JP2699796B2 - 複合リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用の複合リ
ードフレームおよびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】アウターリードを金属リードフレームに
よって構成し、インナーリードを絶縁フィルム上に導体
の微細配線パターンを形成したフレキシブル配線基板に
よって構成してなる複合リードフレームには、現在各種
の構造のものが提案されているが、いずれの構造であっ
てもフレキシブル配線基板のインナーリードと外枠側の
アウターリードとを何らかの方法で電気的に接合する必
要がある。フレキシブル配線基板からのインナーリード
は絶縁層（通常ポリイミドフィルム）上に積層されてい
るため接合に当って以下の様な問題点が生じる。

【０００３】即ち、アウターリードとインナーリードと
の接合は加圧、加熱下に行われるが、加熱ツール温度が
３４０℃以上の高温となると絶縁層を構成する樹脂（例
えばポリイミド樹脂）あるいは該絶縁層とインナーリー
ドを接着するのに用いられている接着剤（例えば、エポ
キシ樹脂系接着剤）が加熱劣化し、酸化もしくは炭化し
絶縁性を損ったり、強度が低下したりするので好ましく
ない。

【０００４】アウターリードとインナーリードの接合の
目的でＰｂ−Ｓｎ半田を用いると、その共晶点（融点１
８３℃）が低いので上記の問題は生じないがアウターリ
ードとインナーリードとを接合した後に２００℃付近で
行われるワイヤーボンディング工程、あるいはやはり２
００℃付近で行われる樹脂封止工程が存在するためにア
ウターリードとインナーリードとの安定した接合が得ら
れない。

【０００５】一方、一般的に用いられるＳｎ含量２０重
量％のＡｕ−Ｓｎ合金の接合への使用は、ツール温度が
３４０℃を越え、３８０〜５４０℃と高いのでやはり樹
脂劣化の問題点が生じる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】かくして、本発明は、
ワイヤボンディング工程、樹脂封止工程等に耐えて安定
にアウターリードとインナーリードとが接合され、かつ
絶縁層の樹脂や接着剤に熱劣化の生じない複合リードフ
レームおよびその製造方法の提供を目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に従えば、アウタ
ーリードを金属リードフレームによって構成し、インナ
ーリードを絶縁フィルム上に導体の微細配線パターンを
形成したフレキシブル配線基板によって構成してなるプ
ラスチックパッケージ用複合リードフレームにおいて、
上記アウターリードとインナーリードとの接合層が両者
の接合面間に介在された金属ペーストへの加熱によって
形成された錫と金の合金からなり、かつ該合金の金含有
量が１０〜４０重量％であることを特徴とするプラスチ
ックパッケージ用複合リードフレームが提供される。

【０００８】また、アウターリードを金属リードフレー
ムによって構成し、インナーリードを絶縁フィルム上に
導体の微細配線パターンを形成したフレキシブル配線基
板によって構成してなるプラスチックパッケージ用複合
リードフレームの前記アウターリードと前記インナーリ
ードとを金の含有量が１０〜４０重量％である金錫共晶
合金によって接合する際、アウターリードとインナーリ
ードとの接合面間に金の含有量が１０〜４０重量％であ
る金錫ペーストを介在せしめた後、該ペーストを加熱す
ることによってアウターリードとインナーリードとを接
合することを特徴とするプラスチックパッケージ用複合
リードフレームの製造方法が提供される。

【０００９】また、アウターリードを金属リードフレー
ムによって構成し、インナーリードを絶縁フィルム上に
導体の微細配線パターンを形成したフレキシブル配線基
板によって構成してなるプラスチックパッケージ用複合
リードフレームの前記アウターリードと前記インナーリ
ードとを金錫共晶合金によって接合する際、アウターリ
ードおよびインナーリードの接合面の一方に錫もしくは
錫を主体とした金錫ペーストを施すと共に他方の接合面
に金めっきを施した後、前記両接合面を重ね合わせて加
熱することによってアウターリードとインナーリードと
の接合層を金含有量が１０〜４０重量％の合金層に形成
することを特徴とするプラスチックパッケージ用複合リ
ードフレームの製造方法が提供される。

