JPH05206267A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05206267A JPH05206267A JP1350392A JP1350392A JPH05206267A JP H05206267 A JPH05206267 A JP H05206267A JP 1350392 A JP1350392 A JP 1350392A JP 1350392 A JP1350392 A JP 1350392A JP H05206267 A JPH05206267 A JP H05206267A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive tape
- wafer
- dicing
- chip
- chips
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000012634 fragment Substances 0.000 abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェーハのダイシング方法に関し、ダ
イシング時に生じる微小破片が後にチップ表面に付着す
ることを防ぐことを目的とする。 【構成】 ウェーハ１の裏面に粘着テープ２を貼付した
後、ウェーハ１のスクライブラインに沿って切断し、ウ
ェーハ１の表面から粘着テープ２に達するダイシング溝
４を形成してウェーハ１を個々のチップ３に分割し、そ
の後粘着テープ２を拡張し、その後チップ３表面とダイ
シング溝４内を洗浄して微小破片3aを除去する。粘着テ
ープ２が紫外線硬化型又は熱硬化型の場合は、洗浄工程
以前に紫外線照射又は加熱を施して粘着テープの粘着力
を低下させる。
イシング時に生じる微小破片が後にチップ表面に付着す
ることを防ぐことを目的とする。 【構成】 ウェーハ１の裏面に粘着テープ２を貼付した
後、ウェーハ１のスクライブラインに沿って切断し、ウ
ェーハ１の表面から粘着テープ２に達するダイシング溝
４を形成してウェーハ１を個々のチップ３に分割し、そ
の後粘着テープ２を拡張し、その後チップ３表面とダイ
シング溝４内を洗浄して微小破片3aを除去する。粘着テ
ープ２が紫外線硬化型又は熱硬化型の場合は、洗浄工程
以前に紫外線照射又は加熱を施して粘着テープの粘着力
を低下させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法、
特に半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するダ
イシング方法に関する。
特に半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するダ
イシング方法に関する。
【０００２】半導体ウェーハを個々の半導体チップに分
割する方法としては、回転するブレード（ダイシングソ
ー）により切断する方式が一般的である。当初はブレー
ドでウェーハの厚さの一部が残るように切断（これをハ
ーフカットと呼ぶ）した後、クラッキングによりチップ
に分割していたが、クラッキング時にウェーハの破片を
生じ易いため、最近ではブレードでウェーハの全板厚を
切断（これをフルカットと呼ぶ）する方式が主流となっ
ている。しかしフルカットであっても、微小破片の発生
をなくすことは困難である。
割する方法としては、回転するブレード（ダイシングソ
ー）により切断する方式が一般的である。当初はブレー
ドでウェーハの厚さの一部が残るように切断（これをハ
ーフカットと呼ぶ）した後、クラッキングによりチップ
に分割していたが、クラッキング時にウェーハの破片を
生じ易いため、最近ではブレードでウェーハの全板厚を
切断（これをフルカットと呼ぶ）する方式が主流となっ
ている。しかしフルカットであっても、微小破片の発生
をなくすことは困難である。
【０００３】近年、半導体装置の高集積化や高信頼性の
要求に伴って、この微小破片に起因する障害が問題とな
っており、こを防止することが可能な半導体装置の製造
方法が望まれている。
要求に伴って、この微小破片に起因する障害が問題とな
っており、こを防止することが可能な半導体装置の製造
方法が望まれている。
【０００４】
【従来の技術】従来の製造方法の一例を図２を用いて説
明する。図２ (a)〜(c) は従来の製造方法の一例を工程
順に示す模式断面図である。尚、図中、図１と同じもの
には同一の符号を付与した。
明する。図２ (a)〜(c) は従来の製造方法の一例を工程
順に示す模式断面図である。尚、図中、図１と同じもの
には同一の符号を付与した。
【０００５】先ずウェーハ１の裏面に粘着テープ（紫外
線硬化型、熱硬化型等）２を貼付する（図２(a) 参
照）。次にこれらをダイシング装置（図示は省略）上に
固定し、このダイシング装置のブレード11によりウェー
ハ１の表面側からそのスクライブラインに沿ってフルカ
ット方式で切断（ダイシング）する。即ち、粘着テープ
２に達する格子状のダイシング溝４を形成して複数個の
チップ３を得る。この際、切断によって生じたシリコン
片やテープ屑等の微小破片3aがダイシング溝４の底に溜
まる。又、チップ３の裏面側のエッジ部分（ダイシング
