JP2687573B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体装置の製造方法に関し、 半導体ウェーハの微小破砕片により半導体チップ表面
の配線パターンの短絡を防止可能な半導体装置の製造方
法の提供を目的とし、 加熱により粘着性のでる熱可塑性粘着材を可撓性のテ
ープの片面に塗布して形成した粘着テープを加熱し、半
導体ウェーハを前記熱可塑性粘着材を介して粘着テープ
に貼着する工程と、前記半導体ウェーハ表面から切り込
んで、該半導体ウェーハに形成された半導体チップがそ
れぞれ分離可能な状態に該半導体ウェーハを切断すると
ともに、前記粘着テープも該粘着テープの厚さ方向に一
部未切断部を残して切り込みする工程と、前記粘着テー
プを加熱して、前記半導体チップを該粘着テープから剥
離する工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置
の製造方法で構成する。
の配線パターンの短絡を防止可能な半導体装置の製造方
法の提供を目的とし、 加熱により粘着性のでる熱可塑性粘着材を可撓性のテ
ープの片面に塗布して形成した粘着テープを加熱し、半
導体ウェーハを前記熱可塑性粘着材を介して粘着テープ
に貼着する工程と、前記半導体ウェーハ表面から切り込
んで、該半導体ウェーハに形成された半導体チップがそ
れぞれ分離可能な状態に該半導体ウェーハを切断すると
ともに、前記粘着テープも該粘着テープの厚さ方向に一
部未切断部を残して切り込みする工程と、前記粘着テー
プを加熱して、前記半導体チップを該粘着テープから剥
離する工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置
の製造方法で構成する。
本発明は、半導体ウェーハの微小破砕片により半導体
チップ表面の配線パターンの短絡を防止可能な半導体装
置の製造方法に関する。
チップ表面の配線パターンの短絡を防止可能な半導体装
置の製造方法に関する。
近年、半導体チップに形成した電子回路の高集積化に
伴い、半導体チップ表面の配線パターン幅や配線パター
ン間距離がサブミクロン程度の非常に微細なものになっ
てきている。
伴い、半導体チップ表面の配線パターン幅や配線パター
ン間距離がサブミクロン程度の非常に微細なものになっ
てきている。
従って、半導体ウェーハ等を扱うクリーンルーム内の
クリーン度の改善は無論、半導体ウェーハ自身からの微
小破砕片の発生を抑え、半導体チップ表面の配線パター
ンが微小破砕片等で短絡することの防止が益々重要な課
題となってきている。
クリーン度の改善は無論、半導体ウェーハ自身からの微
小破砕片の発生を抑え、半導体チップ表面の配線パター
ンが微小破砕片等で短絡することの防止が益々重要な課
題となってきている。
半導体ウェーハを粘着テープに貼着し、半導体ウェー
ハを切断し、そして半導体チップを粘着テープから剥離
する従来の方法を説明する。
ハを切断し、そして半導体チップを粘着テープから剥離
する従来の方法を説明する。
第２図は、従来の製造方法を説明するための工程順側
断面図である。
断面図である。
尚、同じ部品・材料に対しては全図を通して同じ記号
を付与してある。
を付与してある。
図において、１は粘着テープで、可撓性を有するテー
プ1a（例えば、厚さ70μｍのポリエチレン製のテープ）
の片面に粘着材1b（例えば、アクリル系の粘着材）を20
μｍ程度の厚さで塗布して形成したものである。
プ1a（例えば、厚さ70μｍのポリエチレン製のテープ）
の片面に粘着材1b（例えば、アクリル系の粘着材）を20
μｍ程度の厚さで塗布して形成したものである。
２はウェーハフレーム（以下、フレームと呼称する）
で、厚さ1mm程度の金属板（例えば、ステンレス鋼板）
の中心部に半導体ウェーハ３より大きな開口部2aを設け
て形成したものである。
で、厚さ1mm程度の金属板（例えば、ステンレス鋼板）
の中心部に半導体ウェーハ３より大きな開口部2aを設け
て形成したものである。
５は突上治具で、少なくとも３本以上の針状ピンの先
端を揃えて構成したものである。
端を揃えて構成したものである。
６はウェーハ保持台で、フレーム２の裏面2bの外側面