【００１０】ここで、フレキシブル配線基板とは、絶縁
フィルム（テープ状のものを含む）上に導体の微細配線
パターンを形成した、いわゆるフレキシブルな配線基板
をいう。ＴＡＢテープと称するものも、絶縁フィルム上
に導体の微細配線パターンを形成したフレキシブルな配
線基板であり、本発明でいうフレキシブル配線基板に含
まれるものである。

【００１１】上記において、金錫ペーストとしては、金
粉末と錫粉末からなる混合粉末ペースト、あるいは金と
錫の合金からなる粉末のペーストが用いられる。

【００１２】本発明の最も重要な特徴はフレキシブル配
線基板のインナーリードと外枠のアウターリードとの接
合に於いて接合層として金属ペーストの加熱によって形
成された金含有量が１０〜４０重量％のＳｎ−Ａｕ合金
を用いることであるが、その様な特定な合金は適切な融
点範囲を有し（２１０〜３０５℃）、しかも脆い金属間
化合物であるＡｕＳｎからなる相が存在しないため、接
合に当って３４０℃以上の高温に加熱することが不要
で、しかも安定な接合が達成される。

【００１３】この本発明の特徴についてさらに詳しく説
明すると、金錫の共晶合金（Ａｕ８２重量％、Ｓｎ１８
重量％）を利用した金属と金属、金属とセラミックス等
の接合は、セラミック封止ＬＳＩパッケージ等の分野で
古くから実用されている。この方法は、金めっきした金
属キャップと同じく金めっきしたセラミックベースの間
にロウ材として金錫の共晶合金箔を介在させて、３４０
〜３６０℃の温度で３〜５分間Ｎｚ気流中で加熱溶融さ
せてロウ付けするものである。この方法においては、単
に合金箔を間に挟んで溶かすだけなので固まった接合層
もほぼ合金箔と同じ共晶組成となっている。これは、金
属キャップとセラミックベースの金めっき厚さがいずれ
も１μｍ程度と薄いのに対して、共晶組成の合金箔は３
０〜５０μｍ程度の厚い箔を用いるためである。

【００１４】これに対して本発明の金錫接合方法は、接
合部分の最終組成を通常の金錫共晶組成（通常Ａｕ８２
重量％、Ｓｎ１８重量％のものを共晶組成と呼んでい
る）とは状態図において反対側に位置するＡｕ１０〜４
０重量％の組成範囲を利用したものであるという点で、
上記した従来方法とは大きく異なっている。この点につ
いて説明すると、接合部分の組成をＡｕ１０〜４０重量
％の金錫合金とした理由は、この領域であればＡｕとＳ
ｎが１原子づつからなる脆いＡｕＳｎ金属間化合物が生
じにくいことと、接合温度を低くできるという点にあ
る。これをＡｕ−Ｓｎ金属状態図で説明すると、金錫合
金の場合Ａｕ約１０重量％の領域に２１７℃の低温共晶
点があり、この温度は錫の融点２３２℃よりも５℃低
い。即ち、通常のＡｕ８２重量％の共晶点２９３℃と比
較すると７６℃（２９３−２１７＝７６）も低く、低温
での接合が可能である。この７６℃の差は非常に重要
で、特にパッケージ構成材料として例えばポリイミドフ
ィルムやエポキシ系の接着剤等有機材料を用いる複合リ
ードフレームあるいは半導体装置にあっては、２００℃
以上の高温になればその温度が高いほど有機材料が劣
化、あるいは一部炭化してしまい、絶縁抵抗等の電気特
性を保証できなくなる。セラミック封止ＬＳＩパッケー
ジにおいては、有機物が介在していないために、逆に高
温での耐熱性を得るために、高融点の組成が選定されて
いる。これはまた、前記パッケージが高温において信頼
性の高いことが要求される航空機用通信機器や産業用機
器に用いられるためでもある。本複合フレームが念頭に
おいているプラスチックパッケージにおいては、封止用
のプラスチックそのものがエポキシ系の有機材料である
ために、接合用のロウ材は２１７℃と低くて十分であ
る。

【００１５】以下詳細に本発明を説明する。ここでは、
インナーリードの接合面に金めっきを施しアウターリー
ドの接合面に錫もしくは錫を主体とした金錫ペーストを
印刷によって施す場合の実施態様について説明する。

