JP2851257B2 - ケイ素の精製方法 - Google Patents
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は冶金学的グレードの
ケイ素(metallurgical grade silicon)の精製方法、特
に太陽電池製造用のケイ素を提供するための冶金学的グ
レードのケイ素の精製方法に関するものである。さらに
詳しくは、本発明はスラグ(slag)処理によって溶融ケイ
素から不純物を除去することからなるケイ素の精製方法
に関するものである。
ケイ素(metallurgical grade silicon)の精製方法、特
に太陽電池製造用のケイ素を提供するための冶金学的グ
レードのケイ素の精製方法に関するものである。さらに
詳しくは、本発明はスラグ(slag)処理によって溶融ケイ
素から不純物を除去することからなるケイ素の精製方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】多数の
用途において、多数の元素に関して極めて低い不純物濃
度(level)をもつケイ素が要求される。すなわち、太陽
電池用のケイ素については硼素含有量が0.4ppmwよりも
低く且つリン含有量が0.7ppmwよりも低いケイ素が要求
される。
用途において、多数の元素に関して極めて低い不純物濃
度(level)をもつケイ素が要求される。すなわち、太陽
電池用のケイ素については硼素含有量が0.4ppmwよりも
低く且つリン含有量が0.7ppmwよりも低いケイ素が要求
される。
【０００３】要求される低含有量で不純物を有する太陽
電池用ケイ素を得ることを目的として、多数の精製方法
及び複数の方法の組合わせがこれまでに提案されてい
る。すなわち、1991年４月８日〜12日にポルトガルのリ
スボンで開催された第10回欧州光起電太陽エネルギー会
議(the 10th European photovoltaic solar energyconf
erence in Lisbon)で発表された鈴木と佐野による刊行
物“溶融ケイ素のフラックス処理によって冶金学的ケイ
素から硼素を除去するための熱力学(Thermodynamics fo
r removal of boron from metallurgical silicon by f
lux treatment of molten silicon)”において、フラッ
クス又はスラグ処理による硼素の除去が研究されてい
る。次のスラグ系、CaO-SiO2 、CaO-MgO-SiO2 、CaO-Ba
O-SiO2及びCaO-CaF2-SiO2 を用いてケイ素を処理する
と、スラグ系CaO-BaO-SiO2 を使用した場合には硼素の
最大分配係数〔これはスラグ中の硼素濃度(ppmw)とケイ
素中の硼素濃度(ppmw)との間の比として定義される〕約
2.0が得られることが認められた。また、前記の硼素分
配係数は、スラグの塩基度が増大すると共に増大し、最
大値に達し、次いで低下することが認められた。鈴木と
佐野によって行われた実験は、グラファイト製るつぼに
ケイ素10 gとスラグ10 gとを入れ、この混合物を溶融
し、次いで該混合物を２時間溶融状態に保つことによっ
て行われた。スラグと溶融ケイ素との間の硼素の分配係
数が小さいことは、多量のスラグを使用しなければなら
ないことを意味し、また硼素含有量を冶金学的ケイ素の
標準的な硼素含有量である20〜100 ppmから太陽電池用
ケイ素に要求される硼素含有量である１ppm未満にまで
下げるためには前記スラグ処理を多数回反復しなければ
ならないことを意味する。従って、鈴木と佐野の論文に
記載された方法は、極めて費用がかかるものでありしか
も極めて時間を消費するものである。
電池用ケイ素を得ることを目的として、多数の精製方法
及び複数の方法の組合わせがこれまでに提案されてい
る。すなわち、1991年４月８日〜12日にポルトガルのリ
スボンで開催された第10回欧州光起電太陽エネルギー会
議(the 10th European photovoltaic solar energyconf
erence in Lisbon)で発表された鈴木と佐野による刊行
物“溶融ケイ素のフラックス処理によって冶金学的ケイ
素から硼素を除去するための熱力学(Thermodynamics fo
r removal of boron from metallurgical silicon by f
lux treatment of molten silicon)”において、フラッ
クス又はスラグ処理による硼素の除去が研究されてい
る。次のスラグ系、CaO-SiO2 、CaO-MgO-SiO2 、CaO-Ba
O-SiO2及びCaO-CaF2-SiO2 を用いてケイ素を処理する
と、スラグ系CaO-BaO-SiO2 を使用した場合には硼素の
最大分配係数〔これはスラグ中の硼素濃度(ppmw)とケイ
素中の硼素濃度(ppmw)との間の比として定義される〕約
2.0が得られることが認められた。また、前記の硼素分
配係数は、スラグの塩基度が増大すると共に増大し、最
大値に達し、次いで低下することが認められた。鈴木と
佐野によって行われた実験は、グラファイト製るつぼに
ケイ素10 gとスラグ10 gとを入れ、この混合物を溶融
し、次いで該混合物を２時間溶融状態に保つことによっ
て行われた。スラグと溶融ケイ素との間の硼素の分配係
数が小さいことは、多量のスラグを使用しなければなら
ないことを意味し、また硼素含有量を冶金学的ケイ素の
標準的な硼素含有量である20〜100 ppmから太陽電池用
ケイ素に要求される硼素含有量である１ppm未満にまで
下げるためには前記スラグ処理を多数回反復しなければ
ならないことを意味する。従って、鈴木と佐野の論文に
記載された方法は、極めて費用がかかるものでありしか
も極めて時間を消費するものである。
【０００４】ノールウェー特許出願第901150号明細書に
は、スラグ処理によって冶金学的グレードのケイ素から
硼素を除去する方法であって塩素含有化合物からなるス
ラグを用いて溶融ケイ素を処理する方法が記載されてい