を支持するものである。
を支持するものである。
７はチップ用真空チャックで、金属棒の中心部に設け
た減圧部7aが図示してない真空装置に接続し該減圧部7a
の減圧により半導体チップ４を該減圧部7aの先端に真空
吸着可能に形成されている。
た減圧部7aが図示してない真空装置に接続し該減圧部7a
の減圧により半導体チップ４を該減圧部7aの先端に真空
吸着可能に形成されている。
次に、従来の製造方法、すなわち半導体ウェーハ３の
粘着テープ１への貼着から該粘着テープ１から半導体ウ
ェーハ３に形成した半導体チップ４を剥離して、例えば
該半導体チップ４をチップトレイに収納するまでを説明
する。
粘着テープ１への貼着から該粘着テープ１から半導体ウ
ェーハ３に形成した半導体チップ４を剥離して、例えば
該半導体チップ４をチップトレイに収納するまでを説明
する。
先ず、フレーム２の開口部2aを張膜した粘着テープ１
に、ウェーハ工程の完了した半導体ウェーハ３の裏面を
貼着する（同図（ａ）参照）。
に、ウェーハ工程の完了した半導体ウェーハ３の裏面を
貼着する（同図（ａ）参照）。
そして、半導体ウェーハ３の切断は、始めに半導体ウ
ェーハ３を貼着した粘着テープ１のテープ1aが半導体ウ
ェーハ切断用のダイシングソーの真空吸着板８表面と対
面するようにして、フレーム２を前記真空吸着板８上に
載置した後、粘着テープ面を真空吸着して確りと半導体
ウェーハを該真空吸着板に固定する。
ェーハ３を貼着した粘着テープ１のテープ1aが半導体ウ
ェーハ切断用のダイシングソーの真空吸着板８表面と対
面するようにして、フレーム２を前記真空吸着板８上に
載置した後、粘着テープ面を真空吸着して確りと半導体
ウェーハを該真空吸着板に固定する。
次いで、高速で回転してダイシングソーの回転カッタ
ー９により半導体ウェーハの半導体チップ４間部分を十
文字状に切断する。
ー９により半導体ウェーハの半導体チップ４間部分を十
文字状に切断する。
尚、この切断においては、半導体ウェーハは完全に切
断されるが、粘着テープ１は厚さ方向に未切断部分が残
されている（同図（ｂ）参照）。
断されるが、粘着テープ１は厚さ方向に未切断部分が残
されている（同図（ｂ）参照）。
次に、上記切断によりそれぞれが分離状態になって粘
着テープ１に貼着されている半導体チップ４を剥離する
方法を説明する。
着テープ１に貼着されている半導体チップ４を剥離する
方法を説明する。
先ず、半導体チップ４表面を上方に向けて、フレーム
２をウェーハフレーム保持台６に固定した後、突上治具
５を垂直に上昇させる。
２をウェーハフレーム保持台６に固定した後、突上治具
５を垂直に上昇させる。
すると、突上治具５の先端部は、粘着テープ１を突き
破って半導体チップ４裏面に当接し、該半導体チップを
粘着テープから剥離させる。
破って半導体チップ４裏面に当接し、該半導体チップを
粘着テープから剥離させる。
次いで、この剥離と同時にチップ用真空チャック７を
垂直に下降させ、半導体チップ４を真空チャックの先端
に真空吸着する（同図（ｃ）参照）。
垂直に下降させ、半導体チップ４を真空チャックの先端
に真空吸着する（同図（ｃ）参照）。
そして、半導体チップ４を真空吸着したチップ用真空
チャック７をチップトレイ（図示せず）の置かれた位置
に移動し、該半導体チップ４を該チップトレイ上に静か
に載置して収納する。
チャック７をチップトレイ（図示せず）の置かれた位置
に移動し、該半導体チップ４を該チップトレイ上に静か
に載置して収納する。
高速で回転してる回転カッターにより半導体ウェーハ
表面から切り込んで、該半導体ウェーハを切断する方法
においては、半導体ウェーハの切断が進むに連れての回
転カッターの直下部分の半導体ウェーハの厚さが薄くな
る。
表面から切り込んで、該半導体ウェーハを切断する方法
においては、半導体ウェーハの切断が進むに連れての回
転カッターの直下部分の半導体ウェーハの厚さが薄くな
る。
然も、この半導体ウェーハは高粘度ではあるが常温に
おいては液体である従来の粘着テープ１のの粘着材1bに
貼着されている。
おいては液体である従来の粘着テープ１のの粘着材1bに
貼着されている。