溝４との交線部分）に生じて脱落せずに留まっているシ
リコンの微小破片3aも多数ある（図２(b) 参照）。
線硬化型、熱硬化型等）２を貼付する（図２(a) 参
照）。次にこれらをダイシング装置（図示は省略）上に
固定し、このダイシング装置のブレード11によりウェー
ハ１の表面側からそのスクライブラインに沿ってフルカ
ット方式で切断（ダイシング）する。即ち、粘着テープ
２に達する格子状のダイシング溝４を形成して複数個の
チップ３を得る。この際、切断によって生じたシリコン
片やテープ屑等の微小破片3aがダイシング溝４の底に溜
まる。又、チップ３の裏面側のエッジ部分（ダイシング
溝４との交線部分）に生じて脱落せずに留まっているシ
リコンの微小破片3aも多数ある（図２(b) 参照）。
【０００６】粘着テープ２が紫外線硬化型若しくは熱硬
化型の場合には、次に紫外線照射若しくは加熱処理を施
してその粘着材の粘着力を弱める。その後、アセンブリ
工程においてチップ３を一個ずつ裏面側から突き上げピ
ン12で突き上げて粘着テープ２から剥離し、これをコレ
ット（図示は省略）によりピックアップして、チップト
レイ又はダイボンダに搬送する。このチップ３突き上げ
の際、ダイシング溝４内やチップ３裏面側エッジ部分に
あった微小破片3aが飛散して他のチップ３の表面等に付
着することがある（図２(c) 参照）。
化型の場合には、次に紫外線照射若しくは加熱処理を施
してその粘着材の粘着力を弱める。その後、アセンブリ
工程においてチップ３を一個ずつ裏面側から突き上げピ
ン12で突き上げて粘着テープ２から剥離し、これをコレ
ット（図示は省略）によりピックアップして、チップト
レイ又はダイボンダに搬送する。このチップ３突き上げ
の際、ダイシング溝４内やチップ３裏面側エッジ部分に
あった微小破片3aが飛散して他のチップ３の表面等に付
着することがある（図２(c) 参照）。
【０００７】このような微小破片3aの付着を防止するた
めに、ダイシング工程の後に洗浄工程を付加することが
あるが、ダイシング溝４が極めて細いためにその底に溜
まった微小破片3aは除去されにくく、又、チップ３裏面
側エッジ部分の微小破片3aは殆ど除去されない。
めに、ダイシング工程の後に洗浄工程を付加することが
あるが、ダイシング溝４が極めて細いためにその底に溜
まった微小破片3aは除去されにくく、又、チップ３裏面
側エッジ部分の微小破片3aは殆ど除去されない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】チップ突き上げの際に
チップの表面に上記のような微小破片が付着すると、後
の工程で傷や短絡等の障害の原因となる。特に受光素子
（ＣＣＤ）の場合には、表面に微小破片が付着したデバ
イスは不良品となる。
チップの表面に上記のような微小破片が付着すると、後
の工程で傷や短絡等の障害の原因となる。特に受光素子
（ＣＣＤ）の場合には、表面に微小破片が付着したデバ
イスは不良品となる。
【０００９】本発明はこのような問題を解決して、ダイ
シングによって生じる微小破片がチップ表面に付着する
ことを防止することが可能な半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
シングによって生じる微小破片がチップ表面に付着する
ことを防止することが可能な半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、[1] ウェーハの裏面に粘着テープを貼付する工程
と、該ウェーハの表面から該粘着テープに達するダイシ
ング溝を形成して該ウェーハを個々のチップに分割する
工程と、該粘着テープを拡張する工程と、該チップ表面
及び該ダイシング溝内を洗浄する工程と、をこの順に有
することを特徴とする半導体装置の製造方法とすること
で、[2] 前記[1] において、前記粘着テープは紫外線硬
化型粘着テープであり、前記ウェーハを個々のチップに
分割する工程の後、且つ該チップ表面及び前記ダイシン
グ溝内を洗浄する工程の前に、該粘着テープに紫外線を
照射する工程を有することを特徴とする半導体装置の製
造方法とすることで、[3] 前記[1] において、前記粘着
テープは熱硬化型粘着テープであり、前記ウェーハを個
々のチップに分割する工程の後、且つ該チップ表面及び
前記ダイシング溝を洗浄する工程の前に、該粘着テープ
を加熱する工程を有することを特徴とする半導体装置の
製造方法とすることで、達成される。
れば、[1] ウェーハの裏面に粘着テープを貼付する工程
と、該ウェーハの表面から該粘着テープに達するダイシ
ング溝を形成して該ウェーハを個々のチップに分割する
工程と、該粘着テープを拡張する工程と、該チップ表面
及び該ダイシング溝内を洗浄する工程と、をこの順に有
することを特徴とする半導体装置の製造方法とすること
で、[2] 前記[1] において、前記粘着テープは紫外線硬
化型粘着テープであり、前記ウェーハを個々のチップに
分割する工程の後、且つ該チップ表面及び前記ダイシン
グ溝内を洗浄する工程の前に、該粘着テープに紫外線を
照射する工程を有することを特徴とする半導体装置の製
造方法とすることで、[3] 前記[1] において、前記粘着
テープは熱硬化型粘着テープであり、前記ウェーハを個
々のチップに分割する工程の後、且つ該チップ表面及び