る。CaO-SiO2-CaCl2 含有スラグを使用するのが好まし
い。上記スラグは溶融ケイ素に添加され、加熱され、そ
の後に除去される。この方法によれば、ケイ素に対する
スラグの重量比 0.5〜0.8を使用することによって硼素
含有量が約15 ppmから約５ppmまで下げられる。前記の
スラグ処理法において、スラグの全量が溶融ケイ素との
接触状態に比較的長時間保たれる。
は、スラグ処理によって冶金学的グレードのケイ素から
硼素を除去する方法であって塩素含有化合物からなるス
ラグを用いて溶融ケイ素を処理する方法が記載されてい
る。CaO-SiO2-CaCl2 含有スラグを使用するのが好まし
い。上記スラグは溶融ケイ素に添加され、加熱され、そ
の後に除去される。この方法によれば、ケイ素に対する
スラグの重量比 0.5〜0.8を使用することによって硼素
含有量が約15 ppmから約５ppmまで下げられる。前記の
スラグ処理法において、スラグの全量が溶融ケイ素との
接触状態に比較的長時間保たれる。
【０００５】前記の硼素分配係数すなわちＬB ＝２は、
前記のスラグ抽出法がケイ素から多量の硼素を除去する
ための効率的な手段であるということを示していない。
該スラグ抽出法の効率はいくつかの単純化された理論的
な独立変数(arguments)によって評価し得る。いくつか
の記号（符号）が下記のように定義される。 [B]o − 投入される(ingoing)ケイ素の硼素含有量(p
pmw) (B)o − 投入されるスラグの硼素含有量(ppmw) [B]p − 取り出される(outgoing)ケイ素の硼素含有
量(ppmw) (B)p − 取り出されるスラグの硼素含有量(ppmw) ＭA − ケイ素合金の量（質量単位、例えばkg) ＭS − スラグの量（質量単位、例えばkg)
前記のスラグ抽出法がケイ素から多量の硼素を除去する
ための効率的な手段であるということを示していない。
該スラグ抽出法の効率はいくつかの単純化された理論的
な独立変数(arguments)によって評価し得る。いくつか
の記号（符号）が下記のように定義される。 [B]o − 投入される(ingoing)ケイ素の硼素含有量(p
pmw) (B)o − 投入されるスラグの硼素含有量(ppmw) [B]p − 取り出される(outgoing)ケイ素の硼素含有
量(ppmw) (B)p − 取り出されるスラグの硼素含有量(ppmw) ＭA − ケイ素合金の量（質量単位、例えばkg) ＭS − スラグの量（質量単位、例えばkg)
【０００６】ＭA とＭS は反応中は一定であると仮定す
る。このことは系内の硼素の全含有量が低い場合には良
好な近似であり、しかも２つの相の間の物質の交換は系
の全体量に比べて小さい。交換されるべき量が多い場合
には、状況はより一層複雑であるが、同様の算出が可能
である。実際の反応は、平衡方向に向かって進行する
が、決して平衡に達することはない。このためには下記
の１〜３、すなわち 1. 硼素の分配係数、ＬB が一定であること 2. スラグとケイ素の間の平衡の確立は界面で迅速であ
り、平衡全体からの逸脱が前記の２つの相内の硼素の移
動によるものであること 3. 投入合金とスラグ材料とが唯一の硼素供給源であ
り、硼素が系から失われることがないこと が仮定される。
る。このことは系内の硼素の全含有量が低い場合には良
好な近似であり、しかも２つの相の間の物質の交換は系
の全体量に比べて小さい。交換されるべき量が多い場合
には、状況はより一層複雑であるが、同様の算出が可能
である。実際の反応は、平衡方向に向かって進行する
が、決して平衡に達することはない。このためには下記
の１〜３、すなわち 1. 硼素の分配係数、ＬB が一定であること 2. スラグとケイ素の間の平衡の確立は界面で迅速であ
り、平衡全体からの逸脱が前記の２つの相内の硼素の移
動によるものであること 3. 投入合金とスラグ材料とが唯一の硼素供給源であ
り、硼素が系から失われることがないこと が仮定される。
【０００７】スラグを除去する前にスラグ全部を添加し
しかもスラグと溶融ケイ素との間に長い接触時間が存在
する前記の方法においては、スラグをケイ素から除去す
る時点の平衡においてスラグとケイ素はせいぜい(at be
st)均質であろう。
しかもスラグと溶融ケイ素との間に長い接触時間が存在
する前記の方法においては、スラグをケイ素から除去す
る時点の平衡においてスラグとケイ素はせいぜい(at be
st)均質であろう。
【０００８】スラグとケイ素との間で平衡が得られる前
記のスラグ処理法に関する硼素精製の可能性は、下記の
通りに算出し得る。 この式を下記の式： と組合わせ、整理することによって、取り出される(out
going)ケイ素の硼素含有量は として算出し得る。
記のスラグ処理法に関する硼素精製の可能性は、下記の
通りに算出し得る。 この式を下記の式： と組合わせ、整理することによって、取り出される(out
going)ケイ素の硼素含有量は として算出し得る。
【０００９】この式はスラグ処理したケイ素の硼素含有
量を、冶金学的ケイ素の単位当りのスラグ消費量の関数
として与える。スラグ材料の不純物含有量は、ケイ素に
ついて得ることができる純度の限界を設定し、この限界
は下記の通りである。
量を、冶金学的ケイ素の単位当りのスラグ消費量の関数
として与える。スラグ材料の不純物含有量は、ケイ素に
ついて得ることができる純度の限界を設定し、この限界
は下記の通りである。
【００１０】スラグとケイ素とを平衡に至らしめるスラ
グ処理法実施中の硼素含有量の変化を図１に示す。図１
から、最初に硼素を約10 ppmw含有しているケイ素にお
いて約１ppmwの硼素含有量を得るためには、ケイ素に対
するスラグの比を３よりもかなり上で使用することが必
要であることが認め得る。すなわち、慣用のスラグ抽出
法を使用する場合には、１ppmwよりも低い硼素含有量を
得るためには大量のスラグを使用しなければならない。
グ処理法実施中の硼素含有量の変化を図１に示す。図１
から、最初に硼素を約10 ppmw含有しているケイ素にお
いて約１ppmwの硼素含有量を得るためには、ケイ素に対
するスラグの比を３よりもかなり上で使用することが必
要であることが認め得る。すなわち、慣用のスラグ抽出
法を使用する場合には、１ppmwよりも低い硼素含有量を
得るためには大量のスラグを使用しなければならない。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、ケイ素
から不純物、特に硼素を除去するためのスラグ処理によ
るケイ素の精製方法であって、従来法に比べて高められ
た精製効率を得ることを可能にする方法を提供すること
にある。
から不純物、特に硼素を除去するためのスラグ処理によ
るケイ素の精製方法であって、従来法に比べて高められ
た精製効率を得ることを可能にする方法を提供すること
にある。
【００１２】従って、本発明は容器に入れた溶融ケイ素
を溶融ケイ素から硼素及び／又は他の不純物を取り除く
能力をもつスラグで処理することによって溶融ケイ素か
ら不純物を除去するケイ素の精製方法に関する。該方法
は溶融ケイ素に対してスラグを連続的に又は実質的に連
続的に添加すること及び除去すべき１種又は複数の不純
物元素について該スラグと溶融ケイ素との間で平衡が達
成されるや否や連続的に又は実質的に連続的に前記スラ
グを不活性化させるか又は溶融ケイ素から除去すること
を特徴とする。
を溶融ケイ素から硼素及び／又は他の不純物を取り除く
能力をもつスラグで処理することによって溶融ケイ素か
ら不純物を除去するケイ素の精製方法に関する。該方法
は溶融ケイ素に対してスラグを連続的に又は実質的に連
続的に添加すること及び除去すべき１種又は複数の不純
物元素について該スラグと溶融ケイ素との間で平衡が達
成されるや否や連続的に又は実質的に連続的に前記スラ
グを不活性化させるか又は溶融ケイ素から除去すること
を特徴とする。
【００１３】本発明の一つの態様によれば、スラグの密
度を増大させる１種又はそれ以上の成分をスラグに添加
することによってスラグを不活性化させて、該スラグ処
理を行う容器の底の上に沈降するスラグを得る。スラグ
の密度を増大させるための成分としては、バリウム化合
物及び／又はストロンチウム化合物を使用するのが好ま
しい。
度を増大させる１種又はそれ以上の成分をスラグに添加
することによってスラグを不活性化させて、該スラグ処
理を行う容器の底の上に沈降するスラグを得る。スラグ
の密度を増大させるための成分としては、バリウム化合
物及び／又はストロンチウム化合物を使用するのが好ま
しい。
【００１４】前記のスラグ処理を行う容器の底のスラグ
相として沈降するスラグをさらに不活性化させるために
は、容器の下部に配置した適当な冷却装置を用いて該ス
ラグ相の温度を低下させる。すなわち、前記の容器の下
部には冷却液を循環させるための冷却管を取り付け得
る。
相として沈降するスラグをさらに不活性化させるために
は、容器の下部に配置した適当な冷却装置を用いて該ス
ラグ相の温度を低下させる。すなわち、前記の容器の下
部には冷却液を循環させるための冷却管を取り付け得
る。
【００１５】本発明の別の態様によれば、溶融ケイ素よ
りも高い密度をもつスラグが溶融ケイ素浴の上部に連続
的に又は実質的に連続的に添加され、次いでスラグ処理
を行う容器の底部から該スラグが連続的に又は実質的に
連続的に取り出される。
りも高い密度をもつスラグが溶融ケイ素浴の上部に連続
的に又は実質的に連続的に添加され、次いでスラグ処理
を行う容器の底部から該スラグが連続的に又は実質的に
連続的に取り出される。
【００１６】さらに別の態様によれば、溶融ケイ素より
も低い密度をもつスラグが溶融ケイ素に溶融ケイ素を入
れた容器の底部又は下部から連続的に又は実質的に連続
的に供給され、それによって該スラグは溶融ケイ素の上
部に上昇し、そこで該スラグが容器から連続的に又は実
質的に連続的に除去される。ケイ素よりも低い密度をも
つスラグの具体例はNa2O-SiO2 を基材としたスラグであ
る。
も低い密度をもつスラグが溶融ケイ素に溶融ケイ素を入
れた容器の底部又は下部から連続的に又は実質的に連続
的に供給され、それによって該スラグは溶融ケイ素の上
部に上昇し、そこで該スラグが容器から連続的に又は実
質的に連続的に除去される。ケイ素よりも低い密度をも
つスラグの具体例はNa2O-SiO2 を基材としたスラグであ
る。
【００１７】本発明の方法の別の態様によれば、前記ス
ラグ処理はスラグとケイ素の向流を用いて行われる。ス
ラグとケイ素の向流は１個の容器中で連続的に行われる
か、又は別法として２個又はそれ以上の容器を介して溶
融ケイ素と溶融スラグを向流で移動させることによって
２個又はそれ以上の容器中で行い得る。このようにし
て、ケイ素からスラグに抽出すべき不純物を最も低い含
有量で有するスラグを、これら不純物を最も低い含有量
で有するケイ素と接触させる。このようにしてスラグの
消費量がさらに低減される。
ラグ処理はスラグとケイ素の向流を用いて行われる。ス
ラグとケイ素の向流は１個の容器中で連続的に行われる
か、又は別法として２個又はそれ以上の容器を介して溶
融ケイ素と溶融スラグを向流で移動させることによって
２個又はそれ以上の容器中で行い得る。このようにし
て、ケイ素からスラグに抽出すべき不純物を最も低い含
有量で有するスラグを、これら不純物を最も低い含有量
で有するケイ素と接触させる。このようにしてスラグの
消費量がさらに低減される。
【００１８】スラグの全体量をケイ素との平衡にまでも
っていく方法と比べて、本発明の方法によってスラグ消
費量が著しく低減できることが認められた。
っていく方法と比べて、本発明の方法によってスラグ消
費量が著しく低減できることが認められた。
【００１９】本発明の方法では、ケイ素を精製するため
に使用される慣用のスラグ組成物を使用し得る。好まし
いスラグはCaO-SiO2 からなるものであるが、別の公知
のスラグも使用できる。
に使用される慣用のスラグ組成物を使用し得る。好まし
いスラグはCaO-SiO2 からなるものであるが、別の公知
のスラグも使用できる。
【００２０】本発明の方法に従ってスラグを連続的に又
は実質的に連続的に添加し、次いで連続的に又は実質的