従って、回転カッター直下部の厚さが薄くなった半導
体ウェーハも、単に液体状態の粘着材に支持されている
に過ぎない。
体ウェーハも、単に液体状態の粘着材に支持されている
に過ぎない。
このため、前記部分は回転カッターからの押圧力，振
動，更には衝撃等に耐え切れずに、半導体ウェーハの切
断溝3aにおいて、微小破砕片3cを伴なって破砕部3dを形
成する破壊が発生する（（ｄ）図；同図（ｂ）のＢ部拡
大図参照）。
動，更には衝撃等に耐え切れずに、半導体ウェーハの切
断溝3aにおいて、微小破砕片3cを伴なって破砕部3dを形
成する破壊が発生する（（ｄ）図；同図（ｂ）のＢ部拡
大図参照）。
この為、半導体チップを粘着テープから剥離する際、
半導体チップを突上治具で突き上げると、突き上げの衝
撃で微小破砕片3cが切断溝3aより飛び上がり周囲の半導
体チップ表面に落下して付着する（同図（ｅ）；同図
（ｃ）のＣ部拡大図参照）。
半導体チップを突上治具で突き上げると、突き上げの衝
撃で微小破砕片3cが切断溝3aより飛び上がり周囲の半導
体チップ表面に落下して付着する（同図（ｅ）；同図
（ｃ）のＣ部拡大図参照）。
従って、微小破砕片3cが表面に付着した半導体チップ
は、配線パターンが短絡して回路機能が不良になること
が発生していた。
は、配線パターンが短絡して回路機能が不良になること
が発生していた。
本発明は上記したような問題に鑑みてなされたもの
で、半導体ウェーハの微小破砕片により半導体チップ表
面の配線パターンが短絡することを防止することのでき
る半導体装置の製造方法の提供を目的とするものであ
る。
で、半導体ウェーハの微小破砕片により半導体チップ表
面の配線パターンが短絡することを防止することのでき
る半導体装置の製造方法の提供を目的とするものであ
る。
前記課題は、加熱により粘着性のでる熱可塑性粘着材
11bを可撓性のテープ1aを片面に塗布して形成した粘着
テープ11を加熱し、半導体ウェーハ３を前記熱可塑性粘
着材介して粘着テープに貼着する工程と、前記半導体ウ
ェーハ３表面から切り込んで、該半導体ウェーハに形成
された半導体チップ４がそれぞれ分離可能な状態に該半
導体ウェーハを切断するとともに、前記粘着テープ11も
該粘着テープ11の厚さ方向に一部未切断部を残して切り
込みする工程と、前記粘着テープ11を加熱して、前記半
導体チップ４を該粘着テープから剥離する工程とを含ん
でいることを特徴とする半導体装置の製造方法により解
決される。
11bを可撓性のテープ1aを片面に塗布して形成した粘着
テープ11を加熱し、半導体ウェーハ３を前記熱可塑性粘
着材介して粘着テープに貼着する工程と、前記半導体ウ
ェーハ３表面から切り込んで、該半導体ウェーハに形成
された半導体チップ４がそれぞれ分離可能な状態に該半
導体ウェーハを切断するとともに、前記粘着テープ11も
該粘着テープ11の厚さ方向に一部未切断部を残して切り
込みする工程と、前記粘着テープ11を加熱して、前記半
導体チップ４を該粘着テープから剥離する工程とを含ん
でいることを特徴とする半導体装置の製造方法により解
決される。
粘着テープ11の熱可塑性粘着材11bは、常温において
硬い固体で、加熱されると軟化して粘性のでる性質の材
料である。
硬い固体で、加熱されると軟化して粘性のでる性質の材
料である。
斯くして、半導体ウェーハ３の切断時、該半導体ウェ
ーハは硬い熱可塑性粘着材に保持されているために、切
断が進んでも半導体ウェーハの機械的強度は殆ど弱く成
らない。
ーハは硬い熱可塑性粘着材に保持されているために、切
断が進んでも半導体ウェーハの機械的強度は殆ど弱く成
らない。
この結果、切断溝3a部の半導体ウェーハ３が破壊され
ないために微小破砕片3cの発生もない。
ないために微小破砕片3cの発生もない。
従って、半導体チップ４表面に微小破砕片3cが付着す
ることはないので、該微小破砕片3cによって半導体チッ
プ表面の配線パターン間が短絡することはなくなる。
ることはないので、該微小破砕片3cによって半導体チッ
プ表面の配線パターン間が短絡することはなくなる。
第１図は本発明の一実施例の製造方法を説明するため
の工程順側断面図である。
の工程順側断面図である。
