に、耐酬化性とはんだ耐熱剥)i11性に優れ −てい
る。
に、耐酬化性とはんだ耐熱剥)i11性に優れ −てい
る。
手続補正書
昭和60年6月140
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)銅或いは銅合金母材の表面にニッケルの中間層と錫
−ニッケル金属間化合物上被層とを具備することを特徴
とする電子部品用複合材料。 2)銅或いは銅合金母材の表面にニッケルの中間層と錫
の表層との2層から成る被覆層を形成した後、加熱処理
を施すことにより該被覆層をニッケル中間層と錫−ニッ
ケル金属間化合物上被層から成る被覆層に変化させるこ
とを特徴とする電子部品用複合材料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3744285A JPS61198507A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電子部品用複合材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3744285A JPS61198507A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電子部品用複合材料及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61198507A true JPS61198507A (ja) | 1986-09-02 |
Family
ID=12497623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3744285A Pending JPS61198507A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電子部品用複合材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61198507A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04235292A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-08-24 | Kobe Steel Ltd | 錫めっき銅合金材およびその製造方法 |
JPH0790674A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-04 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 電気接続具製造用メッキCuまたはCu合金板、およびその製造法 |
JP2008021501A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Hitachi Cable Ltd | 配線用電気部品及び端末接続部並びに配線用電気部品の製造方法 |
JP2009081142A (ja) * | 2008-11-27 | 2009-04-16 | Fujitsu Ltd | 導電材料、導電材料の製造方法、回路基板、及び回路基板の製造方法 |
JP2009094224A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Fujitsu Ltd | 回路基板、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP3744285A patent/JPS61198507A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP4547411B2 (ja) * | 2007-10-05 | 2010-09-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
KR101010241B1 (ko) | 2007-10-05 | 2011-01-21 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 회로 기판, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US8952271B2 (en) | 2007-10-05 | 2015-02-10 | Fujitsu Limited | Circuit board, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device |
JP2009081142A (ja) * | 2008-11-27 | 2009-04-16 | Fujitsu Ltd | 導電材料、導電材料の製造方法、回路基板、及び回路基板の製造方法 |
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