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JPH02273955A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPH02273955A
JPH02273955A JP1096111A JP9611189A JPH02273955A JP H02273955 A JPH02273955 A JP H02273955A JP 1096111 A JP1096111 A JP 1096111A JP 9611189 A JP9611189 A JP 9611189A JP H02273955 A JPH02273955 A JP H02273955A
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JP
Japan
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adhesive tape
semiconductor
semiconductor wafer
tape
wafer
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JP1096111A
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Yutaka Yamada
豊 山田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 半導体装置の製造方法に関し、 半導体ウェーハの微小破砕片により半導体チップ表面の
配線パターンの短絡を防止可能な半導体装置の製造方法
の提供を目的とし、 加熱により粘着性のでる熱可塑性粘着材を可撓性のテー
プの片面に塗布して形成し・た粘着テープを加熱し、半
導体ウェーハを前記熱可塑性粘着材を介して粘着テープ
に貼着する工程と、前記半導体ウェーハ表面から切り込
んで、該半導体ウェーハに形成された半導体チップがそ
れぞれ分離可能な状態に該半導体ウェーハを切断すると
ともに、前記粘着テープも該粘着テープの厚さ方向に一
部未切断部を残して切り込みする工程と、前記粘着テー
プを加熱して、前記半導体チップを該粘着テープから剥
離する工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置
の製造方法で構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェーハの微小破砕片により半導体チ
ップ表面の配線パターンの短絡を防止可能な半導体装置
の製造方法に関する。
近年、半導体チップに形成した電子回路の高集積化に伴
い、半導体チップ表面の配線パターン幅や配線パターン
間距離がサブミクロン程度の非常に微細なものになって
きている。
従って、半導体ウェーハ等を扱うクリーンルーム内のク
リーン度の改善は熱論、半導体ウェーハ自身からの微小
破砕片の発生を抑え、半導体チップ表面の配線パターン
が微小破砕片等で短絡することの防止が益々重要な課題
となってきている。
〔従来の技術〕
半導体ウェーハを粘着テープに貼着し、半導体ウェーハ
を切断し、そして半導体チップを粘着テープから剥離す
る従来の方法を説明する。
第２図は、従来の製造方法を説明するための工程順側断
面図である。
尚、同じ部品・材料に対しては全図を通して同じ記号を
付与しである。
図において、■は粘着テープで、可撓性を有するテープ
ｌａ（例えば、厚さ７０μｍのポリエチレン製のテープ
）の片面に粘着材１ｂ　（例えば、アクリル系の粘着材
）を２０μｍ程度の厚さで塗布して形成したものである
。
２はウェーハフレーム（以下、フレームと呼称する）で
、厚さ１ｍｍ程度の金属板（例えば、ステンレス鋼板）
の中心部に半導体ウェーハ３より大きな開口部２ａを設
けて形成したものである。
５は突上治具で、少なくとも３本以上の針状ピンの先端
を揃えて構成したものである。
６はウェーハ保持台で、フレーム２の裏面２ｂの外側面
を支持するものである。
７はチップ用真空チャックで、金属棒の中心部に設けた
減圧部７ａが図示してない真空装置に接続し該減圧部７
ａの減圧により半導体チップ４を該減圧部７ａの先端に
真空吸着可能に形成されている。
次に、従来の製造方法、すなわち半導体ウェーハ３の粘
着テープ１への貼着から該粘着テープ１から半導体ウェ
ーハ３に形成した半導体チップ４を剥離して、例えば該
半導体チップ４をチップトレイに収納するまでを説明す
る。
先ず、フレーム２の開口部２ａを張膜した粘着テープ１
に、ウェーハエ程の完了した半導体ウェーハ３の裏面を
貼着する（同図（ａ）参照）。
そして、半導体ウェーハ３の切断は、始めに半導体ウェ
ーハ３を貼着した粘着テープ１のテープ１ａが半導体ウ
ェーハ切断用のグイシングツ−の真空吸着板８表面と対
面するようにして、フレーム２を前記真空吸着板８上に