図において、11は粘着テープ,11bは常温時は固体で10
0℃程度に加熱されると粘性のでるメチルメタアクリレ
ートをテープ1aの片面に50μｍの厚さで塗布して形成し
た熱可塑性粘着材,12は減圧部12aを減圧して半導体ウェ
ーハ３を下端面に吸着するウェーハ用真空チャック,13
は粘着テープ11を貼着したフレーム２を載置して該粘着
テープ11を100℃程度に加熱可能なテープ粘着用加熱台,
14は内側壁に加熱ヒータ14aを配設してフレーム２を載
置して該フレーム２に貼着した粘着テープ11を100℃程
度に加熱可能なチップ剥離用加熱台をそれぞれ示す。
0℃程度に加熱されると粘性のでるメチルメタアクリレ
ートをテープ1aの片面に50μｍの厚さで塗布して形成し
た熱可塑性粘着材,12は減圧部12aを減圧して半導体ウェ
ーハ３を下端面に吸着するウェーハ用真空チャック,13
は粘着テープ11を貼着したフレーム２を載置して該粘着
テープ11を100℃程度に加熱可能なテープ粘着用加熱台,
14は内側壁に加熱ヒータ14aを配設してフレーム２を載
置して該フレーム２に貼着した粘着テープ11を100℃程
度に加熱可能なチップ剥離用加熱台をそれぞれ示す。
次に、第１図を参照して本発明の一実施例を詳細に説
明する。
明する。
同図（ａ）は、ウェーハ用真空チャック12により真空
吸着された半導体ウェーハ３が、フレーム２に貼着され
てテープ貼着用加熱台13上で100℃程度に加熱されてい
るテープ11の直上部にある状態を示すものである。
吸着された半導体ウェーハ３が、フレーム２に貼着され
てテープ貼着用加熱台13上で100℃程度に加熱されてい
るテープ11の直上部にある状態を示すものである。
そして、ウェーハ用真空チャック12は図示してない駆
動装置により下降し、半導体ウェーハ３の裏面を粘着テ
ープ11の熱可塑性粘着材11bに貼着する（同図（ｂ）参
照）。
動装置により下降し、半導体ウェーハ３の裏面を粘着テ
ープ11の熱可塑性粘着材11bに貼着する（同図（ｂ）参
照）。
この後、半導体ウェーハ３は、前記説明した方法によ
り切断されて半導体チップ４が分離可能な状態となる。
（同図（ｃ）参照）。
り切断されて半導体チップ４が分離可能な状態となる。
（同図（ｃ）参照）。
この切断は、室温中で行われるために粘着テープ11の
熱可塑性粘着材11bは硬い固体状態になっている。
熱可塑性粘着材11bは硬い固体状態になっている。
従って、半導体ウェーハ３の切断が完了する直前にお
いても、該半導体ウェーハ３の未切断部分は硬度が高く
なった熱可塑性粘着材11bで支持されているために、該
未切断部分が回転カッターの押圧，振動，衝撃等で破壊
されることはない。（同図（ｄ）；同図（ｃ）のＡ部分
拡大図参照）。
いても、該半導体ウェーハ３の未切断部分は硬度が高く
なった熱可塑性粘着材11bで支持されているために、該
未切断部分が回転カッターの押圧，振動，衝撃等で破壊
されることはない。（同図（ｄ）；同図（ｃ）のＡ部分
拡大図参照）。
半導体チップ４の粘着テープ11からの剥離は、フレー
ム２をチップ剥離用加熱台14上に載置し、該フレーム２
に貼着した粘着テープ11を100℃程度に加熱した後、前
記で説明した方法により半導体チップ４を粘着テープ11
から剥離する。
ム２をチップ剥離用加熱台14上に載置し、該フレーム２
に貼着した粘着テープ11を100℃程度に加熱した後、前
記で説明した方法により半導体チップ４を粘着テープ11
から剥離する。
上記詳細に亙る説明から明らなように、本発明の半導
体装置の製造方法は、半導体ウェーハを回転カッターに
より切断しても該半導体ウェーハ裏面と切断溝とのコー
ナ部に破壊が発生しないために、半導体ウェーハ材料の
微小な破砕片も無論発生させない。
体装置の製造方法は、半導体ウェーハを回転カッターに
より切断しても該半導体ウェーハ裏面と切断溝とのコー
ナ部に破壊が発生しないために、半導体ウェーハ材料の
微小な破砕片も無論発生させない。
この結果、半導体チップ表面の配線パターンには、半
導体ウェーハ材料の微小な破砕片が付着することがない
ために、配線パターンが上記微小な破砕片により短絡す
ることはない。
導体ウェーハ材料の微小な破砕片が付着することがない