に連続的に不活性化させるか又は溶融ケイ素から取り除
く場合には、ケイ素に添加される少量のスラグの物質収
支、dMs は下記の式の通りである。
は実質的に連続的に添加し、次いで連続的に又は実質的
に連続的に不活性化させるか又は溶融ケイ素から取り除
く場合には、ケイ素に添加される少量のスラグの物質収
支、dMs は下記の式の通りである。
【００２１】この式を硼素の分配係数ＬB に関する式と
一緒にし、適当な境界条件を用いて解くと、取り出され
るケイ素の硼素含有量は下記の式： として算出し得ることが認められる。
一緒にし、適当な境界条件を用いて解くと、取り出され
るケイ素の硼素含有量は下記の式： として算出し得ることが認められる。
【００２２】スラグ材料の不純物含有量は、処理したケ
イ素について得ることができる純度に関して、スラグと
ケイ素の間の平衡を用いる従来法によって得ることがで
きる純度と同じ限度に設定する。しかしながら、図１か
ら認め得るように、スラグ処理中の溶融ケイ素中の硼素
含有量の変化は、従来法を用いた場合よりも本発明の方
法を用いた場合のほうがはるかに早い。すなわち、図１
から、10〜50 ppmwの硼素含有量をもつケイ素を、ケイ
素に対するスラグの重量比として３よりも小さい重量比
を用いて処理することによって約0.5 ppmwよりも小さい
硼素含有量を得ることができることが認め得る。
イ素について得ることができる純度に関して、スラグと
ケイ素の間の平衡を用いる従来法によって得ることがで
きる純度と同じ限度に設定する。しかしながら、図１か
ら認め得るように、スラグ処理中の溶融ケイ素中の硼素
含有量の変化は、従来法を用いた場合よりも本発明の方
法を用いた場合のほうがはるかに早い。すなわち、図１
から、10〜50 ppmwの硼素含有量をもつケイ素を、ケイ
素に対するスラグの重量比として３よりも小さい重量比
を用いて処理することによって約0.5 ppmwよりも小さい
硼素含有量を得ることができることが認め得る。
【００２３】本発明の方法は、溶融ケイ素とスラグとを
入れるための容器を少なくとも１個有し且つ溶融したケ
イ素の上部に又は溶融したケイ素の底部で液状スラグを
添加するための手段を有する適当な装置中で実施し得
る。さらにまた、前記容器にはケイ素を溶融し、溶融物
を所定の温度に保つための加熱装置を取り付けなければ
ならない。本発明の方法を実施するための適当な装置と
しては、アーク炉、プラズマ加熱炉及び誘導加熱炉並び
に抵抗加熱炉が挙げられる。
入れるための容器を少なくとも１個有し且つ溶融したケ
イ素の上部に又は溶融したケイ素の底部で液状スラグを
添加するための手段を有する適当な装置中で実施し得
る。さらにまた、前記容器にはケイ素を溶融し、溶融物
を所定の温度に保つための加熱装置を取り付けなければ
ならない。本発明の方法を実施するための適当な装置と
しては、アーク炉、プラズマ加熱炉及び誘導加熱炉並び
に抵抗加熱炉が挙げられる。
【００２４】本発明の方法を添付の図面を参照してさら
に説明する。図１は、本発明の方法（“本発明”と明記
した）と、スラグの全量を溶融ケイ素と比較的長時間接
触状態に保つ前記の方法（“従来法”と明記した）とに
ついて、ケイ素からの理論的硼素抽出量をスラグ消費量
の関数として示すグラフである。従来法によれば、理論
的硼素抽出量を算出するのにＬB ＝2.0の硼素分配係数
が使用されている。
に説明する。図１は、本発明の方法（“本発明”と明記
した）と、スラグの全量を溶融ケイ素と比較的長時間接
触状態に保つ前記の方法（“従来法”と明記した）とに
ついて、ケイ素からの理論的硼素抽出量をスラグ消費量
の関数として示すグラフである。従来法によれば、理論
的硼素抽出量を算出するのにＬB ＝2.0の硼素分配係数
が使用されている。
【００２５】図２は本発明の方法を実施するのに使用し
たアーク炉であって溶融ケイ素から硼素を抽出するため
のアーク炉を示すものである。図２には、ケイ素４とス
ラグ材料とを溶融するための電極３を取り付けた容量50
dm3 をもつグラファイト製るつぼ２から構成されるアー
ク炉１が示される。アーク炉１は、さらに炉にスラグを
連続的に供給するための装置５が取り付けられている。
この炉は70kWの最大負荷(load)を有する。スラグを不活
性化させるために、この炉は底部に少々不十分な熱絶縁
を有する。
たアーク炉であって溶融ケイ素から硼素を抽出するため
のアーク炉を示すものである。図２には、ケイ素４とス
ラグ材料とを溶融するための電極３を取り付けた容量50
dm3 をもつグラファイト製るつぼ２から構成されるアー
ク炉１が示される。アーク炉１は、さらに炉にスラグを
連続的に供給するための装置５が取り付けられている。
この炉は70kWの最大負荷(load)を有する。スラグを不活
性化させるために、この炉は底部に少々不十分な熱絶縁
を有する。
【００２６】
【発明の実施の態様】実施例１ （本発明） 前記のアーク炉１中で硼素40 ppmwを含有するケイ素20k
gを溶融した。このケイ素に対して、CaO 60重量％とSiO
2 40重量％とからなる組成をもつ低硼素スラグ40kgをス
ラグ供給装置５により連続的に加え、その間はほとんど
瞬間的な溶融を提供する速度で加熱した。溶融は炉内を
探針する(probing)することによって調べた。スラグの
密度はケイ素の密度よりも高く、従ってスラグは炉内の
ケイ素層よりも下のスラグ層６に沈降した。スラグの添
加を終えた後に、精製ケイ素を炉１から取り出した。試
験中の平均負荷(mean load)は58.5kWであった。得られ
た精製ケイ素の硼素含有量は約１ppmwであり、図１から
認め得るようにこれは本発明の方法について得ることが
できる理論値に極めて近い値である。
gを溶融した。このケイ素に対して、CaO 60重量％とSiO
2 40重量％とからなる組成をもつ低硼素スラグ40kgをス
ラグ供給装置５により連続的に加え、その間はほとんど
瞬間的な溶融を提供する速度で加熱した。溶融は炉内を
探針する(probing)することによって調べた。スラグの
密度はケイ素の密度よりも高く、従ってスラグは炉内の
ケイ素層よりも下のスラグ層６に沈降した。スラグの添
加を終えた後に、精製ケイ素を炉１から取り出した。試
験中の平均負荷(mean load)は58.5kWであった。得られ
た精製ケイ素の硼素含有量は約１ppmwであり、図１から
認め得るようにこれは本発明の方法について得ることが
できる理論値に極めて近い値である。
【００２７】実施例２（従来法） 比較のために試験を行い、実施例１と同じ組成をもつス
ラグ40ｋｇを炉１中で溶融し、その後に硼素40 ppmwを
含有するケイ素20kgを溶融スラグに連続的に添加し、そ
の間は供給物をほとんど瞬間的な溶融を提供する速度で
加熱した。２種類の溶融物を完全に溶融した後に約1.5
時間接触させ、その後にケイ素を炉から取り出した。ケ
イ素の硼素含有量は11 ppmwであり、これは図１に示し
た従来法の理論値よりも僅かに高かった。試験中の平均
負荷は65.7kWであった。この比較実施例はケイ素と下部
のスラグの間の高度の平衡を示すものであり、スラグの
不十分な不活性化を示す。底部ライニングを介した冷却
は殆ど(fearly)一定であることから、負荷は冷却が底部
スラグ層で起こるということを示唆している。より低い
53.4kWの負荷で試験を反復した。この場合にはケイ素の
硼素含有量は20 ppmwになり、これは図１の従来法の理
論値よりもはるかに高い値であった。
ラグ40ｋｇを炉１中で溶融し、その後に硼素40 ppmwを
含有するケイ素20kgを溶融スラグに連続的に添加し、そ
の間は供給物をほとんど瞬間的な溶融を提供する速度で
加熱した。２種類の溶融物を完全に溶融した後に約1.5
時間接触させ、その後にケイ素を炉から取り出した。ケ
イ素の硼素含有量は11 ppmwであり、これは図１に示し
た従来法の理論値よりも僅かに高かった。試験中の平均
負荷は65.7kWであった。この比較実施例はケイ素と下部
のスラグの間の高度の平衡を示すものであり、スラグの
不十分な不活性化を示す。底部ライニングを介した冷却
は殆ど(fearly)一定であることから、負荷は冷却が底部
スラグ層で起こるということを示唆している。より低い
53.4kWの負荷で試験を反復した。この場合にはケイ素の
硼素含有量は20 ppmwになり、これは図１の従来法の理
論値よりもはるかに高い値であった。
【００２８】実施例２と比べて実施例１は、本発明の方
法が文献の記載による方法と比べて著しく高い硼素除去
量を与えることを示す。
法が文献の記載による方法と比べて著しく高い硼素除去
量を与えることを示す。
【図１】本発明の方法（“本発明”と明記した）と、ス
ラグの全量を溶融ケイ素と比較的長時間接触させる前記
の方法（“従来法”と明記した）とについて、ケイ素か
らの理論的な硼素抽出量をスラグ消費量の関数として示
すグラフである。
ラグの全量を溶融ケイ素と比較的長時間接触させる前記
の方法（“従来法”と明記した）とについて、ケイ素か
らの理論的な硼素抽出量をスラグ消費量の関数として示
すグラフである。
【図２】本発明の方法を実施するのに使用した、溶融ケ
イ素から硼素をスラグ抽出するためのアーク炉の縦断面
図である。
イ素から硼素をスラグ抽出するためのアーク炉の縦断面
図である。
１ アーク炉 ２ グラファイト製るつぼ ３ 電極 ４ ケイ素 ５ スラグの連続供給装置 ６ スラグ層
Claims (9)
- 【請求項１】 容器に入れた溶融ケイ素を溶融ケイ素か
ら不純物を取り除く能力をもつスラグで処理することに
よって溶融ケイ素から不純物を除去することからなるケ
イ素の精製方法において、前記スラグを溶融ケイ素に連
続的に又は実質的に連続的に添加すること及び除去すべ
き１種又は複数の不純物元素について該スラグと溶融ケ
イ素との間の平衡が達成されるや否や連続的に又は実質
的に連続的に前記スラグを不活性化させるか又は溶融ケ
イ素から取り除くことを特徴とするケイ素の精製方法。 - 【請求項２】 スラグの密度を増大させる１種又はそれ
以上の成分をスラグに添加することによってスラグを不
活性化させる請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 バリウム化合物及び／又はストロンチウ
ム化合物をスラグに添加してスラグの密度を増大させる
請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 溶融したケイ素の上部に溶融ケイ素より
も高い密度をもつスラグを連続的に又は実質的に連続的
に添加し、次いで処理を行う容器の底部から該スラグを
連続的に又は実質的に連続的に除去する請求項１記載の
方法。 - 【請求項５】 溶融したケイ素の上部に溶融ケイ素より
も高い密度をもつスラグを連続的に又は実質的に連続的
に添加し、次いで処理を行う容器の底部に該スラグをス
ラグ相として沈降させる請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 前記スラグ相を、溶融したケイ素よりも
低い温度に保つ請求項１記載の方法。 - 【請求項７】 ケイ素よりも低い密度をもつスラグを溶
融ケイ素を入れてある容器の底部から又は器壁の下部か
ら溶融ケイ素浴に供給し、次いで該スラグを溶融ケイ素
浴の上部に上昇させ、そこで該スラグを連続的に又は実
質的に連続的に除去する請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 前記のスラグ処理をスラグとケイ素との
向流を用いて行う請求項１記載の方法。 - 【請求項９】 スラグとケイ素との向流を、２個又はそ
れ以上の容器を通る向流で溶融ケイ素と溶融スラグとを
移動させることによって行う請求項８記載の方法。
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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ID=19897360
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| AT (1) | ATE178031T1 (ja) |
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| DE (1) | DE69508498T2 (ja) |
| DK (1) | DK0699625T3 (ja) |
| ES (1) | ES2130535T3 (ja) |
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| GR (1) | GR3030154T3 (ja) |
| NO (1) | NO180532C (ja) |
| RU (1) | RU2098354C1 (ja) |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005247623A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Nippon Steel Corp | シリコンからのホウ素除去方法 |
| CN101955186A (zh) * | 2010-09-19 | 2011-01-26 | 江西盛丰新能源科技有限公司 | 一种物理除硼制备多晶硅的方法 |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6368403B1 (en) * | 1997-08-28 | 2002-04-09 | Crystal Systems, Inc. | Method and apparatus for purifying silicon |
| NO316020B1 (no) * | 2001-10-10 | 2003-12-01 | Elkem Materials | Anordning for kontinuerlig slaggbehandling av silisium |
| US20050139148A1 (en) * | 2002-02-04 | 2005-06-30 | Hiroyasu Fujiwara | Silicon purifying method, slag for purifying silicon and purified silicon |
| NO318092B1 (no) * | 2002-05-22 | 2005-01-31 | Elkem Materials | Kalsium-silikatbasert slagg, fremgangsmate for fremstilling av kalsium-silikatbasert slagg, og anvendelse for slaggbehandling av smeltet silium |
| JP4354265B2 (ja) * | 2003-12-11 | 2009-10-28 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | シリコン精錬におけるスラグ分離方法 |
| NO333319B1 (no) * | 2003-12-29 | 2013-05-06 | Elkem As | Silisiummateriale for fremstilling av solceller |
| JP4632769B2 (ja) | 2004-12-09 | 2011-02-16 | シャープ株式会社 | シリコンの精製方法 |
| JP4782428B2 (ja) * | 2005-01-11 | 2011-09-28 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | シリコンの精錬方法 |
| JP4511957B2 (ja) * | 2005-01-24 | 2010-07-28 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | シリコンの精錬方法 |
| JP4966560B2 (ja) * | 2005-03-07 | 2012-07-04 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | 高純度シリコンの製造方法 |
| JP5140835B2 (ja) * | 2005-03-07 | 2013-02-13 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 高純度シリコンの製造方法 |
| JP4689373B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | シリコンの再利用方法 |
| JP4671872B2 (ja) * | 2006-01-18 | 2011-04-20 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | シリコンの精錬方法 |
| US7820126B2 (en) * | 2006-08-18 | 2010-10-26 | Iosil Energy Corporation | Method and apparatus for improving the efficiency of purification and deposition of polycrystalline silicon |
| MX2009002808A (es) * | 2006-09-14 | 2009-03-31 | Silicium Becancour Inc | Proceso y aparato para purificar silicio de grado bajo de purificacion. |
| ES2530720T3 (es) * | 2007-09-13 | 2015-03-04 | Silicio Ferrosolar S L U | Proceso para la producción de silicio de pureza media y elevada a partir de silicio de calidad metalúrgica |
| US20110059002A1 (en) * | 2008-04-11 | 2011-03-10 | John Allan Fallavollita | Methods and apparatus for recovery of silicon and silicon carbide from spent wafer-sawing slurry |
| US20110305619A1 (en) * | 2008-05-27 | 2011-12-15 | Spawnt Private S.A.R.L | Silicon Containing Halogenide, Method for Producing the Same, and Use of the Same |
| DE102008036143A1 (de) | 2008-08-01 | 2010-02-04 | Berlinsolar Gmbh | Verfahren zum Entfernen von nichtmetallischen Verunreinigungen aus metallurgischem Silicium |
| US8329133B2 (en) * | 2008-11-03 | 2012-12-11 | Gt Crystal Systems, Llc | Method and apparatus for refining metallurgical grade silicon to produce solar grade silicon |
| US9050652B2 (en) * | 2008-11-14 | 2015-06-09 | Carnegie Mellon University | Methods for casting by a float process and associated apparatuses |
| NO330928B1 (no) | 2009-01-13 | 2011-08-22 | Elkem Solar As | Apparat og fremgangsmate for behandling av ublandbare vaesker |
| IT1394029B1 (it) | 2009-05-12 | 2012-05-25 | Raysolar S R L | Metodo per la purificazione di silicio ed apparato con cui realizzarlo |
| KR101222175B1 (ko) * | 2011-03-31 | 2013-01-14 | 연세대학교 산학협력단 | 슬래그와 실리콘의 밀도차이를 이용한 ＭＧ－Ｓｉ중 불순물의 정련 방법 |
| CN103011169B (zh) * | 2012-12-14 | 2014-05-07 | 厦门大学 | 一种片状硅的制备方法 |
| NO339608B1 (no) | 2013-09-09 | 2017-01-09 | Elkem Solar As | Multikrystallinske silisiumingoter, silisiummasterlegering, fremgangsmåte for å øke utbyttet av multikrystallinske silisiumingoter for solceller |
| CN103754882B (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-08 | 福建兴朝阳硅材料股份有限公司 | 一种除硼造渣剂的提纯方法 |
| RU2600055C1 (ru) * | 2015-05-26 | 2016-10-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Современные химические и металлургические технологии" (ООО "СХИМТ") | Способ и устройство для рафинирования технического кремния |
| CN105063749B (zh) * | 2015-06-08 | 2017-07-18 | 朱超 | 一种制备高纯度多晶硅的方法 |
| GB201621609D0 (en) * | 2016-12-19 | 2017-02-01 | Norwegian Univ Of Science And Tech (Ntnu) | Process for the production of commercial grade silicon |
| TWI640473B (zh) | 2017-12-07 | 2018-11-11 | 財團法人工業技術研究院 | 除硼方法與除硼裝置 |
| US12157671B2 (en) | 2019-03-22 | 2024-12-03 | Wacker Chemie Ag | Method for producing technical silicon |
| US12110232B2 (en) | 2019-03-27 | 2024-10-08 | Wacker Chemie Ag | Method for producing technical silicon |
| CN113748086B (zh) * | 2019-04-30 | 2024-02-06 | 瓦克化学股份公司 | 使用颗粒介体精炼粗硅熔体的方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1100218B (it) * | 1978-11-09 | 1985-09-28 | Montedison Spa | Procedimento per la purificazione di silicio |
| US4247528A (en) * | 1979-04-11 | 1981-01-27 | Dow Corning Corporation | Method for producing solar-cell-grade silicon |
| US4312848A (en) * | 1979-05-24 | 1982-01-26 | Aluminum Company Of America | Boron removal in silicon purification |
| DE2945072A1 (de) * | 1979-11-08 | 1981-06-04 | Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zum reinigen von rohsilicium |
| US4388286A (en) * | 1982-01-27 | 1983-06-14 | Atlantic Richfield Company | Silicon purification |
| FR2556333A1 (fr) * | 1983-12-09 | 1985-06-14 | Hanna Mining Co | Procede pour purifier du silicium pour des applications necessitant une grande purete |
| US4643833A (en) * | 1984-05-04 | 1987-02-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for separating solid reaction products from silicon produced in an arc furnace |
| US4612179A (en) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Sri International | Process for purification of solid silicon |
| NO901150D0 (no) * | 1987-09-15 | 1990-03-12 | Casco Nobel Ab | Fremgangsmaate ved rensning av silicium. |
| SE460287B (sv) * | 1987-09-15 | 1989-09-25 | Casco Nobel Ab | Foerfarande foer rening av kisel fraan bor |
| JP2856839B2 (ja) * | 1990-05-11 | 1999-02-10 | 川崎製鉄株式会社 | シリコンの精製方法 |
| JP2846408B2 (ja) * | 1990-05-30 | 1999-01-13 | 川崎製鉄株式会社 | シリコンの精製方法 |
| JP3205352B2 (ja) * | 1990-05-30 | 2001-09-04 | 川崎製鉄株式会社 | シリコン精製方法及び装置 |
| US5208001A (en) * | 1991-06-20 | 1993-05-04 | Texas Instruments Incorporated | Method for silicon purification |
| DE4122190C2 (de) * | 1991-07-04 | 1995-07-06 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Behandeln von Silicium |
| CN1080264A (zh) * | 1993-03-01 | 1994-01-05 | 吴旺河 | 工业硅清渣除钙装置及其精制方法 |
-
1994
- 1994-09-01 NO NO943227A patent/NO180532C/no not_active IP Right Cessation
-
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1997
- 1997-05-08 US US08/852,999 patent/US5788945A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-06 GR GR990401242T patent/GR3030154T3/el unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005247623A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Nippon Steel Corp | シリコンからのホウ素除去方法 |
| CN101955186A (zh) * | 2010-09-19 | 2011-01-26 | 江西盛丰新能源科技有限公司 | 一种物理除硼制备多晶硅的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0699625A1 (en) | 1996-03-06 |
| CN1133262A (zh) | 1996-10-16 |
| ES2130535T3 (es) | 1999-07-01 |
| AU3036295A (en) | 1996-03-14 |
| NO943227D0 (no) | 1994-09-01 |
| JPH0873209A (ja) | 1996-03-19 |
| NO180532B (no) | 1997-01-27 |
| NO180532C (no) | 1997-05-07 |
| DE69508498D1 (de) | 1999-04-29 |
| DE69508498T2 (de) | 1999-11-18 |
| KR960012284A (ko) | 1996-04-20 |
| CN1042821C (zh) | 1999-04-07 |
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| FI954108A0 (fi) | 1995-09-01 |
| BR9503835A (pt) | 1996-09-10 |
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