載置した後、粘着テープ面を真空吸着して確りと半導体
ウェーハを該真空吸着板に固定する。
次いで、高速で回転しているダイシングソーの回転カッ
ター９により半導体ウェーハの半導体チップ４間部分を
十文字状に切断する。
尚、この切断においては、半導体ウェーハは完全に切断
されるが、粘着テープ１は厚さ方向に未切断部分が残さ
れている（同図（ｂ）参照）。
次に、上記切断によりそれぞれが分離状態になって粘着
テープ１に貼着されている半導体チップ４を剥離する方
法を説明する。
先ず、半導体チップ４表面を上方に向けて、フレーム２
をウェーハフレーム保持台６に固定した後、突上治具５
を垂直に上昇させる。
すると、突上治具５の先端部は、粘着テープｌを突き破
って半導体チップ４裏面に当接し、該半導体チップを粘
着テープから剥離させる。
次いで、この剥離と同時にチップ用真空チャック７を垂
直に下降させ、半導体チップ４を真空チャックの先端に
真空吸着する（同図（ｃ）参照）。
そして、半導体チップ４を真空吸着したチップ用真空チ
ャック７をチップトレイ　（図示せず）の置かれた位置
に移動し、該半導体チップ４を該チップトレイ上に静か
に載置して収納する。
〔発明が解決しようとする課題〕
高速で回転してる回転カッターにより半導体ウェーハ表
面から切り込んで、該半導体ウェーハを切断する方法に
おいては、半導体ウェーハの切断が進むに連れての回転
カッターの直下部分の半導体ウェーハの厚さが薄くなる
。
然も、この半導体ウェーハは高粘度ではあるが常温にお
いては液体である従来の粘着テープｌのの粘着材１ｂに
貼着されている。
従って、回転カッター直下部の厚さが薄くなった半導体
ウェーハも、単に液体状態の粘着材に支持されているに
過ぎない。
このため、前記部分は回転カッターからの押圧力、振動
、更には衝撃等に耐え切れずに、半導体ウェーハの切断
溝３ａにおいて、微小破砕片３ｃを伴なって破砕部３ｄ
を形成する破壊が発生する（（ｄ）図；同図（ｂ）のＢ
部拡大図参照）。
この為、半導体チップを粘着テープから剥離する際、半
導体チップを突上治具で突き上げると、突き上げの衝撃
で微小破砕片３ｃが切断溝３ａより飛び上がり周囲の半
導体チップ表面に落下して付着する（同図（ｅ）；同図
（ｃ）のＣ部拡大図参照）。
従って、微小破砕片３ｃが表面に付着した半導体チップ
は、配線パターンが短絡して回路機能が不良になること
が発生していた。
本発明は上記したような問題に鑑みてなされたもので、
半導体ウェーハの微小破砕片により半導体チップ表面の
配線パターンが短絡することを防止することのできる半
導体装置の製造方法の提供を目的とするものである。
〔課題を解決するための手段〕
前記課題は、加熱により粘着性のでる熱可塑性粘着材１
１ｂを可撓性のテープ１ａの片面に塗布して形成した粘
着テープ１１を加熱し、半導体ウェーハ３を前記熱可塑
性粘着材弁して粘着テープに貼着する工程と、前記半導
体ウェーハ３表面から切り込んで、該半導体ウェーハに
形成された半導体チップ４がそれぞれ分離可能な状態に
該半導体ウェーハを切断するとともに、前記粘着テープ
１１も該粘着テープ１１の厚さ方向に一部未切断部を残
して切り込みする工程と、前記粘着テープ１１を加熱し
て、前記半導体チップ４を該粘着テープから剥離する工
程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方
法により解決される。
〔作　用〕
粘着テープ１１の熱可塑性粘着材１１ｂは、常温におい
て硬い固体で、加熱されると軟化して粘性のでる性質の
材料である。
斯くして、半導体ウェーハ３の切断時、該半導体ウェー
ハは硬い熱可塑性粘着材に保持されているために、切断
が進んでも半導体ウェーへの機械的強度は殆ど弱く成ら
ない。
この結果、切断溝３ａ部の半導体ウェーハ３が破壊され
ないために微小破砕片３ｃの発生もない。
従って、半導体チップ４表面に微小破砕片３ｃが付着す
ることはないので、該微小破砕片３ｃによって半導体チ
ップ表面の配線パターン間が短絡することはなくなる。
〔実　施　例〕
第１図は本発明の一実施例の製造方法を説明するだめの
工程順側断面図である。
図において、１１は粘着テープ、１１ｂは常温時は固体
で１００°Ｃ程度に加熱されると粘性のでるメチルメタ
アクリレートをテープ１ａの片面に５０μｍの厚さで塗
布して形成した熱可塑性粘着材、１２は減圧部１２ａを
減圧して半導体ウェーハ３を下端面に吸着するウェーハ
用真空チャック、１３は粘着テープ１１を貼着したフレ
ーム２を載置して該粘着テープ１１を１００　”Ｃ程度
に加熱可能なテープ貼着用加熱台、１４は内側壁に加熱
ヒータ１４ａを配設してフレーム２を載置して該フレー
ム２に貼着した粘着テープ１１を１００℃程度に加熱可
能なチップ！、ｒ１雛用加熱台をそれぞれ示す。
次に、第１図を参照して本発明の一実施例を詳細に説明
する。
同図（ａ）は、ウェーハ用真空チャック１２により真空
吸着された半導体ウェーハ３が、フレーム２に貼着され