ために、配線パターンが上記微小な破砕片により短絡す
ることはない。
従って、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装
置を歩留まり良く製造することを可能にすると共に、高
い信頼性を有する半導体装置の製造をも可能とするもの
である。
置を歩留まり良く製造することを可能にすると共に、高
い信頼性を有する半導体装置の製造をも可能とするもの
である。
第１図は本発明の一実施例の製造方法を説明するための
工程順側断面図、 第２図は従来の製造方法を説明するための工程順側断面
図である。 図において、 １と11は粘着テープ、 ２はウェーハフレーム、 ３は半導体ウェーハ、 ４は半導体チップ、 ５は突上治具、 ６はウェーハ保持台、 ７はチップ用真空チャック、 ８は真空吸着板、 ９は回転カッター、 12はウェーハ用真空チャック、 13はテープ貼着用加熱台、 14はチップ剥離用加熱台をそれぞれ示す。
工程順側断面図、 第２図は従来の製造方法を説明するための工程順側断面
図である。 図において、 １と11は粘着テープ、 ２はウェーハフレーム、 ３は半導体ウェーハ、 ４は半導体チップ、 ５は突上治具、 ６はウェーハ保持台、 ７はチップ用真空チャック、 ８は真空吸着板、 ９は回転カッター、 12はウェーハ用真空チャック、 13はテープ貼着用加熱台、 14はチップ剥離用加熱台をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【請求項１】加熱により粘着性のでる熱可塑性粘着材
（11b）を可撓性のテープ（1a）の片面に塗布して形成
した粘着テープ（11）を加熱し、半導体ウェーハ（３）
を前記熱可塑性粘着材を介して粘着テープに貼着する工
程と、 前記半導体ウェーハ（３）表面から切り込んで、該半導
体ウェーハに形成された半導体チップ（４）がそれぞれ
分離可能な状態に該半導体ウェーハを切断するととも
に、前記粘着テープ（11）も該粘着テープ（11）の厚さ
方向に一部未切断部を残して切り込む工程と、 前記粘着テープ（11）を加熱して、前記半導体チップ
（４）を該粘着テープから剥離する工程とを含んでいる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9611189A JP2687573B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9611189A JP2687573B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02273955A JPH02273955A (ja) | 1990-11-08 |
| JP2687573B2 true JP2687573B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=14156279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9611189A Expired - Lifetime JP2687573B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2687573B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003063219A1 (fr) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede servant a fabriquer un composant electronique |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP9611189A patent/JP2687573B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02273955A (ja) | 1990-11-08 |
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