【００１６】フレキシブル配線基板のインナーリードと
外枠のアウターリードを接合するに際して、まず、イン
ナーリードの接合面に金めっきを施すが、ニッケルめっ
きを施してからその上に金めっきを施すことがより好ま
しい態様である。そしてアウターリードの接合面に錫ま
たは錫を主体とした金錫ペーストを部分印刷によって施
す。この様に金と錫を夫々別々に設けた場合には、接合
部分に介在される箔等のロウ材の量、特に厚さを全体と
して薄くすることができ、これにより加熱接合時におけ
るロウ材の流出を少なくおさえることができる。この様
にロウ材の流出を少なくおさえられるということは、微
細リードを数多く狭ピッチでしかも性格に接合する方法
としてきわめて重要なことであり、ロウ材の流出の程度
によっては各リードが短絡してしまう。また、ロウ材の
厚さを薄くするという意味でその一方を金めっきをもっ
て形成するということは好ましいことである。

【００１７】接合を行うに際して用いられる加熱手段は
赤外線ビーム加熱、加熱ヒータによる加熱などそれ自体
公知の加熱手段が採用されるが、加熱ヒータを用いて加
熱する方法が好ましい。加熱温度は、加熱ヒータを用い
た場合、加熱ヒータの温度を３００〜５００℃とし、リ
ードに対して３１〜９４ｇの圧をかけつつ０．５〜２０
秒間加熱する。このように加圧して接合すると、接合層
の厚さを必要最低限の厚さに薄くすることができ、これ
により接合強度を上げることができる。また、接合層の
厚さは薄いほど気泡等の欠陥が少なくなり、母材金属と
比較して強度の弱い接合層の合金層の割合が少なくなる
ので接合強度は高まることになる。

【００１８】この様な加熱手段により錫が金に拡散し
て、結果として錫と金の合金層が生成する。この合金層
の金含有量は１０〜４０重量％であるが、この様な組成
とするには、前記の金めっき量および上記した錫含有ペ
ーストの厚さを適切に調整することにより達成される。
通常インナーリードへの金めっき量とアウターリードへ
の錫含有ペースト印刷の割合が上記の範囲となる様にめ
っきと印刷が行われる。

【００１９】また、インナーリードへの金のめっきは通
常厚さ０．３〜６．０μｍ、好ましくは、０．５〜２．
０μｍとなるよう行われ、またニッケルのめっきは通常
０．１〜１．５μｍの厚さとなるよう行われる。アウタ
ーリードへの錫含有ペーストの印刷厚さは通常１５〜２
０μｍとなる様に行われる。錫含有ペーストの組成は、
金属（錫）粉末とビークルとしてのロジン、および石油
系の溶剤ならびに活性剤で構成されているために、加熱
接合時に金属以外の成分が揮発することによって接合が
完了する。このため錫含有ペーストの印刷厚さは、錫単
独の例えばめっきにより形成した場合の厚さの通常２倍
とする。１５〜２０μｍの厚さに印刷された錫含有ペー
ストは、溶剤、ロジン、活性剤等の揮発後は約７〜１０
μｍの厚さとなる。

【００２０】金、錫またはニッケルのめっき方法はそれ
自体公知の方法、例えば、電気めっき法で行われる。金
めっきについては、中性浴あるいは酸性浴による半光沢
めっきが採用される。

【００２１】本発明の複合リードフレームの一例を図１
および図２を用いて説明する。

【００２２】リードフレームは外枠１３を備え、この外
枠１３からアウターリード１５（１５ａ，１５ｂ）が外
枠１３の中心近傍に向かって延設されている。

【００２３】リードフレームの外枠１３の中心部にはフ
レキシブル多層線基板１７（以下に「多層配線基板」と
称する）が配置され、この多層配線基板１７は、上側
に、例えばポリイミドよりなる絶縁フィルム層１９と、
下側に、例えば銅よりなる接地および電源供給用導体層
２１との２層からなっている。

【００２４】上記絶縁フィルム層１９は片面（すなわち
上面）銅箔付ポリイミドフィルムである。

【００２５】この銅箔は後にエッチングされてインナー
リード２７となる。絶縁フィルム層１９は、接地および
電源供給用ホール２３とがプレスパンチング等により開
口されている。この絶縁フィルム層１９に導体層２１が
接着剤等により貼着されている。この多層配線基板１７
の絶縁フィルム層１９の上側表面に貼付された銅泊を例
えばエッチングもしくは銅を蒸着して、インナーリード
２７が形成されている。このインナーリード２７の内側
先端には、ワイヤボンディング接続が良好になされるよ
うに、例えばＳｎ−Ｎｉの下地の上に金のような良導体
がめっきされている。