前記ダイシング溝を洗浄する工程の前に、該粘着テープ
を加熱する工程を有することを特徴とする半導体装置の
製造方法とすることで、達成される。
【００１１】
【作用】本発明の製造方法によれば、ウェーハのダイシ
ング後に粘着テープを拡張するから、チップの裏面側の
エッジ部分にダイシング時に生じて脱落せずに留まって
いるシリコンの微小破片が脱落してダイシング溝に溜ま
ると共に、そのダイシング溝は幅が拡張される。従っ
て、粘着テープ拡張後に洗浄を行うことにより、ダイシ
ング時に生じる微小破片を効率良く除去することが出来
る。その結果、チップに微小破片が付着することに起因
する傷や短絡等の障害を防止することが出来る。
ング後に粘着テープを拡張するから、チップの裏面側の
エッジ部分にダイシング時に生じて脱落せずに留まって
いるシリコンの微小破片が脱落してダイシング溝に溜ま
ると共に、そのダイシング溝は幅が拡張される。従っ
て、粘着テープ拡張後に洗浄を行うことにより、ダイシ
ング時に生じる微小破片を効率良く除去することが出来
る。その結果、チップに微小破片が付着することに起因
する傷や短絡等の障害を防止することが出来る。
【００１２】尚、粘着テープが紫外線硬化型（いわゆる
ＵＶテープ）又は熱硬化型である場合には、洗浄前に紫
外線照射又は加熱を施してその粘着性を低下させること
により、微小破片を除去し易くなる。
ＵＶテープ）又は熱硬化型である場合には、洗浄前に紫
外線照射又は加熱を施してその粘着性を低下させること
により、微小破片を除去し易くなる。
【００１３】
【実施例】本発明に基づく半導体装置の製造方法の一例
を図１を参照しながら説明する。図１ (a)〜(d) は本発
明の実施例を工程順に示す模式断面図である。
を図１を参照しながら説明する。図１ (a)〜(d) は本発
明の実施例を工程順に示す模式断面図である。
【００１４】先ずウェーハ１の裏面側（素子が形成され
ていない側）に、粘着材が紫外線硬化性樹脂又は熱硬化
性樹脂である粘着テープ２を貼付する（図１(a) 参
照）。次にこれらをダイシング装置（図示は省略）上に
固定し、そのダイシング装置のブレード11によりウェー
ハ１の表面側からそのスクライブラインに沿ってフルカ
ット方式で切断（ダイシング）する。即ち、粘着テープ
２に達する（20〜50μm 程度切り込む) 格子状のダイシ
ング溝４を設けて複数個のチップ３を得る。この際、切
断によって生じたシリコン片やテープ屑等の微小破片3a
がダイシング溝４の底に溜まる。又、チップ３の裏面側
のエッジ部分（ダイシング溝４との交線部分）に生じて
脱落せずに留まっているシリコンの微小破片3aも多数あ
る（図１(b)参照）。
ていない側）に、粘着材が紫外線硬化性樹脂又は熱硬化
性樹脂である粘着テープ２を貼付する（図１(a) 参
照）。次にこれらをダイシング装置（図示は省略）上に
固定し、そのダイシング装置のブレード11によりウェー
ハ１の表面側からそのスクライブラインに沿ってフルカ
ット方式で切断（ダイシング）する。即ち、粘着テープ
２に達する（20〜50μm 程度切り込む) 格子状のダイシ
ング溝４を設けて複数個のチップ３を得る。この際、切
断によって生じたシリコン片やテープ屑等の微小破片3a
がダイシング溝４の底に溜まる。又、チップ３の裏面側
のエッジ部分（ダイシング溝４との交線部分）に生じて
脱落せずに留まっているシリコンの微小破片3aも多数あ
る（図１(b)参照）。
【００１５】次に粘着テープ２が紫外線硬化型の場合に
はこれに紫外線を照射し、熱硬化型の場合には加熱処理
を施して、これらの粘着材の粘着力を弱める。次にテー
プ拡張器を用いて粘着テープ２を拡張する。これにより
ダイシング溝４の幅が拡張する（図１(c) 参照）。この
際、チップ３の裏面側のエッジ部分に留まっていたシリ
コンの微小破片3aは脱落してダイシング溝４に溜まる。
はこれに紫外線を照射し、熱硬化型の場合には加熱処理
を施して、これらの粘着材の粘着力を弱める。次にテー
プ拡張器を用いて粘着テープ２を拡張する。これにより
ダイシング溝４の幅が拡張する（図１(c) 参照）。この
際、チップ３の裏面側のエッジ部分に留まっていたシリ
コンの微小破片3aは脱落してダイシング溝４に溜まる。
【００１６】次にチップ３の表面側をダイシング溝４内
と共に洗浄して、微小破片3aを除去する（図１(d) 参
照）。洗浄方法としては、スピンナで回転しながら加圧
した純水を吹き付ける方法、更にスクラブ洗浄の併用等
が効果的である。
と共に洗浄して、微小破片3aを除去する（図１(d) 参
照）。洗浄方法としては、スピンナで回転しながら加圧
した純水を吹き付ける方法、更にスクラブ洗浄の併用等
が効果的である。
【００１７】その後、アセンブリ工程において、従来と
同様の方法でチップ３を一個ずつ突き上げて粘着テープ
２から剥離し、チップトレイ又はダイボンダに搬送す
る。このチップ３突き上げの際、ダイシング溝４内やチ
ップ３裏面側エッジ部分には微小破片3aがないから、こ
れが他のチップ３の表面等に付着することはない。
同様の方法でチップ３を一個ずつ突き上げて粘着テープ
２から剥離し、チップトレイ又はダイボンダに搬送す
る。このチップ３突き上げの際、ダイシング溝４内やチ
ップ３裏面側エッジ部分には微小破片3aがないから、こ
