JP3020155B2 - 針状ダイヤモンド配列構造体の作製方法 - Google Patents
針状ダイヤモンド配列構造体の作製方法Info
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- JP3020155B2 JP3020155B2 JP10164772A JP16477298A JP3020155B2 JP 3020155 B2 JP3020155 B2 JP 3020155B2 JP 10164772 A JP10164772 A JP 10164772A JP 16477298 A JP16477298 A JP 16477298A JP 3020155 B2 JP3020155 B2 JP 3020155B2
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- porous alumina
- mask
- anodized porous
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイヤモンド針状
構造体の製造方法に関する。
構造体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンド針状構造体、特にドーピン
グを施すことにより導電性を付与したダイヤモンド針状
構造体は、ディスプレー用電子放出源、ガスセンサ、電
極材料等に用いられるが、これらの目的には、通常、微
細、且つ規則的な構造を形成することが性能を向上する
上で重要とされている。この目的のためには、従来、ダ
イヤモンド基板上に耐エッチング性を有するレジストの
塗布およびフォトマスクを用いることでパターニングを
し、その後、ドライエッチング法による選択的にエッチ
ングする方法がとられている。
グを施すことにより導電性を付与したダイヤモンド針状
構造体は、ディスプレー用電子放出源、ガスセンサ、電
極材料等に用いられるが、これらの目的には、通常、微
細、且つ規則的な構造を形成することが性能を向上する
上で重要とされている。この目的のためには、従来、ダ
イヤモンド基板上に耐エッチング性を有するレジストの
塗布およびフォトマスクを用いることでパターニングを
し、その後、ドライエッチング法による選択的にエッチ
ングする方法がとられている。
【０００３】このほか、あらかじめ微細、且つ規則的な
窪みの配列を有する構造を通常のリソグラフィーにより
Ｓｉ等の材料により形成し、これを鋳型としてダイヤモ
ンドを気相成長させ、その後、鋳型を選択的に溶解除去
することにより微細針状構造の規則配列を得る方法等が
知られている。
窪みの配列を有する構造を通常のリソグラフィーにより
Ｓｉ等の材料により形成し、これを鋳型としてダイヤモ
ンドを気相成長させ、その後、鋳型を選択的に溶解除去
することにより微細針状構造の規則配列を得る方法等が
知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記通常のレジストと
露光を行う方法においては、微細加工のサイズに光の回
折限界に由来する限界を有している。更に、より微細な
パターン描画が可能な電子ビーム描画においては、描画
に長時間を要し、費用の大幅な増大をまねく。更に、こ
れらレジストを用いるパターニング方法においては、共
通に、レジスト塗布、露光、レジスト除去という煩雑な
工程が作製に必要であるという問題点を有していた。
露光を行う方法においては、微細加工のサイズに光の回
折限界に由来する限界を有している。更に、より微細な
パターン描画が可能な電子ビーム描画においては、描画
に長時間を要し、費用の大幅な増大をまねく。更に、こ
れらレジストを用いるパターニング方法においては、共
通に、レジスト塗布、露光、レジスト除去という煩雑な
工程が作製に必要であるという問題点を有していた。
【０００５】また、通常のリソグラフィーにより鋳型構
造を作製し、これに気相成長法によりダイヤモンド薄膜
を形成する方法においては、微細化の限界は気相成長ダ
イヤモンド薄膜の均一性に依存し、気相成長法における
ダイヤモンドの核発生密度が低いことから、微細化には
限界を有していた。
造を作製し、これに気相成長法によりダイヤモンド薄膜
を形成する方法においては、微細化の限界は気相成長ダ
イヤモンド薄膜の均一性に依存し、気相成長法における
ダイヤモンドの核発生密度が低いことから、微細化には
限界を有していた。
【０００６】本発明の課題は、微細な、針状構造が規則
的に配列した針状ダイヤモンドの規則配列を作製する方
法を提供することである。
的に配列した針状ダイヤモンドの規則配列を作製する方
法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ダイヤモンド
基板上に貫通孔を有する陽極酸化ポーラスアルミナをマ
スクとして載せ、酸素プラズマエッチングに対する耐性
を有する物質を真空蒸着法により蒸着することでダイヤ
モンド基板上に蒸着ドットを形成し、陽極酸化ポーラス
アルミナを前記ダイヤモンド基板から水酸化ナトリウム
等により除去したのち、蒸着ドットをマスクとしてダイ
ヤモンド基板を酸素プラズマエッチングすることによっ
て、針状ダイヤモンドが規則的に配列した構造体を形成
することを特徴とする、針状ダイヤモンド配列構造体の
作製方法に係るものである。陽極酸化ポーラスアルミナ
は、微細で直行した貫通孔を多数有する。真空蒸着用マ
スクとして用いる陽極酸化ポーラスアルミナの細孔径、
細孔間隔は、陽極酸化時の条件、および後処理により調
整することができる。陽極酸化ポーラスアルミナを蒸着
用マスクとして用いるためには、陽極酸化ポーラスアル
ミナを地金アルミニウムを除去した後、皮膜底部をリン
酸等の溶液を用いて溶解除去し得ることができる〔Japa
nese Journal of Applied Physics Vol.35, P.L126(199
6) 〕。陽極酸化ポーラスアルミナをマスクとして真空
蒸着法によりダイヤモンド上に微小ドットを形成する物
質としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｒ等の金属のほか、
金属酸化物、金属窒化物等真空蒸着法により蒸着可能
で、その後のプラズマエッチングに対する耐性を有する
ものであれば広範なものを利用することができる。
基板上に貫通孔を有する陽極酸化ポーラスアルミナをマ
スクとして載せ、酸素プラズマエッチングに対する耐性
を有する物質を真空蒸着法により蒸着することでダイヤ
モンド基板上に蒸着ドットを形成し、陽極酸化ポーラス
アルミナを前記ダイヤモンド基板から水酸化ナトリウム
等により除去したのち、蒸着ドットをマスクとしてダイ
ヤモンド基板を酸素プラズマエッチングすることによっ
て、針状ダイヤモンドが規則的に配列した構造体を形成
することを特徴とする、針状ダイヤモンド配列構造体の
作製方法に係るものである。陽極酸化ポーラスアルミナ
は、微細で直行した貫通孔を多数有する。真空蒸着用マ
スクとして用いる陽極酸化ポーラスアルミナの細孔径、
細孔間隔は、陽極酸化時の条件、および後処理により調
整することができる。陽極酸化ポーラスアルミナを蒸着
用マスクとして用いるためには、陽極酸化ポーラスアル
ミナを地金アルミニウムを除去した後、皮膜底部をリン
酸等の溶液を用いて溶解除去し得ることができる〔Japa
nese Journal of Applied Physics Vol.35, P.L126(199
6) 〕。陽極酸化ポーラスアルミナをマスクとして真空
蒸着法によりダイヤモンド上に微小ドットを形成する物
質としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｒ等の金属のほか、
金属酸化物、金属窒化物等真空蒸着法により蒸着可能
で、その後のプラズマエッチングに対する耐性を有する
ものであれば広範なものを利用することができる。
【０００８】ダイヤモンド上に形成された蒸着ドットを
マスクとして、プラズマエッチング処理を施し、その後
マスクとした物質を選択的に溶解除去することにより、
蒸着ドットの配列に対応した規則配列を有する微小針状
ダイヤモンド配列構造体を得ることができる。作製され
る針状構造の直径、および間隔は、陽極酸化ポーラスア
ルミナをマスクとして形成される蒸着ドットの直径、お
よび間隔に一致することから、陽極酸化ポーラスアルミ
ナの幾何学形状を調整することにより得られる針状ダイ
ヤモンドの構造を制御することが可能となる。
マスクとして、プラズマエッチング処理を施し、その後
マスクとした物質を選択的に溶解除去することにより、
蒸着ドットの配列に対応した規則配列を有する微小針状
ダイヤモンド配列構造体を得ることができる。作製され
る針状構造の直径、および間隔は、陽極酸化ポーラスア
ルミナをマスクとして形成される蒸着ドットの直径、お
よび間隔に一致することから、陽極酸化ポーラスアルミ
ナの幾何学形状を調整することにより得られる針状ダイ
ヤモンドの構造を制御することが可能となる。
【０００９】本発明による方法によりダイヤモンド基板
に形成される多孔構造は、マスクとして用いる陽極酸化
ポーラスアルミナの形状により決定される。陽極酸化ポ
ーラスアルミナは、孔径１０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲で
均一な孔径を有する孔を有することが知られており、陽
極酸化時の条件、および後処理工程によりその孔径を制
御することが可能である。
に形成される多孔構造は、マスクとして用いる陽極酸化
ポーラスアルミナの形状により決定される。陽極酸化ポ
ーラスアルミナは、孔径１０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲で
均一な孔径を有する孔を有することが知られており、陽
極酸化時の条件、および後処理工程によりその孔径を制
御することが可能である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の具体的な方法につ
いて図面を用い説明する。図１は、本発明において蒸着
用マスクとして用いられるポーラスな陽極酸化ポーラス
アルミナを示したものである。陽極酸化ポーラスアルミ
ナ１は、図２に模式的に示したような規則細孔配列を有
しており、細孔２の径および細孔２の間隔をそれぞれ、
５〜５００ｎｍ、および、１００〜５００ｎｍの範囲の
ものを用いることができる。蒸着用マスクとして用いる
ためには、厚さ０．１〜０．５ミクロンの範囲で良好な
結果が得られる。
いて図面を用い説明する。図１は、本発明において蒸着
用マスクとして用いられるポーラスな陽極酸化ポーラス
アルミナを示したものである。陽極酸化ポーラスアルミ
ナ１は、図２に模式的に示したような規則細孔配列を有
しており、細孔２の径および細孔２の間隔をそれぞれ、
５〜５００ｎｍ、および、１００〜５００ｎｍの範囲の
ものを用いることができる。蒸着用マスクとして用いる
ためには、厚さ０．１〜０．５ミクロンの範囲で良好な
結果が得られる。
【００１１】図３は、ダイヤモンド基板３上に陽極酸化
ポーラスアルミナ１をマスクとして設置した様子を示し
たものである。基板となるダイヤモンドとしては、天然
あるいは合成法により作製されたダイヤモンド単結晶、
あるいは多結晶を用いることができる。これらダイヤモ
ンドは、必要に応じて表面の研磨加工を施す。
ポーラスアルミナ１をマスクとして設置した様子を示し
たものである。基板となるダイヤモンドとしては、天然
あるいは合成法により作製されたダイヤモンド単結晶、
あるいは多結晶を用いることができる。これらダイヤモ
ンドは、必要に応じて表面の研磨加工を施す。
【００１２】図４に示すように、表面にマスクを載せた
ダイヤモンド基板３に真空蒸着器を用い、金属、金属酸
化物、あるいは、金属窒化物を蒸着する。蒸着量は、こ
の後のプラズマエッチング処理において、耐プラズマエ
ッチング用マスクとして機能するのに十分な厚みがあれ
ば十分であり、通常、２０ｎｍ〜３０ｎｍの厚みの真空
蒸着層である蒸着ドットが形成される。真空蒸着後、マ
スクとした陽極酸化ポーラスアルミナを溶解除去するこ
とにより、図５に示すようにダイヤモンド基板３の表面
上に微小の蒸着ドット４の配列を得ることができる。マ
スクを選択的に除去するためには、水酸化ナトリウムを
はじめとするアルカリ性溶液、あるいは酸溶液の中か
ら、陽極酸化ポーラスアルミナに対し溶解性を有し、一
方、蒸着ドットとして用いた物質を溶解しない溶液を用
いることができる。
ダイヤモンド基板３に真空蒸着器を用い、金属、金属酸
化物、あるいは、金属窒化物を蒸着する。蒸着量は、こ
の後のプラズマエッチング処理において、耐プラズマエ
ッチング用マスクとして機能するのに十分な厚みがあれ
ば十分であり、通常、２０ｎｍ〜３０ｎｍの厚みの真空
蒸着層である蒸着ドットが形成される。真空蒸着後、マ
スクとした陽極酸化ポーラスアルミナを溶解除去するこ
とにより、図５に示すようにダイヤモンド基板３の表面
上に微小の蒸着ドット４の配列を得ることができる。マ
スクを選択的に除去するためには、水酸化ナトリウムを
はじめとするアルカリ性溶液、あるいは酸溶液の中か
ら、陽極酸化ポーラスアルミナに対し溶解性を有し、一
方、蒸着ドットとして用いた物質を溶解しない溶液を用
いることができる。
【００１３】図６に示すように、表面に蒸着ドット４の
配列を形成したダイヤモンド基板３を、プラズマエッチ
ング容器内のプラズマ用電極５上に置き、プラズマエッ
チングを施す。プラズマにより励起された活性種は、ダ
イヤモンドをエッチングするが、このとき蒸着ドットが
存在する部では蒸着ドットがマスクとなりダイヤモンド
はエッチングされない。この結果、ダイヤモンドの選択
的なエッチングが進行し、図７に示すように、蒸着ドッ
ト配列に対応したかたちで針状ダイヤモンドの規則配列
構造６が得られる。このとき、プラズマ励起用気体中に
酸素を加えることにより、エッチング速度の著しい向上
をはかることが可能となる。
配列を形成したダイヤモンド基板３を、プラズマエッチ
ング容器内のプラズマ用電極５上に置き、プラズマエッ
チングを施す。プラズマにより励起された活性種は、ダ
イヤモンドをエッチングするが、このとき蒸着ドットが
存在する部では蒸着ドットがマスクとなりダイヤモンド
はエッチングされない。この結果、ダイヤモンドの選択
的なエッチングが進行し、図７に示すように、蒸着ドッ
ト配列に対応したかたちで針状ダイヤモンドの規則配列
構造６が得られる。このとき、プラズマ励起用気体中に
酸素を加えることにより、エッチング速度の著しい向上
をはかることが可能となる。
【００１４】その後、エッチング用マスクとした微小な
蒸着ドット４を選択溶解することにより、図８に示す微
細な針状ダイヤモンド配列構造体７を得ることができ
る。
蒸着ドット４を選択溶解することにより、図８に示す微
細な針状ダイヤモンド配列構造体７を得ることができ
る。
【００１５】
【実施例】実施例１ 次に実施の形態１を挙げ、本発明を更に具体的に説明す
る。気相成長法により作製したダイヤモンド基板の表面
を研磨した。その後、貫通孔を有する陽極酸化ポーラス
アルミナをダイヤモンド基板上に載せた。陽極酸化ポー
ラスアルミナの孔径、および孔間隔は、それぞれ、７０
ｎｍ，１００ｎｍ、厚さは、０．２ミクロンとした。
る。気相成長法により作製したダイヤモンド基板の表面
を研磨した。その後、貫通孔を有する陽極酸化ポーラス
アルミナをダイヤモンド基板上に載せた。陽極酸化ポー
ラスアルミナの孔径、および孔間隔は、それぞれ、７０
ｎｍ，１００ｎｍ、厚さは、０．２ミクロンとした。
【００１６】真空蒸着装置を用い、金を２０ｎｍ真空蒸
着した。真空度は、１×１０-5Ｔｏｒｒ、蒸着速度は、
毎秒０．２ｎｍとした。蒸着後、陽極酸化ポーラスアル
ミナを０．１Ｍ水酸化ナトリウムにより溶解除去し、ダ
イヤモンド基板上に金の蒸着ドット配列を得た。
着した。真空度は、１×１０-5Ｔｏｒｒ、蒸着速度は、
毎秒０．２ｎｍとした。蒸着後、陽極酸化ポーラスアル
ミナを０．１Ｍ水酸化ナトリウムにより溶解除去し、ダ
イヤモンド基板上に金の蒸着ドット配列を得た。
【００１７】金の蒸着ドット配列を形成したダイヤモン
ド基板を、並行板型プラズマエッチング装置の電極上に
置き、濃度１００％の酸素を放電ガスとして用い、ガス
圧１Ｔｏｒｒ、放電周波数１３．５６ＭＨｚ、放電入力
１５０Ｗで、１０分間エッチング処理を行った。エッチ
ング終了後、金を王水〔硝酸：塩酸＝１：３混合溶液〕
により溶解除去し、母型陽極酸化ポーラスアルミナの細
孔配列と同一の配列を有する針状ダイヤモンド配列を得
た。針状ダイヤモンドの高さは、１．５ミクロンであっ
た。
ド基板を、並行板型プラズマエッチング装置の電極上に
置き、濃度１００％の酸素を放電ガスとして用い、ガス
圧１Ｔｏｒｒ、放電周波数１３．５６ＭＨｚ、放電入力
１５０Ｗで、１０分間エッチング処理を行った。エッチ
ング終了後、金を王水〔硝酸：塩酸＝１：３混合溶液〕
により溶解除去し、母型陽極酸化ポーラスアルミナの細
孔配列と同一の配列を有する針状ダイヤモンド配列を得
た。針状ダイヤモンドの高さは、１．５ミクロンであっ
た。
【００１８】実施例２ 実施例１と同様の方法で、孔径２０ｎｍの陽極酸化ポー
ラスアルミナマスクをダイヤモンド基板上に載せた。こ
れを実施例１と同様の方法により金の真空蒸着用マスク
として用い、その後、実施例１と同様の方法でエッチン
グ加工することにより、直径２０ｎｍの針状構造からな
る規則配列を得た。
ラスアルミナマスクをダイヤモンド基板上に載せた。こ
れを実施例１と同様の方法により金の真空蒸着用マスク
として用い、その後、実施例１と同様の方法でエッチン
グ加工することにより、直径２０ｎｍの針状構造からな
る規則配列を得た。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、微細な針状ダイヤモン
ドが規則的に配列した構造の作製が可能となる。
ドが規則的に配列した構造の作製が可能となる。
【図１】 本発明において蒸着用マスクとして用いる陽
極酸化ポーラスアルミナを示す断面図である。
極酸化ポーラスアルミナを示す断面図である。
【図２】 陽極酸化ポーラスアルミナにおける細孔配列
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】 蒸着用マスクを載せたダイヤモンド基板を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】 マスクを用い蒸着を行った状態を示す断面図
である。
である。
【図５】 ダイヤモンド基板上に形成されたドット配列
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】 プラズマエッチング装置におけるエッチング
の様子を示す模式図である。
の様子を示す模式図である。
【図７】 エッチング後のダイヤモンド基板を示す断面
図である。
図である。
【図８】 形成された針状ダイヤモンド配列構造体を示
す断面図である。
す断面図である。
１ 陽極酸化ポーラスアルミナ ２ 細孔 ３ ダイヤモンド基板 ４ 蒸着ドット ５ プラズマ用電極 ６ 針状ダイヤモンドの規則配列構造 ７ 針状ダイヤモンド配列構造体
Claims (1)
- 【請求項１】 ダイヤモンド基板上に貫通孔を有する陽
極酸化ポーラスアルミナをマスクとして載せ、酸素プラ
ズマエッチングに対する耐性を有する物質を真空蒸着法
により蒸着することで前記ダイヤモンド基板上に蒸着ド
ットを形成し、前記陽極酸化ポーラスアルミナを前記ダ
イヤモンド基板から除去したのち、前記蒸着ドットをマ
スクとして前記ダイヤモンド基板を酸素プラズマエッチ
ングすることによって、針状ダイヤモンドが規則的に配
列した構造体を形成することを特徴とする、針状ダイヤ
モンド配列構造体の作製方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10164772A JP3020155B2 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 針状ダイヤモンド配列構造体の作製方法 |
| CA002266803A CA2266803C (en) | 1998-06-12 | 1999-03-25 | Method for producing needle diamond-type structure |
| US09/276,908 US6309554B1 (en) | 1998-06-12 | 1999-03-26 | Method for producing needle diamond-type structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10164772A JP3020155B2 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 針状ダイヤモンド配列構造体の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000001392A JP2000001392A (ja) | 2000-01-07 |
| JP3020155B2 true JP3020155B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=15799653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10164772A Expired - Lifetime JP3020155B2 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 針状ダイヤモンド配列構造体の作製方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6309554B1 (ja) |
| JP (1) | JP3020155B2 (ja) |
| CA (1) | CA2266803C (ja) |
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| JP3971090B2 (ja) * | 2000-04-05 | 2007-09-05 | 株式会社神戸製鋼所 | 針状表面を有するダイヤモンドの製造方法及び繊毛状表面を有する炭素系材料の製造方法 |
| US6607673B2 (en) | 2000-05-17 | 2003-08-19 | The University Of Tokyo | Method for manufacturing a diamond cylinder array having dents therein |
| JP3385364B2 (ja) * | 2000-05-17 | 2003-03-10 | 東京大学長 | 凹部を有するダイヤモンドシリンダ配列体の製造方法 |
| KR20040035529A (ko) * | 2002-10-22 | 2004-04-29 | 송오성 | 선택적 산화에 의한 다이아몬드 가공방법 |
| JP4464041B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2010-05-19 | キヤノン株式会社 | 柱状構造体、柱状構造体を有する電極、及びこれらの作製方法 |
| ITTO20030167A1 (it) * | 2003-03-06 | 2004-09-07 | Fiat Ricerche | Procedimento per la realizzazione di emettitori nano-strutturati per sorgenti di luce ad incandescenza. |
| JPWO2009060973A1 (ja) * | 2007-11-10 | 2011-03-24 | 並木精密宝石株式会社 | 針状ダイヤモンド、それを用いたカンチレバー、フォトマスク修正用または細胞操作用探針 |
| US8951317B1 (en) * | 2009-04-27 | 2015-02-10 | Us Synthetic Corporation | Superabrasive elements including ceramic coatings and methods of leaching catalysts from superabrasive elements |
| JP2014176909A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Shingijutsu Kaihatsu Kk | 高効率精密加工用研磨砥粒、それを用いた工具及びそれらの製法 |
| US9586279B2 (en) * | 2013-09-17 | 2017-03-07 | Kangmin Hsia | Method and system of surface polishing |
| JP6128189B2 (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-17 | 大日本印刷株式会社 | ダイヤモンドバイトおよびその製造方法 |
| KR101817246B1 (ko) * | 2016-04-22 | 2018-01-10 | (주)포인트엔지니어링 | 유기발광다이오드용 마스크 |
| CN111279023A (zh) * | 2017-08-30 | 2020-06-12 | 洛桑联邦理工学院 | 单晶金刚石衍射光学元件及其制造方法 |
| CN110323350B (zh) * | 2018-03-29 | 2021-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜封装方法、薄膜封装结构、显示装置 |
| CN112992675B (zh) * | 2021-02-05 | 2022-12-27 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 用于太赫兹肖特基二极管的多孔金刚石衬底的制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6334927A (ja) | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンドの加工方法 |
| JPH01246116A (ja) | 1988-03-29 | 1989-10-02 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 針状，繊維状，多孔質状ダイヤモンドまたはそれらの集合体の製造法 |
| US5399238A (en) * | 1991-11-07 | 1995-03-21 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making field emission tips using physical vapor deposition of random nuclei as etch mask |
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