【００２６】このようにワイヤボンディングのためにイ
ンナーリードの内側先端にも金めっきが施されるのであ
れば、上記したように本発明においてアウターリードと
インナーリードとを金錫共晶合金法によって接続するに
あたってインナーリード側に金めっきを施すようにした
ことは、インナーリードについて前記各々の金めっき作
業を同時に行うことができるのでめっき作業上非常に都
合が良い。上記多層配線基板１７のホール２３にも、例
えばＳｎ−Ｎｉの下地の上に金のような良導体がめっき
されている。

【００２７】上記リードフレームのアウターリード１５
ｂと、多層配線基板１７のインナーリード２７との電気
的接続は、前記した方法により加熱圧着して達成されて
いる。

【００２８】ところで、この図において、リードフレー
ムのアウターリードは、外枠１３の例えば四隅近傍から
それぞれ延在するリードを接地および電源供給用アウタ
ーリード１５ａとし、その他を信号用アウターリード１
５ｂとしている。信号用アウターリード１５ｂは、上述
したようにインナーリード２７との接続がなされている
が、接地および電源供給用リード１５ａは、導体層２１
に直接接地される。

【００２９】かかる多層リードフレームに、半導体素子
３３を搭載し、半導体素子３３の信号端子とインナーリ
ード２７のめっき端子との間をボンディングワイヤ３５
でボンディング接続するとともに、さらに半導体素子３
３の接地端子と導体層２１の多層配線基板１７の接地お
よび電源供給用ホール２３から露出する部分との間をボ
ンディングワイヤ３５でボンディングして接続する。最
後にインナーリード２７を包むように樹脂封止して半導
体装置を作製することができる。

【００３０】本発明の複合リードフレームの構造は、前
記したもの以外にフレキシブル配線基板が単層のもの即
ち図２の導体層２１が無いものであっても良く、また導
体層２１に絶縁層を介して更に導体層を積層し接地用導
体層と電源供給用導体層とを有する構造のものであって
も良い。

【００３１】

【実施例】（実施例１）まず、厚さ０．１５ｍｍのＦｅ
−４２％Ｎｉ合金を用いて、図２および図３に示すよう
な、外枠１３およびアウターリード１５を作製する。こ
こで、アウターリード１５の先端におけるピッチは０．
３７ｍｍである。次に厚さ０．０５ｍｍの、ポリイミド
絶縁フィルム層１９に接地および電源供給用ホール２３
を穿設し、このポリイミド絶縁フィルム層の片面に厚さ
０．１０ｍｍの４２合金（Ｆｅ−４２％Ｎｉ合金）箔を
接着した２層の多層配線基板１７を作製する。この多層
配線基板１７に厚さ０．０１８ｍｍの銅箔を貼付し、エ
ッチングして０．１２ｍｍピッチのインナーリード２７
を形成し、インナーリード２７の外側端部にＡｕ／Ｎｉ
めっきを施し（Ａｕ：２．０μｍ、Ｎｉ：０．５μ
ｍ）、インナーリード２７の外側端部に錫粉末からなる
錫ペーストが印刷された（Ｓｎペースト厚さ：１５μ
ｍ）アウターリード１５の信号用リード１５ｂをツール
（加熱ヒータ）により加熱加圧接合する。ここでＡｕと
Ｓｎのめっき量の割合はＡｕが２６重量％であり、Ｓｎ
が７４重量％である。なお、符号３７はＡｕ／Ｓｎ接合
層である。

【００３２】接合に於ける各条件は以下の如くとした。

【００３３】 温 度 ： ３２０℃ 圧 力 ： ４０ｇ／リード 時 間 ： １０秒 生成した接合層３７の合金組成はＡｕの含量１５％であ
った。

【００３４】接地および電源供給用アウターリード１５
ａも、信号用アウターリード１５ｂと同じように同一の
ツールをもって同時に接合した。この場合、接地および
電源供給用アウターリード１５ａへの錫ペーストの印刷
厚さは、信号用アウターリード１５ｂに対する厚さと同
じで十分である。

【００３５】この様にして得られた複合リードフレーム
のインナーリードとアウターリードの接合部付近のポリ
イミド樹脂や接着剤が炭化した様子あるいは酸化した様
子は認められなかった。