れが他のチップ３の表面等に付着することはない。
【００１８】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施出来る。例えば、粘着テープ
２の粘着力を弱める処理（紫外線照射又は加熱）は、粘
着テープ２拡張後、且つ洗浄前に行っても、本発明は有
効である。
く、更に種々変形して実施出来る。例えば、粘着テープ
２の粘着力を弱める処理（紫外線照射又は加熱）は、粘
着テープ２拡張後、且つ洗浄前に行っても、本発明は有
効である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダイシングによって生じる微小破片がチップ表面に付着
することを防止することが可能な半導体装置の製造方法
を提供することが出来、半導体装置製造の歩留り向上と
半導体装置の信頼性向上に寄与する。
ダイシングによって生じる微小破片がチップ表面に付着
することを防止することが可能な半導体装置の製造方法
を提供することが出来、半導体装置製造の歩留り向上と
半導体装置の信頼性向上に寄与する。
【図１】 本発明の実施例を工程順に示す模式断面図で
ある。
ある。
【図２】 従来の製造方法の一例を工程順に示す模式断
面図である。
面図である。
１ ウェーハ ２ 粘着テープ ３ チップ 3a 微小破片 ４ ダイシング溝 11 ブレード 12 突き上げピン
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェーハ(1) の裏面に粘着テープ(2) を
貼付する工程と、 該ウェーハ(1) の表面から該粘着テープ(2) に達するダ
イシング溝(4) を形成して該ウェーハ(1) を個々のチッ
プ(3) に分割する工程と、 該粘着テープ(2) を拡張する工程と、 該チップ(3) 表面及び該ダイシング溝(4) 内を洗浄する
工程と、をこの順に有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】 前記粘着テープ(2) は紫外線硬化型粘着
テープであり、 前記ウェーハ(1) を個々のチップ(3) に分割する工程の
後、且つ該チップ(3)表面及び前記ダイシング溝(4) 内
を洗浄する工程の前に、該粘着テープ(2) に紫外線を照
射する工程を有することを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記粘着テープ(2) は熱硬化型粘着テー
プであり、 前記ウェーハ(1) を個々のチップ(3) に分割する工程の
後、且つ該チップ(3)表面及び前記ダイシング溝(4) 内
を洗浄する工程の前に、該粘着テープ(2) を加熱する工
程を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1350392A JPH05206267A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1350392A JPH05206267A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206267A true JPH05206267A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11834933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1350392A Withdrawn JPH05206267A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206267A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0622833A1 (en) * | 1993-04-28 | 1994-11-02 | Texas Instruments Incorporated | Adhesive sheet for wafer and process for preparing semiconductor apparatus using the same |
| JPH09266182A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Nec Corp | ダイシング装置およびその方法 |
| JP2006093213A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤層付き半導体素子の製造方法 |
| JP2012164739A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR101660687B1 (ko) * | 2015-04-14 | 2016-09-28 | 백명호 | 반도체 칩 표면실장방법 |
| CN106206397A (zh) * | 2016-08-05 | 2016-12-07 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法 |
-
1992