てテープ貼着用加熱台１３上で１００　’Ｃ程度に加熱
されているテープ１１の直上部にある状態を示すもので
ある。
そして、ウェーハ用真空チャック１２は図示してない駆
動装置により下降し、半導体ウェーハ３の裏面を粘着テ
ープ１１の熱可塑性粘着材１１ｂに貼着する（同図（ｂ
）参照）。
この後、半導体ウェーハ３は、前記説明した方法により
切断されて半導体チップ４が分離可能な状態となる。（
同図（ｃ）参照）。
この切断は、室温中で行われるために粘着テープ１１の
熱可塑性粘着材１１ｂは硬い固体状態になっている。
従って、半導体ウェーハ３の切断が完了する直前におい
ても、該半導体ウェーハ３の未切断部分は硬度が高くな
った熱可塑性粘着材１１ｂで支持されているために、該
未切断部分が回転カッターの押圧、振動、衝撃等で破壊
されることはない。
（同図（ｄ）；同図（ｃ）のＡ部分拡大図参照）。
半導体チップ４の粘着テープ１１からの剥離は、フレー
ム２をチップ剥離用加熱台１４上に載置し、該フレーム
２に貼着した粘着テープ１１を１００℃程度に加熱した
後、前記で説明した方法により半導体チップ４を粘着テ
ープ１１から剥離する。
〔発明の効果〕
上記詳細に亙る説明から明らなように、本発明の半導体
装置の製造方法は、半導体ウェーハを回転カッターによ
り切断しても該半導体ウェーハ裏面と切断溝とのコーナ
部に破壊が発生しないために、半導体ウェーハ材料の微
小な破砕片も熱論発生させない。
この結果、半導体チップ表面の配線パターンには、半導
体ウェーハ材料の微小な破砕片が付着することがないた
めに、配線パターンが上記微小な破砕片により短絡する
ことはない。
従って、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置
を歩留まり良く製造することを可能にすると共に、高い
信頼性を存する半導体装置の製造をも可能とするもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の製造方法を説明するための
工程順側断面図、 第２図は従来の製造方決を説明するための工程順側断面
図である。 図において、 １と１１は粘着テープ、 ２はウェーハフレーム、 ３は半導体ウェーハ、 ４は半導体チップ、 ５は突上治具、 ６はウェーハ保持台、 ７はチップ用真空チャック・ ８は真空吸着板、 ９は回転カッター １２はウェーハ用真空チャック、 １３はテープ貼着用加熱台、 １４はチップ剥離用加熱台をそれぞれ示す。 第１図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 加熱により粘着性のでる熱可塑性粘着材（１１ｂ）を可
    撓性のテープ（１ａ）の片面に塗布して形成した粘着テ
    ープ（１１）を加熱し、半導体ウェーハ（３）を前記熱
    可塑性粘着材を介して粘着テープに貼着する工程と、 前記半導体ウェーハ（３）表面から切り込んで、該半導
    体ウェーハに形成された半導体チップ（４）がそれぞれ
    分離可能な状態に該半導体ウェーハを切断するとともに
    、前記粘着テープ（１１）も該粘着テープ（１１）の厚
    さ方向に一部未切断部を残して切り込む工程と、 前記粘着テープ（１１）を加熱して、前記半導体チップ
    （４）を該粘着テープから剥離する工程とを含んでいる
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP9611189A 1989-04-14 1989-04-14 半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JP2687573B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003063219A1 (fr) * 2002-01-25 2003-07-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Procede servant a fabriquer un composant electronique

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003063219A1 (fr) * 2002-01-25 2003-07-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Procede servant a fabriquer un composant electronique
US6984572B2 (en) 2002-01-25 2006-01-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing electronic component

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