【００３６】インナーリードとアウターリードとの接合
強度が安定していることを確認する目的で接合部のピー
ル強度を測定した処、１５０℃に１０００時間放置した
後でも約４５ｇｆ／ｍｍと初期値とほとんど変化がなか
った。

【００３７】本発明のより一層の理解のために一連の実
験結果を説明する。

【００３８】図３は、インナーリード２７上部に金がめ
っきされ、アウターリード１５の下部に錫ペーストが印
刷された接合前の横断面図であり、一方図４は加圧接合
後の横断面図であり、３７は錫と金の合金からなる接合
層である。

【００３９】金と錫の合計厚さを一定（７．５μｍ）と
した場合（この場合錫の厚さは図３において錫ペースト
を加熱することによってロジン、溶剤、活性剤等の揮発
が完了した状態の厚さでとらえるものとする。＜注＞こ
れは図５，図６，図７，図８においても同じである。）
図５に示される様にＡｕ／Ｓｎ接合断面の厚さは、Ａｕ
めっき厚さが大きくなると厚くなる傾向が観察された。
これは、加圧接合時の温度が低いため金の厚さが大きい
と反応しないＡｕ層がそのまま残るためである。

【００４０】＜注＞実際の接合作業においては、錫ペー
ストに対し接合前の脱ビークル加熱は行わず、接合時の
加熱によって接合と同時にビークル（ロジン、溶剤、活
性剤等）が揮発するようにしている。

【００４１】一方、金めっき厚さが１．０μｍと一定の
場合には、図６で示される様に錫層の厚さに関係なく接
合断面の厚さはほぼ一定（４．０μｍ）であった。

【００４２】次に接合部の引張強さに着目すると図７で
示される様に、Ａｕめっき厚さが０．５〜２．０μｍの
処に引張強さの大きい領域が存在した。

【００４３】接合部の定量分析を行い、ＡｕとＳｎの厚
さとの関係をプロットしたのが図８であるが、図７と関
係させると引張強さの大きい領域は、金含量が１０〜４
０重量％の合金組成の処となっていることが理解され
る。

【００４４】金含量が２０重量％の合金からなるＡｕ−
Ｓｎ接合部につきＸ線回折による分析を行った処、図９
の如き回折パターンが得られＡｕＳｎで示される脆い金
属間化合物は生成していなかった。金１０重量％の合
金、金４０重量％の合金にもＡｕＳｎは生成していなか
った。

【００４５】一方、金と錫の合金からなる接合部の信頼
試験の目的で、１５０℃の高温放置試験を実施した処接
合部の組成がＳｎ−１０ｗｔ％Ａｕ〜Ｓｎ−４０ｗｔ％
Ａｕの範囲のものは１０００時間後もピール強度の低下
は認められなかった。その一例を図１０に示した。ま
た、温度サイクル試験（−３０℃×３０分保持 １５０
℃×３０分保持）を１０００サイクル実施したがハガレ
も無く、ピール強度の低下もほとんどなかった。

【００４６】（実施例２）実施例１において、アウター
リードの接合面に金と錫の粉末を含有してなる混合粉末
ペーストを印刷によって施した。この場合インナーリー
ドの接合面およびワイヤボンディング面には金めっきを
０．５μｍ施した。金めっきの厚さを０．５μｍとした
のは、ワイヤボンディングを正常に作業するためであ
る。混合粉末ペーストの金と錫の重量比は、金１０％、
錫９０％とした。従って、接合部における金と錫の合金
層の組成は、インナーリード側の金めっきの目付分だけ
金の成分比が高くなり、組成分析の結果Ａｕ２３％であ
った。その他は実施例１と同様である。

【００４７】（実施例３）実施例２において、アウター
リードの接合面に金と錫の合金からなる合金粉末ペース
トを印刷によって施した。合金粉末の組成は重量比で金
１０％、錫９０％であり、混合粉末ペーストの場合と同
様とした。その他は実施例２と同様である。

【００４８】（実施例４）実施例３において、合金粉末
ペーストの印刷をアウターリードの接合面ではなく、イ
ンナーリードの接合面に局部印刷によって施した。その
他は実施例３と同様である。

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば、ワイヤボンディング工
程、樹脂封止工程に付しても安定にインナーリードとア
ウターリードとが接合しており、いい換えればかかる工
程での加熱によって接合部が溶融化して流れるというこ
とがなく従って微細パターンの接合にきわめて適してお
り、しかも接合温度が適当な範囲にあるので絶縁層に用
いられる樹脂や接着剤の熱劣化の無い複合リードフレー
ムが容易に得られる。

【００５０】また、本発明によれば、インナーリードと
アウターリードとを金錫共晶合金法によって接続するに
あたってインナーリード側に金めっきを施すようにした
ので、ワイヤボンディング性確保のために同じインナー
リード内側先端に金めっきを施すような場合には、これ
らの金めっき作業を同時に行うなど容易に行うことがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の複合リードフレームの一例を説明する
ための断面図である。

【図２】本発明の複合リードフレームの一例を説明する
ための平面図である。

【図３】インナーリードとアウターリードを接合する前
の状態を示す横断面図である。

【図４】インナーリードとアウターリードが接合した後
の状態を示す横断面図である。

【図５】Ａｕめっき厚とＳｎめっき厚を変えたときの接
合断面の厚さの変化を示すグラフである。

【図６】Ａｕめっき厚を一定とし、Ｓｎ層の厚さを変化
したときの接合断面の厚さの変化を示すグラフである。

【図７】Ａｕめっき厚およびＳｎ層の厚を変えたときの
接合層の強度を示すグラフである。

【図８】Ａｕ／Ｓｎ接合層の組成を示すグラフである。

【図９】接合層のＸ線回折パターンを示す図である。

【図１０】Ａｕ／Ｓｎ接合部の強度の耐熱性を示すグラ
フである。

【符号の説明】

１１ リードフレーム １３ 外枠 １５ａ 接地および電源供給用アウターリード １５ｂ 信号用アウターリード １７ フレキシブル多層配線基板 １９ 絶縁フィルム層 ２１ 接地および電源供給用導体層 ２３ 接地および電源供給用ホール ２７ インナーリード ３１ バンプ ３３ 半導体素子 ３５ ボンディングワイヤ ３７ Ｓｎ−Ａｕ合金層 ３８ 加圧接合で吐き出されたヒレット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 浩樹 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 山口 健司 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社システムマテリアル研究所内 (56)参考文献 特開 平２−168661（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−16732（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−122653（ＪＰ，Ａ)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】アウターリードを金属リードフレームによ
   って構成し、インナーリードを絶縁フィルム上に導体の
   微細金属パターンを形成したフレキシブル配線基板によ
   って構成してなるプラスチックパッケージ用複合リード
   フレームにおいて、上記アウターリードとインナーリー
   ドとの接合層が両者の接合面間に介在された金属ペース
   トへの加熱によって形成された錫と金の合金からなり、
   かつ該合金の金含有量が１０〜４０重量％であることを
   特徴とするプラスチックパッケージ用複合リードフレー
   ム。
2. 【請求項２】アウターリードを金属リードフレームによ
   って構成し、インナーリードを絶縁フィルム上に導体の
   微細配線パターンを形成したフレキシブル配線基板によ
   って構成してなるプラスチックパッケージ用複合リード
   フレームの前記アウターリードと前記インナーリードと
   を金の含有量が１０〜４０重量％である金錫共晶合金に
   よって接合する際、アウターリードとインナーリードと
   の接合面間に金の含有量が１０〜４０重量％である金錫
   ペーストを介在せしめた後、該ペーストを加熱すること
   によってアウターリードとインナーリードとを接合する
   ことを特徴とするプラスチックパッケージ用複合リード
   フレームの製造方法。
3. 【請求項３】アウターリードを金属リードフレームによ
   って構成し、インナーリードを絶縁フィルム上に導体の
   微細配線パターンを形成したフレキシブル配線基板によ
   って構成してなるプラスチックパッケージ用複合リード
   フレームの前記アウターリードと前記インナーリードと
   を金錫共晶合金によって接合する際、アウターリードお
   よびインナーリードの接合面の一方に錫もしくは錫を主
   体とした金錫ペーストを施すと共に他方の接合面に金め
   っきを施した後、前記両接合面を重ね合わせて加熱する
   ことによってアウターリードとインナーリードとの接合
   層を金含有量が１０〜４０重量％の合金層に形成するこ
   とを特徴とするプラスチックパッケージ用複合リードフ
   レームの製造方法。