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JP2947621B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

薄膜磁気ヘッド

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JP2947621B2
JP2947621B2 JP2416892A JP41689290A JP2947621B2 JP 2947621 B2 JP2947621 B2 JP 2947621B2 JP 2416892 A JP2416892 A JP 2416892A JP 41689290 A JP41689290 A JP 41689290A JP 2947621 B2 JP2947621 B2 JP 2947621B2
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Japan
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magnetic
magnetic layer
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啓視 中嶋
剛 東松
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ARUPUSU DENKI KK
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109Details
    • G11B5/313Disposition of layers
    • G11B5/3143Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
    • G11B5/3146Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
    • G11B5/3153Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure

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  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、媒体対向面で下部磁性
層と上部磁性層により磁気ギャップ層を挾む構造の薄膜
磁気ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、磁気ディスク装置に用いられる磁
気ヘッドにあっては、磁気ディスク媒体に対する高密度
化および高効率化が進められ、その形状もますます小型
化されるとともに、高精度化がなされている。このよう
な要求に対し、磁気記録に寄与する磁極先端部での磁界
分布が急峻で高密度な磁気記録を可能とする小型の薄膜
磁気ヘッドが種々提案され、実用化されている。
【0003】図5は、この種の薄膜磁気ヘッドの一構造
例を示すものである。図5に示す薄膜磁気ヘッドAは、
基板24上に下部絶縁層26を介して下部磁性層14と
ギャップ層10が積層され、その上に層間絶縁層20で
被包されたコイル導体22が積層され、それらの上に上
部磁性層12と被覆層16とが積層された構造となって
いる。ここで現在、前記磁性層12,14をパーマロイ
から構成することが一般的である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この構造の薄膜磁気ヘ
ッドAの現状での最大の欠点は、パーマロイ製の磁性層
12,14を使用しているために、パーマロイよりも磁
気特性に優れた磁性体を使用している薄膜磁気ヘッド以
外の他の種類の磁気ヘッドに比較して記録特性に劣る面
であり、特に、保磁力の高い磁気記録媒体には磁気情報
の書き込みが難しい問題がある。このため、現在多用さ
れているパーマロイよりも磁気特性に優れた磁性材料を
使用して磁性層12,14を形成するならば、記録特性
が向上することは種々のシュミレーションや実験などか
らも判明していることである。
【0005】ところが、前記上部磁性層12と下部磁性
層14を現在知られている高磁束密度かつ高透磁率の
膜、例えばアモルファス合金膜、Fe-N合金膜などから
構成しようとすると、これらがいずれも熱的に不安定で
あり、耐腐食性に問題があるために、実用的ではない問
題がある。また、熱的に安定な磁性材料を用い、この磁
性材料の成分調節や製造条件の調節を行って前記安定な
磁性材料を高磁束密度材料にすると、透磁率を高くでき
ない問題があった。
【0006】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、従来の薄膜磁気ヘッドで扱っていた従来の磁気記録
媒体よりも高い保磁力の磁気記録媒体に対して磁気情報
の書き込みと読み出しができる薄膜磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】請求項1記載の発明
は、基板上に、下部絶縁層と、下部磁性層と、ギャップ
層と、層間絶縁層で被包されたコイル導体と、上部磁性
層と、被覆層とが積層されてなる薄膜磁気ヘッドにおい
て、磁気記録媒体との対向面で上部磁性層と下部磁性層
の間にはギャップ層が配置され、前記磁気記録媒体との
対向面より内部にてコイル導体が被包され、上部磁性層
と下部磁性層のうち、少なくとも一方が、主磁性層と副
磁性層とからなり、前記副磁性層は前記ギャップ層と前
記主磁性層の間に配置され、前記主磁性層がNi−Fe
系合金またはFe−Al−Si系合金からなり、前記副
磁性層がCo−Ni−Fe系合金からなり、前記副磁性
層の飽和磁束密度が主磁性層の飽和磁束密度よりも大き
く、前記副磁性層の透磁率が前記主磁性層の透磁率より
も小さく、前記副磁性層の膜厚が前記主磁性層の膜厚よ
りも小さく、前記副磁性層の前記主磁性層に対する膜厚
の比が0より大きく、1/4以下であることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドを前記課題の解決手段とした。
【0008】また、請求項2記載の発明は、前記副磁性
層の厚さが0より大きく、0.5μm以下であり、前記
主磁性層の厚さが0より大きく、2μm以下であること
を特徴とする請求項1に記載の薄膜磁気ヘッドを前記課
題の解決手段とした。また、請求項3記載の発明は、前
記副磁性層の飽和磁束密度と透磁率の各値が次式の関係
を満足することを特徴とする請求項1又は2に記載の薄
膜磁気ヘッドを前記課題の解決手段とした。 飽和磁束密度(Bs)≧1.7T、透磁率(μ)≦50
【0009】
【作用】本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、高い飽和磁
束密度と低い透磁率の副磁性層と、低い飽和磁束密度と
高い透磁率の主磁性層とが共同して磁気記録を行うの
で、主磁性層と副磁性層とによって磁性層全体で高い飽
和磁束密度と高い透磁率でもって磁気記録と読み出しが
できる。
【0010】図1は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッド
Bの構造を示すもので、この実施例の薄膜磁気ヘッドB
は、図5に示す従来の薄膜磁気ヘッドと同様な構成であ
り、基板24上に、下部絶縁層26と、下部磁性層14
と、ギャップ層10と、層間絶縁層20で被包されたコ
イル導体22と、上部磁性層13と、被覆層16とが積
層されている。
【0011】本実施例において従来の薄膜磁気ヘッドA
と異なっているのは、上部磁性層13が主磁性層13a
と副磁性層13bとから構成されている点である。
【0012】前記主磁性層13aは、従来構造の薄膜磁
気ヘッドAにおいて用いられている上部磁性層12の構
成材料と同等のもの(例えばFe-Ni系合金のパーマロ
イ)から構成されている。前記主磁性層13aの厚さは、
通常の薄膜磁気ヘッドとほぼ同等であり、具体的には1
〜数μm程度である。従ってこの主磁性層13aは、飽和
磁束密度は従来と同程度であり、透磁率も従来と同程度
である。なお、この主磁性層13aを構成する材料は、
Fe-Al-Si系合金のセンダストなどを用いても良い。
【0013】また、前記副磁性層13bは、飽和磁束密
度がパーマロイよりも高いが透磁率は低い材料から構成
されている。前記副磁性層13bの厚さtは、0<t≦
0.5μmの範囲とすることが好ましい。なお、この副
磁性層13bを構成する材料は、主磁性層13aのパー
マロイよりも飽和磁束密度が高いが、透磁率は従来のパ
ーマロイほど高くない材料、具体的にはCo−Ni−F
e系合金膜を用いる。
【0014】以上のように構成された薄膜磁気ヘッドB
は、従来の薄膜磁気ヘッドAと同様に磁気ディスクなど
の磁気記録媒体に対して磁気信号の書き込みと読み出し
を行って使用する。
【0015】この際、副磁性層13bの飽和磁束密度が
高いので、保磁力の高い磁気記録媒体にも対応できる。
また、主磁性層13aは高い透磁率を示し、副磁性層1
3bはそれよりも低い透磁率を示すが、副磁性層13bは
主磁性層13aよりも薄く、具体的には0.5μm以下に
形成されているので、透磁率の低下割合は少なく、磁性
層13全体としての透磁率低下の影響は生じない。
【0016】図2は本発明の第2実施例の薄膜磁気ヘッ
ドCを示すものであり、この実施例の磁気ヘッドCにお
いて従来例の薄膜磁気ヘッドAと異なっているのは、下
部磁性層15を主磁性層15aと副磁性層15bとから構
成した点である。その他の構成は従来例の薄膜磁気ヘッ
ドAと同等である。
【0017】この実施例の薄膜磁気ヘッドCにおける主
磁性層15aは、先に説明した第1実施例の主磁性層1
3aと同等の材料から構成されており、副磁性層15bは
先の第1実施例の副磁性層13bと同等の材料から構成
されている。主磁性層15aと副磁性層15bの厚さはそ
れぞれ第1実施例の場合と同等である。
【0018】この実施例の薄膜磁気ヘッドCにあっても
第1実施例の薄膜磁気ヘッドBと同様な効果を得ること
ができる。
【0019】なお、前記実施例においては上部磁性層と
下部磁性層をそれぞれ主磁性層と副磁性層から構成した
例について説明したが、上部磁性層と下部磁性層の両方
を主磁性層と副磁性層から構成しても良いのは勿論であ
る。
【0020】
【製造例】図1と図2に示す構造の薄膜磁気ヘッドにお
いて、副磁性層の厚さを0〜2μmの範囲で変更して
られた薄膜磁気ヘッドによる磁気特性を測定した。
【0021】図3に、飽和磁束密度(Bs)が1.7T(テ
スラ)を示す磁性層(膜)であって、透磁率(μ)が300
0を示す磁性層を備えた薄膜磁気ヘッドと、前記と同等
の飽和磁束密度で透磁率が500を示す磁性層を備えた
薄膜磁気ヘッドにおいて、それぞれの記録磁界と起磁力
との関係を示す。
【0022】図3に示す結果から、低透磁率の場合は、
0.5ATでは飽和せず、磁界の大きさは低い値となっ
ている。
【0023】図4に、パーマロイ膜(主磁性層)の厚み
を2μmと一定とし、前記1.7Tの飽和磁束密度を示
す磁性層(副磁性層)の厚さを増減した場合の磁性層の
厚さと記録磁界と再生出力の関係を示す。
【0024】図4によるとパーマロイ膜(主磁性層)の
厚みが2μmのとき、前記1.7Tの飽和磁束密度を示
す磁性層(副磁性層)の厚さが比較的膜厚の薄い領域
(0.5μm以下の領域)では、記録磁界の上昇が見ら
れ、それ以上では低透磁率の悪影響(飽和しずらい)が
出て向上しない。(図3の結果による。)また、低透磁
率部分が大きくなることにより、再生出力の低下もある
ため、膜厚大の領域は実用的でないことが明らかであ
る。図4から前記1.7Tの飽和磁束密度を示す磁性層
(副磁性層)のパーマロイ膜(主磁性層)に対する膜厚
の比が0より大きく、1/4以下の範囲のときは、前記
1.7Tの飽和磁束密度を示す磁性層(副磁性層)が無
く(膜厚が0μm)、かつパーマロイ膜(主磁性層)の
厚みが2μmの場合(従来の薄膜磁気ヘッド)よりも記
録磁界を増大できるうえ、前記1.7Tの飽和磁束密度
を示す磁性層(副磁性層)が無く(膜厚が0μm)、か
つパーマロイ膜(主磁性層)の厚みが2μmの場合(従
来の薄膜磁気ヘッド)と同じ程度の再生出力を維持でき
ることがわかり、また、前記1.7Tの飽和磁束密度を
示す磁性層(副磁性層)のパーマロイ膜(主磁性層)に
対する膜厚の比が1/4を超える場合より再生出力を大
きくできることがわかる。
【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板上
に、下部絶縁層と、下部磁性層と、ギャップ層と、層間
絶縁層で被包されたコイル導体と、上部磁性層と、被覆
層とが積層されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気記
録媒体との対向面で上部磁性層と下部磁性層の間にはギ
ャップ層が配置され、前記磁気記録媒体との対向面より
内部にてコイル導体が被包され、上部磁性層と下部磁性
層のうち、少なくとも一方が、主磁性層と副磁性層とか
らなり、前記副磁性層は前記ギャップ層と前記主磁性層
の間に配置され、前記主磁性層がNi−Fe系合金また
はFe−Al−Si系合金からなり、前記副磁性層がC
o−Ni−Fe系合金からなり、前記副磁性層の飽和磁
束密度が主磁性層の飽和磁束密度よりも大きく、前記副
磁性層の透磁率が前記主磁性層の透磁率よりも小さく、
前記副磁性層の膜厚が前記主磁性層の膜厚よりも小さ
く、前記副磁性層の前記主磁性層に対する膜厚の比が0
より大きく、1/4以下であることを特徴とするもので
あるので、主磁性層と副磁性層を合わせた磁性層全体と
して高い飽和磁束密度で、高い透磁率で磁気記録と再生
できる効果がある。また、本願発明においては、特に、
副磁性層がCo−Ni−Fe系合金から構成されたこと
により、飽和磁束密度を1.7T程度とすることがで
き、記録磁界を増大させることができ、高密度記録を行
うことができ、また、従来用いられていたアモルファス
膜よりも耐熱性および耐食性を向上できる。また、副磁
性層をギャップ層と主磁性層との間に配置することによ
り、記録時に大きな磁界勾配が得られ、線記録密度を増
大でき、高記録密度化できる。また、副磁性層の厚さを
0より大きく0.5μm以下にするならば、記録磁界を
上昇させつつ低い透磁率の副磁性層の悪影響を避けるこ
とができ、再生出力を低下させることなく高密度記録が
できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示す断面図である。
【図2】本発明の第2実施例を示す断面図である。
【図3】本発明で用いた副磁性層のみからなる磁性層の
薄膜磁気ヘッドによる起磁力と異方性磁界の関係を示す
図である。
【図4】本発明で用いた薄膜磁気ヘッドによる磁性層の
厚さと記録磁界と再生出力の関係を示す図である。
【図5】従来の薄膜磁気ヘッドの一構造例を示す断面図
である。
【符号の説明】
10 ギャップ層 13 上部磁性層 13a 主磁性層 13b 副磁性層 15 下部磁性層 15a 主磁性層 15b 副磁性層 16 被覆層 20 層間絶縁層 22 コイル導体 24 基板 26 下部絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 5/31

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に、下部絶縁層と、下部磁性層
    と、ギャップ層と、層間絶縁層で被包されたコイル導体
    と、上部磁性層と、被覆層とが積層されてなる薄膜磁気
    ヘッドにおいて、磁気記録媒体との対向面で上部磁性層と下部磁性層の間
    にはギャップ層が配置され、 前記磁気記録媒体との対向面より内部にてコイル導体が
    被包され、 上部磁性層と下部磁性層のうち、少なくとも一方が、主
    磁性層と副磁性層とからなり、前記副磁性層は前記ギャ
    ップ層と前記主磁性層の間に配置され、前記主磁性層がNi−Fe系合金またはFe−Al−S
    i系合金からなり、 前記副磁性層がCo−Ni−Fe系
    合金からなり、 前記副磁性層の飽和磁束密度が主磁性層の飽和磁束密度
    よりも大きく、前記副磁性層の透磁率が前記主磁性層の
    透磁率よりも小さく、前記副磁性層の膜厚が前記主磁性
    層の膜厚よりも小さく、前記副磁性層の前記主磁性層に
    対する膜厚の比が0より大きく、1/4以下であること
    を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項2】 前記副磁性層の厚さが0より大きく、
    0.5μm以下であり、前記主磁性層の厚さが0より大
    きく、2μm以下であることを特徴とする請求項1に記
    載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項3】 前記副磁性層の飽和磁束密度と透磁率の
    各値が次式の関係を満足することを特徴とする請求項1
    又は2に記載の薄膜磁気ヘッド。 飽和磁束密度(Bs)≧1.7T、透磁率(μ)≦50
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