- 1992-01-29 JP JP1350392A patent/JPH05206267A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0622833A1 (en) * | 1993-04-28 | 1994-11-02 | Texas Instruments Incorporated | Adhesive sheet for wafer and process for preparing semiconductor apparatus using the same |
| JPH09266182A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Nec Corp | ダイシング装置およびその方法 |
| JP2006093213A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤層付き半導体素子の製造方法 |
| JP2012164739A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR101660687B1 (ko) * | 2015-04-14 | 2016-09-28 | 백명호 | 반도체 칩 표면실장방법 |
| CN106206397A (zh) * | 2016-08-05 | 2016-12-07 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法 |
| US10186495B2 (en) | 2016-08-05 | 2019-01-22 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Film for semiconductor device and fabrication method thereof |
| CN106206397B (zh) * | 2016-08-05 | 2020-02-07 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1054437C (zh) | 微机械器件的制造方法 | |
| US8148240B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor chips | |
| JP2005116844A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005032903A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4867627B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07106285A (ja) | 半導体製造方法 | |
| JP5534594B2 (ja) | シート貼付方法およびウエハ加工方法 | |
| JPH05206267A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0774131A (ja) | ダイシング装置及び半導体チップの加工方法 | |
| JP3064979B2 (ja) | 半導体ウェハのダイシング方法 | |
| JP2861264B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000091274A (ja) | 半導体チップの形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2002043254A (ja) | ダイシング装置及びダイシング方法 | |
| JP2890851B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US10636707B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| JP4553878B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04223356A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04330766A (ja) | ウェーハの切断方法 | |
| JP7386745B2 (ja) | デバイスチップの製造方法 | |
| JP2007180252A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN112117186A (zh) | 晶圆切割方法 | |
| JPH04340251A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0621219A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04336448A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100244492B1 (ko) | 반도체 칩 제조용 웨이퍼의 절단방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |